Concept驱动板在NPC三电平应用中的注意事项

Application of Gate Drivers for 3-Level NPC-2 Power Modules with Reverse Blocking IGBTs

Christoph Dustert, CONCEPT Niederlassung der Power Integrations GmbH

Hellweg Forum 1, 59469 Ense, Germany

Andreas Volke, CONCEPT Niederlassung der Power Integrations GmbH,

Hellweg Forum 1, 59494 Ense, Germany

Abstract

3-level topologies have been widely used in various applications for several years. Such applications are typically based on the classical neutral-point-clamped (NPC1) topology with four power switches (IGBT) per half-bridge and two additional clamping diodes. A variant of this topology is known as the NPC2 topology which uses two IGBTs per half-bridge and two IGBTs connected as a common collector configuration in the clamping path. This topology is also available with two reverse blocking (RB) IGBTs instead of IGBTs in a common collector configuration to reduce the amount of conducting components. The gate driver requirements – especially concerning protection functions like desaturation monitoring and active clamping – are different for NPC1/NPC2 and NPC2 with RB-IGBT topology. This paper discusses these differences and provides proven solutions that enable standard gate drivers to be adapted for use in NPC2 topology designs with RB-IGBTs.

1 Introduction

Conventional 2-level converter topologies (Fig. 1a) feature two switching states; the positive and negative rail of the DC-link voltage (DC+, DC-). To reduce total harmonic distortion in the output waveforms, further switching states are desired. The well-known 3-level NPC1 topology (Fig. 1b) provides such an additional switching state, the neutral state of 0V of junction N. Due to the lower voltage waveform distortions, filtering requirements can be reduced. This makes these topologies more and more attractive as the cost of filters has become a significant factor in the design of converter systems. A drawback of implementing 3-level topologies is the increased amount of switching devices (IGBTs and diodes), which add to the complexity and also partially to the cost of the entire system [1]. With the implementation of the NPC2 topology (Fig. 1c) the amount of power semiconductors can be further reduced, compared to the classical NPC1 setup.

Fig. 1 Overview of 2-level and 3-level NPC1/NPC2 half-bridge topologies

Instead of two IGBTs and diodes, which are connected as a common collector topology in NPC2 setups, two reverse-blocking (RB) IGBTs can be used. RB-IGBTs possess an altered internal structure, which enables the IGBT to sustain forward and reversed biased voltages of equal levels. In comparison, in the reverse blocking state a standard IGBT sustains only a fraction of the forward blocking voltage. Therefore, RB-IGBTs mean that NPC2 topology designs can be implemented using two fewer diodes (Fig. 1d). This leads to several advantages including reduced conduction losses, better utilization of package area, simplified auxiliary terminal arrangement of the power module and others [2].

2 Gate driver considerations

The requirements for the IGBT gate driver differ for the topologies presented in Fig. 1. For instance, a 2-level topology typically requires features such as short-circuit and overvoltage protection. A widely-used implementation of the short-circuit protection is called V CEsat or desaturation monitoring, shown in the Fig. 6. Overvoltage protection is commonly achieved using active clamping of the IGBT’s collector-emitter voltage. Fig. 4a shows an example.

If a 3-level NPC1 topology is used, the turn-off sequence of the IGBTs during a short-circuit event is important. In this case, it is mandatory that first the outer IGBT of a half-bridge is turned-off before the inner IGBT is switched off. If this sequence is not followed, the inner IGBT will be exposed to the full DC-link voltage and will be destroyed as the IGBTs in a 3-level NPC1 topology are “only” rated for half of the DC-link voltage [1]. Accordingly, the gate driver shall not automatically turn-off the IGBTs in the event of short-circuit, but report the fault condition to the control unit, which will ensure the proper turn-off sequence. Only if Advanced Active Clamping is implemented for the inner IGBTs can the turn-off sequence be ignored and the gate driver allowed to turn-off automatically [3].

Common for all the NPC topologies shown in Fig. 1 is that during normal operation the voltage of the phase output U alternates between 1/2DC+ and 1/2DC- with respect to the neutral point N, i.e. it changes its polarity. This fact is of particular interest for the IGBTs between junctions N and U of the NPC2 topology forming the bidirectional switch. The resulting voltages for these IGBTs are shown in Fig. 2 if the outer switches (not illustrated here) are turned on and off respectively.

Fig. 2 Idealized voltage distribution for a bidirectional switch

The collector-emitter voltage of the IGBT switches in Fig. 2a is always positive or (idealized) zero; depending of the actual phase output voltage at position U. Hence, for short-circuit and overvoltage protection, no special requirements need to be considered. However, this is different if RB-IGBTs are used as the bidirectional switch, and the alternating voltage at junction U demands modifications of classical short-circuit and overvoltage protection schemes. Otherwise, the gate driver stage and eventually the IGBT switch(es) will be damaged.

As an example, Fig. 3 (left) shows measurements using the NPC2 power module 4MBI650VB-120R1-50 from Fuji Electric. The load in this instance is connected between U and DC-, while the top switch T1 is turned on and turned off. The waveform of channel 2 (…V CE RB-IGBT T3“) illustrates the alternating voltage between N-U during the turn-on and turn-off phases of IGBT T1.

Fig. 3 Switching waveforms of an NPC2 topology with RB-IGBTs (V DC = 800V, I load = 650A)

2.1 Overvoltage protection

To protect IGBTs in general against transient overvoltages during turn-off events, an active clamping circuit is commonly used. (For low power applications alternatives like “two-level turn-off” or “soft-shutdown” may also be used [1]). Overvoltage is caused by the stray inductance within the commutation loop and the change of commutation current (di/dt). Active clamping limits the overvoltage reliably, as proven in numerous applications by driving the IGBT into the active region and reducing the di/dt.

Fig. 4 Active clamping circuit for a) standard IGBTs and b), c) RB-IGBTs

A standard active clamping setup is shown in Fig. 4a for IGBT T1. The TVS diodes (D2 (x)

are selected according to the actual application conditions (e.g. DC-link voltage, V CES-class of the IGBT) and are connected from the collector to the gate via a low-voltage Schottky diode or PIN diode (D1). This diode is necessary to avoid a current flow from the gate into the IGBT collector, and requires only a blocking capability of, for example, 40V. However, if an NPC2

topology with RB-IGBTs is selected, the typical active clamping circuit with unidirectional TVS diodes and a low-voltage diode cannot be used. This is because the voltage across the RB-IGBTs will change the polarity depending on the switching states (Fig. 4b). As long as the polarity of the collector of the respective IGBT is positive, the TVS diodes of the corresponding gate driver can block this voltage from the driver. However, as soon as the collector voltage reverses its polarity the TVS diodes start to conduct and the full collector potential will be applied to the anode of low-voltage diode D1. This voltage is approximately equal to half of the DC-link voltage, and would lead to the destruction of the IGBT driver and the associated IGBT.

As a counter measure, there are two possible options. For the first solution one must use bidirectional instead of unidirectional TVS diodes as shown in Fig. 4c. The drawback, however, as visible in Fig. 3, is that the negative voltage “Max(C2)” may reach levels which are equal to the break-down voltage of the bidirectional TVS diodes. This will still result in a too high reverse voltage of the diode D1. Therefore, this approach is not recommended.

The second and preferred solution is easily realized by replacing the low-voltage diode D1 with a high voltage diode. This high voltage diode must have a blocking capability of at least half the DC-link voltage. Note, that besides the blocking voltage, the creepage and clearance distances of the diode must also be considered. In some cases it may be necessary to use more than one diode.

2.1.1 Advanced Active Clamping

To increase the efficiency of the active clamping circuit, CONCEPT implemented in several of its gate drivers the so-called Advanced Active Clamping (AAC) function. AAC uses an additional feedback path at the internal gate driver output stage. Depending on the actual clamping current/overvoltage condition, the internal output stage MOSFET will be switched off progressively [4].

Fig. 5 Advanced Active clamping circuit for a) standard IGBTs and b) RB-IGBTs

Using the NPC2 topology with RB-IGBTs requires a modification of the usual AAC design. Fig. 5a shows the widely-used AAC circuit for standard IGBTs with D1 and D3 (low voltage diodes). As only one bi-directional TVS diode is used (Dx), a dangerously high voltage will establish itself at junction A when –DC/2 is applied at terminal U. This will lead to an overload of diodes D1 and D3 and the 20R resistor, and eventually of the entire gate driver stage. To prevent this high voltage occurring, it is recommended that all uni-directional TVS diodes are substituted with bi-directional devices. In addition, a further uni-directional TVS diode D4 needs to be placed in series with those diodes (Fig. 5b). The now asymmetrical break-down voltage of the TVS diode network ensures that the established voltage at junction A is within safe range when the negative voltage (-DC/2) is present at the phase output, while the operation in forward direction with positive voltage (DC/2) is working as usual (assuming that

the TVS diodes are selected in accordance to the actual application conditions).

2.2 Short-circuit protection

To protect IGBTs of any topology during a short-circuit event, a reliable desaturation monitoring function is required. A widely-used implementation of desaturation monitoring with high-voltage diodes is shown in Fig. 6. This setup is typically used to detect a short-circuit. A more advanced solution is to replace the high voltage diodes with a resistor network (R vce in Fig. 7a), which allows the V CE voltage to be measured during the IGBT turn-on state. This avoids inadvertent tripping of the monitoring function [1]. Both implementations can be used for 2-level and 3-level NPC1/NPC2 topologies.

However, if NPC2 topology with RB-IGBTs is preferred, the desaturation monitoring with high-voltage diodes method will not work anymore. For the same reasons that were explained for the overvoltage protection, this approach will work for as long as the corresponding collector voltage has positive potential (referenced to the emitter) and the high voltage diodes of the corresponding gate driver can block this voltage from the driver’s low voltage sense input. But once the polarity turns negative, the diodes start to conduct and an excessive current will flow through the diodes, which will damage the driver and/or associated IGBT.

By implementing short-circuit protection using a resistor network, the resistors R vce scale down the collector voltage as well as limiting the current flowing from the collector to the gate driver sense input. The next section of this paper briefly describes the principle of this circuitry. [5].

Fig. 6 Desaturation monitoring with high-voltage diodes

2.2.1 Short-circuit protection with resistor network

The following explanation references Fig. 7. During an IGBT off-state, the driver’s internal MOSFET connects the sense pin to COM (negative potential of the gate driver). The capacitor C ax is then pre-charged/discharged to the negative supply voltage. Without diode D1, a voltage V K will establish itself at junction K, which can be calculated according to Eq. 1. Eq. 1 V K=V CC,mmm?R mm R mm+R VCC

The function of D1 is to clamp the voltage V K to the positive supply voltage V CC to protect the sense input of the gate driver against high voltages. The maximum current flowing into junction K can be calculated according to the following formula:

Eq. 2 I vvv=V CC?V CC R VCC

To limit the losses in the resistor network and diode D1 it is recommended to adjust the current to 0.6…1mA at maximum DC-link voltage.

The current flowing into junction F can be calculated according to Eq. 3. This current will flow during the on-state and charges C ax. The time required to charge C ax determines the response time of the short-circuit protection.

Eq. 3 I mm=V CC R mm

At IGBT turn-on and in the on-state the above mentioned MOSFET turns-off. While V CE decreases, C ax is charged from the COM potential to the IGBT saturation voltage. The voltage of C ax is constantly compared with a reference voltage determined by R ref. In the event of a short-circuit, the voltage of capacitor C ax increases as the IGBT is driven out of the saturation. Once the voltage of C ax is higher than the reference voltage, the gate driver will interpret this as a fault condition. Fig. 7b illustrates this scenario.

Fig. 7 Schematic of desaturation monitoring using resistor network

If a negative voltage is present during the off-state, the voltage a junction K will also be negative. To prevent a current flow out of the sense pin of the gate driver it is necessary to add a further diode D2 to the circuitry (Fig. 8). Otherwise, substrate currents and unintended latch-up effects will occur within the gate drive circuitry note: it is also possible to implement active rectification inside the ASIC to address this point). Diode D2 clamps the junction K to the emitter potential, preventing/limiting any current flow out of the sense pin of the gate driver.

Fig. 8 Modified desaturation monitoring using a resistor network

Fig. 9 illustrates the successful short-circuit handling capability of Fuji Electric’s RB-IGBT NPC2 4MBI300VG-120R-50 power module used together with an off-the-shelf 2SC0106T core gate driver from CONCEPT (other core gate driver like 2SC0108T and 2SC0435T are also suitable) and the proposed short-circuit and active clamping modifications. The applied DC-link voltage is 800V using a standard setup without snubber capacitors.

Fig. 9 Short-circuit test with the proposed gate driver modifications

3 Conclusion

As demonstrated, for NPC2 topologies using RB-IGBTs it is necessary to make modifications to classical protection functions like desaturation monitoring and collector-emitter clamping of a gate driver. These modifications can be easily implemented using standard gate driver cores from CONCEPT. Without these modifications the gate driver and eventually the entire power stage will be damaged as the negative voltage at the phase output will overload the gate driver unit. The proposed solutions open the way for the new technology of RB-IGBTs in applications like solar power and UPS.

4 Reference

[1] Andreas Volke, Michael Hornkamp, “IGBT Modules – Technologies, Driver and

Application”, Infineon Technologies AG, 2nd Edition 2012

[2] Manabu Takei et al., “Application Technologies of Reverse-Blocking IGBT”, Fuji Electric

Journal Vol. 75 No. 8 2002

[3] Olivier Garcia et al., “Safe Driving of Multi-Level Converters Using Sophisticated Gate

Driver Technology”, PCIM Shanghai 2013

[4] Heinz Rüedi et al., “Advantages of Advanced Active Clamping”, Power Electronics

Europe 2009

[5] Application Note AN-1101, “Application with SCALE?-2 Gate Driver Cores”, CONCEPT

2013

[6] Datasheet, “4MBI650VB-120R1-50”, Fuji Electric

[7] Datasheet, “4MBI300VG-120R-50”, Fuji Electric

[8] Datasheet, “2SC0106T2x0-12”, CONCEPT

电气设备安装调试过程中的安全注意事项

编号：SM-ZD-20011 电气设备安装调试过程中的安全注意事项 Through the process agreement to achieve a unified action policy for different people, so as to coordinate action, reduce blindness, and make the work orderly. 编制：____________________ 审核：____________________ 批准：____________________ 本文档下载后可任意修改

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应用文写作要求上课讲义

应用文写作要求 工作总结 一、工作总结格式要求（word形式） （一）工作总结的打印要求 1、工作总结要用A4纸打印，正文中的任何部分不得超出A4纸边框以外，A4纸不得随意接长 或截短。（页边距上下左右均为2cm） 2、每页应有页码（在页面的底端，居中），工作计划如果多于1页应当装订起来。 （二）工作总结的格式细则 1、大标题：黑体，小二号，加粗，居中，设置段前、段后距为1行，行距为固定值36磅。 2、第一级标题：黑体，小三号，居中，段前、段后距为1行，行距为固定值36磅。 3、所有标题均单独占行书写。 4、正文：均为宋体，小四号，首行缩进2个字符，段前、段后距为0行；行距为固定值20磅。 5、汉字、标点符号必须符合国家公布的规范标准。 如：标点符号应按照新闻出版署公布的“标点符号法”使用。 、，；。！ ? ：“”（）……—— , ; . ! ? : “” () 6、工作总结中如有图表，应按照以下格式要求 （1）图 A、图序（如图1、图1-1等）及图名置于图的下方，居中排写，字体为宋体五号。 B、有需要的话，可在图名的之下加附图说明，字体为宋体小五号。 （2）表格 A、表格应随文给出，先见文后见表，字体为宋体五号。 B、表序（如表1、表1-1等）及图名置于表的上方，居中排写，字体为宋体五号； C、表格若分页，表头应重复写，并在右上方写“续表**”。 7、落款：宋体，小四号，段前、段后距为0行，行距为固定值20磅，右对齐，如：“二○○ 九年X月X日”，数字采用“○、一、二、三、四、五、六、七、八、九、十”。 二、工作总结内容要求 用词要简明扼要、具体明确，造句必须准确，不能含糊。一般包括以下几方面内容：（一）标题 1、文件式标题一般由单位名称、时限、内容、文种名称构成。例：《 XX部门2009

中药应用注意事项特色技术注意事项样本

附录1: 中药应用注意事项 一、内服汤剂 1.服药时间 一般情况下每剂药分2～3次服用, 具体服药时间可根据药物的性能、功效、病情遵医嘱选择适宜的服药时间, 例如: 解表药、清热药宜饭前一小时服用, 服用解表剂应避风寒或增衣被或辅之以粥以助汗出; 消食化积药, 一般饭后服; 泻下药宜饭前服; 驱虫药应在早晨空腹服; 安神药宜睡前服; 补益药宜空腹服; 驱虫剂宜空腹服, 尤以睡前服用为妥, 忌油腻、香甜食物; 急诊用药遵医嘱。 2.服药温度 一般情况宜采用温服法, 对有特殊治疗需要的情况应遵医嘱服用。 3.服药剂量 成人一般每次服用200ml, 心衰及限制入量的患者每次宜服100ml, 老年人、儿童应遵医嘱服用。 二、内服中成药 1.内服中成药一般用温开水( 或药引) 送服, 散剂用水或汤药冲服。 2.用药前仔细询问过敏史, 对过敏体质者, 提醒医生关注。 3.密切观察用药反应, 对婴幼儿、老年人、孕妇等特殊人群尤应注意, 发现异常, 及时报告医生并协助处理。

4.服用胶囊不能锉碎或咬破; 合剂、混悬剂、糖浆剂、口服液等不能稀释, 应摇匀后直接服用; 如番泻叶、胖大海等应用沸水浸泡后代茶饮。 三、中药注射剂 1.用药前认真询问患者药物过敏史。 2.按照药品说明书推荐的调配要求、给药速度予以配置及给药。 3.中药注射剂应单独使用, 现配现用, 严禁混合配伍。 4.中西注射剂联用时, 应将中西药分开使用, 前后使用间隔液。 5.除有特殊说明, 不宜两个或两个以上品种同时共用一条静脉通路。 6.密切观察用药反应, 特别对老人、儿童、肝肾功能异常等特殊人群和初次使用中药注射剂的患者尤应加强巡视和监测, 出现异常, 立即停药, 报告医生并协助处理。 7.发生过敏反应的护理 ( 1) 立即停药, 更换输液管路, 通知医生。 ( 2) 封存发生不良反应的药液及管路, 按要求送检。 ( 3) 做好过敏标识, 明确告知患者及家属, 避免再次用药。 ( 4) 过敏反应治疗期间, 指导患者清淡饮食, 禁食鱼腥发物。 四、外用中药的使用 使用前注意皮肤干燥、清洁, 必要时局部清创。应注意观察用药后的反应, 如出现灼热、发红、瘙痒、刺痛等局部症状时, 应及时报告医师, 协助处理; 如出现头晕、恶心、心慌、气促等症状, 应

中医特色技术应用注意事项

中医特色技术应用注意事 项 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020

中医特色技术应用注意事项 一、耳穴贴压（耳穴埋豆）注意事项 1.遵医嘱实施耳穴埋豆，准确选择穴位。 2.护理评估 （1）耳部皮肤情况，有炎症、破溃、冻伤的部位禁用。 （2）对疼痛的耐受程度。 （3）女性患者妊娠期禁用。 3.用探针时力度应适度、均匀。准确探寻穴区内敏感点。 4.耳部75%酒精擦拭待干。 5.观察患者情况，若有不适应应立即停止，并通知医师配合处理。 6.常规操作以单耳为宜，一般可留置3~7天，两耳交替使用。指导患者正确按压。 7.观察 （1）耳穴贴是否固定良好。 （2）症状是否缓解或减轻。 （3）耳部皮肤有无红、肿、破溃等情况。 8.操作完毕后，记录耳穴埋豆的部位、时间及患者感受等情况。 二、艾灸注意事项

1.遵医嘱实施艾灸，选用适当的艾灸方式，如艾柱灸、艾条灸、艾盒灸等。 2.护理评估 (1)施灸的皮肤情况。 （2）患者对艾灸气味的接受程度。 （3）颜面部、大血管部位、孕妇腹部及腰骶部不宜施灸。 3.注意室内温度的调节，保持室内空气流通。 4.取合理体位，充分暴露施灸部位，注意保暖及保护隐私。 5.施灸部位宜先上后下，先灸头顶、胸背，后灸腹部、四肢。 6.施灸过程中询问患者有无灼痛感，调整距离，及时将艾灰弹入碗盘，防止灼伤皮肤。 7.注意施灸的时间，如失眠症要在临睡前施灸，不要在饭前空腹或饭后立即施灸。 8.施灸后局部皮肤出现微红灼热，属于正常现象。如灸后出现小水泡时，无需处理，可自行吸收。如水疱较大时，需立即报告医师，遵医嘱配合处理。 9.施灸完毕，立即将艾柱或艾条放置熄火瓶内，熄灭艾火。 10.初次使用灸法时，以小剂量、短时间为宜，待患者耐受后，逐渐加剂量。 11.操作完毕后，记录患者施灸额方式、部位、施灸处皮肤及患者感受等情况。 三、拔火罐注意事项 1.遵医嘱实施拔罐，正确选择拔罐部位及拔罐方法。

12最新设备安装调试方案

目录 单项设备调试方案 (2) 概述 (2) 一、格栅安装调试技术说明 (3) (一)格栅的技术条件 (3) (二) 格栅的安装 (7) （三）格栅的单项调试 (8) 二、不锈钢插板闸门（渠道闸门）安装调试技术说明 (8) （一）闸门主要技术参数 (8) (二) 闸门的安装 (11) （三）闸门的单项调试 (12) 三、泵类安装调试技术说明 (12) （一）安装的技术要求 (12) （二）水泵的单项调试 (13) 四、罗茨风机安装调试技术说明和操作注意事项 (14) （一）安装调试技术说明 (14) （二）风机的单项调试 (14) 五、加药系统的安装调试 (15) （一）安装 (15) （二）调试 (15) 六、电加热器安装调试及相关技术资料 (15) （一）WH－T系列水加热器的技术条件 (15) （二）安装 (18) （三）调试 (19) 七、UASB安装、调试技术说明 (20) （一）UASB 的安装 (20) （二）单体调试 (21)

清水联动调试方案 (22) 概述 (22) 一、格栅及泵站的清水联动调试： (23) 二、UASB的清水联动调试 (23) 三、A/O池的清水联动调试 (23) 四、沉淀池的清水联动调试 (24) 五、其它设备的清水联动调试 (24) 负荷联动安装调试方案 (28) 概述 (28) 一、厌氧生物反应负荷联动调试、运行 (28) （一）、厌氧反应概述： (28) (二)厌氧反应器启动 (32) （三）启动的要点 (33) 二、缺氧好氧生物处理（A/O）负荷联动调试、运行 (34) （一）、缺氧反应概述： (34) （二）好氧生物反应概述： (35) （二）缺氧好氧生物处理（A/O）调试 (36) 出水达标方案 (42) 概述 (42) 一、运动设备的达标调试、运行 (42) 二、池体设备的达标调试、运行 (42) 三、管路的达标调试、运行 (42) 四、水质的稳定达标调试、运行 (43) 五、操作的达标调试、运行 (43) 六、记录、检测的达标调试、运行 (43) 七、竣工验收 (43)

应用文写作的重要性知识讲解

应用文写作的重要性 1 学习目标： 1、理解应用写作的性质，理解学习本门课程的作用。 2、掌握应用文的概念，理解其种类和特点。 3、提出本门课学习要求。 教学重点难点： 知道应用文写作的重要性。 教学过程： 一导入： 1、故事导入：博士”寻驴 2、小结：当我们在初中高中时代，很少接触应用文这种题材，于是应用文就这样被我们忽略了。随着年龄的增长,越来越发现应用文在我们生活中的重要性。如果想要正常的工作生活，绝对不能缺少了应用文。 二新授： 1、应用文的概念 《辞海》的解释是：应用文是人们在日常生活、工作和学习中所应用的简易通俗文字，包括书信、公文、契约、启事、条据等。 《国家行政机关公文处理办法》中对公文的定义：应用文是机关团体、企事业单位以及人民群众在日常工作、生产和生活中办理公务以及个人事务时，交流情况、沟通信息，具

有直接实用价值和惯用格式的一种书面交际工具。 应用文的广义概念：国家机关、企事业单位、社会团体以及人民群众办理公私事务、传播信息、表达意愿所使用的实用性文章。 2、为什么大学生需要学习应用写作？ 应用文的使用非常广泛，几乎涉及各个领域、各个部门、各个阶层、每个个人。比如，科研单位的人员，需要用学术论文；政府机关指导工作，需要用公文；工商企业经营，需要用合同；打官司，需要用诉状；即使个人今天生病了、不能上课，也需要用到请假条；……。相对于其它文体来说，应用文的使用频率要高得多：许多人可以一辈子不写小说、剧本、诗歌、散文，但他在工作、生活、学习中却免不了要写应用文，小到写张请假条，大到计划、总结、论文等。正如叶圣陶先生所说的那样：“大学毕业生不一定能写小说诗歌，但是一定要能写工作和学习中实用的文章，而且非写得既通顺又扎实不可。” 可以这么说，应用文使用的广泛，已经到了无所不在的程度。今天在中国特色的社会主义市场经济条件下，应用文是任何企事业单位和个人日常工作、生活中不可缺少的一个重要工具。 应用文到处可见，机关的文件、报纸的新闻、财务报表…..人们习以为常，也许会认为撰写应用文很简单。其实

设备安装注意事项

机械设备的安装程序一般可分为施工准备、安装、试运转及竣工验收等几个阶段。 1、施工准备阶段 施工准备工作主要包括：了解设备基础的交付时间；熟悉安装的机械设备图纸、安装专业施工图、安装技术文件、设备说明书、零/部件装配公差配合技术要求和有关的国家标准、施工及验收规范等；调查设备及材料的供应情况；了解施工现场的条件及施工技术的复杂程度；了解人力、机具的部署情况等，根据所掌握的确切资料，编制施工组织设计和施工方案。此阶段应注意以下几个环节： 1．1 图纸会审 由建设单位负责组织并与设计单位、施工单位共同进行图纸会审工作。其主要内容有： (1)图纸、说明书等有关的技术文件是否齐全，其内容是否准确； (2)图纸的设计是否符合国家有关的设计规范要求，是否符合经济合理、施工方便的原则； (3)建筑结构与机械设备的安装之间有无冲突； (4)工艺流程是否符合规范要求，与安装工序之间是否协调，施工程序是否颠倒。 1．2 施工组织设计的编制 1．2．1 编制的依据 (1)建设工程全面的施工技术资料及通用标准图纸； (2)土建工程的总进度及阶段性进度的要求； (3)设备及材料的订货情况，货到施工现场的时间安排； (4)施工机械、精密量具、材料等相关的技术手册。 1．2．2 编制的内容 (1)工程概况：工程特点、技术经济指标的简要说明、安装的技术要点等； (2)安装施工程序的编排：安装周期、交叉施工的时间等； (3)绘制施工总平面图：包括运输路线、设备及材料仓库、加工件基地、施工进度编排等； (4)主要施工工艺及技术措施、质量检验标准等，包括大型起吊、运输、机具的计算和劳动力部署；

(5)实物工程量：主要设备的数量、型号、规格尺寸、单件及组合件的重量等。 1．3 设备基础及预埋地脚螺栓的检查验收 （1）设备基础的位置、几何尺寸和质量要求应符合设计图纸要求和国家标准、混凝土工程施工及验收规范的规定，并应有验收资料和记录； （2）设备安装前应对基础位置和几何尺寸进行复检，其允许偏差应符合下表的规定； 项目 允许偏差（mm） 坐标位置（纵、横轴线） ±20 不同平面的标高 －20 平面外形尺寸 凸台平面外形尺寸 凹穴尺寸 ±20 －20 ＋20 平面的水平度（包括地坪上需安装设备的部分） 每米 5 全长 10 垂直度 每米 5 全长 10

新技术应用保证措施

方案/措施报审表 原文编号：HDXMB-JZGS-CS-003/2007 NO:

编号：HDXMB-JZGS-CS-003/2007 霍林河电厂2×300MW机组工程 新技术应用保证措施 批准：年月日 审核：年月日 编制：年月日 东北电业管理局第四工程公司 年月日

新技术应用保证措施 （一）钢筋机械连接技术 我公司将在＃5、＃6空冷岛平台支柱钢筋施工中采用等强度直螺纹机械连接施工工艺。钢筋等强度直螺纹机械连接技术是新一代钢筋连接技术,它具有接头强度高、质量稳定、施工方便、连接速度快、应用范围广、综合经济效益好等优点。为使本期工程钢筋等强度直螺纹机械连接技术顺利应用，保证施工质量，我们制定以下方案，并对施工人员进行交底。 1 适用范围： 本技术适用于HRB335（II级）、HRB400及HRB400（III级）混凝土用热扎带肋钢筋直螺纹连接接头的制作。 2 施工准备： 2.1 钢筋的级别、直径（l8～40mm）必须符合设计要求及国家标准，并有出厂质量证明及复试报告。2.2 参加直螺纹接头施工人员必须进行技术培训，经考核合格后持证上岗操作。 2.3 钢筋应调直后再加工，切口端面宜与钢筋轴线垂直，端头弯曲、马蹄严重的应切去。 3 钢筋丝头加工： 3.1 按钢筋规格所对应的对刀棒调整好剥肋刀具的位置以及调整剥肋挡块及滚扎行程开关位置，保证剥肋段的直径和滚扎螺纹的长度符合表1的规定。 表1 单位：mm 为切削液加工丝头。 3.3 对全部钢筋丝头逐个进行检验，并切去不合格的丝头，查明原因并解决后重新加工螺纹。 3.4 检查合格的丝头应加以保护，在其端头加带保护帽，按规格分类堆放整齐。 4 现场连接施工： 4.1 连接钢筋时，钢筋规格和套筒的规格必须一致，套筒的丝扣应干净，完好无损。 4.1 剥肋滚扎直螺纹钢筋连接接头的连接，宜用检测合格的力矩扳手拧紧。 5 保证项目： 5.1 钢筋的品种和质量必须符合设计要求和有关标准的规定。 检查方法：检查出厂证明书和试验报告单。 5.2 钢筋螺纹接头套筒的材质、机械性能必须符合钢套筒标准的规定，表面不得有裂缝、折叠等缺陷。检查方法：检查出厂合格证及产品质量证明书。 5.3 机械接头的强度检验必须合格。符合《钢筋机械连接通用技术规程》JGJ107-2004的规定。 检查方法：检查试验报告单。

中药应用注意事项、特色技术注意事项

附录1： 中药应用注意事项 一、内服汤剂 1.服药时间 一般情况下每剂药分2～3次服用，具体服药时间可根据药物的性能、功效、病情遵医嘱选择适宜的服药时间，例如：解表药、清热药宜饭前一小时服用，服用解表剂应避风寒或增衣被或辅之以粥以助汗出；消食化积药，通常饭后服；泻下药宜饭前服；驱虫药应在早晨空腹服；安神药宜睡前服；补益药宜空腹服；驱虫剂宜空腹服，尤以睡前服用为妥，忌油腻、香甜食物；急诊用药遵医嘱。 2.服药温度 一般情况宜采用温服法，对有特殊治疗需要的情况应遵医嘱服用。 3.服药剂量 成人一般每次服用200ml，心衰及限制入量的患者每次宜服100ml，老年人、儿童应遵医嘱服用。 二、内服中成药 1.内服中成药一般用温开水（或药引）送服，散剂用水或汤药冲服。 2.用药前仔细询问过敏史，对过敏体质者，提醒医生关注。 3.密切观察用药反应，对婴幼儿、老年人、孕妇等特殊人群

尤应注意，发现异常，及时报告医生并协助处理。 4.服用胶囊不能锉碎或咬破；合剂、混悬剂、糖浆剂、口服液等不能稀释，应摇匀后直接服用；如番泻叶、胖大海等应用沸水浸泡后代茶饮。 三、中药注射剂 1.用药前认真询问患者药物过敏史。 2.按照药品说明书推荐的调配要求、给药速度予以配置及给药。 3.中药注射剂应单独使用，现配现用，严禁混合配伍。 4.中西注射剂联用时，应将中西药分开使用，前后使用间隔液。 5.除有特殊说明，不宜两个或两个以上品种同时共用一条静脉通路。 6.密切观察用药反应，尤其对老人、儿童、肝肾功能异常等特殊人群和初次使用中药注射剂的患者尤应加强巡视和监测，出现异常，立即停药，报告医生并协助处理。 7.发生过敏反应的护理 （1）立即停药，更换输液管路，通知医生。 （2）封存发生不良反应的药液及管路，按要求送检。 （3）做好过敏标识，明确告知患者及家属，避免再次用药。 （4）过敏反应治疗期间，指导患者清淡饮食，禁食鱼腥发物。 四、外用中药的使用 使用前注意皮肤干燥、清洁，必要时局部清创。应注意观察

编程注意事项应用技巧

编程注意事项 1.转换图档到加工软件中,并确定其中X、Y、Z值.根据机床、材料特性选刀确定 转速、进给、下刀量 2.工件加工摆放方向，原则上X方向为长尺寸，Y方向为短尺寸。. 3.工件最高点移到Z零点有两个目的：防止程式里忘记设安全高度造成撞机及加 工深度反应刀具保守的加工深度。 4.根据实际情况,相应补面或删除面,如骨位铜公做加强面.镶件线割位OFFSET曲 面0.5mm(至少).以免刀具加工到线割面.尖角位置做R面,以免刀具在尖角损坏. 5.擦穿面留0.05mm余量FIT模用,有些重要面积小的擦穿面,留0.1mm余量.周边 的PL面加工到位,小模的后模PL面胶位出15mm避空0.08mm.大模避空 0.13mm. 6.钢料飞刀开粗时,Z下刀量0.5~0.7mm.铜料开粗时Z下刀量1mm~1.5mm(内部开 粗1.0mm,基准边开粗1.5mm),另如分中位异形的铜公,开粗时范围选非异形范围,分中位光刀时底部留1mm余量,以防开粗时铜公底余量卷碰到铜公. 7.精铣前必须用较小的直径的刀将角位的余量粗清角,无法清角的地方,必须做曲 面挡住,避免精铣时角位余量过多导致刀具损坏,要保证精铣时余量是均匀的. 8.UG软件用2D面铣时，容易过切侧面需在侧壁余留0.4mm防过切。 9.UG软件修剪过的刀路，退刀容易撞刀，建议不采用或者单独后处理。 10.U G软件的切削方式的跟随周边加工容易很多岛屿或角落没加工，建议用跟随 工件方式加工。 11.铜公粗\幼公的施工图分别用2张程式清单填写. 12.使用直径63R6、40R6、30R5飞刀开粗时，余量留侧壁单边0。6~0。8MM底 留0。3mm。不能出现踩刀现象，不能使用63R6加工范围较小的内型框。使用

应用文写作技巧

应用文写作技巧 知识要点：1、根据生活需要，写日常应用文。2、应用文的写作，要做到格式正确，语言准确。 考试说明：应用文是国家机关、社会团体、人民群众在日常生活、工作、学习中办理公务和个人事物时具有直接使用价值和某种惯用体式的一类文章的总称。它包括带有法定性的公文，还包括一般应用文。 与其它实用文体相比，应用文有以下几个特点： 首先，在形式上，应用文都有固定的惯用体式，格式稳定，排列规范，结构形式完整严谨。如书信，一般由称谓、正文、祝词、署名、日期五部分组成，通常不随意改动。 其次，在内容上，力求准确，有针对性。或提出要解决的问题，或介绍、总结、说明工作中的实际情况。写作时务必将时间、地点、基本情况、事件原委、处理办法或措施等方面的内容交代清楚。另外，时间要求极为严格，要及时，因为应用文都是为解决问题而写的。 第三，在语言上，要求准确平实，通俗易懂，简练明白。叶圣陶先生说："公文不一定要好文章，可是必须写得一清二楚，十分明确，句稳词妥，通体通顺，让人家不折不扣地了解你说的是什么。"多数应用文不宜采用描写、抒情，切忌堆砌形容词;更不允许虚构和夸张，即使有描述，其目的必须是为了说明问题。应用文还经常使用一些专用词汇和术语。此外，应用文在语言方面还有较多地运用并列短语、介宾短语，沿用一些文言句式等语法特点。 应用文可分四类：第一类是公文书类，有通知、决议、指令、请示等，是党政机关、群众团体、企事业单位在公务活动中使用的文书。第二类是事务文书类，有计划、总结、报告、合同等，是交流情况，完成某项工作任务，解决问题的工具。第三类是科研应用文类，有学术论文、毕业论文，科研报告等，是进行科研和描述研究成果的重要文体。第四类日常应用文，有书信、日记、电报等，这一类应用文使用频繁，中学生学习这类应用文非常重要。 初中阶段应掌握的应用文有：通知、启事、电报、汇款、介绍信、证明信、公开信、倡议书、申请书、感谢信、表扬信、慰问信、贺词、贺信、贺电、会议记录、合同、民事诉状、计划、公约、海报、黑板报、科技报告、产品说明书、唁电、唁函等。下面分别从格式、结构、语言三方面谈应用文的写作。 1、应用文的格式 应用文都有约定俗成的惯用格式，有了格式，不仅眉目清楚，而且有了规矩。这为读写应用文、处理问题提供了很多方便。且部分应用文的格式有直接生效的指导作用或法律约束。

附录2特色技术应用注意事项 国家中医药管理局中医护理方案

附录2： 特色技术应用注意事项 一、耳穴贴压（耳穴埋豆）注意事项 1.遵医嘱实施耳穴埋豆，准确选择穴位。 2.护理评估 （1）耳部皮肤情况，有炎症、破溃、冻伤的部位禁用。 （2）对疼痛的耐受程度。 （3）女性患者妊娠期禁用。 3.用探针时力度应适度、均匀，准确探寻穴区内敏感点。 4.耳部75%酒精擦拭待干。 5.观察患者情况，若有不适应立即停止，并通知医师配合处理。 6.常规操作以单耳为宜，一般可留置3～7天，两耳交替使用。指导患者正确按压。 7.观察 （1）耳穴贴是否固定良好。 （2）症状是否缓解或减轻。 （3）耳部皮肤有无红、肿、破溃等情况。 8.操作完毕后，记录耳穴埋豆的部位、时间及患者感受等情况。 二、艾灸注意事项 1.遵医嘱实施艾灸，选用适当的艾灸方式，如艾柱灸、艾条灸、艾盒灸等。 2.护理评估

（1）施灸的皮肤情况。 （2）患者对艾灸气味的接受程度。 （3）颜面部、大血管部位、孕妇腹部及腰骶部不宜施灸。 3.注意室内温度的调节，保持室内空气流通。 4.取合理体位，充分暴露施灸部位，注意保暖及保护隐私。 5.施灸部位宜先上后下，先灸头顶、胸背，后灸腹部、四肢。 6.施灸过程中询问患者有无灼痛感，调整距离，及时将艾灰弹入弯盘，防止灼伤皮肤。 7.注意施灸的时间，如失眠症要在临睡前施灸，不要在饭前空腹或饭后立即施灸。 8.施灸后局部皮肤出现微红灼热，属于正常现象。如灸后出现小水泡时，无需处理，可自行吸收。如水疱较大时，需立即报告医师，遵医嘱配合处理。 9.施灸完毕，立即将艾柱或艾条放置熄火瓶内，熄灭艾火。 10.初次使用灸法时，以小剂量、短时间为宜，待患者耐受后，逐渐增加剂量。 11.操作完毕后，记录患者施灸的方式、部位、施灸处皮肤及患者感受等情况。 三、拔火罐注意事项 1.遵医嘱实施拔罐，正确选择拔罐部位及拔罐方法。 2.护理评估 （1）拔罐部位的皮肤情况，有皮肤溃疡、水肿、毛发较多处及大血管处不宜拔罐。

问卷调查法应用中的注意事项

问卷调查法应用中的注意事项 【摘要】问卷调查法是实证研究中常用的一种方法。本文分析和总结了前人对问卷调查法应用中的一些注意事项,包括调查问卷设计的一般原则、问卷设计中沿用现有量表及自行设计量表的注意事项、问卷发放和收集过程中的注意事项等。对这些问题加以重视,可以提高问卷调查结果的质量,充分发挥问卷调查法的作用,达到更好的研究效果。 【关键词】问卷调查量表设计注意事项 一、引言 问卷调查法也称“书面调查法”,或称“填表法”,用书面形式间 接搜集研究材料的一种调查手段。它是实证研究中研究者用来收集资料的一种常用方法,以语言为媒介,使用严格设计的问题或表格,收集研究对象的资料。问卷调查法适合那些标准化的问题,适用于描述性调研和解释性研究。 问卷调查法的优点有如下几点:第一,调查结果容易量化;第二,调查结果便于统计处理与分析;第三,如果实施得当,问卷调查法是最快速有效收集数据的方法;第四,如果量表的信度和效度高,样本数量大,研究者可以收集到高质量的研究数据;第五,问卷调查对于被调查者的干扰较小,可行性高。 问卷调查法的这些优点是基于以下条件才能很好实施的,那就是大多数的被调查者能够认真的阅读和理解问卷中的所有问题,并且提

供真实坦诚的回答。问卷本身的质量会直接影响被调查者在填写问卷时的态度和行为,也将进一步影响调查的最终价值,因此需要在问卷设计上下功夫,以保证问卷调查法的实施得到最优的结果。而组织好调查问卷的发放和收集工作, 同样对于保证调查结果有着重要的作用。 二、调查问卷设计的一般原则 一份完整的调查问卷通常包括卷首语、问卷说明、问题和答案、编码和其他资料四部分。由于问卷需要被调查者回答,因此调查者在设计问卷时,既要突出自己研究的主题,又要考虑到被调查者回答问题的方便。为了达到该目的,问卷设计的不宜过长,问题不宜太多,问题不宜太难,更要避免被调查者不愿意回答的敏感问题及个人隐私问题。 卷首语是致被调查者的一封短信,它的作用是向被调查者介绍和 说明调查的目的、调查单位或被调查者的身份、调查的大概内容、调查对象的选取方法和结果的保密措施等。卷首语的语言要简洁中肯,篇幅不宜过长,最好不要超过二三百字。虽然卷首语篇幅短小,却在问卷调查过程中有着特殊的重要作用,研究者能够让被调查者接受调查并认真填写问卷,很大程度上取决于卷首语质量的好坏。问卷中有关调查的一切说明,要靠卷首语来说明和解释。 问卷说明是用来指导被调查者填写问卷的各种解释和说明,其作 用类似于使用说明书。有些问卷的填写方法比较简单,问卷说明很少, 只在卷首语中使用一两句话说明即可;有些比较复杂的问卷的说明则集中在卷首语之后,对填表的方法、要求、注意事项等做一个总的说

设备安装调试流程及规范

设备安装调试程序1.开箱验收 新设备到货后，由设备科，会同厂方进行开箱验收，检查设备在运输过程中有无损坏、丢失，附件、随机备件。专用工具、技术资料等是否与合同装箱单相符，并填写设备开箱验收单，存入设备档案，若有缺损及不合格现象应立即厂方代表交涉处理，索取或索赔。 2.设备安装施工 设备科会同设备使用科室及厂方，对设备的安装进行定位。对设备定位要考虑以下因素。 (1)应适应工艺流程的需要 (2)应便于使用者的医疗操作 (3)设备及其附属装置的外尺寸、运动部件的极限位置及安全距离 (4)应保证设备安装、维修、操作安全的要求 安装前要进行技术交底，组织施工人员认真学习设备的有关技术资料，了解设备性能及施工中应事项。 安装过程中，对基础的制作，装配链接、电气线路等项目的施工，要严格按照施工规范执行。整个安装过程设备科应派技术人员跟进，做好厂方和使用科室的沟通桥梁。

3.设备试运行 安装结束后，设备使用科室应与设备科及厂方一起对设备进行试运行，试运行前应充分检查电源和设备的接地是否良好。试运行时，对设备的各功能进行核准，发现问题及时解决。 4.设备安装工程的验收与移交使用。 (1)设备基础的施工验收由设备科，使用科室，厂方三方共同验收，填写施工验收单。 (2)设备安装工程的最后验收，在设备调试合格后进行。在安装、检查、安全、使用等各方面有关人员共同参加下进行验收，做出鉴定，填写试车运转记录等凭证和验收移交单由参加验收的各方人员签字方可竣工。 (3)设备验收合格后办理移交手续 设备开箱验收（或设备安装移交验收单）、设备运转试验记录单由参加验收的各方人员签字后及随设备带来的技术文件，由设备管理部门纳入设备档案管理；随设备的配件、备品，应填写备件入库单，送交设备仓库入库保管。

现代应用文写作答案

《现代应用文写作》 注意事项： 1、通过在线考试模块完成该课程考核； 2、抄袭、雷同作业一律按零分处理； 1. 邀请函比请柬庄重、典雅，比请柬的使用范围更广泛。 答：错误。请柬比邀请函庄重、典雅，但邀请函比请柬的使用范围更广泛。 2. 某工商局向上级工商局就财务装备和企业登记两项工作中的两个问题形成一份请示，局领导签发后报送上级。 答：错误。请示要坚持一事一文的原则。 3. 某工商局在查办一起商业贿赂案件时，由于对有关问题把握不准，即以函的形式向上级局请示，请求上级局对有关问题给予明确答复和认定。 答：错误。请示工作应使用请示这一文种，不能用函。 满分：5 分 4. 会议记录只具有向广大的群众传达会议议定事项的作用。 答：错误。有些会议本身具有一定的权威，其会议记录一经下发就起着类似于指示、决定或决议等指挥性公文的作用。 满分：5 分 5. 介绍信的存根和本文的内容要完全一致，可以进行涂改。 答：错误。介绍信不得随意涂改，如有涂改，涂改处必须加盖公章，否则视为无效。6. 综述是对事实做客观的陈述，不能任意添加综述者的观点。 答：正确。综述是概括有关领域的研究成果，所以要有客观求实的科学态度，不能添加综述者的观点 7. 求职信中的称谓可以使用“相关人士”或“有关领导”。 答：错误，称谓是对受信者的称呼，对不同的受信者，可以使用不同的称呼。称呼必须恰当 一、判断说明题（判断对错，并简要说明判断的理由。每小题5分，共40分。） 1. 某工商局向上级工商局就财务装备和企业登记两项工作中的两个问题形成一份请示，局领导签发后报送上级。 答：错误。请示要坚持一事一文的原则。 2．某工商局在查办一起商业贿赂案件时，由于对有关问题把握不准，即以函的形式向上级局请示，请求上级局对有关问题给予明确答复和认定。 答：错误。请示工作应使用请示这一文种，不能用函。 3．综述是对事实做客观的陈述，不能任意添加综述者的观点。 答：正确。综述是概括有关领域的研究成果，所以要有客观求实的科学态度，不能添加

作业中操作技术和安全注意事项示范文本

作业中操作技术和安全注意事项示范文本 In The Actual Work Production Management, In Order To Ensure The Smooth Progress Of The Process, And Consider The Relationship Between Each Link, The Specific Requirements Of Each Link To Achieve Risk Control And Planning 某某管理中心 XX年XX月

作业中操作技术和安全注意事项示范文 本 使用指引：此管理制度资料应用在实际工作生产管理中为了保障过程顺利推进，同时考虑各个环节之间的关系，每个环节实现的具体要求而进行的风险控制与规划，并将危害降低到最小，文档经过下载可进行自定义修改，请根据实际需求进行调整与使用。 a．合上地面电源单独的电源开关，关门，合上吊笼内 的三相开关，然后揿按欲去方向的按钮，电梯起动（操纵 杆式应把操纵杆推向欲去的方向位置并保持在这一位置 上）。按钮式开关按摿銛号位电梯停车（操纵杆式手一松 自动停车），在顶部和底部电梯停靠站时不准有限位撞板 来自动停车。 b．对于变速电梯，电梯停靠前，要把开关转到低速档 后再停车。 c．电梯在每班首次运行时，必须从最低层上开，严禁 自上而下。当吊笼升离地面1～2m时，要停车试验制动器 性能。如发生不正常，及时修复后方准使用。

d．轿厢内乘人、装物时，载荷要均匀分布，防止偏重；严禁超载运行乘人不载物时，额定载重每吨不得超过12人；轿厢顶上不得载人或货物（安装除外）。 e．电梯应装有可靠的通讯装置，与指挥联系密切，根据信号操作。开车前必须响铃鸣声示警，在电梯停在高处或在地面未切断电源开关前，操作人员不得离开操作岗位，严禁无证开机。 f．电梯在运行中如发现机械有异常情况，应立即停机并采取有效措施装梯笼降到底层，排除故障后方可继续运行。在运行中发现电气失控时，应立即按下急停按钮，在未排除故障前，不得打开急停按钮。检修均应由专业人员进行，不准擅自检修。如暂时维修不好，在乘人时应设法将人先送出轿厢（通过轿厢顶部天窗出入口爬到脚手架或楼层内）。 g．电梯运行中不准开启轿厢门，乘人不应倚靠轿厢

应用文写作须知

应用文写作常识 版记 1.抄送机关 抄送机关指除主送机关外需要执行或者知晓公文内容的其他机关，应当使用机关全称、规范化简称或者同类型机关统称。 如有抄送机关，一般用4号仿宋体字，在印发机关和印发日期之上一行、左右各空一字编排。“抄送”二字后加全角冒号和抄送机关名称，回行时与冒号后的首字对齐，最后一个抄送机关名称后标句号。 如需把主送机关移至版记，除将“抄送”二字改为“主送”外，编排方法同抄送机关。既有主送机关又有抄送机关时，应当将主送机关置于抄送机关之上一行，之间不加分隔线。 2.印发机关和印发日期 印发机关和印发日期也即公文的送印机关和送印日期。印发机关是指公文的印制主管部门，一般是各党政机关办公厅(室)或文秘部门。发文机关没有专门的办公厅(室)或文秘部门的，发文机关就是印发机关。公文的印发日期区别于公文的成文日期。 印发机关和印发日期一般用4号仿宋体字，编排在末条分隔线之上，印发机关左空一字，印发日期右空一字，用阿拉伯数字将年、月、日标全，年份应标全称，月、日不编虚位(即1不编为01)，后加“印发”二字。 版记中如有其他要素，应当将其与印发机关和印发日期用一条细分隔线隔开。 3.版记中的分割线 版记中第一个要素之上、各要素之间均加一条分割线，版记中的分隔线与版心等宽，首条分隔线和末条分隔线用粗线(推荐高度为0.35mm)，中间的分隔线用细线(推荐高度为 0.25mm)。首条分隔线位于版记中第一个要素之上，末条分隔线与公文最后一面的版心下边缘重合。 4.版记的位置 版记应置于公文最后一面，版记的最后一个要素置于最后一行。也就是说版记一定要放在公文的最后即公文的最后一面的最下面位置。需要注意的是，如果公文主体之后的空白容不下版记，此时版记要另起一页，即使前一面完全空白，也要将版记置于文末。公文如有附件，而附件最后一面的空白能够容下版记，此时版记应置于该空白处。 中公教育专家提醒考生，公文中一般用4号半角宋体阿拉伯数字，编排在公文版心下边缘之下，数字左右各放一条一字线;一字线上距版心下边缘7 mm。单页码居右空一字，双页码居左空一字。公文的版记页前有空白页的，空白页和版记页均不编排页码。公文的附件与正文一起装订时，页码应当连续编排。

中医特色诊疗技术操作规范

[诊疗技术名称] ******法/*****技术 [简介] 诊疗技术的应用简介 [适应症] 该诊疗技术的适应症 [禁忌症] 该诊疗技术的禁忌症 [操作规范] 该诊疗技术的操作规范 [注意事项] 该诊疗技术的注意事项 请各科室根据科室上报的中医诊疗技术目录制定相应的操作规范。 请勿必于2013年5月10日（星期五）之前上报医务科，逾期未交将根据相应检查奖惩进行处罚。 产科中药湿敷中药灌肠熏洗刮痧穴位贴敷艾灸针灸穴位注射

[诊疗技术名称] 中药湿敷 [简介] 敷药法是将药物敷布于患处或穴位的治疗方法，古时又称贴敷。使用时将所需药物研成粉加适量赋型剂制成糊状敷贴患处。具有通经活络、清热解毒、活血化瘀、消肿止痛等作用。 [适应症] 适用于外科的疖、痈、疽、疔疮、流注、跌打损伤、肠痈等病。内科的哮喘、肺痈、高血压等病也适用此法。 [禁忌症] 1.一般内科疾病不宜使用。 2.大疱性皮肤病及表皮剥脱松解不宜使用。 [操作规范] 1.备齐用物，携至床旁，做好解释，核对医嘱。 2.取合理体位，暴露湿敷部位，注意保暖。 3.遵医嘱配制药液，药液温度适宜并倒入容器内，敷布在药液中浸湿后，敷于患处。 4.定时用无菌镊子夹取纱布浸药后淋药液于敷布上，保持湿润及温度。 5.操作完毕，擦干局部药液，取下弯盘、中单、橡胶单，协助患者衣着，整理床单位。 6.整理用物，做好记录。 [注意事项] l. 纱布从药液中捞出时，要拧挤得不干不湿，恰到好处。过 干了效果不好，过湿了药液漫流。 2．药液不要太烫，防止烫伤。 3．药物组成可根据不同的疾病，作适当的调整和化裁。 4．在应用湿敷疗法的同时，还可根据病情适当配合熏洗、药 物内服和针灸等疗法，以增强疗效。 5．注意保持敷料湿润与创面清洁。

中药应用注意事项

中药应用注意事项 一内服汤剂 1服药时间 一般情况下每剂药分2～3次服用，具体服药时间可根据药物的性能，功效，病情遵医嘱选择合适的服药时间，例如：解表药，清热药宜饭前一小时服用，服用解表剂应避风寒或增衣被或辅之以粥以助汗出；消食化积药，通常饭后服；泻下药宜饭前服；驱虫药应在早晨空腹服；安神药宜睡前服；补益药宜空腹服；驱虫剂宜空腹服；尤以睡前服用为妥，忌油腻香甜食物；急诊用药遵医嘱。 2服药温度 一般情况宜采用温服法，对有特殊治疗需要的情况遵医嘱服用。3服药剂量 成人一般每次服用200ml,心衰及限制入量的患者每次宜服100ml，老年人，儿童应遵医嘱服用。 二内服中成药 1内服中成药一般用温开水（或药引）送服，散剂用水或汤药冲服。 2 用药前仔细询问过敏史，对过敏体质者，提醒医生关注。 3密切观察用药反应，对婴幼儿，老年人，孕妇等特殊人群尤应注意，发现异常，及时报告医生并协助处理。 4 服用胶囊不能锉碎或咬破，合剂、混悬剂、糖浆剂、口服液等不能稀释，应摇匀后直接服用；如番泻叶，胖大海等应用沸水浸泡后

代茶饮。 三中药注射剂 1用药前认真询问患者药物过敏史。 2按照药品说明书推荐的调配要求，给药速度予以配置及给药。 3中药注射剂应单独使用，现配现用，严禁混合配伍。 4中西注射剂联用时，应将中西药分开使用，前后使用间隔液。 5除有特殊说明，不宜两个或两个以上品种同时共用一条静脉通路。6密切观察用药反应，尤其对老人，儿童，肝肾功能异常等特殊人群和初次使用中药注射剂的患者尤应加强巡视和监测，出现异常，立即停药，报告医生并协助处理。 7发生过敏反应的护理 （1）立即停药，更换输液管路，通知医生。 （2）封存发生不良反应的药液和管路，按要求送检。 （3）做好过敏标识，明确告知患者及家属，避免再次用药。 （4）过敏反应治疗期间，指导患者清淡饮食，禁食鱼腥发物。 四外用中药的使用 1 使用前注意皮肤干燥，清洁，必要时局部清创。 2 注意观察用药后的反应，如出现灼热，发红，瘙痒，刺痛等局部症状时，及时报告医师，协助处理；如出现头晕，恶心，心慌，气促等症状，应立即停止用药，同时采取必要的处理措施，并报告医师。3过敏体质者慎用。

在线设备安装注意事项

江苏德林环保技术有限公司在线设备安装注意事项 1、安装时使用功率370w以下的潜水泵，水泵外必须加尼龙滤网过滤杂质。水 泵上方PVC管路增加活接，活接位置要便于维修人员打开活接和提升水泵清洁滤网。 2、分析仪器左右的PVC管路上要增加活接，多台仪器之间也要有活接，便于单 个仪器的移动。 3、分析仪器的四氟取水管连接在下机箱内的采样器上，四氟管插入深度只能在 存水部分垂直高度的一半，不能插到底吸入沉淀泥沙，导致八通阀磨损。同时，螺丝上端10厘米处切断取水四氟管，用软管连接，方便取质控样 4、采样器右边的螺丝空内需要塞入生料带，防止漏水。 5、所有标样瓶（氨氮标一、标二、标三、COD标一、COD标二）需要使用透 明的500ml娃哈哈瓶，去除原标签，贴上新标签。 6、所有试剂瓶包括废液瓶都需要有盖，盖上打孔，最好再在盖上用针扎个小孔， 防止瓶内形成负压。 7、COD标一瓶插入“标一”和“稀释液”两个管子，标签为“蒸馏水”的四氟 管插入随机附带的大桶做清洗液，清洗液使用蒸馏水或娃哈哈纯净水，每次要装满，减少更换频率，因为每更换会导致基线偏差。 8、蠕动泵管上滴一滴硅油，多了会使蠕动泵卡子卡不住，蠕动泵管每三个月更 换一次。 9、COD设备连续做样需间隔15分钟以上。 10、氨氮设备装稀释液和接受液的瓶子需换成1.5L以上的透明饮料瓶，便于观察接受液颜色，观察释放液内是否有沉淀。 11、COD标定频率为每月1日和15日，时间11:00 12、氨氮标定频率为每隔1天标一次，单数日子，时间11:00 13、COD安装完后检查集液槽内三个管子是否插好 14、COD、氨氮分析仪使用的试剂瓶中不透明的需要在插入的四氟管在瓶盖处 用黑色胶布在管子上缠一圈做记号，插入废液瓶、清洗液瓶、氧化剂瓶、催化剂瓶、掩蔽剂瓶的管子上都要做记号，保证管子刚好能插入瓶底。

中医特色技术应用注意事项

中医特色技术应用注意事项 一、耳穴贴压（耳穴埋豆）注意事项 １.遵医嘱实施耳穴埋豆,准确选择穴位。 2。护理评估 (１）耳部皮肤情况,有炎症、破溃、冻伤的部位禁用. (2)对疼痛的耐受程度. (３）女性患者妊娠期禁用. 3．用探针时力度应适度、均匀。准确探寻穴区内敏感点。 4。耳部75%酒精擦拭待干。 5。观察患者情况，若有不适应应立即停止,并通知医师配合处理。 6。常规操作以单耳为宜，一般可留置３~7天，两耳交替使用.指导患者正确按压。 ７．观察 (１）耳穴贴是否固定良好。 (２)症状是否缓解或减轻。 （3)耳部皮肤有无红、肿、破溃等情况。 8。操作完毕后，记录耳穴埋豆的部位、时间及患者感受等情况。 二、艾灸注意事项 1。遵医嘱实施艾灸,选用适当的艾灸方式，如艾柱灸、艾条灸、艾盒灸等. 2。护理评估 （1)施灸的皮肤情况。 (2)患者对艾灸气味的接受程度。 (3）颜面部、大血管部位、孕妇腹部及腰骶部不宜施灸。

３。注意室内温度的调节，保持室内空气流通。 4.取合理体位，充分暴露施灸部位,注意保暖及保护隐私。 5。施灸部位宜先上后下，先灸头顶、胸背,后灸腹部、四肢。 6。施灸过程中询问患者有无灼痛感,调整距离,及时将艾灰弹入碗盘，防止灼伤皮肤. 7．注意施灸的时间，如失眠症要在临睡前施灸,不要在饭前空腹或饭后立即施灸。8。施灸后局部皮肤出现微红灼热,属于正常现象。如灸后出现小水泡时,无需处理,可自行吸收。如水疱较大时,需立即报告医师,遵医嘱配合处理。 9。施灸完毕，立即将艾柱或艾条放置熄火瓶内,熄灭艾火． 10。初次使用灸法时，以小剂量、短时间为宜,待患者耐受后，逐渐加剂量。 １1.操作完毕后,记录患者施灸额方式、部位、施灸处皮肤及患者感受等情况。 三、拔火罐注意事项 1。遵医嘱实施拔罐，正确选择拔罐部位及拔罐方法。 2。护理评估 (1)拔罐部位的皮肤情况，有皮肤溃疡、水肿、毛发较多处及大血管处不宜拔罐。 (2)对疼痛的耐受程度。 (３)高热抽搐及凝血机制障碍者忌拔罐. (４)女性患者妊娠期腰骶部禁用。 3。取合理体位,充分暴露拔罐部位,注意保暖及保护隐私。 4。操作前检查罐口是否光滑、有无裂缝.根据不同部位，选用大小适宜的火罐. ５。拔罐过程中观察火罐吸附情况和皮肤颜色。注意询问患者感觉,如有不适，及时起罐,防止烫伤。 6.拔罐时动作要稳、准、快,起罐时切勿强拉。