固晶问题分析

（一）、出现“EFO gap wide”是什么意思？

答：燒球的電壓或者電流太高，假如仍就可以BONDING的话，把F15里的EFO 里有检测电压放低点就行！

（二）、请问 BSOB/BBOS 又是什么意思

答：是两种种球模式，一种先植球再打线，另一种是打线后再植球。（三）、AB339和eagle 60的区别

答：邦线速度速價錢線弧表現能力

（四）、晶驰在固LED晶片时，LED晶片会发光，最大的疑问就是顶针环也是直接连到大地的，固晶臂也是直接连接大地的，为什么在固晶时LED还会亮？

答：晶驰在固LED晶片时，LED晶片会发光，也就是说固晶臂和顶针之间有电压（但是LED晶片不会被击穿，只是客户看了不爽）。我做了部分实验得出了部分结论：我把顶针环部分的地线断开，虽然晶片不亮了，但是它上面会产生12VAC电压（我初步认为是顶针环和顶针2台步进电机产生的感应电压），导致LED晶片IR过大被击穿。

晶驰的固晶臂上的银触点+24VDC和固晶臂绝缘，但是银触点的地和固晶臂没绝缘（因为固晶臂是直接连到大地的所以信号地和大地相连了）。

（五）、AD896在转换画面时发现在WAFER镜头时会比在固晶画面速度快，调整灯光及相关参数均没有效果是在什么情况下发生的这种情况，还是普遍这样？

答：

1.普遍的话，建议做一下邦头同步校正。

2.要是只有某个特定的产品会这样，那建议看看其他机台的参数设定的范围。

3.如果这些都没有问题的话，你重新启动一下。或者拷贝其他机台的程序过

来试试。

4.板子是否浮动造成的重影。

5.不知道你的机器是不是要高温的。高温要考虑热量造成的热浪。热浪就是

我们在一堆火前面，看后面的东西是模糊或者看的有些像水里面的折射。这种现象在ASM -06系列机台都存在,由于Bond Camera放大倍率一般比

WaferCamera放大倍率小,显示时包含图象信息较多,机台处理图象信息有延

迟,将Bond Camera倍率调大可解决

（六）、ASM-AD830晶片老是吸不起来？顶针打的高些就会断掉，这是什么原因答：吸晶不起，原因归结起来以几点吧。

1、首先对好三点一线，然后看看有没有撞到摆臂<八孔弹片是否正常,摆臂是

否水平>

2.顶针钝，不能刺破蓝膜<打磨或者更换>,建议不要把顶针跳到太高.<顶真越

高,对晶片的伤害越大>

3.吸嘴不良

4.漏固检测灯,不要太暗<太暗会以为吸嘴堵塞了,不断吹起,调太亮会以为没

吸起晶片而不断重复吸晶,从而造成晶片重叠>

调整方法,先把晶片移到十字中间,打开顶针真空,然后调到吸晶高度,用显微镜观察调整吸晶高度<吸晶高度是打开顶针真空的情况下刚好碰到晶片>,再打开顶针高度,调整顶针高度<一般单电极的普光顶针高度应该是晶片高度的1/4,双电极的晶片顶针高度应该是晶片高度的1倍>.

注意,如果其他方面全部正常,而还是重复吸晶的话,应该看看在摆臂到达固晶位的范围内有没有其他异常<比如蓝膜边上有突出部分> AD830和ASM其他的固晶机不同，你没调好的话，一个晶片都吸不起，特别是固单电极晶片。

贴出目前一部份机器用到的Miss Die System以供大家参考。

Miss Die System中文意思为：漏晶检测系统。在固晶机中是不可缺少的一部份。

目前，就本人所知的，有两种实现方法。

1、红外发射接收。

这种的设计原理是，在BA（固晶臂）运动的轨迹中装有一个红外发射管持续发射红外光。（这里说的轨迹各种机器做的都不一样，有180度摆臂的即轨迹是180度的弧线，也有直线的，也有用90度摆臂的。）在BA的吸嘴上方装一个红外接收管。

当BA从抓晶位到固晶位的过程中，经过发射管。这时，如果吸嘴上面没有晶片的话，接收管就会收到发射管发出的光，接收管导通。电路就是利用这个原理来抓取这个信号。但并不是直接的来读这个信号。因为它是瞬间的。软

件不可能在马达运动的同时来每一个MS都检测这个是否读到。

所以，电路上再加入一个可以存储和清除的IC。当有信号时，IC会记录下，等软件完成BA从PICK POS到RE BOND POS时再来读这个存储的信号。If为1，那就是说在这个过程中有漏晶，Else为0，那就是正常。再进行下一步。//Pick Agin & Die Bond

另外，因为吸嘴太小，加上吸嘴里会有一些灰尘堵住，接收到的光是很有限的。所以在电路中会把这个即时的信号经过放大处理。并且，在电路上，会在接收管和发射管前加一个电位器，以调节它的灵敏度。

同理，Miss Die System 还可以检测吸嘴是否堵塞。当完成BONDING 后，软件会通过I/O卡给IC一个清除的信号。让IC重新记录。BA从Bond Pos 到Re Pick的过程中，软件读到存储信号，If=1,就是吸嘴为通，正常；Else=0，吸嘴为堵塞状态，需要吹气清理。

2、气感。

主要用到一个气压数字表。此表，利用气感元件读到不同气压时的不同电压，再转换成数字显示出来。所指气压是负气压这是它的最基本功能。

另外，我们在Miss Die System中用到的是它的号一个主要功能。我们先分析一下我们机器在固晶时不同状态的气压情况。

关闭时：P1，打开时：P2，打开吸有晶片时：P3，打开未吸到晶片时：P4。它们的关系是：P1 >P3>P4|| P4=P2而这个气感表，具有这们的功能。它可以设定两个值。Px Py。当气感表所读到的气压值（Pa），于Px时，为一种状态（0），当PxPy是为一种状态。

对比一下，是否上面的公式可以代入在气感表的公式中来。机器在固晶时不同状态的气压都可以在气感表上来表示。而我们需要的漏晶状态就是指气感表上的状态。

以上的分析，只是理论上的。实际中，同一状态下，气感表所读的值都会不一样。所以需要跟据实际情况来设定Px Py。气感，所用到的机器不多。因为在固小晶片时P3与P4太相近，容易造成误判。固IC时会好用点。就以上所提的红外线Miss Die System为例，再说明一下造成漏晶误报或漏检的原因和处理方法。

误报，一般来说分两种，一种是有吸到晶片报警漏晶。一种是吸嘴未堵塞报警堵塞。先说第一种。

首先是需要保证在显微镜下观察是吸起了晶片。如未吸起，请检查真空是否有漏气，顶针方面是否高度有问题。不属于误报。

1、晶片环未放好，这个是新手常犯的毛病，未放好或是膜未处理，高于吸嘴

拿起晶片后的高度，晶片在运动过程中被外物带走掉落。

2、吸嘴过大，漏气。

3、气路中有破损处，有漏气，在抓晶时可以抓起，但真空力不能克服离心力

（指180度摆臂）时，晶片在运动时掉落。

4、电路问题。检查发射管，接收管所接的连接线是否有磨损。某些机器的连

接线是跟着BA一起转动的，容易磨损。另处，I/O给出的清除信号是否正常，存储器是否正常，这些都是电路上的问题。因各家所用电路设计不一，不能详细说明。请参考厂商相关说明。

5、灵敏度的调节。这个是常做的。也是最基本的处理方式。

再说第二种。

在生产过程中，有时会因调的银浆高度过高而导致吸嘴吸到银浆，这点，不但吸嘴管道里会粘到，也会把吸嘴上面的接收管也挡住。而且，吸嘴长时间不清理的话，还会在吸嘴管道壁内积一层硬化的厚厚的银浆。对灵敏度感应造成影响。

除此之外就是电路问题了。

当然，灵敏度的调节是最基本的处理。请大家多提意见MISSING DIE CHECK POSITION 从字面上理解，意思是漏晶检测的位置。在上面我提到过，漏晶检测是在一个过程中是否有检测到漏晶，那么，我们需要的是两个position。

从POS1到POS2的过程中是否有漏晶。也就是说，需要从PICK POS 到MISS DIE CHECH POSITION的过程中来检测是否有漏晶。。

（七）、AD896碎晶问题有什么好的方法解决

答：

1）顶针不能太尖. 把顶针磨钝

2）对好三点一线。

3）用手动调取晶高度

4）把顶针马达的速度调为SLOW，

5）灵敏度也要调适当

6）要适合的吸嘴，

7）调好各延时参数，

8）气压至少要5KG以上

9）把焊臂压力减小。

10）校正焊臂水平。

（八）、一般来说，钨钢吸嘴堵了，用通针或钨丝就可以通开，但是我有两个吸嘴可能是堵了碎芯片，通不开。

答：用丙硐泡几天，再试试。可以把其它东西都泡开，但晶片好像不行。会有一点作用，但作用不大。大吸嘴可能要好通点，小吸嘴就不好通了。吸嘴堵了放超声震荡槽里洗洗就通了，再不行内径0.15MM以上的用钨丝通（通的时候别把DIE接触面弄花了，否则就得不偿失了）

介紹一個自己在用的方法，我都是用針灸針將針頭磨細，超好用的吸嘴也不用拆下來，各種類型吸嘴都適用，各位也可以試看看

（九）、我们的8930V做支架LED点出来点一大一小怎么回事情？？

答：首先确认点胶头是不是磨损了其次看看点胶头的弹性力度如何也可以尝试把点胶的延时放久一点点胶的高度是不是压的太下了。点胶部分不知道您要求的大小程度怎么样！一般情况做LAMP的是要求不是很高！如果您的大小太离谱的话有可能有以下几种问题产生：（仅供参考）

1、机器设备的参数存在问题。STAMPING PROCESS SETUP

2、胶问题，有客户中在使用过程中需要的胶特别稀释。

3、机器点胶工具选用的存在问题。

4、点胶工具内部机构问题。

5、支架有浮动现象存在。

6、点胶Z向马达出现问题。

（十）、处理：STAMPING SETUP

答:1、Disc level 建议设定在银胶盘中的银胶的二分之一的高度中，前题银

胶盘中的银胶一定要转均匀啊！

2、使用中如果胶特别稀释，请将rotating speed设定为0-50。

3、检查支架是否有浮动现象。

4、请检查点胶工具内部弹簧部分，是否运通正常。如有胶或长期使用没

有进行清理的话，会导致点胶头上下不是很顺畅！

5、点胶工具

请检查点胶PIN有没有磨损？最好建议您使用台阶比较长点的PIN，这样比较磨损不是很大！请参考！此主题相关图片如下122.jpg：

（十一）、近段时间经常死机，要重启才能正常，有时能自己重启，有时手动，死机时固晶臂刚好在吸晶位置上方，有时在固晶位置,电脑主机各方面都正常，

各位高手，何解？有什么方法解决先清除资料重新载入参数，观察机器自检是否正常。

答：死机和内存板记忆电子有关

１．先排除参数问题

２．再排除电源问题

３．最后从硬件部份顺序查找

4、是SALAVE 板问题，应该是BONDARM OR BONDHEDA ，请检查这两块电路板检查PR电脑和PL，PF的CPU扳，能自动重启，跟散热有关，

5、看下各电箱供电是否正常啊～我们这里的有时候散热不好温度过高也会死机的

（十二）、线弧越长在测拉力时缓冲力就越强，测试出的数字就越大。通常可也加反向弧度也是同样的原理。就想拉一条钢丝，和拉一条钢丝弹簧一样，同样的东西绕了几圈拉力就变了。主要是增加了缓冲力。大概就是这样的原理。

水热法合成二氧化锡纳米晶粉实验报告

S n O 2纳米微晶的溶胶—水热法合成 2007级化学系应用化学专业 颜廷国 刘 峰 一、 前言 二氧化锡（2SnO ）纳米晶粉是一种半导体氧化物，具有很大的比表面积和表面吸附特性，因而被广泛应用于各种有害、有毒及可燃易爆气体报警的气敏材料和湿敏材料。 目前，制备超细二氧化锡（2SnO ）微粉的方法很多，包括溶胶—凝胶法、化学沉降法、激光分解法和水热合成法等，其中用水热法制备二氧化锡微晶有许多优点，如： a) 由于反应是在相对较高的温度和压力下进行，因此有可能实现在常规条件下不能进行的反应。 b) 产物直接为晶态，使得晶粉粒度分布窄，晶体较完整；无须经过焙烧晶化过程，因此团聚较少，粒度均匀，形态比较规则。 c) 改变反应条件（温度、酸碱度、原料配比、矿化剂等）可能得到具有不同晶体结构、组成、形貌和颗粒尺寸的产物。 本文初步探讨了反应温度、介质酸度和反应物浓度对纳米二氧化锡的形成、形貌和粒状尺寸的影响。 二、 实验部分 1） 水热法制备纳米晶粉2SnO 的反应机理：首先是4SnCl 水解：HCl OH Sn O H SnCl S 4)(4)(424+?+形成无定形的4)(OH Sn 沉淀， 接着发生4)(OH Sn 的脱水缩合和晶化作用：O nH SnO OH nSn 2242n )(+????→?在一定温度下形 成2SnO 纳米微晶。

2） 试剂：实验中所用的四氯化锡、醋酸铵、乙醇（95%）、冰醋酸、氢氧化钾均为分析纯（AR ）试剂。 3）实验仪器：烧杯、容量瓶（50ml ）、玻璃棒、酸度计（pHS-3C 型）、聚四氟乙稀衬里不锈钢压力釜、台式烘箱、离心机（附带离心管）、表面皿、电子天平、研钵、真空泵、抽滤装臵、PH 试纸。 4）实验试剂的准备： 反应液的配制：分别配制浓度分别为0.5mol/L 、1.0mol/L 、2.0mol/L 的4SnCl 溶液。 缓冲液的配制：取77.08克醋酸铵固体与59ml 冰醋酸充分混合配制成PH 约为4.5的缓冲液。 配制浓度为6.0mol/L 的氢氧化钾溶液。 5）合成反应：以分析纯四氯化锡（4SnCl 〃O H 25）为原料，用蒸馏水配制成的一定浓度溶液在一定温度下，按一定K/Sn 摩尔比边搅拌边加入KOH 溶液至溶液PH=1.45，将溶液注入具有聚四氟乙烯衬里的不锈钢压力釜中，在160°C 下进行水热恒温晶化1.5小时，待反应釜冷却至室温，倒出反应釜中反应产物至离心试管中，加入醋酸铵—醋酸缓冲液离心洗涤4—5次，最后用95%的乙醇洗涤两次，于80C 0下干燥，然后研细。 三、 2SnO 纳米晶粉合成条件的探讨 1） 反应物浓度的影响 在水热反应温度为160°C 时，考察4SnCl 浓度(0.5mol/L 、1.0mol/L 、2.0mol/L)对2SnO 形成的影响，XRD 分析表明：4 SnCl

晶型药物常用的检测分析方法

晶型药物常用的检测分析方法 (2012-02-08 13:54:05) 物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子 或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下，只有一种晶型在热力学上是稳定的，但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢，因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。 药物分子通常有不同的固体形态，包括盐类，多晶，共晶，无定形，水合物和溶剂合物；同一药物分子的不同晶型，在晶体结构，稳定性，可生产性和生物利用度等性质方面可能会有显著差异，从而直接影响药物的疗效以及可开发性。如果没有很好的评估并选择最佳的药物晶型进行研发，可能会在临床后期发生晶型的变化，从而导致药物延期上市而蒙受巨大的经济损失，如果上市后因为晶型变化而导致药物被迫撤市，损失就更为惨重。因此，药物晶型研究和药物固态研发在制药业具有举足轻重的意义。 由于药物晶型的重要性，美国药监局(FDA)和中国药监局(SFDA)在药物申报中对此提 出了明确规定，要求对药物多晶型现象进行研究并提供相应数据。正因如此，任何一个新药的研发，都要进行全面系统的多晶型筛选，找到尽可能多的晶型，然后使用各种固态方法对这些晶型进行深入研究，从而找到最适合开发的晶型；选定最佳晶型后，下一步就是开发能始终如一生产该晶型的化学工艺；最后一步是根据制剂对原料药固态性质的要求，对结晶工艺进行优化和控制，确定生产具有这些固态性质的最佳工艺参数，从而保证生产得到的晶型具有理想的物理性质，比如晶体表象，粒径分布，比表面积等。这种通过实验设计来保证质量的方法必须对药物晶型具有非常全面深刻的理解才能实现。 原研药公司对药物分子的晶型申请专利，可以延长药物的专利保护，从而使自己的产 品具有更长时间的市场独享权。而对于仿制药公司来说，为了确保仿制药和原研药在生物利用度上的等同性，也需要对原料药的晶型进行研究，以确保原料药和制剂的质量，正因为如此美国药监局在ANDA申报中也对仿制药多晶型控制有明确的指南；另外，开发出药物的 新晶型从而能够打破原研药公司对晶型的专利保护，提早将仿制药推向市场，也是近年来仿制药公司一个至关重要的策略，而且如果能找到在稳定性，生物利用度，以及生产工艺方面具有优越性的新晶型，还可以申请晶型专利保护，从而大大提升自己的市场竞争力。总之，不管是新药开发，还是仿制药生产，药物晶型研究都是必不可少的中心环节。 目前鉴别晶型主要是针对不同的晶型具有不同的理化特性及光谱学特征来进行的，现 将几种常用且特征性强、区分度高的方法介绍如下，以供参考。 1 X-射线衍射法（X-ray diffraction） X-射线衍射是研究药物晶型的主要手段，该方法可用于区别晶态和非晶态，鉴别晶体的品种，区别混合物和化合物，测定药物晶型结构，测定晶胞参数（如原子间的距离、环平面的距离、双面夹角等），还可用于不同晶型的比较。X-射线衍射法又分为粉末衍射和单晶 衍射两种，前者主要用于结晶物质的鉴别及纯度检查，后者主要用于分子量和晶体结构的测定。

关于编制纳米晶材料项目可行性研究报告

纳米晶材料项目 可行性研究报告 编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司编制时间：https://www.wendangku.net/doc/607900002.html, 高级工程师：高建

关于编制纳米晶材料项目可行性研究报告 编制说明 （模版型） 【立项 批地 融资 招商】 核心提示： 1、本报告为模板形式，客户下载后，可根据报告内容说明，自行修改，补充上自己项目的数据内容，即可完成属于自己，高水准的一份可研报告，从此写报告不在求人。 2、客户可联系我公司，协助编写完成可研报告，可行性研究报告大纲（具体可跟据客户要求进行调整） 编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司 专 业 撰写节能评估报告资金申请报告项目建议书 商业计划书可行性研究报告

目录 第一章总论 (1) 1.1项目概要 (1) 1.1.1项目名称 (1) 1.1.2项目建设单位 (1) 1.1.3项目建设性质 (1) 1.1.4项目建设地点 (1) 1.1.5项目主管部门 (1) 1.1.6项目投资规模 (2) 1.1.7项目建设规模 (2) 1.1.8项目资金来源 (3) 1.1.9项目建设期限 (3) 1.2项目建设单位介绍 (3) 1.3编制依据 (3) 1.4编制原则 (4) 1.5研究范围 (5) 1.6主要经济技术指标 (5) 1.7综合评价 (6) 第二章项目背景及必要性可行性分析 (7) 2.1项目提出背景 (7) 2.2本次建设项目发起缘由 (7) 2.3项目建设必要性分析 (7) 2.3.1促进我国纳米晶材料产业快速发展的需要 (8) 2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (8) 2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (8) 2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (8) 2.3.5提升企业竞争力水平，有助于企业长远战略发展的需要 (9) 2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (9) 2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (10) 2.4项目可行性分析 (10) 2.4.1政策可行性 (10) 2.4.2市场可行性 (10) 2.4.3技术可行性 (11) 2.4.4管理可行性 (11) 2.4.5财务可行性 (11) 2.5纳米晶材料项目发展概况 (12)

焊锡材料的种类

焊锡材料的种类 焊锡以铅-锡(Pb-Sn)二元合金为主要的种类，铅-锡合金的共晶点在183 ℃，61.9wt%锡之处(见图9-25所示的铅-锡合金相图)，因此37%铅-63% 锡合金被称为共晶焊锡，在电子构装的应用中亦以接近共晶成份的焊锡(40%铅-60%锡)为主。焊锡可借调整其中铅锡的比例改变其熔点以符合制程之需求，许多不同化学成份的焊锡合金也因此被发展出来(见表9-12所示之常用焊锡特性)，一般而言，高铅含量的焊锡适用于温度较高的焊接制程；高锡含量的焊锡则专供有防蚀特殊需求的焊接使用。在焊接过程中，熔融的锡很容易与其它金属反应形成介金属化合物，常见的锡介金属化合物种类如表9-13所示。介金属化合物脆性高，也会影响焊锡的表面张力与润湿性，一般而言过量介金属化合物的存在有害焊点的性质。研究显示介金属化合物的成长是一个扩散控制的过程[2]，故焊接过程中应尽可能将低接合温度，缩短焊接时间，以使介金属化合物的形成量降 至最低。 焊锡中可添加少量元素以改善其性质。例如，添加低于2%的银可以提高机械强度而不致严重损坏焊锡性质，并可使焊锡在镀银表面进行接合时不致因银的熔解而降低其润湿性；添加锑亦可提高焊锡机械强度并降低其成本，但其添加量以3.5%为上限；添加铜的目的在减少铜的溶解速度，延长铜焊接工具的使用寿命，但过量的铜会造成砾状焊点(Gritty Joint) ；添加铟的焊锡可以提升其在陶瓷表面的润湿性，铟同时可以抑制金在焊锡中的溶解；铟、铋、镉可与铅、锡组成熔点低于铅锡共晶温度的合金，适合低温之焊接制程与高热敏性的元件焊接之应用。为了避免铅在制程中的污染，无铅焊锡因而成为焊锡研究的重点之一，举例而言，95% 锡-5%锑与96.5%锡-3.5%银为高强度焊锡，具有抗疲劳与潜变破坏的特性；80%金-20%锡与65%锡-25%银-10%锑为焊点强度有特殊需求的焊锡。

药物晶型

药物晶型 物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下，只有一种晶型在热力学上是稳定的，但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢，因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。 同一药物的不同晶型在外观、溶解度、熔点、溶出度、生物有效性等方面可能会有显著不同，从而影响了药物的稳定性、生物利用度及疗效,该种现象在口服固体制剂方面表现得尤为明显。药物多晶型现象是影响药品质量与临床疗效的重要因素之一，因此对存在多晶型的药物进行研发以及审评时，应对其晶型分析予以特别的关注。目前鉴别晶型主要是针对不同的晶型具有不同的理化特性及光谱学特征来进行的，现将几种常用且特征性强、区分度高的方法介绍如下，以供参考。 1 X-射线衍射法（X-ray diffraction） X-射线衍射是研究药物晶型的主要手段，该方法可用于区别晶态和非晶态，鉴别晶体的品种，区别混合物和化合物，测定药物晶型结构，测定晶胞参数（如原子间的距离、环平面的距离、双面夹角等），还可用于不同晶型的比较。X-射线衍射法又分为粉末衍射和单晶衍射两种，前者主要用于结晶物质的鉴别及纯度检查，后者主要用于分子量和晶体结构的测定。 1.1 粉末衍射粉末衍射是研究药物多晶型的最常用的方法。粉末法研究的对象不是单晶体，而是众多取向随机的小晶体的总和。每一种晶体的粉末X-射线衍射图谱就如同人的指纹，利用该方法所测得的每一种晶体的衍射线强度和分布都有着特殊的规律，以此利用所测得的图谱，可获得出晶型变化、结晶度、晶构状态、是否有混晶等信息。该方法不必制备单晶，使得实验过程更为简便，但在应用该方法时，应注意粉末的细度，而且在制备样品时需特别注意研磨过筛时不可发生晶型的转变。 1.2 单晶衍射单晶衍射是国际上公认的确证多晶型的最可靠方法，利用该方法可获得对晶体的各晶胞参数，进而确定结晶构型和分子排列，达到对晶型的深度认知。而且该方法还可用于结晶水/溶剂的测定，以及对成

合金相图实验报告

一．实验目的 1.用热分析法测绘Sn-Bi二元低共熔体系的相图 2.学习步冷曲线绘制相图的方法 二．实验原理 相图是多相体（二相或二相以上）处于相平衡状态时体系的某种物理性质对体系的某一自变量作图所得的图形（体系的其它自变量维持不变），二元和多元体系的相图常以组成为自变量，其物理性质则大多取温度。由于相图能反映出多相平衡体系在不同条件下的相平衡情况，因此研究相体系的性质，以及多相平衡情况的变化要用相图的知识。 AB表示两个组分的名称，纵坐标是温度T,横坐标 是B的百分含量abc线上，体系只有液相存在，ace 所围的面积中有固相A及液相存在，bcf所围的中 有B晶体和个液相共存，c点有三相（AB晶体和饱 和熔化物）。 测绘相图就是要将图中这些分离相区的线画出来， 常用的实验方法是热分析法。所观察的物理性质是 被研究体系的温度。将体系加热熔融成均匀液体，然后冷却，每隔一定时间记录温度一次，一温度对时间作图，得到步冷曲线。 当一定组成的熔化物冷却时，最初温度随时间逐渐下降达到相变温度时，一种组分开始析出，随着固体的析出而放出凝固潜热，使体系冷却速度变慢，步冷曲线的斜率发生变化而出现转折点，转折点的温度即是相变温度。继续冷却的过程中，某组分析出的量逐渐增多而残留溶液中的量则逐渐减少，直到低共熔温度时，液相达到低共熔组成，两种组分同时互相饱和，两种组分的晶体同时析出，这时继续冷却温度将保持不变，步冷曲线出现一水平部分，直到全部溶液变为固体后温度才开始降低，水平停顿温度为最低共熔点温度。 如果体系是纯组分，冷却过程中仅在其熔点出现温度停顿，步冷曲线的水平部分是纯物质的熔点，图中b是图1中组成为P体系的步冷曲线，点2,3分别相当于图1中的G,H。因此取一系列不同组成的体系，做出它们的步冷曲线求出其转折点，就能画出相图。但是在实验过程中有时会出现过冷现象，这时必须外推求得真正的转折点。

晶闸管的结构以及工作原理

一、晶闸管的基本结构 晶闸管（SemiconductorControlled Rectifier 简称SCR ）是一种四层结构（PNPN ）的大功率半导体器件,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。它有三个引出电极，即阳极（A ）、阴极（K ）和门极（G ）。其符号表示法和器件剖面图如图1所示。 图1 符号表示法和器件剖面图 普通晶闸管是在N 型硅片中双向扩散P 型杂质（铝或硼），形成211P N P 结构，然后在2P 的大部分区域扩散N 型杂质（磷或锑）形成阴极，同时在2P 上引出门极，在1P 区域形成欧姆接触作为阳极。 图2、晶闸管载流子分布 二、晶闸管的伏安特性 晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定

的。通常用伏安特性曲线来描述它们之间的关系，如图3所示。 图3 晶闸管的伏安特性曲线 当晶闸管AK V 加正向电压时，1J 和3J 正偏，2J 反偏，外加电压几乎全部降落在2J 结上，2J 结起到阻断电流的作用。随着AK V 的增大，只要BO AK V V <，通过阳极电流A I 都很小，因而称此区域为正向阻断状态。当AK V 增大超过BO V 以后，阳极电流突然增大，特性曲线过负阻过程瞬间变到低电压、大电流状态。晶闸管流过由负载决定的通态电流T I ，器件压降为1V 左右，特性曲线CD 段对应的状态称为导通状态。通常将BO V 及其所对应的BO I 称之为正向转折电压和转折电流。晶闸管导通后能自身维持同态，从通态转换到断态，通常是不用门极信号而是由外部电路控制，即只有当电流小到称为维持电流H I 的某一临界值以下，器件才能被关断。 当晶闸管处于断态（BO AK V V <）时，如果使得门极相对于阴极为正，给门极通以电流G I ，那么晶闸管将在较低的电压下转折导通。转折电压BO V 以及转折电流BO I 都是G I 的函数，G I 越大，BO V 越小。如图3所示，晶闸管一旦导通后，即使去除门极信号，器件仍然然导通。 当晶闸管的阳极相对于阴极为负，只要RO AK V V <，A I 很小，且与G I 基本无关。但反向电压很大时（RO AK V V ≈），通过晶闸管的反向漏电流急剧增大，表现出晶闸管击穿，因此称RO V 为反向转折电压和转折电流。

金属共晶相图

5.3.2 二元共晶相图 ①共晶相图： 当两组元在液态能无限互溶,在固态只能有限互溶,并具有共晶转 变,这样的二元合金系所构成的相图称为二元共晶相图。 如Pb-Sn ，Pb-Sb ，Cu-Ag ，Al-Si 等合金的相图都属于共晶相图。Pb-Sn 合金相 图是典型的二元共晶相图,见图5.26, 下面以它为例进行讲解。首先分析相图中 的点,线和相区。 图5.26 铅锡相图 一、相图分析 1、点： t A ，t B 点分别是纯组元铅与锡的熔点，为327.5o C 和231.9o C 。 M 点：为锡在铅中的最大溶解度点。N 点：为铅在锡中的最大溶解度点。 E 点：为共晶点，具有该点成分的合金在恆温183℃时发生共晶转变L E →αM +β N 共晶转变：是具有一定成分的液相在恆温下同时转变为两个具有一定成分和结构的固相的过程。 F 点：为室温时锡在铅中的溶解度。G 点：为室温时铅在锡中的溶解度。 2、t A Et B 线：为液相线，其中t A E 线：为冷却时L →α的开始温度线，Et B 线：为 冷 却时L →β的开始温度线。 t A MENt B 线：为固相线，其中t A M 线：为冷却时L →α的终止温度线，t B N 线： 为冷却时L →β的终止温度线。 MEN 线：为共晶线，成分在M~N 之间的合金在恒温183℃时均发生共晶转 变L E →（αM +βN ）形成两个固溶体所组成的机械混合物，通常称为共晶体 或共晶组织。 MF 线：是锡在铅中的溶解度曲线。NG 线：是铅在锡中的溶解度曲线。

3、相区 （1）单相区：在t A Et B 液相线以上,为单相的液相区用L表示，它是铅与锡组成的合金溶液。 t A MF线以左为单相α固溶体区，α相是Sn在Pb中的固溶体。 t B NG线以右为单相β固溶体区，β相是Pb在Sn中的固溶体。 （2）两相区：在t A EMt A 区为L+α相区，在t B ENt B 区为L+β相区。在FMENGF区为α+β相区。 （3）三相线：MEN线为L+α+β三相共存线。由相律可知三相平衡 共存时，f=2-3+1=0，只能在恒温下实现。 具有共晶相图的二元系合金，通常可以根据它们在相图中的位置不同，分为以下几类：①成分对应于共晶点（E）的合金称为共晶合金，如Pb-Sn相图中含Sn61.9%的合金。②成分位于共晶点（E）以左，M点以右的合金称为亚共晶合金，如含Sn19%~61.9%的合金都是亚共晶合金。③成分位于共晶点（E）以右，N点以左的合金称为过共晶合金。如含Sn61.9%~97.5%的合金都是过共晶合金。④成分位于M点以左，N点以右的合金称为端部固溶体合金。如含Sn小于19%和大于97.5%的合金都是端部固溶体合金。 二.共晶系典型合金的平衡凝固过程分析 1.端部固溶体合金（10%Sn-Pb合金） 由图5.26可以看出，合金①冷却到t 1 温度时开始发生匀晶转变从L→α。随着 温度的降低α量不断增加，L量不断减少，并且α相的成分沿固相线t A M变，L 相的成分沿液相线t A E变。当冷却到t 2 温度时L全部转变成α相，继续降低温度 α相自然冷却不发生成分和相的变化。当冷却到t3温度时，Sn在α固溶体中达到饱和状态，因此随着温度的降低，它处于过饱和状态，多余的Sn以β固溶体的形式从α固溶体中析出，这时α固溶体的平衡成分沿MF线变化，相对量逐渐减少，而析出的β固溶体的平衡成分沿NG线变化，相对量逐渐增加。通常将固溶体中析出另一种固相的过程称为脱溶转变，脱溶转变的产物一般称为次生相或二次相。次生相β固溶体用β Ⅱ 表示，以区别从液相中直接凝固出的β固溶体。由于次生相是从固相中析出的，而原子在固相中的扩散速度慢，所以次生相一般都较细小，并分布在晶界上或固溶体的晶粒内部。由上述分析可知该合金在室温 时的组织为α+β Ⅱ，见图5.27。图中黑色基体为α相，白色颗粒为β Ⅱ 相。图5.28为该合金的平衡凝固过程示意图。

晶闸管(可控硅)的结构与工作原理

一、晶闸管的基本结构 晶闸管(Semi ｃo ｎdu ｃｔo ｒC ｏnt ｒoll ｅｄ Ｒe ｃｔifier 简称SCR)是一种四层结构（PNPN ）的大功率半导体器件,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。它有三个引出电极,即阳极（A ）、阴极(Ｋ）和门极（G)。其符号表示法和器件剖面图如图1所示。 图１ 符号表示法和器件剖面图 普通晶闸管是在N 型硅片中双向扩散Ｐ型杂质(铝或硼），形成211P N P 结构，然后在2P 的大部分区域扩散N 型杂质(磷或锑）形成阴极，同时在2P 上引出门极,在1P 区域形成欧姆接触作为阳极。 图2、晶闸管载流子分布 二、晶闸管的伏安特性 晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定

的。通常用伏安特性曲线来描述它们之间的关系,如图3所示。 图3 晶闸管的伏安特性曲线 当晶闸管AK V 加正向电压时，1J 和3J 正偏,2J 反偏,外加电压几乎全部降落在2J 结上,2J 结起到阻断电流的作用。随着AK V 的增大，只要BO AK V V <，通过阳极电流A I 都很小，因而称此区域为正向阻断状态。当AK V 增大超过BO V 以后,阳极电流突然增大,特性曲线过负阻过程瞬间变到低电压、大电流状态。晶闸管流过由负载决定的通态电流T I ，器件压降为１Ｖ左右，特性曲线ＣＤ段对应的状态称为导通状态。通常将BO V 及其所对应的BO I 称之为正向转折电压和转折电流。晶闸管导通后能自身维持同态，从通态转换到断态，通常是不用门极信号而是由外部电路控制，即只有当电流小到称为维持电流H I 的某一临界值以下，器件才能被关断。 当晶闸管处于断态（BO AK V V <）时,如果使得门极相对于阴极为正,给门极通以电流G I ，那么晶闸管将在较低的电压下转折导通。转折电压BO V 以及转折电流BO I 都是G I 的函数,G I 越大，BO V 越小。如图3所示，晶闸管一旦导通后，即使去除门极信号,器件仍然然导通。 当晶闸管的阳极相对于阴极为负，只要RO AK V V <， A I 很小,且与G I 基本无关。但反向电压很大时(RO AK V V ≈），通过晶闸管的反向漏电流急剧增大,表现出晶闸管击穿，因此称RO V 为反向转折电压和转折电流。

金属共晶相图

5.3.2 二元共晶相图 ①共晶相图：当两组元在液态能无限互溶,在固态只能有限互溶,并具有共晶转 变,这样的二元合金系所构成的相图称为二元共晶相图。 如Pb-Sn，Pb-Sb，Cu-Ag，Al-Si等合金的相图都属于共晶相图。Pb-Sn合金相图是典型的二元共晶相图,见图, 下面以它为例进行讲解。首先分析相图中的点, 线和相区。 图铅锡相图 一、相图分析 1、点：t A，t B点分别是纯组元铅与锡的熔点，为和。 M点：为锡在铅中的最大溶解度点。N点：为铅在锡中的最大溶解度点。 E点：为共晶点，具有该点成分的合金在恆温183℃时发生共晶转变L E→αM+ βN 共晶转变：是具有一定成分的液相在恆温下同时转变为两个具有一定成分和结构的固相的过程。 F点：为室温时锡在铅中的溶解度。G点：为室温时铅在锡中的溶解度。 2、t A Et B线：为液相线，其中t A E线：为冷却时L→α的开始温度线，Et B线：为冷 却时L→β的开始温度线。 t A MENt B线：为固相线，其中t A M线：为冷却时L→α的终止温度线，t B N线： 为冷却时L→β的终止温度线。

MEN线：为共晶线，成分在M~N之间的合金在恒温183℃时均发生共晶 转变L E→（αM+βN）形成两个固溶体所组成的机械混合物，通常称为共晶 体或共晶组织。 MF线：是锡在铅中的溶解度曲线。NG线：是铅在锡中的溶解度曲线。 3、相区 （1）单相区：在t A Et B液相线以上,为单相的液相区用L表示，它是 铅与锡组成的合金溶液。 t A MF线以左为单相α固溶体区，α相是Sn在Pb中的固溶体。 t B NG线以右为单相β固溶体区，β相是Pb在Sn中的固溶体。 （2）两相区：在t A EMt A区为L+α相区，在t B ENt B区为L+β相区。 在FMENGF区为α+β相区。 （3）三相线：MEN线为L+α+β三相共存线。由相律可知三相平衡 共存时，f=2-3+1=0，只能在恒温下实现。 具有共晶相图的二元系合金，通常可以根据它们在相图中的位置不同，分为以下几类：①成分对应于共晶点（E）的合金称为共晶合金，如Pb-Sn相图中含%的合金。 ②成分位于共晶点（E）以左，M点以右的合金称为亚共晶合金，如含Sn19%~%的合金都是亚共晶合金。③成分位于共晶点（E）以右，N点以左的合金称为过共晶合金。如含%~%的合金都是过共晶合金。④成分位于M点以左，N点以右的合金称为端部固溶体合金。如含Sn 小于19%和大于%的合金都是端部固溶体合金。 二.共晶系典型合金的平衡凝固过程分析 1.端部固溶体合金（10%Sn-Pb合金） 由图可以看出，合金①冷却到t1温度时开始发生匀晶转变从L→α。随着温度的 降低α量不断增加，L量不断减少，并且α相的成分沿固相线t A M变，L相的成 分沿液相线t A E变。当冷却到t2温度时L全部转变成α相，继续降低温度α相自 然冷却不发生成分和相的变化。当冷却到t3温度时，Sn在α固溶体中达到饱和

可控硅元件的工作原理及基本特性

可控硅元件的工作原理及基本特性 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示 图1 可控硅等效图解图 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1 状态条件说明 从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位 2、控制极有足够的正向电压和电流 两者缺一不可 维持导通1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 2 可控硅的基本伏安特性见图2 图2 可控硅基本伏安特性 （1）反向特性 当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。

二组分金属相图的绘制思考题汇总

二组分金属相图的绘制思考题汇总 1.有一失去标签的Pb-Sn合金样品，用什么方法可以确定其组成？ 答： 将其熔融、冷却的同时记录温度，作出步冷曲线，根据步冷曲线上拐点或平台的温度，与温度组成图加以对照，可以粗略确定其组成。 2．总质量相同但组成不同的Pb-Sn混合物的步冷曲线，其水平段的长度有什么不同？为什么？ 答： （1）混合物中含Sn越多，其步冷曲线水平段长度越长，反之，亦然。 （2）因为Pb 和Sn的熔化热分别为23.0和59.4jg-1，熔化热越大放热越多，随时间增长温度降低的越迟缓，故熔化热越大，样品的步冷曲线水平段长度越长。 3．有一失去标签的Pb-Sn合金样品，用什么方法可以确定其组成？ 4．总质量相同但组成不同的Pb-Sn混合物的步冷曲线，其水平段的长度有什么不同？为什么？ （查表： Pb 熔点327℃，熔化热23.0jg-1，Sn熔点232℃，熔化热59.4jg-1） 5、何谓热分析法？用热分析法绘制相图时应注意些什么？ 热分析法是相图绘制工作中的一种常用的实验方法，按一定比例配制均匀的液相体系，让他们缓慢冷却，以体系温度对时间作图，则为步冷曲线。曲线的转折点表征了某一温度下发生的相变的信息。 6、为什么要控制冷却速度，不能使其迅速冷却？ 答：

使温度变化均匀，接近平衡态，必须缓慢降低温度，一般每分钟降低5度。 7、如何防止样品发生氧化变质？ 答： 温度不可过高，空气不能过多和样品接触。 8、用相律分析在各条步冷曲线上出现平台的原因。 答： 因为金属熔融系统冷却时，由于金属凝固放热对体系散热发生一个补偿，因而造成冷却曲线上 的斜率发生改变，出现折点。当温度达到了两种金属的最低共熔点，会出现平台。 9、为什么在不同组成融熔液的步冷曲线上，最低共熔点的水平线段长度不同？答： 不同组成，各组成的熔点差值不同，凝固放热对体系散热的补偿时间也不同。 10.样品融熔后为什么要保温一段时间再冷却？ 答： 使混合液充分混融，减小测定误差。 11.对于不同成分混合物的步冷曲线，其水平段有什么不同？ 答： 纯物质的步冷曲线在其熔点处出现水平段，混合物在共熔温度时出现水平段。而平台长短也不同。 12.作相图还有哪些方法？

药物晶型常用的检测分析方法

药物晶型常用的检测分析方法 物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下，只有一种晶型在热力学上是稳定的，但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢，因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下，只有一种晶型在热力学上是稳定的，但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢，因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。 药物分子通常有不同的固体形态，包括盐类，多晶，共晶，无定形，水合物和溶剂合物；同一药物分子的不同晶型，在晶体结构，稳定性，可生产性和生物利用度等性质方面可能会有显著差异，从而直接影响药物的疗效以及可开发性。如果没有很好的评估并选择最佳的药物晶型进行研发，可能会在临床后期发生晶型的变化，从而导致药物延期上市而蒙受巨大的经济损失，如果上市后因为晶型变化而导致药物被迫撤市，损失就更为惨重。因此，药物晶型研究和药物固态研发在制药业具有举足轻重的意义。 由于药物晶型的重要性，美国药监局(FDA)和中国药监局(SFDA)在药物申报中对此提出了明确规定，要求对药物多晶型现象进行研究并提供相应数据。正因如此，任何一个新药的研发，都要进行全面系统的多晶型筛选，找到尽可能多的晶型，然后使用各种固态方法对这些晶型进行深入研究，从而找到最适合开发的晶型；选定最佳晶型后，下一步就是开发能始终如一生产该晶型的化学工艺；最后一步是根据制剂对原料药固态性质的要求，对结晶工艺进行优化和控制，确定生产具有这些固态性质的最佳工艺参数，从而保证生产得到的晶型具有理想的物理性质，比如晶体表象，粒径分布，比表面积等。这种通过实验设计来保证质量的方法必须对药物晶型具有非常全面深刻的理解才能实现。 原研药公司对药物分子的晶型申请专利，可以延长药物的专利保护，从而使自己的产品具有更长时间的市场独享权。而对于仿制药公司来说，为了确保仿制药和原研药在生物利用度上的等同性，也需要对原料药的晶型进行研究，以确保原料药和制剂的质量，正因为如此美国药监局在ANDA申报中也对仿制药多晶型控制有明确的指南；另外，开发出药物的新晶型从而能够打破原研药公司对晶型的专利保护，提早将仿制药推向市场，也是近年来仿制药公司一个至关重要的策略，而且如果能找到在稳定性，生物利用度，以及生产工艺方面具有优越性的新晶型，还可以申请晶型专利保护，从而大大提升自己的市场竞争力。

单向晶闸管的基本结构及工作原理

单向晶闸管的基本结构及工作原理 晶闸管有许多种类，下面以常用的普通晶闸管为例，介绍其基本结构及工作原理。 单向晶闸管内有三个PN 结，它们是由相互交叠的4 层P区和N区所构成的.如图17-1(a) 所示。晶闸管的三个电极是从P1引出阳极A，从N2引出阳极K ，从P2引出控制极G ，因此可以说它是一个四层三端 半导体器件。 为了便于说明.可以把图17-1 (a) 所示晶闸管看成是由两部分组成的[见图17-1(b)]，这样可以把晶闸管等效为两只三极管组成的一对互补管.左下部分为NPN型管，在上部分为PNP 型管[见图17-1 (c)]。 当接上电源Ea后，VT1及VT2都处于放大状态，若在G 、K 极间加入一个正触发信号，就相当于在V T1基极与发射极回路中有一个控制电流IC，它就是VT1的基极电流IB1。经放大后，VT1产生集电极电流ICI。此电流流出VT2 的基极，成为VT2 的基极电流IB2。于是， VT2 产生了集电极电流IC2。IC2再流入VT1 的基极，再次得到放大。这样依次循环下去，一瞬间便可使VT1和VT2全部导通并达到饱和。所以，当晶闸管加上正电压后，一输入触发信号，它就会立即导通。晶闸管一经导通后，由于导致VT1基极上总是流过比控制极电流IG大得多的电流，所以即使触发信号消失后，晶闸管仍旧能保持导通状态。只有降低电源电压Ea，使VT1、VT2 集电极电流小于某一维持导通的 最小值，晶闸管才能转为关断状态。 如果把电源Ea反接，VT1 和VT2 都不具备放大工作条件，即使有触发信号，晶闸管也无法工作而处于关断状态。同样，在没有输入触发信号或触发信号极性相反时，即使晶闸管加上正向电压.它也无法导通。 上述的几种情况可参见图17-2 。

纳米晶带材项目投资计划书

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摘要 坚持“三同时”原则，项目承办单位承办的项目，认真贯彻执行国家建设项目有关消防、安全、卫生、劳动保护和环境保护管理规定、规范，积极做到：同时设计、同时施工、同时投入运行，确保各种有害物达标排放，尽量减少环境污染，提高综合利用水平。 该纳米晶带材项目计划总投资8917.75万元，其中：固定资产投资7910.17万元，占项目总投资的88.70%；流动资金1007.58万元，占项目总投资的11.30%。 达产年营业收入9179.00万元，总成本费用7182.23万元，税金及附加161.46万元，利润总额1996.77万元，利税总额2433.65万元，税后净利润1497.58万元，达产年纳税总额936.07万元；达产年投资利润率22.39%，投资利税率27.29%，投资回报率16.79%，全部投资回收期7.45年，提供就业职位198个。 项目概况、项目背景、必要性、产业分析、产品规划及建设规模、项目选址、建设方案设计、工艺概述、环境影响分析、企业卫生、项目风险应对说明、节能可行性分析、项目进度方案、项目投资计划方案、经济评价、综合评估等。

纳米晶带材项目投资计划书目录 第一章项目概况 第二章项目承办单位基本情况第三章项目背景、必要性 第四章项目选址 第五章建设方案设计 第六章工艺概述 第七章环境影响分析 第八章项目风险应对说明 第九章节能可行性分析 第十章实施进度及招标方案第十一章人力资源 第十二章项目投资计划方案 第十三章经济评价 第十四章综合评估

第一章项目概况 一、项目名称及承办单位 （一）项目名称 纳米晶带材项目 （二）项目承办单位 xxx集团 二、项目建设地址及负责人 （一）项目选址 某某循环经济产业园 （二）项目负责人 顾xx 三、报告研究目的 项目可行性研究报告由具有丰富报告编制案例的团队撰写，通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的分析，对项目经济效益及社会效益进行科学预测，从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。 四、报告编制依据 1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划。

物理化学实验报告讲义二组分金属相图的测定

实验30 二组分金属相图的测定 预习要求 1．理解热分析法。 2．理解步冷曲线上的转折点及停歇线表示的含义。 3．本实验所测定的Zn-Sn二组分，在液相及固相的相互溶解情况。 4．使用热电偶测量温度时的注意事项。（参阅附录1.2.3） 实验目的 1．用热分析法（步冷曲线法）绘制Zn-Sn二组分金属相图。 2．掌握热电偶测量温度的基本原理和自动平衡记录仪的使用方法。 实验原理 简单的二组分金属相图主要有三种：①液相完全互溶，凝固后固相也能完全互溶成固溶体的系统，如Cu-Ni，溴苯-氯苯；②液相完全互溶，固相完全不互溶的系统，如Bi-Cd； ③液相完全互溶，固相部分互溶的系统，如Pb-Sn。本实验研究的Zn-Sn系统属于第二种。在低共熔温度下，Zn在固相Sn中的最大溶解度为w Zn=0.09。 热分析法是绘制金属相图的基本方法之 一，即利用金属或合金在加热或冷却过程中发 生相变时，相变热的吸收或释放引起热容的突 变，来得到金属或合金中相转变温度的方法。 通常的做法是将金属或合金加热至全部熔 化，然后让其在一定的环境中自行冷却，每隔 一定时间记录一次温度，表示温度与时间关系 的曲线，即为步冷曲线（见图3-13）。 当熔融的系统均匀冷却时，如果不发生相 图3-13步冷曲线 变，则系统温度随时间的变化是均匀的，冷却 速度较快（如图中ab线段）；若在冷却过程中 发生相变，由于在相变过程中伴随着放热，所以系统的冷却速率减慢，步冷曲线上出现转折（如图中b点）；当系统继续冷却到某一温度时（如图中c点），系统中有低共熔混合物析出，步冷曲线出现温度的“停顿”；在低共熔混合物全部凝固以前，系统温度保持不变，因此步冷曲线上出现水平线段（如图中cd线段）；当系统完全凝固后，温度又开 始下降（如图中de线段）。 图3-14 固相完全不互溶的A-B二组分金属相图及其步冷曲线

药物晶型的分析方法介绍-李志万

药物晶型的分析方法介绍 审评五部审评十室李志万 物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下，只有一种晶型在热力学上是稳定的，但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢，因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。 同一药物的不同晶型在外观、溶解度、熔点、溶出度、生物有效性等方面可能会有显著不同，从而影响了药物的稳定性、生物利用度及疗效,该种现象在口服固体制剂方面表现得尤为明显。药物多晶型现象是影响药品质量与临床疗效的重要因素之一，因此对存在多晶型的药物进行研发以及审评时，应对其晶型分析予以特别的关注。目前鉴别晶型主要是针对不同的晶型具有不同的理化特性及光谱学特征来进行的，现将几种常用且特征性强、区分度高的方法介绍如下，以供参考。 1 X-射线衍射法（X-ray diffraction） X-射线衍射是研究药物晶型的主要手段，该方法可用于区别晶态和非晶态，鉴别晶体的品种，区别混合物和化合物，测定药物晶型结构，测定晶胞参数（如原子间的距离、环平面的距离、双面夹角等），还可用于不同晶型的比较。X-射线衍射法又分为粉末衍射和单晶衍射两种，前者主要用于结晶物质的鉴别及纯度检查，后者主要用于分子量和晶体结构的测定。 1.1 粉末衍射粉末衍射是研究药物多晶型的最常用的方法。粉末法研究的对象不是单晶体，而是众多取向随机的小晶体的总和。每一种晶体的粉末X-射线衍射图谱就如同人的指纹，利用该方法所测得的每一种晶体的衍射线强度和分布都有着特殊的规律，以此利用所测得的图谱，可获得出晶型变化、结晶度、晶构状态、是否有混晶等信息。该方法不必制备单晶，使得实验过程更为简便，但在应用该方法时，应注意粉末的细度，而且在制备样品时需特别注意研磨过筛时不可发生晶型的转变。 1.2 单晶衍射单晶衍射是国际上公认的确证多晶型的最可靠方法，利用该方法可获得

非晶合金纳米晶薄带生产建设可行性研究报告

非晶合金纳米晶薄带生产建设项目 可行性研究报告 第一章项目概况 (3) 第一节基本情况 (3) 第二节项目产品描述 (3) 由上表可见，平均空载损耗降低70%?80%,其节能效果显著.5 第三节项目背景 (5) 第二章企业基本情况 (7) 第三章产品需求分析和改造的必要性 (9) 第一节项目建设的必要性 (9) 第二节市场需求分析 (10) 第四章改造的主要内容和目标 (11) 第一节厂址选择和建设条件 (11) 第二节生产规模 (13)

第三节工艺技术方案 (13) 第四节工程方案 (17) 第五节节能 (20) 第六节环境保护与劳动安全与工业卫生 (21) 第五章项目总投资、资金来源和资金构成 (25) 第六章人员培训及技术来源 (26) 第七章项目实施进度计划 (27) 第八章公司发展战略与市场营销计划 (28) 第九章项目经济效益和社会效益分析 (28) 第一节社会效益 (28) 第二节经济效益 (29) 第十章开发项目的技术经济分析 (31) 第一节风险分析 (31) 第二节风险对策 (32) 第一章概况 第一节基本情况 一、项目名称：非晶合金、纳米晶薄带生产 二、承办单位：**有限公司 三、企业性质：有限责任公司

四、企业法人： 五、项目建设地点： 第二节项目产品描述 非晶合金薄带是70年代问世的一种新型软磁材料，它采用先进的速凝固技术，把熔化的钢液以1X06C/S的冷却速度直接冷却成厚度仅为 20um—40um的金属薄带，与传统金属带材生产工艺相比，节省了五?六道工序。生产过程节能，无污染排放。由于采取了超急冷却技术，带材中原子排列组合上具有短程有序，长程无序特点的非晶合金组织。该合金具有许多独特性能特点：如优异的磁性，耐蚀性，耐磨性，高硬度，高电阻率等，被人们称为二^一世纪最新的绿色环保软磁材料。 该材料的应用范围广阔，可替代传统的硅钢，铁氧体和坡莫合金等软磁材料，用该材料作为铁芯主要用材并制造的非晶合金配电变压器，与用硅钢片作为铁芯的配电变压器比对，具有很好的节能效果。其比对效果见下表：