模电第四版习题解答
模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组编
童诗白华成英主编自测题与习题解答
目录
第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3
第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )
二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄
B.基本不变
C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
(4) U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管
B.增强型MOS 管
C.耗尽型MOS 管
三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3
解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)
图T1.4
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：
(1)R b =50k ?时，U o=?
(2)若T 临界饱和，则R b =?
解：(1)26BB BE B b
V U I A R μ-==，
2.6C B I I mA β==,
2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5
(2)∵ 2.86CC BE CS c
V U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS
V U R k I -==Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl.6最后一栏所示。
习题
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价
B.四价
C.三价
(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大
B.不变
C.减小
(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83
B.91
C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；
B.不变；
C.减小
1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2
解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3
解：波形如解图Pl.3所示。
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？
解：二极管的直流电流
其动态电阻:
/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4
故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈
1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问：
(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？
(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。
1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流
min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值；
(2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
解：(1)只有当加在稳压管两端的
电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。
∴V U I 10=时，V U R R R U I L
L O 3.3=+=； 图Pl.6
V U I 15=时，5L O I L
R U U V R R ==+；
V U I 35=时，11.7L O I Z L
R U U V U R R =≈>+，∴V U U Z O 6==。 0.1 (2)当负载开路时，mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=
，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压
U D =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。
试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？
(2)R 的取值范围是多少？
解：(1)S 闭合。
(2) R 的范围为:
max min ()/700D D R V U I =-≈Ω 图P1.7
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。 (a) (b) (a) (b)
图Pl.8 解图Pl.8
解：答案如解图Pl.8所示。
放大倍数分别为1/10100a mA A βμ==和5/10050b mA A βμ==
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9
解:如解图1.9。
解图1.9
1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。
解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。
(2)当1BB V V =时，因为
9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10
所以T 处于放大状态。
(3)当3BB V V =时，因为460BB BEQ BQ b V U I A R μ-==，
2311.3CC CES CQ BQ CS c
V U I I mA I mA R β-====， 所以T 处于饱和状态。 1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,0.2BE U V =，饱和管压降0.1CES U V =；稳压管的稳定电压5Z U V =, 正向导通电压0.5D U V =。试问：当0I u V =时O u =？；当5I u V =-时O u =？
解：当0I u V =时，晶体管截止，稳压管击穿，
5O Z u U V =-=-。
当5I u V =-时，晶体管饱和，
0.1O u V =-。
因为： 图P1.11
480I BE B b
u U I A R μ-==，24C B I I mA β==，0EC CC C c U V I R =-< 1.12分别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)
(d) (e)
图P1.12
解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。
1.13已知放大电路中一只N 沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位分别为4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增
强型、耗尽型），并说明① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极① 、② 、③ 与G 、S 、
D 的对应关系如解图Pl.13 所示。
解图Pl.13
1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图Pl.14 (a) (b)
解图Pl.14
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及GS u 值，建立()D GS i f u =坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14 (b)所示。
1.15电路如图P1.15所示，T 的输出特性如图Pl.14所示,分析当I u =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图P1.14 所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图Pl.15所示电路可知GS I u u =。
当I u =4V 时，GS u 小于开启电压，故T 截止。
当I u =8V 时，设T 工作在恒流区，根据输出
特性可知0.6D i mA ≈，管压降10DS DD D d u V i R V ≈-≈，
因此，2GD GS DS u u u V =-≈-，小于开启电压，
说明假设成立，即T 工作在恒流区。 图Pl.15
当I u =12V 时，由于12DD V V =，必然使T 工作在可变电阻区。
l.16分别判断图Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a) (b) (c) (d)
图P1.16
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。
补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压3Z U V =, R 的取值合适，I u 的波形如图(c)所示。试分别画出1O u 和2O u 的波形。
(a) (b) (c)
补图P1
解：波形如下图所示
补充2.在温度20o C 时某晶体管的2,CBO I A μ=试问温度是60o C 时的=CBO I ？
解:44602022232CBO CBO I I A μ=?=?=。
补充3.有两只晶体管，一只的β=200 , 200CEO I A μ=；另一只的β=100 , 10CEO I A μ=，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
解：选用β=100 , 10CEO I A μ=的管子，因其β适中,CEO I 较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取CES BE U U =，若管子饱和， 则CC BE CC BE b c
V U V U R R β--?=, 即b c R R β= 所以,100b c
R R β≥=时,管子饱和。 补图P4
第2章 基本放大电路
自测题
一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)
2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)
3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×)
4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×)
5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√)
6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×)
7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)
二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c) (d) (e) (f)
(g) (h) (i)
图T2.2
解：图(a)不能。V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。因为T 截止。
三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。填空：
要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0i U V =时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和
b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，
则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时，
输出电压有效值'0.6o U V =，
则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。
若负载电阻L R 值与c R 相等，则带上 图T2.3
负载后输出电压有效值o U =( 'L o L c
R U R R ?+ )=( 0.3 )V 。 四、已知图T2.3 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω，静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ，其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。
(1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A )；
A.2V
B.3V
C.6V
(2)当1i U mV =时，若在不失真的条件下，减小R w ，则输出电压的幅值将( C )；
A.减小
B.不变
C.增大
(3)在1i U mV =时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将( B )；
A.顶部失真
B.底部失真
C.为正弦波
(4)若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( B )。
A.R w 减小
B.c R 减小
C. CC V 减小
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
E.共漏电路
它们的电路分别如图2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和2.6. 9(a)所示；设图中e b R R <，且CQ I 、DQ I 均相等。选择正确答案填入空内，只需填A 、B 、… …
(l)输入电阻最小的电路是( C )，最大的是( D 、E )；
(2)输出电阻最小的电路是( B )；
(3)有电压放大作用的电路是( A 、C 、D )；
(4)有电流放大作用的电路是( A 、B 、D 、E )；
(5)高频特性最好的电路是( C )；
(6)输入电压与输出电压同相的电路是( B 、C 、E )；反相的电路是( A 、D )。
六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N 沟道和P 沟道MOS 管，如解图T2.6 所示。
图T2.6 解图T2.6
习题
2.1 分别改正图P2.1 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(a) (b)
(c) (d)
图P2.1
解：(a)将-V CC 改为+V CC 。
(b)在+V CC 与基极之间加R b 。
(c)将V BB 反接，且在输入端串联一个电阻。
(d)在V BB 支路加R b ，在-V CC 与集电极之间加R c 。
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b)
(c) (d)
图P2.2
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；
(a) (b)
(c) (d)
解图P2.2
2.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出u i o Q A R R 、、和的表达式。
解：图 (a): 123(1)CC BEQ
BQ V U I R R R β-=+++，CQ BQ I I β=，
(1)CEQ CC BQ c U V I R β=-+。 23//u be
R R A r β=-，1//i be R r R =，23//o R R R = 图(b)：[]223123(
)///(1)BQ CC BEQ R I V U R R R R R β=-+++，CQ BQ I I β=，
41CEQ CC CQ EQ U V I R I R =--。 4u be R A r β=，1//1be i r R R β
=+，4o R R =。 2.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U （有效值）。
(a) (b)
图P2.4
解：空载时：20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===；
最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。
带载时：20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===；
最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如解图P2.4 所示。
解图P2.4 图P2.5
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80, be r =1kΩ,20i U mV =,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。
(1)342002010u A -=-
=-? (×) (2)4 5.710.7
u A =-=- (×) (3)8054001u A ?=-=- (×) (4)80 2.52001
u A ?=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√)
(9)5O R k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)
(11)20S U mV ≈ (×) (12)60S U mV ≈ (√)
2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管β=120，U BE =0.7V ，饱和管压降U CES =0.5V 。在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？
(1)正常情况；(2)R b1短路；(3)R b1开路；(4)R b2开路；(5)R b2短路；(6)R C 短路；
图P2.6 图P2.7
解:(1)21
17416311CC BE BE B b b V U U I A R R μ-=-=-=, 1.32C B I I mA β==， ∴8.3C CC C c U V I R V =-=。
(2) R b1短路,0==B C I I ,∴15C U V =。
(3) R b1开路,临界饱和基极电流23.7CC CES BS c
V U I A R μβ-=≈， 实际基极电流2
174CC BE B b V U I A R μ-==。 由于B BS I I >,管子饱和,∴V U U CES C 5.0==。
(4) R b2开路,无基极电流,15C CC U V V ==。
(5) R b2短路，发射结将烧毁，C U 可能为15V 。
(6) R C 短路, 15C CC U V V ==。
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。
解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：
6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308c u be R A r β=-≈-
// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93be us u be s
r A A r R ≈?≈-+ 3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：
// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。
2.8若将图P2.7 所示电路中的NPN 管换成PNP 管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源应作如何变化？ Q 点、u A 、i R 和o R 变化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除？
解：由正电源改为负电源；Q 点、u A 、i R 和o R 不会变化；输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真，对PNP 管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；减小R b 。
2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ，估算R b ；
(2)若测得i U 和o
U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少？ 解：(1)mA R U V I c CE CC C 2=-=
，A I I C B μβ20/==, ∴Ω=-=k I U V R B
BE CC b 565。 (2)由(//)100o c L u i be
U R R A U r β=-=-=-, 可得: 2.625L R k =Ω。 图P2.9
2.10在图P2.9所示电路中，设静态时2CQ I mA =，晶体管饱和管压降0.6CES U V =。试问：当负载电阻L R =∞和3L R k =Ω时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
解：由于2CQ I mA =，所以6CEQ CC CQ c U V I R V =-=。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
3L R k =Ω时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
2.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u A 、i R 和o
R ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？
(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：(1)静态分析：
e (R ) 5.7CEQ CC EQ c
f U V I R R V =-++= 图P2.11 动态分析：'26(1) 2.73be bb EQ
mV r r k I β=++≈Ω (2) β=200时，112
2b BQ CC b b R U V V R R =?=+（不变）； 1BQ BEQ
EQ f e U U I mA R R -==+（不变）；51EQ BQ I I A μβ==+（减小）
； e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=（不变）。
(3) C e 开路时，(//)// 1.92(1)()c L c L u be e f e f
R R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++（减小）； 12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）；
5o c R R k ==Ω（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点； (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A 、i R 和o R 。
解：(1)求解Q 点：
(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：
R L =∞时；(1)0.996(1)e u be e R A r R ββ+=≈++ 图P2.12
R L =3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L u be e L R R A r R R ββ+=
≈++
输出电阻：////371s b be o e R R r R R β
+=≈Ω+ 2.13 电路如图P2.13 所示，晶体管的β=60 , '100bb r =Ω。
(1)求解Q 点、u A 、i R 和o
R
(2)设U s = 10mV （有效值），问?i U =,?
o U = 若C 3开路，则?i U =,?o U =
解：(1) Q 点：
1.86CQ BQ I I mA β=≈ 图P
2.13
u A 、i R 和o
R 的分析： '26(1)952be bb EQ mV r r I β=++≈Ω, (//)95c L u be R R A r β=-≈- //952i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。
(2)设U s = 10mV （有效值），则
3.2i i s s i
R U U mV R R =?=+； 304o u i U A U mV =?= 若C 3开路，则：
//[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω ， // 1.5c L u e
R R A R ≈-≈- 9.6i i s s i
R U U mV R R =?=+， 14.4o u i U A U mV =?=。 2.14 改正图P2.14 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
(a) (b)
(c) (d)
图P2.14
解：(a)源极加电阻R S ； (b)漏极加电阻R D ；
(c)输入端加耦合电容； (d)在R g 支路加?V GG ， +V DD 改为?V DD
改正电路如解图P2.14所示。
(a) (b)
(c) (d)
解图P2.14
2.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。
(1)利用图解法求解Q 点；
(2)利用等效电路法求解u A 、i R 和o
R 。 (a)
(b) (c)
图P2.15
解：(1)在转移特性中作直线GS D s u i R =-，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出1,2DQ GSQ I mA U V ==-。如解图P2.15(a)所示。
(a) (b)
解图P2.21
在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R =-+，与2GSQ U V =-的那条输出特性曲线的交点为Q 点，3DSQ U V ≈。如解图P2.21(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
5u m d A g R =-=-； 1i g R R M ==Ω；5o d R R k ==Ω
2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。
求解电路的Q 点和u A 。
(a) (b)
图P2.16
解：(1)求Q 点：
根据电路图可知，3GSQ GG U V V ==。
从转移特性查得，当3GSQ U V =时的漏极电流：1DQ I mA =
因此管压降 5DSQ DD DQ d U V I R V =-=。
(2)求电压放大倍数：
∵2/m g mA V ==， ∴ 20u m d A g R =-=-
2.17电路如图P2.17 所示。（1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？（2）若想增大u A ，则可采取哪些措施？
解：（1）输出电压波形底部失真，类似于NPN 型三极管的饱和失真，应降低Q ，
故可减小R 2或增大R 1、R S ；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R 2或减小R 1、R S 。
（2）若想增大u A ，就要增大漏极静态电流以增大m g ，故可增大R 2或减小R 1、R S 。
2.18图P2.18中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型… … )及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图P2.18
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
(g)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
第3章 多级放大电路
自测题
一、现有基本放大电路：
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。
(2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i
U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。
A ．电阻阻值有误差
B ．晶体管参数的分散性
C ．晶体管参数受温度影响
D ．电源电压不稳
(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。
A ．便于设计
B ．放大交流信号
C ．不易制作大容量电容
(3)选用差动放大电路的原因是( A )。
A ．克服温漂
B ．提高输入电阻
C ．稳定放大倍数
(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。
A.差
B.和
C.平均值
(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。
A ．差模放大倍数数值增大
B ．抑制共模信号能力增强
C ．差模输入电阻增大
(6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。
A.放大倍数的数值大
B.最大不失真输出电压大
C.带负载能力强
三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时
0.7BEQ U V ≈。试求：
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
模电试题及答案12
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模电第五版题库
《模拟电子技术基础》题库 华成英主编高等教育出版社 一、判断下列各题是否正确，对的打“√”，错的打“×” 1．半导体中的空穴带正电。（√） 2．本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√） 3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×） 4．未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（√） 5．稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U Z。（×） 6．若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。（×） 7．多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。（×） 8．射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。（√） 9. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（√） 10. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 11.差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。（√） 12.零点漂移就是静态工作点的漂移。（√） 13.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√） 14．只有直接耦合放大电路才有温漂。（×） 15.不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用。（√） 16．利用两只NPN型管构成复合管只能等效为NPN型管。（√） 17．利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP管。（×） 18．差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。（×） 19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。（×） 20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（√） 21.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数。（√） 同时也可以增大共模抑制比。（√） 二、选择填空 1、型半导体中的多数载流子是_____B__,N型半导体的多数载流子是____A____. A.电子 B .空穴 C. 正离子 D.负离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度__ A ___本征半导体中的载流子的浓度。 A．大于 B.等于 C.小于 3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中_____ C __ 浓度明显增加。 A．载流子 B.多数载流子 C.少数载流子 D.离子 4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管______ A ___,反向饱和电流比锗二极管____ B ___. A.大 B.小 C. 等于 5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压___ B ___,反向电流_ A ______. A.增大 B.减小 C.不变 6、工作在放大状态的晶体管，流过发射极的是____ A __电流，流过集电结的是__ B ___电流。 A．扩散 B.漂移 C.反向饱和 7、晶体管通过改变____ A __来控制____ C ___,而场效应管是通过改变__B ___控制___ D _____, 是一种__ E ____ 控制器件。 A．基极电流 B.栅—源电压 C.集电极电流 D.漏极电流 E．电压 F.电流
大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
《模电》经典题目-含答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差
模电压增益 100vd =A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流， 则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。
华南理工大学模电试题(附答案)
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
模电数电复习考试题(已整理)
第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5
(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。
模电试卷题库(含答案)
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ ) 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____ 清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?2313810，电子电量 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压 必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个 电极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（）、（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 三、分析计算题 1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析： ①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分） 模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答 目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126 第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路模电(第四版)习题解答
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