电子线路(非线性部分)第一章课后习题解答

高频电子线路习题解答讲解

第一章 一、选择题 1、LC单振荡回路的矩形系数值与电路参数的大小（） A、有关 B、成正比 C、成反比 D、无关 2、图示电路负载为，则输入阻抗为（） A、B、 C、D、 第二章 一、选择题 1、高频小信号调谐放大器的级数愈多，其总的通频带（）。 A、愈宽 B、愈窄 C、不变 2、对于高频小信号放大，我们通常采用（）和（）相结合的方式来实现。 A、非线性放大器，集中选频放大器

B、非线性放大器，LC谐振回路 C、集成线性放大器，集中选频放大器 D、集成线性放大器，LC谐振回路 3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是：（） A、增益太大 B、通频带太宽 C、晶体管集电结电容的反馈作用 D、谐振曲线太尖锐 4、为了提高高频小信号谐振放大器的稳定性，通常采用的方法是：（） A、中和法 B、失配法 C、负反馈方法 D、选择小的晶体三极管 E、选择特征频率高的三极管 5 ．在调谐放大器的LC 回路两端并上一个电阻 R ，可以（） A ．提高回路的Q 值。 B ．加宽放大器的通频带。

C ．增大中心频率。 D ．增加谐振电阻。 6 ．某接收机中放级的中心频率=10.7MHz ，谐振回路的谐振电容 C=51pF 。 当电路产生自激时，采用下述方法之一有可能消除自激而使电路仍能工作，试问哪种方法是无效的。（） A ．加接中和电容。 B ．回路两端并接一个电阻 R 。 C ．微调电感磁芯，使回路谐振频率略微偏高。 D ．将 51pF 的回路电容换成 47pF ，并重新调整磁芯位置，使之谐振于。 7 ．小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（） A ．增益太大。 B ．通频带太宽。 C ．晶体管集电结电容的反馈作用。 D ．谐振曲线太尖锐。 8 ．双调谐回路小信号谐振放大器的性能比单调谐回路放大器优越，主要是在于（） A ．前者的电压增益高。 B ．前者的选择性好。 C ．前者电路稳定性好。 D ．前者具有较宽的通频带，且选择性好。 第三章 一、选择题

通信电子线路习题解答汇总

思考题与习题 2-1 列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1

2-2 已知某一并联谐振回路的谐振频率f p=1MHz，要求对990kHz的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz。 取kHz B10 =， 100 10 1 = = = kHz MHz B f Q p p 2-3 试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 1 2 C2 L1 C2 1 (b) (c) 题图2-1

图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4 有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =, 当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信 号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值为o Q ，则： R L Q o o ω= 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q 值，则： R R R R Q R R R L Q L s L + += ++= 1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）：

通信电子线路习题解答

关于《通信电子线路》课程的习题安排： 第一章习题参考答案： 1-1 1-3 解： 1-5 解： 第二章习题解答： 2-3 解： 2-4 由一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ 答：减小Q 值或减小并联电阻 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响？ 答： 1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值） 如式 通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式 为空载时的品质因数 为有载时的品质因数 Q Q Q Q L L <可见 结论： 串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。 2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响 o o Q R L Q ==ωL S L R R R L Q ++=0ωL p s p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++= ==故ωω同相变化。 与L S L R R Q 、Θ性。 较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴

2-8 回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗？ 答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ， g p = 0则为无损耗。 有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的L g Q 0p 01ω= ，而 L g g g Q 0L p s L )(1 ω++= 。 2-11 2-12 解： 2-13 时，电路的失调为：66.65 5 .0*23.33f f 2Q p 0 ==?=ξ 2-14 解： 又解：接入系数p=c1/（c1+c2）=，折合后c0’=p2*c0=,R0’=R0/ p2=20k Ω,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=,回路谐振频率fp=，谐振阻抗Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）,其中Rp0为空载时回路谐振阻抗，Rp0=Q0*2π*fp*L=Ω，因此，回路的总的谐振阻抗为：Rp=1/ 11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2L s s L 201g g g I g V P ????? ??+==L 2 p L s s L 211g g g g I g V P ?? ??? ??++=='2 0L 1 111?? ? ? ?? ??-='=Q Q P P K l

非线性电子线路完全答案(谢嘉奎第四版)

1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2= P o/ηC =1428.57 W，P C2= P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。

解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ， I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1 V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，η C = P L / P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ 同(1) 值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，η C = P L / P D = 12% (3) R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA 所以mW 1442 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ，η C = P L / P D = 6.26% (4) R L = 5 Ω，充分激励时，I cm = I CQ3 = 460 mA ，V cm = V CC

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

通信电子线路习题解答

思考题与习题 2-1列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1 2-2已知某一并联谐振回路的谐振频率f p =1MHz ，要求对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz 。 取kHz B 10=， 2-3试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 题图2-1 图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =,当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q

值为o Q ，则：R L Q o o ω= 值，则： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q R R R R Q R R R L Q L s L ++=++=1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 值为L Q 由于没有信号源内阻和负载接入时的Q 值为 由式（2-31）可知，当R s 和R L 较小时，Q L 也减小，所以对并联回路而言，并联的电阻越大越好。因此并联谐振回路适于恒流源。 2-6已知某电视机一滤波电路如题图2-2所示，试问这个电路对什么信号滤除能力最强，对什么信号滤除能力最弱，定性画出它的幅频特性。 V1=V2? 题图2-2题图2-3 2-7已知调谐电路如题图2-3所示，回路的谐振频率为465kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）L 无损耗时回路的通频带； （3）L 有损耗（Q L =100）回路的通频带宽度。 左侧电路的接入系数： 25.040120401=+= T T T p 右侧电路的接入系数：25.040120402=+= T T T p 等效电源： s s i p i 1' = 等效阻抗：Ω=Ω + Ω+Ω= k k p k k p R p 67.265.21601 101 2 221 等效容抗：2 22 1' 16?10p pF p pF C ?++?= 电容值未知 2-8回路的插入损耗是怎样引起的，应如何减小这一损耗？ 由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了，这就是插入损耗。增大回路本身的Q 值可以减小插入损耗。 2-9已知收音机某中放的负载回路如题2-4所示，回路的f 0=465kHz ，电感的Q 0=100，要求回路的带宽B=20kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）回路插入损耗；

高频电子线路期末考试试卷1及答案

c m i 图 2 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼

图 4 图 4

四、（15分）高频小信号调谐放大器如图5所示，其工作频率MHz f o 30=，调谐回路中的H L μ113=，100=o Q ，1212=N ，823=N ，645=N ，晶体管在直流工作点的参数ms g oe 55.0=，pF C oe 8.5=，ms g ie 2.3=，pF C ie 10=，ms y fe 58=， o fe 47-=?，0=re y 。 试求：（1）画出高频等效电路；（5分） （2）计算C ，uo A ，270??f ，1.0r K 。（10分） 图 5 五、（15分）某高频谐振功率放大器工作于临界状态，已知晶体管的()s g cr 9.0=，电源电压V V cc 18=，导通角70o θ=,输出电压幅度V U cm 16=,（注：()253.0700=o α，()436.0701=o α） 。试求： （1）直流电源cc V 提供的功率P = ；（4分） （2）高频输出功率P o ；（4分） （3）集电极效率c η；（2分） （4）回路的谐振电阻 R P ；（3分） （5）若谐振电阻 R P 为Ω50，功率放大器将工作在何种状态？（2分） 六、（10分）二极管检波器如图6所示，已知二极管的导通电阻Ω=60d r ， V U bz 0=，Ω=K R 5，F C μ01.0=，Ω=k R L 10， F C c μ20=，输入电压信号为普通调幅波，其频谱图如图7所示。 试求：（1）写出输入调幅信号的数学表达式；（2分） （2）电压传输系数d K 和等效输入电阻d i R （4分） （3）写出A u ，B u 的数学表达式；（4分） 图 6 图 7

电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体与半导体三大类,最常用的半导体材料就是硅与锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体与P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴与自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子就是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子就是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0、5 V,锗二极管的开启电压约为0、1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0、7 V,锗二极管的正向压降约为 0、3 V。 5、锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6、稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型与平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光与光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱与电流与最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流与动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V、 13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、 流过电阻的电流就是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中,二极管就是理想器件,则流过二极管V1的电流为0、25mA ,流过V2的电流为0、25mA ,输出电压U0为+5V。

电子线路期末试卷及答案

(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。

通信电子线路习题解答

5-2.图题4-10所示是实用晶体振荡线路，试画出它们的高频等效电路，并指出它们是哪一种振荡器。晶体在电路中的作用分别是什么？ K 20 K6.5 (a) (b) 图题4-10 解：两个晶体振荡电路的高频等效电路如图4-22所示。 图(a)为并联型晶体振荡器，晶体在电路中的作用是：晶体等效为电感元件； 图(b)为串联型晶体振荡器，工作在晶体的串联谐振频率上，晶体等效为短路元件。 20 Hμ7. H (a) (b) 图4-22 高频等效电路

5-5晶体振荡电路如图P4.12所示，试画出该电路的交流通路；若1 f 为1 1C L 的谐振频率， 2f 为22C L 的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指出振荡频率与1f 、2 f 之间的关系。 图 P4.12 解：该电路的简化交流通路如图P4.12(s)所示， 图P4.12(s) 电路可以构成并联型晶体振荡器。若要产生振荡，要求晶体呈感性， 11C L 和22C L 呈容性。必须满足12f f f osc >>。

5-6 图示为三回路振荡器的等效电路，设有以下四种情况： ①332211C L C L C L >>； ②332211C L C L C L <<； ③332211C L C L C L >=； ④332211C L C L C L =<。 试分析上述四种情况是否可能振荡？振荡频率0f 与回路谐振频率有何关系？ 1 L 2 L 3 L 图题4-5 解：设11C L 回路谐振频率为11011C L = ω,22C L 回路谐振频率为2 2021C L =ω,33C L 回路谐振频率为3 3031 C L = ω。 能满足振荡的相位条件是be ce X X ,同电抗性质，cb X 与be ce X X ,反性质。 ①332211C L C L C L >> 可知321f f f f osc <<< 若振荡频率满足321f f f f osc <<<条件，则11C L 回路等效为容抗、 22C L 回路等效为容抗，而33C L 回路等效为感抗，满足相位条件，可能振荡。为电容三点式振荡器。 ②332211C L C L C L <<

(电子行业企业管理)高频电子线路期末试题答案

一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ） A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带 2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C） A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波 C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高 3．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D） A B C D 4．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（ A ） A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt） C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 5．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到1kHz的干扰信号，此干扰为（ A ） A．干扰哨声B．中频干扰 C．镜像干扰D．交调干扰 5．同步检波器要求接收端载波与发端载波（ C ）A．频率相同、幅度相同B．相位相同、幅度相同 C．频率相同、相位相同D．频率相同、相位相同、幅度相同 7．属于频谱的线性搬移过程的有（A）A．振幅调制B．频率调制C．相位调制D．角度解调 8．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ 为（C） A．1/3 B．1/2 C．2 D．4 9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（C） A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.1 10．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（B） A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C．fs

电子电路基础习题册参考题答案_第一章

电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。

非线性电子线路

课号: 课程名称：非线性电子线路Non-Linear Electronics Circuit 学时：72 学分：4 预修课程：电路理论，线性电子线路 适用学科方向：电子工程、电子科学与技术 本课程是高等院校电子类系必修之专业基础课，旨在让学生掌握电子器件在大信号作用下所表现出的特有的物理效应及其应用电路分析、设计的基本方法和技巧，为今后工作和深造打下基础。 本课程系统介绍了非线性电子线路的一些基本概念，着重介绍非线性器件在不同应用条件下的数学模型、分析方法以及各种由非线性器件构成的功能电路如振荡电路、幅度调制器、调频电路、混频器和检波器、鉴频器等。 教学重点：正弦振荡器；幅度检波；直接调频和鉴频电路。 教学难点：工程近似分析法。 第一章概述（4学时） 第一节非线性器件定义（1学时） 第二节非线性器件的频率变换作用（1学时） 第三节非线性器件应用简介（2学时） 第二章非线性器件分析方法（10学时） 第一节非线性电阻分析方法（6学时） 第二节线性电抗与非线性电阻组合电路分析方法（4学时） 第三章谐振功率放大器（8学时） 第一节概述（1学时） 第二节谐振功率放大器折线化分析及结论（3学时） 第三节谐振功率放大器的负载特性、调制特性和放大特性（4学时） 第四章正弦振荡器（14学时） 第一节基本原理（6学时） 第二节LC正弦振荡器电路分析及性能比较（2学时） 第三节负阻振荡器（2学时） 第四节石英晶体振荡器（4学时）

第五章模拟乘法器（4学时） 第一节宽带模拟乘法器（2学时） 第二节窄带模拟乘法器（2学时） 第六章幅度调制和解调（10学时） 第一节幅度调制原理（2学时） 第二节调幅电路（4学时） 第三节调幅波的解调-检波（4学时） 第七章混频（8学时） 第一节混频原理（2学时） 第二节混频电路与分析（2学时） 第三节混频干扰（2学时） 第四节参量电路与参量混频简介（2学时）第八章调频与鉴频（14学时） 第一节基本概念（2学时） 第二节调频信号的传输（2学时） 第三节调频信号的产生（4学时） 第四节调频信号的解调（6学时）

高频电子线路复习考试题及答案

2013—2014学年第二学期《高频电路》期末考试题（A） 使用教材：主编《高频电子线路》、适用班级：电信12 （4、5、6）命题人： 一、填空题（每空1分，共X分） I. 调幅的几种调制方式是AM、DSB、SSB。 3 .集电极调幅，应使被调放大器工作于过压_______ 态。 5. 电容三点式振荡器的发射极至集电极之间的阻抗Z ee性质应为容性，发射极至基极之间的阻抗Z be性质应为容性，基极至集电极之间的阻抗Z eb性质应为感性。 6. 通常将携带有信息的电信号称为调制信号，未调制的高频振荡信号称为载 波，通过调制后的高频振荡信号称为已调波。 8?解调是调制的逆过程。振幅调制信号的解调电路称为振幅检波电路，它的作用是从高频已调信号中恢复出调制信号。 9. LC串联谐振回路品质因数（Q）下降，频带变宽，选择性变差。 10. 某高频功率放大器原来工作在临界状态，测得U em=22v , G=100mA , R P =100 Q, E e =24v，当放大器的负载阻抗R P变小时，则放大器的工作状态 过渡到欠压状态，回路两端电压U em将减小，若负载阻抗增加时，则工作状 态由临界过渡到过压状态，回路两端电压5m将增大。 II. 常用的混频电路有二极管混频、三极管混频和模拟乘法器混频等。 12. 调相时，最大相位偏移与调制信号幅度成正比。 13. 模拟乘法器的应用很广泛，主要可用来实现调幅、解调和混频等频谱搬移电路中。 14. 调频和调幅相比，调频的主要优点是抗干扰性强、频带宽和调频发射机的功率放大器的利用率高。 15. 谐振功率放大器的负载特性是当V cc、V BB、V b m等维持不变时，电流、电压、功率和效率等随电阻R p的增加而变化的特性。 16. 混频器按所用非线性器件的不同，可分为二极管混频器、三极管混频器

电子线路1课后习题答案

《电子线路（I ）》 董尚斌编 课后习题（1到7章） 第1章 1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？ 解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22 300-=与温度有关。 杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2 i n 或正比，即与温度有很大的关系。若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。 1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？ 解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。 1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？ 解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流 1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？ 解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。 1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？ 解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。 （1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。 （2） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。 1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R ?10档测出的阻值小，而用R ?100档测出的阻值大，为什么？ 解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。

电子电路基础期末试卷及参考答案

XX 中学XX 年XX 学期期末考试 电子电路基础试卷（XX 班） （试卷满分100分 考试时间120分钟） 班级 姓名 学号 得分 一、填空题（每空1分，共20分） 1.在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2.在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。 3.数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。 4.在逻辑关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5.十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制。 6.最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。 7.具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 8.两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。 9.组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 二、选择题（每题2分，共30分） 1.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2.十进制数100对应的二进制数为（ C ）。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3.和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4.数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5.所谓机器码是指（ B ）。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 6.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 7.下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。

通信电子线路习题解答

关于《通信电子线路》课程的习题安排：第一章习题参考答案： 1-1 1-3 解： 1-5

解： 第二章习题解答： 2-3 解： 2-4

由一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽 答：减小Q 值或减小并联电阻 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响 答： 1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值） 如式 通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式 为空载时的品质因数 为有载时的品质因数 Q Q Q Q L L <可见 结论： 串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。 2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响 o o Q R L Q == ωL S L R R R L Q ++= 0ω

2-8 回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗 答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ， g p = 0则为无损耗。 有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的 L g Q 0p 01ω= ，而L g g g Q 0L p s L )(1 ω++= 。 L p s p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++= = =故ωω同相变化。 与L S L R R Q 、 性。 较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴1 1 P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2 L s s L 2 01g g g I g V P ????? ??+==L 2 p L s s L 211g g g g I g V P ?? ??? ??++=='2 0L 1 1 11????? ? ??-='=Q Q P P K l

高频电子电路期末考试试题

电子信息科学与技术专业（本）2007级 《高频电子电路》试卷（A） 一、填空题（每空分，共30分） 1.无线电通信中信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用和RC网络特性工作的。 3.已知LC回路并联回路的电感L在谐振频率f0=30MHz时测得L=1H μ，Q0=100，则谐振时的电容C= pF和并联谐振电阻R P= Ω k。 4.谐振回路的品质因数Q愈大，通频带愈；选择性愈。 5.载波功率为100W，当m a =1时，调幅波总功率和边频功率分别为和。 6.某调谐功率放大器，已知V CC =24V，P0=5W，则当% 60 = c η，= C P ,I CO= ，若 P 0保持不变，将 c η提高到80%，P c减小。 7.功率放大器的分类，当θ2= 时为甲类，当θ2= 时为乙类；当θ< 为丙 类。 8.某调频信号，调制信号频率为400Hz，振幅为2V，调制指数为30，频偏Δf= 。当调制信号频率减小为200Hz，同时振幅上升为3V时，调制指数变为。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A.载波信号 B.本振信号 C.已调波信号 D.高频振荡信号 2.设AM广播电台允许占有的频带为15kHz，则调制信号的最高频率不得超过（） D.不能确定 3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器，通常采用（） A.晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器相移振荡器 D.席勒振荡器 4.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（） A.提高回路的Q值 B.提高谐振频率 C.加宽通频带 D.减小通频带 5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（） A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D.残留边带调幅波