三极管在Multisim替换

Multisim应用中国内外三极管的型号的互换

2N2222、2SC1815、2SC945等代替

9012用2SA1015、2SA733或者2SA954代替

三极管的替换参数

打字A=ROHM RLS4148 1SS355 1SS400 NXP PMBD4148148 PANASONIC MA2S111 打字D=ROHM NSR1020MW2T1G RB550VA-30TE-17 DIODES B0530WS-7 打字5=LIN BAT60B 1206 S4=中性标BAT43W BAS85=TOSHIBAB 1N5819 STM TMMBAT46 NXP BAT46 A4=NXP BAT760 BAT43W DIODES BAT760-7 1N5817WS-7 LZ= NXP BAT760 PMEG1020EA DIODES BAT760-7 ON NSR0320MW2T1G MBR0530VT1G CJ MBR0530V LZ ST 1N5817 718=ZETEX FMMTL718 BP58=V莎SI2307 IR IRLML6402 AO 3409 3423 3407 ON NTR4171PT1G 中性SI2302DS VISHAY SI2315 2301 ON NTR2101PT1G BN58=ROHM RUR040N02 STS3404 AO 3400 3414 3404 3402 ON NTR4501NT1G BAS316=NXP PMBD4148 2SC4672=KEC KTC4375-Y-RTK/P RB521S-30=DIODES SDM20U30 DTC123YE TL=DIODES DDTC123YE-7 2SC2412K T146R=ON MMBT8050LT1G MMBT9013LT1G MMBT9013DLT1G TOSHIBAB S9014C 中性2SC1815 S9014 3904 2SC945 NEC 2SC945-T1B ZETEX FMMT9017 2SK3065 T100 =NEC 2SK2054 RLS4148 TE25=DIODES LL4151-7-F TOSHIBAB SM4007 ROHM RLR4004 TE-11 NXP BAV103 RTE002P02 TL=NEC 2SJ243 ON NTA4151PT1G LSK3019=NEC 2SK1824 SDM20U40-7=RENESAS HSC226TRF TOSHIBAB 1N5819 2SC4617=ON MMBT2222ALT1G MMBT3904TT1G NXP BC847CT L78= ZETEX FMMTL718 2PC4617 TL=DIODES MMBT2222AT-7 NXP BC847AT BC847BT PMBT8050 ROHM 2SC5585 TL TOSHIBAB S9014C DTC143ZK T146=KRC KRC106S-RTK/P 2SA1162-Y=ON MMBT8550LT1G MMBT9012LT1G MMBT9015LT1G 中性标S8550 BB178 BB639=NXP BB910 2SD2351=NEC 2SC4181-T1B 2SC4083 T106=TOSHIBAB 2SC4215-Y NEC 2SC4182 BB535=NEC 1SV221 1SV220 2SC2712-Y=ROHM SST2222A T116 ON MMBT9014LT1G MMBT8050LT1G 2SC4081 T106=UMT3904 T106 ROHM 2SC4098 T106P 2SC4097 T106 NXP BC847BW BB659C=PANASONIC MA2S376 BA592=瑞莎HVU131 BAT54CW=BAT854CW PDTA114EE=仙童FJY4002R 2N7002T=ON NTA4153NT1G 2SC2712-GR=2SC4116-GR BC847BW=UMT3904 T106 RTU002P02 T106=V萨SI1305DL-T1-E3 DTC124XK T146=LIN BCR108S

Multisim基础使用方法详解

M u l t i s i m基础使用方 法详解 集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#

第2章 Multisim9的基本分析方法 主要内容 ?直流工作点分析（DC Operating Point Analysis ） ?交流分析（AC Analysis） ?瞬态分析（Transient Analysis） ?傅立叶分析（Fourier Analysis） ?失真分析（Distortion Analysis） ?噪声分析（Noise Analysis） ?直流扫描分析（DC Sweep Analysis） ?参数扫描分析（Parameter Sweep Analysis） 直流工作点分析 直流工作点分析也称静态工作点分析，电路的直流分析是在电路中电容开路、电感短路时，计算电路的直流工作点，即在恒定激励条件下求电路的稳态值。 在电路工作时，无论是大信号还是小信号，都必须给半导体器件以正确的偏置，以便使其工作在所需的区域，这就是直流分析要解决的问题。了解电路的直流工作点，才能进一步分析电路在交流信号作用下电路能否正常工作。求解电路的直流工作点在电路分析过程中是至关重要的。 2.1.1构造电路

为了分析电路的交流信号是否能正常放大，必须了解电路的直流工作点设置得是否合理，所以首先应对电路得直流工作点进行分析。在Multisim9工作区构造一个单管放大电路，电路中电源电压、各电阻和电容取值如图所示。 注意：图中的1，2，3，4，5等编号可以从Options---sheet properties—circuit—show all 调试出来。 执行菜单命令（仿真）Simulate/（分析）Analyses，在列出的可操作分析类型中选择DC Operating Point，则出现直流工作点分析对话框，如图A所示。直流工作点分析对话框B。 1. Output 选项 Output用于选定需要分析的节点。 左边Variables in circuit 栏内列出电路中各节点电压变量和流过电源的电流变量。右边Selected variables for 栏用于存放需要分析的节点。 具体做法是先在左边Variables in circuit 栏内中选中需要分析的变量（可以通过鼠标拖拉进行全选），再单击Add按钮，相应变量则会出现在Selected variables for 栏中。如果Selected variables for 栏中的某个变量不需要分析，则先选中它，然后点击Remove按钮，该变量将会回到左边Variables in circuit 栏中。 Options 和Summary选项表示：分析的参数设置和Summary页中排列了该分析所设置的所有参数和选项。用户通过检查可以确认这些参数的设置。 2.1.3 检查测试结果 点击B图下部Simulate按钮，测试结果如图所示。测试结果给出电路各个节点的电压值。根据这些电压的大小，可以确定该电路的静态工作点是否合理。如果不合理，可以

三极管替换及常用开关三极管

三极管替换及常用开关三极管 三极管替换及常用开关三极管 gaost 发表于2009-5-4 8:44:00 8 推荐 一、三极管的类型及材料 初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作(工作总结)时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。 三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作(工作总结)时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作(工作总结)性能。 2. BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。 3. PCM是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作(工作总结)时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作(工作总结)，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。 4. 特征频率fT。随着工作(工作总结)频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。 三、一般小功率三极管的选用 小功率三极管在电子电路中的应用最多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作(工作总结)频率大概是多少。如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右；电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右；UHF 频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作(工作总结)频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz，

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参 数解释 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

电阻模型参数 R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电容模型参数 C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电感模型参数 L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压（漆点电压） IBV 反向击穿电流（漆点电流） KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数 双极晶体管（三极管）IS 反向饱和电流 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA）正向欧拉电压 IKF （IK）正向漆点电流 ISE（C2） B-E漏饱和电流 NE B-E漏饱和电流

BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR（VB）正想欧拉电压 IKR 反向漆点电流 ISS NS ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB基极体电阻 IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流 RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE发射结电压 MJE ME 集电结剃度因子 TF 正向渡越时间 XTF TF随偏置变化的系数 VTF TF随VBC变化的电压参数 ITF 影响TF的大电流参数 PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移 CJC 零偏衬底结PN结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 TR 反向渡越时间 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 XCJS XTB BF和BR的温度系数 EG 禁带宽度 XTI（PT） IS的温度效应指数 KF I/F躁声系数 AF I/F躁声指数 FC 正偏势垒电容系数 RCO VO QCO 由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写

multisim元器件中文与英文对照表

Multisim元器件中文与英文对照表 1。Source库：包括电源、信号电压源、信号电流源、可控电压源、可控电流源、函数控制器件6个类。 2。BASIC库：包含基础元件，如电阻、电容、电感、二极管、三极管、开关等； 3。Diodes：二极管库，包含普通二极管、齐纳二极管、二极管桥、变容二极管、PIN二极管、发光二极管等。 4。Transisitor库：三极管库，包含NPN、PNP、达林顿管、IGBT、MOS管、场效应管、可控硅等； 5。Analog库：模拟器件库，包括运放、滤波器、比较器、模拟开关等模拟器件 6。TTL库：包含TTL型数字电路如7400 7404等门BJT电路。 7。COMS库：COMS型数字电路如74HC00 74HC04等MOS管电路。 8。MCU Model： MCU模型，Multisim的单片机模型比较少，只有8051 PIC16的少数模型和一些ROM RAM等 9。Advance Periphearls库：外围器件库，包含键盘、LCD、和一个显示终端的模型。 10。MIXC Digital：混合数字电路库，包含DSP、CPLD、FPGA、PLD、单片机-微控制器、存储器件、一些接口电路等数字器件。 11。Mixed：混合库，包含定时器、AC/DA转换芯片、模拟开关、震荡器等； 12。Indicators：指示器库，包含电压表、电流表、探针、蜂鸣器、灯、数码管等等显示器件。 13。Power：电源库，包含保险丝、稳压器、电压抑制、隔离电源等 14。Misc：混合库，包含晶振、电子管、滤波器、MOS驱动、和其他一些器件等 15。RF：RF库，包含一些RF器件，如高频电容电感、高频三极管等 16。Elector Mechinical：电子机械器件库，包含传感开关、机械开关、继电器、电机等。。 Proteus 元件名称对照1 元件名称中文名说明 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码 7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路 ALTERNATOR 交流发电机 AMMETER-MILLI mA安培计 AND 与门 DCPOWER 电池/电池组 BUS 总线 CAP 电容 CAPACITOR 电容器

multisim元器件 中文与英文对照表

ltisim元器件中文与英文对照表 1。Source库：包括电源、信号电压源、信号电流源、可控电压源、可控电流源、函数控制器件6个类。 2。BASIC库：包含基础元件，如电阻、电容、电感、二极管、三极管、开关等； 3。Diodes：二极管库，包含普通二极管、齐纳二极管、二极管桥、变容二极管、PIN二极管、发光二极管等。 4。Transisitor库：三极管库，包含NPN、PNP、达林顿管、IGBT、MOS管、场效应管、可控硅等； 5。Analog库：模拟器件库，包括运放、滤波器、比较器、模拟开关等模拟器件 6。TTL库：包含TTL型数字电路如7400 7404等门BJT电路。 7。COMS库：COMS型数字电路如74HC00 74HC04等MOS管电路。 8。MCU Model： MCU模型，Multisim的单片机模型比较少，只有8051 PIC16的少数模型和一些ROM RAM等 9。Advance Periphearls库：外围器件库，包含键盘、LCD、和一个显示终端的模型。10。MIXC Digital：混合数字电路库，包含DSP、CPLD、FPGA、PLD、单片机-微控制器、存储器件、一些接口电路等数字器件。 11。Mixed：混合库，包含定时器、AC/DA转换芯片、模拟开关、震荡器等； 12。Indicators：指示器库，包含电压表、电流表、探针、蜂鸣器、灯、数码管等等显示器件。 13。Power：电源库，包含保险丝、稳压器、电压抑制、隔离电源等 14。Misc：混合库，包含晶振、电子管、滤波器、MOS驱动、和其他一些器件等 15。RF：RF库，包含一些RF器件，如高频电容电感、高频三极管等 16。Elector Mechinical：电子机械器件库，包含传感开关、机械开关、继电器、电机等。。

[VIP专享]基于Multisim的三极管放大电路仿真分析

基于Multisim的三极管放大电路仿真分析 来源:大比特半导体器件网 引言 放大电路是构成各种功能模拟电路的基本电路，能实现对模拟信号最基本的处 理--放大，因此掌握基本的放大电路的分析对电子电路的学习起着至关重要的作 用。三极管放大电路是含有半导体器件三极管的放大电路，是构成各种实用放大 电路的基础电路，是《模拟电子技术》课程中的重点内容。 在课程学习中，一再向学生强调，放大电路放大的对象是动态信号，但放大电 路能进行放大的前提是必须设置合适的静态工作点，如果静态工作点不合适，输 出的波形将会出现失真，这样的“放大”就毫无意义。什么样的静态工作点是 合适的静态工作点;电路中的参数对静态工作点及动态输出会产生怎样的影响;正常放大的输出波形与失真的输出波形有什么区别;这些问题单靠课堂上的推理 及语言描述往往很难让学生有一个直观的认识。 在课堂教学中引入Multisim仿真技术，即时地以图形、数字或曲线的形式 来显示那些难以通过语言、文字表达令人理解的现象及复杂的变化过程，有助于 学生对电子电路中的各种现象形成直观的认识，加深学生对于电子电路本质的理 解，提高课堂教学的效果。实现在有限的课堂教学中，化简单抽象为具体形象， 化枯燥乏味为生动有趣，充分调动学生的学习兴趣和自主性。 1 Multisim 10 简介 Multisim 10 是美国国家仪器公司(NI公司)推出的功能强大的电子电路仿 真设计软件，其集电路设计和功能测试于一体，为设计者提供了一个功能强大、 仪器齐全的虚拟电子工作平台，设计者可以利用大量的虚拟电子元器件和仪器仪 表，进行模拟电路、数字电路、单片机和射频电子线路的仿真和调试。 Multisim 10 的主窗口如同一个实际的电子实验台。屏幕中央区域最大的窗 口就是电路工作区，电路工作窗口两边是设计工具栏和仪器仪表栏。设计工具栏 存放着各种电子元器件，仪器仪表栏存放着各种测试仪器仪表，可从中方便地选 择所需的各种电子元器件和测试仪器仪表在电路工作区连接成实验电路，并通过 “仿真”菜单选择相应的仿真项目得到需要的仿真数据。 2 三极管放大电路的仿真分析

multisim中有关元器件参数的中英文对照

电阻模型参数 R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电容模型参数 C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电感模型参数 L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数 双极晶体管（三极管） IS 传输饱和电流 EG 禁带宽度 XTI（PT）IS的温度效应指数BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA）正向欧拉电压 IKF （IK）正向漆点电流 ISE（C2）B-E漏饱和电流 NE B-E漏饱和电流 BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR（VB）正想欧拉电压

IKR 反向漆点电流 ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB 零偏压基极电阻 IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE PE 发射结内建电势 MJE ME 集电结剃度因子 CJC 零偏衬底结PN结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 FC 正偏势垒电容系数 TF 正向渡越时间 XTF TF随偏置变化的系数 VTF TF随VBC变化的电压参数 ITF 影响TF的大电流参数 PTF 在F=1/（2派TF）Hz时超前相移TR 反向渡越时间 XTB BF和BR的温度系数 KF I/F躁声系数 AF I/F躁声指数

multisim常见元件

multisim元件库 1.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。 图2 (1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示： 图3 (2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示：

图4 (3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示： 图5 (4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示： 图6 (5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示：

图7 (6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示： 图8 2. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。 图9 (1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUAL)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。 (2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。 (3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。 (4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。 (5). 选中“宽带运放(WIDEBAND_AMPS)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。

multisim常见元件知识讲解

m u l t i s i m常见元件

multisim元件库 1.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。 图2 (1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示： 图3 (2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示：

图4 (3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示： 图5 (4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示： 图6

(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示： 图7 (6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示： 图8 2. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。 图9 (1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUA L)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。 (2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。 (3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。 (4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。

三极管替换表

MPSA42NPN21E 300V0.5A0.625W MPSA92PNP21E 300V0.5A0.625W MPS2222A NPN21 75V0.6A0.625W300MHZ 9011NPN EBC 50V30mA0.4W150MHz 9012PNP 50V0.5A0.625W 9013NPN EBC 50V0.5A0.625W 9013NPN 50V0.5A0.625W 9014NPN EBC 50V0.1A0.4W150MHZ 9015PNP EBC 50V0.1A0.4W150MHZ 9018NPN EBC 30V50MA0.4W1GHZ 8050NPN EBC 40V1.5A1W100MHZ 8550PNP EBC 40V1.5A1W100MHZ 2N2222NPN4A 60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222A NPN 75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369NPN4A 40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907NPN4A 60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055NPN12 100V15A115W 2N3440NPN6 450V1A1W15MHZ 2N3773NPN12! 160V16A150W COP 2N6609 2N3904NPN21E 60V0.2Aβ=100-400 2N3906PNP21E 40V0.2Aβ=100-400 2N5401PNP21E 160V0.6A0.625W100MHZ 2N5551NPN21E 160V0.6A0.625W100MHZ 2N5685NPN12! 60V50A300W 2N6277NPN12 180V50A250W 2N6609PNP12! 160V15A150W COP 2N3773

Multisim仿真应用手册_92309562

电子电路仿真应用手册 2009年6月 前言 本手册基于Multisim V7仿真环境，从最基本的仿真电路图的建立开始，结合实际的例子，对模拟和数字电路中常用的测试方法进行介绍。这些应用示例包括：常用半导体器件特性曲线的测试、放大电路静态工作点和动态参数的测试、电压传输特性的测试、波形上升时间的测试、逻辑函数的转换与化简、逻辑分析仪的使用方法等。 更高版本的Multisim仿真环境与之类似。此外，本手册侧重于测试方法的介绍，仅对主要步骤进行说明，如碰到更细节的问题，可参阅《Multisim V7教学版使用说明书》或其它帮助文档。 目录 1 Multisim主界面简介 (2) 2仿真电路图的建立 (2) 3常用半导体器件特性曲线的测试方法 (3) 3.1 晶体三极管特性曲线的测试 (3) 3.1.1 IV分析仪测试方法 (3) 3.1.2 直流扫描分析方法 (3) 3.2 结型场效应管特性曲线的测试 (4) 3.2.1 IV分析仪测试方法 (4) 3.2.2 直流扫描分析方法 (4) 3.3 二极管、稳压管伏安特性曲线的测试 (5) 4放大电路静态工作点的测试方法 (5) 4.1 虚拟仪器测试方法 (5) 4.2 静态工作点分析方法 (5) 5放大电路动态参数的测试方法 (6) 5.1 电压放大倍数的测试 (6) 5.1.1瞬态分析测试方法 (6) 5.1.2虚拟仪器测试方法 (6) 5.2 输入电阻的测试 (6) 5.3 输出电阻的测试 (7) 5.4频率响应的测试 (7) 5.4.1交流分析方法 (7) 5.4.2 波特图仪测试方法 (7) 6电压传输特性的测试方法 (8) 7上升时间的测试方法 (9) 8逻辑函数的转换与化简 (10) 8.1 逻辑函数转换为真值表 (10) 8.2 真值表转换为逻辑函数 (10) 9逻辑分析仪的使用方法 (11)

极管参数代换表三极管参数大全

极管参数代换表三极管 参数大全 集团标准化工作小组 [Q8QX9QT-X8QQB8Q8-NQ8QJ8-M8QMN]

三极管参数代换表三极管参数大全 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) B857 70V 4A 40W BU2508A 1500V 8A 125W BU2508AF 1500V 8A 45W BU2508DF 1500V 8A 45W BU2520AF 1500V 10A 45W BU2520AX 1500V 10A 45W BU2520DF 1500V 10A 45W BU2520DX 1500V 10A 45W BU2522AF 1500V 10A 45W BU2522AX 1500V 10A 45W BU2522DF 1500V 10A 45W BU2522DX 1500V 10A 45W BU2525AF 1500V 12A 45W BU2525AX 1500V 12A 45W BU2527AF 1500V 12A 45W BU2527AX 1500V 12A 45W BU2532AL 1500V 15A 150W BU2532AW 1500V 16A 125W BU2725DX 1700V 12A 45W BU406 400V 5A 60W BU4522AF 1500V 10A 45W BU4522AX 1500V 10A 45W BU4523AF 1500V 11A 45W BU4523AX 1500V 11A 45W BU4525AF 1500V 12A 45W BU4525DF 1500V 12A 45W BU4530AL 1500V 16A 125W BU4530AW 1500V 16A 125W BUH1015 1500V 14A 70W BUH315D 1500V 6A 44W BUT11A 1000V 5A 100W C3039 500V 7A 50W C3886A 1500V 8A 50W C3996 1500V 15A 180W C3997 1500V 20A 250W C3998 1500V 25A 250W c4242 450V 7A 40W C4288A 1600V 12A 200W C4532 1700V 10A 200W C4634 1500V 2W C4686A 1500V 50mA 10W C4762 1500V 7A 50W C4769 1500V 7A 60W C4891 1500V 15A 75W C4897 1500V 20A 150W C4924 1500V 10A 70W C5027 1100V 50W C5039 800V 5A 30W C5045 1600V 15A 75W C5047 1600V 25A 25W C5048 1500V 12A 50W C5086 1500V 10A 50W C5088 1500V 8A 60W C5129 1500V 10A 50W C5142 1500V 20A 200W C5144 1700V 20A 200W C5148 1500V 8A 50W C5149 1500V 8A 50W C5243 1700V 15A 200W C5243 1700V 15A 200W C5244 1500V 20A 200W C5244A 1600V 20A 200W C5250 1500V 8A 50W C5251 1500V 12A 50W C5252 1500V 15A 50W C5294 1500V 20A 120W C5296 1500V 8A 60W C5297 1500V 8A 60W C5301 1500V 20A 120W C5302 1500V 15A 75W C5331 1500V 15A 180W C5386 1500V 7A 50W C5387 1500V 10A 50W C5404 1500V 9A 50W C5404 1500V 9A 50W C5406 1500V 14A 100W C5407 1700V 15A 100W C5411 1500V 14A 60W

multisim元件查找

Multisi m8.0中的元件库和元器件 2009-03-23 15:54 电子仿真软件“Mumsim8.3.30特殊版”的元件库中把元件分门别类地分成13个类别，每个类别中又有许多种具体的元器件，为便于读者在创建仿真电路时寻找元器件，现将电子仿真软件“Mumsim8.3.30特殊版”元件库和元器件的中文译意整理如下，供读者参考。 电子仿真软件Mumsim8.3.30特殊版的元件工具条如图1所示。 图1 1.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。 图2 (1). 选中“电源(P OWER_SOURCE S)”，其“元件”栏下内容如图3所示：

(2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示： 图4 (3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCE S)”，其“元件”栏下内容如图5所示： 图5 (4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示：

(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCE S)”，其“元件”栏下内容如图7所示： 图7 (6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCE S)”，其“元件”栏下内容如图8所示： 图8 2. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。 图9 (1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUAL)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。 (2). 选中“运算放大器(OP AMP)”。其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。 (3). 选中“诺顿运算放大器(OP AMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。 (4). 选中“比较器(COMP ARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。 (5). 选中“宽带运放(WIDE BAND_AMP S)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。 (6). 选中“特殊功能运放(SP ECIAL_FUNCTION)”，其“元件”栏中有165种规格特殊功能运放可供调用，主要包括测试运放、视频运放、乘法器/除法器、前置放大器和有源滤波器等。

三极管替换表

器件型号电压电流代换型号 3DG9011 50V 0.3A 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V 0.03A LM9011 SS9011 9012 40V 0.5A LM9012 9012(HH) 40V 0.5A SS9012 9012LT1 40V 0.5A A1298 3DG9013 40V 0.5A CS9013 JE9013 9013 40V 0.5A LM9013 9013(HH) 40V 0.5A SS9013 9013LT1 40V 0.5A C3265 3DG9014 50V 0.15A CS9014 JE9014 9014 50V 0.1A LM9014 SS9014 9014LT1 50V 0.1A C1623 9015 50V 0.1A LM9015 SS9015 TEC9015 50V 0.15A BC557 2N3906 TEC9015A 50V 0.15A BC557 2N3906 TEC9015B 50V 0.15A BC557 2N3906 TEC9015C 50V 0.15A BC557 2N3906 3DG9016 30V 0.025A JE9016 9016 30V 0.25A SS9016 TEC9016 40V 0.025A BF240 BF254 BF594 8050 40V 1.5A SS8050 8050LT1 40V 1.5A KA3265 ED8050 50V 0.8A BC337 SDT85501 60V 10A 3DK104C SDT85502 80V 10A 3DK104C SDT85503 100V 10A 3DK104D SDT85504 140V 10A 3DK104E SDT85505 170V 10A 3DK104F SDT85506 60V 10A 3DK104C SDT85507 80V 10A 3DK104C SDT85508 100V 10A 3DK104D SDT85509 140V 10A 3DK104E ED8550 50V 0.8A BC337 8550 40V 1.5A LM8550 SS8550 8550LT1 40V 1.5A KA3265 2SA1015 50V 0.15A BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 2SC1815 60V 0.15A BC174 BC182 BC184 BC190 BC384 BC414 BC546

MULTISIM各元器件所在库

1。Source库：包括电源、信号电压源、信号电流源、可控电压源、可控电流源、函数控制器件6个类。 2。BASIC库：包含基础元件，如电阻、电容、电感、二极管、三极管、开关等； 3。Diodes：二极管库，包含普通二极管、齐纳二极管、二极管桥、变容二极管、PIN 二极管、发光二极管等。 4。Transisitor库：三极管库，包含NPN、PNP、达林顿管、IGBT、MOS管、场效应管、可控硅等； 5。Analog库：模拟器件库，包括运放、滤波器、比较器、模拟开关等模拟器件6。TTL库：包含TTL型数字电路如7400 7404等门BJT电路。 7。COMS库：COMS型数字电路如74HC00 74HC04等MOS管电路。 8。MCU Model：MCU模型，Multisim的单片机模型比较少，只有8051 PIC16的少数模型和一些ROM RAM等 9。Advance Periphearls库：外围器件库，包含键盘、LCD、和一个显示终端的模型。 10。MIXC Digital：混合数字电路库，包含DSP、CPLD、FPGA、PLD、单片机-微控制器、存储器件、一些接口电路等数字器件。 11。Mixed：混合库，包含定时器、AC/DA转换芯片、模拟开关、震荡器等； 12。Indicators：指示器库，包含电压表、电流表、探针、蜂鸣器、灯、数码管等等显示器件。 13。Power：电源库，包含保险丝、稳压器、电压抑制、隔离电源等

14。Misc：混合库，包含晶振、电子管、滤波器、MOS驱动、和其他一些器件等15。RF：RF库，包含一些RF器件，如高频电容电感、高频三极管等 16。Elector Mechinical：电子机械器件库，包含传感开关、机械开关、继电器、电机等。。

三极管代换

三极管代换 2SC5299 NPN 1500/800V 10A 70W 最大工作频率：<1MHZ (代换型2SC5411，BU2520AF,BUH715,2SC4589） 2SC5411 1500V/14A/60W 2SD1887 硅NPN 1500V 10A 70W 2SC4706 硅NPN 900V 14A 130W D2253 NPN 1700V 6A 50W 有阻 D2553 NPN 1700V 8A 50W 有阻 我不管21的29寸的行管用2253，电源管用C5297，价格差不多，不用多备货 我就用这几种：电源管用D3668（3.8元），行管用D2253或者D2553（3.8元），高清就用D5144或者C4288（4.5元），通杀21寸到34寸的 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿

9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参数 解释 The latest revision on November 22, 2020

电阻模型参数 R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数 C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数 L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数

TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数

双极晶体管（三极管） IS 反向饱和电流 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压 IKR 反向漆点电流 ISS NS ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结PN结电容 VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子 TF 正向渡越时间

XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 TR 反向渡越时间 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 XCJS XTB BF和BR的温度系数 EG 禁带宽度 XTI（PT） IS的温度效应指数 KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数 FC 正偏势垒电容系数 RCO VO QCO