8960测试GSM操作步骤

8960测试GSM操作步骤

1、开机后，或者仪器初始化（SHIFT + Preset）后，进入GSM测试界面，如下图（任何时候按CALL SETUP键都是这个界面）：

2、如果是进行耦合测试，需要对仪器进行补偿设置，其操作如下：

按SYSTEM CONFIG→F5(RF IN/OUT Amptd Offset) →F2(RF IN/OUT Amptd Offset Setup),此时将RF IN/OUT Amplitude Offset State设置（旋转旋钮选择，按下旋钮确定即可）为ON，接着设置Frequency 1＝900MHz，Offset 1=-10dB，Frequency 2＝1800MHz，Offset 2=-15dB，此处Offset即为补偿值，且对于8960来说补偿值必须设置为负值。操作的截图如下：

此时在仪器面板上会出现Offset字样，它表示仪器进行了补偿设置，如上图红色部分。补偿值的大小需要根据标准手机对仪器进行设置，不一定所有仪器都设置相同的补偿值。

3、如果直接用射频线将仪器和手机相连，那么不需要设置补偿，或者设置很小的补偿值（比如－0.5dB），本指南以不设置补偿为例。

4、将手机（含测试白卡）通过射频线与仪器相连，手机开机，等待手机注册，如下图：

5、此时用仪器呼叫手机按F3(Originate Call)，或者手机呼叫仪器（拨任意号码），仪器和手机将建立连接，在面板下面会出现Connected即表示仪器和手机已经建立呼叫连接，如下图红色部分：

6、此时可以开始测试各项性能指标：

按Measurement Selection可以看到各种需要测试的项目，通过旋钮选择相应的测试项目即可。

下面分别说明：

一、测试功率Transmit Power:

更改测试的信道和功率等级的步骤，按F8（TCH Parameters）

此时可以按F8 Traffic Band（上图黄色方框表示）更改频带，见下图红色部分：

F9 Traffic Channel（上面的红色方框表示）更改信道

PGSM的信道范围为0～124

EGSM的信道范围为0～124 975～1023

DCS的信道范围为512～885

PCS的信道范围为512～810

在操作中超过范围会提示错误的

F10 MS TX Level（上面的蓝色方框表示）来更改功率等级

PGSM的功率等级5～19，功率等级为5，最高功率为33dBm，误差范围为±2dB，相邻功率等级功率相差2dB；

EGSM的功率等级5～19,功率等级为5，最高功率为33dBm，误差范围为±2dB，相邻功率等级功率相差2dB；

DCS的功率等级0～15，功率等级为0，误差范围为±2dB，相邻功率等级功率相差2dB

下面是测试PGSM 5功率等级62信道的功率值，显示为32.54dBm

对于其他测试项目，频带、信道和功率等级的更改都是这么操作的，后面不再赘述。

二、测试Power vs Time

为了看直观的图片，可以转换视图方式，按F2 Change View

此时可以看到三种视图方式，上图红色部分表示，一般看图片模式选择Graph，如下图：

此时再按F3 Burst Views

按F1 Burst 1 Views

此时可以选择观察图片的不同部分，上面红色框表示

此时按Measurement Selection键，可以看到如下图片，如果要关掉某一测试项目，通过旋钮选择该项目，并按F4 Close Measurement即可。

如果同时测试很多项目，会影响测试速度。

三、测试Phase &Frequency Error

峰值相位误差（要求小于20度），均方根值的相位误差（要求小于5度），以及频率误差（要求小于+/-0.1ppm ，也就是说GSM900 要求小于+/-90Hz，DCS1800要求小于+/-180 Hz）

如果要更换视图模式，选择Change View，选择Graph，见下图：

四、测试输出射频频谱Output RF Spectrum

和前面操作一样，可以更改为视图模式，操作类同，选择Change View，选择Graph，如下图

此时选择Modulation and Switching显示如下：

此时连按两次Return或者重新在测试项目中选择Output RF Spectrum，进入如下界面：

按F1 ORFS Setup进入设置界面：

按F2 Modulation Frequencies

选择All Offsets On

按F6 Close Menu，如下图

按F2 Switching Frequencies

选择All Offsets On，按F6 Close Menu，见下图

五、测试误码率GSM Bit Error

按F7 BCH Parameters，进入界面更改仪器的Cell Power发射功率,一般测试误码率要求Cell Power＝－102dBm，如下图

我们可以看到该手机在仪器发射功率为－108dBm误码率只有0.95%。

注意事项：

对于GSM测试，如果手机断开后，再次注册上必须将手机重新开机。否则，手机连不上。既可以手机呼叫仪器，也可以仪器呼叫手机。一定要用测试白卡，不能用移动过期的手机卡。

总结：

GSM手机测试既可以仪器呼叫手机也可以手机呼叫仪器；要求测试不同信道、不同功率等级的各测试项目的具体指标，操作不难，只是略显繁琐，多做几次就熟悉了。

只要手机和仪器的通信连接断开了就必须要重新关机再开机注册，否则就呼叫不了。

图像真实性鉴别方法

图像真实性鉴别方法 摘要通过从图像检验的原理入手，对常见的伪造图像方法进行分析研究，介绍了照片的质量检验、照片重复区域法检验、数字图像与数码相机本底噪声一致性检验、图像内容间景深关系的检验、光照方向一致性的检验、照片中成像透视比例的检验、模拟摄影法检验和实物对照检验等方法，检验图像的真实性。 关键词伪造图像检验鉴定 伪造照片在其伪造过程中使用的素材、工具、材料等十客观存在的，同时拍摄过程中的构图，用光、调焦以及各种景物的透视关系和照片后期制作中的色彩矫正、反差控制等，无不反映出照片是否一体性的特征，它们为检验鉴定提供了可行性，由于科技发展变化迅速，电脑制作出鉴定计算机伪造照片的标准和数据，目前也非常困难。本文从鉴定照片原理入手，介绍照片检验的常用方法。 1 检验原理 1.1 摄影成像的景深 我们在拍照时要对拍摄主体进行调焦，使主体清晰成像在焦平面上，而且景物空间中位于调焦无平面前后一定距离内的景物，也能结成人眼视觉上相对清晰的影像，人们常将调焦物前后相对清晰成像的景物空间距离称为景深。景深现象的产生是由于人眼存在最小分辨角的缘故，他是一个相对的概念。从景深产生的原理可知，照片上景深范围内的物体的清晰程度是不一致的，成渐变趋势，越靠近对焦平面，影像的清晰度越高；此外，前景深小于后景深。这一成像特性对添加性伪造照片的鉴别停工了理论根据。 1.2拍摄成像的透视原理 物体通过光学镜头成像在焦平面上时符合物体成像的透视原理。物体在照片上成像后虽然从三维空间转变到二维平面上，但照片中物体位置的关系还是符合空间中的透视规律的。 物体在照片中成像的透视的规律如下： （1）凡是兑换面平行的直线、平面，在画面上就没有变化，仍保持它原有的方向。 （2）不平行画面的平行直线要消失到一点，这个点叫消点。 （3）近大远小。是因为看近的物体所用视角大，看远的物体视角小。视角大的透视图就大，是较小透视图就小。 （4）平面要消失到一条直线上，这条直线就是消线。消线就是平面的方向，消线不同就是平面的方向不同。 透视原理为判断照片中人物身高和检验拼接伪造照片提供了依据。 1.3用光及光照均匀性 摄影是用光成像，光在摄影中同时起到照明和造型两种作用。不同的打光角度和方向，在照片上形成各自不同的光线线条和影调。在照片检验中，光线线条和影调的一致性可以判断照片的真实性。 镜头成像时，相面照度的不均匀性决定了图像中通以色块的亮度是变化的，也就是说不管物体表面多么均匀，照片上都没有完全相同的成块空间。利用该原则可以检验通过克隆法进行伪造的照片。 1.4数码相机的本底噪声 数码相机的成像元件（CCD或CMOS）一般有数百万个感光单元，如果其中某个感光单元损坏，不能成像，即成为坏点——DEAD PIXEL。数码摄影和传统相机不同，传统相机拍摄时很少因电子零件产生环境就复杂多了，从操作过程中机体升温效应，CCD上的残留能量一致于机身零件本身，甚至来自外界的电磁波干扰都有可能会在画面上形成杂色的斑点，

霍尔效应实验和霍尔法测量磁场

DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪 使用说明书 一、概述 DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法，通过施加磁场,可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度，以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。 二、主要技术性能 1、环境适应性：工作温度 10～35℃； 相对湿度 25～75%。 2、通用磁学测试仪 2.1可调电压源：0～15.00V、10mA； 2.2可调恒流源：0～5.000mA和0～9.999mA可变量程，为霍尔器件 提供工作电流，对于此实验系统默认为0-5.000mA恒流源功能； 2.3电压源和电流源通过电子开关选择设置，实现单独的电压源和电 流源功能； 2.4电流电压调节均采用数字编码开关； 2.5数字电压表：200mV、2V和20V三档，4位半数显，自动量程转换。 3、通用直流电源 3.1直流电源，电压0～30.00V可调；电流0～1.000A可调； 3.2电流电压准确度：0.5%±2个字； 3.3电压粗调和细调，电流粗调和细调均采用数字编码开关。 4、测试架 4.1底板尺寸：780*160mm； 4.2载物台尺寸：320*150mm，用于放置螺线管和双线圈测试样品； 4.3螺线管：线圈匝数1800匝左右,有效长度181mm，等效半径21mm； 4.4双线圈：线圈匝数1400匝(单个)，有效直径72mm，二线圈中心 间距 52mm； 4.5移动导轨机构：水平方向0～60cm可调；垂直方向0～36cm可调，最小分辨率1mm； 5、供电电源：AC 220V±10%，总功耗：60VA。 三、仪器构成及使用说明

DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪由实验测试台、双线圈、螺线管、通用磁学测试仪、通用直流电源以及测试线等组成。 1、测试架 1.双线圈； 2.载物台（上面绘制坐标轴线）； 3，4 双线圈励磁电源输入接口； 5.霍尔元件； 6.立杆； 7.刻度尺； 8.传感器杆（后端引出2组线，一组 为传感器工作电流Is，输出端号码管标识为Input；一组为霍尔电势V H输出，输出端号码管标识为Output）； 9.滑座； 10.导轨； 11. 螺线管励磁电源输入接口； 12.螺线管； 13.霍尔工作电流I S输入，号码管标有Input（红正，黑负）； 14.霍尔电势V H输出，号码管标有Output（红正，黑负）； 15.底座 图1-1组合式磁场综合实验仪（测试架图） 2、通用磁学测试仪（DH0802） 1.电压或电流显示窗口（霍尔元件工作电流或电压指示）； 2.恒流源指示灯； 3.恒压源指示灯； 4.调节旋钮（左右旋转用于减小或增加输出；按下弹起按钮用于

IIP3手动测试流程

1 IIP3手动测试流程 1概述 1.1范围 本文档详细描述了用Agilent E4438C和E4440A完成IIP3测试的流程。 1.2目的 本文档方便了公司各技术人员进行RF IIP3测试。 1.3附件 -N/A 1.4参考文献 -N/A 网址: https://www.wendangku.net/doc/5d18532291.html,/电话: （0755）83005117 咨询热线: 400-066-5181

2. IIP3测试具体步骤 2.1 IIP3 test setup 所需设备： E3631A(直流电源)；ESG E4438C（矢量信号发生仪）；E4440A PSA（频谱分析仪）；SMA cable（RF线）。 电路连接如下： 2 网址: https://www.wendangku.net/doc/5d18532291.html,/电话: （0755）83005117 咨询热线:

网址: https://www.wendangku.net/doc/5d18532291.html,/ 电 话: （0755）83005117 咨询热线: 3 2.2 E3631A (DC) Setup E3631A is a DC power Supply. 按要求设置DC 输出，如：1.8V 。 2.3 ESG (E4438C) Setup ESG 的正面如下图所示： ESG 的设置流程如下： 1．Mode 设置： 按“Mode ”键，在屏幕上按“more ”显示为“more (2 of 3)”； 按“Multitone ”，显示“Multitone on ”； 按“Initialize table ”，按“Number of tones ”, 键入数字“2”，enter ； 按“Freq Spacing ”，键入所需频偏，如：键入”20MHz ” ，则实际产生信号在所设置的频率点上，上偏10MHz ，下偏10MHz ； 按“Done ”，按“Apply Multitone ”。 2．Frequency 设置： 按“Frequency ”键，根据需要输入中心频率。 如：Frequency ，键入数字“2.45”，选择“GHz ”；再加上上面设置的20MHz 的Freq Spacing ；结果出来的:是2.44GHz 和2.46GHz 上的两个信号。 3．Amplitude 设置： 按“Amplitude ”键，根据需要输入信号幅度； 如：输入“-10”，选“dBm ”; 则实际上在2.44GHz 和2.46GHz 上的信号是“-13dBm ”。 4．ESG 设置完成后，先将信号接到PSA 上检查，看输出的信号是否符合要求。 “Mode ” “Frequency ” “Amplitude ”

功能测试用例的设计

功能测试用例的设计 LG GROUP system office room 【LGA16H-LGYY-LGUA8Q8-LGA162】

一、实验目的 1.用因果图法分析原因结果，并决策表设计测试用例。 2.使用场景法设计测试用例。 二、实验内容 1. 将三角形问题的可能结果扩展为：一般三角形、等腰三角形、等边三角形、直角三角形、等腰直角三角形和非三角形，考虑用因果图法设计测试用例，给出完整步骤。 2. 有一个在线购物的实例，用户进入一个在线购物网站进行购物，选购物品后，进行在线购买，这时需要使用帐号密码登录，登录成功后，进行付钱交易，交易成功后，生成订购单，完成整个购物过程。使用场景法设计上述问题的测试用例。 三、实验环境 Windows XP系统 四、实验步骤和结果 1. 将三角形问题的可能结果扩展为：一般三角形、等腰三角形、等边三角形、直角三角形、等腰直角三角形和非三角形，用因果图法设计测试用例，给出完整步骤。具体如下： 1）输入的三边分别为a，b，c(斜边) 且a

2. 行在线购买，这时需要使用帐号密码登录，登录成功后，进行付钱交易，交易成功后，生成订购单，完成整个购物过程。使用场景法设计上述问题的测试用例。

（注：在下面的矩阵中，V（有效）用于表明这个条件必须是 VALID（有效的）才可执行基本流，而 I（无效）用于表明这种条件下将激活所需备选流,“n/a”（不适用）表 对生成的所有测试用例重新复审，去掉多余的测试用例，测试用例确定后，对每一个测

五、实验结果和讨论 成功使用因果图法、场景法设计了测试用例。 六、总结 1．因果图法的定义是一种利用图解法分析输入的各种组合情况，从而设计测试用例的方法，它适合于检查程序输入条件的各种组合情况。 2．在事件触发机制中场景法用得最多。在测试一个软件的时候，先确定基本流也就是测试流程中软件功能按照正确的事件流实现的一条正确流程,接着去确定备选流也就是那些出现故障或缺陷的过程，用备选流加以标注。然后可以采用矩阵或决策表来确定和管理测试用例。

语言测试中的真实性概念

龙源期刊网 https://www.wendangku.net/doc/5d18532291.html, 语言测试中的真实性概念 作者：吴月 来源：《科教导刊》2014年第04期 摘要语言测试的“真实性”一直以来是一个颇具争议的概念。本文将从命题的真实性以及评价的真实性两个方面对语言测试的真实性概念进行解析。本文提倡更多的测试研究者以及广大的外语教师能够从不同角度深入研究真实性概念，构建更全面系统的理论框架，进行更多的实证性研究。 关键词真实性语言测试语言学习 中图分类号：H319.3 文献标识码：A The Concept of Authenticity in Language Testing WU Yue （Zhejiang Normal University， Jinhua， Zhejiang 321004） Abstract Authenticity in language testing has always been a controversial concept. This paper will analyze it from two aspects， namely the authenticity of proposition and evaluation. The paper advocates more testing researchers and foreign language teachers can dig into the concept of authenticity from different perspectives， construct overall and systematic theoretical framework and conduct more empirical studies. Key words authenticity； language testing； language study 0 引言 真实性问题已成为语言测试领域内的一个热门话题。Carroll（1980：11）曾强调，“在讨 论语言测试时，真实性问题永远是一个重要方面。” “用Conrad的话来说，真实性是语言测试的核心问题”（Bachman 1990： 330）。1984年，在国际语言测试大会上，来自世界各国的测试专家就测试的真实性问题进行了专门的讨论。会后，1985年，语言测试方面的权威学术期 刊《语言测试》（Language Testing）出了专号以探讨真实性问题。近三十几年来，在语言测试领域，真实性得到越来越多的语言学家以及其他语言测试研究者的青睐。Bachman（1990，1991）、Bachman and Palmer（1996）、Waters（2009）、Badger& Malcolm（2010）、徐强（1992）、李清华（2001）、刘珊（2012）等就真实性本质以及其存在的问题进行了讨论。在此基础上，本文将从命题的真实性以及评价的真实性两个方面对测试真实性做进一步探讨。 1 命题的真实性

实验8 霍尔效应法测量磁场A4

实验八 霍尔效应法测量磁场 【实验目的】 1．了解霍尔器件的工作特性。 2．掌握霍尔器件测量磁场的工作原理。 3．用霍尔器件测量长直螺线管的磁场分布。 4．考查一对共轴线圈的磁耦合度。 【实验仪器】 长直螺线管、亥姆霍兹线圈、霍尔效应测磁仪、霍尔传感器等。 【实验原理】 1．霍尔器件测量磁场的原理 图1 霍尔效应原理 如图1所示，有－N 型半导体材料制成的霍尔传感器，长为L ，宽为b ，厚为d ，其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。将其放在如图所示的垂直磁场中，沿3、4两个侧面通以电流I ，则电子将沿负I 方向以速度运动，此电子将受到垂直方向磁场B 的洛仑兹力m e F ev B =?作用，造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷，2侧积累过量的正电荷。因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场H E ，该电场对电子的作用力H H F eE =，与m e F ev B =?反向，当两种力相平衡时，便出现稳定状态，1、2两侧面将建立起稳定的电压H U ，此种效应为霍尔效应，由此而产生的电压叫霍尔电压H U ，1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。 I

如果半导体中电流I 是稳定而均匀的，可以推导出H U 满足： H H H IB U R K IB d =? =?， 式中，H R 为霍耳系数，通常定义/H H K R d =，H K 称为灵敏度。 由H R 和H K 的定义可知，对于一给定的霍耳传感器，H R 和H K 有唯一确定的值，在电流I 不变的情况下，与B 有一一对应关系。 2．误差分析及改进措施 由于系统误差中影响最大的是不等势电势差，下面介绍一种方法可直接消除不等势电势差的影响，不用多次改变B 、I 方向。如图2所示，将图2中电极2引线处焊上两个电极引线5、6，并在5、6间连接一可变电阻，其滑动端作为另一引出线2，将线路完全接通后，可以调节滑动触头2，使数字电压表所测 电压为零，这样就消除了1、2两引线间的不等势电势差，而且还可以测出不等势电势差的大小。本霍尔效应测磁仪的霍尔电压测量部分就采用了这种电路，使得整个实验过程变得较为容易操作，不过实验前要首先进行霍尔输出电压的调零，以消除霍尔器件的“不等位电势”。 在测量过程中，如果操作不当，使霍尔元件与螺线管磁场不垂直，或霍尔元件中电流与磁场不垂直，也会引入系统误差。 3．载流长直螺线管中的磁场 从电磁学中我们知道，螺线管是绕在圆柱面上的螺旋型线圈。对于密绕的螺线管来说，可以近似地看成是一系列园线圈并排起来组成的。如果其半径为R 、总长度为L ，单位长度的匝数为n ，并取螺线管的轴线为x 轴，其中心点O 为坐标原点，则 （1）对于无限长螺线管L →∞或L R >>的有限长螺线管，其轴线上的磁场是一个均匀磁场，且等于： 00B NI μ= 图2

如何鉴别产品检测报告的真伪

如何鉴别产品检测报告的真伪 近年来，一些功能性建材通过国家权威机构对相关功能进行检测，达到证实产品功能，提高消费者认知的目的，《室内装饰装修材料有害物质限量》标准实施后，建材厂家出售的产品都应该有检测报告。但据一些装饰公司和消费者反映，有些厂家的检测报告不真实。消费者能看到的检验、检测报告都是复印件或扫描件，容易更改或替换。如何鉴别检测报告的有效性呢?这里我们给您支几招 第一、一份正规的检验报告一般都是３－５页组成，最重要要有ＣＭＡ（计量认证）、ＣＡＬ（审查认可）两个标志及编号。这两个标志代表该质检机构经质量技术监督部门考查授权过，该机构所出具的数据有法律效力。 第二、检验报告里有任何内容涂改过都为无效报告 第三、检验报告分两种，委托检验（送检）和查抽检验。委托检验是厂方将产品直接送去检验，质检部门只对来样质量负责，而抽检是质检部门到商家的库房，在一批产品中随机（按一定的方法）抽取样品检验，相比起来抽检比送检权威性更强一些。 第四、要求取得双认证的质检机构为商家出示的质检报告必须在检验单位上加盖红章及骑缝章。 第五、查看检测报告上的检测标准、检测依据是否用了国家最新标准。 第六、查看检验报告上委托单位及检测产品名称是否与消费者所要购买的产品名称和规格相同。因为一些厂家生产几十种产品，一种产品的检测不能涵盖所有产品，而且各种产品配方不同，其所带的有害物质含量也不相同。 第七、是否明确。包括允许继续使用的参数、监控使用的限制性条件、下次检验日期、判废的依据等。 第八、查看检测时间、签发日期是否同一年及有效时间。 第九、检验报告页下角无编写、审核、批准人员签章无效。 第十、首页或续页最下方都要有出具检验报告的单位地址和电话。 以上是对检验检测报告的认识，最后我们怎样验证这份报告的真实性呢，方法很简单，可以根据首页检验报告上的编号及报告页下方的电话，打电话去咨询验证，或者跟据检验报告首页上出具此报告的单位机构，进入此机构网站查询验证。

实验十三 霍尔效应测磁场---注意事项及操作步骤(姜黎霞)

实验十三 霍耳效应测磁场 一、注意事项 1. 双刀双掷开关上的连线已经固定连接好，请不要擅自拆卸。 2. 双刀双掷开关引出的导线红“+”、黑“－”，各表头对应的接线柱也是红“+”、黑“－”，连线时双刀双掷开关引出的导线并联到接线柱上，即“红接红，黑接黑”。导线连好后经老师检查，然后开电源。 3. 双刀双掷开关向上合闸规定为“+”，向下合闸规定为“－”。在整个实验过程中，霍耳电压H U 对应的双刀双掷开关向上合闸，固定不变，只有工作电流H S ()I I 和励磁电流M I 对应的双刀双掷开关会要求上、下换向合闸，其中励磁电流M I 对应的双刀双掷开关在合闸时动作要快，否则会产生电火花。 4. 实验结束后，先断电，后拆线。只拆自己连接的部分，其它线路保留。 5. 本实验有两种型号的仪器，工作电流分别表示为H I 或S I ，灵敏度分别表示为 H K 或H S 。 6. 每套仪器的灵敏度不同，具体数值标在仪器箱内的面板上，注意：有一种型号的仪器灵敏度单位不是国际单位制，要化为国际单位制，具体换算是： 1mV /mA KG 10V /A T ?=?（ G ：高斯，T ：特斯拉） 二、操作步骤 1. 将三个双刀双掷开关引出的导线分别并联到与开关名目相同的接线柱上，经老师检查后，打开电源。 2. 将三个双刀双掷开关全部向上合闸，然后调节工作电流H S () 2.00mA I I =，励磁电流M 0.6A I =。注意：（1）励磁电流调节好后就固定了，直到实验结束都不需再调节。（2）有一种型号的仪器工作电流和励磁电流用同一个表头显示，需要用旁边的红色按钮转换。 3. 调节霍耳元件移动螺杆旋钮，测量霍耳元件在电磁铁两极间隙中5个不同任选位置的霍耳电压H U ，并将数据填入表13-1的草表中。

安捷伦8960实用简易操作说明

安捷仑8960综合测试仪是GSM和CDMA手机测试常见的测试仪器，现把在生产过程常用的设置和调试在此说明，以便大家需要时参考 1.如何将自动测试转换到手动测试？ 答：按面板右上方LOCAL键，进入本地设置状态即可（注：自动测试是指当仪器连接了电脑所有测试过程由电脑软件控制；手动测试即人工手动直接对仪器进行选择设置和测试。） 2.如何查看8960仪器的当前GPIB地址？ 答：1.按SYSTEM CONFIG键，进入系统设置界面，即可看到GPIB 地址，如：GPIB Address:20 3. 如何知道8960仪器当前的测试类型CDMA还是GSM？如何转换？ 答：1.按SYSTEM CONFIG键，进入系统设置界面，即可看到，如：Application：GSM/GPRS Mobile Test 目前产线常用的有两种， （1）G网手机，采用GSM/GPRS Mobile Test （2）C网手机，采用CDMA2000 Mobile Test GSM手机校准时需把C网换成G网，否则不能校准，转换方法如下： 先按按面板右上方LOCAL键，再Application Selection进入子画面，按Application Switch ，进入测试类型选项，通过旋钮选择GSM/GPRS Mobile Test或CDMA2000 Mobile Test，按下旋钮键确定，再选择YES 按下旋钮键确定，仪器将执行自动重启进入选定测试类项。 4.如何修改8960仪器的线损值？ 答：按SYSTEM CONFIG键，进入系统设置界面，按RF IN/OUT Amptd offset进入子画面，按IN/OUT Amptd offset setup，旋钮选择对应频段，按下旋钮键，进入线损值修改，如－10 dB。（线损值理论上应该通过测试来定，但实际应用中直接输入经验值有8，10，12 dB，使OK手机测试功率在33±3dB之内即可. 5.如何用8960测试手机发射功率？ 答：在待机界面，按Mesutement Selection 进入弹出窗口，用旋钮选择功率***POWER 项，注意：GSM900M频段测试功率等级有5——15级， GSM1800M频段测试功率等级有0—15级，GSM900测试信道：1—124（中间信道62）;GSM1800测试信道: 512—885（中间信道698）， 通话测试时：900M功率等级选最大5，信道选62,功率标准为33±3dB； 1800M功率等级选最大0，信道选698,功率标准为33±3dB

测试用例实例—常见功能测试点

测试用例实例--常见功能测试点 笔者在网上看到了一篇文章，个人认为此文对于“软件常用功能测试点”总结的很好，特此摘录下来和大家一起分享。 1. 登陆、添加、删除、查询模块是我们经常遇到的，这些模块的测试点该如何考虑 1)登陆 ①用户名和密码都符合要求(格式上的要求) ②用户名和密码都不符合要求(格式上的要求) ③用户名符合要求，密码不符合要求(格式上的要求) ④密码符合要求，用户名不符合要求(格式上的要求) ⑤用户名或密码为空 ⑥数据库中不存在的用户名，不存在的密码 ⑦数据库中存在的用户名，错误的密码 ⑧数据库中不存在的用户名，存在的密码 ⑨输入的数据前存在空格 ⑩输入正确的用户名密码以后按[enter]是否能登陆 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 2) 添加 ①要添加的数据项均合理，检查数据库中是否添加了相应的数据 ②留出一个必填数据为空

③按照边界值等价类设计测试用例的原则设计其他输入项的测试用例 ④不符合要求的地方要有错误提示 ⑤是否支持table键 ⑥按enter是否能保存 ⑦若提示不能保存，也要察看数据库里是否多了一条数据 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 3) 删除 ①删除一个数据库中存在的数据，然后查看数据库中是否删除 ②删除一个数据库中并不存在的数据，看是否有错误提示，并且数据库中没有数据被删除 ③输入一个格式错误的数据，看是否有错误提示，并且数据库中没有数据被删除。 ④输入的正确数据前加空格，看是否能正确删除数据 ⑤什么也不输入 ⑥是否支持table键 ⑦是否支持enter键 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 4)查询 精确查询：

霍尔效应实验报告98010

霍尔效应与应用设计 摘要：随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词：霍尔系数，电导率，载流子浓度。 一．引言 【实验背景】 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，称为霍尔效应。 如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz ）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 【实验目的】 1． 通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构； 2． 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术； 3． 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4． 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 B e eE H v = 其中E H 称为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b ， ? a

厚度为d ，载流子浓度为n ，则 bd ne t lbde n t q I S v =??=??= d B I R d B I ne b E V S H S H H =?= ?=1 比例系数R H =1/ne 称为霍尔系数。 1． 由R H 的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。 2． 由R H 求载流子浓度n ，即 e R n H ?= 1 （4） 3． 结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ。 电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = （5） 即σμ?=H R ，测出σ值即可求μ。 电导率σ可以通过在零磁场下，测量B 、C 电极间的电位差为V BC ，由下式求得σ。 S L V I BC BC s ?= σ（6） 二、实验中的副效应及其消除方法： 在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的霍尔电极A 、A′之间的电压为V H 与各副效应电压的叠加值，因此必须设法消除。 （1）不等势电压降V 0 如图2所示，由于测量霍尔电压的A 、A′两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧，位置不在一个理想的等势面上，Vo 可以通过改变Is 的方向予以消除。 （2）爱廷豪森效应—热电效应引起的附加电压V E 构成电流的载流子速度不同，又因速度大的载流子的能量大,所以速度大的粒子聚集的一侧温度高于另一侧。电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温差电动势V E ，如果采用交流电，则由于交流变化快使得爱延好森效应来不及建立，可以减小测量误差。 （3）能斯托效应—热磁效应直接引起的附加电压V N

霍尔效应实验方法

实验: 霍尔效应与应用设计 [教学目标] 1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构； 2. 学会测量半导体材料的霍尔系数的实验方法和技术； 3. 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 [实验仪器] 1.TH －H 型霍尔效应实验仪，主要由规格为>2500GS/A 电磁铁、N 型半导体硅单晶切薄片式样、样品架、I S 和I M 换向开关、V H 和V σ（即V AC ）测量选择开关组成。 2.TH －H 型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字毫伏表组成。 [教学重点] 1． 霍尔效应基本原理； 2． 测量半导体材料的霍尔系数的实验方法； 3． “对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 [教学难点] 1． 霍尔效应基本原理及霍尔电压结论的电磁学解释与推导； 2． 各种副效应来源、性质及消除或减小的实验方法； 3． 用最小二乘法处理相关数据得出结论。 [教学过程] （一）讲授内容： (1)霍尔效应的发现： 1879，霍尔在研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现： “电流通过金属，在磁场作用下产生横向电动势” 。这种效应被称为霍尔效应。 结论：d B I ne V S H ?=1 (2)霍尔效应的解释： 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。当载

流子所受的横电场力H e eE f =与洛仑兹力evB f m =相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡， B e eE H v = （1） bd ne I S v = （2） 由 （1）、（2）两式可得： d B I R d B I ne b E V S H S H H =?= ?=1 （3） 比例系数ne R H 1=称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数， (3) 霍尔效应在理论研究方面的进展 1、量子霍尔效应(Quantum Hall Effect) 1980年，德国物理学家冯?克利青观察到在超强磁场（18T ）和极低 温(1.5K ）条件下,霍尔电压 UH 与B 之间的关系不再是线性的，出现一 系列量子化平台。 量子霍尔电阻 获1985年诺贝尔物理学奖！ 2、分数量子霍尔效应 1、1982年，美国AT&T 贝尔实验室的崔琦和 斯特默发现：“极纯的半导体材料在超低温(0.5K) 和超强磁场(25T)下，一种以分数形态出现的量子电 阻平台”。 2、1983 年，同实验室的劳克林提出准粒子理 论模型，解释这一现象。 获1998年诺贝尔物理学奖 i e h I U R H H H 1 2?==3,2,1=i

霍尔效应法测量磁场

霍尔效应测磁场 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。1879 年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象， 故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属 的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展，人 们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发 展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电 流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。 在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。 【实验目的】 1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用 2．测绘霍尔元件的V H—Is，了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B之间的关系。 3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 【实验原理】 霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在 磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电 粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种 偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正 负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电 场。如图13-1所示，磁场B位于Z的正向，与 之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is（称 为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材 料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。 由于洛仑兹力f L作用，电子即向图中虚线 箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B 侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。 与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f E的作用。随着电荷积累的增加，f E增大，当两力大小相等（方向相反）时，f L=－f E，则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H，相应的电势差称为霍尔电势V H。 设电子按均一速度v，向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛仑兹力为：

Agilent8960操作指导手册

A g i l e n t8960操作指导书 1.目的 规范测试员能熟练掌握仪器的使用操作步骤。 2.适用范围 适用于公司各类产品的射频传导和天线耦合测试工作。 3.相关文件 无 4.所需设备、工具、材料 Agilent-设备型号： 5.过程 )； 。按F5, RF IN/OUT Amptd Offset Setup。输入要设置的频率及对应的线损，对于与处于Off状态的项目，我们按On键即可开启。（详细步骤见8960原理及使用方法介绍）。 3.建立连接：按SYSTEM CONFIG，打开如下界面。按 Format Switch,选择要切换的制式，在这里我们选择GSM/GPRS。在Operating Mode里选择 Active Cell (GSM),按 Original Call，当屏幕下方显示Connected的时候，表示连接已成功。在屏幕右侧Traffic Band中选择需要的频段，在Traffic Channel中选择需要的信道。在手机与8960已连接的情况下，按Measurement selection,选择 Transmit Power,进入测试界面。按确定可以看到测试结果（详细过程见8960原

理及使用方法介绍）。 4. 发射功率：在手机与8960已连接的情况下，按Measurement selection,选择 Transmit Power,进入测试界面。按确定可以看到测试结果（详细过程见8960原理及使用方法介绍）。 5.功率时间模板：在已连接的情况下，按Measurement selection，选择Power vs Time。确定之后显示如下界面。按Change View，选择Graph,可以看到图示化的测试结果（详细过程见 8960原理及使用方法介绍）。 6.频率误差&相位误差：在已连接状态下，按Measurement selection，选择 Phase & Frequency Error。按确定，可以看到测量结果。按Change View，选择Graph，可以观察图示化的测量结果（详细过程见8960 7.开关谱&调制谱：在已连接的状态下，按Measurement 。按确定可以看到测试结果。按 Modulation Numeric和 原理及 按BCH Parameters，将Cell Power 更改为Bit Error Setup,将Loopback Delay -15dBm,观察FER。对于DCS/PCS， 原理及使用方法介绍）。 &矢量幅度误差 ?灵敏度 ?最大输入电平 ?内环功率控制 ?开环功率控制 1.连接：按SYSTEM CONFIG ,在Format Switch 中选择WCDMA。左侧翻到第二页，选择Cell Parameters, 将BCCH Update page 设为Auto。将ATT (IMSI Attach) Flag State 改为Set。按F4, 选择Uplink Parameters, Maximum Uplink Transmit Power Level设为24dBm。左侧翻到第4

试论口语测试的真实性

试论口语测试的真实性 □邹　申 提要:本文在简述各类口试形式的基础上,从口试效度与信度的角度探讨口试的真实性问题。直接口试与间接口试在效度与信度方面各有其优劣。折衷的半直接口试得到语言测试人员的推崇。然而,如何看待半直接口试乃至其他口试形式的的真实性呢?本文认为对口试真实性的检验不能仅仅停留在考试能否再现实际语言运用情景上。口试的真实性应反映在对被试能力结构的恰当界定及考生与考试任务之间的交互作用上。关键词:口试;口语测试的真实性 Abstract:On the basis of a brief survey of the different types of oral tests,this paper attempts to explore authenticity with relation to validity and reliability.Direct and indirect oral tests possess both strengths and weaknesses in terms of validity and reliability.Semi2direct oral tests are regarded as a compromise between validity and reliability.H owever, are semi2direct oral tests authentic with regard to test situation and format?This paper argues that authenticity cannot be judged on proximity to real2life situations only.It resides in the underlying test construct and in the interaction be2 tween test takers and test tasks. K ey words:oral tests;authenticity in oral testing 中图分类号:H319　文献标识码:A　文章编号:1004-5112(2001)03-0074-05 英语口语测试不同于笔试,在施考过程中存在众多的制约因素,如考官业务素质、考官人数配备、考场资源以及评分标准把握等。如何保证考试的效度与信度及其真实性,一直是摆在口语测试人员面前的一道难题。本文在简述各类口试形式的基础上,从口试效度与信度的角度探讨真实性问题。 一、口试的类别及其特征 在口试的门类上本文采用Clark(1975∶10-11)的分类法。Clark将口试分为直接口试和间接口试。直接口试“旨在尽可能多地重现实际语言运用情景及使用过程”,并“提供一个反映所测试语言运用情景的尽可能真实的口语样本”。由于口语交际基本上是一相互交流过程,根据上述标准,一个较为理想的直接口试形式应为面对面交流。在这方面,面试型口试(oral interview test)被认为是较能代表直接口试特点的形式(Clark1975; Raatz1981;Wilkinson1968)。 一个常被用来作为此类口试形式的例子是美国外交服务学院(FSI)面试型口试。该口试包括考官与考生之间面对面的口语交流。在考试的过程中考官向考生提问,考生的回答向考官提供了本人的口语样本。随后考官根据口试评分标准给考生的回答打分(Shohamy1994∶110)。自20世纪50年代开始实施以来,FSI面试型口试已在其效度及信度方面建立了较高的威信。因此,语言测试界一些人士效仿该口试模式来衡量语言学习者的口语水平,一些经过改良后的FSI式口试被用来评估学生的口语能力。比如,美国外语教学委员会(ACTF L)就采用这种口试形式来测试美国中学生和大学生的外语水平(Shohamy1994∶110)。在我国,一些口试也采用了这种形式,如大学英语口语测试(CET2SET),全国公共英语等级考试体系的口语考试(PETS)等。由于这种面试型口试要求考官与考生进行直接的口语交流,在形 ? 4 7 ?

霍尔效应测磁场实验报告(完整资料).doc

【最新整理，下载后即可编辑】 实 验 报 告 学生姓名： 学 号： 指导教师： 实验地点： 实验时间： 一、实验室名称：霍尔效应实验室 二、 实验项目名称：霍尔效应法测磁场 三、实验学时： 四、实验原理： （一）霍耳效应现象 将一块半导体（或金属）薄片放在磁感应强度为B 的磁 场中，并让薄片平面与磁场方向（如Y 方向）垂直。如在薄片的横向（X 方向）加一电流强度为H I 的电流，那么在与磁场方向和电流方向垂直的Z 方向将产生一电动势H U 。 如图1所示，这种现象称为霍耳效应，H U 称为霍耳电压。霍耳发现，霍耳电压H U 与电流强度H I 和磁感应强度B 成正比，与磁场方向薄片的厚度d 反比，即 d B I R U H H = （1） 式中，比例系数R 称为霍耳系数，对同一材料R 为一常数。因成品霍耳元件（根据霍耳效应制成的器件）的d 也是一常数，故d R /常用另一常数K 来表示，有 B KI U H H = （2） 式中，K 称为霍耳元件的灵敏度，它是一个重要参数，表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍

耳元件的灵敏度K 知道（一般由实验室给出），再测出电流H I 和霍耳电压H U ，就可根据式 H H KI U B = （3） 算出磁感应强度B 。 图 1 霍 耳 效 应 示 意 图 图2 霍耳效应解释 （二）霍耳效应的解释 现研究一个长度为l 、宽度为b 、厚度为d 的N 型半导体制成的霍耳元件。当沿X 方向通以电流H I 后，载流子（对N 型半导体是电子）e 将以平均速度v 沿与电流方向相反的方向运动，在磁感应强度为B 的磁场中，电子将受到洛仑兹力的作用，其大小为 evB f B = 方向沿Z 方向。在B f 的作用下，电荷将在元件沿Z 方向的两端面堆积形成电场H E （见图2），它会对载流子产生一静电力E f ，其大小为 H E eE f = 方向与洛仑兹力B f 相反，即它是阻止电荷继续堆积的。当B f 和E f 达到静态平衡后，有E B f f =，即b eU eE evB H H /==，于是电荷堆积的两端面（Z 方向）的电势差为 vbB U H = （4）