Self-Consistent Electron Subbands of GaasAlgaas Heterostructure in Magnetic Fields Parallel
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Self-consistent electron subbands of GaAs/AlGaAs heterostructure in magnetic ?elds parallel to the interface T.Jungwirth,L.Smrˇc ka Institute of Physics,Acad.of Sci.of Czech Rep.,Cukrovarnick′a 10,16200Praha 6,Czech Republic J.Phys.:Condens.Matter 1993(in press)
PACS numbers:73.40L,73.40
Abstract.The e?ect of strong magnetic?elds parallel to GaAs/Ga x Al1?x As interface on the subband structure of a2D electron layer is investigated the-oretically.The system with two levels occupied in zero magnetic?eld is considered and the magnetic?eld induced depletion of the second subband is studied.The con?ning potential and the electron energy dispersion re-lations are calculated self-consistently,the electron-electron interaction is taken into account in the Hartree approximation.
Recently,there was suggested[1]that the deviations of the2D Fermi line from the circular shape,which are due to the combined in?uence of an ap-proximately triangular potential well and of the parallel magnetic?eld,may play an important role in the theory of magnetotransport in two-dimensional inversion layers at interfaces of GaAs/Al x Ga1?x As heterostructures.
Zawadzki,Klahn and Merkt[2]studied theoretically Fermi lines of narrow-band-gap semiconductors of the In-Sb type.Their analysis is based on two main simpli?cations:i)The con?ning potential V conf(z)is taken in the form of a triangular potential well.ii)The interface is considered as an unpenetra-ble hard wall which is accounted for by an appropriate boundary condition for the wave function.In this model the spacing of levels due to the mag-netic quantization is inversely proportional to the e?ective mass m,while the spacing of subbands due to the con?ning potential is proportional to (1/m)1/3.Thus,for narrow-gap semiconductors with small e?ective masses the electric and magnetic e?ects become comparable for not to high mag-netic?elds and for this range of?elds also the change of Fermi lines from the circular to the‘egg-like’form is expected.
In semiconductors with larger e?ective mass like GaAs the e?ect of par-allel magnetic?eld should be less pronounced and,therefore,it was till now treated mainly by the perturbation theory[3].On the other hand it is well known that due to the small conduction band o?set between GaAs and Al x Ga1?x As the interface wall is rather soft and electrons can partly penetrate into Al x Ga1?x As.Thus,to obtain quantitatively better results, it is desirable to go beyond the triangular well approximation or the pertur-bation approach.For this reasons we decided to performe the full numerical self-consistent study of the in?uence of the in-plane magnetic?eld on the subband shape of2D electron gas con?ned to GaAs/Al x Ga1?x As interface and this contribution presents its results.
It is now well-established that the numerical self-consistent calculation based on the e?ective mass approximation describes correctly the observed electron subband structure in the zero magnetic?eld.Moreover,generally accepted methods of such calculation including the Hartree approximation should be valid in the presence of the magnetic?eld as well as in the zero ?eld case.The self-consistency requirement,i.e.the requirement of solving coupled Poisson and Schr¨o dinger equations,is an important aspect of the energy spectra calculations in doped heterostructures as the charge distri-bution reacts on the con?ning potential which itself determines the charge distribution.In strong magnetic?elds there is one more reason for the self-consistency,the charge redistribution caused by the magnetic?eld.
1
For doped GaAs/Al x Ga1?x As heterostructures the total charge density ?(z)entering the Poisson equation can be splitted into parts correspond-ing to concentrations of electrons,their parent donors in Al x Ga1?x As and ionized residual acceptors in GaAs:
?(z)=e N e(z)?N+d(z)+N?a(z) .(1) We accept a usual approximation of constant impurity concentrations and assume donors and acceptors to be ionized within certain?nite intervals l d and l a:N+d(z)=N d for?l d?w≤z≤?w and N?a(z)=N a for0≤z≤l a, w is the spacer thickness(see?gure1).The con?ning potential
V conf(z)=V b(z)+V s.c.(2) is a sum of the step function V b(z)=V bΘ(?z)corresponding to the conduc-tion band discontinuity and of the Hartree term V s.c.(z)determined from the Poisson equation
d2V s.c
ε
.(3) The conduction band o?set V b and the dielectric constantεenter our calcu-lations as input parameters.
The simplest semiempirical model working quantitatively for the lowest conduction states of GaAs/Al x Ga1?x As heterostructures is used to solve the Schr¨o dinger equation in the envelope function approximation.The envelope function is assumed to be built from host quantum states belonging to a single parabolic band.The e?ect of the e?ective mass mismatch is com-pletely neglected and the envelope functions of GaAs and Al x Ga1?x As are smoothly matched at the interface.
Due to the translational invariance in the layer plane the wave function ψα(r)can be factorized
ψα(r)=1
S
e i(k x x+k y y)?i,k
x
(z)(4)
and the Schr¨o dinger equation may be written as
?ˉh2?z2+1
2m ?i,k x(z)(5)
2
where the magnetic?eld parallel to the layer plane x?y has a form B≡(0,B y,0).As the heterostructure is in an electric and thermodynamic equi-librium two additional conditions must be ful?lled:the charge balance con-dition and the constant chemical potential condition.For details about the self-consistent procedure for the zero magnetic?eld(but relevant for B=0 as well)we refer to works by Stern and Das Sarma[4]and Ando[5].From the latter paper we also took values of the band o?set V b=300meV and the dielectric constantε=12.9.
To distinguish between the charge redistribution resulting from the stan-dard self-consistent loop in zero magnetic?eld and changes due to the mag-netic?eld we performed the self-consistent procedure in two steps.First, the electron structure was calculated self-consistently for B=0and N e(z) and V conf obtained from this calculation were used as input values for the electron structure determined for B=0.In this way the‘intermediate’results(B=0,but self-consistency only for B=0)were obtained.In the second step the procedure continued by the full self-consistent calculation for B=0yielding the?nal resuls.
The parameters N d=2×1018cm?3,N a=1013cm?3and w=2nm were chosen to obtain the electron system of N e≈14×1011cm?2having two levels occupied in zero magnetic?eld and depleting the second level at≈10T.Note that in this case the‘intermediate’results are all based on the electron density corresponding to two occupied levels while the full self-consistent study includes the magnetic?eld induced transfer of electrons from the second subband to the?rst one into the solution of coupled Poisson and Schr¨o dinger equations.
In the zero magnetic?eld the in-plane electron motion and its out-of-plane component along the z-axis are completely independent.It means that all electrons within a subband are described by a single localized wave-function?i(z)regardless their energies E i(k x)and wavevectors k x,k y.In our case,with two occupied subbands,we have two di?erent wavefunctions; their centres of mass z 0and z 1determine the averaged distances of elec-trons in subbands from the interface.
When the magnetic?eld is applied the e?ective electro-magnetic poten-tial V eff composed from the harmonic magnetic potential and the con?ning potential V conf is built
mω2
V eff=
wave vector component k x by z0=ˉh k x/mω.Thus the magnetic?eld couples
(z)must the electron motion in x and z directions and for each k x new?i,k
x
be calculated.Also the energy spectrum E i(k x)will deviate from the original parabolic dependence on k x and E i(k x)=E i(?k x)due to the breakdown of the time reversal symmetry.This results in the asymmetric Fermi lines.
(z)are shifted from their original positions z 0 New eigenfunctions?i,k
x
and z 1obtained for B=0and,therefore,also the charge distribution described by their squares is changed.
There exists a relation between the centre of mass of the wave function (z)and the shape of the energy spectrum curve E i(k x)
?i,k
x
z i,k x=ˉh k xˉhω?E i(k x)
?E i(k x)
ˉh
calculations.Note that in spite of this the maximum distance of an elec-tron from the interface is not reached for the maximum magnetic ?eld,but approximately for B =12T.
Figure 3shows the Fermi lines based both on ‘intermediate’and full calculations.Two concentric circles correspond to two parabolic subbands in the zero magnetic ?eld.With increasing ?eld the area of the second subband Fermi surface decreases and the Fermi line of the ?rst subband takes the ‘egg-like’form.Its left half corresponding to electrons close to the interface remains approximately circular,while the right half,describing the electrons which move far from the interface in the bulk GaAs takes nearly parabolic form.The gross qualitative features of both ‘intermediate’and full resuls are very similar.The closer look shows marked di?erences between the full and dashed lines.Because of the large magnetic ?eld induced charge redistribution,the full lines are qualitatively di?erent having rather the ‘pear-like’than the ‘egg -like’shapes.
Individual wave functions are even more in?uenced by the magnetic ?eld.Figure 4shows the ?rst subband wave functions ?0,k x (z )corresponding to
z 0,k x ,min and z 0,k x ,max .In comparison with the case B =0the function corresponding to z 0,k x ,min is narrower and shifted to Al x Ga 1?x As spacer and dotted region,while the function corresponding to z 0,k x ,max is broad and almost entirely inside the bulk GaAs.Note a double-peak structure of the wave function for B =6T.
We conclude that as in the case of the zero magnetic ?eld the electron structure of GaAs /Al x Ga 1?x As heterostructure in strong in-plane ?elds has to be calculated self-consistently if we are interested in semi-quantitative results.Both the energy spectra and the con?ning potential are a?ected by the charge redistribution caused by the magnetic ?eld.On the other hand the total number of electrons remain constant.It is due to the fact that the highest density of states corresponds to the bottom part of the energy spectra which are less in?uenced by the self-consistency.
5
References
[1]Leadley D R,Nicholas R J,Harris J J and Foxon C T199020th Interna-
tional Conference on Physics of Semiconductors eds E M Anastassakis and J D Joannopoulos(Singapore:World Scienti?c Publishing Co.)p 1609
[2]Zawadzki W,Klahn S,Merkt U1986Phys.Rev.B336916
[3]Bastard G Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures
(Paris)p317
[4]Stern F,Das Sarma S1984Phys.Rev.B30840
[5]Ando T1982J.Phys.Soc.Japan513893
Figure captions
Figure1.The charge distribution in a single modulation-doped GaAs/Al x Ga1?x As heterojunction with quasi-2DEG at the interface in the depletion length model.
Figure2.Electron eigenenergies E(z)calculated as a function of z i,k
x
and the con?ning potential V(z).The energies are measured from the Fermi energy.Dashed lines correspond to the‘intermediate’results,full lines to
the results of the full self-consistent calculations.
Figure3.Lines of constant Fermi energie in(k x,k y)space are shown for the
two-subband system depleting the second subband at11.8T(‘intermediate’result)resp.12T(full self-consistent result).The distances in k-space are measured from their centres.
Figure4.Wave functions of?rst subband electrons with z 0,k
x,min , z 0,k
x,max
illustrate the charge redistribution due to in-plane magnetic?elds.
09电信电子线路课程设计题目
电子线路课程设计题目 （模电、数电部分） 一、锯齿波发生器 二、语音放大电路 三、可编程放大器 四、数字频率计 五、可调电源 六、汽车尾灯控制电路 2011．09
一、设计一高线性度的锯齿波发生器 要求： （1）利用555定时器和结型场效应管构成的恒流源设计一高线性度的锯齿波发生器；参考电路如图所示； （2）在EWB中对该电路进行仿真； （3）焊接电路并进行调试；调试过程中思考： a、电路中两个三极管的作用是什么？其工作状态是怎么样的？ b、R3阻值的大小会对锯齿波的线性度产生什么影响？ c、输出锯齿波的幅值范围多大？ d、调节电路中的可调电阻对波形有什么影响？ e、LM324的作用是什么？ （4）参考电路图中采用的是结型场效应管设计的，若采用N沟道增强型VMOS管和555定时器来设计一高线性度的锯齿波发生器，该如何设计？ LM324 图2 高线性度锯齿波发生器的设计
二、语音放大电路的设计 通常语音信号非常微弱，需要经过放大、滤波、功率放大后驱动扬声器。 要求： （1）采用集成运算放大器LM324和集成功放LM386N-4设计一个语音放大电路；假设语音信号的为一正弦波信号，峰峰值为5mV，频率范围为100Hz~1KHz，电路总体原理图如下所示； 图4 语音放大电路 （2）仔细分析以上电路，弄清电路构成，指出前置放大器的增益为多少dB?通带滤波器的增益为多少dB? （3）参照以上电路，焊接电路并进行调试。 a、将输入信号的峰峰值固定在5mV，分别在频率为100Hz和1KHz的条件下测试前 置放大的输出和通带滤波器的输出电压值，计算其增益，将计算结果同上面分析 的理论值进行比较。 b、能过改变10K殴的可调电阻，得到不同的输出，在波形不失真的条件下，测试集 成功放LM386在如图接法时的增益； c、将与LM386的工作电源引脚即６引脚相连的10uF电容断开，观察对波形的影响， 其作用是什么？ d、扬声器前面1000uF电容的作用是什么？
高频电子线路期末考试试卷1及答案
c m i 图 2 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼
图 4 图 4
四、（15分）高频小信号调谐放大器如图5所示，其工作频率MHz f o 30=，调谐回路中的H L μ113=，100=o Q ，1212=N ，823=N ，645=N ，晶体管在直流工作点的参数ms g oe 55.0=，pF C oe 8.5=，ms g ie 2.3=，pF C ie 10=，ms y fe 58=， o fe 47-=?，0=re y 。 试求：（1）画出高频等效电路；（5分） （2）计算C ，uo A ，270??f ，1.0r K 。（10分） 图 5 五、（15分）某高频谐振功率放大器工作于临界状态，已知晶体管的()s g cr 9.0=，电源电压V V cc 18=，导通角70o θ=,输出电压幅度V U cm 16=,（注：()253.0700=o α，()436.0701=o α） 。试求： （1）直流电源cc V 提供的功率P = ；（4分） （2）高频输出功率P o ；（4分） （3）集电极效率c η；（2分） （4）回路的谐振电阻 R P ；（3分） （5）若谐振电阻 R P 为Ω50，功率放大器将工作在何种状态？（2分） 六、（10分）二极管检波器如图6所示，已知二极管的导通电阻Ω=60d r ， V U bz 0=，Ω=K R 5，F C μ01.0=，Ω=k R L 10， F C c μ20=，输入电压信号为普通调幅波，其频谱图如图7所示。 试求：（1）写出输入调幅信号的数学表达式；（2分） （2）电压传输系数d K 和等效输入电阻d i R （4分） （3）写出A u ，B u 的数学表达式；（4分） 图 6 图 7
电子投票箱选举系统
环宇电子投票箱选举统计软件介绍 ●前言 随着政治文明建设进程的不断推进，各种会议中的人事选举，议案表决，工作测评越来越受到了社会各界的广泛应用，传统的投票选举程序繁杂，费时耗力，仍然不能保证测评的效果和公正性，而最为突出的问题是工作效率低下，存在统计误差。环宇电子智能投票箱系统就能有效的解决这些弊端，帮助各级党委、人大、政协、工会等单位更方便、快捷、高效地完成选举工作。 ●功能描述 环宇电子投票箱系统可实现会议选举时投票与计票及输出选举报告的智能化自动化处理，其工作流程为：接受投票、读票、选票投入方向及正反面的智能辨别与自动调整、选票内容自动定位及智能化分析处理、数据的智能化调度及分配与自动传输、自动统计与汇总、自动数据校对、自动输出各种选举报告。 环宇电子投票箱系统在线工作运行，控制和管理所有在线的电子投票箱、另提他人处理机、废票处理机、大屏幕显示控制机，实时接收每台电子票箱的数据，进行实时处理，实时统计分析。每个电子票箱都有触摸屏控制器，也可显示投票状态。给出大会选举中所必须的准确数据：计票结果、选举结果、其他信息结果，供大会主席团决策。其具有以下功能特征： 1、用户所使用的选票，可以通过WORD或者EXCEL、WPS等任何文字编辑器里制作选票，对票样无任何要求；可现场普通纸、普通打印机打印票样。 2、模板制作轻松方便：根据用户的投票样式，系统软件可以自动模糊识别出识别区域，点击鼠标就可完成模板制作工作。 3、对纸张要求不高，普通打印纸通过打印、复印都能识别，具有自动纠正倾斜功能，出错故障率较低。为区分不同的填表人身份，用户可以选用彩色打印纸，对统计结果无干扰，无影响。 4、OMR涂点图像识别功能，误码率低于百万分之一的要求。 5、支持对全黑白选票的识别，选票打印或印刷时产生偏移、倾斜、放大或缩小，都不影响对选票的正确识别。 6、支持多种涂卡方式：打勾、画圈、数字或字母上画横线，或者涂黑。对笔没有任何要求。 7、支持等额选举、差额选举或等额差额混合型选举，允许同时使用多种不同模板的选票，允许同一张选票上有多种不同类型的候选人并分别计算与处理，比如：同一张选票上可以是人大常委会主任、副主任、秘书长、常委会委员选举，其中某类候选人无效时，其他类别不受影响，仍然有效。 8、投票方向及正反面不受任何限制，支持同一张选票正反两面可印制不同或相同的选票模板。
南京理工大学电子线路课程设计(优秀)
南京理工大学 电子线路课程设计 实验报告
摘要 本次实验利用QuartusII7.0软件并采用DDS技术、FPGA芯片和D／A转换器，设计了一个直接数字频率信号合成器，具有频率控制、相位控制、测频、显示多种波形等功能。 并利用QuartusII7.0软件对电路进行了详细的仿真，同时通过SMART SOPC实验箱和示波器对电路的实验结果进行验证。 报告分析了整个电路的工作原理，还分别说明了设计各子模块的方案和编辑、以及仿真的过程。并且介绍了如何将各子模块联系起来，合并为总电路。最后对实验过程中产生的问题提出自己的解决方法。并叙述了本次实验的实验感受与收获。 关键词数字频率信号合成器频率控制相位控制测频示波器 Abstract This experient introduces using QuartusII7.0software, DDS technology，FPGA chip and D／A converter to design a multi—output waveform signal generator in which the frequency and phase are controllable and test frequency,display waveform. It also make the use of software QuartusII7.0 a detailed circuit simulation, and verify the circuit experimental results through SMART SOPC experiment box and the oscilloscope. The report analyzes the electric circuit principle of work,and also illustrates the design of each module and editing, simulation, and the process of using the waveform to testing each Sub module. Meanwhile,it describes how the modules together, combined for a total circuit. Finally the experimental problems arising in the process of present their solutions. And describes the experience and result of this experiment. Keywords multi—output waveform signal- generator frequency controllable phase controllable test frequency oscilloscope 目录
高频电子线路期末考试试卷及答案
一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 … 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的载波输出功率为50W ，调幅指数为,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常可以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分别 为 和 。 10、变容二极管的结电容γ) 1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管的 ； 变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应等于 。 — 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 《 图 2 A . 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼 5、若载波频率为c f ，调制信号频率为F ，那么双边带调幅波的频带宽度 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期） 课程编号： 08010040 课程名称： 高频电子线路
高频电子线路期末复习题 基本概念
1.下列说法错误的是（D）A）LC回路串联谐振时，电感L和电容C上的电压达到最大值且为输入信号电压的Q倍，故串联谐振也称为电压谐振。 B）LC回路并联谐振时，电感L和电容C上的电流达到最大值且为输入信号电流的Q 倍，故并联谐振也称为电流谐振。 C）LC谐振回路中储存的能量是不变的，只是在线圈与电容器之间相互转换。D）LC谐振回路中外加电动势提供回路电阻和电抗所消耗的能量。 2.当LC谐振回路谐振时的感抗或容抗，称之为特性阻抗。用（A）表示。 B)Q C)B D)ξ 3.回路谐振时整个回路的阻抗（C）。 A)呈感性 B)呈容性 C)呈纯阻性 D)为失谐时的Q倍 4.高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（C）。 A)增益太大 B)通频带太宽 C)晶体管集电极电容Cb’c的反馈作用 D)谐振曲线太尖锐 5.常用集电极电流半流通角θ的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（D）。 A）θ=180
B）90<θ<180 C）θ=90 D）θ<90 6.高频谐振功率放大器原工作于临界状态，如果其它条件不变，供电电压Vcc增大时，放大器的工作状态为（B）。 A）临界状态 B）欠压状态 C）过压状态 D）甲类状态 7.工作在过压工作状态的丙类谐振功率放大器，当输入电压波形是余弦信号时，集电极输出电流波形是（D）。 A)正弦波 B)余弦波 C)尖顶余弦脉冲 D)凹顶余弦脉冲 输入一个余弦信号到高频功放电路，工作状态为丙类过压，输出集电极电流为（D）。 A)余弦信号B)正弦信号C)尖顶余弦脉冲D)凹顶余弦脉冲 8.满足三端式振荡器相位条件的晶体管各电极连接原则是（A）。 A)射同余异 B)射异余同 C)集同余异 D)基同余异 9.若调制信号的频率是从300HZ~3000HZ，那么，普通调幅时，调幅电路中带通滤波器的通频带的通频带宽至少应为（D）。(最高频率的2倍) A)3000HZ
电子线路课程设计am调幅发射机设计报告
电子线路课程设计 总结报告 学生姓名： 可行性，选择适合设计方案，并对设计方案进行必要的论证。本课题以小功率调幅发射机为设计对象，并对其主振级、低频电压放大级、调制级、高频功率放大级进行了详细的设计、论证、调试及仿真，并进行了整机的调试与仿真。设计具体包括以下几个步骤：一般性理论设计、具体电路的选择、根据指标选定合适器件并计算详细的器件参数、用multisim进行设计的仿真、根据仿真结果检验设计指标并进行调整。最后对整个设计出现的问题，和心得体会进行总结。 关键词调幅发射机；振荡器；multisim仿真设计
一、设计内容及要求 (一)设计内容：小功率调幅AM发射机设计 1.确定小功率调幅发射机的设计方案，根据设计指标对既定方案进行理论设计分析， 并给出各单元电路的理论设计方法和实用电路设计细节，其中包括元器件的具体选择、参数调整。 根据设计要求，要求工作频率为10MHz，输出功率为1W，单音调幅系数 m。由于载波频率为10Mhz，大多数振荡器皆可满足，提供了较多的选择且不需要 8.0 = a 倍频。由于输出功率小，因此总体电路具有结构简单，体积较小的特点。其总体电路结构 可分为主振荡电路（载波振荡电路）、缓冲隔离电路、音频放大电路、振幅调制电路、功
(二）单元电路方案论证 1.主振荡电路 主振荡电路是调幅发射机的核心部件，载波的频率稳定度和波形的稳定度直接影响到发射信号的质量，因此，主振荡电路产生的载波信号必须有较高的频率稳定度和较小的波形失真度，主振荡电路可以有四种设计方案：RC正弦波振荡电路、石英晶体振荡电路、三点振荡电路、改进三点式（克拉泼）振荡电路。 2.振幅调制电路 振幅调制电路是小信号调幅发射机的核心组成部分，该单元实现将音频信号加载到载波上以调幅波形式发送出去，振幅调制电路要能保证输出的信号为载波信号的振幅随调制信号线性变化。
高频电子线路期末考试试卷及答案
班级： 学号： 姓名： 装 订 线 一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的 载波输出功率为50W ，调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常 可以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已 调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分 别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ) 1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管 的 ；变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应等于 。 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 图 2 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期） 课程编号： 08010040 课程名称： 高频电子线路
(完整版)在线投票系统总结报告
目的: 提供给学生参与科学研究和技术开发的机会，使得学生得到科研工作的基本训练。促进教学与科研相结合，培养学生的科研意识，团队精神和协作能力。通过科研训练使学生逐步形成严谨的科学研究作风和学术道德品质，锻炼和提高实践能力。 要求: 指导教师下达训练题目并分配任务，由学生组成研究小组（1-2人），在下面题目中自由选题，独立或合作完成训练题目，每组学生要进行调查研究、文献查阅、方案设计、撰写开题报告、方案实施、结果分析、完善设计方案、撰写总结报告等过程。要求学生熟练掌握程序设计、数学、数据结构与算法、数据库以及软件工程等相关知识。 一、进度安排及主要内容 第 1、2 学时老师下达科研训练题目分配任务， 第 3、4 学时根据题目要求撰写开题报告 第 5、6 学时根据题目要求和开题报告开始系统详细设计 第 7、8 学时按照系统设计文档开始系统的开发 第 9、10 学时继续系统的开发和测试工作、完善系统 第 11、12 学时修补bug、撰写科研训练总结 二、科研训练题目及要求 题目名称：在线投票管理系统的设计与实现 题目要求：建立一个在线的投票管理系统.目标系统的主要功能是让用户根据一个主题以及相关的投票选项，选出正确的一个或者多个选项内容。通过互联网进行投票，不仅可以提高投票效率，而且能实时地查看投票结果。另外需要实现后台管理功能，管理员输入正确的密码之后，进入后台管理，可以对投票主题进行管理，如：添加、删除、修改投票主题，设置当前投票主题以及设置选项为多选或单选等。同时为了防止恶意刷票等，需要实现验证码，限制IP等必要措施。 具体要求： （1）设计出数据库，完整实现整个目标系统。 （2）界面友好、操方便； （3）进行全面的需求分析； （4）软件开发文档齐全、重要算法描述清楚。 三、研宄的目的及意义 与以往的投票方式相比，电子投票的优势是其他投票方式难以望其项背的。由于投票方式的信息化，操作更加便捷、快速、也更高效，具备更强的适应能力。这样的新型的投票方式，没有任何的形式上的限制，不需要对投票进行记录，减少了结果的误差。这些优
电子线路课程设计报告
石英晶体好坏检测电路设计 设计要求 1. 利用高频电子线路及其先修课程模拟电路的知识设计一个电子线路2．利用该电子线路的要求是要求能够检测石英晶体的好坏 3. 要求设计的该电子线路能够进行仿真 4. 从仿真的结果能够直接判断出该石英晶体的好坏 5. 能够理解该电子线路检测的原理 6. 能够了解该电子线路的应用 成果简介设计的该电子线路能够检测不同频率石英晶体的好坏。当有该石英晶体（又称晶振）的时候，在输出端接上一个示波器能够有正弦波形输出,而当没有 该晶振的时候，输出的是直流，波形是一条直线。所以利用该电路可以在使 用晶振之前对其进行检测。 报告正文 （1）引言： 在高频电子线路中，石英晶体谐振器（也称石英振子）是一个重要的高频部件，它广泛应用于频率稳定性高的振荡器中，也用作高性能的窄带滤波 器和鉴频器。其中石英晶体振荡器就是利用石英晶体谐振器作滤波元件构成 的振荡器，其振荡频率由石英晶体谐振器决定。与LC谐振回路相比，石英晶 体谐振器有很高的标准性，采用品质因数，因此石英晶体振荡器具有较高的 频率稳定度，采用高精度和稳频措施后，石英晶体振荡器可以达到很高的频 率稳定度。正是因为石英晶体谐振器的这一广泛的应用和重要性，所以在选 择石英晶体谐振器的时候，应该选择质量好的。在选择的时候要对该晶振检 测才能够知道它的好坏，所以要设计一个检测石英晶体好坏的电路。 （2）设计内容： 设计该电路的原理如下：
如下图所示，BX为待测石英晶体(又名晶振)，插入插座X1、X2，按下按钮SB，如果BX是好的，则由三极管VT1、电容器C1、C2等构成的振荡器工作，振荡信号从VT1发射极输出，经C3耦合到VD2进行检波、C4滤波，变成直流信号电压，送至VT2基极，使VT2导通，发光二极管H发光，指示被测石英晶体是好的。若H不亮，则表明石英晶体是坏的。适当改变C1、C2的容值，即可用于测试不同频率的石英晶体。 图一石英晶体好坏检测电路检测原理图 在上面的电路中，晶振等效于电感的功能，与C1和C2构成电容三点式振荡电路，振荡频率主要由C1、C2和C3以及晶振构成的回路决定。即由晶振电 抗X e 与外部电容相等的条件决定，设外部电容为C L ,则=0,其中C l 是C1、 C2和C3的串联值。 （3）电路调试过程： 首先是电路的仿真过程，该电路的仿真是在EWB软件下进行的，下面是将原图画到该软件后的截图：
(电子行业企业管理)高频电子线路期末试题答案
一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ） A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带 2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C） A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波 C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高 3．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D） A B C D 4．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（ A ） A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt） C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 5．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到1kHz的干扰信号，此干扰为（ A ） A．干扰哨声B．中频干扰 C．镜像干扰D．交调干扰 5．同步检波器要求接收端载波与发端载波（ C ）A．频率相同、幅度相同B．相位相同、幅度相同 C．频率相同、相位相同D．频率相同、相位相同、幅度相同 7．属于频谱的线性搬移过程的有（A）A．振幅调制B．频率调制C．相位调制D．角度解调 8．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ 为（C） A．1/3 B．1/2 C．2 D．4 9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（C） A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.1 10．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（B） A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C．fs 企业电子投票系统 目录 第1部分概述 (2) 第2部分分析部分 (4) 2．1．功能需求 (4) 第3部分系统设计 (5) 3．1．功能模块设计 (5) 3．2．数据库的设计 (5) 第4部分系统开发 (5) 4．1．数据库 (5) 4．1．1．创建数据库 (5) 4．1．2．创建表 (6) 4．1．3．连接数据库 (6) 4．2．功能的实现 (7) 4．3．问题及解决 (7) 第5部分运行部分 (7) 5．1．系统的安装 (7) 5．2．系统的使用 (8) 第6部分附录 (10) 附录1运行环境 (10) 1.1硬件要求 (10) 1.2.软件要求 (11) 附录2设计代码 (11) 第1部分概述 J2EE是一种利用Java 2平台来简化诸多与多级企业解决方案的开发、部署和管理相关的复杂问题的体系结构。J2EE技术的基础就是核心Java平台或Java 2平台的标准版，J2EE 不仅巩固了标准版中的许多优点，例如“编写一次、到处运行”的特性、方便存取数据库的JDBC API、CORBA技术以及能够在Internet应用中保护数据的安全模式等等，同时还提供了对EJB（Enterprise JavaBeans）、Java Servlets API、JSP（Java Server Pages）以及XML技术的全面支持。 J2EE体系包括java server pages(JSP) ,java SERVLET, enterprise bean，WEB service等技术。这些技术的出现给电子商务时代的WEB应用程序的开发提供了一个非常有竞争力的选择。怎样把这些技术组合起来形成一个适应项目需要的稳定架构是项目开发过程中一个非常重要的步骤。完成这个步骤可以形成一个主要里程碑基线。 J2EE架构是当前主流的架构之一，目前大多数企业采用J2EE技术的结构设计与解决方案。J2EE体系结构提供中间层集成框架用来满足无需太多费用而又需要高可用性、高可靠性以及可扩展性的应用的需求。通过提供统一的开发平台，J2EE降低了开发多层应用的费用和复杂性，同时提供对现有应用程序集成强有力支持，完全支持Enterprise JavaBeans，有良好的向导支持打包和部署应用，添加目录支持，增强了安全机制，提高了性能。 随着Internet和企业计算在90年代的腾飞，HTTP、HTML和Java平台逐渐演变成为针对客户机计算的标准，这带动了服务器上集中商业逻辑的发展以及电子商务的普及。在服务器端，CGI（Common Gateway Interface，公共网关接口）、NSAPI（Netscape Server API）和ISAPI（Internet Server API）等多种编程和连通性模型日趋流行，极大地增加了编程和维护的工作量。 5年前，Sun公司的Java软件就以其提供的跨平台应用程序开发与配置手段震撼了整个Web世界。几年来，Java技术从一个网站工具发展到了可驾驭从智能卡、小型消费类设备到大型数据中心服务器等一系列系统的端到端Java 2平台，它使软件开发商、服务提供商和设备制造商更容易抢占市场机遇。 目前，Java 2平台有3个版本，它们是适用于小型设备和智能卡的Java 2平台Micro版（Java 2 Platform Micro Edition，J2ME）、适用于桌面系统的Java 2平台标准版（Java 2 Platform Standard Edition，J2SE）、适用于创建服务器应用程序和服务的Java 2平台企业版（Java 2 Platform Enterprise Edition，J2EE）。 Sun公司在企业版中增加了一整套核心企业应用程序编程界面，而所有这些界面均为标准的模块化组件。J2EE技术还为这些组件提供一整套企业服务，通过自动化的方式完成应用程序开发中的诸多耗时且费力的艰难工作，为用户提供一种可创建广泛兼容的企业解决方案而无需进行复杂编程的平台。利用这一优势可以方便地开发出高质量的、适合企业使用的应用程序，还可极大地减少产品研发上市时间、成本和风险。 企业级应用是指那些为商业组织、大型企业而创建并部署的解决方案及应用。这些大型企业级应用的结构复杂，涉及的外部资源众多、事务密集、数据量大、用户数多，有较强的安全性考虑。 当代的企业级应用决不可能是一个个的独立系统。在企业中，一般都会部署多个彼此连接的、相互通过不同集成层次进行交互的企业级应用，同时这些应用又都有可能与其它企业的相关应用连接，从而构成一个结构复杂的、跨越Intranet和Internet的分布式企业应用群 电子线路课程设计总结报告 学生姓名： 学号： 专业：电子信息工程 班级：电子112班 报告成绩： 评阅时间： 教师签字： 河北工业大学信息学院 2014年2月 课题名称：小功率调幅AM发射机设计 内容摘要：小功率调幅发射机调幅简便，调制所占的频带窄，并且与之对应的调幅接收设备简单常用于通信系统和其它无线电系统中，特别是在中短波广播通信的领域里更是得到了广泛应用。本课程设计的目的即设计一个小功率调幅发射机并使之满足相应的技术指标。让学生综合运用高频电子线路知识，进行实际高频系统的设计、安装和调测，利用相关软件进行电路设计，提高综合应用知识的能力、分析解决问题的能力和电子技术实践技能，让学生了解高频电子通信技术在工业生产领域的应用现状和发展趋势。为今后从事电子技术领域的工程设计打好基础。通过设计主振器，缓冲器，音频放大器，调幅电路最终组成小功率调幅发射机。主振器是用来产生频率稳定的高频载波信号。高频放大器是将高频振荡载波信号放大到足够大得强度。高频功率放大器及调制器是将低频放大器输出的信号调制到载波上，同时完成末级功放。 一、设计内容及要求 1、内容：设计一个小功率调幅AM发射机 2、要求： 发射机工作频率f0=10MHz；发射功率Po大于等于200mW；负载电阻Ra=50Ω；输出信号带宽9kHz平均调幅系数ma大于等于30%，单音调幅系数ma=0.8；发射效率η大于等于50%；残波辐射小于等于40dB； 二、方案选择及系统框图 1、方案选择 低频小功率调幅发射机是将待传送的音频信号通过一定的方式调制到高频载波信号上，放大到额定的功率，然后利用天线以电磁波的方式发射出去，覆盖一定的范围。可选用最基本的发射机结构，系统框图如下图所示，由主振级、高频放大器、音频放大器、高电平调幅电路、缓冲电路结构组成。 （1）主振器 主振器就是高频振荡器，根据载波频率的高低、频率稳定度来确定电路型式。电容三点式振荡器的输出波形比电感三点式振荡器的输出波形好。这是因为电容三点式振荡器中，反馈是由电容产生的，高次谐波在电容上产生的反馈压降较小，输出中高频谐波小；而在电感三点式振荡器中，反馈是由电感产生的，高次谐波在电感上产生的反馈压降较大。另外，电容三点式振荡器最高工作频率一般比电感三点式振荡器的高。 主要原因是在电感三点式振荡器中，晶体管的极间电容与回路电感相并联，在频率高时可能改变电抗的性质；在电容三点式振荡器中，极间电容与电容并联，频率变化不改变电抗的性质。因此振荡器的电路型式一般采用电容三点式。在频率稳定度要求不高的情况下，可以采用普通三点式电路、克拉泼电路、西勒电路。频率稳定度要求高的情况下，可以采用晶体振荡器，也可以采用单片集成振荡电路。本电路采用克拉拨振荡器; 高频电子线路复习题 一、单项选择题 第二章选频网络 1、LC串联电路处于谐振时，阻抗（）。 A、最大 B、最小 C、不确定 2、LC并联谐振电路中，当工作频率大于、小于、等于谐振频率时，阻抗分别呈（）。 A、感性容性阻性 B、容性感性阻性 C、阻性感性容性 D、感性阻性容性 3、在LC并联电路两端并联上电阻，下列说法错误的是（） A、改变了电路的谐振频率 B、改变了回路的品质因数 C、改变了通频带的 大小D、没有任何改变 第三章高频小信号放大器 1、在电路参数相同的情况下，双调谐回路放大器的通频带与单调谐回路放大器的通频带相比较 A、增大 B减小 C 相同D无法比较 2、三级相同的放大器级联，总增益为60dB，则每级的放大倍数为（）。 A、10dB B、20 C、20 dB D、10 3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（） （A）增益太大（B）通频带太宽（C）晶体管集电结电容C b’c的反馈作用（D）谐振曲线太尖锐。 第四章非线性电路、时变参量电路和混频器 1、通常超外差收音机的中频为（） （A）465KH Z （B）75KH Z （C）1605KH Z （D）10.7MH Z 2、乘法器的作用很多，下列中不属于其作用的是（） A、调幅 B、检波 C、变频 D、调频 3、混频时取出中频信号的滤波器应采用（） （A）带通滤波器（B）低通滤波器（C）高通滤波器（D）带阻滤波器 4、频谱线性搬移电路的关键部件是（） （A）相加器（B）乘法器（C）倍频器（D）减法器 5、在低电平调幅、小信号检波和混频中，非线性器件的较好特性是（） A、i=b0+b1u+b2u2+b3u3 B、i=b0+b1u+b3u3 C、i=b2u2 D、i=b3u3 6、我国调频收音机的中频为（） （A）465KH Z （B）455KH Z （C）75KH Z （D）10.7MH Z 第五章高频功率放大器 1、常用集电极电流流通角θ的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（）。（说明：θ为半导通角） （A）θ = 180O （B）90O<θ<180O （C）θ =90 O （D）θ<90O 2、谐振功率放大器与调谐放大器的区别是（） A、前者比后者电源电压高 B、前者比后者失真小 C、谐振功率放大器工作在丙类，调谐放大器工作在甲类 D、谐振功率放大器输入信号小，调谐放大器输入信号大 3、已知某高频功率放大器原工作在临界状态，当改变电源电压时，管子发热严重，说明功放管进入了 A欠压状态B过压状态C仍在临界状态 4、为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在哪种工作状态（） A、临界 B、欠压 C、过压 5、根据高功放的负载特性，由于RL减小，当高功放从临界状态向欠压区变化时（） （A）输出功率和集电极效率均减小。（B）输出功率减小，集电极效率增大。（C）输出功率增大，集电极效率减小。（D）输出功率和集电极效率均增大。6、高频功率放大器一般工作在丙类工作状态，它的效率（） （A）约为50% （B）约为78% （C）大于50%，小于78% （D）大于78% 7、高频谐振功率放大器原工作于临界状态，如果其它条件不变，E C增大时，放 C语言课程设计报告 ——08级电子4班 **** 3108009296 一、需求分析 1.设计题目：电子投票平台 2.设计内容 1）编程建立一个小型电子投票系统，其中包含电子投票、票数统计功能，。尽量做到提供一个简单的人机界面，系统界面友好，使用方便。 2）软件的使用者分为两类，一类为管理员，可以对候选人信息进行初始化和修改，还可浏览候选人信息介绍，对于候选人所得票数，管理员可以进行排序，以便得出最终投票结果，也可以对系统的用户进行管理，创建使用者用户名和密码等。另一类为使用者为普通投票者，该类用户需要用管理员分配的用户名和密码正确登录系统，可以查询候选人信息、浏览候选人信息和进行投票等，其中投票是只需做到输入自己想要投票的候选人编号即可完成投票。 3.系统功能 1）投票者功能 A.浏览候选人信息. B.输入候选人的号码即可查询候选人信息。 C.输入所选候选人的号码即可完成投票。 2）管理员功能 A.初始化候选人信息且创建候选人：在系统投入使用前，管理员先将需要投票 选举的候选人信息录入系统中，以便投票和查看。管理员的初始化工作就是将候选人的号码、姓名和简介录入系统。 B.浏览和查询候选人信息：管理员有权浏览候选人信息及其投票情况，以便随 时掌握候选人的信息和对候选人信息进行修改。 C.管理员可以对投票者的用户名和密码进行管理，也可对投票的结果进行排 序。 二、详细设计 1.主要功能模块 a.主程序模块 输出主菜单，调用其他函数实现整体功能 b.封面输出模块 输出欢迎信息，主要是用点阵字模来输出中文内容。 c.功能选择模块 根据输入的用户名{1}和密码{1}，进入不同的界面 d.身份验证模块 验证管理员和用户（投票者）的用户名和密码是否正确，不正确可选择重新输 高频电子线路复习考试 题及答案分解 Document number：WTWYT-WYWY-BTGTT-YTTYU-2018GT 2013—2014学年第二学期《高频电路》期末考试题（A ） 使用教材：主编《高频电子线路》、 适用班级：电信12（4、5、6）命题人： 一、填空题（每空1分，共X 分） 1.调幅的几种调制方式是AM 、DSB 、SSB 。 3．集电极调幅，应使被调放大器工作于过压______状态。 5. 电容三点式振荡器的发射极至集电极之间的阻抗Z ce 性质应为容性，发射极至基极之间的阻抗Z be 性质应为容性，基极至集电极之间的阻抗Z cb 性质应为感性。 6. 通常将携带有信息的电信号称为调制信号，未调制的高频振荡信号称为载波，通过调制后的高频振荡信号称为已调波。 8. 解调是调制的逆过程。振幅调制信号的解调电路称为振幅检波电路，它的作用是从高频已调信号中恢复出调制信号。 9. LC 串联谐振回路品质因数（Q ）下降，频带变宽，选择性变差。 10. 某高频功率放大器原来工作在临界状态，测得cm U =22v ， co I =100mA ，P R =100Ω，c E =24v ，当放大器的负载阻抗P R 变小时，则 放大器的工作状态过渡到欠压状态，回路两端电压cm U 将减小，若负载阻 抗增加时，则工作状态由临界过渡到过压 状态，回路两端电压cm U 将增 大。 11. 常用的混频电路有二极管混频、三极管混频和模拟乘法器混频等。 12. 调相时，最大相位偏移与调制信号幅度成正比。 13. 模拟乘法器的应用很广泛，主要可用来实现调幅、解调和混频等频谱搬移电路中。 14. 调频和调幅相比，调频的主要优点是抗干扰性强、频带宽和调频发射机的功率放大器的利用率高。 15. 谐振功率放大器的负载特性是当CC V 、BB V 、bm V 等维持不变时，电流、 电压、功率和效率等随电阻p R 的增加而变化的特性。 1.下列说法错误的是（D） A）LC回路串联谐振时，电感L和电容C上的电压达到最大值且为输入信号电压的Q倍，故串联谐振也称为电压谐振。 B）LC回路并联谐振时，电感L和电容C上的电流达到最大值且为输入信号电流的Q 倍，故并联谐振也称为电流谐振。 C）LC谐振回路中储存的能量是不变的，只是在线圈与电容器之间相互转换。 D）LC谐振回路中外加电动势提供回路电阻和电抗所消耗的能量。 2.当LC谐振回路谐振时的感抗或容抗，称之为特性阻抗。用（A）表示。 ρ A) B)Q C)B D)ξ 3.回路谐振时整个回路的阻抗（C）。 A)呈感性 B)呈容性 C)呈纯阻性 D)为失谐时的Q倍 4.高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（C）。 A)增益太大 B)通频带太宽 C)晶体管集电极电容Cb’c的反馈作用 D)谐振曲线太尖锐 5.常用集电极电流半流通角θ的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（D）。A）θ=180 B）90<θ<180 C）θ=90 D）θ<90 6.高频谐振功率放大器原工作于临界状态，如果其它条件不变，供电电压Vcc 增大时，放大器的工作状态为（B）。 A）临界状态 B）欠压状态 C）过压状态 D）甲类状态 7.工作在过压工作状态的丙类谐振功率放大器，当输入电压波形是余弦信号时， 集电极输出电流波形是（D ）。 A)正弦波 B)余弦波 C)尖顶余弦脉冲 D)凹顶余弦脉冲 输入一个余弦信号到高频功放电路，工作状态为丙类过压，输出集电极电流为（D ）。 A)余弦信号 B)正弦信号 C)尖顶余弦脉冲 D)凹顶余弦脉冲 8.满足三端式振荡器相位条件的晶体管各电极连接原则是（A ）。 A)射同余异 B)射异余同 C)集同余异 D)基同余异 9.若调制信号的频率是从300HZ~3000HZ ，那么，普通调幅时，调幅电路中带通滤波器的通频带的通频带宽至少应为（D ）。(最高频率的2倍) A)3000HZ B)5400HZ C)600HZ D)6000HZ 10.某已调波的数学表达式为 t t t u 6 3102sin ))102sin(1(2)(??+=ππ，这是一个（A ）。 A)AM 波（调幅） 电子信息本科专业《高频电子线路》试卷2009——2010学年度第二学期期末考试（A ）卷 一、填空题（每空1分，共30分） 1、接收机分为直接放大式、和超外差式两种。 2、扩展放大器通频带的方法有组合电路法、负反馈法和集成电路法三种。 3、在集成中频放大器中，常用的集中滤波器主要有：LC带通滤波器、陶瓷、石英晶体、声表面波滤波器等四种。 4、丙类谐振功放有欠压、临界和过压三种工作状态， 其性能可用负载特性、调制特性和放大特性来描述。 t=Ucm（1+Ma cosΩt）cosωct，为了实现不失5、普通调幅波的数学表达式U AM 真调幅，Ma一般≤1。 6、实现AGC的方法主要有改变发射级电流I 和改变放大器的负载两种。 E 7、根据频谱变换的不同特点，频率变换电路分为频谱搬移电路和频谱的非线性变换电路。 8、要产生较高频率信号应采用、LC振荡器，要产生较低频率信号应采用RC振荡器，要产生频率稳定度高的信号应采用石英晶体振荡器。 9、三点式振荡器有电容和电感三点式电路。 10、丙类功放最佳工作状态是临界状态，最不安全工作状态是强欠压状态。 11、反馈式正弦波振荡器由放大部分、选频网络、反馈网络 三部分组成。 12、调频电路有直接、间接调频两种方式。 13、调幅测试中，根据示波器所显示的调幅波波形可以计算出相应的调幅度Ma。已知某普通调幅波波形及其参数如图1-1所示，试求Ma =0.25%。 二、选择题（每小题2分、共20分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1、下列不属于小信号谐振放大器的技术指标是（ C ） A、电压增益 B、通频带 C、非线性失真系数 D、选择性 2、某调幅广播电台的音频调制信号频率100Hz～8KHz，则已调波的带宽为（ A ） A、16KHz B、200KHz C、4KHz D、8KHz企业电子投票系统
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