《电子线路》第一章习题1

习题1

1如图1所示的正常电路中，那些指示灯可能发亮？

2.如图2所示电路中的指示灯能发亮吗？

3.什么是半导体？在半导体中存在哪两种载流子？什么是P型半导体和N型半导体？什么是PN结？

4.下列各题的后面括号内，提供几种答案，选择正确的内容填在相应的空格线上：

（1）简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触到一起形成PN结。（能；不能；不一定）

（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。（正向偏置；反向偏置；无偏置）

（3）当二极管两端所加的是正向偏置电压大于电压时，二极管才能导通。（击穿；饱和；门坎）

（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。（击穿；最大；短路）

5．测量电流时，为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如图5（a）、(b)所示。试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。

6．有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，他用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但用在电子设备上却工作正常。这是什么原因? 7．如图7（a）、(b)所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻为无穷大的二极管)。试判断图（a）及图（b）中的二极管是导通还是截止，A、B端的电压VAB=?电压VCD=？

8．图8所示电路为发光二极管用于直流电压指示的电路，设发光二极管正向导通电压为1.5V，判断发光二极管能否发光并求流过发光二极管的电流。

9．画出桥式半流电路图。若负载电阻RL=0.9KΩ，负载电流IL=10mA，试求：(1)电源变压器的二次电压V2;(2)整流二极管承受的最大反向电压VRM；（3）流过二极管的平均电流IV。10．画出桥式全波整流电路图。若输出电压VL=9V，负载电流IL=1A，试求：（1）电源变压器二次绕组电压V2；（2）整流二极管承受的最大反向电压VRM;过二极管的平均电流IV。11．简单图1.0.6所示电路的工作原理。

12．如图1.0.7所示单相桥式整流电路中：（1）若有一个二极管V1内部短路，整流电路会出现什么现象？（2）若有一个二极管V2虚焊（断路），整流电路会出现什么现象？（3）若有一个二极管V3方向接反，整流电路会出现什么现象？

13．稳压二极管和普通二极管的伏安特性的规律是否相似？两者在工作中能否互换使用？14．画出一个带有硅稳压二极管稳压电路的桥式整流电路并简述稳压原理。

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

高频电子线路(王树本)第一章习题答案

红色题目必做（共8个题目） 1-1 解： ⑴ 1011LC f = 2021LC f = 12120102C C LC LC f f = = 921=C C 而 520100= ， 1625 400= 所以应选 25pF~400pF 的电容器； ⑵ 电容：需要9倍，实际是16倍。需串联一个电容或并联一个电容。 ⅰ) 并联：由 *2*1)(9C C C C +=+ 得 *C =21.87 pF 取 *C =22 pF ⅱ）串联：由 C C C C C C C C +=+22119 得 C =457 pF 实际电容范围：C C C C ++21~ =47~422 pF C f L 2)2(1π==210uH ⑶ （略） 1-2 解： 由C w L w 00r 1r Q == ⑴ C w 0r 1Q ==199 0r Q w L ?= =63 uH

或由 LC w 0= 求出 ⑵ r 0E I ==0.5 mA ==00C L V V 398 mV 1-3 解： ⑴ C w L ?=201=253 uH ⑵ =0Q 100 ⑶ 求X wC j R 1X + 由C C C C +?X X = 100 pF 知 C =200 pF X C ∴=200 pF 由L Q =25 )(r Q X 0L R L w +==25 可得：)2525 1r 0X R L w -=（ 而由R L w 00Q ==100 )100 25251r 00X L w L w -=（=47.66Ω≈48Ω 1-4 解： ⑴ LC f π21 0==503.5 k Ω

⑵ 由：L w 00Q = 得)(Q 00L w R ?==101 k Ω 谐振电阻*R =R //s R //L R =40.1 k Ω L w R 0L Q * ==31.8 L f B Q 0==15.8 kHz ⑶ 由20)2(Q 11 )(f f f N ?+==0.625 20)(lg f N = 20lg0.625 = -4 dB 1-5 解： 由：g C f B f ?==002Q π 得：B C g ??=π2=5.2752×10-5 Q 0 f B = ∴B 和Q 成反比，B 扩大1倍，Q 减小1倍。 而 g C w 0Q = ∴g 应加大1倍，所以应并一个导纳为5.2752×10-5的 电导 ∴并联电阻= =g 118.9 k Ω

机械原理题库三

机械原理题库三 一、 判断下列各结论的对错。对的画“√”，错的画“×”号。 1Ⅳ级机构的自由度一定大于2。 （ × ） 2在铰链四杆机构中，若以曲柄为原动件时，机构会出现死点位置。 （ × ） 3转动导杆机构中一定有曲柄。 （ √ ） 4曲柄摇杆机构中，若摇杆为原动件则机构无死点位置。 （ × ） 5加工标准齿轮时若发生根切，则分度圆齿厚将变小。 （ × ） 6等效转动惯量的值一定大于零。 （ √ ） 7机构中原动件数应等于机构的自由度数。 （ √ ） 8滚子从动件盘形凸轮的实际轮廓曲线是理论轮廓曲线的等距曲线。 （ √ ） 9在机械运动中，总是有摩擦力存在，因此，机械功总有一部分消耗在克服摩擦力上。 （ √ ） 10任何机构的从动件系统的自由度都等于零。 （ √ ） 11经过动平衡的回转件一定不需要再做静平衡了。 （ √ ） 12斜齿轮的端面摸数大于法面摸数。 （ √ ） 13蜗杆传动中的蜗杆与蜗轮的螺旋旋向一定相同。 （ √ ） 14当摩擦力大于驱动力时，机构处于自锁状态。 （ × ） 15一对直齿轮啮合传动，模数越大，重合度也越大。 （ × ） 二、单选题。以下各小题给出的4个答案中，只有一个是正确的。试确定正确答案的标号。 1、在对心曲柄滑块机构中，若曲柄长度增加5cm ，则滑块行程将会（ C ） A 不变 B 增大5cm C 增大10cm D 减小10cm 2、某尖顶直动对心盘状凸轮机构中，若凸轮转速增大1倍则从动件的最大位移将会（ A ） A 不变 B 增大1倍 C 增大2倍 D 增大4倍 3、双自由度机构中只有2个（ B ） A 闭式运动链 B 原动件 C 从动件 D 机架 4、一对直齿圆柱齿轮组成的传动机构中，现将其中心距加大，则相应变化的是（ C ） A 齿顶圆 B 分度圆 C 节圆 D 基圆 5．正变位齿轮的齿距p （A ） A m π= B m π> C m π< D m π≤ 6．在周期性速度波动中，一个周期内等效驱动力做功与等效阻力做功的量值关系是（D ） A d r W W > B d r W W < C d r W W ≠ D d r W W = 7．凸轮转速的大小将会影响（D ） A 从动杆的升距 B 从动杆处的压力角 C 从动杆的位移规律 D 从动杆的速度 8．对于杆长不等的铰链四杆机构，下列叙述中哪一条是正确的？（B ） A 凡是以最短杆为机架的，均为双曲柄机构； B 凡是以最短杆为连杆的，均为双摇杆机构； C 凡是以最短杆想邻的杆为机架的，均为双曲柄机构； D 凡是以最长杆为机架的，均为双摇杆机构；

机械原理题库第一章

1 绪论 填空部分 1.组成机构的要素是和；构件是机构中的单元体。 2.具有、、等三个特征的构件组合体 称为机器。 3.机组是由、、所组成的。 4.机器和机构的主要区别在于。 5.从机构结构观点来看，任何机构是由三部分组成。 6.运动副元素是指。 7.构件的自由度是指; 机构的自由度是指。 8.两构件之间以线接触所组成的平面运动副，称为副， 它产生个约束，而保留了个自由度。 9.机构中的运动副是指。 10.机构具有确定的相对运动条件是原动件数机构的自由度。 11.在平面机构中若引入一个高副将引入______ 个约束，而引入一个低 副将引入_____ 个约束，构件数、约束数与机构自由度的关系 是。 12.平面运动副的最大约束数为，最小约束数为。 13.当两构件构成运动副后，仍需保证能产生一定的相对运动，故在平 面机构中，每个运动副引入的约束至多为，至少为。 15.计算机构自由度的目的是_______________________________________。 16.在平面机构中，具有两个约束的运动副是副，具有一个约束的 运动副是副。 17.计算平面机构自由度的公式为F ，应用此公式时应注意判断：(A) 铰链，(B) 自由度，(C) 约束。 18.机构中的复合铰链是指；局部自由度是指；虚 约束是指。 19.划分机构的杆组时应先按的杆组级别考虑，机构的级别 按杆组中的级别确定。 20.机构运动简图是 的简单图形。 21.在图示平面运动链中，若构件1 为机架，构件5 为原动件， 则成为级机构；若以构件2为机架，3为原动件，则成为级机构；若以构件4为机架，5 为原动件，则成为级机构。

电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

概率论第一章习题解答

00第一章 随机事件与概率 I 教学基本要求 1、了解随机现象与随机试验，了解样本空间的概念，理解随机事件的概念，掌握事件之间的关系与运算； 2、了解概率的统计定义、古典定义、几何定义和公理化定义，会计算简单的古典概率和几何概率，理解概率的基本性质； 3、了解条件概率，理解概率的乘法公式、全概率公式、贝叶斯公式，会用它们解决较简单的问题； 4、理解事件的独立性概念. II 习题解答 A 组 1、写出下列随机试验的样本空间 (1) 抛掷两颗骰子，观察两次点数之和； (2) 连续抛掷一枚硬币，直至出现正面为止； (3) 某路口一天通过的机动车车辆数； (4) 某城市一天的用电量. 解：(1) {2,3, ,12}Ω=； (2) 记抛掷出现反面为“0”，出现正面为“1”，则{(1),(0,1),(0,0,1),}Ω=； (3) {0,1,2, }Ω=； (4) {|0}t t Ω=≥. 2、设A 、B 、C 为三个事件，试表示下列事件： (1) A 、B 、C 都发生或都不发生； (2) A 、B 、C 中至少有一个发生； (3) A 、B 、C 中不多于两个发生. 解：(1) ()()ABC ABC ； (2) A B C ； (3) ABC 或A B C . 3、在一次射击中，记事件A 为“命中2至4环”、B 为“命中3至5环”、C 为“命中5至7环”，写出下列事件：(1) AB ；(2) A B ；(3) ()A B C ；(4) ABC . 解：(1) AB 为“命中5环”； (2) A B 为“命中0至1环或3至10环”；

(3) ()A B C 为“命中0至2环或5至10环”； (4) ABC 为“命中2至4环”. 4、任取两正整数，求它们的和为偶数的概率？ 解：记取出偶数为“0”，取出奇数为“1”，则其出现的可能性相同，于是任取两个整数的样本空间为{(0,0),(0,1),(1,0),(1,1)}Ω=.设A 为“取出的两个正整数之和为偶数”，则 {(0,0),(1,1)}A =，从而1 ()2 p A = . 5、从一副52张的扑克中任取4张，求下列事件的概率： (1) 全是黑桃；(2) 同花；(3) 没有两张同一花色；(4) 同色？ 解：从52张扑克中任取4张，有4 52C 种等可能取法. (1) 设A 为“全是黑桃”，则A 有413 C 种取法，于是413 452 ()C p A C =； (2) 设B 为“同花”，则B 有413 4C 种取法，于是413 452 4()C p B C =； (3) 设C 为“没有两张同一花色”，则C 有4 13种取法，于是4 452 13()p C C =； (4) 设D 为“同色”，则D 有426 2C 种取法，于是426 452 2()C p D C =. 6、把12枚硬币任意投入三个盒中，求第一只盒子中没有硬币的概率？ 解：把12枚硬币任意投入三个盒中，有12 3种等可能结果，记A 为“第一个盒中没有硬币”，则A 有12 2种结果，于是12 2()()3 p A =. 7、甲袋中有5个白球和3个黑球，乙袋中有4个白球和6个黑球，从两个袋中各任取一球，求取到的两个球同色的概率？ 解：从两个袋中各任取一球，有11 810C C ?种等可能取法，记A 为“取到的两个球同色”，则A 有1 111 5 4 3 6C C C C ?+?种取法，于是 1111543611 81019 ()40 C C C C p A C C ?+?==?. 8、把10本书任意放在书架上，求其中指定的三本书放在一起的概率？ 解：把10本书任意放在书架上，有10!种等可能放法，记A 为“指定的三本书放在一起”，则A 有3!8!?种放法，于是3!8!1 ()10!15 p A ?= =. 9、5个人在第一层进入十一层楼的电梯，假若每个人以相同的概率走出任一层(从第二层开始)，求5个人在不同楼层走出的概率？

机械原理考试试题及答案

机械原理考试试题及答案 It was last revised on January 2, 2021

试题 1 一、选择题（每空2分，共10分） 1、平面机构中，从动件的运动规律取决于 D 。 A、从动件的尺寸 B、机构组成情况 C、原动件运动规律 D、原动件运动规律和机构的组成情况 2、一铰链四杆机构各杆长度分别为30mm ，60mm，80mm，100mm，当以30mm的 杆为机架时，则该机构为 A 机构。 A、双摇杆 B、双曲柄 C、曲柄摇杆 D、不能构成四杆机构 3、凸轮机构中，当推杆运动规律采用 C 时，既无柔性冲击也无刚性冲击。 A、一次多项式运动规律 B、二次多项式运动规律 C、正弦加速运动规律 D、余弦加速运动规律 4、平面机构的平衡问题中，对“动不平衡”描述正确的是 B 。 A、只要在一个平衡面内增加或出去一个平衡质量即可获得平衡 B、动不平衡只有在转子运转的情况下才能表现出来 C、静不平衡针对轴尺寸较小的转子（转子轴向宽度b与其直径D之比 b/D<） D、使动不平衡转子的质心与回转轴心重合可实现平衡 5、渐开线齿轮齿廓形状决定于 D 。 A、模数 B、分度圆上压力角 C、齿数 D、前3项 二、填空题（每空2分，共20分） 1、两构件通过面接触而构成的运动副称为低副。 2、作相对运动的三个构件的三个瞬心必在同一条直线上。 3、转动副的自锁条件是驱动力臂≤摩擦圆半径。 4、斜齿轮传动与直齿轮传动比较的主要优点： 啮合性能好，重合度大，结构紧凑。 5、在周转轮系中，根据其自由度的数目进行分类：若其自由度为2，则称为差动轮 系，若其自由度为1，则称其为行星轮系。 6、装有行星轮的构件称为行星架（转臂或系杆）。 7、棘轮机构的典型结构中的组成有：摇杆、棘爪、棘轮等。 三、简答题（15分） 1、什么是构件？

完整版电子线路陈其纯主编第一章教案

第1章晶体二极管和 二极管整流电路 教学重点 1?了解半导体的基本知识：本征半导体、掺杂半导体；掌握PN结的基本特性。 2 ?理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3 .了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4 ?掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点；了解电容滤波电路的工作原理。 5 ?了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1 . PN结的单向导电特性。 2 .整流电路和滤波电路的工作原理。 3 .硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 1.1晶体二极管 1.1.1晶体二极管的单向导电特性 元件：电阻（R）、电容（C）、电感（L）、变压器 （T）等

器件：晶体二极管、晶体三极管等

1 ?晶体二极管 (1) 外形 如图1.1.1(a)所示，晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外 壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b)所示，晶体二极管的图形由三角 形和竖杠所组成。其中，三角形表示正极，竖杠表 示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2 ?晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位〉负极电位，二极管导通； (2) 正极电位V 负极电位，二极管截止。 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二 极管的单向导电性。 ［例1.1.1］图1.1.3所示电路中，当开关 S 闭合后， H 1、H 2两 个指示灯，哪一个可能发光？ 解 由电路图可知，开关 S 闭合后，只有二极管 V 1 正极电位高于负极电 位，即处于正向导通状态，所以 H 1 指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1 .半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： 载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空 穴，统称载流子。如图 1.1.4所示。 2 ?本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂, 形成杂质半导体。 图1.1.4 半导体的两种载流子 为了提高半导体的导电性能，在本征半导体 (4价) 中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同，可分两种: (Si)或锗(Ge)半导体。 自由电子：带负电 空穴：带与自由电子等 量的正电 均可运载电荷——载流子 3 .杂质半导体 外廨 垮用文字将好 图1.1.1晶体二极管的外形和符号

(完整版)中职电子线路试卷

2012学年电子线路期中试卷 班级 学号 姓名 一、填空题（30分） 1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 、 和 。当三极管工作在 区时，关系式I C ＝βI B 才成立；当三极管工作在 区时，I C ≈0；当三极管工作在 区时，U CE ≈0。 2、晶体二极管具有____________特性，当二极管两端正向电压大于______电压时，二极管才能导通，其正向压降硅管约为______V ，锗管约为______V 。 3、把交流电变成直流电的电路叫做整流电路。常见的二极管单相整流电路有__________电路、_________________电路和_______________________电路。 4、半导体三极管，它是________控制型器件。其内部有三个区即_____________、_____________和____________， 5、晶体三极管按半导体材料可分______和______；按PN 结的组合方式不同可分为____________和____________型管。 6、晶体三极管I E 、I B 、I C 之间的关系式为__________ 7、三极管有放大作用的外部条件是：发射结 和集电结 。 8、正常情况下稳压管工作在 区，具有稳压作用。 二、选择题（30分） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、当晶体二极管的PN 结导通后，参加导电的是（ ）。 A 少数载流子 B 多数载流子 C 既有少数载流子又有多数载流子 D 自由电子 2、当锗晶体二极管加上0.3V 的正向电压时，该晶体二极管相当于（ ）。 A 小阻值电阻 B 阻值很大的电阻 C 内部短路 D 稳压管 3、用万用表测得NPN 型晶体管各电极对地的电位是：V B ＝4.7V ，V C ＝4.3V ，V E ＝4V ，则该晶体三极管的工作状态是（ ）。 A 饱和状态 B 截止状态 C 放大状态 D 击穿状态 4、如下图所示,已知两个稳压管稳定电压分别为V 1=5V,V 2=10V,它们的正向压降均为0.7V,若稳定电流都相等,则输出电压V 0为________。 A 5.7V B 10.7V C 5V D 15V 5、晶体三极管的两个PN 结都反偏时则晶体三极管所处的状态是_______。 A 放大状态 B 饱和状态 C 截止状态 D 击穿状态 6、当晶体三极管工作在饱和状态时它的I C 将_______。 A 随I B 增加而增加 B 随I B 增加而减小 C 与I B 无关 D 与电源电压无关 7、在放大状态测得某管的三个极电位分别是-2.5V ，-3.2V ，-9V ，这个三极管的类型是_______。 A NPN 锗管 B NPN 硅管 C PNP 锗管 D PNP 硅管 8、对于三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ ） A 三极管可以把小能量放大成大能量； B 三极管可以把小电流放大成大电流； C 三极管可以把小电压放大成大电压； D 三极管可以用较小的电流控制较大的电流。 9、用万用表判断放大电路中处于正常工作状态的某晶体三极管的类型与三个电极时，测出( )最方便。 A 各极间正向电阻 B 各级电流 C 各级间反向电阻 D 各级对地电位 10、3DG6型晶体管是（ ） A 高频小功率硅NPN 型三极管 B 高频大功率锗NPN 型三极管 C 高频小功率锗PNP 型三极管 D 低频大功率硅NPN 型三极管 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 2、三极管处于放大区时，I C ≈βI B 。 3、如图，电阻R C 的作用是把I C 的变化转换为V CE 的变化。 4、以上两电路分别是共射、共基联接方式。 5、二极管、三极管都属于非线性器件。 6、在半导体内部只有电子是载流子。 7、晶体二极管击穿后立即烧毁。 8、普通二极管正向使用时没有稳压作用。 9、硅稳压二极管的动态电阻大则稳压性能越好。 10、电容虑波器适用于负载电流较大且经常变化的场合。

概率第一章题库

第一章题库（附答案） 一、选择题 1、假设事件A,B,C ，下列哪个表达式不能表示“A ，B ，C 至少有一个发生的概率”。（ ） （A ）)(1C B A P -； （B ）)(C B A P ++； （C ）)()()(C P B P A P ++ （D ）) ()()()()()()(ABC P BC A P C B A P C AB P C B A P C B A P C B A P ++++++ 2、已知)()()(B P A P B A P +=+，则可以得出（） （A ）事件A 和B 互不相容； （B ）事件A 和B 互为对立事件； （C ）事件A 和B 相互独立； （D ）0)(=AB P 3、以A 表示“甲种产品畅销, 乙种产品滞销”，则对立事件A 为 ( ) .A “甲种产品畅销, 乙种产品畅销” .B “甲、乙产品均畅销” .C “甲种产品滞销” .D “甲产品滞销或乙种产品畅销”. 4、设,A B 为两事件, 且()0,P AB = 则 ( ) .A A 与B 互斥 .B AB 是不可能事件 .C AB 未必是不可能事件 .D ()0P A =或()0.P B = 5. 设A,B 为两个随机事件，则()P A B -=（ ） A. ()P A B. ()P B C. ()()P A P B - D. ()()P A P AB - 6. 设A,B 为随机事件，则()A B B -= ( ) A. A B. AB C. AB D. A B 7、设A ，B 为两个互不相容事件，则下列各式错误的是（ ） A ．P(AB)=0 ． B.P(A ∪B)=P(A)+P(B) C ．P(AB)=P(A)P(B) D. P(B-A)=P(B) 8、设事件A ，B 相互独立，且P(A)=31 ，P(B)>0，则P(A|B)=( ) A ．151 B ．51 C ．154 D ．31

机械原理题库(含答案)---1

机械原理题库（含答案）一1 机械原理---1 第2章机构的结构分析 一、正误判断题：（在括号内正确的画“ V”，错误的画“X”） 1.在平面机构中一个高副引入二个约束。 （X） 2.任何具有确定运动的机构都是由机架加原动件 再加自由度为零的杆组组成的。（V） 3.运动链要成为机构，必须使运动链中原动件数 目大于或等于自由度。（X） 4.平面机构高副低代的条件是代替机构与原机构的 自由度、瞬时速度和瞬时加速度必需完全相 同< （V

5.当机构自由度F > 0,且等于原动件数时，该机 构具有确定运动。（V）6.若两个构件之间组成了两个导路平行的移动畐农 在计算自由度时应算作两个移动副。（X） 7.在平面机构中一个高副有两个自由度，引入一 个约束。（V &在杆组并接时，可将同一杆组上的各个外接运动副连接在同一构件上。（X） 9.任何机构都是由机架加原动件再加自由度为零 的基本杆组组成。因此基本杆组是自由度为零 的运动链。 (话 10.平面低副具有2个自由度，1个约束。 (X) 二、填空题 1.机器中每一个制造单元体称为—零件—。 2.机器是在外力作用下运转的，当外力作功表现为盈 功时，机器处在增谏阶段，当外力作功表现为亏功时，机器处在减速阶段。 3.局部自由度虽不影响机构的运动，却减小了 _高 副元素的磨损，所以机构中常出现局部自由度。 4.机器中每一个独立的运动单元体称为构件。 5.两构件通

过面接触而构成的运动副称为—低畐通过点、线接触而构成的运动副称为高副。 6.平面运动副的最大约束数为—，最小约束数 为_1_。 7.两构件之间以线接触所组成的平面运动副，称为高 副，它产生丄个约束。 三、选择题 1.机构中的构件是由一个或多个零件所组成，这些零件间_B 产生任何相对运动。 A.可以 B.不能 C.变速转动或变速移动 2.基本杆组的自由度应为 C 。 A.—1 B. +1 C. 0 3.有两个平面机构的自由度都等于1,现用一个 带有两铰链的运动构件将它们串成一个平面机构， 则其自由度等于B 。 A. 0 B. 1 C. 2 4.一种相同的机构__________ 组成不同的机器。 A.可以 B.不能 C.与构件尺寸有关 5.平面运动副提供约束为（C ）。 A . 1 B . 2 C. 1 或2

电子线路 非线性部分 (第四版)第一章 习题解答

1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P 。= 1000 W ，当集电极效率C 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？ 解： 当C1 = 40 时，P D1 = P o / C = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W 当C2 = 70 时，P D2 = P o / C =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 W P C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W 1- 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、C （运用图解法）：（1）R L = 10，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 ，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 ，Q 点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1 cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ， C = P L / P D = 24 (2) 当 R L = 5 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1 cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ， C = P L / P D = 12 (3) 当 R L = 5 ，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 - v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax - I CQ3 = 240 mA

高频电子线路(电子) 试卷 (期中)答案

高频电子线路（电子）试卷（期中） 一、填空题（共35分） 1．LC串联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈容性，LC并联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈感性（2分） 2. LC串联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈感性，LC并联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈容性。（2分） 3.衡量高频小信号放大器选择性的指标有矩形系数和抑制比。（2分） 4. 要观察调谐放大器的谐振曲线，需要的仪器是扫频仪。（1分） 5. 小信号调谐放大器的主要技术指标有增益、通频带、选择性、工作稳定性和噪声参数。（2分） 6. 单调谐放大器经过级联后电压增益增大、通频带变窄、选择性变好。（3分）7．丙类高频功率放大器空载时工作于临界状态，当加上10kΩ负载时，其电流 I c0和输出功率变化情况为I c0略有增大（基本不变），P o减小。（2分） 8. 发射机的中间级高频功率放大器，应工作于过压状态。因为过压状态输出电压平稳且弱过压时，效率最高。（2分） 9. 高频功率放大器的三种工作状态，分别为过压、临界、欠压。欲使功率放大器高效率地输出最大功率，应使放大器工作在临界状态；为了兼顾效率和功率，一般高频功率放大器的通角θ选为_700。（4分） 10. 发射机的末级高频功率放大器，应工作于临界状态，因为临界状态输出功率最大。（2分） 11. 丙类高频功率放大器原工作于临界状态，当其负载断开时，其电流I c0、I c1和功率变化情况为I c0减小，I cm1减小，P o减小。（3分）12．三端式振荡电路是LC正弦波振荡器的主要形式，可分为电容三端式和电感三端式两种基本类型。（2分） 13. 皮尔斯晶体振荡器中，石英晶体等效为电感元件。（1分）

概率第一章练习题

第一章 随机事件与概率练习题 1.设 A 、B 、C 为三个事件，用 A 、B 、C 的运算关系表示下列各事件： （1）仅 A 发生； （2） A 与C 都发生，而 B 不发生； （3）所有三个事件都不发生；（4）至少有一个事件发生； （5）至多有两个事件发生； （6）至少有两个事件发生； （7）恰有两个事件发生； （8）恰有一个事件发生 分析：利用事件的运算关系及性质来描述事件. 解：（1） A BC ；（2） A BC ；（3） A BC 或 A ? B ?C ；（4） A ? B ?C 或 ABC ? ABC ? ABC ? ABC ? ABC ? ABC ? ABC ；（5） A ? B ?C 或 ABC ? ABC ? ABC ? ABC ? ABC ? ABC ? ABC ； （6） A B ? AC ? BC 或 A BC ? ABC ? ABC ? ABC ； （7） A BC ? ABC ? ABC ；（8） A BC ? ABC ? ABC . 随机事件的关系和运算 叫对偶律 1．某射手向一目标射击两次，A i 表示事件“第i 次射击命中目标”，i =1，2，B 表示事件“仅第一次射击命中目标”，则B =（ ） A ．A 1A 2 B ．21A A C ．21A A D ．21A A 2．设A ，B ，C 为随机事件，则事件“A ，B ，C 都不发生”可表示为( ) A ．错误！未找到引用源。 B.错误！未找到引用源。BC C ．ABC D.错误！未找到引用源。 3.设A 、B 、C 为三事件，则事件=C B A （ ） A.A C B B.A B C C.( A B )C D.( A B )C 4设A 、B 为任意两个事件，则有（ ） A.（A ∪B ）-B=A B.(A-B)∪B=A C.(A ∪B)-B ?A D.(A-B)∪B ?A 5. 设A 、B 为随机事件，且B A ?，则B A ?等于（ ） A.A B.B C.AB D.B A ? 2.古典概型 1.从标号为1，2，…，101的101个灯泡中任取一个，则取得标号为偶数的灯泡的概率为 （ ）

机械原理考研历年真题第一章

第一章：机构的自由度 一：填空题 1，（08同济大学）某平面基本杆组有四个构件，其低副数为（） 2，（西安工业学院05）一个平面运动副最多提供（）个约束，最少提供（）约束。3，在平面机构中，一个运动副引入的约束数的变化范围是（）。 4，机构具有确定运动的条件是自由度（）而且机构的原动件数目（）机构自由度数目。 5，（04西北工大）在机构中，原动件指的是（）。机架指的是（）。从动件指的是（）。 6，（04重大）机构具有确定运动的条件是（）；根据机构的组成原理，任何机构都可以看成是由（），（）和（）组成。 7，（重大07）在平面机构中若引入一个高副将带入个约束，而引入一个低副将带入个约束。 8，（重大07）做平面运动的构件自由度为，平面机构的自由度为 9，（江苏大学09）零件和构件的区别在于：零件是单元，构件是单元。10，（江苏大学09）平面机构自由度计算公式 F=3n-2p5-p4 n指，p5指 ，p4指。 11，（江苏大学08）平面机构组成原理表明：机构的组成就是把若干个自由度为零的联接到和机架上。 12，（江苏大学07）平面机构由机架、、组成。 13，（江苏大学06）平面机构中运动副按接触方式是面接触还是点接触，可分为 及两类。 14，（江苏大学05）平面机构运动简图的比例尺是指长度与 长度之比。 15，（江苏大学10）两构件之间只作平面相对转动的运动副称为，该运动副引入个约束；齿轮副属于（高副或低副），引入个约束。 16·组成机构的要素是和；构件是机构中的单元体。 17·具有等三个特征的构件组合体称为机器。 18·机器是由所组成的。 19·机器和机构的主要区别在于。20·从机构结构观点来看，任何机构是由三部分组成。

《电子线路》第一章习题2

第一章晶体二极管和二极管整流练习二 1.是非题（对的画√，错的画×） （1）在半导体内部，只有电子是载流子。（） （2）在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（） （3）少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（） （4）在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（） （5）一般来说，硅晶体二极管的死区电压（门槛电压）小于锗晶体管的死区电压。（） （6）用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“+”号插孔中的测试表笔（通常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的阳极，另一电极是阴极。（） （7）晶体二极管击穿后立即烧毁。（） （8）晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（） 2.选择题（将正确答案填入空格内） （1）当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）。 A.少数载流子 B.多数载流子 C.既有少数载流子又有多数载流子 （2）晶体二极管的阳极电位是﹣10V，阴极电位是﹣5V，则该晶体二极管处于（） A.正偏 B.反偏 C.正偏 （3）面接触型晶体二极管比较适用于（）。 A.小信号检波 B.大功率整流 C.大电流开关 （4）当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。 A.减小 B.增大 C.不变 （5）用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管好坏时，应把欧姆档拨到（）。 A.R×100Ω或R×1KΩ档 B.R×1Ω档 C.R×10kΩ档 （6）半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）。 A.P型半导体 B.本征半导体 C.型半导体 （7）当硅晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于（）。 A.大电阻 B.断开的开关 C.接通的开关 （8）当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）。 A.小阻值电阻 B.阻值很大的电阻 C.内部短路 3.填空题 （1）半导体是一种导电能力介于＿＿与＿＿之间的物体。 （2）PN结具有＿＿＿＿性能，即：加＿＿电压时PN结导通；加＿＿电压时PN结截止。 （3）当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为＿V，锗二极管的正向压降为＿V。 （4）2AP系列晶体二极管是＿半导体材料制成的，2CP、2CZ系列晶体二极管是＿半导体材料制成的。 （5）晶体二极管因所加＿＿电压过大而＿＿＿＿，并且出现＿＿的现象，称为热击穿。 4.问答题 （1）在图1所示电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压u时，通过R1、R2两电阻上的事交流电还是直流电？（2）若将单相桥式整流电路接成图1-4所示的形式，将会出现什么结果？应该如何改接？ （3）指出图1-5所示稳压电路中的错误。

电子线路期末试卷及答案

(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。