eMMC详细介绍

eMMC Physical Specifications主要有四种结构，pin角定义及功能上基本一致，主要是看应用平台的需求：

153 balls - Ball Array (Top View)

液晶显示屏V-by-One与LVDS接口信号驱动原理

V-by-One接口信号驱动原理（3840*2160） 一、时钟与像素点关系 一场：60Hz-16.667ms，2250行（2160行有效） ——刷新像素点：3840*2160个/Vertical 一行：135KHz-7.407us，（=60Hz*2250），4400=550*8点（3840点=480*8点有效）——刷新像素点：3840个/ Horizontal Clock：74.25MHz-13.468ns，（=135KHz*550） ——刷新像素点：8个/Clock 以上，可参考《附录A：屏规格书信号时序特性》。 二、V-by-One信号传输规则 每个Clock（DCLK），V-by-O接口有8对差分对（lane0~lane7）同时传输，每对差分对负责一个Pixel；共8个Pixels一起传输数据。 以上，可参考《附录B：屏规格书每场画面时序》与《附录C：屏规格书单区与双区的驱动方式（每一行）》。 每对差分对同时串行传输4Bytes字节（共32bits，V-by-One传输协议有40bits）；（每bit周期0.3367ns=13.468ns/40，2,97G带宽） 或按照公式计算：4(byte)×8×（10/8）×（594MHz/8lines）=2,97G 以上，可参考《附录D：屏规格书数据传输格式》与《附录E：V-by-O协议文件截图》。 信号最小单位为bit，1bit的数据长度合成眼图（1UI=0.3367ns=336.7ps），可通过眼图测试得具体信号特性； 以上，可参考《附录F：V-by-O接口输入端眼图》。

附录C：屏规格书单区与双区的驱动方式（每一行）

LVDS屏线及屏接口定义

LVDS屏线及屏接口定义 现在碰到液晶屏大多是LVDS屏线,经常碰到什么单6,双6 单8双8.如何区分呢? 方法数带“+-”的这种信号 线一共有几对，有10对的减2对就是双8，有8对的减2对就是双6。有5对的 减掉1对是单8，有4对的减掉1对是单6，数+/-线一共有多少对。说通俗点就 4对——单6 5对——单8 8对——双6 10对——双8 方法2 拧开螺丝看看主板里面的电路，一般每对数据线之间都有一个100欧姆的电阻 ，看到4个的话就是单6位的屏，看到8个的话就是双六位，5个的话一般是单8位，有10个一般就是双8位，当然有资料的话就不用这么麻烦，也有TMDS 也用这种20PIN的连接头的，比如LG的LP141X1，不过基本上很少lvds的接口的定义20PIN单6定义： 1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11：R2- 12：R2+ 13：地 14：CLK- 15：CLK+ 16空 17空 18空 19 空 20空每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） 20PIN双6定义 1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：R1- 8：R1+ 9：R2- 10：R2+ 11：CLK- 12：CLK+ 13：RO1- 14：RO1+ 15：RO2- 16：RO2+ 17：RO3- 18：RO3+;19：CLK1- 20：CLK1+每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） X20PIN单8定义： 1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11：R2- 12：R2+ 13：地 14：CLK- 15：CLK+ 16：R3- 17：R3+ 每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） 30PIN单6定义： 1：空2：电源3：电源 4：空 5：空 6：空 7：空 8：R0- 9：R0+ 10：地 11：R1- 12：R1+ 13：地 14：R2- 15：R2+ 16：地 17：CLK- 18：CLK+ 19：地 20：空- 21：空 22：空 23：空 24：空 25：空 26：空 27：空 28空 29空 30空每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）' 30PIN单8定义： 1：空2：电源3：电源 4：空 5：空 6：空 7：空 8：R0- 9：R0+ 10：地 11：R1- 12：R1+ 13：地 14：R2- 15：R2+ 16：地 17：CLK- 18：CLK+ 19：地 20：

@手机存储器介绍

这里要专门说明一下存储器，因为很多手机毛病都和存储有关，而且很多问题都和存储相关，计算机的存储是关键，而手机更始关键，因为计算机有硬盘作为存储，而手机所有的都在存储器里 存储器分为几类，RAM 随即存储器，ROM随即只读存储器还有现在出现一些的闪存，以及电子可编程存储和非易失存储起。一个一个到来 RAM 随机存储器，其中又有SRAM（静态RAM）DRAM（动态RAM）， SRAM，只要只要电源开着，就会保存，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM 中的，不会立刻写入通话记录。只有正常关机，才会写入，如果取电池的话，是不会写入手机的通话记录的，如果在通话记录中出现了已经拨打电话，但是没有记录的情况，那么有可能和这个存储器有关， 可能是你的软件上错误，也可能是硬件。 DRAM在手机上用的不多，因为保留数据时间很短， 从价格上看，SRAM是非常昂贵的，而DRAM相比很便宜。 ROM也有几种，PROM可编程ROM 和EPROM可擦除可编程ROM两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，这个就完蛋了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而E PROM 则是通用的存储器，这些存储器不符和手机软件产品，一般使用ROM少 其他FLASH 这是近来手机采用最多的存储器，这种存储起结合了ROM和RAM的长处，但是不属于RAM 也不属于ROM 手机大量采用的NVRAM 非易失存储器和SRAM属性差不多，EEPROM 电子可擦出可编程存储器，闪存，ROM的后代。手机软件一般放在EEPROM中，EPROM是通过紫外光的照射，擦出原先的程序，而EEPROM是通过电子擦出，当然价格也是很高的，而且写入时间很长，写入很慢，所以前面提到的电话号码，一般先放在S RAM中，不是马上写入EEPROM，因为当时有很重要工作要做——通话，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 NVRAM 是一个很特别的存储器，它和SRAM相类似，但是价格却高很多，由于一些数据实在重要，断电后必须保持这些数据，所以只能存放在这里，一般和个人信息有关的数据会放在这里，比如和S IM卡相关数据。容量大小也只有几百字节。 闪寸存储器是所有手机的首选，综合了前面的所有优点，不会断电丢失数据（NVRAM）快速读取，电气可擦出可编程（EEPROM）所以现在手机大量采用， 说了这么多存储器，可能比较糊涂了，这么多存储器，究竟采用哪中呢，在手机发展中，各种存储器都用过，至于现在，各种手机采用的存储器是不同的，这个和成本相关，各种存储器价格不一样，本着性价比最优组合，由设计者决定，有些是可选的，有些是必须的，是手机方案决定的，我们了解只是各种存储性能，特点，在测试中判断错误原因。

lvds接口定义及原理知识

lvds接口定义及原理知识 LVDS接口定义 作者:bechade 更新时间:2007-9-22 7:31:10 文章录入:chfygl -------------------------------------------------------------------------------- 20PIN单6定义： 1：电源2：电源3：地4：地5：R0- 6：R0+ 7：地8：R1- 9：R1+ 10：地11：R2- 12：R2+ 13：地14：CLK- 15：CLK+ 16空17空18空19 空20空 每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） 20PIN双6定义： 1：电源2：电源3：地4：地5：R0- 6：R0+ 7：R1- 8：R1+ 9：R2- 10：R2+ 11：CLK- 12：CLK+ 13：RO1- 14：RO1+ 15：RO2- 16：RO2+ 17：RO3- 18：RO3+ 19：CLK1- 20：CLK1+ 每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） 20PIN单8定义：

1：电源2：电源3：地4：地5：R0- 6：R0+ 7：地8：R1- 9：R1+ 10：地11：R2- 12：R2+ 13：地14：CLK- 15：CLK+ 16：R3- 17：R3+ 每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） 30PIN单6定义： 1：空2：电源3：电源4：空5：空6：空7：空8：R0- 9：R0+ 10：地11：R1- 12：R1+ 13：地14：R2- 15：R2+ 16：地17：CLK- 18：CLK+ 19：地20：空- 21：空22：空23：空24：空25：空26：空27：空28空29空30空 每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） 30PIN单8定义： 1：空2：电源3：电源4：空5：空6：空7：空8：R0- 9：R0+ 10：地11：R1- 12：R1+ 13：地14：R2- 15：R2+ 16：地17：CLK- 18：CLK+ 19：地20：R3- 21：R3+ 22：地23：空24：空25：空26：空27：空28空29空30空 每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右） 30PIN双6定义： 1：电源2：电源3：地4：地5：R0- 6：R0+ 7：地8：R1- 9：R1+ 10：地11：R2- 12：R2+ 13：地14：CLK- 15：CLK+ 16：

LVDS接口定义

LVDS接口又称RS-644总线接口，是20世纪90年代才出现的一种数据传输和接口技术。LVDS即低电压差分信号，这种技术的核心是采用极低的电压摆幅高速差动传输数据，可以实现点对点或一点对多点的连接，具有低功耗、低误码率、低串扰和低辐射等特点，其传输介质可以是铜质的PCB连线，也可以是平衡电缆。LVDS在对信号完整性、低抖动及共模特性要求较高的系统中得到了越来越广泛的应用。目前，流行的LVDS技术规范有两个标准：一个是TIA/EIA（电讯工业联盟/电子工业联盟）的ANSI/TIA/EIA－644标准，另一个是IEEE 1596.3标准。 如上图，就是一块单六位LVDS 30针接口的液晶屏，其中1脚GND就是地，2脚、3脚VCC就是电压，4、6、7脚为存储IC（一般为24C之类的芯片）的读写信号脚，就是我们常换DELL机器的屏所说的码片，这里面存储了屏的一些信息，如型号、生产日期等，DELL 之类的少类的机器就往屏上这个IC里写入了自家的识别信号。8脚R0-、9脚R0+为第一组LVDS信号，依次类推，每往下一组信号中间都空一脚，共三组R-及R+信号，一直到接口的17脚CLKIN-、18脚CLKIN+，这两脚很重要，断开一根线，屏就无法显示，R-+的信号，少了一根两根还可以点亮屏，当然会显示不正常！这四对信号用数字表量阻值表现为100欧--120欧（不同屏）。

像我以前装液晶显示器的时候，这个单六位LVDS，只要对应单六位，再对应屏的分辨率（分辨率很重要）写个程序，屏线只用十根线，几乎就可以点亮这类的屏！这类屏我们常称为单六，当然液晶显示器的屏还有单八，单八的就多了对R3-和R3+，别小看这多出的一对信号，液晶屏的色彩就会多很多~单八位的己经过时了，以前15寸的液晶显示器的屏很多都是单八位的。当然，还有双八的~现在的市面上的液晶显示器都是双八位的接口啦~ 这里，我可以大胆的说：笔记本上用的都是单六，和双六的~现在液晶显示器上用的都是双八位了，早期的还有TTL、TMDS、TCON接口的，这类接口的我们修本的完全不必了解。扯远了。。。当然，你别和我说：我狗年马日拆的一台液晶显示器里怎么就是单六的……这个就是中国的山寨文化了，你们都懂的……. 真正用于笔记本上的屏全部都是单六的，高档机有双六的，双六接口的就是我们所说的高分屏了。 以前如果超过了1280X800的分辨率的屏就一定是双六或双八的，当然现在出的LED的屏也是这样的，只不过单六的分辨率到了1366X768，略高一点点而己！LED的屏，屏信号也是LVDS的，说的LED只不过是背光源是LED发光的而己~ 双六接口的高分辨率的屏，多了四对信号： RS0-、RS0+，RS1-、RS1+，RS2-、RS2+，CLK2-、CLK2+。（有的屏的PDF档里为RB0-、RB0+之类的，其实都一样）: 如果我们接双六屏线的时候，这四对信号不能接到R0-至CLK1+上面去，否则……你们懂的~ 早期的20针的笔记本屏的定义如下，懒得找图了，直接在百度找个定义说明，略加修改，你们自己研究下吧： 20PIN单6定义： 1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11：R2- 12：R2+ 13：地 14：CLK- 15：CLK+ 16空17空18空19 空20空； 每组信号线之间电阻为（数字表100~120欧左右） 20PIN双6定义： 1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：R1- 8：R1+ 9：R2- 10：R2+ 11：CLK- 12：CLK+ 13：RO1- 14：RO1+ 15：RO2- 16：RO2+ 17：RO3- 18：RO3+ 19：CLK1- 20：CLK1+6；

LVDS接口与MIPI接口

LVDS接口与MIPI接口 MIPI?(Mobile Industry Processor Interface) 是2003年由ARM, Nokia, ST ,TI等公司成立的一个联盟，目的是把手机内部的接口如摄像头、显示屏接口、射频/基带接口等标准化，从而减少手机设计的复杂程度和增加设计灵活性。 MIPI联盟下面有不同的WorkGroup，分别定义了一系列的手机内部接口标准，比如摄像头接口CSI、显示接口DSI、射频接口DigRF、麦克风 /喇叭接口SLIMbus等。统一接口标准的好处是手机厂商根据需要可以从市面上灵活选择不同的芯片和模组，更改设计和功能时更加快捷方便。下图是按照 MIPI的规划下一代智能手机的内部架构。 MIPI是一个比较新的标准，其规范也在不断修改和改进，目前比较成熟的接口应用有DSI(显示接口)和CSI（摄像头接口）。CSI/DSI分别是指其承载的是针对Camera或Display应用，都有复杂的协议结构。以DSI为例，其协议层结构如下：

CSI/DSI的物理层（Phy Layer）由专门的WorkGroup负责制定，其目前的标准是D-PHY。D-PHY 采用1对源同步的差分时钟和1～4对差分数据线来进行数据传输。数据传输采用DDR方式，即在时钟的上下边沿都有数据传输。 D- PHY的物理层支持HS(High Speed)和LP(Low Power)两种工作模式。HS模式下采用低压差分信号，功耗较大，但是可以传输很高的数据速率（数据速率为80M～1Gbps）； LP模式下采用单端信号，数据速率很低（<10Mbps），但是相应的功耗也很低。两种模式的结合保证了MIPI总线在需要传输大量数据（如图像）时可以高速传输，而在不需要大数据量传输时又能够减少功耗。下图是用示波器捕获的MIPI信号，可以清楚地看到HS和LP信号。

半导体存储器分类介绍

半导体存储器分类介绍 § 1. 1 微纳电子技术的发展与现状 §1.1.1 微电子技术的发展与现状 上个世纪50年代晶体管的发明正式揭开了电子时代的序幕。此后为了提高电子元器件的性能，降低成本，微电子器件的特征尺寸不断缩小，加工精度不断提高。1962年，由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）组装成的集成电路（IC）成为微电子技术发展的核心。 自从集成电路被发明以来[1,2]，集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Intel 公司创始人之一的Gordon Moore在1965年预言的摩尔定律[3]：半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。按照这一规律集成电路从最初的小规模、中规模到发展到后来的大规模、超大规模（VLSI），再到现在的甚大规模集成电路（ULSI）的发展阶段。 随着集成电路制造业的快速发展，新的工艺技术不断涌现，例如超微细线条光刻技术与多层布线技术等等，这些新的技术被迅速推广和应用，使器件的特征尺寸不断的减小。其特征尺寸从最初的0.5微米、0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米一直缩短到目前最新的32纳米，甚至是亚30纳米。器件特征尺寸的急剧缩小极大地提升了集成度，同时又使运算速度和可靠性大大提高，价格大幅下降。随着微电子技术的高速发展，人们还沉浸在胜利的喜悦之中的时候，新的挑战已经悄然到来。微电子器件等比例缩小的趋势还能维持多久？摩尔定律还能支配集成电路制造业多久？进入亚微米领域后，器件性能又会有哪些变化？这一系列的问题使人们不得不去认真思考。20世纪末

期，一门新兴的学科应运而生并很快得到应用，这就是纳电子技术。 §1.1.2 纳电子技术的应用与前景 2010年底，一篇报道英特尔和美光联合研发成果的文章《近距离接触25nm NAND闪存制造技术》[4]，让人们清楚意识到经过近十年全球范围内的纳米科技热潮，纳电子技术已逐渐走向成熟。电子信息技术正从微电子向纳电子领域转变，纳电子技术必将取代微电子技术主导21世纪集成电路的发展。 目前，半导体集成电路的特征尺寸已进入纳米尺度范围，采用32纳米制造工艺的芯片早已问世，25纳米制造技术已正式发布，我们有理由相信相信亚20纳米时代马上就会到来。随着器件特征尺寸的减小，器件会出现哪些全新的物理效应呢？ （1）量子限制效应。当器件在某一维或多维方向上的尺寸与电子的徳布罗意波长相比拟时，电子在这些维度上的运动将受限，导致电子能级发生分裂，电子能量量子化，出现短沟道效应、窄沟道效应以及表面迁移率降低等量子特性。 （2）量子隧穿效应。当势垒厚度与电子的徳布罗意波长想当时，电子便可以一定的几率穿透势垒到达另一侧。这种全新的现象已经被广泛应用于集成电路中，用于提供低阻接触。 （3）库仑阻塞效应。单电子隧穿进入电中性的库仑岛后，该库仑岛的静电势能增大e2/2C，如果这个能量远远大于该温度下电子的热动能K B T，就会出现所谓的库仑阻塞现象，即一个电子隧穿进入库仑岛后就会对下一个电子产生很强的排斥作用，阻挡其进入。 以上这些新的量子效应的出现使得器件设计时所要考虑的因素大大增加。目

常见LVDS接口液晶屏定义

常见LVDS 接口液晶屏定义 20PIN 单 6 定义： 1：电源 2：电源 3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11 ：R2- 12：R2+ 13：地14 ：CLK- 15 ：CLK+ 16空 17 空 18 空 19 空 20 空 每组信号线之间电阻为（数字表 120 欧左右） 20PIN 双 6 定义： 1：电源 2：电源 3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：R1- 8 ：R1+ 9：R2- 10 ：R2+ 11 ： CLK- 12：CLK+ 13： RO1- 14 ：RO1+ 15： RO2- 16 ：RO2+ 17： RO3- 18 ： RO3+ 19： CLK1- 20 ： CLK1+ 每组信号线之间电阻为（数字表 120 欧左右） 20PIN 单 8 定义： 1：电源 2：电源 3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11 ：R2- 12：R2+ 13：地14 ：CLK- 15 ：CLK+ 16 ： R3- 17 ：R3+ 每组信号线之间电阻为（数字表 120 欧左右） 30PIN 单 6 定义： 1：空 2：电源 3：电源 4：空 5：空 6：空 7：空 8：R0- 9：R0+ 10：地 11 ：R1- 12： R1+ 13：地14 ：R2- 15 ：R2+ 16：地17 ：CLK- 18 ：CLK+ 19：地20：空- 21 ：空22：空23：空24：空25 ：空 26 ：空 27 ：空 28 空 29 空 30 空 每组信号线之间电阻为（数字表 120 欧左右） 30PIN 单 8 定义： 1：空 2：电源 3：电源 4：空 5：空 6：空 7：空 8：R0- 9：R0+ 10：地 11 ：R1- 12： R1+ 13：地14 ：R2- 15 ：R2+ 16：地 17 ： CLK- 18 ：CLK+ 19：地 20 ：R3- 21 ：R3+ 22：地 23：空 24：空

教你区分LVDS屏线及屏接口定义(精)

教你区分 LVDS 屏线及屏接口定义 现在碰到液晶屏大多是 LVDS 屏线 , 经常碰到什么单 6, 双 6 单 8双 8. 如何区分呢 ? 我以前也不知道 , 后在网上收集学习后才弄明白 方法 1 数带“ +-”的这种信号线一共有几对,有 10对的减 2对就是双 8, 有 8对的减 2对就是双 6。有 5对的减掉 1对是单 8, 有 4对的减掉 1对是单 6,数 +/-线一共有多少对。说通俗点就是 4对————单 6 5对————单 8 8对————双 6 10对————双 8 方法 2 拧开螺丝看看主板里面的电路,一般每对数据线之间都有一个 100欧姆的电阻,看到 4个的话就是单 6位的屏,看到 8个的话就是双六位, 5个的话一般是单 8位, 有10个一般就是双 8位,当然有资料的话就不用这么麻烦, 也有 TMDS 也用这种 20PIN 的连接头的,比如 LG 的 LP141X1,不过基本上很少 lvds 的接口的定义 20PIN 单 6定义: 1:电源 2:电源 3:地 4:地 5:R0- 6:R0+ 7:地 8:R1- 9:R1+ 10:地 11:R2- 12:R2+ 13:地14:CLK- 15:CLK+ 16空 17空 18空 19 空 20空

每组信号线之间电阻为(数字表 120欧左右 ,20PIN 双 6定义 1:电源 2:电源 3:地 4:地 5:R0- 6:R0+ 7:R1- 8:R1+ 9:R2- 10:R2+ 11:CLK- 12:CLK+ 13:RO1- 14:RO1+ 15: RO2- 16:RO2+ 17:RO3- 18:RO3+; 19:CLK1- 20:CLK1+ 每组信号线之间电阻为(数字表 120欧左右 20PIN 单 8定义: 1:电源 2:电源 3:地 4:地 5:R0- 6:R0+ 7:地 8:R1- 9:R1+ 10:地 11:R2- 12:R2+ 13:地14:CLK- 15:CLK+ 16:R3- 17:R3+ 每组信号线之间电阻为(数字表 120欧左右 30PIN 单 6定义: 1:空 2:电源 3:电源 4:空 5:空 6:空 7:空 8:R0- 9: R0+ 10:地 11:R1- 12:R1+ 13:地14:R2- 15:R2+ 16:地 17:CLK- 18:CLK+ 19:地 20:空 - 21:空 22:空 23:空 24:空 25:空26:空 27:空 28空 29空 30空 每组信号线之间电阻为(数字表 120欧左右 30PIN 单 8定义: 1:空 2:电源 3:电源 4:空 5:空 6:空 7:空 8:R0- 9: R0+ 10:地 11:R1- 12:R1+ 13:地14:R2- 15:R2+ 16:地 17:CLK- 18:CLK+ 19:地 20:R3- 21:R3+ 22:地 23:空 24:空 25:空26:空 27:空 28空 29空 30空 每组信号线之间电阻为(数字表 120欧左右

PLC系统的存储器分类介绍

PLC系统中的存储器主要用于存放系统程序、用户程序和工作状态数据。PLC的存储器包括系统存储器和用户存储器。 （1）系统存储器 系统存储器用来存放由PLC生产厂家编写的系统程序，并固化在ROM内，用户不能更改。它使PLC具有基本的功能，能够完成PLC设计者规定的各项工作。系统程序质量的好坏很大程度上决定了PLC的性能。 （2）用户存储器 用户存储器包括用户程序存储器（程序区）和数据存储器（数据区）两部分。用户程序存储器用来存放用户针对具体控制任务采用PLC编程语言编写的各种用户程序。用户程序存储器根据所选用的存储器单元类型的不同（可以是RAM、EPROM或EEPROM存储器），其内容可以由用户修改或增删。用户数据存储器可以用来存放（记忆）用户程序中所使用器件的ON/OFF状态和数据等。用户存储器的大小关系到用户程序容量的大小，是反映PLC性能的重要指标之一。 为了便于读出、检查和修改，用户程序一般存于CMOS静态RAM中，用锂电池作为后备

电源，以保证掉电时不会丢失信息。为了防止干扰对RAM中程序的破坏，当用户程序经过运行正常，不需要改变，可将其固化在只读存储器EPROM中。现在有许多PLC直接采用EEPROM 作为用户存储器。 工作数据是PLC运行过程中经常变化、经常存取的一些数据。存放在RAM中，以适应随机存取的要求。在PLC的工作数据存储器中，设有存放输入输出继电器、辅助继电器、定时器、计数器等逻辑器件的存储区，这些器件的状态都是由用户程序的初始设置和运行情况而确定的。根据需要，部分数据在掉电时用后备电池维持其现有的状态，这部分在掉电时可保存数据的存储区域称为保持数据区。 由于系统程序及工作数据与用户无直接联系，所以在PLC 产品样本或使用手册中所列存储器的形式及容量是指用户程序存储器。当PLC提供的用户存储器容量不够用，许多PLC还提供有存储器扩展功能。 存储器主要有两种：一种是可读/写操作的随机存储器RAM，另一种是只读存储器或可擦除可编程的只读存储器ROM、PROM 、EPROM 和EEPROM。

常见LVDS屏接口定义

2 常见屏的接口 LVDS接口： 比较常见的接口，有14针插接口，20P针插、30针插和片插等多为LVDS接口LVDS常用的驱动板： 2023（支持17寸以下含17寸的所有LVDS屏VGA烧录模式） 2025（支持19寸以下含19寸以下的所有LVDS屏VGA烧录模式） NTA91B（支持22寸或1680*1050以下的所有LVDS屏VGA烧录模式） 2621免程序驱动板（直接跳线就可支持14-19等LVDS屏免烧录） TTL接口：（与LVDS的屏线区别TTL的屏线相对较多） TTL屏要求驱动板输入单或双6位/8位的三基色的TTL电平，所以连接线用得比较多，一般有31扣41扣30软排线+40软排线60扣70扣80扣等，特点线比较多 驱动板： RTMC7B（新款TTL驱动板支持所有TTL接口协议还可支持TMDS TCON接口屏代替2013 2533 2033等驱动板） 鼎科2033V免程序驱动板 RSDS接口： 单50软排线、双40软排线（50+30）软排线一般为RSDS接口。 驱动板： MA4B:支持双40 30+50 单50软排线RSDS专用驱动板 TCON接口：Timing Controller（不常用） 现在很多的型号的液晶屏接受的是LVDS信号，而Driver IC收到的是RSDS信号，这中间就是由TCON实现的转换，不少屏是RSDS接口的，是PANEL厂家为了减少PANEL成本，省掉了TCON芯片，因为目前的很多驱动板IC都可以直接处理RSDS 信号了。 TMDS接口（不常用） 是一种类似于LVDS的接口。该接口在液晶发展中属于昙花一现。典型的有三星公司出的 LT181E2-131、LT170E2-131、日立的TX38D21V、LG的LP141X1等。 最新到货！！超小体积四灯小口高压板特价销售，联想方正系列超小体积电源高压一体板疯狂特价销 ? 上面我们知道了屏的型号和接口了，但是我们还不知道这个是多少位的屏和多少 的供电，为了让大家轻松搞会这一步，我们拿一个单6位LVDS的屏来解析一下，

LVDS接口与MIPI接口

LVDS接口与MIPI接口 MIPI (Mobile Industry Processor Interface) 是2003年由ARM, Nokia, ST ,TI等公司成立的一个联盟，目的是把手机内部的接口如摄像头、显示屏接 口、射频/基带接口等标准化，从而减少手机设计的复杂程度和增加设计灵活性。MIPI联盟下面有不同的WorkGroup，分别定义了一系列的手机内部接口标准，比如摄像头接口CSI、显示接口DSI、射频接口DigRF、麦克风 /喇叭接口SLIMbus 等。统一接口标准的好处是手机厂商根据需要可以从市面上灵活选择不同的芯片和模组，更改设计和功能时更加快捷方便。下图是按照 MIPI的规划下一代智能手机的内部架构。 MIPI是一个比较新的标准，其规范也在不断修改和改进，目前比较成熟的接口应用有DSI(显示接口)和CSI(摄像头接口)。CSI/DSI分别是指其承载的是针对Camera或Display应用，都有复杂的协议结构。以DSI为例，其协议层结构如下:

CSI/DSI的物理层(Phy Layer)由专门的WorkGroup负责制定，其目前的标准是D-PHY。D-PHY采用1对源同步的差分时钟和1,4对差分数据线来进行数据传输。数据传输采用DDR方式，即在时钟的上下边沿都有数据传输。 D- PHY的物理层支持HS(High Speed)和LP(Low Power)两种工作模式。HS模式下采用低压差分信号，功耗较大，但是可以传输很高的数据速率(数据速率为80M,1Gbps); LP模式下采用单端信号，数据速率很低(<10Mbps)，但是相应的功耗也很低。两种模式的结合保

LVDS接口定义及标准

LVD LVD 低電對多線，廣泛盟）199公佈範，現，纜。高傳LVD 成，很高mV 在有的M 理很輸入1） S 接口定義DS 接口又稱電壓差分信多點的連接，也可以是平泛的應用。）的ANSI/T 95年11月佈了IEEE ，對於生產工，其供電電。標準推薦傳輸速率可DS 接口的原一個簡單，如圖1所高，驅動器電V 。通過驅有些最新生MAX9121/9在LVDS 很簡單，因為入端產生的來傳送信號表1是LV 表2 是接義及標準 稱RS-644信號，這種技接，具有低功平衡電纜。目前，流行TIA/EIA －6，以美國國1596.3標準工藝、傳輸電壓可以從+薦的最高數據可達1.923G 原理及電特單的LVDS 傳所示。驅動器電流大部分驅動器的開關生產的LVDS 9122等。 系統中，採為一對差分效果是相互號，從而可VDS 驅動器 接收器的主要4總線接口技術的核心是功耗、低誤。LVDS 在對行的LVDS 技644標準，國家半導體準。這兩個輸介質和供電+5V 到+3.3據傳輸速率Gbps 。 特性 傳輸系統由器的電流源分直接流過關，改變直S 接收器中採用差分方分線對上的電互抵消的，可以大大提高器的主要電 要電特性參，是20世紀是採用極低誤碼率、低串對信號完整技術規範有另一個是 體公司為主推個標準注重於電電壓等則3V ，甚至更率是655Mbp 一個驅動器源（通常為3100?的終直接流過電阻中，100?左方式傳送數據電流方向是因而對信號高數據傳輸電特性參數 參數。 紀90年代低的電壓擺幅串擾和低輻整性、低抖動有兩個標準IEEE 159推出了ANS 於對LVDS 則沒有明確更低；其傳輸ps ，而理論器和一個接3.5mA ）來終端電阻，從阻的電流的左右的電阻直據，有著比是相反的，當號的影響很 輸速率和降低才出現的一幅高速差動輻射等特點動及共模特：一個是T 96.3標準。SI/TIA/EIA S 接口的電。LVDS 可輸介質可以論上，在一收器通過一來驅動差分線從而在接收的有無，從而直接集成在比單端傳輸方當共模方式很小。這樣，低功耗。 一種數據傳動傳輸數據，其傳輸介特性要求較高TIA/EIA （電 －644標準電特性、互連可採用CMO 以是PCB 連個無衰耗的一段差分阻線對，由於收器輸入端產而產生「1」在片內輸入端方式更強的式的噪聲耦合就可以採用 傳輸和接口技，可以實現介質可以是銅高的系統中電訊工業聯準。1996連與線路端OS 、GaAs 連線，也可的傳輸線上阻抗為100於接收器的直產生的信號」和「0」的端上了，如的共模噪聲抑合到線對上用很低的電技術。LVDS 現點對點或一銅質的PCB 中得到了越來盟/電子工業年3月，IE 端接等方面的s 或其他技術以是特製的上，LVDS 的?的導體連接直流輸入阻號幅度大約的邏輯狀態如MAXIM 公抑制能力。上時，在接收電壓擺幅（見S 即一點B 連來越業聯EE 的規術實的電的最接而阻抗350態。公司道收器見表

ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍

ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍

课堂教学实施方案 授课时间：

课 题：只读存储器ROM 、主存储器的设计 5.3 只读存储器ROM 指在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器，在不断发展变化的过程中，ROM 器件也产生了掩模ROM 、PROM 、EPROM 、EEPROM 等各种不同类型。 一、掩模ROM 如图4-11所示，是一个简单的4×4位的MOS ROM 存储阵列，采用单译码方式。这时，有两位地址输入，经译码后，输出四条字选择线，每条字选择线选中一个字，此时位线的输出即为这个字的每一位。 此时，若有管子与其相连（如位线1和位线4），则相应的MOS 管就导通，这些位线的输出就是低电表平，表示逻辑“0”；而没有管子与其相连的位线（如位线2和位线3），则输出就是高电平，表示逻辑“1”。 二、可编程的ROM 掩模ROM 的存储单元在生产完成之 后，其所保存的信息就已经固定下来了，这给使用者带来了不便。为了解决这个矛盾，设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM 器件，即可编程的ROM ，又称为PROM 。 PROM 的类型有多种，我们以二极管破坏型PROM 为例来说明其存储原理。 这种PROM 存储器在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN 结，字线与位线之间不导通，此时，意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。如果用户需要写入程序，则要通过专门的PROM 写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN 结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意味着写入了“1”。读出的操作同掩模ROM 。 除此之外，还有一种熔丝式PROM ，用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指定的熔丝，以达到写入“1”的目的。 对PROM 来讲，这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极管不能再正常工作，烧断后的熔丝不能再接上，所以这种ROM 器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了。 P + P + A l S i O 2S D 浮空多 晶硅栅 N 基体 字线 EPROM (a) (b) 位线

led屏接口定义20PIN-30PIN

20pin单6定义： 3.3v 3.3v 1：电源2：电源3：地4：地5：r0- 6：r0+ 7：地8：r1- 9：r1+ 10：地11：r2- 12：r2 + 13：地14：clk- 15：clk+ 16空17空18空19 空20空 每组信号线之间电阻为（数字表100欧左右）指针表20 －100欧左右（4组相同阻值） 20pin双6定义： 1：电源2：电源3：地4：地5：r0- 6：r0+ 7：r1- 8：r1+ 9：r2- 10：r2+ 11：clk- 12：clk+ 13：ro1- 14：ro1+ 15：ro2- 16：ro2+ 17：ro3- 18：ro3+ 19：clk1- 20：clk1+ 每组信号线之间电阻为（数字表100欧左右）指针表20 －100欧左右（8组相同阻值） 20pin单8定义： 1：电源2：电源3：地4：地5：r0- 6：r0+ 7：地8：r1- 9：r1+ 10：地11：r2- 12：r2 + 13：地14：clk- 15：clk+ 16：r3- 17：r3+ 每组信号线之间电阻为（数字表100欧左右）指针表20 －100欧左右（5组相同阻值） 30pin单6定义： 1：空2：电源3：电源4：空5：空6：空7：空8：r0- 9：r0+ 10：地11：r1- 12：r1+ 1 3：地14：r2- 15：r2+ 16：地 17：clk- 18：clk+ 19：地20：空- 21：空22：空23：空24：空 25：空26：空27：空28空29空30空 每组信号线之间电阻为（数字表100欧左右）指针表20 －100欧左右（4组相同阻值） 30pin单8定义： 1：空2：电源3：电源4：空5：空6：空7：空8：r0- 9：r0+ 10：地11：r1- 12：r1+ 1 3：地14：r2- 15：r2+ 16：地 17：clk- 18：clk+ 19：地20：r3- 21：r3+ 22：地23：空24：空 25：空26：空27：空28空29空30空 每组信号线之间电阻为（数字表100欧左右）指针表20 －100欧左右（5组相同阻值） 30pin双6定义： 1：电源2：电源3：地4：地5：r0- 6：r0+ 7：地8：r1- 9：r1+ 10：地11：r2- 12：r2 + 13：地14：clk- 15：clk+ 16：地 17：rs0- 18：rs0+ 19：地20：rs1- 21：rs1+ 22：地23：rs2- 24：rs2+ 25：地26：clk2- 27：clk2+ 30pin双8定义： 1：电源2：电源3：电源4：空5：空6：空7：地8：r0- 9：r0+ 10：r1- 11：r1+ 12：r2- 13：r2+ 14：地15：clk- 16：clk+ 17：地18：r3- 19：r3+ 20：rb0- 21：rb0+ 22：rb1- 23：rb1+ 24：地 25：rb2- 26：rb2+ 27：clk2- 28：clk2+ 29：rb3- 30：rb3+ 每组信号线之间电阻为（数字表100欧左右）指针表20 －100欧左右（10组相同阻值） 一般14pin、20pin、30pin为lvds接口， 25、31、40、41、60、70、75、80、100pin接口为ttl接口，其中41pin以下为单6位，60p in以上为双六位屏 50、80（50+30）pin接口的为rsds接口。单排白色线。 14+20in接口为***s接口，少得很！ 根据上面的看看你的屏是什么接口，一般14.1的笔记本液晶屏都是单6的

常见存储器芯片资料(简版)

2716 2716指的是Intel2716芯片，Intel2716 是一种可编程可擦写存储器芯片 封装:双列直插式封装， 24个引脚 基本结构:带有浮动栅的 MoS 管 ■! IJteJCh 虹图 再乱姑总IiU 图 封装：直插24脚, 引脚功能: AI0～A0 :地址信号 O7~O0 ：双向数据信号输入输出引脚; CE ：片选 OE:数据输出允许； VCC ： +5v 电源， VPP ： +25v 电源； GND ：地 2716读时序： πrπmr S. - - LeK Eit ?J∣i = 4 3「亠 10191UUr-61M 413 >. 」 T -.」?->.」"4 ■-? S -11 ■ - ■ - ? - □ ■ 丁_ 1 2 ?- 4 ? 6 7 8 Q- 1 1 1

2732 相较于2716 : Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的 MoS管构成，共可保存4K×8位 二进制信息 封装：直插24脚 引脚功能： A0~A11地址 E片选 G/VPP输出允许/+25v电源DQ0～7数据双向 VSS地 VCC+5v电源 2732读时序 124 爾匚223 4?匚322 皿匚斗21 520 輕匸6 f AlLΛ AQ 匚 S v-y17 Be)O 匚 915 Dal匚10IS DQ2匚11 VSS匚t* J VCC J AB □A≡ J AM □G l VPP 3 TeS 4

Read Mode Tlming Diagram 2764、27128、27256、27512 等与之类似 27020 ■ PLCC 256kx8 55/7 Ons /贴片32脚 存储空间： 读写时间： 封装：直插 ■ DlF ππ ]VQ CE 二 〈 ＊ 5 29 — 5 — T 77 I Λ 2G Γ § A27020AL Γ ID A 23 _ 12 22 二 13 31 g EJ Γ? GQ W C 袒 菱■ H ＊ * 氏 AF r α Λs ? ～~∣ A ? ～~l ? 0s I J QMO M M - ◎ Vcc 取 E ^ AB *? A ?A 11 5C Λ10 CE 畑 2 畑 畑岭 πππππ□ππππππ□ππ□ T t n O ? t _7 ＆ ? 4 —S —S I a —^e T 3 S 3- -Z 2 2 7 2 I Z Z 2 2 I l l O l 2 3 4 S 7 J -Q I I I l 。1 .1 匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚 E :：：:：：网 引脚功能：

存储设备的简单介绍

存储设备的简单介绍 存储设备分为以下几类： 磁带机、磁带库、磁盘阵列、SUN网络存储、NAS网络存储、IP SAN网络存储、虚拟磁带库、光盘库、光盘库 ●磁带机： 磁带存储器的读写原理基本上与磁盘存储器相同，只是它的载磁体是一种带状塑料，叫做磁带。写入时可通过磁头把信息代码记录在磁带上。当记录代码的磁带在磁头下移动时，就可在磁头线圈上感应出电动势，即读出信息代码。磁带存储器由磁带机和磁带两部分组成。 磁带机的分类和结构 磁带的分类： 按带宽分有1/4英寸和1/2英寸； 按带长分有2400英尺、1200英尺和600英尺； 按外形分有开盘式磁带和盒式磁带； 按记录密度分有800位/英寸、1600位/英寸、6250位/英寸； 按带面并行记录的磁道数分有9道、16道等。 计算机系统中多采用1/2英寸开盘磁带和1/4英寸盒式磁带，它们是标准磁带 磁带机的分类： 按磁带机规模分，有标准半英1/2磁带机、盒式磁带机、海量宽磁带存储器。 按磁带机走带速度分，有高速磁带机(4—5m/s)、中速磁带机(2—3m/s）、低速磁带机(2m/s以下)。磁带机的数据传输率为C=D·v，其中D为记录密度，v为走带速度。带速快则传输率高。按磁带的记录格式分类，有启停式和数据流式。 ●磁带库 磁带库是像自动加载磁带机一样的基于磁带的备份系统，它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能，但同时具有更先进的技术特点。它的存储容量可达到数百PB（1pb=100万GB），可以实现连续备份、自动搜索磁带，也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计，整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。 磁带库不仅数据存储量大得多，而且在备份效率和人工占用方面拥有无可比拟的优势。在网络系统中，磁带库通过SAN（Storage Area Network-存储局域网络）系统可形成网络存储系统，为企业存储提供有力保障，很容易完成远程数据访问、数据存储备份，或通过磁带镜像技术实现多磁带库备份，无疑是数据仓库、ERP等大型网络应用的良好存储设备。 ●磁盘阵列 磁盘阵列，简称盘阵，计算机行业使用的一种企业级存储系统。盘阵把多个磁盘组合成一个阵列，通过RAID和虚拟化等技术手段，作为一个单一的存储设备来使用。通过把数据分散在不同的物理磁盘中，盘阵可以减低数据的访问时间、提高访问速度；通过RAID等容错机制，它可以提高数据的安全性；另外，它还可以有效的利用磁盘空间。 要全面理解“磁盘阵列”，就还必须了解以下几个重要概念： 最大存储容量是指磁盘阵列设备所能存储数据容量的极限，通俗的讲，就是磁盘阵列设备能够支持的最大硬盘数量乘以单个硬盘容量就是最大存储容量，其实这是个理论值。实际上这个数值还取决于所使用RAID（独立冗余磁盘整理）的级别，采用不同的RAID级别，有效的存储容量也就有所差别。通常，一般小型的磁盘阵列设备会支持几百GB的存储容量，适合中小型公司作