模电习题解答
第四章参考答案
4.1 根据图4.39所示的场效应管转移特性曲线，判断场效应管的类型，并标出夹断电压GS(off)U 或开启电压GS(th)U 和漏极饱和电流DSS I 的位置。
GS
v
GS
v
（a ） （b ） （c ）
图4.39 习题4.1的图
解：
v GS
v
（a ） （b ） （c ）
图题4.1 答案
（a ）P 沟道耗尽型MOS 管；（b ）N 沟道耗尽型MOS 管；（c ）P 沟道结型FET 。
4.2 根据图4.40所示的场效应管输出特性曲线，判断场效应管的类型，并确定夹断电压GS(off)U 或开启电压GS(th)U 的大小。
DS DS GS
（a ） （b ） （c ）
图4.40 习题4.2的图
解：（a ）N 沟道增强型MOS 管，GS(th)2V U =；（b ）P 沟道增强型MOS 管，GS(th)3V U =-；（c ）N 沟道结型FET ，GS(off)3V U =-。
4.3 在场效应管组成的电路中，其各极的电位如图4.41所示，已知GS(off)GS(th)3V U U ==，确定管子的工作状态。
1V
8V
1V
1V
8V
0V -1V
4V 4V
（a ） （b ） （c ） （d ）
图4.41 习题4.3的图
解：（a ）截止区；（b ）饱和区；（c ）可变电阻区；（d ）饱和区。
4.4 已知N 沟道增强型MOS 管的参数为GS(th)1V U =，100m W =μ，5m L =μ，2n 650cm /V s μ=，92ox 76.710F/cm C -=?。当GS GS(th)2U U =，管子工作在饱和区，试计算此
时的漏极电流D I 。
解： 22n ox D n GS GS(th)GS(th)()(2)1mA 2μC W
I K u U U L
=-=
?≈ 4.5判断图4.42中的各电路能否放大交流信号，并说明理由。
+
-o
u
o
（a ） （b ）
o
o
（c ） （d ）
图4.42 习题4.5电路图
解：（a ）能；（b ）不能，GS 0U =没有形成导电沟道，所以不能正常放大；（c ）不能，因为GS 0U >；
（d ）不能，因为缺少漏极电阻D R 。
4.6 电路如图 4.43所示，已知DSS 4mA I =，GS(off)4V U =-，G 1M R =Ω，1K R =Ω，D 2K R =Ω， DD 12V V =。电容的容量足够大，求静态工作点Q （GSQ U 、DSQ U 、DQ I ）。
R
u
u
C C
V
R
R
R
u V
R
V
-
图4.43 习题4.6电路图
解： GSQ G S DQ DQ 1U U U I R I =-=-=-? 假设管子工作在饱和区则
GSQ DQ 22
DQ DSS GS(off)
1(1)4(1)4
U I I I U ?=-
=?-
解得合理解，DQ 1.53mA I =，GSQ 1.53V U =-
DSQ DD DQ D ()12 1.5337.41V U V I R R =-+=-?=
因为DSQ GSQ GS(off)(7.41 1.534)U U U >->-+，管子工作在恒流区，假设成立。 所以静态工作点GSQ 1.53V U =-，DSQ 7.41V U
=，DQ 1.53mA I =。
4.7电路如图4.44所示，已知2n 0.1mA/V K =，GS(th)1V U =，G130K R =Ω，G220K R =Ω，D 10K R =Ω， DD 5V V =。电容的容量足够大，求该电路的静态工作点，说明此时场效应管
工作在什么状态。
u
R
u u
C
V R
V
-
图4.44习题4.7电路图
解：G1G DD G1G230
53V 2030
R U V R R =
=?=++
GSQ G S 3V U U U =-=
假设管子工作在饱和区
22DQ n GSQ GS(th)()0.1(31)0.4mA I K U U =-=?-= DSQ DD DQ D 50.4101V U V I R =-=-?=
因为DSQ GSQ GS(off)(131)U U U <-<-，管子工作在可变电阻区，假设不成立。则
22
DQ n GSQ GS(th)DSQ DSQ DSQ DSQ [2()]0.1(4)I K U U U U U U =--=??-
DSQ DD DQ D U V I R =-
解得合理解，DQ 0.36mA I =，DSQ 1.4V U =
所以静态工作点GSQ 3V U =，DSQ 1.4V U =，DQ 0.36mA I =，管子工作在可变电阻区。 4.8电路如图 4.45所示，由电流源提供偏置。设管子的参数为2n 160A/V K =μ，GS(th)1V U =，DD SS 5V V V ==，DQ 0.25mA I =，DQ 2.5V U =，求该电路的静态工作点及D R 的
阻值。
o
u DD
V
o
u SS
图4.45习题4.8电路图
解：当i 0v =时，栅极相当于接地，且G R 上无电流通过。 假设管子工作在饱和区 2DQ n GS GS(th)()I K u U =- 2GSQ 0.250.16(1)U =-
解得GSQ 2.25V U =，S GSQ 2.25V V U =-=- DSQ DQ S 2.5 2.25 4.75V U V V =-=+=
因为DSQ GSQ GS(th)(4.75 2.251)U U U >->-，管子工作在恒流区，假设成立。 所以静态工作点GSQ 2.25V U =，DSQ 4.75V U =，DQ 0.25mA I =， DD S DD S DQ D D DQ 5 2.5
10K Ω0.25
V V V V I R R I ---=
?=== 4.9电路如图 4.46（a ）所示，已知电容的容量足够大，G 1M R =Ω，0.3K R =Ω，D 1.7K R =Ω，L 2K R =Ω DD 20V V =，结型场效应管的输出特性曲线如图4.46（b ）所示。（1）
用图解法求静态工作点Q 。（2）求输出电压的最大不失真幅度。
+
-
o
u
DS
（a ） （b ）
图4.46习题4.9电路图
DS
图题4.9答案
解：（1）①作直流负载线
DS DD D D ()U V I R R =-+
令DS 0U =得 DD D D 2010mA 2V I R R ===+
令D 0I =得DS
DD 20V U V ==
在输出特性曲线上连接（20，0），（0，5）得到直流负载线CD 。
②直流负载线AB 与GS u 交点处的坐标值逐点转移到GS D u i -坐标上，得到对应的转移特性曲线CD 。
③在转移特性曲线上作出GS DQ U I R =-的直线
令D 0I =得GS 0U = 令D 8mA I =得GS 2.4V U =-
在转移特性曲线上连接（0，0），（－2.4，8）两点得到一直线，此直线与转移特性曲线的交点即为静态工作点Q 。对应Q 点的值为
GSQ 1.5V U =-，DSQ 10V U =，DQ 5mA I =。
（2）交流负载'
L
D L //0.92K R R R ==Ω '
o c L 50.92 4.6V v i R ==?=
交流负载线与横轴的交点为（10＋4.6＝14.6V ）连接Q 点得到交流负载线EF 。EF 可知
输出电压的最大不失真幅度为4.6V 。
4.10电路如图4.47所示，已知2n 0.1mA/V K =，GS(th)1V U =，G160K R =Ω，G290K R =Ω，D 20K R =Ω，L 20K R =Ω， DD 5V V =，s 2K R =Ω。电容的容量足够大。
（1）求该电路的静态工作点。（2）画出微变等效电路，并计算u A 、i R 、o R 。（3）计算源电压放大倍数us A 。
R R
u
u
R
R C
C
C
V
R R
R u o
DD
R
图4.47 习题4.10电路图
g U +
u o u DD
V
图题4.10答案
解：（1）G1GS DD G1G260
52V 6090
R U V R R =
=?=++
假设管子工作在饱和区
22DQ n GSQ GS(th)()0.1(21)0.1mA I K U U =-=?-= DSQ DD DQ D 50.1203V U V I R =-=-?=
因为DSQ GSQ GS(th)(321)U U U >->-，管子工作在恒流区，假设成立。 所以静态工作点GSQ 2V U =，DSQ 3V U =，DQ 0.1mA I =。 （2）m n GSQ GS(th)2()20.110.2mS g K U U =-=??= u m D L (//)0.2102A g R R =-=-?=- i G1G2//36K ΩR R R ==
o D 20K ΩR R ==
（3）i us u
i s 36
2 1.89362
R A A R R ==-?=-++
4.11电路如图 4.48所示，已知场效应管在工作点上的跨导m 1mS g =，DS
D r R ，
G 1M R =Ω，G1100K R =Ω，G2300K R =Ω，S12K R =Ω，S210K R =Ω，D 10K R =Ω，L 10K R =Ω，DD 20V V =电容的容量足够大，求电路的小信号电压增益u o i /A u u =，输入电阻i R 和输出电
阻o R 。
DD
图4.48 习题4.11电路图
o
图题4.11答案
解：m D L u m S1(//)15
1.67112
g R R A g R -?=
=-=-++
i G G1G2//1075K ΩR R R R =+=
o D 10K ΩR R ==
4.12电路如图4.49，已知场效应管在工作点上的跨导m 5mS g =，DS
D r R ，12M R =Ω，
220K R =Ω，D 20K R =Ω，L 10K R =Ω，
画出该电路的低频小信号等效电路，并计算u A 、i R 、o R 。
R u
u
R
R C
C
V
R
R
+
-
o u
图4.49习题4.12 电路图
o
u
图题4.12答案
解：u m 2D L (////)5525A g R R R =-=-?=- i 12M ΩR R ==
o D 2//10K ΩR R R ==
4.13电路如图4.50所示，其中m 2mS g =， G 1M R =Ω，G130K R =Ω，G250K R =Ω， 10K S R =Ω，L 10K R =Ω，求L R 接入和断开两种情况下的增益u A ，输入电阻i R 和输出电阻
o R 。
图4.50习题4.13电路图
图题4.13答案
解：L R 接入时：o m S L u i m S L (//)250.9091(//)125
u g R R A u g R R ?====++? L R 断开时：o m S u i m S 2100.95211210
u g R A u g R ?=
===++? G G1G2//1018.75K Ωi R R R R =+=
t o S t m 11//10000//4760.002
u R R i g ===≈Ω
4.14电路如图4.51所示，已知DSS 8mA I =，GS(off)4V U =-，S 1K R =Ω，D 5K R =Ω，L 5K R =Ω， DD 18V V =。电容的容量足够大。（1）求该电路的静态工作点。（2）画出微变等效电路，并计算u
A 、i R 、o R 。
R
u
u
C
C
V
R
R
R
R
C +
-
o u
图4.51习题4.14 电路图
g u DD
R
图题4.14答案
解：（1）GSQ D S U I R =-
假设管子工作在饱和区
GSQ DQ 22DQ DSS GS(off)1
(1)8(1)4U I I I U ?=-=?-
解得合理解DQ 2mA I =，GSQ 2V U =- DSQ DD DQ D S ()18266V U V I R R =-+=-?=
因为DSQ GSQ GS(off)(624)U U U >->-+，管子工作在恒流区，假设成立。 所以静态工作点GSQ 2V U =-，DSQ 6V U =，DQ 2mA I =。 （2
）2
2mS 4
m g ≈= m gs D L o u m D L i gs
(//)(//)2 2.55g u R R u A g R R u u -=
===?=- i S m 11
//
1000//3330.002
R R g ==≈Ω o D 5K ΩR R == 4.15电路如图4.52所示，已知m 1mS g =，DS D r R ，S 2K R =ΩG11M R =Ω，G2160K R =Ω，
D 10R K =Ω，L 10R K =Ω，DD 18V V =电容的容量足够大，画出该电路的低频小信号等效电
路，并计算u A 、i R 、o R 。
+
-
o u
图4.52 习题4.15电路图
g u
图题4.15答案
解：m gs D L o u m D L i gs
(//)(//)155g u R R u A g R R u u -====?=- i S m 11//
2000//6670.001
R R g ==≈Ω o D 10K ΩR R ==
4.16一个结型场效应管放大电路如图4.18（b ）所示。其中场效应管采用JFET 2N3822，G 1M R =Ω，2K R =Ω，D 2K R =Ω，L 2K R =Ω， DD 20V V =，10.1μF C =，2 4.7μF C =，S 100μF C =。（1）求静态工作点Q ；（2）输入频率为1KHz 、幅值为100mV 的正弦信号i v ，
观察i v 及o v 的波形；（3）求电路的幅频响应、频带宽度、输入电阻i R 和输出电阻o R 。
仿真电路如图所示：
（1）静态分析：
GSQ (1)(3)0 1.24 1.24V U V V =-≈-=- DSQ (2)(3)18.76 1.2417.52V U V V =-=-=
DD DQ d (1)2017.52
1.24mA 2
V V I R --=
== （2）动态分析：由图可以看出共源极放大电路输入、输出反相，信号被放大了1.7倍
左右。
（3）
由图可知max y＝1.7008为电路的中频放大倍数，x1≈458.74MHz，x2≈9.87Hz分别为电路的上限截止频率和下限截止频率。两者之差dx≈458.74MHz即为通频带。
第二行999.997KΩ为输入电阻，第三行1.998KΩ为输出电阻。
模电(第四版)习题解答
第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ )
模电试题及答案12
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模电习题及解答
习 题 3.1 在晶体管放大电路中，测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示，试分别标出各个 晶体管的管脚e 、b 和c ；判断各晶体管是NPN 型还是PNP 型；并分别估算它们的值。 ( a )( b ) 图P3.1 答：（a ）从左至右依次为b ， e ， c ，NPN ，40 （b ）从左至右依次为b ， c ， e ，PNP ，60 3.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示，试判断这些晶 体管分别处于什么状态。 A ．放大 B ．饱和 C ．截止 D ．损坏 ⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。 图P3.2 解：（1）A ；（2）A ；（3）C ；（4）D ；（5）B 3.3 某晶体管的输出特性如图P3.3(BR)CEO V 和P CM 。
46 2 8 图P3.3 1000.99，I CEO ＝10μA ，(BR)CEO V ≈55V ，P CM ≈100mW 3.4电路如图P3.4所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测 晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降V C E S ＝0.5V 。 （1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路 （4）R b 2开路 （ 5）R C 短路 CC 图P3.4 解：设V BE ＝0.7V 。则 （1）基极静态电流 V 4.6mA 022.0c C CC CE b1BE b2BE CC B ≈-=≈--= R I V V R V R V V I （2）由于V BE ＝0V ，晶体管截止，V CE ＝12V 。 （3）由于基极电流 >≈-= mA 22.0 b2BE CC B R V V I mA 045.0 c CES CC ≈-R V V β 故晶体管饱和，V CE ＝V CES ＝0.5V 。 （4）晶体管截止，V CE ＝12V 。 （5）由于集电极直接接直流电源，故V CE ＝V CC ＝12V 。
模电 习题答案(精选.)
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ；
模电(第四版)习题解答07169汇编
模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答
目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
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第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
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第二章晶体三极管及其放大电路基础 1、简述三极管制作的结构特点？ 答：基区：很薄且杂质浓度很低；发射区：杂质浓度很高；集电区：面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度 2、简述三极管的放大原理。 答： 1、三极管有三个级：发射极E、集电极C、基极B 有三个区：发射区、集电区、基区 有两个结：发射结、集电结 2、三极管用于放大时，首先保证发射结正偏、集电结反偏。 3、分析以NPN型硅三极管为例： ( 1)、BJT内部的载流子传输过程： 因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN 。同 时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小， 可忽略。所以发射极电流I E ≈ IEN 。 发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到空穴后复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ IBN 。大部分到达了集电区的边缘。 因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子（漂移运动），形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO（很小），所以IC ≈ICN （2）、BJT的放大： 集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话）：基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化 满足一定的比例关系：IC= βIB 即电流变化被放大了倍， (β叫做三极管的 放大倍数,一般远大于1）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极 之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了IC很大 的变化。如果集电极电流IC是流过一个电阻RC的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的 电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 3、如何理解三极管是电流控制的有源器件？ 答：这要从三极管的电流放大和开关特性说起! 半导体三极管的结构是在硅片的基区上形成相邻的集电结和发射结!这两个结的电流导通必需通过基区!这有点像两根水管中间要通过一层滤网或是闸门!基区的网栅密度或闸门开闭控制着集,射极间的电流强度! 三极管的基区空穴密度取决于所加电位!而空穴密度又决定着该结的厚度!这个厚度又决定了其导电强度!这就决定了集,射间的电流强度! 三极管的三个极电压是基极很低!集电极很高!发射极是公共端! 我们在基极和发射极间控制一个小电位的变化或通断!就能间接地控制集电极和发射极间的大电流(高电位)变化或是通断!这就是三极管是电流控制的有源器件的原理
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试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
模电习题答案解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为10卩A ， 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大？已知 温度每升高10C ，反向电流大致增加一倍。 解：在20C 时的反向电流约为： 2” 10」A = 1.25)A 在80C 时的反向电流约为： 23 10」A = 80」A 习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示: ① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压，如图 (b)，此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少? ② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，贝V 二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时 1.5 二 U I I 0.8A, U : 0.7V ②电源电压为3V 时 3二U I I 2.2A, U ： 0.8V 可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电 1.5V 1k ? (b)
流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin? t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电 流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
模电第四版4~7章习题解答
第4章 集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。 A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。( √ ) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K = 。( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。 解：分析估算如下： 21 100CC BE BE R V U U I A R μ--= = 00202211B B B B I I I I ββ ββ ++= =++； 020 2( )1R B B B I I I I β βββ+=+=++ 图T4.3 22021C B B I I I β ββ β +==?+。比较上两式，得 2(2) 1002(1) C R R I I I A ββμβββ+= ?≈=+++ 四、电路如图T4.4所示。
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
5章 模电习题解 放大电路的频率响应题解.
第五章 放大电路的频率响应 自 测 题 ☆一、（四版一）选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 。 A.3dB B.4dB C.5dB （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 。 A.＋45? B.－90? C.－135? 当f ＝ f H 时，o U 与i U 的相位关系是 。 A.－45? B.－135? C.－225? 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C
★二、（四版二）电路如图T5.2所示。已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, 0＝80。试求解： （1）中频电压放大倍数sm u A ； （2）' C ； （3）f H 和f L ； （4）画出波特图。 图T5.2 解：（1）静态及动态的分析估算： ∥178 )(mA/V 2 .69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26) 1(V 3mA 8.1)1(A μ 6.22c m be e b'i s i sm T EQ m b be i e b'bb'be EQ e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQ CC BQ R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u （2）估算' C ： pF 1602)1(pF 214π2) (π2μc m ' μT e b'0 μπe b'0 T C R g C C C f r C C C r f
模电习题课答案版
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Ｉs将增大,是因为此时ＰN结内部的B 。 [ ] A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小 2. 某只硅稳压管的稳定电压Ｖz = 4v,其两端施加的电压分别为＋５v（正向偏置）和-5v(反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。［］ A +5ｖ和-５v Ｂ－５ｖ和+4v C +４v和-0.7v Ｄ +0．7v和－4v ⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝ -６．３v，ＶＥ＝ -７ｖ，VＣ＝ -４ｖ，可以判定此晶体管是管，处于 B 。 [ ] A ＮPN管，饱和区ＢＰNP管, 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管, 放大区 ⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的Ｂ。［］ A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 ⒌在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: Ｂ。 [ ] A 共发射极电路的A V最大、RＩ最小、R O最小 Ｂ共集电极电路的A V最小、ＲI最大、R O最小 C 共基极电路的AＶ最小、R I最小、R O最大 D 共发射极电路的A V最小、ＲI最大、RＯ最大 ⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是Ｃ。 [ ] A 电阻阻值有误差Ｂ晶体管参数的分散性 Ｃ晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ] A 抑制共模信号； B 抑制差模信号; Ｃ放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号; 8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。 [ ]Ａ电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。[ ] A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有 10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 [ ]Ａ耦合电容和旁路电容的影响Ｂ晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性Ｄ放大电路的静态工作点设置不合适 11．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。 [ ] A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。［ ] A 直流电阻大、交流电阻小Ｂ直流电阻小、交流电阻大 C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章半导体基础知识 自测题 一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X 二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC 三、 U oi ?1.3V U O 2= 0 U o3~— 1.3V U o4~ 2V U °5~ 2.3V U °6~— 2V 四、 U o1 = 6V U O 2= 5V 五、 根据 P CM = 200mW 可得：U CE F = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 l C ~ 6.67mA , U CE ^ 10V 时I C = 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB - U BE R b l c 「I B 二 2.6mA U CE = V CC _ l C R C = 2V U O = U CE = 2 V 。 2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ，所以 上二28.6讥 七、T 1 :恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和U o 的波形如图所示。 R b V BB - U BE : 45.4k.' U CE = 20V 时 I C = 10mA , V CC - U CES 一 ——=2.86mA R c 也t 指数关系，当 ..'t
1.4 u i 和U o 的波形如图所示。 1.6 I D =( V — U D ) /R = 2.6mA , g~ U T /I D = 10 Q , l d = U i /r D ^ 1mA 。 1.7 (1 )两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM = P ZM / U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 ?1.2k Q 。 1.9 (1 )当U l = 10V 时，若U O = U Z = 6V ,则稳压管的电流为 4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压 管未击 穿。故 R U o L U l 3.33V R R L 当U I = 15V 时，由于上述同样的原因， U O = 5V 。 当 U I = 35V 时，U O = U Z = 5V 。 (2) l D Z = (U i -U Z ).；R=29mA > I ZM = 25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1) S 闭合。 (2) R min =(V -U D ). I Dm ax 233 门,R max =(V —U D ). I Dmin 二 700门 1.5 U o 的波形如图所示。
华南理工大学模电试题(附答案)
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
模电课后习题答案
模电典型例题分析 第二章 题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===-
()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +