广东石油化工学院 模拟电子技术试题

《模拟电子技术》试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外

加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结

电阻为（无穷大），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共发射极）、（共集电极）、（共基极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流

采用（电流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍

数AF=（1/F）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH-fL ），

（1+AF）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放

大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小）

等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）

电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载

信息的工具，称为（载波信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）

1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（C ）

它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。

A、正偏

B、反偏

C、大于

D、小于

E、导通

F、截止

2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分

别是（C ），该管是（D）型。

A、（

B、

C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）

D、（NPN）

E、（PNP）

3、对功率放大器的要求主要是（ B）、（Ｃ）、（Ｅ）。

A、U0高

B、P0大

C、功率大

D、Ri大

E、波形不失真

4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（Ｂ），此时应该（Ｅ）偏置电阻。

A、饱和失真

B、截止失真

C、交越失真

D、增大

E、减小

5、差分放大电路是为了（Ｃ）而设置的。

A、稳定Au

B、放大信号

C、抑制零点漂移

6、共集电极放大电路的负反馈组态是（Ａ）。

A、压串负

B、流串负

C、压并负

7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（Ｂ）倍。

A、1

B、2

C、3

8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（Ａ）负反馈。

A、电压

B、电流

C、串联

9、分析运放的两个依据是（Ａ）、（Ｂ）。

A、U-≈U+

B、I-≈I+≈0

C、U0=Ui

D、Au=1

三、分析计算题

1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：

①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分）

1. 2.

2、已知电力如图示：Vcc=12V，RB=300KΩ，RE=RL=2KΩ，

Rs=500Ω，UBE Q≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV

求：①ICQ ②UCEQ ③Au（取小数点后2位）④Ri

⑤R0（10分）

3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ、UCQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻RO；（6分）

3. 4.

4、电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：（6分）

（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？

（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？

（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？管耗为多少？

5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡，

求出F0；（4分）

试题一答案

一、填空（每空1分 共40

分）

1、导通 截止 单向

2、反向 少数 温度

无关

3、零 无穷大

4、电流 电压

5、正偏 反偏

6、增加 减小

7、共射极 共集电极 共

基极

8、直流 电流 9、A/1+AF 1/F 10、1+AF fH –fL 1+AF 11、共模 差模 12、交越 甲乙 13、双 单 14、小于近似等于 1 大 小 15、零点 温度 集成 16、调幅 载波信号 17、KUxUy

二、选择题（每空2分 共30分）

1、B C F

2、C D

3、B C E

4、B E

5、C

6、A

7、 B

8、A

9、

A B

三、分析与计算题（共30分）

4分 1、1）二极管V 截止 2）UA0=-4V

10分 2、1）ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2）AU=0.99 3）Ri=122k

4) Ro=20Ω

6分 3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V

6分 4、 1）ui=0时，RL 电流为零 2） V3、V4有一个反接

电路不能工作

3）Uim=12V

4)Pcl=[Vcc 2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W

4 分 5、 1）能振荡 2）fo=280KHZ

《模拟电子技术》模拟试题二

一、填空题（每空1分 共32分）

1、P 型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。

2、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN 结具有（ ）导

电性。

3、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外

加电压（ ）。

4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降UBE （）。

6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。

7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（）负反馈，为了

减小输出电阻采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（）。

10、共模信号是大小（），极性（）的两个信号。

11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放

来克服。

12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（），低频信号称为

（）信号，高频信号称高频（）。

13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（好），fa=（1+β）fβ。

14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。

15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（√2U2）。

二、选择题（每空2分共30分）

1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（Ａ）。

A、12V

B、5V

C、9V

2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、

2.7V，则三个电极分别是（Ｃ），该管是（Ｅ）型。

A、（

B、

C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）

D、（PNP）

E、

（NPN）

3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（Ｂ）失真，下半

周失真时为（Ａ）失真。

A、饱和

B、截止

C、交越

D、频率

4、差分放大电路是为了（Ｃ）而设置的。

A、稳定Au

B、放大信号

C、抑制零点漂移

5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路

（Ａ）能力。

A、放大差模抑制共模

B、输入电阻高

C、输出电阻低

6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（Ｂ）之间变

化。

A、0~20

B、20~200

C、200~1000

7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（Ｃ）Uz

A、0.45

B、0.9

C、1.2

8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（Ａ）（Ｂ）。

A、U-≈U+

B、I-≈I+≈0

C、U0=Ui

D、Au=1

9、对功率放大器的主要要求有（Ｂ）（Ｃ）（Ｅ）。

A、U0高，

B、P0大

C、效率高

D、Ri大

E、波形不失真

10、振荡器的输出信号最初由（Ｃ）而来的。

A、基本放大器

B、选频网络

C、干扰或噪声信号

三、分析计算题

1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示：求：①频带内电压放大倍数Auf（取整数）；②截止频率fL；

2、（8分）已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。

求：①U01②t=10s时的U0？

1.2.

3、（10分）已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K，

RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，β=100，

CE=10uf

求：①ICQ ②UCEQ ③Au ④Ri ⑤R0（取小数点后1位）

3. 4.

4、（9分）已知：RC振荡电路如下图，R=7.9KΩ，C=0.02uF，RF=10K，求：①fo ②R1冷态电阻值；③指明R1的温度特性；

5、（7分）已知：电路如图示：IQ=5mA，R1=500Ω，R2=1KΩ；求：输出电压U0；

试题二答案

一、填空（每空1分 共32

分）

1、多数 少数

2、导通 截止 单向

3、少数 温度 无关

4、电流 电压

5、增加 减小

6、正偏 反偏

7、共射极 共集电极 共

基极 8、直流 电压 9、A/1+AF 1/F 10、相等 相同 11、交越 甲乙 12、调频 调制 高频载波 13、好 1+β 14、正反馈 15、√2U2

二、选择题（每空2分 共30分）

1、A

2、C E

3、B A

4、C

5、A

6、B

7、C

8、A B

9、B C E

10、C

三、分析与计算题（共38分）

1、1）-100 2）160Hz

2、1）1.1V 2）1.1V

3、1）2mA 2 ) 4.7V 3)-66.7 4）1.4K Ω 5）2K Ω

4、1）1KHz 2）5Ω 3）正温度导数

5、 UO=20V

《模拟电子技术》模拟试题三

一 、填空题（每空1分 ，共32分）

1、空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P 型半导体。

2、PN 结的P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为（ ）反之称为（ ）

3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（ ）栽流子形成，其大小决定于（ ），而与外电场（ ）。

4、稳定二极管稳压时是处于（ ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ ）偏置状态。

5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。

6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。

7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。

8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。

9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。

10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。

11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。

12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。

13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（下降）。共基极电路比共射极电路高频特性（好）。

14、振荡电路的平衡条件是（AF=1 ），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。

15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（正）。

二、选择题（每空2分，共34分）

1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（Ａ）

A 5v

B 9v

C 12v

2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（Ｃ），该管是（Ｄ）。

A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)

3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为Ｂ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（Ａ）失真。

A 饱和

B 截止C交越D频率

4、差分放大电路是为了（Ｃ）而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移

5、对功率放大器的主要要求有（Ｂ）（Ｃ）（Ｅ）

A Uo高

B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真

6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（Ｂ）变化。

A 0-20

B 20 -200

C 200-1000

7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=(Ｃ)U2。

A 0.45

B 0.9

C 1.2

8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（Ａ）（Ｂ）。

A U-=U+

B I-=I+=0

C Uo=Ui

D Au=1

9、对功率放大器的主要要求有（Ｂ）（Ｃ）（Ｅ）。

A Uo高

B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真

10、振荡器的输出信号最初是由（Ｃ）而来的。

A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号

三、分析计算题（共34分）

1、已知：电路如图所示K=0.1V U1=3V U2=-6V 求：Uo=? (5

分)

2、已知：电路如图所示Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20ηF rbe=1.5K β=100 CE=10ηF （取小数点后一位）

求：1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)

3、已知：电路如图所示求：Uo=? (5分)

4、已知：RC振荡电路如下图所示R=7.9KΩC=0.02ηF R1=5K Ω

求：1）fo 2）Rt冷态电阻3）指明Rt的温度特性（9分）

5、已知：电路如图IQ=5mA R1=500Ω R2=0.4K Ω

求：输出电压Uo （5分）

试题三答案

一、填空（每空1分 共32分）

1、多数 少数

2、正偏 反偏

3、少数 温度 无关

4、反向 正向

5、β 电流

6、增加 也增加

7、直流 电压 串联 8、扩展 减少 9、Xf/Xo 1+AF 10、共模 差模 11、双 单 12、调相 调制 载波 13、下降 好 14、AF=1 正 15、√2U2

二、选择题（每空2分 共34分）

1、A

2、C D

3、B A

4、C

5、

B C E

6、B

7、C

8、A B

9、B C E 10、C

三、分析与计算题（共34分）

5分 1、5V

10分 2、1）2mA 2) 4.7V 3) -66.7 4）1.4K Ω 5）2K Ω

5分 3、UO=20V

9分 4、1）fo=1KHz 2）Rt=10K 3）负温度系数

5分 5、11V

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属

(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案

74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B

模拟电子技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等 效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相 反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输 入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为 （）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（） 型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）

模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

数字电子技术模拟考试试题及答案

数字电子技术模拟考试试 题及答案 Last revision on 21 December 2020

《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 （15） 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同

1、证明：B A B A A +=+（4分） 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝ ；CP0＝ 。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝ ；K1＝ ；J0＝ ；K0＝ 。 3）列出其输出方程：（1分） Z ＝ 4）求次态方程：（4分） =+11n Q ；=+10n Q 5）作状态表及状态图（9分） Z

电力电子技术试题(二)

电力电子技术 试题（A ） 注：卷面 85分，平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。（8分） 选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶 闸管的额定电压是700V 。（ ） 第 1 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名：

（2） 对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。（ ） （3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势” 负载，已知60β=o ，2100U V =， 50E V =,电路处于可逆变状态。 （ ） 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。（6分） 第 2 页 （共 8 页） 试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：

二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下， 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图 （要标明反电势极性）。（5分） 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ， Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。（5分） 第 3 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名： u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连 续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。（5分） i VT10

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

电子技术模拟试题及其参考答案2

电子技术模拟试题及其参考答案2 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题共13小题，总计28分) 1、(本小题2分) 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。 (a) 发射极(b)集电极(c) 基极 2、(本小题2分) 晶体管的开关作用是( )。 (a) 饱合时集—射极接通，截止时集—射极断开 (b) 饱合时集—射极断开，截止时集—射极接通 (c) 饱合和截止时集—射极均断开 3、(本小题2分) 由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为( )。 (a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门 A 4、(本小题2分) T形电阻网络D/A 转换器是由（）组成。 (a) T形电阻网络和集成运算放大器 (b) T形电阻网络和触发器 (c) T形电阻网络和振荡器 5、(本小题2分) 电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压u O =（）。 (a) －2V (b) 0V (c) 6V (d) 12V

在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 ( )。 (a) 工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性 (b) 工 作 在 非 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 (c) 工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 7、(本小题2分) 一 个 正 弦 波 振 荡 器 的 反 馈 系 数 F =∠? 1 5 180 ，若 该 振 荡 器 能 够 维 持 稳 定 振 荡，则 开 环 电 压 放 大 倍 数 A u 必 须 等 于 （ ） 。 (a) 15360∠? (b) 15 0∠? (c) 5180 ∠-? 8、(本小题2分) 整 流 电 路 如 图1 所 示，输 入 电 压u U t =2sin ω，输 出 电 压 u O 的 波 形 是 图2中( )。 图1 2U －图2 t t + - u O 9、(本小题2分) 若 晶 闸 管 的 控 制 电 流 由 大 变 小， 则 正 向 转 折 电 压 （ ）。 (a) 由 大 变 小 (b) 由 小 变 大 (c) 保 持 不 变 10、(本小题2分) 晶 闸 管 导 通 后， 其 正 向 压 降 约 等 于 （ ）。 (a) 零 (b) 0.3 V (c) 1 V 左 右 11、(本小题2分) 某 数/模 转 换 器 的 输 入 为 8 位 二 进 制 数 字 信 号（D 7 ~ D 0)，输 出 为 0~25.5V 的 模 拟 电 压。若 数 字 信 号 的 最 低 位 是“1” 其 余 各 位 是“0”， 则 输 出 的 模 拟 电 压 为( )。 (a) 0.1V (b) 0.01V (c) 0.001V

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

电子技术本科模拟试题2答案

电子技术模拟卷 一．选择： 1. (1分)P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ C ）。 (A) 带正电 (B) 带负电 (C) 不带电 2.(1分)三极管工作在放大区时，其各结之间的偏置为（ A ）。 (A) 发射结正偏，集电结反偏 (B) 发射结反偏，集电结正偏 (C) 发射结正偏，集电结正偏 (D) 发射结反偏，集电结反偏 3（1分）.运算放大器工作在饱和区时，其输出电压o u 为（A ）。 (A) 当-+>u u 时，o(sat)o U u += (B) 当-+>u u 时，o(sat)o U u -= (C) 当-+ >u u 时，V 0o =u (D) 当-+

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

(精选)模拟电子技术综合复习题(有答案)

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导 g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21 、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V 图2

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）