IC知识培训
IC知识简介
1947年第一颗电晶体发明成功，结束了真空管的时代，而1958年TI成功开发出全球第一颗IC，又宣告电晶体的时代结束，IC的时代由此正式开始。从此开始各式IC不断被开发出来，集成度也不断提升，面积也越来越小，而功能则越来越多，性能和可靠性越来越好，这为当今社会的快速发展，起了很大的作用。IC具有集成度高、体积小、可靠性高、成本低等特点，是继电子管、晶体管之后的第二代电子器件。
根据内部电路的规模，集成电路可分为以下几类：
1、小规模集成电路：内部只有100个元件以下或10个逻辑门以下的集成电路称为小
规模集成电路；
2、MSI（中规模集成电路）：内部元件数在100个以上、1000个以下，或逻辑门在10
个以上、100个以下的称为中规模集成电路；
3、LSI（大规模集成电路）：内部有1000─10000个元件，或逻辑门在100－1000个
的集成电路称大规模集成电路（LSI）；
4、VLSI（超大规模集成电路）：内部元件数在10000－100000以上的集成电路成为超
大规模集成电路。
IC的温度范围主要有以下几种：
C=0℃至+70℃(商业级)
I=-20℃至+85℃(工业级)
E=-40℃至+85℃(扩展工业级)
A=-40℃至+85℃(航空级)
M=-55℃至+125℃(军品级)
IC封装
前言
对于CPU，大家已经很熟悉了，相信你可以如数家珍似地说出各款的型号特点。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，真正熟悉的人便寥寥无几。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电器性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。芯片通过导线连接到封装外壳的引脚，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对于集成电路来说起着重要的作用。
封装技术概论
人类迈入了21世纪，可以说今后世界的发展都是建立在电子工业的基础上，而电子工业的基础则是IC制造技术。芯片封装技术的目的在于赋予IC芯片一套组织架构，使其能够发挥稳定的功能。以芯片的整个制造过程而言，芯片封装技术属于产品后期的制造技术，因此常被认为仅仅是芯片电路制造技术的配角之一。事实上，封装技术的范围涵盖广泛，它应用了物理、化学、机械、材料、机电等等知识，也使用了金属、陶瓷、高分子等各种各样的材料。在微电子领域中对芯片的功能要求越来越高，对芯片的使用环境越来越苛刻。开发芯片封装技术的重要性不亚于芯片制造技术和其他微电子相关技术，故世界上各大微电子公司都争相研发新一代的封装方式，以求得技术的领先。
封装的主要生产过程包括：晶圆切割，将晶圆上每一晶粒加以切割分离；粘晶（Die-Attach），将切割完成的晶粒放置在导线架上；焊线（Wire Bond），将晶粒信号接点用金属线连接至导线架上；封胶，将晶粒与外界隔绝；剪切/成型，将封胶后多余的残胶去除，并将导线架上IC加以剪切成型；印字，在IC表面打上型号、生产日期、批号等信息；检测，测试芯片产品的优劣。
集成电路的封装材料主要有三种：塑料、金属以及陶瓷。
封装在IC制造流程中的位置
怎样衡量一个芯片封装技术是否先进呢？首先，要看芯片面积与封装面积之比，其比值越接近1越好。当然这个比值永远也不可能等于1，那应该称作“裸晶”。例如以采用40引脚的塑封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/15.24×50=1/85，离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。接着要看引脚的设计。理论上来说引脚要尽量的短，以减少信号延迟；引脚间的距离要尽量远，以保证互不干扰。但随着晶体管集成的数量越来越庞大，单一芯片中附加的功能越来越多，引脚的数目正在与日俱增，其间距也越来越小。引脚的数量从几十，逐渐增加到几百，今后5年内可能达2000。基于散热的要求，封装越薄越好。随着芯片集成度的提高，芯片的发热量也越来越大。除了采用更为精细的芯片制造工艺以外，封装设计的优劣也是至关重要的因素。设计出色的封装形式可以大大增加芯片的各项电器性能。如比较小的阻抗值、较强的抗干扰能力、较小的信号失真等。
芯片的封装技术经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM。技术指标和电器性能一代比一代先进。下面就给大家介绍芯片的各种封装技术。
1、DIP封装
在20世纪70年代流行的是双列直插封装——DIP(Dual In－line Package)，是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片。绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚一般不超过100个，是Intel的8位和16位处理芯片采用的封装方式。缓存芯片、BIOS芯片和早期的内存芯片也使用这种封装形式，它的引脚从两端引出，需要插入到专用的DIP芯片插座上。当然，也可以直接在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。后来衍生的DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP。封装的材料也是多种多样，含玻璃陶瓷封装、塑料包封装、陶瓷低熔玻璃封装等。DIP封装适合焊接在早期的单层PCB电路板上，采用穿孔焊接方式，操作方便。但由于芯片面积与封装面积之间的比值较大，所以体积也较大，同时发热量也很高。
DIP封装具有以下特点：
模拟IC设计进阶教学大纲
《模拟IC设计进阶》教学大纲 第一章模拟IC设计进阶课程内容简介（2学时） 1. 低功耗蓝牙（BLE）Transceiver系统结构 2. 射频Transceiver中低频模拟电路介绍 3. CMOS工艺有源及无源器件介绍 4. gm/Id设计方法介绍及曲线仿真 5. Bandgap电路仿真及版图设计 6. LDO电路仿真及版图设计 7. 有源低通滤波器（LPF）仿真及版图设计 8. Cadence软件64bit仿真环境配置 9. 虚拟机平台使用及课程设计资料导入 第二章 CMOS工艺有源及无源器件介绍（1学时） 1. MOS晶体管 2. BJT晶体管 3. 各类电阻 4. MIM电容和MOM电容 5．平面螺旋电感 6．变容二极管和变容MOS管 第三章 gm/Id设计方法介绍及曲线仿真（1学时） 1. 基于查找表方式的gm/Id设计理念介绍 2. 固定L的gm/Id曲线仿真 3. ocean脚本仿真gm/Id曲线族 第四章 Bandgap电路仿真及版图设计（6学时） 1. Bandgap参考电路基本原理分析 2. 电路原理图设计 2.1 Bandgap核心电路搭建
2.2 Bandgap中运算放大器搭建 2.3 Bandgap启动电路设计 3．电路原理图仿真方法 3.1 dc仿真及直流工作点查看 3.2 dc仿真温度参数扫描及温漂计算 3.3 stable稳定性仿真闭环参数及频率补偿 3.4 ac电源抑制比仿真 3.5 noise仿真噪声分析 4．可靠性设计 4.1 输入电压范围仿真 4.2 工艺偏差corner仿真 4.3 tran瞬态启动过程仿真 5. Bandgap版图设计 5.1 版图布局设计 5.2 差分对、电流镜、BJT、电阻版图匹配设计 5.3 版图连线、Multipart Path及guardring设计 6. calibre版图验证 6.1 drc及天线效应验证 6.2 lvs验证 7. 电路后仿真优化 7.1 calibre寄生参数提取 7.2 电路后仿真方法 第五章 LDO电路仿真及版图设计（4学时） 1. LDO电路基本原理分析 2．LDO电路原理图设计 2.1 运算放大器设计 2.2 动态偏置源极跟随buffer设计 2.3 功率管及片外滤波电容设计 3．电路原理图仿真
集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介
IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。 前端设计的主要流程： 1、规格制定 芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码 使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证 仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基
常用电子元器件培训资料
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家规范，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
(整理)集成电路IC知识
集成电路IC常识 中国半导体器件型号命名方法 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 日本半导体分立器件型号命名方法 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。 集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准 原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平； H：HTTL；（三位数字） B ：塑料扁平； E：ECL； C：陶瓷双列直插； I：I-L； D：塑料双列直插； P：PMOS； Y：金属圆壳； N：NMOS； F：金属菱形； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。 原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平； H：HTTL；（器件序号）E ：（-40~85）℃；B：塑料扁平； E：ECL； R：（-55~85）℃；F：全密封扁平； C：CMOS； M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插； F：线性放大器； P：塑料双列直插； D：音响、电视电路； J：黑瓷双理直插； W：稳压器； K：金属菱形； J：接口电路； T：金属圆壳； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H 系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列； 原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平； H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平； E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平； C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插； M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插； U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插； F：线性放大器；54/74SXXX； S：塑料单列直插； W：稳压器；54/74LSXXX； T：金属圆壳； D：音响、电视电路；54/74ASXXX； K：金属菱形； B：非线性电路；54/74ALSXXX； C：陶瓷芯片载体； J：接口电路；54/FXXX。 E：塑料芯
电子元件基础知识培训考试试题及答案
电子元件基础知识考试试题 部门：姓名：分数： 一、单项选择题：（每题2分，共30分） 1、二极管在电路板上用( B ) 表示。 A、C B、D C、R 2.、一色环电阻颜色为：红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C)。 A、200Ω B、20K C、200K 3、47KΩ±1%电阻的色环为( C )。 A、黄-紫-橙-金 B、黄-紫-黑-橙-棕 C、黄-紫-黑-红-棕 4、电感线圈的单位符号是( B)。 A.L B.H C.R 5、下图所示的二极管，描述正确的是( B )图。 A、黑色端代表正极 B、黑色端代表负极 C、以上描述都不对 6、电容量的基本单位是（ C ） A.欧姆 B.亨利 C.法拉 7、电容器上面标示为107，容量应该是（ B ） A.10μF B.100μF C.1000μF 8、4环色环电阻第四环颜色是银色，对应的误差多少？( B ) A.5% B.10% C.15% 9、前四环为棕黑黑红的五环电阻标值为多少？（ B ） A.100欧姆 B.10K欧姆 C.1K欧姆 10、贴片电阻的阻值为5.1K，那么上面的标号应该为( B ) A.511 B.512 C.513 11 、电容的单位换算正确的是( C ) A.1F=1000000μF B. 1μF =1000000pF C.以上都是 12、电阻按照封装来分非为:( A ) A.贴片电阻，插件电阻 B.水泥电阻，功率电阻 C.色环电阻，标码电阻 13、电感的单位换算正确的是( A ) A.1H=1000,000uH B.1H=1000,000，000uH C.1mH=1000,000uH 14、如何判断发光二极管的管脚极性？( A ) A.发光二极管的长脚为正极 B.发光二极管的长脚为负极 C.有的二极管有环状标志的一端是正极 15、贴片电阻的封装是:( A ) A.0805 B.SOT-23 C.TO-92 二、填空题：（每空1分，共30分) 1. 电阻用字母R 表示，电阻的基本单位是Ω或者（欧姆）,电容用字母 C 表示。 2. 电容的基本单位是 F 或者(法拉) ，二极管用字母 D 表示，IC用字母U 表示。 3. 为保护静电敏感元件，在人接触静电敏感元件时要：穿防静电衣，戴防静电帽，戴防静电手环。 4、配戴静电环时必须戴紧。对静电敏感元件有IC ，,晶体管等。（至少写一种）
模拟ic设计的九个级别
模拟IC设计的九个级别【转载】 来源：徐雅杭的日志 一篇好文章, 摘录于此,以示激励. 一级 你刚开始进入这行，对PMOS/NMOS/BJT什么的只不过有个大概的了解，各种器件的特性你也不太清楚，具体设计成什么样的电路你也没什么主意，你的电路图主要看国内杂志上的文章，或者按照教科书上现成的电路，你总觉得他们说得都有道理。你做的电路主要是小规模的模块，做点差分运放，或者带隙基准的仿真什么的你就计算着发文章，生怕到时候论文凑不够。总的来说，基本上看见运放还是发怵。你觉得spice是一个非常难以使用而且古怪的东西。 二级 你开始知道什么叫电路设计，天天捧着本教科书在草稿纸上狂算一气。你也经常开始提起一些技术参数，Vdsat、lamda、early voltage、GWB、ft之类的。总觉得有时候电路和手算得差不多，有时候又觉得差别挺大。你也开始关心电压，温度和工艺的变化。例如低电压、低功耗系统什么的。或者是超高速高精度的什么东东，时不时也来上两句。你设计电路时开始计划着要去tape out，虽然tape out看起来还是挺遥远的。这个阶段中，你觉得spice很强大，但经常会因为AC仿真结果不对而大伤脑筋。 三级 你已经和PVT斗争了一段时间了，但总的来说基本上还是没有几次成功的设计经验。你觉得要设计出真正能用的电路真的很难，你急着想建立自己的信心，可你不知道该怎么办。你开始阅读一些JSSC或者博士论文什么的，可你觉得他们说的是一回事，真正的芯片或者又不是那么回事。你觉得Vdsat什么的指标实在不够精确，仿真器的缺省设置也不够满足你的要求，于是你试着仿真器调整参数，或者试着换一换仿真器，但是可它们给出的结果仍然是有时准有时不准。你上论坛，希望得到高手的指导。可他们也是语焉不详，说得东西有时对有时不对。这个阶段中，你觉得spice虽然很好，但是帮助手册写的太不清楚了。 四级 你有过比较重大的流片失败经历了。你知道要做好一个电路，需要精益求精，需要战战兢兢的仔细检查每一个细节。你发现在设计过程中有很多不曾设想过的问题，想要做好电路需要完整的把握每一个方面。于是你开始系统地重新学习在大学毕业时已经卖掉的课本。你把能能找到的相关资料都仔细的看了一边，希望能从中找到一些更有启发性的想法。你已经清楚地知道了你需要达到的电路指标和性能，你也知道了电路设计本质上是需要做很多合理的折中。可你搞不清这个“合理”是怎么确定的，不同指标之间的折中如何选择才好。你觉得要设计出一个适当的能够正常工作的电路真的太难了，你不相信在这个世界上有人可以做到他们宣称的那么好，因为聪明如你都觉得面对如此纷杂的选择束手无策，他们怎么可能做得到？这个阶段中，你觉得spice功能还是太有限了，而且经常对着"time step too small"的出错信息发呆，偶尔情况下你还会创造出巨大的仿真文件让所有人和电脑崩溃。 五级 你觉得很多竞争对手的东西不过如此而已。你开始有一套比较熟悉的设计方法。但是你不知道如何更加优化你手头的工具。你已经使用过一些别人编好的脚本语言，但经常碰到很多问
SMT贴片_SMT电子元件培训教程
SMT电子元件部分 一 SMT元器件分类 1. 片状元件: 1)片状电阻 第三位: 10的倍数 第二位: 第二位数 0 第一位: 第一位数 1 该电阻阻值为: 10 X 10 2 = 1000 (欧姆) = 1 (千欧姆) (误差值为 + 5%) 1K = 1000 计算方法: 第一. 二位表示乘值﹐ 第三位表示乘数 (即10的几次幂﹐在1后面加几个零)﹐ 表面上有三位数字的片状电阻误差值为 + 5%。 ※ SMT片状电阻三位数字的误差值一般为 + 5%﹐一般为普通电阻。 第四位: 10的倍数 1 0 2
第三位: 第三位数 5 第二位: 第二位数 2 第一位: 第一位数 8 该电阻阻值为: 825 X 10 1 = 8250 (欧姆) = (千欧姆) (误差值为±1%) 片状电阻四位数字的误差值一般为 + 1%﹐一般为精密电阻。 第四位: 小数点后第二位数 第三位: 小数点后第一位数 第二位: R表示小数点 第一位: 第一位数 该电阻阻值为: 欧姆 第四位: 小数点后第三位数 第三位: 小数点后第二位数 1 R 0 0 R 0 3 3
第二位: 小数点后第二位数 第一位:R表示小数点 该电阻阻值为: 欧姆 请计算下列几种SMT电阻的阻值 特殊的SMT电阻: 该电阻阻值为: 100 K 欧姆该电阻阻值为: 357欧姆
2 ) 片状电容: 外观及内部结构示意图 內部電极 外部電极 陶瓷基材 B.特点:外观主体一般呈灰黄色,为陶瓷基体, 端电极结构(镀层)与片状电 阻为陶瓷基体, 端电极结构(镀层)与片状电阻的一样, 内部电极层 数由电容值决定, 一般有10多层. C. 片状电容的电容量没有标识在元件体上,只标识在PASS纸上、 或厂家招纸上,以及用仪器测量(如万用表)。
集成电路ic封装种类、代号、含义
【引用】集成电路IC封装的种类、代号和含义 2011-03-24 15:10:32| 分类：维修电工| 标签：|字号大中小订阅 本文引用自厚德载道我心飞翔《集成电路IC封装的种类、代号和含义》 IC封装的种类,代号和含 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat PACkage with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等 多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded Chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。 此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(Chip on board) 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dual flat PACkage) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本 上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic PACkage) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
电子元件基础知识培训知识
常用电子元件基础知识(图解) 一．电容篇 1.电容器俗称电容，我们常用“C”来表示。它是在两个金属电机之间夹了一层电介质构成。所以它具有了存储电荷的能力。所以在理论上，它对直流电流具有隔断的作用，而交流电流则可以通过，随着交流频率越高，它通过电流的能力也越强。一些常用电容器外观见图1。 图(1) 电容在电子线路中也是广泛应用的器件之一。我们多采用它来滤波、隔直、交流耦合、交流旁路等，也用它和电感元件一起组成振荡电路。 2.电容的分类： （1）瓷片电容：体积特别小，高频损耗少，耐高温，价格低廉，容量小普遍应用 （2）涤纶电容：体积小，容量大 （3）电解电容：容量特别大，有极性。 （4）铝电解电容：漏电大，容量不准确。钽电解电容性能好但价格高，耦合、滤波 （5）云母电容：性能稳定，耐高温、高压。高频性能好 （6）纸介电容：体积较小，容量较大、价格低高频性能较差 我们在大多数的电子制作中，经常应用的是瓷片电容和电解电容。 （7）按照结构的不同，我们将容量固定的电容称为固定电容，而可以调节的称为可调或半可调电容。普通收音机选台的就是使用可变电容。 用图2的符号来表示固定电容，用图3的符号来表示半可变电容，图4表示可变电容，图5表示
电解电容：一般容量比较大，从1UF到10000UF都比较常见，它是有正负极之份的电容元件，在使用中正极节高电位端，负极接低电位端，不能够反接。电解电容又分为铝电解、钽电解、铌电解，市面常见的是前两种，其中钽电解常被一些音响发烧友用于音响系统。电解电容我们常用图6的符号表示。 图6：电解电容的标示符号图片 3.电容的主要性能参数： 1、电容标称容量。描述电容容量大小的参数，单位为“法（F）”。在实际应用中，以“法”出现的电容很少见到，我们常用的、常见的是其他拓展单位：“微法”（μF）和“皮法”(pf)，“钠法”（nf）。其单位换算公式： 1F=1,000,000μF (106μF)=1,000,000,000,000pF (1012pF) 1uF=1000nF(103nF) 1nF=1000pF(103pF) 2、耐压。也叫额定工作电压。是指电容规定的温度范围内，它能够长期可靠工作承受的加在它两极的最高电压。又区分为直流工作电压和交流工作电压。这个指标当然是越高越好，在其他性能一样的情况下，高耐压的可以直接替代低耐压的，反之则不能。 3、漏电电阻。电容中的电介质不是绝对绝缘的，当通上直流电的时候，或多或少地会有电流的通过，我们称之为漏电。当漏电情况教大时，电容发热甚至会导致电容损坏。 4.电容的规格标注方法： 我们在实际应用过程中，常常需要对电容的容量和其它参数进行选择。电容的容量标注方法同电阻一样，也是采用直标法（数字直接表示）和色标法两种。但直标法需要注意的是有一些这样的差异：
【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解
【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解 电子专业英语术语 ★rchitecture（结构）：可编程集成电路系列的通用逻辑结构。 ★ASIC（Application Specific Integrated Circuit－专用集成电路）：适合于某一单一用途的集成电路产品。 ★ATE（Automatic Test EQUIPment－自动测试设备）：能够自动测试组装电路板和用于莱迪思ISP 器件编程的设备。 ★BGA（Ball Grid Array－球栅阵列）：以球型引脚焊接工艺为特征的一类集成电路封装。可以提高可加工性，减小尺寸和厚度，改善了噪声特性，提高了功耗管理特性。 ★Boolean Equation（逻辑方程）：基于逻辑代数的文本设计输入方法。 ★Boundary Scan Test（边界扫描测试）：板级测试的趋势。为实现先进的技术所需要的多管脚器件提供了较低的测试和制造成本。 ★Cell-Based PLD（基于单元的可编程逻辑器件）：混合型可编程逻辑器件结构，将标准的复杂的可编程逻辑器件（CPLD）和特殊功能的模块组合到一块芯片上。 ★CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor－互补金属氧化物半导体）：先进的集成电路★加工工艺技术，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。CMOS 是现在高密度可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★CPLD（Complex Programmable Logic Device－复杂可编程逻辑器件）：高密度的可编程逻辑器件，包含通过一个中央全局布线区连接的宏单元。这种结构提供高速度和可预测的性能。是实现高速逻辑的理想结构。理想的可编程技术是E2CMOS?。 ★Density （密度）：表示集成在一个芯片上的逻辑数量，单位是门（gate）。密度越高，门越多，也意味着越复杂。 ★Design Simulation（设计仿真）：明确一个设计是否与要求的功能和时序相一致的过程。★E2CMOS?（Electrically Erasable CMOS－电子可擦除互补金属氧化物半导体）：莱迪思专用工艺。基于其具有继承性、可重复编程和可测试性等特点，因此是一种可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★EBR（Embedded BLOCk RAM－嵌入模块RAM）：在ORCA 现场可编程门阵列（FPGA）中的RAM 单元，可配置成RAM、只读存储器（ROM）、先入先出（FIFO）、内容地址存储器（CAM）等。 ★EDA（Electronic Design Automation－电子设计自动化）：即通常所谓的电子线路辅助设计软件。 ★EPIC （Editor for Programmable Integrated Circuit－可编程集成电路编辑器）：一种包含在★ORCA Foundry 中的低级别的图型编辑器，可用于ORCA 设计中比特级的编辑。★Explore Tool（探索工具）：莱迪思的新创造，包括ispDS+HDL 综合优化逻辑适配器。探索工具为用户提供了一个简单的图形化界面进行编译器的综合控制。设计者只需要简单地点击鼠标，就可以管理编译器的设置，执行一个设计中的类似于多批处理的编译。 ★Fmax：信号的最高频率。芯片在每秒内产生逻辑功能的最多次数。 ★FAE（Field Application Engineer－现场应用工程师）：在现场为客户提供技术支持的工程师。 ★Fabless：能够设计，销售，通过与硅片制造商联合以转包的方式实现硅片加工的一类半导体公司。
SMT电子元件培训教程
SMT 电子元件部分 一 SMT 元器件分类 1. 片状元件: 1) 片状电阻 第三位: 10的倍数 第二位: 第二位数 0 第一位: 第一位数 1 该电阻阻值为: 10 X 10 2 = 1000 (欧姆) = 1 (千欧姆) (误差值为 + 5%) 1K = 1000 计算方法: 第一. 二位表示乘值﹐ 第三位表示乘数 (即10的几次幂﹐在1后面加几个零)﹐ 表面上有三位数字的片状电阻误差值为 + 5%。 ※ SMT 片状电阻三位数字的误差值一般为 + 5%﹐一般为普通电阻。 第四位: 10的倍数 第三位: 第三位数 5
第二位: 第二位数 2 第一位: 第一位数 8 该电阻阻值为: 825 X 10 1 = 8250 (欧姆) = 8.25 (千欧姆) (误差值为 ±1%) 片状电阻四位数字的误差值一般为 + 1%﹐一般为精密电阻。 第四位: 小数点后第二位数 第三位: 小数点后第一位数 第二位: R 表示小数点 第一位: 第一位数 该电阻阻值为: 1.00欧姆 第四位: 小数点后第三位数 第三位: 小数点后第二位数 第二位: 小数点后第二位数
第一位:R表示小数点 该电阻阻值为: 0.033欧姆 请计算下列几种SMT电阻的阻值？ 特殊的SMT电阻: 该电阻阻值为: 100 K 欧姆该电阻阻值为: 357欧姆
2 ) 片状电容: B.特点:外观主体一般呈灰黄色,为陶瓷基体, 端电极结构(镀层)与片状电 阻为陶瓷基体, 端电极结构(镀层)与片状电阻的一样, 内部电极层 数由电容值决定, 一般有10多层. C. 片状电容的电容量没有标识在元件体上,只标识在PASS 纸上、 或厂家招纸上,以及用仪器测量(如万用表)。 D.因此, SMT 的片状电容极易混乱, 外观上极难辨认, 需用较精 密的仪器量度区分﹐因构造尺寸问题,片状电容容量不会太大, 通常会小于1UF 。 E.片状电容尺寸与片状电阻的尺寸相似，有0603，0805，1210，1206
3.2模拟集成电路设计-差分放大器版图
集成电路设计实习Integrated Circuits Design Labs I t t d Ci it D i L b 单元实验三（第二次课） 模拟电路单元实验－差分放大器版图设计 2007-2008 Institute of Microelectronics Peking University
实验内容、实验目的、时间安排 z实验内容： z完成差分放大器的版图 z完成验证：DRC、LVS、后仿真 z目的： z掌握模拟集成电路单元模块的版图设计方法 z时间安排： z一次课完成差分放大器的版图与验证 Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page1
实验步骤 1.完成上节课设计放大器对应的版图 对版图进行、检查 2.DRC LVS 3.创建后仿真电路 44.后仿真（进度慢的同学可只选做部分分析） z DC分析：直流功耗等 z AC分析：增益、GBW、PM z Tran分析：建立时间、瞬态功耗等 Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page2
Display Option z Layout->Options ->Display z请按左图操作 Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page3
由Schematic创建Layout z Schematic->Tools->Design Synthesis->Layout XL->弹出窗口 ->Create New->OK >选择Create New>OK z Virtuoso XL->Design->Gen From Source->弹出窗口 z选择所有Pin z设置Pin的Layer z Update Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page4
电子元器件培训资料
一、电子及传感器基础知识、元器件基础知识前言： PCBA维修原则： 1、首先，要确认不良现象，排除误判误测，不良现象要有可重复性； 2、第二，要对外观进行复检，及时发现是否存在有错料，少料，多料等简单的外观不良； 3、第三，要找出维修记录或维修速查表，针对相应电子元件作检查。确认不良元件时可以与良 品交替互换或从电路板上拆除后单独测量； 4、第四，要找出PCBA功能的原理图，对照相应电路模块作检查，测量相关元件是否存在不良； 5、第五，如果是批量性不良，或以上方法无法维修的不良，可能是设计缺陷。 1、电子基础知识 电路的基本原理：电流，电压，电阻，电荷 电流是电荷在导线内流动的现象，电流的测量单位是安培(A)。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差，我们称为电压。电压愈大，流动的电流便愈大，电压的测量单位是伏特(V)。电流流动时会遇到阻力，就是电阻。每种物质都有电阻值，优良的导体如铜、白金等，它们的电阻很小，电流很容易通过。电阻很大，大到电流无法通过的物质就是绝缘体，而介于导体和绝缘体之间就是半导体。电阻的测量单位是欧姆(Ω)。 电流 是指电线中电子流动的相反方向，也就是质子流动的方向，通常以Ｉ表示，其单位为安培 A(Ampere)。直流电的电流方向固定由正极流向负极，并不会随时间而改变；而交流电的电流流向则会不断地交替变化，例如公司用电的电流便是每秒正负极交替变换50次的交流电，称为50赫兹(Hz)。而在台湾地区交流电的频率为60Hz。 电压 是指能使电在电线中流动的力量，通常以E表示，其单位为伏特V(Volt)，电流一般都是从高电压流向低电压，通常电源电位较高的一端以"+"号表示，而电位较低的一端则以"_"表示。电池、水银电池等，电压包含1.5V、3V、9V等，而家庭用电电压在台湾、美国日本为交流110V；在大陆为220V；欧州为240V。 电阻 是指阻挡电流在电线流动的阻力，通常以R表示，其单位为欧姆，任何物体都具有电阻，如同水流一般，物体的电阻大小随材质、长度、大小而异。电阻值大到不能导电的物质称为「绝缘体」，如塑料、木材等。电阻会消耗能量，消耗的能量通常以热的形式呈现，所以传输材料的电阻值愈低愈好，因此一般电线便采用导电性佳的铜线，为了减低能源的消耗，「低温超导体」已成为新兴的科技了。 电路符号示例 电路是由各种不同的组件组成，其相互关系通常使用电路图描述，而电路图的每个基本组件均使用电路符号表示。下图是摘取ATA2001(1866)一部分电路图为例。 如下图：
IC的种类及用途
IC的种类及用途 在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。 一、集成电路的种类 集成电路的种类很多，按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号；后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。所谓数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。目前，在家电维修中或一般性电子制作中，所遇到的主要是模拟信号；那么，接触最多的将是模拟集成电路。 集成电路按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。 按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，集成100个以上的元器件为大规模集成电路；对数字集成电路，一般认为集成1～10等效门／片或10～100个元件／片为小规模集成电路，集成10～100个等效门／片或100～1000元件／片为中规模集成电路，集成100～10,000个等效门／片或1000～100,000个元件／片为大规模集成电路，集成10,000以上个等效门／片或100,000以上个元件／片为超大规模集成电路。
电子元件知识培训
目录 1、电阻 2、电容 3、电感 4、二极管 5、三极管 6、晶振 7、保险丝 8、变压器 9、蜂鸣器与喇叭 电子元件知识培训教材
10、拾音器、感应器、继电器 11、集成块 12、其它有跳线、SOCKET、CONTACT、插座、按键、开关等 13.结束语 第一页 （前言） 元件是组成电路，构成产品的最基本单位。随着生产的发展，高新技术的进步，要不 断提高产品的质量和直通率，我们必须要能识别元件、了解元件结构、符号及作用，才可能 提高我们自身的素质，才可能避免在作业中出现放错、插反或损坏零件的现象,保证产品的 品质。下面是我们将讲述的内容： 常见元件的外形识别和标记——必须掌握的内容
常见元件的基本作用——要求了解的内容 常见元件的正确方向——要求掌握的内容 常见元件的符号代码——要求掌握的内容 常见元件的单位及换算——要求了解的内容 第二页 （元件部份） 1． 电阻代码R 符号： 1．1外形结构： 1．2规格分类：金属膜电阻、金属氧化膜电阻、碳膜电阻、绕线电阻（功能固定分有热敏、压敏、可变电阻\电位器）和（外形有色环、贴片电阻、排阻等）。 1．3额定功率：1/16W,1/8W,1/4W,1/2W,1W,2W,3W …等。功率由形状大小可以区分,体积越大,功率越大。 无色环 75 Ω±五色环 四色330 103 1000
1．4单位：欧姆Ω；千欧KΩ；兆欧MΩ。 1．5单位换算：1000Ω＝1000×10－3KΩ＝1000×10－6（如：MΩ1KΩ=1000Ω1 M=1000KΩ） 1．6应用作用：旁路、阻流、分流、反馈、分压等。 1．7电阻的识别及阻值换算： 颜色棕红橙黄绿蓝紫灰白黑金银代表数字12345678900.10.2 代表误差± 1%± 2% ± 0.5% ± 0.25% ± 0.1 % +50 %-2 0% ± 5% ±10% 有效0个数1234567890-1-2 备注:精密电阻(误差<1%F或D)可代替非精密电阻(误差<5%J),误差环无色表示误差±20%。第三页 1.7.1色环电阻: 金 橙
电子元器件基础知识培训(资料)
电子元件基础知识培训 一、电阻 1、电阻的外观、形状如下图示： 2、电阻在底板上用字母R（Ω）表示、图形如下表示： 从结构分有：固定电阻器和可变电阻器 3 、电阻的分类：从材料分有：碳膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器、热敏电阻等 从功率分有：1/16W、1/8W、1/4W(常用)、1/2W、1W、2W、3W等 4、电阻和单位及换算：1MΩ(兆欧姆)＝1000KΩ（千欧姆）＝1000'000Ω(欧姆) 一种用数字直接表示出来 5电阻阻值大小的标示四道色环电阻其中均有一 一种用颜色作代码间接表示五道色环电阻道色环为误 六道色环电阻差值色环 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银无数值0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0.1 0.01 误差值±1℅±2℅±5℅±10℅±20℅四道色环电阻的识别方法如下图五道色环电阻的识别方法如下图 常用四道色环电阻的误差值色环颜色常用五道色环电阻的误差值色是 是金色或银色，即误差值色环为第四棕色或红色，即第五道色环就是误 道色环，其反向的第一道色环为第一差色环，第五道色环与其他色环相 道色环。隔较疏，如上图，第五道色环的反 向第一道即为第一道色环。 四道色环电阻阻值的计算方法： 阻值＝第一、第二道色环颜色代表的数值×10 即上图电阻的阻值为：33×10＝33Ω（欧姆） 第三道色不订所代表的数值
五道色环电阻阻值的计算方法： 阻值＝第一、二、三道色环颜色所代表的数值×10即上图电阻阻值为：440×10＝4.4Ω（欧姆） 7、电阻的方向性：在底板上插件时不用分方向。二：电容 1、电容的外观、形状如下图示： 2、电容在底板上用字母C表示，图形如下表示： 从结构上分有：固定电容和可调电容 3电容的分类有极性电容：电解电容、钽电容 从构造上分有： 无极性电容：云母电容、纸质电容、瓷片电容 4、电容的标称有容量和耐压之分 电容容量的单位及换算：1F”(法拉)＝10 uF(微法)＝10 pF（皮法） 5、电容容量标示如下图： 100uF∕25V 47uF∕25V 0.01 uF 0.01uF∕1KV 0.022uF∕50V 上图的瓷片电容标示是用103来表示的，其算法如下：10×10＝0.01 uF＝10000 pF 另电容的耐压表示此电容只能在其标称的电压范围内使用，如超过使用电压范围则会损坏炸裂或失效。 6、电容的方向性：在使用时有极性电容要分方向，无极性不用分方向。 三、晶体管 （一）晶体二极管 1、晶体二极管外形如下图： 第四道色不订所代表的数值 -2 6 12 3
模拟集成电路设计软件使用教程
模拟集成电路设计软件实验教程 2006年4月
目录 实验一自上而下(Top-Down)的电路设计 (3) Lab 1.1 启动软件 (3) Lab 1.2 自上而下的系统级仿真 (3) Lab 1.3 电路图输入 (7) Lab 1.4 模块的创建 (10) Lab 1.5 电源的创建 (12) Lab 1.6 建立运放测试电路 (14) 实验二使用Spectre Direct进行模拟仿真 (17) Lab 2.1 运行仿真 (17) Lab 2.2 使用激励模板 (28) Lab 2.3 波形窗的使用 (32) Lab 2.4 保存仿真状态 (36) Lab 2.5 将仿真结果注释在电路图窗口 (37)
实验一自上而下(Top-Down)的电路设计Lab 1.1 启动软件 实验目的: 掌握如何启动模拟电路设计环境. 实验步骤: 1.进入Linux界面后,点击鼠标右键,选中New Terminal,则会弹出一个交互终端. 2.进入教程所在目录后,输入命令cd Artist446 (注意:cd后必须有空格;命令行大小写 敏感) 3.在同一个交互终端内,输入命令icms &,在屏幕底部会出现一个命令交互窗 (Command Interpreter Window,CIW).如果出现What’s New窗口,可使用File-Close 命令关闭. Lab 1.2 自上而下的系统级仿真 实验目的: 掌握如何对含AHDL模块的模块级设计进行仿真. 实验步骤: 1.在CIW中选择Tool-Library Manager,会弹出库管理器(Library Manager). 2.在库管理器中,用鼠标左键选中training,则cell中会显示出training库中所有的cell; 在training的所有cell中用左键选中peakTestv;用鼠标中键(或右键)打开(open)view 中的schematic.将会出现如下图所示的测试电路: