模电第五章
第五章放大器的频率响应
习题类型
5.1 频率响应的基本概念
5.3 增益函数的零点、极点概念
5.2及.4～5.6 利用增益函数极点求解电路转折频率
5.7～5.12及5.16～5.20 利用时间常数法求解电路转折频率
5.13～5.15 求解BJT的频率参数
5.1某单级阻容耦合共射放大电路中频电压增益A vm=40dB，通频带为20Hz～20KHz，最大不失真电压范围为－3V～+3V。
（1）若输入电压v i=20sin（2π×103）mV，输出电压幅值v om是多少？是否会出现失真？（2）若输入为谐波频率范围在1kHz～30kHz的非正弦波，其最大幅值为50mV，输出电压v o是否失真？若失真，属于什么失真？
解: （1）V om=V i m A v m=20×100=2×103mV=2V，
且不会出现失真。
（2）会出现失真，非线性失真和频率失真。
5.2某放大电路当输入信号频率在f =5～40kHz范围时，电压增益为100，而当f=500kHz 时，增益降为10。求该放大电路上转折频率f H。
解: 由题意有：
解出：
5.3某放大电路增益函数为，指出A(s)的极点和零点并求中
频段增益A m（dB）。
解: 极点为：－107，－108，－5×108（rad/s）
有限零点为：1010，1012（rad/s）
∵A（s）极点数>零点数，且
∴ A（s）=A H（s）
····
5.4某放大电路电压增益函数，
求出其中频电压增益A v m及下转折频率f L、上转折频率f H。
解: ∵ A v(s) 极点数>零点数，
且，
∴ A v(s) 是全频段增益函数。
低频极点 p1=－10；p2=－20；
高频极点 p1=－105；p2=－2×105；
令低频极点s→∞，高频极点s→0，A v(s) →A vm=400
又：s→jω ,
同理 ,
由
解出ωH=83666 rad/s , → f H=13.3 kHz
5.5某放大电路的电压增益函数
（1）求A v m，F L(s)和F H(s) ；
（2）求ωL、ωH和通频带。
解:（1）
令低频极点 s→∞；高频极点 s→0，A v(s)→A vm=－300
（2）确定ωL：由
据题意
解出：ωL=155.52 rad/s
同理，
解出：ωH=644×103 rad/s
5.6某放大电路高频增益函数为
求（1）中频增益A vm；
（2）上转折频率f H。
解: （1）
（2）∵p1=－5×106；p2=－60×106； p3=－20×107；
∴ p1为主极点，
故
5.7如题图 5.7电路，三极管β=50，r be=2kΩ，R b=470kΩ，R S=500Ω，中频电压增益
A v m=40dB，带宽f BW=10Hz～100kHz。画出对应的低频等效电路并计算电容C1的值。
题图5.7
解: 低频等效电路如题图5.7.1。
题图5.7.1
5.8电路如题图5.8所示。晶体管参数为K p=0.5mA/V2 , V TP=－2V , λ=0。
(1) 求输出电阻R o；(2) 若f L=20Hz , 确定C C的值。
题图5.8
解:（1）场效应管为P沟道增强型管。
输出电阻（1）
先求栅源电压V SG。
代入（1）式，R o=1//12=0.923 kΩ
（2）
5.9如题图5.9电路，三极管β=60，r be=1kΩ，
（1）求各电容引起的短路时间常数（C e=50μF）；
（2）求放大电路的下转折频率f L；
题图5.9
解：（1）∵ R b=R b1//R b2>> r be , 忽略R b；
C1引起的短路时间常数τS1（C2 C e短路）
C2引起的短路时间常数τS2（C1 C e短路）
C e引起的短路时间常数τSe（C1 C2短路）
（2）放大电路下转折频率f L
5.10 已知题图5.10所示电路中BJT参数为β=150，，f T=750MHz，
，I C=5mA。
（1）求出电路上转折频率f H。
（2）不更换BJT，仅改变电路参数能否增加带宽？
题图5.10
解: （1）画出密勒等效后简化的高频混合π型等效电路。
题图5.10.1
∵ R b= R b1//R b2 >> r be , ∴计算中忽略R b 。
（2）放大电路带宽 f BW=f H－f L≈f H
由f H表达式可知，三极管参数r bb，、C b,c和f T对f H有影响，电路参数也对f H有影响。
这些电路参数是：R s（R s↓→R↓→ f H↑）
R c（R c↓→(1+g m R c)C b,c↓→f H↑）
R b1、R b2、R e（I E↓→g m↓→ f H↑）。
5.11 FET电路如题图 5.11所示。晶体管参数为K n=1mA/V2 , V TN=2V , λ
=0 , C gs=5pF , C gd=1pF 。
（1）画出简化的高频等效电路。
（2）计算等效Miller电容；
（3）求小信号电压增益的上转折频率f H及中频电压增益
题图5.11
解：
（1）高频简化等效电路为：
题图5.11.1
（2）等效密勒电容 C M=C gd（1+g m R D）=1×(1+2.2×5)=12 pF
（3）上转折频率f H
中频段电压增益A v
5.12 共源放大器FET如题图5.12所示。器件及电路参数为：g m=1ms，r ds=40kΩ，R g=500k Ω，R1//R2=50kΩ，R3=1MΩ，R S=5kΩ，R D=R L=20kΩ，C1=0.1μF，C2=0.4μF，C S=4μF。用短路时间常数法求源电压增益的f L近似值。
题图5.12
解：先求C
1、C
2
和C
s
视入的等效电阻。
C1视入的等效电阻R1s
R1s=R g+R3+R1//R2=500+103+50=1550kΩ
C2视入的等效电阻R2s
R2s=R L +R D//r ds=20+20//40=33.33kΩ
C s视入的等效电阻R ss=R s//R’
求R’电路如图
题图5.12.1
由定义
R ss=R s//R’=500//1.22≈1.22 kΩ电路不存在低频主极点
∴求出电路下转折频率
5.13 一个双极型晶体管偏置电流I
CQ =1mA，其参数为β
=120，
求f
β和f T。
解:
5.14一个高频双极型晶体管偏置电流I CQ=0.5mA，其参数为β0=150，，
f T=5GHz。求和fβ。
解:
5.15一个双极型晶体管的特征频率f T=2GHz，β0=150。
求（1）f
β，（2）对应的频率。
解:
（1）
（2）
5.16 共源极等效电路如图5.16所示。场效应管跨导g m=3mS。
(1)计算Miller电容。
（2）求小信号电压增益的上转折频率。
题图5.16
解：（1）折合到输入端的密勒电容
C M=C gd [1+g m(r ds//R D)]=5[1+3×(15//10)]=95pF
（2）电路上转折频率f H
5.17 共基放大器交流通路如题图 5.17所示。当晶体管工作在I C=0.35mA时,β0=120，
r ce=300kΩ，r bb，=0，f T=700MHz，=0.5μF。电路参数R s=75Ω，R C =4.7kΩ，R L=5.6k Ω。试求放大器中频源电压增益及上截止频率f H。
题图5.17
解:（1）先画出高频段小信号等效电路，如题图5.17.1所示。
题图5.17.1
在中频段，三极管结电容开路，求出
（2）高频等效电路中的两个电容对应的角频率分别为
5.18 如题图5.18射极输出器电路，晶体管参数为β=200，V BE=0.7V，V A=∞。若f L=15HZ，求C c的值。
题图5.18
解：
5.19电路如题图5.19所示。晶体管参数为β=100，V BE=0.7V，V A=∞，并忽略晶体管基区体电阻。忽略晶体管的电容效应。
（1）画出放大电路在低频、中频和高频范围内三种不同的等效电路。
（2）求出（dB）、f L和f H。
题图5.19
解：（1）低频等效电路为
题图5.19.1中频等效电路为
题图5.19.2高频等效电路为
题图5.19.3（2）
5.20 电路如题图5.20。晶体管参数为K n=0.5mA/V2 , V TN=0.8V , λ=0。（1）设计电路参数R D和R S使I DQ=0.5mA , V DSQ=4V；
（2）求下转折频率。
题图5.20
解:（1）
（2）
电压增益表达式中各有一个零点和一个极点。
模拟电子技术模电课后习题含答案第三版
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
模拟电路习题答案第6章放大电路中的反馈题解
第六章放大电路中的反馈 自测题 一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。 （1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（） （3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （）（4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（） 解：（1）×（2）√（3）×（4）√ 二、已知交流负反馈有四种组态： A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。 （1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入； （2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入； （3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入； （4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、判断图所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求 A 或f s u A 。设图中所有电容出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数 f u 对交流信号均可视为短路。
图 解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反 馈条件下的电压放大倍数f u A 分别为 L 3 1321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u 式中R L 为电流表的等效电阻。 图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 2f 2 1R R A R F u 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 1f u A F 图（d ）所示电路中引入了正反馈。 四、电路如图所示。
模拟电子技术基础 第六章课后答案
题6.1判断图6-23所示各电路中的反馈支路是正反馈还是负反馈。如是负反馈，说明是何种反馈类型。 - +++ + - i U o U CC V VT 1VT 2b1R b2 R c R e11 R e12 R e2 R f R 1 C 2 C 3C e C +- +++ - i U o U C C V VT 11 C 2 C e1 R +VT 2 b21R b22R c2 R e2 R e C 4 C 3 C f R ++b11R b12 R c1R - + + + - i U o U +V 12CC V VT 1 VT 2 Ω39k Ω k 12ΩM 1Ω k 220Ω k 9.3 （a ） （b ） （c ） 图6-21 解：（1）电压并联负反馈；（2）电压串联正反馈；（3）电压串联负反馈 题6.2 用理想集成运放组成的两个反馈电路如图6-22所示，请回答： 1．电路中的反馈是正反馈还是负反馈？是交流反馈还是直流反馈？ 2．若是负反馈，其类型怎样？电压放大倍数又是多少？ ∞ A o U i U -+ - +L R 3 R 2 R 1R ∞A i U -+ - +Ω k 30Ω k 5.7Ω k 10 图6-22 解：1.反馈类型分别是电压串联交直流负反馈，电流并联负反馈； 2.放大倍数分别为4、2 L R R - 题6.3判断图6-23中各电路所引反馈的极性及反馈的组态。 ∞ A o U i U - +-+L R 2 R 1 R o I ∞A o U i U - +- +L R 3 R 2R o I 4 R 1 R ∞A o U i U -+ - + L R 4 R 2R 5 R 1 R 3 R （a ） （b ） （c ） 图6-23 解：（1）电流串联负反馈；（2）电流并联负反馈；（3）电压并联负反馈 题6.4判断图6-24所示电路的交流反馈类型。 A 1 R F R ' R u I u O +_ +_∞
模电第2章_作业答案
模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1．简答题： （1）放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？ 答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。 （2）说明利用三极管组成放大电路的基本原则。 答：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数，以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？ 答：分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确，工程上常用来分析放大电路的静态工作点；微变等效法方便分析放大电路的动态；图解法直观，可同时用于分析放大电路的静态和动态。 （4）共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法，而反相电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来理解？ 答：共射电路有电压放大作用，且输出电压与输入电压相位相反。为此，称这种放大电
路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此，可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它称为电流跟随器。 2．图1所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V， =100，临界放大饱和时三极管压降（集电极-发射极之间）为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解：分析：判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。 方法一： 1．对于NPN管，若U BE<0.7V，则管子截止；对于PNP管，若U BE>-0.7V，或U EB<0.7V 则管子截止； 2．若NPN管，U BE>0.7V，PNP管U EB>0.7V，则说明三极管处于放大状态或饱和状态。 对于NPN管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U CE>0.3V（设小功率三极管饱和压降为0.3V），说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V，说明管子工作在饱和区。 对于PNP管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U EC>0.3V，说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V，说明管子工作在饱和区。方法二： 当确定三极管处于非截止状态时，计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS （U EC=0.3V），如果βI B I CS，说明电路处于饱和状态。 方法二似乎更为简单。 解：
模电第6章习题答案
题6－1说明存在哪些反馈支路,判断反馈极性;直流反馈或交流反馈.若为交流反馈,分析反馈 的组态. (a) (b) (c) R F →级间交直流 电流 并联 负反馈, R e1→交直流 电流 串联 负反馈 ? R e2 、 C e →直流 电流 串联 负反馈 (d) R F →级间交流 电压 并联 负反馈, R e1→交直流 电流串联负反馈 (e) R F →级间交直流 电压 串联 负反馈, R e3→交直流 电流串联负反馈 (f) R b 、 C 3 →级间交流 电压 并联 正反馈, R e →交直流 电压 串联负反馈 习题6-2 判断反馈极性和组态 (a) 电压并联正反馈 (b) R F1电压并联负反馈 R F2 电压串联正反馈 (c) 电压并联负反馈 (d) 电流串联负反馈 (e) 电压串联负反馈 (f) 电流并联负反馈 习题6-5：满足深度负反馈条件,估算电压放大倍数 (C) 电压并联负反馈 (d) 电流串联负反馈 (e)21R R A F uuf += (f) e e F C uu f R R R R R A 1)(+=
习题6-13：按要求引入适当的反馈。 （1）提高从b1端看进去的输入电阻 应引入级间串联负反馈,即接R F从e3到e1 （2）减小输出电阻 应引入电压负反馈,即接R F从c3到b1 （3）R c3改变时,其上的I o (在给定U i情况下的输出交流电流有效值) 基本不变。 应引入电流负反馈 即接R F从e3到e1 （4）希望各级静态工作点基本稳定 接R F从c3到b1 或接R F从e3到e1 （5）希望输出端接上负载电阻R L后,U o (在给定U i情况下的输出交流电压有效值) 基本不变。 应引入电压负反馈，接R F从c3到b1 习题6-9 判断反馈极性和组态 习题6-19 判断能否产生自激 (a)产生自激振荡(b)不产生
模电第4章频率响应答案
4.1 已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。 (1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率f H 和下限频率f L 、通频带BW 。 (2) 当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 61022010410?+?=ππ和 ()()() ()mV t sin mV t sin u i 4102205210?+?=ππ时，输出信号有无失真？是何种性质 的失真？分别说明之。 解：(1)由题图4.1可得：中频增益为40dB ，即100倍，f H =106Hz, f L =10Hz （在f H 和f L 处，增益比中频增益下降30dB ），Hz BW 66101010≈-=。 (2)当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 61022010410?+?=ππ时，其中f =104Hz 的频率在中频 段，而Hz f 6102?=的频率在高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真。 当()()() ()mV t sin mV t sin u i 4 102205210?+?=ππ时，f =5Hz 的频率在低频段，f =104Hz 的 频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真。 4.2 某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。设中频相移为零。 (1)写出A u (jf)频率特性的表达式。 (2)求f=107Hz 处的相移值。 (3)求下限频率f L 的值。 (4)求f=100Hz 处实际的dB 值。 (5)求f=10Hz 和f=105Hz 的相移值。 题图4.1
解: (1)中频放大倍数为103，高频有一个极点频率为105Hz ，一个零点频率为106Hz ，低频有两个极点频率均为102Hz ，两个零点频率均为10Hz 。所以 ) 101()101()10 1()101(10)(522623 f j f j f j f j jf A v +-+-= (2)f=107Hz 处的相移为零 o Hz f o Hz f Hz f v L dB A Hz f 45|,90|)5(54lg 20)4(15512/10)3(510101002 1 2 -====-≈===?? 4.3 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出β的频率特性表 达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的近似波特图。 (b) 题图4.2
模电第6章课后答案
选择合适的答案填入空内。 （1）对于放大电路，所谓开环是指。 A．无信号源B．无反馈通路 C．无电源D．无负载 而所谓闭环是指。 A．考虑信号源内阻B．存在反馈通路 C．接入电源D．接入负载 （2）在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 （3）直流负反馈是指。 A．直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大直流信号时才有的负反馈 C．在直流通路中的负反馈 （4）交流负反馈是指。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中的负反馈 （5）为了实现下列目的，应引入 A．直流负反馈B．交流负反馈 ①为了稳定静态工作点，应引入； ②为了稳定放大倍数，应引入； ③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入； ④为了抑制温漂，应引入； ⑤为了展宽频带，应引入。 解：（1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B 选择合适答案填入空内。 A．电压B．电流C．串联D．并联 （1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入负反馈； （2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入负反馈； （3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入负反馈； （4）为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈； （5）为了增大放大电路的输出电阻，应引入负反馈； （6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。 解：（1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A 判断下列说法的正误，在括号内填入“√”或“×”来表明判断结果。 （1）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（）
模电第四章答案
E ） I R ：I R =100S 2 L ： |.：（1 ? ：） R R 四、电路如图T4.4所示。 第4章集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1) 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (c )。 A ?可获得很大的放大倍数 B ?可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2) 通用型集成运放适用于放大 (B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3) 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 (C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4) 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 (A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5) 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用(A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用 “用“X 表示判断结果。 (1) 运放的输入失调电压 U IO 是两输入端电位之差。(X (2) 运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。(V ) ⑶运放的共模抑制比 K CMR = 仝。(V) A c (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。 (V ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。 (X 三、电路如图T4.3所示，已知31 = 分析估算如下： 二 V cc -U BE 2 —U BE1 =IOO 」A R 解: 1 B2 2I B0 ■ - I B0 1 ： I R = ' I B0 I B2 C2的 值。 图 T4.3 1 C2 八B2"2— I B0。比较上两式，得 1 C2
模电题库及标准答案
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模电第6章负反馈答案
习题 6.1 试判断题图所示各电路的级间反馈类型和反馈极性。 解： 电路(a)为串联电压负反馈。 电路(b)为串联电压负反馈。 电路(c) V 1与V 3间为电压串联负反馈。 电路(d)为电压由V 3的射极经R 6至V 1的射极组成了电压串联负反馈。 U i (a) CC (b) (c) U CC (d) 题图
6.2 试判别所示各电路的反馈类型和反馈极性。 解:电路(a)为电压并联负反馈。 电路(b)：经A 2、R 2组成电压并联正反馈电路；经R 3组成电压并联负反馈电路。 6.3 一电压串联负反馈放大器，其基本放大器的电压增益A u =100，反馈网络的反馈系数B u =。 由于温度变化，A u 增大到120，试求负反馈放大电路的电压增益变化率uf uf A A ?。 解: % 54.1)1(1 ≈?++??= ?v v v v v vf vf B A A A A A A 或 % 8.111 ≈+??= ?v v v v vf vf B A A A A A 6.7 某放大器的放大倍数A(j ω)为 6 1011000ω ωj )j (A += 若引入F=的负反馈，试问: U i U o R 3 (a) U i 题图
(1)开环中频放大倍数A I ?f H =? (2)闭环中频放大倍数A If =?f Hf =? ()MHz ..f FA f ..FA A A )(kHz .f ) dB (A )(H I Hf I I If H H I 751211021591119 90100001011000 1221592102601000136=??=+==?+=+=====π πω解： 6.8 电路如题图(a)和(b)所示。试问： (1) 反馈电路的连接是否合理？为发挥反馈效果，两个电路对R S 有何要求？ (2) 当信号源内阻变化时，哪个电路的输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益的稳定性能 力强？ (3) 当负载R L 变化时，哪个电路输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益稳定能力强？ 解：(1)图(a)：第一级是电流串联负反馈，第二级是电压并联负反馈，第一级对第二级相当于恒流源激励，对第二级是合理的；对第一级要求恒压源激励，以使电流串联负反馈起作用，即R S 越小越好。 图(b)：第一级是电压并联负反馈，第二级是电流串联负反馈，第一级对第二级相当于恒压源激励，对第二级是合理的；对第一级要求恒流源激励以使电压并联负反馈起作用，即R S 越大越好。 (2)图(a)：输入端是串联负反馈，R if 大，R S 小，而且R if >>R S ，当R S 变化时，源电压增益的变化不大，即稳定性较好，输出电压当然也就稳定。 图(b)：输入端是并联负反馈，R if 小，R S 大，而且R if << R S ，当R S 变化时，源电压增益不稳定，输出电压也不稳定 (a) CC CC + o + U o (b) 图
工学模电试题与答案
一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。 （A ）β（B ）β2 （C ）2β（D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u 0。
模拟电路习题答案 第6章 放大电路中的反馈题解1
第六章 放大电路中的反馈 自测题 一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。 （1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ ） （2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（ ） （3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ） （4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（ ） 解：（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、已知交流负反馈有四种组态： A ．电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D ．电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。 （1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ； （2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ； （3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ； （4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈， 并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或f s u A 。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T6.3 解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反 馈条件下的电压放大倍数f u A 分别为 L 3 1321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ?++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。 图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 2f 2 1R R A R F u -≈-= 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 1f ≈=u A F 图（d ）所示电路中引入了正反馈。 四、电路如图T6.4所示。
模电复习题第4章题
第四章功放 一．判断题： （1）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（√） （2）乙类推挽电路只可能存在交越失真，而不可能产生饱和或截止失真。（×） （3）功率放大电路，除要求其输出功率要大外，还要求功率损耗小，电源利用率高。（√） （4）在功率放大电路中，电路的输出功率要大和非线性失真要小是对矛盾。（√）（5）教材第173页习题4-8 二、选择题 1、功率放大电路的效率是指（ B ） A．不失真输出功率与输入功率之比 B．不失真输出功率与电源供给功率之比 C．不失真输出功率与管耗功率之比 D．管耗功率与电源供给功率之比 3、甲类功率放大电路比乙类功率放大电路（ D ） A．失真小、效率高 B．失真大、效率低 C．管耗大、效率高 D．失真小，效率低 4．已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES│＝3V，U CC＝15V，R L＝8Ω，。选择正确答案填入空内。 （1）电路中D1和D2管的作用是消除_________ 。 A．饱和失真B．截止失真C．交越失真 （2）静态时，晶体管发射极电位U EQ。 A．大于0V B．等于0V C．小于0V （3）最大输出功率P OM。 A．约等于28W B．等于18W C．等于9W 解： （1）C 乙类功率放大电路存在交越失真，通过D1,D2克服交越失真。
（2）B 静态时，由于电路对称，0=EQ U (3)C W R U U P L CES cc OM 98 *2)315(2)(22=-=-= 5、选择合适的答案，填入空内。只需填入A 、B 或C 。 （1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基 本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。 A ．交流功率 B ．直流功率 C ．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指 。 A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。 A ．1W B ．0.5W C ．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。 A ．β B ．I C M C ．I C B O D ．B U C E O E ．P C M F ．f T （5）若图T1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝ 。 A ．L 2 CES CC 2) (R U V - B ．L 2CES CC )21(R U V - C ．L 2 CES CC 2)2 1(R U V - 图T1 解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C 6、 已知电路如图T2所示，T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝3V ，V C C ＝ 15V ， R L ＝8Ω，。选择正确答案填入空内。
模电第一章练习习题
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1
第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。
模电答案第六章
第6章 放大电路中的反馈 自测题 一、已知交流负反馈由四种组态：A.电压串联负反馈；B.电压并联负反馈； C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈。选择合适答案填入下列空格内。 1.欲得到电流-电压转换电路，应在放大电路中引入( B )。 2.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入( C )。 3.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入( A )。 4.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入( D )。 二、判断图T6.2所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数uf A 或usf A 。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) 图T6.2 解：图(a)所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数分别为：13123F ui O R R u F i R R R = =++； 12313 O O L uf L I F u i R R R R A R u u R R ++==≈。 式中R L 为电流表的等效电阻。 图(b)所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电压放
大倍数分别为：21 F iu O i F u R = ≈-； 2111 O O O uf I I F u u u R A u i R i R R ==≈=- 图(c)所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电压放 大倍数分别为：1O uu F u F u = = 1O O uf I I u u A u u =≈= 图(d)所示电路中引入了正反馈。 三、电路如图T6.3 所示。 图T6.3 (1)正确接入信号源和反馈，使电路的输入电阻增大，输出电阻减小； (2)若20o u i U A U = =，则R f 应取多少千欧？ 解：(1)应引入电压串联负反馈，如解图T6.3所示。 (2)因1 120f u R A R ≈+ = ，故190f R k =Ω。 解图T6.3 四、已知一个负反馈放大电路的基本放大电路的对数幅频特性如图T6.4所示，反馈网络由纯电阻组成。试问：若要求电路稳定工作，即不产生自激振荡，则反馈系数的上限值为多少分贝？简述理由。
模电第一章习题解答
第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。 解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图
解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ， 验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2
解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。
模电总结复习资料模拟电子技术基础第五版样本
绪论 一. 符号约定 大写字母、大写下标表示直流量。如: V CE、I C等。 小写字母、大写下标表示总量( 含交、直流) 。如: v CE、i B 等。 小写字母、小写下标表示纯交流量。如: v ce、i b等。 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如: 等。二．信号 ( 1) 模型的转换 ( 2) 分类 ( 3) 频谱
二.放大电路( 1) 模型 ( 2) 增益
如何确定电路的输出电阻r o ? 三．频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称
为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素( 多子是空穴, 少子是电子) 。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素( 多子是电子, 少子是空穴) 。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度, 少子浓度与温度有关。 *体电阻---一般把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---经过改变掺杂浓度, 一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V, 锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通, 反偏截止。 8. PN结的伏安特性
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
作业1-2 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大