AT28C64中文资料
AT28C64B 64Kbit,并行EEPROMs 存储器AT28C64B 器件操作
(1)ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片读操
作ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片读操
作访问就像使用静态RAM 一样,当CE 和OE 为低电
平,WE 为高电平,由地址引脚上电平决定的存储单元
中的存储的数据就被读出。无论何时CE 或OE 为高
电平时,AT28C64B 输出引脚上都呈高阻状态。
AT28C64B 这种双信号控制机制给设计者防止总线冲
突带来灵活性。
(2)ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片后备
状态CE 信号是芯片选择控制信号,实际上同时也作为电源控制信号。当其为高电平时,ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片就进入低功耗后备状态。这时ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片输出呈高阻状态,并与OE 信号无关。(3)ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片数据保护为
了确保数据的完整性和安全性,持别是在上电和掉电过渡过
程中,可以用以下方法实现数据保护：
①利用内部检测电路对电源电压Vcc 进行检测,当ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片检测到的电压低于规定的阂值时,AT28C64B 就禁止内部非易失性编程操作的初姑化。当达到阂值电压时,AT28C64B 芯片在允许字节写入之前将自动输出5阳的定时脉冲。
②ATMEL 爱特梅尔AT28C64B 程序存储器芯片片内有一个丽信号滤波电路,可以防止而信号负脉冲从初姑化到写入周期所持续的时间小于10ns。
③ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片在上电和掉电期间,通过保持WE或CE 为高电平,或者OE为低电乎都可以封锁字节写入周期。
(4)ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片写操作把数据写入AT28C64B芯片类似于静态RAM的操作,当OE为高电平、WE或CE为低电平时,相对应的CE或WE信号为低电平,就对字节写入操作进行韧始化。在后出现信号CE或WE的下降沿地址信息被锁存,上升沿锁存新的数据和控制信号(CE和OE)。在内部写入之前AT28C64B芯片会自动擦除,如果字节写操作已经开始,AT28C64B芯片会启动内部自定时完成。一旦编程操作被初始化后,在twc期间,执行读操作即为查询操作。
(5)并行接口EEPROM存储器AT28C64B整片擦除的方法
有的EEPRoM芯片(例如MicrocLhlP公司的芯片)有整片摈除功能,即把所有恢都清除成"1"。方法是在OE端加上12v电压,同时使CE和WE都为低电平,就可清除所有的数据。
(6)ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片DATA查询AT28C64B芯片可以提供DATA查询位作为写入周期完成的信号。在写入周期过程中,可以通过不断对I／O7位(I／O0—I／O6的输出是不确定的)不断读出以判断内部编程是否结束,只有当写入周期完成,其输出的数据就是真正写入的数据。利用这个功能可以通过简单地读／比较操作来确定芯片的工作状态。
(7)ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片擦除当在OE引脚上施加12v高压的情况下,同时CE和WE为低电平持续10ms,芯片中所有数据位都会被清除成全“1”。但是这个操作不能清除另外安排的32B的识别码。
(8)ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片识别AT28C64B芯片还有额外的32B 用于芯片识别。当在A9,引脚上施加12V(+-5V)时。对地址为7E0H到7FFH的存储单元进行访问,可以写入或者读出这32个识别字节。
并行接口EEPROM的数据保护
使用EEPRoM器件最关心的问题是数据的安全性。在不采取任何预防措施的情况下,待别是在系统上电和掉电时。很可能会发生意外的误写入。为了确保数据的
安全性,很多EEPROM芯片在内部硬件电路上考虑了保护措施,有部分型号的EEPRoM 还增加了相应的软件数据保护方法。
①ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片内部Vcc电压检测ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片利用片内电压检测电路对Vcc进行监测,当Vcc低于某一阀值时．便封锁内部编程电路。不同厂家的电压阂值是不同的,例如Intel公司的典型阔值是3v,Mcrochlp公司的闭值是3.3v,Atmel公司的典型阂值是3.8v。
②ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片写禁止数据保护只要满足CE＝Vih或OE＝Vil,或WE＝Vih三个条件中的任意一个,就处于写禁止状态。这种模式提供了最大限度的系统数据保护方案,特别是在上电和掉电时可以防止由于噪声的干扰而引起的意外误写。
③ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片WE滤波电路利用滤波电路滤除进入WE引脚上的脉宽小于10ns的干扰脉冲,以减少窄脉冲干扰引起的误写入。例如Microchip公司的EEPRoM芯片有此数据保护功能。
④ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片工作电源Vcc上电延迟：
Atmel公司的EEPROM具有此功能．即当电源电压Vcc达到其阂值3.8V时入操作前,会自动延迟一段时间(典型值是5ms)起作用。
⑤ATMEL爱特梅尔AT28C64B程序存储器芯片软件数据保护(SDP—SofWare Data Protection)
在Atmel公司新近推出的EEPRoM芯片(例如AT28C64B、AT28C256、AT28C010、AT28c040等)中增加了此软件数据保护功能。用户可以通过发三个持定字节的写命令到三个指定地址的单元中去,写入三个命令等待tWC时间后,这时整个芯片就处于写禁止状态,而不会被意外改写,如果需要改写EEPRoM的内容,可以再写一次同样的三个字节的写命令,就又可以恢复进行字节或页写入操作。一旦设置了sDP功能,只要不取消,就会一直保持住,即使上电和掉电也不会影响它,所以这种AT28C64B芯片具有很好的上电和掉电数据保护功能。需要指出,其所有的命令序列都必须服队页写入定时持性,而实际上设置或者取消sDP功能的命令并没有真正写入器件的单元,那些地址单元仍然可以用字节方式或页方式写入用户的数据。
在设置sDP功能后。如果进行写入操作,照样可以启动内部的写操作定时,但是实际
上不会写入任何数据。在此期间．读操作是有效的软件访问查询核对(Polling)操作。
AT28C64特点简介
AT28C64(A)／AT28C64是一种采用NMos／CMOS工艺制成的8K×8位28引脚的可用电接除可编程只读存储器。其读写像SRAM操作一样,不需要外加任何元器件。读访问BtI司可为45ns一450ns,在写入之前自动擦除。有部分芯片具有两种写入方式,一种是像28(c)17一样的字节写入方式．还有另一种页写入方式。允许在一个写周期内同时对1个字节到一页的若干字节进行编程写入．一页的大小取决于芯片内页寄存器的大小。Intel公司早期的2864A的页寄存器为16B,而HIta小i 公司的HN58C65页寄存器为32B,ATMEL爱特梅尔公司的AT28C64的页寄存器为64B。目前一般一个字节的接除和写访问时间为200哗或1M,而最大页写入周期(包括擦除和写入)时间不超过10ms,典型的擦除州司为5M。
ATMEL爱特梅尔并行接口EEPROM程序存储器芯片AT28C64采用单一电源十5v 士o.1V,低功耗工作电流30mA,备用状态时只有100PA出,与TTL电平兼容。
一般商业品工作温度范围为0℃——+70℃,工业品为-40℃——+85℃。
28c64和2864(A)根据不同厂家的产品,有的增加了一种检测写周期结束的方法．利用增加的引脚RDY／BUSY来表示写操作什么时候完成。当写操作开始后,RDY ／BUSY输出为低电平,这时数据输出线呈高阻状态,其目的是由于写操作时间相对很长、利用这段时间微处理器可以处理其他任务。当写操作结束时*RDY店面万输出高电平,指示微处理器可以进行新的读写访问。增加RDY屑百万输出信号线后,可以简化写操作结束检测的设计,否则需要采用硬件定时逻辑或软件延时循环来实现此功能。
AT28C64B是AT28C64的改进型芯片,它比AT28C64增加了页面写入功能、硬件和软件数据保护功能。
2864(A)是In舵1或Seeq公司的NM帕产品,与其兼容的芯片型号有Am2864B1Am9864、口E64K8、Xt2864A、x2864A等。AT28C64是ATMEL爱特梅尔公司的CMOS产品．与其兼容的芯片型号有Microchip公司的28C64A、Seeq公司的28C64、C则aly引公司的CA丁28C641Httachi公司的HN58C65、EXEL公司的xLS48C64和XL28C64A、FM；sM公司的MBM28C64、0ki公司的MSM28C64、NEC公司的yPD28C64C等。ATMEL爱特梅尔公司的A丁28HC64(B)是高速芯片(读访问时间
为55ns)。AT28LV64是3V工作电压芯片,AT28LV64B则是3V工作电压且带有数据保护功能的芯片。AT28C64B是AT28C64的改进型芯片,AT28C64B比AT28C64增加了页面写入功能、硬件和软件数据保护功能。
AT28C64B订购型号