镀锡铜线生产工艺流程及质量控制要点

镀锡铜线生产工艺流程及质量控制要点

热镀锡细铜线的生产流程为: 放线→退火机→酸洗→镀锡炉→冷却→牵引→加导轴油（减少锡灰）--收排线等八个流程, 以下按这流程分别陈述工艺要点以及注意事项。

1)放线。放线是生产中的关键。镀制用的铜线表面应尽量光滑圆整, 符合国家标准的要求。刚拉出的细铜线由于表面有润滑液, 铜线表面极易氧化,应尽快镀锡。建议收线的使用φ300线盘(可装铜线50 kg ), 并要求铜线排线均匀, 松紧要适中, 盘沿要光滑。放线宜采用越端式(不加放线器) ,这是因为线径比较细, 放线速度快, 生产过程中极易断线。经过反复试验, 我们采用在盘上加放线毛毡来挡线, 很好地避免了线碰盘沿。同时又增加了放线盘与放线导轮之间的高度, 提高了放线的可靠性, 减少了断线机率。

2) 退火。铜线的退火温度是影响成品线伸长率的关键因素。由于还要进锡炉二次加热, 因而退火温度不要太高(略低于正常退火温度) 。对于直径为0. 2 mm以下的细线来说, 宜控制在400～550 °C,在这里要强调一点现在很多设备公司生产的镀锡退火机退火炉长度不一样，保温控温也不一样，有的是电热管，有的是电炉丝，可根据设备调节温度。使其伸长率达到国家标准。

3 )酸洗。铜线进入锡炉前, 一定要用适当的酸洗液进行清洗, 以保证锡层和铜线有良好的附着性。酸洗液采用镀锡助焊剂,其比例为1∶3。为保证清洗干净, 应采用毛毡压线方式, 毛毡宽度为20 cm, 定期用酸洗液浇注毛毡特强调：请按线径越大浓度越高的原则使用，用工业软水配比效果较好。请将配好的助焊助焊剂倒入助焊槽内放入毛毡让其慢慢稀释，不可将助焊剂直接浇入毛毡上面，在生产过程中，开机速度过快，应该多放一些趟水布，经常更换，防止水槽的水过多带到铜线上，影响助焊剂浓度，造成其它问题出现，水带的越少，锡渣就越少，也不造成炸锡。

4 )锡炉。锡炉设备和锡炉温度对产品的质量起着关键作用。目前锡炉有3种，一是整个锡炉材料由两个铸铁锅形成的且锅底成三角行由电热管控温，生产大规格容易扁线，锡渣多不容易操作，二是整体为不锈钢锅体，控温为电炉丝，锡锅大好操作，控温均匀，锡渣少三是日本不锈钢锡锅由三段控温，使用效果更佳更科学，锡炉温偏低, 镀锡铜线表面毛糙、线表面容易产生锡瘤; 炉温偏高, 则镀锡铜线易发黄。容易断线，经过反复试验, 锡的熔点为231°C，锡炉的温度以250--260 °C为宜(根据生产规格适当调节锡炉温度)生产出的成品线表面镀层光滑、连续, 伸长率也达到国家标准。

锡炉中的锡在加热时, 表面氧化很快, 会造成浪费。为防止这一点, 可在熔化的锡液表面覆盖一层云母、木炭粉等, 但管理不上会造成脏乱，以隔绝空气与锡液表面的接触。最好不要经常刮动锡液表面

锡与铜线结合的好坏, 除了铜线表面需酸洗外,锡液本身的纯度也是重要因素。因此锡液的成分应每1.2月检测一次, 其中铜含量不得超过1%, 如超过1%应进行再生处理或换锡。

5 ) 挡锡模。目前很多公司没有使用建议还是在镀锡机收线部分安装挡锡模装置。使用挡锡模主要防止锡粒和操作不当带到铜线上影响下道工序生产，一般有拉丝模和陶瓷模。采用拉丝挡锡模, 镀锡铜线表面质量好, 但价格高。一般采用废拉丝模具使用，生产中要注意对模架角度的调整, 以保证锡炉中的压线支点、刮锡模中心点及导轮上的支撑点在一条直线上。避免线表面刮伤

镀锡模的孔径也是影响镀锡铜线质量的一个关键因素。孔径偏小, 则断线频繁。孔径偏大, 锡层则偏厚, 影响涂层的质量, 且耗锡量增加, 成本提高。经过生产试验及对产品性能的测试, 镀锡模的孔径应比铜线外径大0. 05 mm 为好。

6 ) 冷却方式。对于线径小于0. 2 mm的镀锡铜线, 宜采用空冷, 生产中要控制好牵引和镀锡铜线出炉之间的距离即可。对于线径为0. 2～0. 6 mm的镀锡铜线, 采用风冷方式比较好, 它可以有

效避免镀锡铜线因冷却不够在收线后产生线间粘锡现象, 保证镀锡铜线的表面质量。

7 )加导轴油，应该是一个比较重要的工序，镀锡铜线或多或少都有锡灰产生，在电子线生产绞线过程中如7/0.127，7/0.16。

11/0.16，11/0.127，17/0.178，41/0.16，41/0.15对绞距严格，镀锡线有锡灰会造成整股断线，应该加加导轴油防止锡灰产生。

8 ) 收线、牵引速度。收线、牵引速度应依据线径大小而定, 同时也考虑退火(及铜线在锡炉中的时间牵引速度过快, 会导致退火不充分而影响伸长率, 同时也增加了断线机率; 速度太慢则铜线在退火炉中时间太长, 线会发硬。

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半导体工艺流程

1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2

3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就

关键部位和关键工序的质量保证措施

目录 （一）保证测量精度与准确的措施 （二）钢筋工程质量控制措施 （三）模板质量控制措施 （四）砼质量控制措施 （五）预留埋施工措施 （六）保证砖砌体施工质量的措施 （七）防治粉刷及地面起壳的措施 （八）防治楼地面起砂的措施 （九）防止外墙面砖脱落措施 （十）防治屋面漏水的措施 （十一）防治外墙涌水措施 （十二）防治楼地面、阳台地面、落水口和立管洞处渗水的措施（十三）防治管道漏水的措施 （十四）防治装饰粗糙的措施

（一）保证测量精度与准确的措施 1、本工程测量人员是具有丰富施工检验，又有扎实的理论基础的专业人员，曾在多个大型工程施工中任专业测量。因此能胜任本工程的测量工作。 2、我公司在本工程中使用目前先进的测量仪器，如自动安平水平仪，铅垂直仪均为进口仪器，设备先进，精度高。 3、施工前编制详细的施工方案，经研究同意后实施。 4、坚持技术复核制度，对于工程主轴线、标高基准点在放线完成后，由项目技术负责人复核，对于一般轴线，标高由技术负责人指定专人负责复核。确保无误后，放可继续施工。 （二）钢筋工程质量控制措施 1、质量管理点的设置：包括钢筋品种和质量；钢筋规格、形状、尺寸、数量、间距；钢筋的锚固长度、搭接长度、接头位置、弯钩朝向；焊接质量；预留洞孔及预埋件规格、数量、尺寸、位置；钢筋位移；钢筋保护层厚度及绑扎质量。 2、预控措施：应检查出厂质量证书及试验报告，必须保证材料指标的稳定；加强对施工人员的技术培训，使其熟悉施工规范要求和基本常识；认真执行工艺标准，严格按技术交底要求施工；严格按照图纸和配料单下料和施工，弯钩朝向应正确；施工前应预先弹线，检查基层的上道工序质量，加强工序的自检和交接检查；对使用工具经常检测和调整，并检查焊接人员有无上岗证；正式施焊前须按规定进行焊接工艺试验，同时检查焊条、焊剂的质量，焊剂的质量。焊剂必须烘干；对倾斜过大的钢筋端头要切除，焊后夹具不宜过早放松，根据钢筋直径选择合适的焊接电流和通电时间；每批钢筋焊完后，按规定取

关键质量属性和关键工艺参数

关键质量属性关和键工艺参数（CQA&CPP） 1、要求： 生产工艺风险评估的重点将由生产工艺的关键质量属性（CQA）和关键工艺参数（CPP）决定。 生产工艺风险评估需要保证能够对生产工艺中所有的关键质量属性（CQA）和关键工艺参数（CPP）进行充分的控制。 2、定义： CQA关键质量属性：物理、化学、生物学或微生物的性质或特征，其应在适当的限度、范围或分布内，以保证产品质量。 CPP关键工艺参数：此工艺参数的变化会影响关键质量属性，因此需要被监测及控制，确保产产品的质量。 3、谁来找CQA&CPP 3.1 Subject Matter Experts(SME)在某一特定领域或方面（例如，质量部门，工程学，自动化技术，研发，销售等等），个人拥有的资格和特殊技能。 3.2 SME小组成员：QRM负责/风险评估小组主导人、研发专家、技术转移人员（如适用）、生产操作人员、工程人员、项目人员、验证人员、QA、QC、供应商（如适用）等。 3.3 SME小组能力要求矩阵： 4、如何找CQA&CPP 4.1 在生产工艺中有很多影响产品关键质量属性的因素，每个因素都存在着不同的潜在的风险，必须对每个因素充分的进行识别分析、评估，从而来反映工艺的一些重要性质。

4.2 列出将要被评估的工序步骤。工艺流程图，SOP或批生产记录可以提供这些信息。评估小组应该确定上述信息的详细程度来支持风险评估。 例：

文件资源：保证在评估之前已经具备所有必要的文件。 良好培训：保证在开展任何工作之前所有必要的风险评估规程、模板和培训已经就位。 评估会议：管理并规划所有要求的风险评估会议。 例：资料需求单 ICH Q8（R2）‐ QbD‐系统化的方法、 ICHQ9‐质量风险管理流程图 CQA&CPP风险评估工具‐FMEA

【半导体研磨 精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍

?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1

当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1

质量管理方案及措施

枝江市玛瑙河出口段治理工程2010年度项目第一标段 质 量 管 理 方 案 湖北大禹水利水电建设有限责任公司 枝江市玛瑙河出口段治理工程2010年度项目第一标段项目部

1 质量目标 质量管理总目标：单元工程和分部工程验收合格率100%，优良率75%，工程外观质量评定优良，工程竣工验收质量合格。 2 质量保证体系 （1）我公司已通过了GB/T19001-2000质量管理体系的认证。按质量体系认证的要求，建立项目质量管理组织机构，明确各部门的职责，确保本工程在质量标准的控制下如期如质完工。 （2）建立健全质量保证体系，建立健全质量管理机构，以项目经理为工程质量第一责任人，对工程质量负终身责任。严格按照质量体系的要求规范施工环节，确保工程质量。详见“质量管理体系框图”、“质量保证体系框图”。 质量管理体系框图

质量保证体系框图

3 质量保证措施 管理措施 （1）制订该工程质保大纲，建立质量管理程序，搞好施工全过程的质量控制、检查和监督。 （2）实行全面质量管理，成立QC小组，运用PDCA循环，抓好关键部位、关键工序的质量管理。 技术措施 （1）配备高素的各工序质检人员、施工人员、测量人员。 （2）编制适用可行的施工组织设计方案，便于施工操作，指导施工。 （3）搞好新工艺、新技术、新材料、新设备的推广应用。 （4）组织专业化、机械化的施工班组进行施工。 制度措施 （1）按规范和规程要求，结合实际，制订各项质量管理制度和管理办法。 （2）制订图纸审核，方案审批，技术交底制度。没有审核的图不能交付施工，没有批准的方案不得实施。 （3）制订“三级质量检查”制度。 （4）制订质量评定考核制度。 设置质量控制点 为加强质量控制，对下列情形者，设置质量控制点，确保工程质量： （1）关键部位； （2）工艺有特殊要求或对工程质量有影响的过程； （3）易出现质量通病的单元工程； （4）施工中采用的新工艺、新技术、新材料的施工过程或部位。 过程控制措施 （1）在工地建立由项目专职质检员→施工队伍质检员→班组质检员的三级质量管理网络，自检合格后交监理验收。在施工的全过程中，将质量意识教育、

第六章、关键工序的施工技术、工艺以及质量保证措施,工程实施的重点、难点分析和解决方案

第六章、关键工序的施工技术、工艺以及质量保证措施，工程实施的重点、难点分析和解决方案 第一节、装饰装修工程 一、工程概况： 1、本工程室外改造部分包含： 1.1院内甬道剔除面层，重新铺设面包砖。 1.2院内、围墙重新粉刷外墙涂料，院内部分砖砌围墙更换为可透视铁艺围墙。 1.3操场铁艺护栏刷防锈漆。 1.4院门更换电动推拉门，重做校名墙，校名墙做法为500 厚砖墙地上。 1.5米高，外檐干挂石材，做法参照05J1 。基础详见结构专业图纸。 1.6车棚2 屋面更换为0.8 厚单层彩钢屋面，检查原有钢构件，如锈蚀严重予以更换。 1.7场地排水及室外管网改造详水施图。 2、改造项目及改造内容： 2.1教学楼：教学楼建于上世纪80 年代，为三层砖混结构。建筑面积4166.74 平方米（原设计）。 2.2附房1：原有传达室及休息室，为单层砖混结构。建筑面积5 3.22 平方米。 2.3附房2：原有公厕、器械室，为单层砖混结构。建筑面积144.57 平方米。 3、改造范围： 3.1外檐粉刷：对原建筑外墙面进行修补，基层面的缺损、孔洞填补密实；开裂起鼓砂浆予以清除，对原有面砖外墙进行清洗，对破损处进行修补。不平表面抹平；原有涂料尽可能铲除，之后刮柔性腻子，刷丙烯酸外墙

涂料，颜色同原有外墙颜色。 3.2更换建筑外窗黑色铁艺护栏，确保护栏安全牢固，原有白色造型半栏不更换，仅涂刷油漆 3.3110UPVC雨水管，雨水斗周围应按原屋面排水坡度，确保排水通畅。 3.4楼地面工程：综合楼除卫生间外，其他部位清理原有地面，清扫干净找平后铺设PVC整体地胶。 3.5门窗更换：走道内原有门均更换为实木复合门，所有窗更换为塑钢单玻窗，外檐门更换为不锈钢框玻璃门（玻璃采用钢化夹胶安全玻璃）。其洞口尺寸及相对位置不变。具体详门窗表。 3.6卫生间改造：更换原有卫生器具，按原有位置不变。卫生间楼地面重新铺设防滑地砖及防水层，内墙重贴瓷砖，重做轻钢龙骨条形扣板吊顶的吊顶，增设洗手池，洗手池上方安装镜子（选用5 厚镀铝膜，背面涂镜背漆一道）。首层增加无障碍蹲位。 3.7内檐粉刷：原有内墙涂料铲除，重新刮腻子，刷乳胶漆。瓷砖内墙重贴瓷砖。原有瓷砖墙裙进行修补。 3.8楼梯栏杆：拆除原有楼梯栏杆更换为不锈钢栏杆。 3.9主楼入口增加无障碍坡道一个；美术教室增加洗手盆一个。 4、教学楼平面图内多功能厅、音乐教室： 4.1外檐、内檐重新粉刷，同主楼做法。拆除内墙装饰，重新做舞台及背景墙。 4.2地面做法：原首层地面铲除，重新铺设PVC卷材地胶。 4.3吊顶：对原有吊顶拆除，安装矿棉板吸音吊顶。 4.4门窗：更换原有门窗，门选用成品防盗门，窗选用塑钢单玻推拉窗，洞口位置尺寸不变。 5、附房1（原传达室、休息室）： 5.1外檐、内檐重新粉刷，同主楼做法。

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

半导体工艺流程

1、清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1 —6所示。 图1—6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作 为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：

Si + O2f SiO2 3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 光刻胶 基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀

关键工序质量控制点管理制度

文件编号：xx/G007-2013 受控状态： xxxx电线电缆有限公司管理体系文件 关键工序质量控制点管理制度 编制： 审核： 批准： 2013年8月26日编制2013年8月26日实施xxxx电线电缆有限公司发布

关键工序质量控制点管理制度 1.目的 对产品实现过程中的影响产品质量的关键工序设立质量控制点，实施重点管理，进行测量和监控，以确保满足顾客的要求。 2.适用范围 适用于对产品实现过程持续满足其预定目的的能力进行确认。 3.职责 3.1技术质量部负责编制和提供各工序的技术标准和检验规程。 3.2技术质量部负责生产过程的半成品的检验和试验。 3.3生产车间配合做好过程检验和试验工作。 4.程序 4.1未通过的过程检验和试验的产品不能转序。 4.2过程测量和监控应按该产品有关标准和检验规范作为依据。 4.3过程测量和监控所用的检验器具应在有效检定周期内，使用前应进行校准。 4.4过程检验和试验 4.4.1过程产品的检验和试验，分为操作工的自检和检验员的首检及巡检。 4.4.2每班开机后，操作工生产的产品，按相关的过程产品检验和试验规程进行 自检，若产品质量不符合规定要求，操作工应立即调整工艺参数或模具，使产品质量符合规定要求。自检合格后，检验员应及时到生产车间进行首检，首检合格后方可进行正常生产，首检主要是检产品的结构、表面质量，重要的性能试验由检验员抽样回试验室进行抽样检验和试验。 4.4.3进入正常生产后，检验员应按有关文件规定的检验频次进行巡检，并按文 件的规定做好巡检记录，记录要真实、完整、结论明确，检验记录应由检验人员签名盖章。不合格品按《不合格品控制程序》执行。 4.5例外转序的控制 在所需要的检验和试验完成或必须的报告收到前不得将产品放行，如因生产

施工质量工程 关键点质量控制措施

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关键点质量控制措施 一、本工程关键点的范围： 1、地基与基础 1）轴线定位、标高 2）边坡支护 3）基础砼浇筑 4）基础回填土方 5）密实度检测 2、主体工程 1）柱、梁、板、墙、楼梯砼工程 2）配合比试配送检3）楼层标高轴线 4）现场砂浆搅拌计量及试块制作5）承重墙砌体与砼结合部位的尺寸、标高 6）商品砼坍落度抽查及试块制作 7）钢材复试取样 8）砼钢筋保护层 3、建筑装修 1）楼地面砼配合比 2）楼地面砼 3）施工安全防护4）饰面工程承重结构节点 5）厨卫间地面防水 6）厨卫间堵洞 4、建筑屋面 1）出水管堵洞 2）屋面找平层 3）屋面防水施工工艺 4）泛水高度 5）淋（闭）水试验 5、给排水、采暖及消防

1）给水管消毒冲洗 2）系统试压 3）下水管连接、坡度 4）下水管通球试验 5）暖气系统试压 6）阀门严密性试验 7）室外下水管道安装 8）灌水试验 6、建筑电气 1）预埋管砼浇筑 2）接地装置施工 3）等电位施工 4）配电箱、变配电设备安装调试 5）材料检查 6）桥架、母线安装、电缆敷设 二、关键点质量控制方法及措施 1、关键点质量控制的方法 在进行工程质量控制时必须坚持一条原则、二项重点、三个阶段、四种手段。 1）一条原则： 工程质量控制是整个监理工作的核心，与进度和投资相互制约，出现矛盾时，必须坚持质量第一的原则；监理机构监督施工单位履行施工合同和国务院的《建设工程质量管理条例》；按建设部《工程建设标准强制性条文》、技术规范和设计文件要求施工。2）二项重点： 重要的、关键的分部工程、分项工程，如地基工程、主体结构和装饰工程；重要的分项工程，如独立基础、钢筋、混凝土、屋面防水、设备基础及预埋、避雷针及接地装置、设备试运转等。关键部位：梁柱节点、箍筋加密区、钢筋焊接、搭接、独立柱混凝土浇筑等。

试谈半导体铜线工艺流程图

? ? 半导体铜线工艺流程 时间:2010-09-03 剩余:0天浏览: 37 次收藏该信息 一、铜线键合工艺

A、铜线工艺对框架的特殊要求-------铜线对框架的的要求主要有以下几点： 1、框架表面光滑，镀层良好； 2、管脚共面性良好，不允许有扭曲、翘曲等不良现象 管脚粗糙和共面性差的框架拉力无法保证且容易出现翘丝和切线造成的烧球不良，压焊过程中容易断丝及出现tail too short ； B、保护气体----安装的时候保证E-torch上表面和right nozzle 的下表面在同一个平面上．才能保证烧球的时候，氧化保护良好．同时气嘴在可能的情况下尽量靠近劈刀，以 保证气体最大围的保护 C、劈刀的选用——同金线相比较，铜线选用劈刀差别不是很大，但还是有一定的差异： 1、铜线劈刀T 太小2nd容易切断，造成拉力不够或不均匀 2、铜线劈刀CD不能太大，也不能太小，不然容易出现不粘等现象 3、铜线劈刀H与金线劈刀无太大区别（H比铜丝直径大8µm即可，太小容易从颈部拉断） 4、铜线劈刀CA太小线弧颈部容易拉断，太大易造成线弧不均匀； 5、铜线劈刀FA选用一般要求8度以下（4-8度） 6、铜线劈刀OR选用小异 D压焊夹具的选用 铜线产品对压焊夹具的选用要求非常严格，首先夹具制作材料要选用得当，同时夹具表面要光滑，要保证载体和管脚无松动要，否则将直接影响产品键合过程中烧球不良、断线、翘丝等一系列焊线问题。 二、铜线的特性及要求 切实可行的金焊线替代产品。 细铜焊线（<1.3mil） 铜焊线，机械、电气性质优异，适用于多种高端、微间距器件，引线数量更高、焊垫尺寸更小。 铜焊线（1.3-4mil） 铜焊线，不仅具有铜焊线显著的成本优势，而且降低了铜焊点中的金属间生长速度，这样就为大功率分立封装带来了超一流的可靠性。 铜焊线的成本优势 由于铜的成本相对较低，因此人们更愿意以铜作为替代连接材料。对于1mil焊线，成本最高可降低75%*，2mil可达90%*，具体则取决于市场状况。 铜焊线的优异性能 铜线的导热导电性能显著优于金线和铝线，因此能够以更细的焊线直径达到更好的散热性能及更高的额定功率。与金相比，铜的机械性质更强，这样在模压和封闭过程中可以得到优异的球颈强度和较高的弧线稳 铜焊线的优点（与金焊线相比） 材料成本低 • 降低单位封装成本，提高

关键工序质量控制点管理程序讲课教案

关键工序质量控制点 管理程序

关键工序质量控制点管理程序 1目的 规范本公司的关键工序质量控制点的管理，以确保产品符合规范的要求，满足顾客的需求和期望。 2职责 2.1 技术科负责组织关键工序质量控制点的管理和实施； 2.2 生产科、检验科、办公室参与关键工序质量控制点的管理工作； 3 程序要求 3.1 关键工序质量控制点的设置原则 3.1.1产品质量特性特别重要，对产品质量产生重大影响的过程、项目、工序，一般为产品质量特性分级表的A类项目； 3.1.2工艺上有特殊要求或对下道工序有较大影响的工序。 3.1.3质量信息馈中发现的不合格品或不良品较多的项目或部位。 3.1.4加工周期长，原材料贵重，一旦出现问题经济损失大的工序。 3.1.5 关键工序质量控制点的设立，应考虑工序质量的重要性、迫切性，根据企业的生产特点，抓住重点设置1-3个； 3.1.6关键工序质量控制点应该是不断更新的，设立质量控制点经过一定时间的质量控制，工序质量得到提高并稳定的工序可以撤消关键工序质量控制点，另外选择设立关键工序质量控制点。 3.2 产品质量特性的分级 3.2.1 根据本公司机床产品的特点，产品质量特性分为A、B、C三级；

3.2.2 A级是指对产品安全、卫生产生影响，对产品的功能、性能等产品质量产生重大影响，不能满足法律法规和顾客要求的过程、项目和工序，如机床的安全、卫生项目，主要件的关键项目等； 3.2.3 B级是指对产品的功能、性能等产品质量有一定的影响，基本能满足法律法规和顾客要求，但会影响产品的等级，产品档次的过程、项目和工序，如机床的精度，外观，零件的主要项目； 3.2.3 C级是指零部件的一般项目 3.2.5 技术科负责按照产品的特点设计编制产品质量特性分级表，经主管副总经理审核后发放各部门。 3.3 质量控制点的设置 3.3.1 技术科汇同生产科、检验科，根据产品质量特性的分级和产品质量的稳定情况，确定关键工序质量控制点，在一定的周期内质量控制点一般设置1-3个； 3.3.2 每年技术科汇同生产科、检验科评审质量控制点的运行情况和运行效果，及时进行更新和增减； 3.3.3 由技术科形成质量控制点明细表，下达各部门执行 3.3 质量控制点的管理 3.3.1 质量控制点文件要求 3.3.1.1质量控制点的技术文件包括图纸、作业指导书，技术文件由技术科编制并发放； 3.3.1.2质量控制点的文件应规范，审批手续应齐全。 3.3.2 质量控制点的操作人员 3.3.2.1必须持有质控点岗位证才能上岗操作。

工厂制程品质控制

工厂品质管理

工厂制程品质控制 3.3.2 首件检验容解读 首件是指每个生产班次加工的第一个工件，或加工过程中因换人、换料、换岗以及换工装、调整设备等改变工序条件后加工的第一个工件。对于大批量生产，“首件”往往是指一定数量的样品。 1.首件检验的操作者 首件检验一般采用“三检制”的办法，即先由操作者自检，再由班组长复检，最后由检验员专检。 2.首件检验的条件 （1）符合下列条件的产品才可以进行首件三检。 ①有经正式批准的图样、技术条件、工艺规程。 ②具有符合工艺规程规定的工装、量具，并经检定合格。 （2）下列情况经首件三检合格后方能继续生产。 ①每个班开始时。 ②每个工人每道工序第一件加工后。 ③生产中更换操作人员。 ④生产中更换或重调工装、机床设备。 ⑤更改、调整工艺。 3.首件检验的主要项目 （1）图号与工作单是否符合。 （2）材料、毛坯或半成品和工作任务单是否相符。 （3）材料、毛坯的表面处理和安装定位是否相符。 （4）配方配料是否符合规定要求。 （5）首件产品加工出来后的实际质量特征是否符合图纸或技术文件所规定的要求。 4.首件检验的要求 进行产品首件检验时，必须注意以下事项。 （1）首件三检需由操作人员办理交验手续，经首件三检合格的零件、产品，要在交验单上签字盖章，并做好首件检验的记录。 （2）首件三检发生错检时，由参加三检者负责。 （3）不执行首件三检盲目生产、不听劝告者，检验员有权拒绝验收其产品，由此而造成的废品由直接责任者负责，视情节轻重程度赔偿废品损失。 （4）首件三检不合格，需查明原因，采取措施排除故障后重新进行首件三检。 （5）首件三检合格后，生产人员在生产过程中还要勤看、勤量、勤检查，检验员需要加强巡回检验，预防不合格品产生。 （6）对于重要零部件的关键工序和尺寸，应建立质量控制点，加强首件三检，增加巡回抽检的次数。 （7）检验员应按规定在检验合格的首件上作出标识，并保留到该批产品完工。 （8）首件检验必须及时，以免造成不必要的浪费。首件检验后要保留必要的记录，填写“首件检验记录表”，如表3-3所示。

半导体的生产工艺流程(精)

半导体的生产工艺流程 微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining,原本就肇源于半导体组件的制程技术,所以必须先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean room的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。 为此,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级,有一公认的标准,以class 10为例,意谓在单位立方英呎的洁净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小,洁净度越佳,当然其造价也越昂贵(参见图2-1。 为营造洁净室的环境,有专业的建造厂家,及其相关的技术与使用管理办法如下: 1、内部要保持大于一大气压的环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机,将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主,尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出,都必须经过空气吹浴 (air shower 的程序,将表面粉尘先行去除。

6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源,为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣,除了眼睛部位外,均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内,工作人员几乎穿戴得像航天员一样。当然,化妆是在禁绝之内,铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外,水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water。一则防止水中粉粒污染晶圆,二则防止水中重金属离子,如钾、钠离子污染金氧半(MOS 晶体管结构之带电载子信道 (carrier channel,影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻 率 (resistivity 来定义好坏,一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格;为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡,才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂,其在半导体工业之使用量极为惊人! 8、洁净室所有用得到的气源,包括吹干晶圆及机台空压所需要的,都得使用氮气(98%,吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮!以上八点说明是最基本的要求,另还有污水处理、废气排放的环保问题,再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆 (silicon wafer 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体,显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程,大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky 拉晶法 (CZ法。拉晶时,将特定晶向 (orientation 的晶种 (seed,浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt 中,并同时旋转拉出,硅原子便依照晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓的晶棒 (ingot。晶棒的阻值如果太低,代表其中导电杂质 (impurity dopant 太多,还需经过FZ 法 (floating-zone 的再结晶 (re-crystallization,将杂质逐出,提高纯度与阻值。 辅拉出的晶棒,外缘像椰子树干般,外径不甚一致,需予以机械加工修边,然后以X 光绕射法,定出主切面 (primary flat 的所在,磨出该平面;再以内刃环锯,削下一片片的硅晶圆。最后经过粗磨 (lapping、化学蚀平 (chemical etching 与拋光 (polishing 等程序,得出具表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度,与其外径有

制程质量控制程序

制程质量控制程序 1.目的 规范生产制程中的品质控制，确保生产过程中半成品及成品均能符合质量要求； 提高制程品质控制能力，预防不良品的产生，避免不良品流入下工序或入库，确保制程品的质量。 2.范围 适用于从配料到成品入库各工序的制程检测与控制。 3.职责 3.1质量技术中心：制程检验员（IPQC）依据检验规范及技术要求对投料的品质和加工的首件产品进行确认，制程中产品的巡检和完工转序/入库产品的抽检，并完成相应的检验记录；负责制程品质异常反馈与跟进和专项质量改进的跟进和验证，负责制程质量的统计分析；在发生重大质量异常时，有要求停产的权力；组织制程不合格品的评审和处臵。 负责制程检验规范及工艺规范/作业指导书和记录等相关技术文件的制定；对制程品质异常进行原因分析，提出有效的纠正和预防措施。 3.2 生产中心：负责制程产品的自检、互检和制程巡检，协同质检部做好首件检验工作；负责转序/入库半成品/成品的整理报检；负责制程异常反馈，在质检部及技术部的指导下完成质量异常的纠正和预防工作及其它专项质量改

进工作。 3.3设备部:负责制程设备、工装的调校和维修保养，确保制程设备、工装满足要求。负责在质量改进活动中的设备性能及操作方法的改进。 4.流程 4.1 生产准备 4.1.1生产状态整备。当首次量产、异常停机后再次生产或产品转换时，应对生产计划、材料状况、技术文件、设备特性、工装情况、计量器具等进行检查，确保各项均符合要求后才可开始作业。 4.1.2前臵检验（互检）。被加工件属转序或领用自制件，作业员在执行本工序作业前，应对被加工件进行抽检，确认流入本工序的工件是合格品。发现不合格品，应报告IPQC，对该批工件进行抽检或全检，填写《制程异常处理报告》和《不合格品处臵单》，按相关程序处理。将检验结果记录在《首件检验记录单》“前臵检验”栏内。 4.2 首件检验 4.2.1依据《三检制规定》进行首件检验,每班次开始或生产过程因换人、换料、换型号以及换工装、设备调整等改变工序作业条件后生产的首件产品，要进行“首检”。即员工自检：按照生产计划单上的产品名称和型号，核对相应的图纸、工艺文件或样板对首件产品进行结构、性能、外观、

关键工序质量控制措施

崇启长江公路大桥（江苏段）跨江大桥工程 施工项目CQ-A1标关键工序质量控制措施 编制单位：中交第三航务工程局崇启CQ-A1标项目经理部 主编人：韩振飞（工程师） 参编人员：王华南（助理工程师） 林烁（助理工程师） 陆宁海（技师） 审核人：汤涛（高级工程师） 编报日期：2009年3月10日

1 结构耐久性的施工控制 本工程结构的耐久性保证是一项系统工程，设计作充分的耐久性设计和施工控制严格达到设计耐久性要求是工程耐久性保证的两个支柱。 本工程耐久性设计包括钢筋砼结构和钢管桩等2种结构，钢筋砼结构包括混凝土性能和混凝土保护层等2点，钢管桩采取了涂层防腐和阴极保护相结合的方案。以往施工实践表明，施工过程对工程耐久性影响主要是施工预埋件的处理。 钢筋砼结构耐久性施工保证 （1）混凝土工程 本标段混凝土耐久性性能要求为： 同时承台和标高10m以下的墩身混凝土添加适量钢筋阻锈剂。 对于混凝土工程我们采取以下措施保证耐久性： ○1混凝土正式拌和前，必须先进行试拌，保证混凝土的设计强度不小于结构设计强度，并至少高于耐久性要求的最低强度一个等级；抗氯离子渗透的性能Cl-扩散系数不大于耐久性最低要求的80%。对于承台砼和墩身10m标高以下砼，掺加钢筋阻锈剂进行试拌，在结构混凝土中掺加阻锈剂。 ○2混凝土拌和时保证原材料的质量满足招标规范要求和我局企业的规范要求，拌和物的和易性满足施工要求。 ○3每次混凝土浇注完成，除留出常规抗压强度试块外，还留置抗氯离子渗透试验的试块，及时对混凝土的抗氯离子渗透性能进行检测。 （2）混凝土保护层控制

本工程各结构净保护层厚度为： 保证保护层厚度的施工措施如下： ○1垫块全部采用高强砂浆定制保护层垫块，垫块高于相应部位保护层厚度2~3mm。高强砂浆垫块在我局有限公司所属崇明航环预制厂采用定制模具进行生产。该预制厂近年一直在研究垫块预制工艺，已形成系列商品，商品预制垫块形状合理、稳定，强度高，得到上海市港口工程质量监督站的高度评价和广泛推荐，在海洋工程中应用广泛。 ○2钢筋制作和绑扎时，所有结构钢筋、架立钢筋都必须保证保护层的厚度，底层架立钢筋下必须垫止水垫块。 ○3钢筋绑扎时，扎丝一律向内侧弯进，禁止扎丝伸入保护层。 钢管桩的防腐和施工保护 钢管桩的防腐设计为涂层防腐和阴极保护相结合。钢管桩外表面伸入承台内的距桩顶0.8m范围不需进行防腐涂装，在距桩顶~30m范围内，涂敷加强型双层环氧粉末涂层，厚度不小于800μm桩身其余部位涂敷普通单层环氧粉末涂层，厚度不小于300μm。钢管桩内表面在制作、运输、安装阶段进行临时防腐。 钢管桩的阴极保护方案委托专业单位进行详细设计实施。 （1）钢管桩涂层施工与保护 ○1钢管桩涂层施工在工厂内进行，以保证涂层施工质量。钢管桩在节段卷制后，内侧涂刷环氧油漆进行临时防腐。 ○2钢管桩落驳前、吊桩前、沉桩后、结构施工前要反复对钢管桩的防腐结构进行检查，如发现破损，要及时修复。 ○3钢管桩的起吊采用高强尼龙吊绳，不得使用钢丝绳，以避免对钢管桩的涂层造成破坏。 ○4钢管桩在起吊过程中要轻起轻放，禁止与其他钢管桩及结构碰撞，造成防腐涂层破坏。钢管桩在驳船上运输时，采用软方木垫桩，按照设计的垫桩点摆放软方木，桩与桩之间采用软木隔开，防止破坏涂层。

(工艺流程)2020年半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点

硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查

15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。

半导体生产工艺流程

半导体的生产工艺流程 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。 为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。 为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆(siliconwafer)是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体，显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky)拉晶法(CZ法)。拉晶时，将特定晶向(orientation)的晶种(seed)，浸入过饱和的纯硅熔汤(Melt)中，并同时旋转拉出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒(ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中导电杂质(impuritydopant)太多，还需经过FZ法(floating-zone)的再结晶(re-crystallization)，将杂质逐出，提高纯度与阻值。 三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类：(1)薄膜成长，(2)微影罩幕，(3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类：(a)高温炉管，(b)微影机台，(c)化学清洗蚀刻台，(d)电浆真空腔室。其中(a)~(c)机台依序对应