电力电子技术基本概念和基础知识练习带答案(大工复习)
电力电子技术基本概念和基础知识练习：（王兆安、黄俊第四版）
第1章电力电子器件填空题：
1.电力电子器件一般工作在_开关_状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由_控制电路_、_驱动电路_、_电力电子器件_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型_ 、双极型、_复合型_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_加正向压降导通、加反向压降关断_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_肖特基二极管_、_快恢复二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为_阳极和阴极_ 正向有触发则导通、反向截止_关断_ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_＞_IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM_＜_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的_多元集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_开通_ 。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截至区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_
_饱和区_。
15.电力MOSFET的通态电阻具有_正_温度系数。
16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略降_，开关速度_小于_电力MOSFET
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_智能功率集成电路_。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压型_和_电流型_两类。
19.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_使GTR导通时处于临界饱和状态_。
20.抑制过电压的方法之一是用_电感_吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于_中、小_功率装置的保护。
21.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快恢复_型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
22.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_电阻均压_措施，给每只管子并联RC支路是_动态均压_措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用_先串后并_的方法。
23.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有_负_温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有_正_温度系数。
24.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_P.Diode_，属于半控型器件的是_SCR_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、IGBT、P.MOSFET_；属于单极型电力电子器件的有_P.Diode、P.MOSFET_，属于双极型器件的有_SCR、GTR、GTO_，属于复合型电力电子器件得有_IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_SCR_，工作频率最高的是_P.MOSFET_，属于电压驱动的是_P.MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_SCR、GTR、GTO_。
第2章整流电路填空题：
1.电阻负载的特点是_输出电流与输出电压波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0~180°_。
2.阻感负载的特点是_电流无法突变_，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0~180°_ ，其承受的最大正反向电压均为_√2U2_，续流二极管承受的最大反
向电压为_√2U2_（设U2为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为_0~180°_，单个晶闸管所承受的最大正
U2_和_√2U2_；带阻感负载时，α角移相范围为_0~90°_，单个晶闸管所承向电压和反向电压分别为_√2
2
受的最大正向电压和反向电压分别为_√2U2_和_√2U2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_π-2δ_。
5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与_单相全波可控整流电路_的波形基本相同，只是后者适用于_小_输出电压的场合。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_√2U2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0~150°_，使负载电流连续的条件为_α≤30°_(U2为相电压有效值)。
7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120°_，当它带阻感负载时，α的移相范围为_0~90°_。
8.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路α角的移相范围是_0~120°_，ud 波形连续得条件是_α≤60°_。
9.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值_减小_。
10.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当α从0°～90°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随α的增大而_增大_，当α从90°～180°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随α的增大而_减小_。
11.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全控_、_三相全控桥_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_要有直流电动势，其极性需和晶闸管导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压_和_α＞90°使输出为负_。
12.大、中功率的变流器广泛应用的是_锯齿波_触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个基本环节，即_脉冲形成与放大环节_、_锯齿波的形成与脉冲移相环节_和_同步环节_。
第3章直流斩波电路填空题：
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_升压斩波_和_降压斩波_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉宽调制（PWM）_、_调频_和_混合式_。
4.升压斩波电路的典型应用有_直流电动机转速控制_和_单相功率因数校正_等。
5.升降压斩波电路呈现升压状态的条件为_0.5＜α＜1_。
6.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第_1_象限，升压斩波电路能使电动机工作于第_2_象限，_电流可逆斩波_电路能使电动机工作于第1和第2象限。
7.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第_1、2、3、4_象限。
8.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个_降压_斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3个_基本_斩波电路并联。
第4章交流—交流电力变换电路填空题：
1.改变频率的电路称为_变频电路_，变频电路有交交变频电路和_交-直-交变频_电路两种形式，前者又称为_直接变频_，后者也称为_间接变频_。
2.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角α的移相范围为_0~180°_，随α的增大，Uo_减小_，功率因数λ_降低_。
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角α＜φ(φ=arctan(ωL/R) )时,VT1的导通时间_逐渐减小_,VT2的导通时间_逐渐延长_。
4.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为_交交变频电路_。7.单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的，交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流和输出电压的方向是否一致_决定的。
5.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时，单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz_。
6.三相交交变频电路主要有两种接线方式，即_公共交流母线进线方式_和_输出星型连接方式_，其中主要用于中等容量的交流调速系统是_公共交流母线进线方式_。
7.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是_全控电器_器件；控制方式是_斩控方式_。
第5章逆变电路填空题：
1.把直流电变成交流电的电路称为_逆变电路_，当交流侧有电源时称为_有源逆变_，当交流侧无电源时称为_无源逆变_。
2.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流，从大的方面，换流可以分为两类，即外部换流和_内部换流_，进一步划分，前者又包括_电网换流_和_负载换流_两种换流方式，后者包括_器件换流_和_强迫换流_两种换流方式。
3.适用于全控型器件的换流方式是_器件换流_，由换流电路内电容直接提供换流电压的换流方式称为_强迫换流_。
4.逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为_电压型逆变电路_，当直流侧为电流源时，称此电路为_电流型逆变电路_。
5.半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为_1/2_Ud ，全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为_1_Ud 。
6.三相电压型逆变电路中，每个桥臂的导电角度为_180°_，各相开始导电的角度依次相差_120°_，在任一时刻，有_三_个桥臂导通。
7.电压型逆变电路一般采用_全控_器件，换流方式为_器件换流_；电流型逆变电路中，较多采用_半控_器件，换流方式有的采用_强迫换流_，有的采用_负载换流_。
8.单相电流型逆变电路采用_负载_换相的方式来工作的，其中电容C和L、R构成_并联谐振_电路，单相电流型逆变电路有自励和他励两种控制方式，在启动过程中，应采用先_他励_后_自励的控制方式。
第6章脉宽调制（PWM）技术填空题：
1.PWM控制就是对脉冲的_宽度_进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是_等幅等宽的PWM脉冲_，SPWM波得到的是_等幅、宽度按正弦规律变化与正弦波等效的PWM波_。
2.PWM逆变电路也可分为_电压型_和_电流型_两种，实际应用的几乎都是_电压型_电路，得到PWM波形的方法一般有两种，即_计算法_和_调制法_，实际中主要采用_调制法_。
3.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称_单极性_控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用_双极性_控制方式。
4.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为_同步调制和_异步调制_。一般为综合两种方法的优点，在低频输出时采用_同步调制_方法，在高频输出时采用_异步调制_方法。
电力电子技术课后习题全部答案解析
电力电子技术 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解：a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t
电力电子技术基础参考资料(doc 10页)
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思考题与习题 1. 独立思考以下各小题，分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。 （1）（）是半控器件，（）和（）是全控器件。 （2）（）和（）所需驱动电路的静态功耗接近于0。 （3）如果希望导通电流为15A时，器件主回路的导通压降小于220mV，则应选用（）作为主开关器件。 （4）除功率MOSFET外，（）的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。 （5）（）在导通电流为500A条件下，为了将它关断，它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。 （6）（）的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。 （7）如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路，将450V 直流电源升高为650V直流电源，最大输出电流为200A，斩波频率为15KHz，则应选用（）作为主开关器件。 （8）（）如果已经导通，在主回路电流大于10A条件下，即使控制信号变为负值，它也不能关断。 2. 分析比较SCR（普通晶闸管）、双向SCR（双向晶闸管）、GTO （可 关断晶闸管）、GTR（电力双极型晶体管）、功率MOSFET和IGBT
（9）当U IN变化20%时，哪几种整流电路输出电压平均值的变化可小于3%？ （10）哪几种整流电路的功率因数低？ （11）哪几种整流电路的对交流输入电源造成的干扰小？ （12）如果在整流电路的输出与R L之间串接平波电感L，并希望在I RL达100A时R L两端电压的纹波因数小于1%，问：选用哪种整流电路所需L的电感量最小？ 6. 单相桥式二极管整流电路的交流输入电压有效值为220V，分别计算下列两种不同负载条件下整流输出电压的平均值U d、负载电流的平均值I d、每只整流二极管电流的平均值I DT 和有效值I T： （1）负载为纯阻性，R=10Ω。 （2）负载为电阻与电感相串联，R=10Ω，L可视为无穷大。 7. 由晶闸管构成的单相桥式全控整流电路的交流输入电压之有效值为100V，负载R=2Ω，L可视为无穷大，反电动势E=50V。试求α=30°时整流输出电流的平均值I d、每只晶闸管电流的平均值I dT和有效值I T。 8. 设晶闸管三相桥式可控整流电路输出带阻感负载，R=10Ω，L可视为∞？，它的三相交流输入线电压之有效值和全控整流输出电压之平均值分别为U lL和U d，U lL随电网电压波动的变化范围是320V至420V，晶闸管的导通压降可视为0，试求：
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随堂练习
C．不变 D．0 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 5.(单选题) 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（）倍。A．1，B．0.5，C．0.45，D．0.9. 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 6.(单选题) 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（）。 A. 三极管， B. 续流二极管， C. 保险丝, D. 开关管。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 7.(单选题) 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。 A．不变，B．增大，C．减小。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 8.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中，空载时，输出电压平均值等于（），为输入电压有效值。
A、1.2， B、， C、0.9， D、。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 9.(单选题) 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。 A．180°, B．60°, C．360°, D．120° 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 10.(单选题) 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。A．90°B．120°，C．150°，D．180° 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：D 问题解析： 11.(单选题) 单相桥式全控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的( )倍。 A. 1， B. 0.5， C. 0.45， D. 0.9. 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：D 问题解析： 12.(单选题) 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。 A. 交流相电压的过零点； B. 本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；
电力电子技术第3章-习题答案
3章交流-直流变换电路课后复习题 第1部分：填空题 1.电阻负载的特点是电压与电流波形、相位相同；只消耗电能，不储存、释放电能，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤ 180?。 2.阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是0? ≤a≤ 180? 2 ，续流二极管承受的最大反向电压 2 （设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0?≤a≤ 180?，单 2和 2 ；带阻感负载时， α角移相范围为0?≤a≤ 90?，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 2 2U 2 ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出 侧串联一个平波电抗器(大电感)。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ = 180?-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ = 0?。 5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基 本相同，只是后者适用于较低输出电压的场合。 6. 2 ，随负载 加重U d 逐渐趋近于0.9 U2，通常设计时，应取RC≥ 1.5~2.5T，此时输出电压为U d ≈ 1.2 U2(U2为相电压有效值)。 7.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ，晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤90?，使负载电流连续的条件为a≤30?(U2为相电压有效值)。 8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120?，当它 带阻感负载时，α的移相范围为0?≤a≤90?。 9.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 电压最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是电压最低的相电压；这种电路 α 角的移相范围是0?≤a≤120?，u d波形连续的条件是a≤60?。 10*.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流i d断续和连续的临界条件是C Rω 3 =，电路中的二极管承受的最大反向电压为 2 U2。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时， 整流输出的电压u d 的谐波幅值随 α 的增大而增大，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而减小。 12.三相桥式全控整流电路带阻感负载时，设交流侧电抗为零，直流电感L为足够大。当 α ＝30°时，三相电流有效值与直流电流的关系为I I d，交流侧电流中所含次谐波次数为 6k±1,k=1,2,3…，其整流输出电压中所含的谐波次数为 6k, k=1,2,3…。 13.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使输出电压平均值减小。
关于完成随堂练习及网上作业的通知
关于完成随堂练习及网上作业的通知 同学们： 接华工通知，本学期的平时成绩由随堂练习和网上作业两部分组成，请大家按要求及时完成相关课程的练习，以免影响自己的综合成绩。 现将完成随堂练习及网上作业的操作步骤说明如下： 一、随堂练习 1、登录新平台后，即进入了个人的“网络课堂”首页，界面的右侧显示“我的学习计划”，是完成教学计划所要修读的课程列表，同学们可清晰地看到自己要修读的课程。 2、对于已预约考试的课程，同学们点击相应课程名称，如“经济学原理”，就进入了课程学习的界面（如下图）： （3）随堂练习（已有随堂练习的课程列表详见附件）——在查看完课程某章或节的学习资料后，点击该章或节的标题，再点击标签栏上的“随堂练习”栏目可进行在线练习，该练习只提供一次机会，在选择答案时请谨慎考虑后选定。完成章节的随堂练习后点击“提交”按钮，系统将会自动记录答题的情况，如答题正确，界面右上角的平时成绩中的“随堂练习”进度条中将有相应的显示，如将鼠标放置进度条上，可以查看自己的随堂练习得分。该成绩以百分制计，并以一定比例计入综合成绩。
二、网上作业 原则上本学期每门课程会发布两次网上作业，每次作业有一定的时间限制。 近期各门课程的老师已相继发布了“网上作业”（还未发布作业的课程，华工老师正在联系，近段时间也发布），请各位同学及时上平台查看完成，以免错过提交截止时间。 网上作业查看方式： 进入主页，点击某门课程（如“大学英语B（一）”），进入课程后，点击栏目条中的“作业”——“课程作业”可查看作业是否发布，若已发布，点击“作业状态”下的“现在做”可以开始答题。 附件： 1. 已有随堂练习的课程列表 2. 尚未有随堂练习的课程列表
电力电子技术课后答案
电力电子课后答案 第二章 2.2 使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答： 使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK >0且U GK >0； 维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，各波形的电流最大值均为m I ， 试计算各波形的电流平均值1d I 、2d I 、3d I 与电流有效值1I 、2I 、3I ，和它们的波形系数1f K ，2f K ，3f K 。 题图2.1 晶闸管导电波形 解： a) 1d I = 4 1 2sin()(1)0.27222 m m m I I t I π π ωπ π= +≈? 1I 24 131(sin )()0.4822 42m m m I I t d wt I ππ ?π π = +≈? 111/0.48/0.27 1.78f d m m K I I I I === b) 2d I =412 sin ()(1)0.5422 m m m I I td wt I ππ?=+=∏? 2I 24 21 31(sin )()0.67242m m m I I t d wt I π π ?π π = +≈? 222/0.67/0.54 1.24f d m m K I I I I === c) 3d I = 20 1 1()24 m m I d t I π ωπ = ? 3I 220 1 1()22 m m I d t I π ωπ = ? 333/0.5/0.252f d m m K I I I I === 2.4. 如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A ，考虑晶闸管的安全裕量为1.5，问其允许通
电力电子技术习题与解答
《电力电子技术》习题及解答 思考题与习题 什么是整流它与逆变有何区别 答：整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为逆变，它是对应于整流的逆向过程。 单相半波可控整流电路中，如果： (1)晶闸管门极不加触发脉冲； (2)晶闸管内部短路； (3)晶闸管内部断开； 试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。 答：（1）负载两端电压为0，晶闸管上电压波形与U2相同； （2）负载两端电压为U2，晶闸管上的电压为0； （3）负载两端电压为0，晶闸管上的电压为U2。
某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电，在流过负载电流平均值相同的情况下，哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些 答：带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感，当其电流增大时，在电感上会产生感应电动势，抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些，在流过负载电流平均值相同的情况下，为防此时管子烧坏，应选择额定电流大一些的管子。 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路，若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断，试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。 解：设α=0，T 2被烧坏，如下图： 相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么带大电感负载时，负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么 答：相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。因为负载上的电压、电流是非正弦波，除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ ,,21U U 和Λ,,21I I ，负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。
华工电力电子技术随堂练习题库
附件一： 章节知识点对应练习题 题序 第一章电力二极管和晶闸管第一节电力电子器 件概述 1电力电子器件的特征 2电力电子器件的分类 本章的所有 习题 第二节不可控器件 ——电力二极管 1 PN结与电力二极管的工 作原理 2 电力二极管的基本特性 3 电力二极管的主要参数 4 电力二极管的主要类型 第三节半控型器 件——晶闸管 1 晶闸管的结构与工作原 理 2 晶闸管的基本特性 3 晶闸管的主要参数 4 晶闸管的派生器件 第二章单相可控整流电路第一节单相半波可 控整流电路 基本电路形式、波形分析本章的所有 习题 第二节单相桥式全 控整流电路 基本电路形式、波形分析 第三节单相全波可 控整流电路 基本电路形式、波形分析 第四节单相桥式半 控整流电路 基本电路形式、波形分 析、移相范围 第三章三相可控整流电路第一节三相半波可 控整流电路 三相半波可控整流电路的 基本形式和工作原理 本章的所有 习题 第二节三相桥式全 控整流电路 三相半波可控整流电路的 基本形式和工作原理 第三节变压器漏感 对整流电路的影响 了解变压器漏感的存在原 因及影响 第四节晶闸管的相 控触发电路 了解触发电路的工作原理 定相 第四章有源逆变电路第一节有源逆变的 概念 掌握有源逆变的基本概念本章的所有 习题 第二节三相有源逆 变电路 掌握三相有源逆变电路的 工作原理和电路基本形式 第三节逆变失败与 逆变角的限制 了解逆变失败的原因与逆 变角的限制 第四节晶闸管直流 电动机系统 了解整流状态和有源逆变 状态时的工作情况 第5章整流电路的第一节电容滤波的掌握电容滤波的单相和三本章的所有
谐波和功率因数问题不可控整流电路相不可控整流电路的工作 原理 习题 第二节整流电路的谐波和功率因数了解谐波和功率因数的关系 第四节多重化整流电路了解多重化整流电路的作用和工作原理 第6章交流电力控制电路第一节单相交流调 压电路 掌握单相交流调压电路的 工作原理、波形分析 本章的所有 习题 第二节三相交流调 压电路 了解三相交流调压电路的 工作原理 第三节斩波式交流 调压电路 掌握斩波式交流调压电路 的工作原理 第四节交流调功电 路 了解交流调功电路的工作 原理和作用 第7章全控型电力电子器件及驱动与保护第一至五节全控 型电力电子器件 了解全控型电力电子器件 的工作原理和基本特性 本章的所有 习题 第六节电力电子器 件的驱动 掌握驱动电路的作用、晶闸 管的触发驱动电路、全控型 器件的驱动电路 第七节电力电子器 件的保护 了解过电压、过电流产生的 原因及过压、过电流保护的 形式，缓冲电路的基本结构 第8章无源逆变电路及PWM控制技术第一节换流方式掌握逆变电路的基本工作 原理和换流方式 本章的所有 习题 第二节电压型逆变 电路 掌握单相半桥、全桥逆变电 路的工作原理、波形分析 第三节电流型逆变 电路 掌握单相电流型逆变电路 的工作原理、波形分析 第四节PWM控制 的基本原理 掌握PWM控制的基本原理 第五节PWM逆变电 路及其控制方法 了解单相半桥、全桥逆变电 路的PWM控制方式 第9章直流变换电路第一节基本斩波电 路 降压式、升压式、降压—升 压斩波电路和Cuk斩波电 路的基本电路形式、工作原 理、输入输出电压的关系 本章的所有 习题 第三节单端间接式 直流变换电路 掌握单端正激式、反激式直 流变换电路的基本电路形 式和工作原理 第四节双端间接式 直流变换电路 了解半桥、全桥直流变换电 路基本电路形式和工作原 理
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题答案
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极 电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0 2-3 .维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶 闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值丨1、I 2、I 3。 2-5上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少这时，相应的电流最大值I m1、I m2 I m3各为多少 解：额定电流算结果知I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计 解：a）I d1= 24 Im sin( t) 罟"Em I—(Im sin t)2d(wt) 11= 2 410.4767Im 2 b) J—(Imsin t)2d(wt) d2= I 2= Im <2 Im sin td (wt) ( 1) 4 2 Im 3 1 4 2 0.67411m 0.5434 Im c) 丄2Im d( d3= 2 0 t) 1 Im 4 3= 1 2Im2d( t) 2 0 i Im
2019华工网络继续教育-电力电子技术-随堂练习答案
1.(单选题) 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。 A．有效值, B．最大值, C．平均值, D．瞬时值 参考答案： C 问题解析： 2.(单选题) 晶闸管内部有（）PN结。 A．一个，B．二个，C．三个，D．四个 参考答案： C 问题解析： 3.(单选题) 以下器件中开关速度较快的器件是（）。 A、GTO, B、IGBT, C、MOSFET, D、GTR 参考答案： C 问题解析： 4.(单选题) 晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好 A．愈大 B．愈小 C．不变 D．0 参考答案： B 问题解析： 5.(单选题) 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（）倍。 A．1，B．0.5，C．0.45，D．0.9. 参考答案： C 问题解析： 6.(单选题) 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（）。 A. 三极管， B. 续流二极管， C. 保险丝, D. 开关管。 参考答案： B 问题解析： 7.(单选题) 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。 A．不变，B．增大，C．减小。 参考答案： B 问题解析： 8.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中，空载时，输出电压平均值等于（），为输入电压有效值。 A、1.2， B、， C、0.9， D、。 参考答案： B 问题解析： 9.(单选题) 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。 A．180°, B．60°, C．360°, D．120° 参考答案： A 问题解析： 10.(单选题) 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。 A．90°B．120°，C．150°，D．180° 参考答案： D
电力电子技术第五版课后习题及答案
电力电子技术第五版课后习题及答案 第二章电力电子器件 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Imπ4π4π25π4a)b)c)图1-43
图2-27晶闸管导电波形 解：a)I d1=π21ππωω4 )(sin t td I m=π2m I(122+)≈0.2717I m I1=π π ωωπ42)()sin(21 t d t I m=2m Iπ 2143+≈0.4767I m b)I d2= π1ππωω4)(sin t td I m=πm I(122+)≈0.5434I m I 2=ππωωπ42)()sin(1t d t I m=2 2m Iπ2143+≈0.6741I m c)I d3=π2120)(πωt d I m=4 1I m I3=2 02)(21πωπt d I m=2 1I m2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I =157A，由上题计算结果知 a)I m1≈4767 .0I≈329.35，I d1≈0.2717I m1≈89.48 2/16b)I m2≈6741.0I≈232.90, I d2≈0.5434I m2≈126.56c)I m3=2I=314, I d3=41
《电力电子技术基础》读书笔记
电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。而电力电子技术的不断发展，新材料、新结构器件的陆续诞生，计算机技术的进步为现代控制技术的实际应用提供了有力的支持，在各行各业中的应用越来越广泛。电力电子技术在电力系统中的应用研究与实际工程也取得了可喜成绩。 电力电子技术是应用于电力领域的电子技术。具体地说，就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，主要用于电力变换。目前所用的电力电子器件均用半导体制成，故也称电力半导体器件。通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术（理论基础是半导体物理）和变流技术（理论基础是电路理论）两个分支。电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础，而变流技术则是电力电子技术的核心。 电力电子技术的发展史 自 20 世纪50 年代末第一只晶闸管问世以来，电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台，以此为基础开发的可控硅整流装置，是电气传动领域的一次革命，使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代，这标志着电力电子技术的诞生。在随后的40 余年里，电力电子技术在器件、变流电路、控制技术等方面都发生了日新月异的变化，在国际上，电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域。 电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为电力电子技术的诞生奠定了基础。晶闸管自诞生以来，电力电子器件已经走过了五十多年的概念更新、性能换代的发展历程。 第一代电力电子器件 以电力二极管和晶闸管(SCR)为代表的第一代电力电子器件，以其体积小、功耗低等优势首先在大功率整流电路中迅速取代老式的汞弧整流器，取得了明显的节能效果，并奠定了现代电力电子技术的基础。电力二极管对改善各种电力电子电路的性能、降低电路损耗和提高电源使用效率等方面都具有非常重要的作用。目前，硅整流管已形成普通整流管、快恢复整流管和肖特基整流管三种主要类型。晶闸管诞生后，其结构的改进和工艺的改革，为新器件的不断出现提供了条件。由晶闸管及其派生器件构成的各种电力电子系统在工业应用中主要解决了传统的电能变换装置中所存在的能耗大和装置笨重等问题，因而大大提高电能的利用率，同时也使工业噪声得到一定程度的控制。 第二代电力电子器件 自20世纪70 年代中期起，电力晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、电力场控晶体管(功率MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、MOS 控制晶闸管(MCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等通断两态双可控器件相继问世，电力电子器件日趋成熟。一般将这类具有自关断能力的器件称为第二代电力电子器件。全控型器件的开关速度普遍高于晶闸管，可用于开关频率较高的电路。 第三代电力电子器件 进入20 世纪90 年代以后，为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减少，常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件做成模块的形式，这给应用带来了很大的方便。后来，又把驱动、控制、保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC），也就是说，电力电子器件的研究和开发已进入高频化、标准模块化、集成化和智能化时代。电力电子器件的高频化是今后电力电子技术创新
关于完成随堂练习及网上作业的通知
关于完成随堂练习及网上作业的通知 集团档案编码：[YTTR-YTPT28-YTNTL98-UYTYNN08]
关于完成随堂练习及网上作业的通知 同学们： 接华工通知，本学期的平时成绩由随堂练习和网上作业两部分组成，请大家按要求及时完成相关课程的练习，以免影响自己的综合成绩。 现将完成随堂练习及网上作业的操作步骤说明如下： 一、随堂练习 1、登录新平台后，即进入了个人的“网络课堂”首页，界面的右侧显示“我的学习计划”，是完成教学计划所要修读的课程列表，同学们可清晰地看到自己要修读的课程。 2、对于已预约考试的课程，同学们点击相应课程名称，如“经济学原理”，就进入了课程学习的界面（如下图）： （3）随堂练习（已有随堂练习的课程列表详见附件）——在查看完课程某章或节的学习资料后，点击该章或节的标题，再点击标签栏上的“随堂练习”栏目可进行在线练习，该练习只提供一次机会，在选择答案时请谨慎考虑后选定。完成章节的随堂练习后点击“提交”按钮，系统将会自动记录答题的情况，如答题正确，界面右上角
的平时成绩中的“随堂练习”进度条中将有相应的显示，如将鼠标放置进度条上，可以查看自己的随堂练习得分。该成绩以百分制计，并以一定比例计入综合成绩。 二、网上作业 原则上本学期每门课程会发布两次网上作业，每次作业有一定的时间限制。 近期各门课程的老师已相继发布了“网上作业”（还未发布作业的课程，华工老师正在联系，近段时间也发布），请各位同学及时上平台查看完成，以免错过提交截止时间。 网上作业查看方式： 进入主页，点击某门课程（如“大学英语B（一）”），进入课程后，点击栏目条中的“作业”——“课程作业”可查看作业是否发布，若已发布，点击“作业状态”下的“现在做”可以开始答题。
电力电子技术基本概念和基础知识练习(大工复习)
电力电子技术基本概念和基础知识练习：（王兆安、黄俊第四版） 第1章电力电子器件填空题： 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、________ ________三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为________。 6.电力二极管的主要类型有________、________、________。 7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。 11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。 15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。 16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。 17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。 19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。 20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。 21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护。 22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。 24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。 第2章整流电路填空题： 1.电阻负载的特点是________，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________。 2.阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________ ，其承受的最大正反向电压均为________，续流二极管承受的最大反向电
《电力电子技术第二版》课后习题及解答
《电力电子技术》习题及解答 第1章思考题与习题 1、1晶闸管的导通条件就是什么? 导通后流过晶闸管的电流与负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件就是:晶闸管阳极与阳极间施加正向电压,并在门极与阳极间施加正向触发电压与电流(或脉冲)。 导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。 1、2晶闸管的关断条件就是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定? 答:晶闸管的关断条件就是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。 1、3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压与反向击穿电压如何变化？ 答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压与反向击穿电压随温度升高而减小。 1、4晶闸管的非正常导通方式有哪几种？ 答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt过高;(3) 结温过高。 1、5请简述晶闸管的关断时间定义。
答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即gr rr q t t t +=。 1、6试说明晶闸管有哪些派生器件？ 答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。 1、7请简述光控晶闸管的有关特征。 答:光控晶闸管就是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。 1、8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1、8所示电路中就是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量) 图题1、8 答:(a)因为H A I mA K V I <=Ω =250100,所以不合理。 (b) 因为A V I A 2010200=Ω =, KP100的电流额定值为100Ａ,裕量达５倍,太大了。 (c)因为A V I A 1501150=Ω= ,大于额定值,所以不合理。 1、9 图题1、9中实线部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各图的电流平均值.电流有效值与波形系数。 解:图(a): I T(A V )=π21 ?π ωω0)(sin t td I m =πm I
电力电子技术(随堂练习)
电力电子技术随堂练习 第一章电力二极管和晶闸管 一、单选题 1．晶闸管内部有（）PN结 A．一个B．二个C．三个D．四个【答案：C】 2. 晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ） A．分流B．降压C．过电压保护D．过电流保护【答案：C】 3. 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的A．有效值 B．最大值 C．平均值 D．瞬时值【答案：C】 4. 晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好 A．愈大 B．愈小 C．不变 D．0 【答案：B】 二、判断题 1．晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（） 【答案：×】 2．给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（） 【答案：×】 3. 两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜任电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。（）【答案：√】 4. 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（）【答案：×】 5. 普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
（）【答案：×】 6. 只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（）【答案：×】 7. 只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（） 【答案：×】 第二章单相可控整流电路 一、单选题 1．单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度 A．180° B．60° C．360° D．120°【答案：A】 2. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) A．90°B．120°C．150°D．180°【答案：D】 3. 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。 A．不变， B．增大， C．减小。【答案：B】 4. 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（）倍。 A．1， B．0.5， C．0.45， D．0.9. 【答案：C 】 5. 单相桥式全控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交
电力电子技术考试卷
XX大学 2015-2016 学年第2 学期 《电力电子技术》课程考试试卷（A） 题号 -二二三 四总分分值25103530100 得分 一、填空题（每空1分，共25分） 1. 电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电 气公司研制出第一个________ 为标志的。 2?电力电子器件同信息电子器件相比具有________________ 、___________ _____________ 和_____________ 四个特征。 3?普通晶闸管的额定电流用__________ 标定，而双向晶闸管的额定电流用有 效值标定。 4?直流斩波电路中，所谓导通占空比a是指___________ 和___________ 的比值。 5. ______________________________ 电力电子技术的核心是 6. TSC是指_____________ ,其运行时选择晶闸管投入时刻的原则是 得分评卷人
7?把直流电变成交流电的过程称为逆变，逆变电路交流侧接有电源时称为 __________ ； 交流侧直接与负载连接时，称为 ___________ 。 8. ________ 控制就是对脉冲宽度进行调制的技术，即通过对一系列脉冲 的宽度进行调制，来等效地获得所需要的波形，其控制技术的理论基础是 __________ 。生成所需等效波形的方法主要有 ____________ 、 ___________ 和 跟踪控制方法。 9?使开关开通前其两端电压为零，这种开关称为 _______________ ;使开关关断 前其电流为零，这种开关称为 ____________ 。 10. 根据软开关技术发展的历程可以将软开关电路可以分为 __________ 和 __________ 三类。 11. _________________ UPS 是指 12. _________________________________________________ 三相桥式整流电路是两组三相半波整流电路的 ____________________________ ，而双反星整 流电路则是两组三相半波整流电路的 _____________ ，且后者需用平衡电抗器。 ( )。 2. 普通晶闸管属于（ ）。 A. 全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.以 上都不是 3. 随着晶闸管门极电流 、单项选择题（每题 1分，共10 分） 1.以下英文缩写表示门极可关断晶闸管的是 A.GTO B.MOSFET C.GTR D 」GBT
《电力电子技术》课后答案完整版
王兆安《电力电子技术》（第4版）课后习题解 第1章 电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极注入正向触发电流。 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流（即维持电流），即H A I I >。 要使晶闸管由导通变为关断，可通过外加反向阳极电压或减小负载电流的办法，使流过晶闸管的电流降到维持电流值以下，即H A I I <。 1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为m I 。 试计算各波形的电流平均值1d I ，2d I ，3d I 与电流有效值1I ，2I ，3I 。 解：a ） m m m d I I t d t I I 2717.0)12 2( 2)()(sin 214 1≈+= = ?π ωωπ ππ m m m I I t d t I I 4767.021432)()sin (214 21≈+= =? π ω?πππ b ） m m m d I I t d t I I 5434.0)12 2 ( )()(sin 1 4 2≈+= = ? π ωωπ ππ m m m I I t d t I I 6471.0214322)()sin (1 4 22≈+= = ? π ω?π ππ c ） ? = =20 3 4 1)(21π ωπ m m d I t d I I m m I t d I I 2 1)(21 20 2 3= = ? ωπ π 1.4 上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶阐管能送出的平均电流1d I 、2d I 、3d I 各为多少？这时，相应的电流最大值1m I 、2m I 、3m I 各为多少？ 解：额定电流A I AV T 100)(=的晶闸管，允许的电流有效值A I 157=，由上题计算结果知： a ） A I I m 35.3294767.01≈≈ A I I m d 48.892717.011≈≈ b ） A I I m 90.2326741 .02≈≈ A I I m d 56.1265434.022≈≈ c ） A I I m 31423== A I I m d 5.784 1 33== 1.5 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由211P N P 和221N P N 构成两个晶体管1V 、2V ，分别具有共基极电 流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。121＞ αα+两个等效晶体管过饱和而导通；121＜ αα+不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点 图1-43 晶闸管导电波形