模拟电子技术基础实验

模拟电子技术基础实验

实验一常用电子仪器的使用

实验二常用电子元件的识别与检测

实验三放大器静态工作点和电压放大倍数的测量实验四放大器输入、输出电阻和频率特性的测量实验五射极跟随器

实验六负反馈放大电路

实验七差动放大电路

实验一常用电子仪器的使用

一、实验目的

1、了解示波器的工作原理，初步掌握用示波器观察信号波形和测量波形参数的方法。

2、了解低频信号发生器和低频毫伏表的工作原理，初步学会正确使用这两种基本仪器。

二、实验仪器及器材

双踪示波器低频信号发生器低频毫伏表

三、实验原理

示波器、信号发生器和低频毫伏表是测量、调试电子线路的基本常用仪器，几乎每次实验都要用到这些仪器，能够熟练地、正确地使用这些仪器，是做好电子线路实验的保证。下面分别介绍这些仪器的一般工作原理和使用方法。

示波器及其应用

示波器是一种可以定量观测电信号波形的电子仪器。由于它能够在屏幕上直接显示电信号的波形，因此人们形象地称之为“示波器”。如果我们将普通示波器的结构和功能稍加扩展，便可以方便地组成晶体图示仪、扫频仪和各种雷达设备等。若借助于相应的转换器，它还可以用来观测各种非电量，如温度、压力、流量、生物信号（能够转换成电信号的各种模拟量）等。

示波器的种类繁多，分类方法也各不相同。如按照示波管的不同来分，示波器可分为单线示波器和双线示波器；按照其功能不同来分，示波器又可分为通用示波器和专用示波器两大类；按显示方式不同也可分为单踪示波器、双踪示波器和多踪示波器。此外，示波器还有存贮示波器和非存贮示波器之分。现代的示波器正朝着高宽带、高精度、高性能价格比和多通道、多功能、智能化的方向发展。下面，以通用示波器为例介绍示波器的一般工作原理和使用方法。

1．示波器的基本组成

虽然示波器的种类很多，但无论哪种类型的示波器，一般都包含有示波管、垂直（Y轴）放大系统、水平（X轴）放大系统、扫描发生器、触发同步电路和直流电源等六大基本组成部分，其基本结构方框图如图所示。

垂直放大系统用来放大被测信号，水平放大系统用来放大扫描电压或X 轴输入信号，以保证Y 、X 偏转板有足够的偏转电压，满足示波管偏转灵敏度的要求，达到能明显地观察到荧光屏上光点位移的目的。

为了使示波器既能观察微弱信号又能不失真地大信号，Y 轴放大系统的输入级有一组衰减器（称为“Y 轴衰减”，又称“Y 轴灵敏度“），用来衰减大信号。其前置放大级具有很大的输入阻抗，使示波器对被测信号电路的影响很小而且放大倍数可以调节，称为“Y 轴微调”。

扫描发生器用来产生幅度与时间成线性关系的锯齿波电压，此电压经X 放大器加到示波管（CRT ）的X 轴偏转板，使电子束形成水平扫描。

触发同步电路为锯齿波电压产生电路提供触发脉冲。触发脉冲要有一定的幅度、宽度、陡度和极性，并于被测信号有严格的同步关系，。因此，在使用中，同步电路的选择与调节项目很多，有触发源选择、触发方式选择、触发极性选择、耦合方式选择与触发电平调节等多项选择与调节。

示波管是示波器的核心部件，用于显示电压信号的波形。

2．示波器显示波形的原理

1）波形的显示

如果在示波管的垂直偏转板和水平偏转板上加上不同的电压X u 和Y u ，则电子束将作不同的偏转，示波器的荧光屏上将会显示不同的波形。具体情况如下：

①若两对偏转板上均不加任何信号（即0,0==Y X u u ），或两对偏转板分别为等电位，则光点出现在荧光屏的中心位置，不产生任何偏转。

②若垂直偏转板加上正弦电压，而水平偏转板不加电压（即ωsin M y U u =t ，

0=x u ），则光点沿垂直方向随Y u 的变化而偏转。光点的轨迹为一条垂直线，其

长度正比于Y u 的峰峰值。

反之，若ωsin m X U u =t ，0=Y u 则荧光屏上显示一条水平线。

③如果ωsin m X Y U u u ==t ，则电子束同时受到两对偏转板电场力的作用，光点沿X 轴和Y 轴的合成方向运动，其轨迹为一条斜线。

④若ωsin m y U u =t ，X u 为一个与Y u 相同周期的锯齿波电压（Y X T T =），则在荧光屏上可真实地显示Y u 的波形。

可见，如果在示波器垂直偏转板上加上被测信号电压，而在水平偏转板上加上理想的锯齿波扫描电压，则荧光屏上将显示出被测信号的波形。

四、实验内容

1．用示波器观察信号波形 1）观察不同频率的信号波形

2V ，接至示波器的“Y 轴输入”。Z 、200kH Z 的正弦信号。要求荧光屏上显示出高度为6div

2）观察扫描信号频率大于被测信号频率时的信号波形

低频信号发生器输出信号电压幅度同上，频率为4kH Z ，调节示波器，使荧光屏上显示一个完整周期的正弦波。固定示波器的“t/div ”和“扫描微调”位置，改变低频信号发生器输出信号频率分别为2kH Z 和1kH Z ，观察并分析这三种频率

时的信号波形。

2．用示波器和低频毫伏表测量交流信号的电压

用示波器和低频毫伏表同时测量低频信号发生器的输出电压。信号发生器的输出电压，可用低频毫伏表准确测出。调节信号发生器输出信号的频率为1kH

Z

，然后改变“输出调节”和变换“输出衰减”挡，使输出信号电压分别为3V、、100mV （用低频毫伏表监测），再用示波器测量这些电压，将结果填入表1-1中，并加以比较。

3．用示波器测量信号的周期与频率

将信号发生器输出电压固定为某一数值。用示波器分别测量信号发生器的频

率指示为1kH

Z 、5kH

Z

、100kH

Z

时的信号周期T，并换算出相应的频率值f，记入

表1-2中。为了保证测量的精度，应使屏幕上显示波形的一个周期占有足够的格数；或测量2~4个周期的时间，再取其平均值。

五、思考题

1．用示波器观察波形时，要达到如下要求，主要应调节哪些旋钮

①波形清晰；②亮度适中；③波形位置移动；④波形稳定；⑤改变波形个数；

⑥改变波形高度。

2．用一台完好的示波器观察信号波形时，若产生下列现象，请解释其可能的原因

①荧光屏上看不到亮点。

②荧光屏上只显示一条垂直线。

③荧光屏上出现与屏幕上、下边界相接的不太亮的垂线，如下图（a）。

④荧光屏上出现与屏幕左、右边界相接的不太亮的曲线，如下图（b）。

（a）（b）

荧光屏显示的不正常波形

3．为什么不能使示波管上长时间显示固定亮点

实验二常用电子元件的识别与检测

一、实验目的

掌握常用电子元件的识别知识与检测技术。

二、实验仪器

数字式万用表、指针式万用表

三、实验原理

Ⅰ电阻器

1、电阻器的分类

常用的电阻器种类很多，一般分为固定电阻器和可变电阻器两大类。固定电阻器是指电阻器的阻值固定不变，而可变电阻器的阻值可根据需要在一定范围内进行调节。

固定电阻器（简称电阻）可根据制作材料和工艺的不同，分为碳膜、金属膜、线绕式等不同类型。可变电阻器可分为半可调电阻器和电位器两类。半可调电阻器是指电阻值虽然可以调节，但在使用时经常固定在某一阻值上的电阻器。这种电阻器一经装配，其阻值就固定在某一数值上。电位器是通过旋转轴来调节阻值的可变电阻器。

2、电阻器的型号及命名

电阻器的型号很多，根据国家标准（GB2470）规定，国产电阻器的型号由四个部分组成。

第一部分用字母表示产品名称，如R表示电阻，W表示电位器。

第二部分用字母表示产品制作材料，如用T表示碳膜，用J表示金属膜，用X表示线绕等，如表1-1所示。

第三部分用数字或字母表示产品分类，如表1-2和表1-3所示。

第四部分用数字表示产品序列号。例如RJ-1表示精密金属膜电阻，RXT-2表示可调线绕电阻。

3、电阻器的主要性能指标

1）允许偏差

允许偏差是指电阻器的标称阻值与实际阻值之差。在电阻器的生产过程中，由于技术原因实际电阻值与标称电阻值之间难免存在偏差，因而规定了一个允许偏差参数，也称为精度。常用电阻器的允许偏差分别为±5%、±10%、±20%，对应的精度等级分别为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级。我国电阻器的标称阻值有E6、E12、E24、E48、E96、E192几种系列，其中E6、E12、E24比较常用，如表1-4所示。标称

值不连续分布，若将表中各数乘10n可得到不同阻值的电阻器，如×103为Ω

的电阻器。

电位器的允许偏差、精度等级系列和标称阻值系列与电阻器相同，其差别是电位器的标称阻值是指电位器的最大值。

2）额定功率

额定功率是指在一定的条件下，电阻器能长期连续负荷而不改变性能的允许功率。额定功率的大小也称为瓦（W）数的大小，如1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、5W、10W、20W，一般用数字印在电阻器的表面上。如果无此标示，可由电阻器的体积大致判断其额定功率的大小。如1/8W电阻器的外型尺寸长为8mm、直径为；1/4W电阻器的外型尺寸长为12mm、直径为。

电位器额定功率的意义与电阻器相同。

4、电阻器的识别方法

电阻器的主要参数（标称阻值和允许误差）可标在电阻器上，以供识别。国内电阻器的标志法为

1）固定电阻器的常用标志方法有以下三种：

* 直接标志法。直接标志法是指将电阻器的主要参数和技术性能指标直接印制在电阻器表面上。它适用于体积较大（大功率）的电阻。使用时，可从电阻器表面直接读出它的电阻值及允许误差。

* 文字符号法。文字符号法是用字母和数字符号用规律的组合来表示标称电阻值。其规律是：符号位（K、M、G）表示电阻值的数量级别，如标识为5K7中的K表示电阻值的单位为kΩ（千欧），符号前面的数字表示电阻值整数部分的大小，符号位后面的数字表示小数点后面的数值，即该电阻的阻值为Ω。文字符号法一般在大功率电阻器上应用较多，具有识读方便、直观的特点。

* 色码带标志法。用色码带标志的电阻器上有3个或3个以上的色码带（也称色环）。最靠近电阻器一端的第一条色码带的颜色表示第一位数字；第二条色码带的颜色表示第二位数字；第三条色码带的颜色表示乘数；第四条色码带的颜色表示允许误差。如果有五条色码带，其中第一、第二、第三条色码带表示第一、第二、第三位数，第四条表示乘数，第五条表示允许误差。色码带标志法在家用电器和音像设备中的电阻器上应用极为广泛。部分进口电阻器及常使用的碳膜电阻器均采用这种标志方法。

在识读时，一定要看清最靠近电阻器一端的第一条色码带，否则会引起误读。四条色码带的电阻器色标符号规定见表1-5所示。

例：某一电阻器最靠近某一端的色码带按顺序排列分别为红、紫、橙、金色。查阅表1-5可知该电阻器的阻值为27kΩ，允许误差为±5%。

2）电位器的标志法

电位器一般采用直标法，把材料性能、额定功率和标称阻值直接印制在电位器的外型上，也有用冲压方法直接冲压的。标志内容分为四部分：第一部分为主称，用字母W表示；第二部分为导体材料，用字母表示；第三部分为性能形状，用字母表示；第四部分为序号，用数字表示。其后用数字及单位直接标明电位器的额定功率和标称阻值及电位器阻值变化特性。电位器各部分字母的意义如表1-6所示。

例如，“WH137 Ω”表示合成膜电位器，阻值为Ω。进口电位器的标志也采用直标法。

5、电阻器的检测

用万用表（指针式或数字式）测量电阻器是测量阻值和判别其质量好坏的最简易方法。测量方法如下（以MF-47为例）：

1）检查电池。2）机械调零。3）选择倍率挡。4）电阻挡调零。5）测量电阻。Ⅱ、二极管

1、二极管的分类

半导体二极管的种类很多，按材料分，有锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分，有点接触二极管和面接触二极管等；按工作原理分，有隧道、雪崩、变容二极管等；按用途分，有检波、整流、开关、稳压、发光二极管等。

2、命名规则

根据国家标准GB249-89，半导体二极管的型号由五部分组成：

第一部分用数字2表示二极管。

第二部分用字母表示材料和极性。

第三部分用字母表示类型。

第四部分用数字表示序号。

第五部分用字母表示规格。

3、二极管的简易测量

用指针式万用表测试二极管

①二极管的好坏及电极的判别。用万用表的RΧ1K挡，用红、黑两表笔分别接触二极管的两个电极，测出其正、反向电阻值，一般二极管的正向电阻为几十欧到几千欧，反向电阻为几百千欧以上。正、反向电阻差值约大约好，至少应相差百倍为宜。若正、反向电阻都为零，则管子内部短路；若正、反向电阻都为∞，则管子内部开路；若正、反向电阻接近，则管子性能差。用上述测法测得阻值较小的那次，黑表笔所接触的电极为二极管的正极，另一端为负极。这是因为在磁电式万用表的欧姆挡，黑表笔接表内电池的正端，红表笔接表内电池的负端。

②二极管类型的判别。经验证明，用500型万用表的RΧ1K挡测二极管的正向电阻时，硅管为6∽20kΩ，锗管为1∽5kΩ。用或10V电压挡测二极管的正向导通电压时，一般锗管的正向电压为∽，硅管的正向电压为∽。

注意：用不同类型的万用表或同一类型的万用表的不同量程去测二极管的正向电阻时，所得结果是不同的。

用数字式万用表测试二极管

①极性判别。将数字式万用表置于二极管挡，红表笔插入“V?Ω”插孔，黑表笔插入“COM”插孔，这时红表笔接表内电源正极，黑表笔接表内电源负极。将两只笔分别接触二极管的两个电极，如果显示溢出符号“1”，说明二极管处于截止状态；如果显示在1V以下，说明二极管处于正向导通状态，此时与红表笔相接的是管子的正极，与黑表笔相接的是负极。

②好坏的测量。将数字式万用表置于二极管挡，红表笔插入“V?Ω”插孔，黑表笔插入“COM”插孔。当红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极时，显示值在1V以下；当黑表笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极时，显示溢出符号“1”，说明被测二极管正常。若两次测量均显示溢出，则表示二极管内部断路。若两次测量均显示“000”，则表示二极管已击穿短路。

③硅管与锗管的测量。量程开关位置及表笔插法同上，红表笔接被测二极管的正极，黑表笔接负极，若显示电压在∽，说明被测管是硅管；若显示电压在∽，说明被测管是锗管。用数字式万用表判断二极管类型是，不宜用电阻挡进行测量，因为数字式万用表电阻挡所提供的测量电流太大，而二极管是非线性元件，其正、反向电阻与测试电流的大小有关，所以，用数字式万用表测出来的电阻值与正常值相差极大。

Ⅲ、三极管

1、三极管的分类

按所用的半导体材料来分，晶体三极管有硅管和锗管两种；按三极管的导电极性来分，硅管和锗管均有NPN和PNP两种；按三极管的工作频率来分，有低频管和高频管两种（工作频率大于3MHz以上的为高频管）；按三极管的功率来分，有小功率管和大功率管两种。

2、三极管的型号及命名

国产晶体三极管的型号及命名

国产晶体三极管的型号及命名通常由以下四部分组成：

①第一部分，用“3”表示三极管的电极数目。

②第二部分，用A、B、C、D字母表示三极管的材料和极性。其中“A”表示三极管为PNP型锗管，“B”表示三极管为NPN型锗管，“C”表示三极管为PNP

型硅管，“D”表示三极管为NPN型硅管。

③第三部分，用字母表示三极管的类型。X表示低频小功率管，G表示高频小功率管，D表示低频大功率管，A表示高频大功率管。

④第四部分，用数字和字母表示三极管的序号和挡级，用于区别同类三极管器件的某项参数的不同。现举例说明如下：

3AX31A—PNP低频小功率锗三极管

3DG6A—NPN高频小功率硅三极管

3DD102B—NPN低频大功率硅三极管

3AD30C—PNP低频大功率锗三极管

3AA1—PNP高频大功率锗三极管

国外晶体三极管的型号及命名

国外晶体三极管的型号及命名大都按各国标准而定，国内合资企业的产品有不少是采用同类国外产品的型号，可视作国外同类产品应用。由于国外产品型号复杂，一般不必去记住其明明方法，只要记住常用几个品种的特性，需要时查阅相关资料即可。

3、常用晶体三极管的β值色点识别

h（约为β）值的晶体三极管外壳上常标以不同颜色的色点，以表明管子的

fe

范围，其分挡如下：

4、晶体三极管的简易测试

利用万用表来简易测试晶体三极管

①判断基极和管子类型

由于三极管的基极对集电极和发射极的正向电阻都较小，据此，可先找出基极。将万用表拨在RΧ100或RΧ1K挡上，当红表笔接触某一电极时，将黑表笔分别与另外两个电极接触，如果两次测得的电阻值均为几十至上百千欧的高电阻时，则表明该管为NPN型管，且这时红表笔所接触的电极为基极b。同理，如用黑表笔接触某一电极时，将红表笔分别与另外两个电极接触，如果两次测得的电阻值均为几百欧姆的低电阻，则表明该管仍然为NPN型管，且这时黑表笔所接触的电极为基极b。

反之，当红表笔接触某一电极时，将黑表笔分别与另外两个电极接触，如果两次测得的电阻值均为几百欧姆的低电阻时，则表明该管为PNP型管，且这时红表笔所接触的电极为基极b。

②判断集电极和发射极

从三极管的结构原理图上看，似乎发射极e和集电极c并无区别，可以互换使用，其实，二者的性能差别非常悬殊，这是因为两边的掺杂浓度不一样的缘故。正确使用了发射极e和集电极c时，三极管的放大能力强；反之，则非常弱。根据这一点，就可以把管子的e、c极区别开来。

在判别出管型和基极b的基础上，任意假定一个电极为e极，另一个为c极，对于PNP型管，将红表笔接假定的c极，黑表笔接e极，再用手同时捏住管子的

b、c极，注意不要将两极直接相碰，同时注意万用表指针向右摆动的幅度，然后使假设的e、c极对调，再次进行测量，若第一次观测时的摆动幅度大，则说明对e、c极的假设是对的，若第二次观测时的摆动幅度大，则说明第二次的假设是对的。

对于NPN型管，我们也可以采用同样的方法来处理。

上述判别电极方法的原理是：利用万用表欧姆挡内部的电池，给三极管的c、e极加上电压，使之具有放大能力，用手同时捏住b、c极时，相当于用人体电阻代替基极偏置电阻

R，就等于从三极管的基极b输入一个微小的电流，此时

b

万用表指针向右摆动的幅度就间接反映出其放大能力的大小，从而可正确地判别出e、c极来。

Ⅳ、电容器

四、实验内容（略）。

实验三放大器静态工作点和电压放大倍数的测量

一、实验目的

1、熟悉电子元器件和模拟电路实验箱的使用方法。

2、掌握放大器静态工作点的测试方法及其对放大器性能的影响。

3、学习放大器A

V 的测量方法及R

L

对A

V

的影响。

二、实验仪器及器材

双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表模拟电路实验箱

三、实验原理

四、实验内容及方法

V CC(+12V)

图3-1

1、装接电路

①用万用表判断实验箱上三极管V

1

的极性和好坏、放大倍数以及电解电容C的极性和好坏。

②按图3-1连接线路（注意接线前先测量+12V电源，关断电源后再接线），将R

P 调到电阻最大位置。

③接线后仔细检查，确认无误后接通电源。

2、静态调整

调整R

P ，使V

E

=，计算并填表3-1。

3、动态研究

①调节信号发生器，使其频率为1KHZ，并且V

i

=10mV，接到放大器输入端，用双

踪示波器观察V

i 、V

o

的波形，并比较它们的相位。

②保持输入信号频率不变，逐渐加大幅度，观察V

o

不失真时的最大值并填表3-2。

③保持V

i =10mV不变，放大器接入负载R

L

，在改变R

L

数值情况下测量，并将计算

结果填表3-3。

④保持V

i =5mV不变，增大和减小R

P

，观察V

o

波形变化，测量并填表3-4。

五、思考题

1、单级放大电路出现非线性失真的原因是什么如何消除失真

2、R

L

对放大器电压放大倍数有何影响

3、分别画出NPN型和PNP型单级共射放大电路输出电压饱和失真和截止失真的

波形图。

实验四放大器输入、输出电阻和频率特性的测量

一、实验目的

1、学习放大器频率特性的测量方法。

2、学习放大器R

i

、Ro的测量方法。

二、实验仪器及器材

双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表模拟电路实验箱

三、实验原理

四、实验内容及方法

1、按图4-1连接线路，确认无误后接通电源。

V CC(+12V)

图4-1

2、测量输入电阻R

i

在输入端串联一个R

S =5K1的电阻，测量V

i、

V

S

即可计算R

i

。将测量及计算结果填

入表4-1中。

3、测量输出电阻Ro

在输出端接入可调电阻作，选择合适的R

L

值使放大器输出不失真，测量有负载

时的V

L 和空载时的V

o

即可计算Ro。将测量及计算结果填入表4-2

中。

4、通频带的测量

①选择V

i 适当幅度（频率为1KH

Z

）使输出信号在示波器上有满幅正弦波显示。

②保持输入信号幅度不变，逐步增加频率，直到输出波形幅度减小为原来的70%，

此时所对应的信号源频率即为f

。

H

。

③条件同上，但逐步减小频率，测得f

L

将结果填入表4-3中。

五、思考题

1、测量放大器的输出电阻Ro时应注意什么问题

2、写出增加频率范围的方法。

实验五 射极跟随器

一、实验目的

1、掌握射极跟随器的特性及测量方法。

2、进一步学习放大器各项参数的测量方法。 二、实验仪器及器材

双踪示波器 信号发生器 交流毫伏表 数字万用表 模拟电路实验箱 三、实验原理

四、实验内容及步骤 1、按图5-1电路连线。

V CC (+12V)

图5-1

2、直流工作点的调整

将电源+12V 接上，在B 点加f=1kH Z 正弦波信号，输出端用示波器监视，反复调整R P 及信号源输出幅度，使输出幅度在示波器屏幕上得到一个最大不失真波形，然后断开输入信号，用万用表测量晶体管各极对地的电位，即为该放大器静态工作点，将所测数据填入表5-1中。

3、测量电压放大倍数A V

接入负载R L =1K Ω，在B 点加

f=1kHZ 正弦波信号，调输入信号幅度（此时偏置电位器R P 不能再旋动），用示波器观察，在输出最大不失真情况下测V i 和V O 的值，将所测数据填入表5-2中。

4、测量输入电阻R i

在输入端串入5K1电阻，A 点加入f=1kH Z 正弦波信号，用示波器观察输出波形，用毫伏表分别测A ，B 点对地电位V S ，V i 。将测量数据填入表5-3中。

5、测量输出电阻Ro

在B 点加f=1kH Z 正弦波信号，V i =100mV 左右，接上负载R L =2K2时，用示波器观察输出波形，测空载输出电压V o （R L =∞）和有负载输出电压V o （R L =2K2）的值。将所测数据填入表5-4中。

实验六负反馈放大电路

一、实验目的

1、研究负反馈对放大器性能的影响。

2、掌握负反馈放大器性能的测试方法。

二、实验仪器及器材

双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表模拟电路实验箱

三、实验原理

四、实验内容及方法

V CC(+12V)

图6-1

1、负反馈开环和闭环放大倍数的测试

a、开环电路

①按图6-1连线，R

F

先不接入。

②输入端接入V

i =5mV f=1kH

Z

的正弦信号，调整接线和参数使输出不失真且无振

荡。

③按表6-1要求进行测量并填表。

④根据实测值计算开环放大倍数A

V 和输出电阻R

O

。

b、闭环电路

①接通R

F

。

②按表6-1的要求测量并填表，计算A

Vf

。

③根据实测结果，验证A

Vf

≈1/F。

2、负反馈对失真的改善

①将图6-1电路开环，逐步加大V

i

的幅度，使输出信号出现失真（注意不要过分失真），记录失真波形幅度。

②将电路闭环，观察输出情况，并适当增加V

i

的幅度，使输出幅度接近开环时

失真波形幅度。

3、测放大器频率特性

①将图6-1电路先开环，选择V

i 适当幅度（频率为1KH

Z

）使输出信号在示波器

上有满幅正弦波显示。

②保持输入信号幅度不变，逐步增加频率，直到输出波形幅度减小为原来的70%，此时所对应的信号源频率即为f

H

。

③条件同上，但逐步减小频率，测得f

L

。

④将电路闭环，重复1∽3步骤，并将结果填入表6-2中。

五、思考题

1、根据实验内容总结负反馈对放大电路的影响。

2、负反馈放大电路的优点是什么

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术基础试题(1)

浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（1） 一、填空（共30分，1分/空） 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体，加入 价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位：①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ，则①端为 极、②端为 极、②端为 极，该管子为 型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由 、 、 和 等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 5、为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈；为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。 6、电路如图1.1所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V 。填空：电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈，电路的输入电阻趋近于 ，电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=，则=O U ；若1R 开路，则O U 变为 V ；若1R 短路，则O U 变为 V ；若2R 开路，则O U 变为 V ；若2R 短路，则O U 变为 V 。 图1.1 7、 比例运算电路的输入电流等于零，而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈 ；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈 ；其余情况下石英晶体呈 。 9、已知电路如图1.2所示，电路中D 1和D 2管的作用是消除 。 图1.2 10、整流的目的是 ；直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 二、 判断题（20分，1分/题） 1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。 （ ） 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 （ ） 4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ ） 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。 （ ） 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 （ ） 7、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 （ ） 8、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ） 9、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。 （ ） 10、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。 （ ） 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 （ ） 12、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。 （ ）

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.wendangku.net/doc/557038742.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.wendangku.net/doc/557038742.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.wendangku.net/doc/557038742.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.wendangku.net/doc/557038742.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.wendangku.net/doc/557038742.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

《模拟电子技术基础》考试试卷一_附答案_模电

模拟电子技术基础试卷一附答案 一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。 （a） （b） 二.（10分）放大电路如图所示。已知： R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K， R e=1K，R L=3K，C1=C2=10μ，C e=220μ， V CC=+15V，β=80，V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态， 画出该电路的直流通路；（5分） 2.计算该电路的静态工作点。（5分） 3.画小信号等效电路，求电压放大倍数，输入 电阻，输出电阻。 4.说明电路属于何种组态， 三.（18分）放大电路如图所示。已知C足够大，场效应管的参数g m=0.8ms，R2=6.8KΩ，三极管的参数β=50，r be=0.5K，R3=90KΩ，R4=10KΩ，R5=4KΩ，R6=1.5KΩ，R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。（4分） 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。（10分） 3.若R s=10K时，计算源电压放大倍数A vs，说明R6对电路频率响应的影响。（4分）

四.（12分）反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性（要求在图上标出反馈极性）。（4分） 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益（写出表达式）。并简单说明电路对输入电阻，输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求？（8分） （a ） （b ） 五.（10分）集成运算放大器构成的运算电路如图示，求电路的输出电压。 1.求出电路（a ）的输出电压。（4分） 2.在电路（b ）中，设t =0时v c =0，此时加入v i =1V ，求t =40ms 时v o =？（6分） （a ） （b ） 六.（10分）电路如图所示，试用相位平衡条件判断哪个能振荡，哪个不能振荡（要 求在电路中应标出i V ，o V ，f V 以及它们的瞬时极性）？对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。 （a ） （b ） 七.（10分）比较器电路如图所示，设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ，并画出比较器的电压传输特性

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点：

放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I，发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。 20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试卷1答案

院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线………………………… 《模拟电子技术基础》试卷1 答案 一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。每空2分，共22分） 1．在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。 2．当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。（填“增大”或者“减 小”或者“不变”）。 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压D 0.7U =V ，则该电路的输出电压值U = V 。 4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 I O -du u RC dt = 。 5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数um ||A ? 为 100 ，电路的下限频率L f = 10 Hz 。 I ? 图1-1 图1-2 图1-3 6．按照滤波电路的工作频率，通过某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为 带通 滤波器。 7．正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ? ? = 。 8．正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路，其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。 9．直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。 10．在串联型线性稳压电源中，调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。

模拟电子技术基础-课程作业

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( A )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( B )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( A )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。 D 2 D 1 u O + - 图1 图2 5电路如图1所示，设输入信号u I 1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。

u I2 D 1 图1 图2 u u 第2章基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图()。 U o CC U CC U (c)(d) - o u o 2图示电路，已知晶体管 β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流 I C调整到1.5mA，R B应取()。 (a)480kΩ(b)120kΩ(c)240kΩ(d)360kΩ

3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE . V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 u o U CC 12V + - 5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻r be k =1Ω，电流放大系数β=50，要求: (1)画出放大器的微变等效电路； (2)计算放大电路输入电阻r i 及电压放大倍数A u 。 Ω u o 12V + －