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电路与电子技术复习试题(部分答案)

一．单项选择题

1. 图示电路中,电流I ＝（ A ）。 A.–3 A B. 2 A

C. 3 A

D. 5 A

2. 图示电路中, 电压U ＝（ D ）。 A. 2 V B. 4 V

C. 6 V

D. 8 V

3. 图示电路中, 电流I ＝（ A ）。 A. 1 A B. 2 A

C. 3 A

D. 1/2 A

4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是（ D )。 A. U S

B. R

C. U S 和I S

D. I S

5. 图示电路中, 电压U ＝（ A ）。 A. 8 V B. －8 V

C. 16 V

D. －16 V

6. 图示无源单口网络电路中, ab 间等效电阻R ab =（ B ）。 A. R 1//R 2//R 3 B. R 1//R 3

C. (R 1+R 2)//R 3

。

D. (R 1+R 3)//R 2

7. 图示电路中, 电流I ＝（ B ）。 A. 5 A B. －5 A

C. 1 A

D. 2 A

8 . 图示一阶电路中,开关在t ＝0时闭合，电容初始电压u C （0+）= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V

D. 20 V

9. 图示电路中, 电压源单独作用时，电流I ＝（ B ）。

A. 0 A

B. 1 A

C. －1 A

D. 1.5 A

10. 图示电路中, ab 短路线中电流I ab = ( A ）。 A. 1 A B. 2 A

C. 3 A

D. -1 A

11. 图示电路中, 电流I ＝（ A ）。

A. –4A

B. 4A

C. –2A

D. –3A

12. 图示电路中, 电压U ＝（ C ）。 A. 3 V B. -3 V

C. -6 V

。。

D. 6 V

13. 图示电路, ab 间电压U ab = ( D )。 A. 8 V B. 7 V

C. 5 V

D. 3 V

14．稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ）

它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（ F ）状态。 A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 F 、截止

15．用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别

是（ C ），该管是（ D ）型。

A 、（

B 、

C 、E ） B 、（C 、B 、E ） C 、（E 、C 、B ）

D 、（NPN ）

E 、（PNP ） 16．对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。 A 、U0高 B 、P0大 C 、功率大 D 、Ri 大 E 、波形不失真 17．分析运放的两个依据是（ A ）、（ B ）。 A 、U-≈U+ B 、I-≈I+≈0 C 、U0=Ui D 、Au=1 18．单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ C ）Uz A 、0.45 B 、0.9 C 、1.2

19．共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。共射极放大电路的交流

输出波形下半周失真时为（ A ）失真。 A 饱和 B 截止 C 交越 D 频率二．填空题

1、用戴维南定理求等效电路的电阻时，对原网络内部电压源作_短路_处理，电流源作_开路_处理。

2、理想电压源输出的电压值恒定，输出的电流由它本身和外电路共同决定；理想电流源输出的电流值恒定，输出的电压由它本身和外电路共同决定。

3、已知正弦交流电压()

V 60314sin 22200

+=t u ，它的最大值为_311.08伏_，有效值为

_220伏_，角频率为_314弧度每秒_，相位为_314t+60°_，初相位为_60°_。

4、已知两个正弦交流电流A )90314sin(310A,)30314sin(100

1+=-=t i t i ，则21i i 和的相位差为_-120°_，_i 2_超前_i 1_。

6、电阻元件上的电压、电流在相位上是同相关系；电感元件上的电压、电流相位相差90°；且电压超前电流；电容元件上的电压、电流相位90°，且电压滞后电流。7．KCL体现了电路中电荷守恒的法则。

8．电路中，某元件短路，则它两端电压必为零。

9．电路中，某元件开路，则流过它的电流必为零。

10．若电路的支路数为b，节点数为n，则独立的KCL方程数为n-1。

11．在线性电路叠加定理分析中，不作用的独立电压源应将其短路。

12．实际电压源与理想电压源的区别在于实际电压源的内阻不为零。

13．电感元件能存储磁场能。

14．若电容上电压u与电流i为非关联参考方向，则u ，i 的瞬时VCR表达式为du

。

i C

15．正弦稳态电路中，电流超前电压－90°的元件是电感元件。

16．PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

17．漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

18．所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；

19．三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

20．三极管放大电路共有三种组态分别是（共集）、（共射）、（共基）放大电路。21．差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（差模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（共模）信号。

22．为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

23．共集电极放大电路具有电压放大倍数（近似略小于1），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

24．差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

25．晶体三极管具有放大作用时，发射结（正向偏置），集电结（反向偏置）。

26．P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。

27U2）。

28．空穴为（多数）载流子。自由电子为（少数）载流子的杂质半导体称为P型半导体。29．PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（正向偏置）反之称为（反向偏置）30．稳定二极管稳压时是处于（反向）偏置状态，而二极管导通时是处于（正向）偏置状态。31．晶体三极管的集电极电流Ic=(βIb) 所以它是（电流）控制元件。

32．当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（增加）所以Ic也（增加) 。

33．三相对称电源指得是三相电动势（大小相等）、（频率相同）、（相位相差120°）34．如果两个单口网络端口的电压和电流完全相同，则这两个单口网络等效。

三．判断题

1．叠加定理仅适用于线性电路求解电压和电流，而不能用来计算功率（对）

2、在运算电路中，集成运放的反向输入端均为虚地。（错）

3、凡是运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（错）

4、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗愈大。（对）

5.电源等效变换时电压源与电流源等效变换关系只对外电路而言，内电路是不等效的（对）

6、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（错）

7、只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。（错）

8、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（错）

9、在电路参数相同的情况下，半波整流电路输出电压的平均值是桥式整流电路输出电压平均值的一半。（错）

10.当一端口用戴维南等效电路或诺顿等效电路置换后端口以外的电路中的电压和电流均保持不变（对）

11、多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于末级的输出电阻。（对）

12、放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。（错）

13、乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。（对）

14、乙类互补对称功率放大电路中，输入信号越大，交越失真也越大。（错）

15、桥式整流电路中，交流电的正、负半周作用时在负载电阻上得到的电压方向相反。（错）

17、二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。（错）

18、乙类放大电路中若出现失真现象一定是交越失真。（错）

19、在电路参数相同的情况下，半波整流电路流过二极管的平均电流为桥式整流电路流过二

极管平均电流的一半。（错）

20、三极管放大电路中，设u b、u e分别表示基极和发射极的信号电位，则u b=U BEQ+u e 。（错）

21、对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。（错）

22、双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。

（错）

23、三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。（错）

四．简答题

1、什么是叠加定理，它的适用范围是什么？可否用来求功率，为什么？

答:在多个电源共存的线性电路中,各支路电流(或电压)等于各电源单独作用时在相应支路上产生的电流(或电压)的代数和.这就是叠加原理.它的适用范围是线性电路;不可以用来求功率,因为功率与电流的平方成正比,而非与电流成正比.

2、试述“电路等效”的概念。

答:在分析计算电路时,有时只需要计算某一支路的电流或电压,为简化计算通常使用戴维南等效电路,处理的方法是把待求支路移开,剩下的电路用一个电压源模型来代替,这时对待求支路而言,电压源模型和剩下的部分电路是等效电路;还有一种等效电路,即电压源和电流源等效电路,这两种电源等效是针对外电路而言,内电路是不等效的.

3、某电容器额定耐压值为450V，能否把它接在交流380V的电源上使用？为什么？

答:不可以,因为交流380V的电源电压最大值可达537V,远远超出电容的耐压值450V,如果接上去,会烧坏电容器.

4、试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时，三极管中的两个PN

结所具有的特点。

答:三极管工作在放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;

三极管工作在饱和状态:发射结反向偏置,集电结反向偏置;

三极管工作在截止状态:发射结正向偏置,集电结正向偏置.

5、什么是静态工作点？静态工作点对放大电路有什么影响？

答:要知道何为静态工作点首先要了解何为静态,所谓静态,就是指放大电路在没有交流输入信号的情况下,电路的工作状态,静态时,电路中的电压和电流都是直流量,在放大电路的输入和输出曲线上相对应的点即为静态工作点;静态工作点对放大电路能否正常工作影响很大,在输出曲线上,静态工作点不能太高,太高会导致放大电路产生饱和失真;

静态工作点不能太低,太低会导致放大电路产生截止失真,静态工作点最好设在放大区的中间位置,这样在小信号输入的情况下就可避免放大电路产生饱和或截止失真.

6、理想远算放大器有哪些特点？什么是“虚断”和“虚短”？

答:理想运算放大器的几个特点:

1.开环差模电压增益Aod=∞

2.差模输入电阻rid=∞

3.输入偏流I B1=I B2=I B=0

4.输出电阻r0=0

5.共模抑制比CMRR=∞

6.输入失调电压Uio、输入失调电流Iio、以及它们的温漂均为0

7．上限截止频率fH=∞

虚断:理想运放两个输入端电流都等于零,就好像这两个输入端被断开一样,但它们又没有被“真正”断开，这种现象称这个输入端被“虚断”

虚短:因为理想运放Aod=∞,只要运放还在线性区,就可以认为同相输入端与反相输入端电位相等,如同将这两端短路一样,而这两端又没有被“真正”短路,只是等效于短路,所以称同相输入端与反相输入端为“虚短”

7、如图为分压式偏置电路，说明该电路能够稳定静态工作点的原理。

U CC

T↑→I CQ↑→U E↑→U BE(=U B-U E)↓→I BQ↓→I CQ↓

五．计算题

1、电路如图所示，求流过R3的电流I

2、电路如图所示，求U

3、电路如图，开关S闭合前电路已处于稳态。t=0时S闭合，试求：t ≧0时电容电压u C 和电流i C、i1和i2。

4、如图所示电路中，设E=5V、v i=10sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出

电压v o的波形，并在波形上标出幅值。

5、电路如图，用叠加定理求各支路电流及电流源功率。

解: 电流源单独作用，

122126//6

I A '=?=++

1I ' ＝ 10A 3

I ' = 4I ' = 1

2I ' = 1A 电压源单独作用 3

363//6I A ''=-=-+

236232633I I A ''''==-?=-+

1I '' ＝－2

I '' ＝2A

I '' ＝2I ''－3I '' ＝－2－（－3）＝1A

叠加： I 1 = 1I ' + 1I '' = 10 + 2 = 12A

I 2 = 2

I ' + 2I '' = 2 –2 = 0

I 3 = 3

I ' + 3I '' = 1 – 3 = -2A I 4 = 4

I ' + 4I '' = 1 + 1 = 2A P 12A = - I 1·1?12 = - 144W

6、设图中各运放均为理想器件，试写出各电路的电压放大倍数A u f 表达式。

解:（a ）1

R R A uf -

= （b ）2

R R R A uf +=

7、放大电路如图所示，已知三极管的β=80，Ω=200'bb r ，U BEQ =0.7V ，各电容对交流的容抗近似为零。试：（1）求I CQ 、U CEQ ；（2）画出放大电路的小信号等效电路，求r be ；（3）求电压放大倍数A u =u o /u i 、输入电阻R i 、输出电阻R o 。

解: （1） A mA I BQ μ202

813000.7

10≈?-=

＋ I CQ =1.6mA U CEQ =6.8V

（2）小信号等效电路如图所示，图中 Ω≈Ω?

+Ω=k r b e 52.11.6

18200

（3）98.018152.11

81≈?+?=

u A Ω≈Ω?+=k k R i 7.64)]18152.1//(300[

Ω≈Ω=8.18]81

.1//

2[k R o 计算的最后结果数字： I CQ = 1.6mA ， I BQ =20μA ，U CEQ =6.8V ；

A u = 0.98，R i = 64.7k Ω， R o =18.8Ω

8、放大电路如下图所示，已知：VCC = 12 V，RB1 = 120 kΩ，RB2 = 39 kΩ，RC = 3.9 k

Ω，RE = 2.1 kΩ，RL = 3.9 kΩ，r be = 200Ω，电流放大系数β = 50，电路中电容容量足够大，要求：

1．求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( 设UBEQ = 0.6 V )；

2．求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。

3．去掉旁路电容CE，求电压放大倍数Au ，输入电阻Ri 。

9、图中β=30，r be =1k Ω, R b =300k Ω, Rc=R L =5k Ω, R e =2k Ω,U BE =0.7V, Vcc=24V 1．计算电路的静态工作点； 2．画出该电路的微变等效电路； 3．计算Au 、Ri 、Ro

1．

R R U V I e b BEQ

CC BQ μβ64)1(≈++-=

mA I I BQ CQ

9.1==β

V R R I V U e c CQ CC CEQ 7.10)(=+-≈

2．

3．

2.1)1()//(-=++-=e

be L c u

R r R R A ββ

Ω=++=K R r R R e be b i 52])1(//[β Ω==K R R c o 5

数字电路复习题及答案

数字电路复习题（注意：以下题目是作为练习和考试题型而设，不是考题，大家必须融会贯通，举一反三。） 1、逻辑电路可以分为组合逻辑电路电路和时序逻辑电路电路。 2、数字电路的基本单元电路是门电路和触发器。 3、数字电路的分析工具是逻辑代数（布尔代数）。 4、（50.375）10 = （110010.011）2 = （32.6）16 5、3F4H = （10010 ）8421BCD 6、数字电路中的最基本的逻辑运算有与、或、非。 7、逻辑真值表是表示数字电路输入和输出之间逻辑关系的表格。 8、正逻辑的与门等效于负逻辑的或门。 9、表示逻辑函数的4种方法是真值表、表达式、卡诺图、逻辑电路图。其中形式惟一的是真值表。 10、对于变量的一组取值，全体最小项之和为 1 。 11、对于任意一个最小项，只有一组变量的取值使其值为 1 ，而在变量取其他各组值时这个最小项的取值都是 0 。 12、对于变量的任一组取值，任意两个最小项之积为0。 13、与最小项ABC 相邻的最小项有C AB 、C B A 、BC A 。 14、组合逻辑电路的特点是输出端的状态只由同一时刻输入端的状态所决定，而与先前的状态没有关系（或输出与输入之间没有反馈延迟通路；电路中不含记忆元件）。 15、按电路的功能分，触发器可以分为 RS 、 JK 、 D 、 T 、 T ’。 16、时序电路可分为同步时序逻辑电路和异步时序逻辑电路两种工作方式。 17、描述时序电路逻辑功能的方法有逻辑方程组（含驱动方程、输出方程、状态方程）、状态图、状态表、时序图。 18、（251）10 =（）2 =（FB ）16 19、全体最小项之和为 1 。 20、按照使用功能来分，半导体存储器可分为 RAM 和 ROM 。 21、RAM 可分为动态RAM 和静态RAM 。 22、存储器以字为单位组织内部结构，1个字含有若干个存储单元。1个字中所含的位数（即存储单元的个数）称为字长。字数与字长的乘积表示存储器的容量。字数决定存储器的地址线的颗数，字长决定存储器的数据线的颗数。

(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题一、填空 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和掺杂性特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和漂移运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是恒定（或不变）的。 11．稳压管工作在反向击穿区。 12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和饱和失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的中点，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路静态工作点的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是温度变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和相频特性。 20．三极管阻容耦合电路的电压放大倍数与频率的关系称为幅频特性。 21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的相位移与频率的关系称为相频特性。 22．场效应管是一种电压控制的单极型半导体器件。 23．场效应管有两种类型：结型场效应管、绝缘栅场效应管。 24．最常用的绝缘栅场效应管为金属—氧化物—半导体（或MOS ）场效应管 25．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和耗尽型两类。 26．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为零点漂移（或零漂）。 27．温度对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和两个任意信号的输入。 29．通常采用共模抑制比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和输出级三部分组成。 31．理想运放的两个重要特性为：输入电流为零和两个输入端子间的电压为零。 32．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的连接方式，与取样对象无关。 33．自激振荡的起振时应满足 AF>1 33．交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ，典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001，对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分，存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（）V ，其输出高电平为（）V ，输出低电平为（）V ， CMOS 电路的电源电压为（） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（）根地址线，有（）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（）位。 11. ）；Y 3 ＝（）。

12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（）有效。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）（在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。

电子技术基础期末复习资料(含答案)。

11级电子技术基础期末复习资料一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须正偏、集电结必须反偏；三极管最重要的特性是具有电流放大作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) , 电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和时序________逻辑电路两大类。 19.F=A —— (B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将不允许（或不存在）。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将不允许（或不存在）。 21.基本数字逻辑关系有与、或、非三种。

(完整版)电子技术基础复习题及答案

电子技术基础一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（）（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）（A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度（） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（）

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上，它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒，角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压，倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕

电工与电子技术考试题库含答案

电工与电子技术试题一、填空题（每空1分） 1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关，而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向电压是______。 10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 13、作放大作用时，场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器

电子技术考题大全及答案(完整版)

习题【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。（c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载

数字电子技术复习题及答案

数字电子技术复习题及答案一、填空题 1、(238)10＝( )2 ＝( EE )16。2＝( )16＝( )10。 2、德?摩根定理表示为 B A +＝( B A ? ) , B A ?＝( B A + )。 3、数字信号只有（两）种取值，分别表示为（ 0 ）和（ 1 ）。 4、异或门电路的表达式是( B A B A B A +=⊕ )；同或门的表达式是( B A AB B A ?+=⊙ ) 。 5、组成逻辑函数的基本单元是（最小项）。 6、与最小项C AB 相邻的最小项有( C B A )、( C B A ? ) 和 ( ABC ) 。 7、基本逻辑门有（与门）、（或门）和（非门）三种。复合门有（与非门）、（或非门）、（与或非门）和（异或门）等。 8、 9、 10、最简与或式的定义是乘积项的（个数最少），每个乘积项中相乘的（变量个数也最少）的与或表达式。 11、在正逻辑的约定下，“1”表示（高电平），“0”表示（低电平）。在负逻辑的约定下，“1”表示（低电平），“0”表示（高电平）。 12、一般TTL 门电路输出端( 不能 )直接相连，实现线与。(填写“能”或“不能”) 13、三态门的三种可能的输出状态是( 高电平 )、( 低电平 )和( 高阻态 )。 14、实现基本和常用逻辑运算的(电子电路)，称为逻辑门电路，简称门电路。 15、在TTL 三态门、OC 门、与非门、异或门和或非门电路中，能实现“线与”逻辑功能的门为（OC 门），能实现总线连接方式的的门为（三态门）。 16、T TL 与非门的多余输入端不能接（低）电平。 17、 18、真值表是将输入逻辑变量的（所有可能取值）与相应的（输出变量函数值）排列在一起而组成的表格。 19、组合逻辑电路是指任何时刻电路的稳定输出，仅仅只决定于（该时刻各个输入变量的取值）。 20、用文字、符号或者数码表示特定对象的过程叫做（编码）。把代码的特定含义翻译出来的过程叫（译码）。在几个信号同时输入时，只对优先级别最高的进行编码叫做（优先编码）。 21、两个1位二进制数相加，叫做（半加器）。两个同位的加数和来自低位的进位三者相加，叫做（全加器）。 22、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路，称为(数值比较器)。 23、半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共(阳)极接法和共(阴)极接法。对于共阳接法的发光二极管数

电子技术试题及答案(

资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。只供学习与交流资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。只供学习与交流

电路复习题含答案

电路复习题含答案 This manuscript was revised on November 28, 2020

电路与电子技术复习试题部分答案

一．单项选择题 1. 图示电路中,电流I＝（A ）。 A.–3 A B. 2 A C. 3 A D. 5 A 2. 图示电路中, 电压U＝（D ）。 A. 2 V B. 4 V C. 6 V D. 8 V 3. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. 1/2 A 4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是（D )。 A. U S 。 B. R C. U S和I S D. I S 5. 图示电路中, 电压U＝（A ）。 A. 8 V B. －8 V C. 16 V D. －16 V 6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =（B ）。 A. R1//R2//R3 B. R1//R3 C. (R1+R2)//R3

D. (R1+R3)//R2 7. 图示电路中, 电流I＝（B ）。 A. 5 A B. －5 A C. 1 A D. 2 A 8 . 图示一阶电路中,开关在t＝0时闭合，电容初始电压u C（0+）= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V D. 20 V 9. 图示电路中, 电压源单独作用时，电流I＝（B ）。 A. 0 A B. 1 A C. －1 A D. 1.5 A 10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. -1 A 11. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. –4A B. 4A C. –2A D. –3A 12. 图示电路中, 电压U＝（C ）。 A. 3 V B. -3 V C. -6 V 。。

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电子技术基础课程复习题及答案

电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空 1、本征半导体中有空穴和两种载流子。自由电子 2、半导体有P型和两种类型。N型 3、PN结具有特性。单向导电 4、二极管按结构分有点接触型和接触型。面 5、差动放大电路的电路参数。对称 6、差动放大电路的目的是抑制。共模信号 7、反馈分有正反馈和反馈。负 8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。甲乙类 9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。第一只 10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。功率输出级 11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。模拟 12、过零电压比较器具有极高的。电压放大倍数 13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。选频网络 14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。正反馈量要足够大 15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。开关 16、逻辑代数又叫代数。二值布尔 17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。逻辑非 18、卡诺图所有的最小项之和为。1 19、数字集成器件民用品标为系列。74 20、集成逻辑门是最基本的。数字集成器件 21、反相器就是实现的器件。逻辑非 22、编码是的逆过程。译码 23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。当前输入 24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。集成寄存器 25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。N进制 26、一个触发器可以存放位二进制数。1 27、多谐振荡器又称。方波发生器 28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。单稳态触发器 29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。CMOS 30、读写存储简称。RAM 31、只读存储器简称。ROM 二、单选选择题 1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。D A、二 B、三 C、四 D、五 2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。B A、二 B、三 C、四 D、五 3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。C A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。B A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 5、在N型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。A A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 6、锗二极管正向导通的条件是( )。B A、U b= B、U b = C、U b = D、 U b = 7、硅二极管正向导通的条件是( )。A A、 U b= B、U b = C、 U b = D、U b = 8、二极管正向导通时的电阻R D ( )。A A、很小 B、很大 C、等于1k D、无法确认 9、二极管反向导通时的电阻R D ( )。B A、很小 B、很大 C、等于1k D、无法确认 10、晶体二极管最显著的特性是( )。C A、开关特性 B、信号放大特性 C、单向导通特性 D、稳压特性 11、稳压管的稳压区是其工作在（）。C A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、反向截止或击穿 12、测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=2V，U2=6V，U3=，则该三极管各管脚的名称是( )。B A、1脚为c，2脚为b，3脚为e B、1脚为e，2脚为c，3脚为b C、1脚为b，2脚为e，3脚为c D、1脚为b，2脚为c，3脚为e 13、若晶体三极管工作在截止状态，则以下符合的条件为( )。C A、U CE < U BE B、U CE > U BE C、I B=0 D、I C=0 14、晶体三极管有( )种工作状态。C A、1种 B、2种 C、3种 D、4种 15、若测得U CE > U BE，则可以判断三极管处于（）状态。A A、放大 B、饱和 C、截止 D、短路 16、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。B A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏 D、前者反偏、后者正偏 17、晶体三极管的重要特性是( )。A A、电流放大作用 B、电压放大作用 C、功率放大作用 D、电能流放大作用 18、晶体三极管由（）构成。A A、三个半导体区和两个PN结 B、两个半导体区和三个PN结 C、四个半导体区和三个PN结 D、三个半导体区和三个PN结 19、在放大电路中，三极管静态工作点用（）表示。 B A、I B、I C、V CE B、 I B、I C、U CE C、 i B、i C、V CE D、 i b、i c、u ce 20、晶体管三个电极的电流关系为（）。B A、I C=I E+I B B、I E = I C +I B C、 I B =I E+ I C D、I E =I B 21、电力场效应晶体管中主要类型是（）。B A、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型 22、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。D A、栅极 B、源极 C、基极 D、漏极 23、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。C A、可变电阻区 B、截止区 C、饱和区 D、击穿区 24、集成放大器之间均采用（）耦合。A A、直接 B、电容 C、电阻 D、变压器

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