模电课后习题参考答案
《自测题、思考题与习题》参考答案
第1章
自测题
一、1.杂质浓度；温度。2.减小；增大。3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。4.0.5；0.7；0.1；0.2。5. 15V；9.7V；6.7V；1.4V；6V；0.7V。6.大；整流。
二、1.①；⑤；②；④。2. ②；①。3.①。4.③。5.③。6.③。
三、1、2、5、6对；3、4错。
思考题与习题
1.3.1 由直流通路(图略)得I D=(10-0.7)/5.1×103≈1.82mA；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=14.3Ω。再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[14.3/(14.3+25)]u i≈3.6sinωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。(b)U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥1.7V时VD1导通，VD2截止，u o=1.7V；当u i≤-1.7V时VD2导通，VD1截止，u o=-1.7V；当-1.7V≤ u i≤1.7V时VD1、VD2均截止，u o=u i。故u o为上削顶下削底，且幅值为±1.7V的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图1.3.2(c)来表示。当-0.5V
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。截止。
1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；-0.7V
1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。
第2章
自测题
一、1. 15；100；30。2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA；
(7)30mV。4.(1) 1mA，6V；(2)14.1kΩ，3.6kΩ；(3) -1.5。5.削底，削底，削底。6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。
二、1.②。2.④。3. ③。4.②；①；④。5.②④。6.④。
三、1、5对；2、3、4、6错。
思考题与习题
2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。
2.1.2 (a)放大状态。(b)截止状态。(c)因J C零偏，管子处于临界饱和状态。
2.2.1图(a)电路不能放大，因为静态I B=0。图(b)电路不能放大，因为V CC极性接反。图(c)、电路具有放大功能。
2.3.1 (1) 当S→A时，因R b<βR c，管子处于饱和区，I C=I CS ≈V CC/R c=3(mA)。(2) 当S→B时，因R b>βR c，管子处于放大区，I B=(V CC-U BE)/R bB=0.0228 (mA)，I C=βI B=1.824 (mA)。(3) 当S→C 时，截止，I C=0。
2.3.2 (1)由题图 2.8(b)得V CC=10V，U CE=4V，I B=40μA，I C=2mA，所以R b=(V CC-U CE)/I B=232.5kΩ，R C=(V CC-U CE)/I C =3kΩ。又由图可知I C R'L=(6-4)=2V，故R'L=1kΩ。据R'L=R c//R L得R L=3/2kΩ。(2)因I C R'L
2.3.4 (1)由?U BE+I B R B?V CC=0得I B≈0.49 mA，I C≈9.8mA。由?U CE+I C R c?V CC=0得U CE = ?7.1V。P C=|I C U CE|≈69.6mW
2.3.5 (1) I C≈βI B=β(V CC -U BEQ)/R1，U CE≈V CC -I C(R2+R3)。(2) A u =?β(R2//R L)/r be，R i=R1//r be；R o ≈R2 。(3) 若将C3开路，r be和R i不变，此时A u =?β[(R2+R3)//R L]/r be，R o ≈R2+R3 。
2.3.6 (1) I B=(V CC-0.7)/[R B1+R B2+ (1+β)R c]，I C=βI B，U CE=V CC-(1+β)I B R c。(2) A u= ?β(R B2//R c//R L)/r be，R i=R B1//r be，R o=R B2//R c 。
2.4.1 (1) U B ≈4V，I C≈1.65mA，I B=I C/β≈28μA，U CE ≈7.75V。(2)r be≈1.2 KΩ。(3) A u =?100。
(4)U om=I C(R c//R L)=3.3V。(5)若U CE=4V，则I C=(V CC-U CE)/ (R c+R e)=2.4V，U B=0.7+ I C R e=5.5V，R b1≈38.2kΩ。
2.4.2 (1)Q点在交流负载线的中点上时输出幅度最大，由此可得I C R'L=U CE，且U CE= V CC-I C(R c+R e)，故解得I C=1.5mA，U CE=3V。于是得U E=3V，U B =
3.7V，R b1≈11.4kΩ。(2) r be =1.85kΩ，A u =?108。
2.4.3 因U B =
3.43V，U E = 2.73 V，I E=U E/(R e1+R e2)≈1.82 mA，故r be=0.951kΩ。R i=R b1//R b2//[r be+(1+β)R e1]≈5.19kΩ。A u=?β(R c//R L)/[r be+(1+β)R e1]≈-9.14，A us=－7.66。R o≈R c=3.3kΩ。当R e并一大电容，R i=R b1//R b2//r be=0.856kΩ。A u =?β(R c//R L)/r be≈-126.54。结果表明，R e被大电容短路后，R i减小而A u提高了。
2.4.4 (1)I C≈I E= (V CC-U E)/(R e1+R e2)≈1.35mA，U CE=?[10?I C(R C+R E1+R E2)]=?
3.5V。(2)图略。
(3)因r be ≈1.2kΩ，故A u =?βR c/[r be+(1+β)R E1]≈?14.5，R i=R B1//R B2//[r be+(1+β)R E1]=4.6kΩ，R o =R c=3.3kΩ。(4)因A u =?β(R c//R L)/[r be+(1+β)R E1]≈?11.4，故A us=－7.76。(5)当R B1调大时，A u减小、R i增大，而R o将保持不变。
2.4.5 (1)由图得I C=1.5mA，U CE=7.5V，V CC=15V；U CE+I C(R c//R L)=10.5V得R c=3KΩ；V CC/(R c+R e)=3mA得R e=2KΩ。(2)R b2=U B/I Rb2=(I C R e+0.7)/I Rb2=10KΩ；R b1=(V CC-U B)/ (I Rb2+I B)=28KΩ。(3)P om=U cem I cm/2=2.25mW，P Vcc=V CC I C=22.5mW，η=P om/P Vcc=10%，P c=P Vcc-P om=20.25mW。
2.4.6 (1) I C≈(U B-U BE)/R e≈1.8mA，I B=I C/β=18μA，U CE≈V CC-I C(R c+R e)=2.8V。(2)因r be≈1.66kΩ，故A u1≈?0.79；A u2≈0.8。(3)R i=R b1//R b2//[r be+(1+β)R e]≈8.2kΩ。(4)R o1≈R c=2kΩ；R o2 =R e//[r be+(R b1// R b2//R s)]/(1+β)≈31Ω。
2.4.7 (1) I B=28μA，I C=1.4mA，U CE≈6.4V。(2) r be=1.25kΩ，A u =0.99，R i =76kΩ，R o≈22Ω。
2.4.8 (1)由于基极电流较大，故用戴维南定理得I B≈0.2mA，I C≈10mA，U CE≈10V。(2) A u=25，R i =19Ω，R o≈500Ω。
第3章
自测题
一、1.结型和绝缘栅型；电压控制；输入电阻高；不参与导电。2. 漏；源；源；漏；源。
3. 4mA；-3 V。
4. 16mA；+4V；8ms。
5.减小；减小；减小。
6. g m和R S。
二、1. ②。2. ③。3. ④。4. ④。5.③。6. ②。
三、3、4、5对；1、2、6错。
思考题与习题
3.1.1图(a)为N-DMOS，U P=-2V，I DSS=2mA；图(b)为P-JFET，U P=2V，I DSS=3mA；图(c)为P-DMOS，U P=2V，I DSS=2mA；图(d)为N-EMOS，U T=1V。
3.1.2图(a)为N-EMOS，U T=3V；图(b)为P-EMOS，U T=-2V；图(c)为P-DMOS，U P=2V，
I DSS=-2mA；图(d)为N-DMOS，U P=-3V，I DSS=3mA。
3.1.3
习题3..1.3图解
3.1.4 (1)为N-DMOS；(2) U P=-3V；(3)I DSS≈6mA。
3.2.1(1)A u= -g m R D= -66。(2) A u= -g m R′L= -50。(3)R i=R g+R g1//R g2 R g=10MΩ，R o=R D=33kΩ。
(4)若C s开路，A′u= -g m R′L/(1+g m R s)= A u/5，即下降到原来的20%。
3.2.2(1)将U GS=9.3-11I D代入转移曲线方程得I D1=0.56mA，I D2=0.4mA；再分别代入U GS=9.2-11I D中可得U GS1=3.04V(舍去)和U GS2=
4.8V。故静态漏极电流I D=0.4mA，U GS= 4.8V。并且U DS =V DD -I D(R d+R s1+R s2)= 9.6V。(2) R i =2.08MΩ，R o≈R d =10kΩ。(3)因g m=1mA/V，故A u= -g m(R d//R L)/(1+g m R s1)= -2.5 。
3.2.3(1)转移曲线方程得I D=1mA，由U GS=-I D R1得R1=2kΩ。(2)由U DS =V DD -I D(R d+R1+R2)得R2=4kΩ。(3)因g m=1mA/V，故A u= -g m R d/[1+g m(R1+R2)]= -1.43。
3.2.4(1)解方程得I D1=1.15mA ，I D2=7.8mA(舍去)，进而得U GS =-1.15V ，U DS = 5.05V 。(2) 因g m =1.23mA/V ，A u1= -9.1，A u2=0.38。(3) R i =1M Ω，R o1≈ R d =12k Ω，R o2≈R s //(1/g m ) = 0.31k Ω。
3.2.5(1)解方程得I D1=0.82mA ，I D2=0.31mA ，再分别代入U GS =-8I D 得U GS1=-6.56V(舍去)，U GS2= -2.48V ，所以当I D =0.31mA ，U GS = -2.48V 时，U DS ≈12.5V 。(2) 因g m =0.4mA/V ，A u =0.76，R i =1M Ω，R o ≈R s //(1/g m ) =1.9k Ω。
3.2.6(1)由已知U GS =
-0.2V 得I D1=0.42mA ，U DS =15.8V 。(2) A u =0.86，R i =1.4M Ω，R o ≈R s //(1/g m ) =0.77k Ω。
第4章
自测题
一、1．105；100。2．80；104。3．负载电阻；信号源内阻。4.u s l 1001(100/)A j f -=- ；ush 51001(/10)A j f -=+ 。
5.不变；下降；不变；减小；不变；增大。
6.窄；低。
二、1.(1) ③；(2) ③；(3) ③；(4) ②。2. (1) ③；(2) ④。3.(1) ③；(2) ①。4. ④。5.①。6.②。 三、2、5对；1、3、4、6错。
思考题与习题
4.1.1(1) I B1=20μA ，I C1=2mA ，U CE1≈10V 。U B2=
5.14V ，I C2≈I E2 =2.96mA ，U CE2≈7.64V 。
(2)r be1=1.4k Ω；r be2=0.99k Ω。R i2≈9.8(Ω)，R i =R b0//[r be1+(1+β1)(R e1//R i2)]≈2.3k Ω。R o ≈R c2=2k Ω。
(3)A u = 0.43×168=72.4；A us =64。
4.1.2(1) U B1 =8V ，I B1= (U B1-0.7)/[R b3+(1+β)R e1]=0.0196(mA)，I C1=0.98mA 。U B2=3.75V ，I C2≈I E2 = 2.03mA 。r be1=1.65k Ω；r be2=0.95k Ω。因R ′L1=R e1//R i2=0.67k Ω。R i =[R b3+(R b1//R b2)]//[r be1+ (1+β)R ′L1]=31.57kΩ；R o =R c2=2k Ω。(2) A u =A u1×A u2= -78.9×0.953= -7
5.2；A us = -70.7。
4.1.3 (1) 因VT 1管的U GS =0V ，所以I DQ =I DSS =2mA ，U DS =V CC –I DQ R 2=1.8V 。对于VT 1管，U B = R 4V CC /(R 3+R 4)=
5.6V ，I C2≈I E2=(5.6–0.7)/0.62=7.9mA ，I B2≈7.9/60=0.13mA ，U CEQ =V CC - I C2(R 5+R 6)=17.6V 。(2) A u1= -g m (R 2//R 3//R 4//r be2)= -0.41，A u2= -β(R 5//R L )/r be = -78.5；A u = A u1A u2=32.2。R i =R g =5.1M Ω。R o ≈R 5=0.7k Ω。
4.1.4 R b2=R 6+R 7//R 8=150k Ω，R i2=R b2//{r be2+(1+β2)[r be3+(1+β3)R 9]}≈R b2，A u1=-(β1R 3//R i2)/[r be1 +(1+β1)R 4]≈ -61.6，A u2≈1，A u ≈ -61.6。R o =R 9//{[r be3+(r be2+R b2//R 3)/(1+β2)]/(1+β3)} ≈57.6Ω。
4.1.5(1)R i ≈1.1M?，R o = R c =2k ?。(2)m d be c L u u1u2m f be
////1+g R r R R A A A g R r β-?-=?=? ≈62， A us = R i A u /(R i +R s ) ≈61.4。
4.1.6 (1) U B1=
4V ，I C1=1mA ，U CE1=V CC -I C1(R C1+R E1)=6.7V ，I C2= I E2=(I C1R C1-0.7)/R E2=2.2mA ，U CE2=-[V CC - I C2(R C2+R E2)]= -4.1V 。(2) r be1=2.3k Ω，r be2=1.2k Ω，A u =215，G=20lg215=46.6dB 。
(3) R i =2k Ω，R o =R C2=3k Ω。
4.2.1 (1) A um = -103，60dB 。(2)f L =102Hz ，f H =105Hz 。(3)参见图4.2.11。
4.2.2 (1) | A um | = 103，f L =102Hz ，f H =108Hz ，BW =108-102≈108。(2)60-3=57dB 。
4.2.3 (1) r be =1k Ω，β=g m r b ′e =36，A ums = -36。(2)f L1=1/2π(R s +R i )C 1=40Hz ，f L2=1/2π(R c +R L )C 2 =3.5Hz ，故f L ≈40Hz ；f H =1/2π[r b ′e //(r bb ′ +R b //R s )]C ′π=0.64MHz 。(3)参见图4.2.11。
4.2.4 (1) U B=4V，I E=1mA，I B=10μA，U CE=8.7V。(2) r be=2.7kΩ，R i=2.2kΩ，R o= R c=6kΩ，
A um=-148，A ums=-133。(3) C1、C2和C e各单独作用时的f L1=6.4Hz，f L2=8.8Hz，f L3=185Hz，故f L≈185Hz。C′π和(1+1/k)Cμ各单独作用时的f H1=0.7MHz，f H2=9.9MHz，故f H≈0.7MHz。
(4)参见图4.2.11。
4.2.5 (1) A u1=-g m R'L1/(1+g m R S1)=-1.07。(2) R o=R e3//[(r be+R b3//R c3)/(1+β3)]=59Ω。(3) f L=1/2π(R c2+R i3)C3=36Hz。
4.2.6 (1)经计算只有C4起主导作用，f L≈96Hz。(2)用100μF电容替换C4能改善低频特性，此时f L≈48Hz。
第5章
自测题
一、1.3600；1800；大于1800而小于3600。2.图解。3.效率；78.5%；交越；甲乙。4. 2.5 W；
3.2 W。5. 6.25 W；65.4%。6. 4。
二、1. ③。2. ⑥。3. ②③。4. ④。5. ①。6.abef。
三、1、2、3、6对；4、5错
思考题与习题
5.2.1 (1)由P om=V CC 2/2R L得V CC≥17.88V，故V CC取18V。(2) I CM ≥V CC/R L=1.125A，U(BR)CEO ≥2V CC=36V。(3) P VCC=12.89W。(4)P CM1=P CM2≥0.2P om=2W。(5)U i =12.7V。
5.2.2 (1)U om≈，P o=12.5W；P Vcc=2V CC U om/πR L≈22.5W；P c =P Vcc-P o=10W；η≈55.6%。
(2)为尽限状态，P om=V CC 2/2R L=202/2×8=25W；P Vcc=2V CC2/πR L≈31.85W；P c=P Vcc-P o=6.85W；效率为η≈78.5%。
5.2.3由P om=V CC 2/2R L得U om=16V，则I Lm=U o m/R L=1A，故I CM >1A。因电源电压|V CC|>16V，故U(BR)CEO>2V CC=32V。由P CM>0.2P om=1.6W。
5.2.4(1)U o=0，调R1或R3可满足要求。(2)增大R2。(3)此时I B=(2V CC-2U BE)/(R1+R3)，则V1、V2上的静耗为P C=βI B U CE=βI B V CC=2325mW>>P CM，两管将烧毁。
5.2.5(1)U C2=5V，调R1或R3。(2)增大R2。(3)P C=β(V CC/2)(V CC-2U BE)/(R1+R3)=896mW>>P CM，两管将烧毁。
5.2.6(1)准互补OCL功放电路，工作在甲乙类状态。(2)P om=(V CC-U CE-U R5)2/2R L。
(3)U CEmax=U o m+V CC= (V CC-U CES)R L/(R5+R L)+V CC=44.7V；I Cm=(V CC-U CES)/(R5+R L)=2.59A。5.3.1因U om=18/2=9V，(1)P om=U o m2/2R L=5.1W。(2)因20lg A u=40dB，则A u=100，U im=U o m/A u=9/100=0.09V，U i=64mV。
第6章
自测题
一、1.输入级；中间级；输出级；偏置电路；抑制零漂，且输入电阻高；电压增益高；带负载能力强。2.恒定；小；大。3.差模；共模。4.两个特性相同；温度漂移。5.两；两；四；相同；半边差模等效电路的电压增益；零；无穷大。6.同相；反相；相同；相反。
二、1. ②。2. ①；④。3.③。4. ③。5. ③。6. ③。
三、2、3、4、5、6对；1错。
6.2.1 (1) VT1、VT2和R组成镜像电流源电路。由于其等效交流电阻非常大，因此把它作为VT3的集电极负载可提高电压放大倍数。(2) 由于VT1、VT2特性相同，且β足够大，此时两管基极电流可忽略，则I C2=I C1≈I R=(V CC-|U BE|)/R≈V CC/R。
6.3.1 (1)因U BE+I E (R P/2+2R e)=V EE，故I C≈I E =0.56mA，U CE =V CC-I C R c-U E=
7.1V。(2)因u id= u i1-u i2=8mV，且A ud=-β(R c//R L/2)/[r be+(1+β)(R P/2)]= -44.2。故u o=A ud u id=(-44.2) ×8 = -353.6 mV 。
6.3.2 (1)A ud= -g m(R d//r ds) = -13.3；(2)设从T1的漏极输出，A ud1= -g m(R d//r ds) /2= -6.67，A uc1= -g m(R d//r ds) /[1+ g m(2R s)]= -0.33，K CMR=| A ud1/A uc1|=| -6.67/-0.33|=20.2。
6.3.3 (1)由已知u i=0时u o=0V得I C3=V EE /R c3=1mA，I B3=I C3/β3=0.0125mA。又因U Rc2=I E3R e3+U EB3=3.2V，I Rc2=U Rc2/R c2=0.32mA，∴I C1≈I C2=I Rc2+I B3=0.333 mA，故I Re=2I C1=0.665 mA。若设U B1=0V，则U E1= -0.7V，故R e=[U E-(-V EE)]/I Re=17kΩ。(2)因r be1= r be2=4kΩ，r be3=2.2kΩ，故R i2= r be3+(1+β3)R e3=245.2kΩ。A ud=β2(R c2//R i2)/2(R b+r be2)=48，A u3= -β3R c3/[r be3+(1+β3)R e3]= -3.92。u o=A ud2 A u3 u i= -1.9V。
6.3.4 (1)图(a)：A ud=-β1(R c1+R P/2)/(R s1+r be1)= -220，R id=2(R s1+r be1)=6kΩ，R o=2(R c1+R P/2) =22kΩ。(2)图(b)：A ud=-β1R c1/[R s1+r be1+(1+β1)(R P/2)]= -9.4，R id=2[R s1+r be1+(1+β1)R P/2]= 128KΩ，R o=2R c1=20kΩ。
6.3.5 U R2≈3.1(V)，则I E3=(U R2-U BE3)/R e3=2mA，I E1=I E2=I E3/2=1mA。r be1≈1.53kΩ，r be3≈0.86kΩ。
(1) A ud2=β2(R c2//R L)/2[R s+r be2+(1+β2)R e2]=12。(2) A uc2=-β2(R c2//R L)/[R s+r be2+(1+β2)(2r AB+R e2)]} =-0.0005；K CMR=|12/-0.0005|=24000。(3)R id=2[R s+r be1+(1+β1)R e1]=13.5kΩ；R o≈R c2=4.7kΩ。
6.3.6 (1)I E3=(U Z -U BE)/R e=0.1mA，I D1=I D2=0.5I E3=0.05 mA。由I D=I DSS(1-U GS/U P)2得U GS= -1.91V。(2)因g m=-2(I DSS/U P)(1-U GS/U P)=0.20Ms，故单端输出A ud=(1/2)g m(R d//R L)=6。
6.3.7 (1) A ud= -g m R d= -50。(2) I C3=2I D=1mA，I R1=I C3=1mA。R1=(V CC+V EE-U BE)/I R1=29.3kΩ。
6.3.8设U B1=0，U E3=-1.3V，I E =(-1.3+6)/4.7=1mA，I E3=I E4=I E/2=0.5(mA)，I E1=I E2=I E3 /β3=0.005mA。r be3= r be4≈5.5kΩ，r be1= r be2≈161.5kΩ。A ud1=-β1β3R c/2[ r be1+(1+β1)r be3]=-28；
A uc1=-β1β3R c/{r be1+(1+β1)[r be3+(1+β3) 2R e]}=-0.63；K CMR=|-28/-0.63|=44.4；R id=2[r be1+
(1+β1) r be3]=664kΩ。
6.3.9(1)I R=I C5=[V CC-U BE6-(-V EE)]/R≈0.1mA，I D1=I C5/2=0.05 mA。U B3≈V CC-I D1R D=7V，
I C3=I E3=[V B3-U BE3- (-V EE)]/(R P/2+2R e)≈0.5mA。(2) r be3=5.6k?，R id2=2[r be3+(1+β3)(R P/2)]
=50.6k?，A ud1= -g m(R D//R id2/2)= -30.3。A ud2=-β3(R c//R L)/2[r be3+(1+β3)(R P/2)]= -22.6，
A ud=A ud1×A ud2≈685。
第7章
自测题
一、1. 0.19V；0.15V；0.34V。2. 10；0.009。3. 34dB。4. 10；0.09。5. 909；900。6.自激。
二、1. ②。2. ③。3. ③。4. ②。5. ①。6. ②。
三、4、5、6对；1、2、3错。
7.1.1图(a)：R e1和R e3分别引入一、三级直流和交流负反馈；R e2和C e2引入第二级直流负反馈；R e3、R f1和R e1引入一、三级间直流和交流负反馈；R e2、C e2和R f2引入一、二级间直流负反馈。图(b)：R e1、C e1和R e2、C e2分别引入一、二级直流负反馈；R e3引入第三级直流和交流负反馈；R f 引入一、三级间直流和交流负反馈。图(c)：R f 引入级间直流和交流负反馈。图(d)：R f 和R b 引入级间直流和交流负反馈。图(e)：R 4引入第二级直流和交流负反馈；R 2引入级间直流和交流负反馈。图(f)：R 3和R 6分别引入一、二级直流和交流负反馈；级间引入了正反馈。
7.1.2由G =20lg|A |=40得|A |=100。(1) |AF |=100×(1/10)=10，1+|AF |=11。(2) A f =A /(1+|AF |)=9.09，20lg|A /(1+|AF | )|=19.2dB 。
7.2.1图(a)：R e1和R e3分别引入一、三级的交流电流串联负反馈；R e3、R f1和R e1引入一、三级间交流电流串联负反馈。图(b)：R e3引入第三级交流电压串联负反馈；R f 引入一、三级间交流电流并联负反馈。图(c)：R f 引入级间交流电压并联负反馈。图(d)：R f 和R b 引入级间交流电压串联负反馈。图(e)：R 4引入第二级交流电压并联负反馈；R 2引入级间交流电压并联负反馈。图(f)：R 3和R 6分别引入一、二级交流电压并联负反馈；级间引入了正反馈。
7.3.1推导见书；闭环增益的相对变化量±0.02%。
7.3.2 由图可知A um =103，f L =102Hz ，f H =105Hz 。由20dB 得1+A um F =10。故引入反馈后，A umf =A um /(1+A um F )=100，f Hf =(1+A um F )f H =106Hz ，f Lf =f L /(1+A um F )=10Hz 。
7.3.3 (1)需要引入电压并联负反馈。此时①端接地，信号源接②端，并且R f 、C f 支路接在②和输出端之间。(2)引入电流并联负反馈。这时信号源接①端，②端接地。R f 、C f 支路接在①和③之间。(3)需引入电压串联负反馈。这时信号源接接①端；②端通过一个电阻接地，R f 、C f 支路接在输出端和②之间。
7.3.4 (1)a-d 、b-c 、j-e 、i-h 。(2) a-c 、b-d 、j-e 、i-h 。(3) a-c 、b-d 、j-f 、i-g 。(4) a-d 、b-c 、j-f 、i-g 。
7.4.1 (1) A ud = -β{R c1//[r be3+(1+β)R e ]}/2(R s +r be1)，A u2= -βR c3//[r be3+(1+β)R e ]，A u =A ud ×A u2。(2)开关闭合时，电路引入了电压串联负反馈。U f =R s U o /(R s +R f )，故A uf =U o /U f = (R s +R f )/R s =5。
7.4.2支路R f1是交流电流串联负反馈，且在深度负反馈条件下，有U i ≈U f 。因U f =I Re1R e1≈R e3I C3R e1/(R e1+R f1+R e3)，故A uf =U o /U i ≈ -I c3R c3/U f = -61.2。
7.4.3为交流电流并联负反馈。A usf =U o /U s ≈I o (R e3//R L )/I i R s =I o (R e3//R L )/[R c3I o /(R c3+R f )]R s =7.2。
7.4.4 为电压并联负反馈。A uf = -R f /R 1= -10，u o =A uf u i = -5sin ωt (V)，P o =52/2×8=1.56W 。
7.4.5 为电压串联负反馈。A uf =(R f +R b )/R b =11。
7.5.1 (1)不会自激振荡。(2)由图知20lg|F A
|=80，即|F A |=104，故|A |=105。 7.5.2 (1) 由图知20lg|u
A |=80，所以A um =104；该电路由三级组成，其中在f =100KHz ，特性斜率变化-40dB/dec(= -20dB/dec×2)，即有相同的两级。4u 210(1/10)(1/100)A j j =++ 。(2)
当φ= -1800时，对应20lg|u A |=60dB ，又因u
F =0.01，则|F A |=10>1，表明电路将产生自激。若要求φm =450则有-1350，对应20lg|u A |=66dB ， 即20lg|1/u F |≈ -66dB ，得到u
F ≈lg –1(-66/20)
≈0.0005。
第8章
自测题
一、1. 0，u I 。2. -1V ，-0.1mA ，0.11mA 。3.100k Ω，50k Ω，33k Ω。4.基本对数运算，-U T ln(u I /RI s )，温度。5.带通，低通，带阻，高通。6.有源。
二、1.①。2. ②。3. ③。4. ①。5. ③。6. ③。 、
三、1、5对；2、3、4、6错。
思考题与习题
8.1.1 A uf =u O /u I =-(R 2+R 3+R 2R 3/R 4)/R 1。
8.1.2 因u O1= -R f u I /R 1，u O2= -u O1，故u O =u O2-u O1= -2u O1= 2R f u I /R 1。
8.1.3 u O2= (1+R/R )u I2=2u I2，因u -1= u I1，则 (u O1-u I1)/R = (u I1-u O2)/R ，故u O =u O1=2(u I1-u I2)= 2u I 。
8.1.4 (1)U B =0V ，U C =6V ，U E =-0.7V 。(2)I C =(12-6)/6=1mA ，I B =0.2/10=0.02mA ，故β=50。
8.1.5 因u O1= -[24×5/6+24×(-5)/4]=10mV ， u O2= (1+24/4)[(6//6)/(6+6//6)×(6-12)]= -14mV ，
故u O =(1+6/12)[6× (-14)/(12+6)]-(6×10/12) = -12mV 。
8.1.6 (1) u O1= - u I1-0.5u I2。(2) u O = -(1/R 4C )∫u O1d t =∫(u I1+0.5u I2)d t 。(3)当0 8.1.7 (1) u O1= - 3u I1，u O2= -0.1∫u I2d t ，u O = 3u I1+0.1∫u I2d t 。(2) u O 的波形图略。 8.1.8当0 当20s ≤t ≤30s 时，u O1=0.1(t -20)，u O1(30)=1V ；当30s ≤t ≤40s 时，u O1=-0.1(t -30)+1，u O1(40)=0V ；u O1的波形图略。因u O =-u O1+0.5，可先画出-u O1波形，再将-u O1平移0.5V 即可。 8.1.9 A (s)=-2/sRC –1/ s 2R 2C 2，第一项为一次积分环节，第二项为二重积分环节。 8.1.10 答案略(可参见图8.1.16、8.1.17)。 8.1.11 O u =，实现了开平方(平方根)运算。 8.1.12 (1)比例恒流源I o ≈(R 4/R 5)I R3=(R 4/R 5)[(12-0.7)/(R 3+R 4)]=1mA 。又因I C2=0.5mA ，故U C2≈V CC -I C2R 2 。(2) 由于运放输入电阻很高，所以A u =26 81be 7//1(1)2(1)R R R R r βr R β??++++。(3) 应引入电压串联负反馈，可在运放输出端与VT 2基极端之间接一反馈电阻R f 即可。(4) A uf =1+R f /R 1。 8.2.1 (1)A u1= -1/(1+j ωR 2C )。(2) A u = -(j ωR 2C )/(1+j ωR 2C )。(3)A 1组成一阶低通有源滤波器；整个电路为一阶高通有源滤波器。 8.2.2 (1)二阶压控电压源低通滤波器；左侧电容下端接至输出端是为了改善在特征频率f n 附近的幅频特性。(2) f n =1/2πRC =398Hz 。(3)由Q =1/(3-A up )=1得A up =2；由A up =1+R f /R 1得R f =R 1；根据电阻平衡条件R f //R 1=2R 得R f =R 1=16k Ω。 第9章 自测题 一、1.正；放大电路；反馈网络；选频网络；稳幅环节；选频网络。2. 选频网络；RC；RC。3.正；负；不易起振；容易产生非线性失真。4.串联；并联；石英晶体本身的谐振频率。5. 开关元件；反馈网络；延迟环节。6. 输出电压；阈值电压。 二、1. ④。2. ④。3.④。4. ②。5. ④。6. ③。 三、2对；1、3、4、5、6错。 思考题与习题 9.2.1 (1) 1-7、4-6、2-5、3-8。(2) f o=1/2=1.06kHz；因F=1/(1+R1/R2+ C2/C1)= 0.25，故A u=1+R3/R4>4，R3 >3kΩ。(3) R3为负温度系数，设u o↑→R3的功耗↑→R3的温度↑→R3的阻值↓→A u↓→u o↓(4) R3=0时A u=1，使|A u F|<1，不振，示波器为一条水平线。 (5)A u=1+R3/R4=11>>3，波形上下被削平。 9.2.2 (1)连接M-J，M-N两点。(2) A u=1+R f /R e1>3，R f >2R e1。(3) 与上题(3)问基本一致。R f 采用负温度系数或R e1采用正温度系数的热敏电阻。 9.2.3 (1)上负下正。(2) f o=1/2πRC=7.23kHz。(3)正温度系数。(4)P om≈V CC2/2R L=6.48W。(5) P CM≥0.2P om=1.3W。 9.2.4 (1) 不能振荡，将运放两输入端(+和-)对调即可。(2) A u=1+R2/R1>3，R2>2R1=4kΩ。(3) f o ≈1/2πRC=3.98kHz。 9.3.1 图(a)不能振荡；图(b)可能振荡。理由略。 9.3.2 (1) 5端与1端或4端与3端为同名端。(2) 因C=(C4+C5)C3/(C3+C4+C5)，故当C5=12pF 时，f o ≈3.52MHz；当C5=250pF时，f o ≈1.35MHz。所以电路振荡频率的可调范围为1.35~3.52MHz。 9.3.3 (1) 能，为电容三点式正弦波振荡电路，因CΣ=C1C2/(C1+C2)，故f o ≈1/2π。(2)当去掉C3，U B≈U C，使电路无法工作。当去掉C4，信号在R4上产生损失，放大倍数降低，甚至难以起振。 9.3.4图(a)变压器同名端错，改为次级下端；基极直流接地，应在次级与基极间接一耦合电容，改后电路为变压器反馈式LC正弦波振荡电路。图(b)因U C≈U E，管子饱和，应在反馈线上加一耦合电容，改后电路为电感三点式LC正弦波振荡电路。 9.4.1 因石英晶体在f s上呈现极小电阻，满足相位平衡条件；正反馈最强，满足幅值条件。故电路振荡频率为f s，同时要求集电极谐振回路也应谐振在这个频率上。 9.4.2 图(a)电路为并联型晶体振荡器，晶体起到电感作用；图(b)为串联型晶体振荡器，晶体起电阻作用。 9.4.3 由C1、C2、C3、L组成电容三点式振荡电路；f o=2.25 MHz。 9.5.1提示：图(b)中运放输出电压为±12V，输出为±6V。传输特性见图。 (b) (a) 题9.5.1答图 101066题9.5.2答图 9.5.2 (1)A 1为反相比例运放，工作在线性区域；A 2为过零比较器，工作在非线性区域；A 3为电压跟随器，工作在线性区域； (2)u o1=-u i ，波形见图。 9.5.3 u O1= - (R 3/R 1) u I +(R 3/R 2)×(-0.1)= -0.15V 。当t =1s 时，有u O2= -(1/R 5C ) u O1 t =1.5V 。A 3阈值电压U th = -( R 7/R 8)U Z ，即U Z =6V 时，U th = -1.2V ；U Z = -6V 时，U th = +1.2V ，若在t =1s 时，u O2=1.5V>1.2V ，故u O3=6V 。 9.5.4 (1)O1I1I2O1010()(0)t u u u dt u =-++?。(2)因A 2的阈值U th =±2V ，当u O1(t 1)=2V 时，即-10×(-10)×t 1=2，得t 1=20ms 。(3) -10×(-10+15)(t 2-t 1)+2=-2，得t 2-t 1=80ms 。 9.5.5 (1)此时，R p 的滑动头应置最上端，f max =R 2/4R 3R 4C =33Hz 。(2)u O1和u O 的峰—峰值分别为12V 和6V 。u O1不变；当U REF >0，u O 上移；反之，下移。(3)此时有2R 3U Z /R 2=2U Z ，R 3=R 2=20k Ω。(4)因三角波原来幅值为R 3U Z /R 2，且f max =R 2/4R 3R 4C 。若保持R 3/R 2不变，欲使f =10 f max ，则R 4=0.1×150=15k Ω，或C =0.1×0.1=0.01μF 。一般用电位器代替R 4来调节f 。 第10章 自测题 一、1. 单相半波整流。2. 小；大；平滑；高。3. 并；串；电感滤波；电容滤波。4.稳压二极管；反向击穿；电压。5. 放大；放大；反向击穿。6.管压降；导通、截止时间的比例。 二、1. ②。2. ①。3. ③；②。4. ①；②。5. ③。6. ①；④。 三、1、5对；2、3、4、6错。 _ 题9.5.5答图 _ _ 思考题与习题 10.2.1 (1)VD1组成半波整流电路U O1=0.45(90+10)=45V，I L1=45/104=4.5mA；VD2和VD3组成全波整流电路U O2=0.9×10=9V，I L2=90mA。(2) I D1= I L1=4.5mA，I D2= I D3= I L2/2=45mA；U RM1=141.4V，U RM2=U RM3=28.2V。 10.2.2 (1)正上下负。(2)U O1=0.9U2=90V；U O2=-90V。(3) I D1=I O/2=0.45A。(4)U RM=282.8V。 10.3.1 (1)因U O=1.2U2，故U2=10V。(2)当电容C值增大时，放电变慢，所以U O上升。(3)当负载R L变化时，对U O有影响，R L增加时，放电变慢，所以U O上升。 10.3.2 (1)I O=U O/R L=250mA。(2)I D=I O/2=125mA；因U2=U O/1.2=25V，故U RM=35V。(3)因T=0.02s，取时间常数τ=5×(T/2)=0.05s，则C=τ/R L=417μF，故C取标称值470μF。 10.3.3 U C1=1.2U2=12V，R=(U C1-U O)/I O=20Ω。 10.4.1 (1)由U I(AV)= 1.2U2得U2=27.5V；n=N1/N2=U1/U2=8。(2)因I=[33×(1+10%)-12]/0.56= 43.4mA，I D=I/2=21.7mA；因U2=27.5×(1+10%)=30.3V，则U RM=43V。 10.4.2 参见课本，求解U Omax和U Omin联立方程得R3=R4=R P。 10.4.3 (1)U I(AV)=1.2U2=19.2V。(2)参见课本可得U O=9.6~16V。(3)因I Lmax≈(1+β1)[U I -(U Omin+U BE1)]/R2-U Omin/(R3+R4+R P)=170mA。(4)P CM=U CE1I C1=(U I -U Omin)×β1[U I -(U Omin+ U BE1)]/R2=1.71W。 10.4.4 (1)调整管的集电极与发射极对换位置；(2)运放两个输入端对换；(3)稳压管的接法换向。 10.4.5 (1)R1、R P、R2组成取样电路；R3、VD、C产生基准电压；运放A用作做比较放大；VT1和VT2组成复合管形式的调整管；R4、R5为限流电阻。(2)由式(10.4.3)可得12~24V。 (3)当U O处在最小值时,调整管VT1上有最大管压降，此时若R L=100Ω，则I L有最大值，即 I Lmax=U O min/R Lmin=12/0.1=120mA；另外，I R1=U Omin/(R1+R P+R2)=3mA，I R3=(U Omin-U Z)/R3= =15mA。故I E1=138mA，P CM=U CE1I C1=(30-12)×0.138=2.48W。 10.4.6 (1)由18R2/(R1+R p+R2)=6和9(R p+R2)/(R1+R p+R2)=6可求出R1=R2=100Ω。(2)因P C1=U CE1I C1≈(U I-U O)U O/R'L，式中U I=1.2U2=24V，R'L≈R L//(R1+R p+R2)=50Ω；令d P C1/d U O=0，则U O=12V，P Cmax=2.88W，故应取VT1管参数P Cmax≥2.88W。 10.4.7(1) U I1=1.2U21=30V，U I2=1.2U22=36V。(2)当电网电压波动±10%，则有U I2=32.4~39.6V，由式(10.4.1)可得1.21kΩ 10.4.8 U O=15+(I Q+15/R1)R2=40.5V。 10.4.9 高电平时V导通，U21=R1U O/(R1+R2//R3)，故U O=3.75V。低电平时V截止，U21=R1U O/(R1+R2)，故U O=6.25V。 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R 模电典型例题分析 第二章 题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解： 14V ,1V,6V 题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 （1） 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3，1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===- ()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ （2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用：1s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴=Q F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ + 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的 正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2 假设一个二极管在50C时的反向电流为10卩A，试问它在 20C和80C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10C， 反向电流大致增加一倍。 解：在20C时的反向电流约为：2°汉10卩A= 1.254 A 3 在80C时的反向电流约为： 2 10」A二80」A N7 习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示: ①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压，如图 (b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少? ②如将图(b)中的1.5V电压改为3V，贝V二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V时 1.5 二U I I 0.8A, U 0.7V ②电源电压为3V时 U I (b) I 2.2A, U 0.8V 可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。 1.5V 1k? 习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin? t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电 流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大 N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 模拟电子技术习题及答 案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U =0.7V，试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极 第五章 放大电路的频率响应 自 测 题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 倍 倍 倍 即增益下降 。 （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 。 A.＋45? B.－90? C.－135? U 与i U 的相位关系是。 当f ＝f H时， o A.－45? B.－135? C.－225? 解：（1）A （2）B，A （3）B A （4）C C 二、电路如图所示。已知：V C C＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，f T= 50MHz， r＝100Ω, 0＝80。试求解： ' bb A ； （1）中频电压放大倍数 u sm C； （2）' （3）f H和f L； （4）画出波特图。 图 解：（1）静态及动态的分析估算： ∥178 )(mA/V 2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26) 1(V 3mA 8.1)1(A μ 6.22c m be e b'i s i sm T EQ m b be i e b'bb'be EQ e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQ CC BQ R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u （2）估算' C ： pF 1602)1(pF 214π2) (π2μc m ' μT e b'0 μπe b'0 T C R g C C C f r C C C r f （3）求解上限、下限截止频率： Hz 14)π(21 kHz 175π21 567)()(i s L ' πH s b b'e b'b s b b'e b' C R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥ （4）在中频段的增益为 dB 45lg 20sm u A 模拟电子技术第九章课后习题答案 第九章功率放大电路 自测题 一、选择合适的答案，填入空内。只需填入A、B或C。 （1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。 A．交流功率 B．直流功率 C．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指。 A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为。 A．1W B．0.5W C．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有。 A．β B．I C M C．I C B O D．B U C E O E．P C M F．f T （5）若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S│，则最大输出功率P O M＝。 A． L 2 CES CC 2 ) ( R U V- B． L 2 CES CC ) 2 1 ( R U V- C． L 2 CES CC 2 ) 2 1 ( R U V- 图T9.1 解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C 二、电路如图T9.2所示，已知T1和T2的饱和管压降│U C E S│＝2V，直流功耗可忽略不计。 图T9.2 回答下列问题： （1）R3、R4和T3的作用是什么？ （2）负载上可能获得的最大输出功率P o m和电路的转换效率η各为多少？ （3）设最大输入电压的有效值为1V。为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？ 解：（1）消除交越失真。 （2）最大输出功率和效率分别为 % 8. 69 4 π W 16 2 ) ( CC CES CC L 2 CES CC om ≈ - ? = = - = V U V R U V P η （3）电压放大倍数为 3. 11 1 3. 11 2 1 6 i omax ≈ + = ≈ = R R A U U A u u R1＝1kΩ，故R5至少应取10.3 kΩ。 习题 9.1分析下列说法是否正确，凡对者在括号内打“√”，凡错者在括号内打 《自测题、思考题与习题》参考答案 第1章 自测题 一、1.杂质浓度；温度。2.减小；增大。3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。4.0.5；；；。5. 15V；；；；6V；。6.大；整流。 二、1.①；⑤；②；④。2. ②；①。3.①。4.③。5.③。6.③。 三、1、2、5、6对； 3、4错。 思考题与习题 1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。 1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。 1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。 1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。同理，当u i≤时，U om≈。图略。 1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。截止。1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。 第2章 自测题 一、1. 15；100；30。2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA； (7)30mV。4.(1) 1mA，6V；(2)Ω，Ω；(3) 。5.削底，削底，削底。6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。 二、1.②。2.④。3. ③。4.②；①；④。5.②④。6.④。 三、1、5对；2、3、4、6错。 思考题与习题 2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。 2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的 ＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ； 部分习题参考答案 第1章 (1) U Y =；(2) U Y =。 (1) U Y =0；(2) U Y = ；(3) U Y =。 输出电压的交流分量u o =ωt (mV)。 (1) 当U I ＝12V 时，U O =4V ；当U I ＝20V 时，U O =；当U I ＝35V 时， U O = 6V ；(2) 稳压管将因功耗过大而损坏。 (1) 允许输入电压的变化范围为V 15V 11i < 试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
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