文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 气压传感器和应变计的特性及使用实验

气压传感器和应变计的特性及使用实验

气压传感器和应变计的特性及使用实验
气压传感器和应变计的特性及使用实验

学生实验报告

学号:指导老师:贾默伊同组人:成绩:

学生实验报告Array

批阅老师:年月日

学生实验报告Array

批阅老师:年月日

传感器实验报告.doc

实验一金属箔式应变片性能—单臂电桥 1、实验目的了解金属箔式应变片,单臂单桥的工作原理和工作情况。 2、实验方法在CSY-998传感器实验仪上验证应变片单臂单桥的工作原理 3、实验仪器CSY-998传感器实验仪 4、实验操作方法 所需单元及部件:直流稳压电源、电桥、差动放大器、双孔悬臂梁称重传感器、砝码、一片应变片、F/V表、主、副电源。 旋钮初始位置:直流稳压电源打倒±2V档,F/V表打到2V档,差动放大增益最大。 实验步骤: (1)了解所需单元、部件在实验仪上的所在位置,观察梁上的应变片,应变片为棕色衬底箔式结构小方薄片。上下二片梁的外表面各贴二片受力应变片。 (2)将差动放大器调零:用连线将差动放大器的正(+)、负(-)、地短接。将差动放大器的输出端与F/V表的输入插口Vi 相连;开启主、副电源;调节差动放大器的增益到最大位置,然后调整差动放大器的调零旋钮使F/V表显示为零,关闭主、副电源。 (3)根据图1接线R1、R2、R3为电桥单元的固定电阻。R4为应变片;将稳压电源的切换开关置±4V 档,F/V表置20V档。开启主、副电源,调节电桥平衡网络中的W1,使F/V表显示为零,等待数分钟后将F/V表置2V档,再调电桥W1(慢慢地调),使F/V表显示为零。 (4) 将测微头转动到10㎜刻度附近,安装到双平行梁的右端即自由端(与自由端磁钢吸合),调节测微头支柱的高度(梁的自由端跟随变化)使V/F表显示值最小,再旋动测微头,使V/F表显示为零(细调零),这时的测微头刻度为零位的相应刻度。 (5) 往下或往上旋动测微头,使梁的自由端产生位移记下V/F表显示的值,每旋动测微头一周即 压值的相应变化。

DS18B20温度传感器实验

DS18B20温度传感器实验Proteus仿真原理图: DS18B20内部结构:

/************************* 源程序 ****************************/ #include #include #define uint unsigned int #define uchar unsigned char #define delayNOP() {_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();} sbit DQ = P3^3; sbit LCD_RS = P2^0; sbit LCD_RW = P2^1; sbit LCD_EN = P2^2; uchar code Temp_Disp_Title[]={"Current Temp : "}; uchar Current_Temp_Display_Buffer[]={" TEMP: "}; uchar code Temperature_Char[8] = { 0x0c,0x12,0x12,0x0c,0x00,0x00,0x00,0x0 0 }; uchar code df_Table[]= { 0,1,1,2,3,3,4,4,5,6,6,7,8,8,9,9 }; uchar CurrentT = 0; uchar Temp_Value[]={0x00,0x00}; uchar Display_Digit[]={0,0,0,0}; bit DS18B20_IS_OK = 1; void DelayXus(uint x) { uchar i; while(x--) { for(i=0;i<200;i++); } } bit LCD_Busy_Check(){ bit result; LCD_RS = 0; LCD_RW = 1; LCD_EN = 1; delayNOP(); result = (bit)(P0&0x80); LCD_EN=0; return result; } void Write_LCD_Command(uchar cmd) { while(LCD_Busy_Check()); LCD_RS = 0; LCD_RW = 0; LCD_EN = 0; _nop_(); _nop_(); P0 = cmd; delayNOP(); LCD_EN = 1; delayNOP(); LCD_EN = 0; }

实验四 电容式传感器的位移特性实验

实验四 电容式传感器的位移特性实验 一、实验目的 了解电容传感器的结构及特点,电容传感器的位移测量原理。 二、实验仪器 电容传感器、电容传感器模块、测微头、数显直流电压表、直流稳压电源、绝缘护套 三、实验原理 电容式传感器是指能将被测物理量的变化转换为电容量变化的一种传感器,它实质上是具有一个可变参数的电容器。利用平板电容器原理: d S d S C r ??= = εεε0 (4-1) 式中,S 为极板面积,d 为极板间距离,ε0真空介电常数,εr 介质相对介电常数,由此可以看出当被测物理量使S 、d 或εr 发生变化时,电容量C 随之发生改变,如果保持其中两个参数不变而仅改变另一参数,就可以将该参数的变化单值地转换为电容量的变化。所以电容传感器可以分为三种类型:改变极间距离的变间隙式,改变极板面积的变面积式和改变介质电常数的变介电常数式。这里采用变面积式,如图4-1两只平板电容器共享一个下极板,当下极板随被测物体移动时,两只电容器上下极板的有效面积一只增大,一只减小,将三个极板用导线引出,形成差动电容输出。 图4-1 差动电容传感器原理图 四、实验内容与步骤 1.按图4-2将电容传感器安装在传感器固定架上,将传感器引线插入电容传感器实验模块插座中。 图4-2 电容传感器安装示意图 2.将电容传感器模块的输出U O 接到数显直流电压表。 3.将实验台上±15V 电源接到传感器模块上。检查接线无误后,开启实验台电源,用

电压表2V档测量“电容传感器模块”的输出,将电容传感器调至中间位置,调节Rw,使得数显直流电压表显示为0(2V档)。(Rw确定后不要改动) 4.旋动测微头推进电容传感器的共享极板(下极板),每隔0.2mm记下位移量X与输出电压值V的变化,填入下表4-1。 五、实验报告 1.根据表4-1的数据计算电容传感器的系统灵敏度S和非线性误差δf。

光纤压力传感器实验

光纤压力传感器实验 一、实验目的 1、了解并掌握传导型光纤压力传感器工作原理及其应用 二、实验内容 l、传导型光纤压力传感光学系统组装调试实验; 2、发光二极管驱动及探测器接收实验; 3、传导型光纤压力传感器测压力原理实验。 三、实验仪器 1、光纤压力传感器实验仪1台 2、气压计1个 3、气压源l套 4、光纤1根 5、2#迭插头对若干 6、电源线1根 四、实验原理 通常按光纤在传感器中所起的作用不同,将光纤传感器分成功能型(或 称为传感型)和非功能型(传光型、结构型)两大类。功能型光纤传感器使 用单模光纤,它在传感器中不仅起传导光的作用,而且又是传感器的敏感元件。但这类传感器的制造上技术难度较大,结构比较复杂,且调试困难。 非功能型光纤传感器中,光纤本身只起传光作用,并不是传感器的敏感元件。它是利用在光纤端面或在两根光纤中间放置光学材料、机械式或光学式的敏感元件感受被测物理量的变化,使透射光或反射光强度随之发生变化。所以这种传感器也叫传输回路型光纤传感器。它的工作原理是:光纤把测量对象辐射的光信号或测量对象反射、散射的光信号直接传导到光电元件上,实现对被测物理量的检测。为了得到较大的受光量和传输光的功率,这种传感器所使用的光纤主要是孔径大的阶跃型多模光纤。光纤传感器的特点是结构简单、可靠,技术上容易实现,便于推广应用,但灵敏度较低,测量精度也不高。 本实验仪所用到的光纤压力传感器属于非功能型光纤传感器。 本实验仪重点研究传导型光纤压力传感器的工作原理及其应用电路设计。在传导型光纤压力传感器中,光纤本身作为信号的传输线,利用压力一电一光一光一电的转换来实现压力的测量。主要应用在恶劣环境中,用光纤代替普通电缆传送信号,可以大大提高压力测量系统的抗干扰能力,提高测量精度。 相关参数: l、光源 高亮度白光LED,直径5mm

实验一电阻应变片传感器特性实验

实验一、二 电阻应变片传感器特性实验 一、 实验目的: 1.了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。 2.比较半桥,全桥测量电路与单臂电桥的不同性能、了解各自的特点。 二、 基本原理: 敏感元件—金属箔在外力作用下,其电阻值会发生变化。即金属的电阻应变效应。根据推导可以得出: l l k l l l l l l R R ?=???++=?++?=?02121)()(ρρμρρμ “应变效应”的表达式。k 0称金属电阻的灵敏系数,从式(3)可见,k 0受两个因素影响,一个是(1+μ2),它是材料的几何尺寸变化引起的,另一个是) (ρερ ?,是材料的电阻率ρ随应变引起的(称“压阻效应”)。对于金属材料 而言,以前者为主,则 μ210+≈k ,对半导体,0 k 值主要是由电阻率相对变化所决定。实验也表明,在金属丝拉伸 比例极限内,电阻相对变化与轴向应变成比例。通常金属丝的灵敏系数k 0=2左右。 用应变片测量受力时,将应变片粘贴于被测对象表面上。在外力作用下,被测对象表面产生微小机械变形时,应变片敏感栅也随同变形,其电阻值发生相应变化。通过转换电路转换为相应的电压或电流的变化,根据(3)式,可以得到被测对象的应变值ε,而根据应力应变关系εσE = (4) 式中 σ——测试的应力; E ——材料弹性模量。 可以测得应力值σ。通过弹性敏感元件,将位移、力、力矩、加速度、压力等物理量转换为应变,因此可以用应变片测量上述各量,从而做成各种应变式传感器。电阻应变片可分为金属丝式应变片,金属箔式应变片,金属薄膜应变片。 单臂电桥:即应变片电阻接入电桥的一臂,测出其电阻变化值,结构比较简单,但是灵敏度较差; 半桥:把不同受力方向的两只应变片接入电桥作为邻边,电桥输出灵敏度提高,非线性得到改善。当应变片阻值和应变量相同时,其桥路输出电压UO2=EG ε/2。式中E 为电桥供电电压。 全桥:测量电路中,将受力性质相同的两个应变片接入电桥对边,当应变片初始阻值:R1=R2=R3=R4,其变化值ΔR1=ΔR2=ΔR3=ΔR4时,其桥路输出电压U 03=KE ε。其输出灵敏度比半桥又提高了一倍,非线性误差和温度误差均得到明显改善 三、需用器件与单元:应变式传感器实验模板、砝码、数显表、±15V 电源、±5V 电源、万用表。 四、实验内容与步骤: 1、应变片的安装位置如图(1-1)所示,应变式传感器已装到应变传感器模块上。传感器中各应变片已接入模板的左上方的R1、R 2、R 3、R4。可用万用表进行测量,R1=R2=R3=R4=350Ω。 R1 R2 R3R4 图1-1 应变式传感器安装示意图 图1-2 应变式传感器单臂电桥实验接线图 2、接入模板电源±15V (从主控箱引入),检查无误后,合上主控箱电源开关,顺时针调节Rw2使之大致位于中间位置,再进行差动放大器调零,方法为:将差放的正、负输入端与地短接,输出端与主控箱面板上数显电压表输入端Vi 相连,调节实验模板上调零电位器Rw3,使数显表显示为零,(数显表的切换开关打到2V 档)。关闭主控箱电源。(注意:当Rw2的位置一旦确定,就不能改变。) 3、按图1-2将应变式传感器的其中一个应变片R1(即模板左上方的R1)接入电桥作为一个桥臂与R5、R6、

压力传感器的特性试验

压力传感器的特性及非平衡电桥信号转换技术 【实验目的】 (1)了解应变压力传感器的组成、结构及工作参数。 (2)了解非电量的转换及测量方法 —— 电桥法。 (3)掌握非平衡电桥的测量技术。 (4)掌握应变压力传感器灵敏度及物体重量的测量。 (5)了解多个应变压力传感器的线性组成、调整与定标。 【实验原理】 压力传感器是把一种非电量转换成电信号的传感器。弹性体在压力(重量)作用下产生形变(应变),导致(按电桥方式连接)粘贴于弹性体中的应变片产生电阻变化。 压力传感器的主要指标是它的最大载重(压力)、灵敏度、输出输入电阻值、工作电压(激励电压)(V IN )范围、输出电压(V OUT )范围。 压力传感器是由特殊工艺材料制成的弹性体以及电阻应变片、温度补偿电路组成,并采用非平衡电桥方式连接,最后密封在弹性体中。 1. 弹性体 一般由合金材料冶炼制成,加工成S 形、长条形、圆柱形等。为了产生一定弹性,挖空或部分挖空其内部。 2. 电阻应变片 金属导体的电阻R 与其电阻率ρ、长度L 、截面A 的大小有关。 L R A ρ= (4.3.1) 导体在承受机械形变过程中,电阻率、长度、截面都要发生变化,从而导致其电阻变化。 R L A R L A ρρ????=+- (4.3.2) 这样就把所承受的应力转变成应变,进而转换成电阻的变化。因此电阻应变片能将弹性体上应力的变化转换为电阻的变化。 电阻应变片一般由基底片、敏感栅、引线及履盖片用黏合剂黏合而成。电阻应变片的结构如图4.3.1所示。 电阻应变片结构示意 图4.3.1 1—敏感栅(金属电阻丝);2—基底片;3—覆盖层;4—引出线 (1)敏感栅。敏感栅是感应弹性应变的敏感部分。敏感栅由直径约0.01~0.05 mm 的高电阻系数的细丝弯曲成栅状,它实际上是一个电阻元件,是电阻应变片感受构件应变的敏感部分。敏

扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验

实验十一 扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验 一、实验目的: 了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。 二、实验仪器 压力传感器模块、温度传感器模块、数显单元、直流稳压源+5V 、±15V。 三、实验原理 在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法,摩托罗拉公司设计出X 形硅压力传感器如下图所示:在单晶硅膜片表面形成4个阻值相等的电阻条。并将它们连接成惠斯通电桥,电桥电源端和输出端引出,用制造集成电路的方法封装起来,制成扩散硅压阻式压力传感器。 扩散硅压力传感器的工作原理:在X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流 i ,当敏感芯片没有外加压力作用,内部电桥处于平衡状态,当有剪切力作用时,在垂直电流方向将会产生电场变化i E ??=ρ,该电场的变化引起电位变化,则在端可得到被与电流 垂直方向的两测压力引起的输出电压Uo 。 i d E d U O ???=?=ρ (11-1) 式中d为元件两端距离。 实验接线图如图11-2所示,MPX10有4个引出脚,1脚接地、2脚为U o+、3脚接+5V电源、4脚为Uo-;当P1>P2时,输出为正;P1

温度传感器实验

DH-SJ5温度传感器设计性实验装置 使 用 说 明 书 杭州大华科教仪器研究所 杭州大华仪器制造有限公司

一、温度传感器概述 温度是表征物体冷热程度的物理量。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量。测温传感器就是将温度信息转换成易于传递和处理的电信号的传感器。 一、测温传感器的分类 1.1电阻式传感器 热电阻式传感器是利用导电物体的电阻率随温度而变化的效应制成的传感器。热电阻是中低温区最常用的一种温度检测器。它的主要特点是测量精度高,性能稳定。它分为金属热电阻和半导体热电阻两大类。金属热电阻的电阻值和温度一般可以用以下的近似关系式表示,即 R t =R t0[1+α (t-t 0)] 式中,R t 为温度t 时的阻值;R t0为温度t 0(通常t 0=0℃)时对应电阻值;α为温度系数。 半导体热敏电阻的阻值和温度关系为 t B t Ae R = 式中R t 为温度为t 时的阻值;A 、B 取决于半导体材料的结构的常数。 常用的热电阻有铂热电阻、热敏电阻和铜热电阻。其中铂电阻的测量精确度是最高的,它不仅广泛应用于工业测温,而且被制成标准的基准仪。 金属铂具有电阻温度系数大,感应灵敏;电阻率高,元件尺寸小;电阻值随温度变化而变化基本呈线性关系;在测温范围内,物理、化学性能稳定,长期复现性好,测量精度高,是目前公认制造热电阻的最好材料。但铂在高温下,易受还原性介质的污染,使铂丝变脆并改变电阻与温度之间的线性关系,因此使用时应装在保护套管中。用铂的此种物理特性制成的传感器称为铂电阻温度传感器,利用铂的此种物理特性制成的传感器称为铂电阻温度传感器,通常使用的铂电阻温度传感器零度阻值为100Ω,电阻变化率为0.3851Ω/℃,TCR=(R 100-R 0)/(R 0×100) ,R 0为0℃的阻值,R 100为100℃的阻值,按IEC751国际标准,温度系数TCR=0.003851,Pt100(R 0=100Ω)、Pt1000(R 0=1000Ω)为统一设计型铂电阻。铂热电阻的特点是物理化学性能稳定。尤其是耐氧化能力强、测量精度高、应用温度范围广,有很好的重现性,是中低温区(-200℃~650℃)最常用的一种温度检测器。 热敏电阻(Thermally Sensitive Resistor,简称为Thermistor),是对温度敏感的电阻的总称,是一种电阻元件,即电阻值随温度变化的电阻。一般分为两种基本类型:负温度系数热敏电阻NTC (Negative Temperature Coefficient )和正温度系数热敏电阻PTC (Positive Temperature Coefficient )。NTC 热敏电阻表现为随温度的上升,其电阻值下降;而PTC 热敏电阻正好相反。 NTC 热敏热电阻大多数是由Mn(锰)、Ni(镍)、Co(钴)、Fe(铁)、Cu(铜)等金属的氧化物经过烧结而成的半导体材料制成。因此,不能在太高的温度场合下使用。不竟然,其使用范围有的也可以达到了-200℃~700℃,但一般的情况下,其通常的使用范围在-100℃~300℃。 NTC 热敏热电阻热响应时间一般跟封装形式、阻值、材料常数(热敏指数)、热时间常数有关。材料常数(热敏指数)B 值反映了两个温度之间的电阻变化,热敏电阻的特性就是由它的大小决定的,B 值(K )被定义为:2 12 1212111lg lg 3026.211ln ln T T R R T T R R B --?=--= ; R T1:温度 T 1(K )时的零功率电阻值;R T2 :温度 T 2(K )时的零功率电阻值;T 1,T 2 :

传感器实验四报告

传感器与检测技术实验报告 课程名称:传感器与检测技术 实验项目:电势型传感器实验 实验地点: 专业班级: 学号: 姓名: 指导教师: 2013年11 月11 日

实验一线性霍尔传感器位移特性实验 一、实验目的:了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理:本实验采用的霍尔式位移传感器是由线性霍尔元件、永久磁钢组成,霍尔式位移传感器的工作原理和实验电路原理如图所示。将磁场强度相同的两块永久磁钢同极性相对放置着,线性霍尔元件置于两块磁钢间的中点,其磁感应强度为0, (a)工作原理(b)实验电路原理 设这个位置为位移的零点,即X=0,因磁感应强度B=0,故输出电压U H=0。当霍尔 元件沿X轴有位移时,由于B≠0,则有一电压U H输出,U H经差动放大器放大输出为V。V与X有一一对应的特性关系。 三、需用器件与单元: 主机箱中的±2V~±10V直流稳压电源、±15V直流稳压电源、电压表;霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头。 四、实验步骤: 调节测微头的微分筒,使微分筒的0刻度线对准轴套的10mm 刻度线。按示意图安装、接线,将主机箱上的电压表量程切换开关打到2V档,±2V~±10V直流稳压电源调节到±4V档。检查接线无误后,开启主机箱电源,移动测微头的安装套,使传感器的PCB板处在两园形磁钢的中点位置时,拧紧紧固螺钉。再调节RW1使电压表显示0。测位移使用测微头时,当来回调节微分筒使测杆产生位移的过程中本身存在机械回程差,为消除这种机械回差可用单行程位移方法实验:顺时针调节测微头的微分筒3周,记录电压表读数作为位移起点。以后,反方向调节测微头的微分筒,每隔△X=0.1mm从电压表上读出输出电压Vo值,将读数填入表 表17 霍尔传感器(直流激励)位移实验数据 根据表17数据作出V-X实验曲线,分析曲线在不同测量范围(±0.5mm、±1mm、 ±2mm)时的灵敏度和非线性误差。实验完毕,关闭电源。

【人力资源】实验4-18用压力传感器和温度传感器资料

第五章 热学实验 热学实验是大学物理实验中的重要内容。在理想热学实验中,应遵循两条基本原则:其一是保持系统为孤立系统;其二是测量一个系统的状态参量时,应保证系统处于平衡态。我们的实验内容设计了对空气的比热容比进行测定。 §5.1空气比热容比的测定 气体的定压比热容与定容比热容之比称为气体的绝热指数,它是一个重要的热力学常数,在热力学方程中经常用到,本实验用新型扩散硅压力传感器测空气的压强,用电流型集成温度传感器测空气的温度变化,从而得到空气的绝热指数;要求观察热力学现象,掌握测量空气绝热指数的一种方法,并了解压力传感器和电流型集成温度传感器的使用方法及特性。 【预习重点】 1.了解理想气体物态方程,知道理想气体的等温及绝热过程特征和过程方程。 2.预习定压比热容与定容比热容的定义,进而明确二者之比即绝热指数的定义。 3.认真预习实验原理及测量公式。 【实验目的】 1.用绝热膨胀法测定空气的比热容比。 2.观测热力学过程中状态变化及基本物理规律。 3.了解压力传感器和电流型集成温度传感器的使用方法及特性。 【实验原理】 理想气体的压强P 、体积V 和温度T 在准静态绝热过程中,遵守绝热过程方程:PV γ 等于恒量,其中γ是气体的定压比热容P C 和定容比热容V C 之比,通常称γ=V P C C /为该气体的比热容比(亦称绝热指数)。 如图5.1.1所示,我们以贮气瓶内空气(近似为理想气体)作为研究的热学系统,试进行如下实验过程。

(1)首先打开放气阀A ,贮气瓶与大气相通,再关闭A ,瓶内充满与周围空气同温(设为0T )同压(设为0P )的气体。 (2)打开充气阀B ,用充气球向瓶内打气,充入一定量的气体,然后关闭充气阀B 。此时瓶内空气被压缩,压强增大,温度升高。等待内部气体温度稳定,即达到与周围温度平衡,此时的气体处于状态I (1P ,1V ,0T )。 (3)迅速打开放气阀A ,使瓶内气体与大气相通,当瓶内压强降至0P 时,立刻关闭放气阀A ,将有体积为ΔV 的气体喷泻出贮气瓶。由于放气过程较快,瓶内保留的气体来不及与外界进行热交换,可以认为是一个绝热膨胀的过程。在此过程后瓶中的气体由状态I (1P ,1V ,0T )转变为状态II (0P ,2V ,1T )。2V 为贮气瓶容积,1V 为保留在瓶中这部分气体在状态I (1P ,0T )时的体积。 (4)由于瓶内气体温度1T 低于室温0T ,所以瓶内气体慢慢从外界吸热,直至达到室温 0T 为止,此时瓶内气体压强也随之增大为2P 。则稳定后的气体状态为III (2P ,2V ,0T )。从 状态II →状态III 的过程可以看作是一个等容吸热的过程。由状态I →II →III 的过程如图5.1.2所示。 图5.1.1 试验装置简图 图5.1.2 气体状态变化及P-V

DS18B20温度传感器实验

DS18B20温度传感器实验 TEMP1 EQU 5AH ;符号位和百位公用的存放单元TEMP2 EQU 5BH ;十位存放单元 TEMP3 EQU 5CH ;个位存放单元 TEMP4 EQU 5DH ; TEMP5 EQU 5EH TEMP6 EQU 5FH ;数据临时存放单元 TEMP7 EQU 60H TEMP8 EQU 61H ORG 0000H AJMP MAIN

ORG 0020H

MAIN: MOV SP,#70H LCALL INT ;调用DS18B20初始化函数 MAIN1: LCALL GET_TEMP ;调用温度转换函数 LCALL CHULI ;调用温度计算函数 LCALL DISP ;调用温度显示函数 AJMP MAIN1 ;循环 INT: L0: SETB P3.7 ;先释放DQ总线 MOV R2,#250 ;给R2赋延时初值,同时可让DQ保持高电平2us L1: CLR P3.7 ;给DQ一个复位低电平 DJNZ R2,L1 ;保持低电平的时间至少为480us SETB P3.7 ;再次拉高DQ释放总线 MOV R2,#25 L2: DJNZ R2,L2 ;保持15us-60us CLR C ORL C,P3.7 ;判断是否收到低脉冲 JC L0

MOV R6,#100 L3: ORL C,P3.7 DJNZ R6,L3 ;存在低脉冲保持保持60us-240us ; JC L0 ;否则继续从头开始,继续判断 SETB P3.7 RET ;调用温度转换函数 GET_TEMP: CLR PSW.4 SETB PSW.3 ;设置工作寄存器当前所在的区域 CLR EA ;使用DS18B20前一定要禁止任何中断LCALL INT ;初始化DS18B20 MOV A,#0CCH ;送入跳过ROM命令 LCALL WRITE MOV A,#44H ;送入温度转换命令 LCALL WRITE LCALL INT ;温度转换完成,再次初始化18b20 MOV A,#0CCH ;送入跳过ROM命令 LCALL WRITE MOV A,#0BEH ;送入读温度暂存器命令 LCALL WRITE

实验九.进气管绝对压力传感器检修

实验九:进气管绝对压力传感器检测 一、实验目的和要求: 1.掌握进气管绝对压力传感器的结构及工作原理。 2.掌握进气管绝对压力传感器的检测方法。 二、实验设备及器材 丰田8A电喷发动机故障实验台1台、数字万用表几块、手动真空泵 三、实验内容及步骤 本次实验的内容主要是检测进气管绝对压力传感器。 在汽油机上,进气管绝对压力传感器是用来测量进气管内气体的绝对压力,并将信号送入ECU,作为燃油喷射控制和点火控制的主控制信号。进气管绝对压力传感器按照检测原理分为压敏电阻式、电容式、膜盒式、表面弹性波式等,但目前应用最广泛的是压敏电阻式和电容式。这里主讲述压敏电阻式进气管绝对压力传感器的检测方法,与ECU的连接电路如图1所示。 图1 压敏电阻式进气管绝对压力传感器电路 ECU通过Vcc端子给传感器提供标准的5V参考电压,传感器信号经PIM端子输送给ECU,E2为搭铁端子。 检测步骤如下: 1.电源电压检测: 点火开关置于“OFF”位置,拆开线束插接器。然后将点火开关置于“ON”位置(不起动发动机),在线束侧用万用表电压当测量线束插接器电源端子Vcc 和搭铁端子E2之间的电压,其电压值应为4.5~5.5V。如有异常,应检查进气管绝对压力传感器与ECU 之间的线路是否导通。若断路,应更换或修理线束。 2.输出信号电压检测: 将点火开关置于“ON”位置(不起动发动机),拆下连接进气歧管绝对压力传感器与进气歧管的真空软管,然后用真空泵向进气歧管绝对压力传感器内施加真空,同时在ECU侧用万用表电压挡测量端子PIM与E2之间的传感器输出信号电压,将测量的数据填入表1中。 表1 输出信号电压测量记录表

实验三 热电阻、热点偶测温特性实验

实验三热电阻、热电偶测温特性实验 一、实验目的:了解热电阻的特性与应用,了解热电偶测量温度的性能与应用范围。。 二、基本原理: 1、热电阻: 利用导体电阻随温度变化的特性,热电阻用于测量时,要求其材料电阻温度系数大,稳定性好,电阻率高,电阻与温度之间最好有线性关系。常用铂电阻和铜电阻在0-630.74℃以内,电阻Rt与温度t的关系为: R t=R0(1+A t+B t2) R0系温度为0℃时的电阻。本实验R0=100℃,A t=3.9684×10-2/℃,B t=-5.847×10-7/℃2,铂电阻现是三线连接,其中一端接二根引线主要为消除引线电阻对测量的影响。 2、热电偶 当两种不同的金属组成回路,如二个接点有温度差,就会产生热电势,这就是热电效应。温度高的接点称工作端,将其置于被测温度场,以相应电路就可间接测得被测温度值,温度低的接点就称冷端(也称自由端),冷端可以是室温值或经补偿后的0℃、25℃。 三、需用器件与单元:加热源、K型热电偶(红+,黑-)、P t100热电阻、温度控制单元、温度传感器实验模板、数显单元、万用表,热电偶K型、E 型、加热源。 四、实验步骤: (一)热电阻: 1、注意:首先根据实验台型号,仔细阅读“温控仪表操作说”,学会基 本参数设定。 2、将热电偶插入台面三源板加热源的一个传感器安置孔中。将K型热电偶自由端引线插入主控面板上的热电偶EK插孔中,红线为正极,黑色为负极,注意热电偶护套中已安置了二支热电偶,K型和E型,它们热电势值不同,从热电偶分度表中可以判别K型和E型(E型热电势大)热电偶。E型(蓝+,绿-);k型(红+,黑-) 3、将加热器的220V电源插头插入主控箱面板上的220V控制电源插座上。

压阻式压力传感器的压力测量实验

实验二压阻式压力传感器的压力测量实验 一、实验目的: 了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。 二、基本原理: 扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基片上扩散出P型或N型电阻条,接成电桥。在压力作用下根据半导体的压阻效应,基片产生应力,电阻条的电阻率产生很大变化,引起电阻的变化,我们把这一变化引入测量电路,则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。 图一压阻式压力传感器压力测量实验 三、需用器件与单元: 主机箱、压阻式压力传感器、压力传感器实验模板、引压胶管。 四、实验步骤: 1、将压力传感器安装在实验模板的支架上,根据图二连接管路和电路(主机箱内的气源部分,压缩泵、贮气箱、流量计已接好)。引压胶管一端插入主机箱面板上气源的快速接口中(注意管子拆卸时请用双指按住气源快速接口边缘往内压,则可轻松拉出),另一端口与压力传感器相连。压力传感器引线为4芯线: 1端接地线,2端为U0+,3端接+4V电源, 4端为Uo-,接线见图9-2。

2、实验模板上R W2用于调节放大器零位,R W1 调节放大器增益。按图9-2将实 验模板的放大器输出V02接到主机箱(电压表)的Vin插孔,将主机箱中的显示选 择开关拨到2V档,合上主机箱电源开关,R W1 旋到满度的1/3位置(即逆时针旋 到底再顺时针旋2圈),仔细调节R W2 使主机箱电压表显示为零。 3、输入气压,压力上升到4Kpa左右时调节调节Rw2(低限调节),,使电压表显示为相应的0.4V左右。再仔细地反复调节旋钮使压力上升到19Kpa左右时调节差动放大器的增益电位器Rw1(高限调节),使电压表相应显示1.9V左右。 4、再使压力慢慢下降到4Kpa,调节差动放大器的调零电位器,使电压表显示为相应的0.400V。再仔细地反复调节汽源使压力上升到19Kpa时调节差动放大器的增益电位器,使电压表相应显示1.900V。 5、重复步骤4过程,直到认为已足够精度时仔细地逐步调节流量计旋钮,使压力在4-19KPa之间变化,每上升3KPa气压分别读取电压表读数,将数值列于表1。 作业: 1、画出实验曲线,并计算本系统的灵敏度和非线性误差。实验完毕,关闭所有电源。

实验四 霍尔式传感器的静态位移特性—直流激励

南昌大学实验报告 学生姓名: 学 号: 专业班级: 实验类型:□ 验证 □ 综合 □ 设计 □ 创新 实验日期: 实验成绩: 实验四 霍尔式传感器的静态位移特性—直流激励 实验目的:了解霍尔式传感器的原理与特性。 所需单元及部件:霍尔片、磁路系统、电桥、差动放大器、V /F 表、直流稳压电源,测微头、振动平台。 有关旋钮的初始位置:差动放大器增益旋钮打到最小,电压表置2V 档,直流稳压电源置2V 档,主、副电源关闭。 实验步骤: (1)了解霍尔式传感器的结构及实验仪上的安装位置,熟悉实验面板上霍尔片的符号,霍尔片安装在实验仪的振动圃盘上,两个半圆永久磁钢固定在实验仪的顶板上,二者组合成霍尔式传感器。 (2)开启主、副电源将差动放大器调零后,增益置接近最小,使得霍尔片在磁场中位移时V /F 表读数明显变化,关闭主,副电源,根据图1接线,W 1、r 为电桥单元的直流电桥平衡网络。 (3)装好测微头,调节测微头与振动台吸合并使霍尔片置于半圆磁钢上下正中位置。 (4)开启主、副电源,调整W1使电压表指示为零。 (5)上下旋动测微头,记下电压表读数,建议每隔0.2mm 读一个数,将读数填入下 表: 图1 接线图

做出V—X曲线,指出线性范围,求出灵敏度,关闭主、副电源。 可见,本实验测出的实际上是磁场情况,它的线性越好,位移测量的线性度也越好,它的变化越陡,位移测量的灵敏度也越大。 (6)实验完毕,关闭主、副电源,各旋钮置初始位置。 注意事项: (1)由于磁路系统的气隙较大,应使霍尔片尽量靠近极靴,以提高灵敏度。 (2)一旦调整好后,测量过程中不能移动磁路系统。 (3)激励电压不能过大,以免损坏霍尔片。(±4V就有可能损坏霍尔片)

压力传感器(大学物理)

一、实验目的 1. 了解应变压力传感器的组成、结构及工作参数。 2. 了解非电量的转换及测量方法——电桥法。 3. 掌握非平衡电桥的测量技术。 4. 掌握应变压力传感器灵敏度及物体重量的测量。 5. 了解多个应变压力传感器的线性组成、调整与定标。 二、实验原理 压力传感器是把一种非电量转换成电信号的传感器。弹性体在压力(重量)作用下产生形变(应变),导致(按电桥方式联接)粘贴于弹性体中的应变片,产生电阻变化的过程。 压力传感器的主要指标是它的最大载重(压力)、灵敏度、输出输入电阻值、工作电压(激励电压)(VIN)、输出电压(VOUT)范围。 压力传感器是由特殊工艺材料制成的弹性体、电阻应变片、温度补偿电路组成;并采用非平衡电桥方式联接,最后密封在弹性体中。 弹性体: 一般由合金材料冶炼制成,加工成S 型、长条形、圆柱型等。为了产生一定弹性,挖空或部分挖空其内部。 电阻应变片: 金属导体的电阻R 与其电阻率ρ、长度L 、截面A 的大小有关。 A L R ρ = (1) 导体在承受机械形变过程中,电阻率、长度、截面都要发生变化,从而导致其电阻变化。 A A L L R R ?- ?+ ?=?ρ ρ (2) 这样就把所承爱的应力转变成应变,进而转换成电阻的变化。因此电阻应变片能将弹性体上应力的变化转换为电阻的变化。 电阻应变片的结构:电阻应变片一般由基底片、敏感栅、引线及履盖片用粘合剂粘合而成。 电阻应变片的结构如图1所示: 1-敏感栅(金属电阻丝) 2-基底片 3-覆盖层 4-引出线 图1 电阻丝应变片结构示意图 敏感栅:是感应弹性应变的敏感部分。敏感栅由直径约0.01~0.05毫米高电阻系数的细丝弯曲成栅状,它实际上是一个电阻元件,是电阻应变片感受构件应变的敏感部分.敏感栅用粘合剂固定在基底片上。b ×l 称为应变片的使用面积(应变片工作宽度,应变片标距(工作基长)l ),应变片的规格一般以使用面积和电阻值来表示,如3×10平方毫米,350欧姆。 基底片:基底将构件上的应变准确地传递到敏感栅上去.因此基底必须做得很薄,一般为0.03~0.06毫米,使它能与试件及敏感栅牢固地粘结在一起,另外它还具有良好的绝缘性、抗潮性和耐热性.基底材料有纸、胶膜和玻璃纤维布等。 引出线的作用是将敏感栅电阻元件与测量电路相连接,一般由0.1-0.2毫米低阻镀锡钢丝制成,并与敏感栅两输出端相焊接,覆盖片起保护作用.

实验十一 LM35温度传感器特性实验

实验十一 LM35温度传感器特性实验 【实验目的】 1、了解LM35温度传感器的基本原理和温度特性的测量方法; 2、测量LM35温度传感器输出电压与温度的特性曲线; 【实验仪器】 电磁学综合实验平台、LM35温度传感器、加热井、温度传感器特性实验模板 【实验原理】 1.电压型集成温度传感器(LM35) LM35温度传感器,标准T0-92工业封装,其准确度一般为±0.5℃。(有几种级别)由于其输出为电压,且线性极好,故只要配上电压源,数字式电压表就可以构成一个精密数字测温系统。内部的激光校准保证了极高的准确度及一致性,且无须校准。输出电压的温度系数K V=10.0mV/℃,利用下式可计算出被测温度t(℃): U O=K V*t=(10mV/℃)*t 即: t(℃)= U O/10mV (11-1)LM35温度传感器的电路符号见图11-1,V o为输出端实验测量时只要直接测量其输出端电压U o,即可知待测量的温度。 图11-1

图11-2LM35传感器特性实验连接图 【实验步骤】 1、按图11-2,将实验平台加热输出与加热井(加热接口)连接,实验台风扇接口与加热井(风扇接口)连接。 2、调节PID控温表,设置SV:在表面板上按一下(SET)按键,SV表头的温度显示个位将会闪烁;按面板上的“▲”或“▼”键调整设置个位的温度;在按面板上按一下(SET)按键即可,SV表头的温度显示个位将会闪烁,再按“<”键使表头的温度显示十位闪烁,按面板上的“▲”或“▼”键调整设置十位的温度;用同样方法还可设置百位的温度。调好SV所需设定的温度后,再按一下(SET)按键即可完成设置。将加热开关选择(快)档加热,待30秒后,仪器开始加热,控温表即可自动控制温度。调节不同温度,设定参照步骤2进行调节。 3、根据不同的实验连接不同的连接线,可参照上图。 【实验数据】 1、LM35传感器(工作电压5V)(直流电压表2V档测量) 表11-1 t(℃) 30 40 50 60 70 80 90 100 U 2、描绘.LM35传感器曲线,求出.LM35随温度变化的灵敏度S(mV/℃), 【注意事项】 1、加热器温度不能加热到120℃以上,否则将可能损坏加热器。

基于单片机的压力传感器实验

课程设计说明书题目:压力传感器设计 学院(系): 年级专业:电子信息科学与技术 学号: 学生姓名: 指导教师:

目录 摘要---------------------------- -------------------------------------------------------------------------2 关键字---------------- ----------------------------------------------------------------------------------2 第一章总体设计方案及模块划分---------------------------------------------------------------2 1.1总体设计方案--------------------------------------------------------------------------------3 1.2模块划分--------------------------------------------------------------------------------------4 1.3设计框图如下图所示-----------------------------------------------------------------------5 第二章各模块设计参数-------------------------------------------------------------------------------5 2.1传感器元件模块------------------------------------------------------------------------------5 2.2 A/D转换模块---------------------------------------------------------------------------------8 2.3控制器处理模块-----------------------------------------------------------------------------12 2.4 AD0809接口电路及LED接口电路------------------------------------------------------14 第三章压力传感器实验数据采集、显示及程序---------------------------------------------14 3.1数据采集及显示-----------------------------------------------------------------------------14 第四章心得体会--------------------------------------------------------------------------------------15 附录-----------------------------------------------------------------------------------------------------16 程序设计--------------------------------------------------------------------------------------16 参考文献资料---------------------------------------------------------------------------------25 实物图--------------------------------------------------------------------------------------25

光纤传感器位移特性实验

光纤传感器位移特性实验报告 一、实验目的: 了解反射式光纤位移传感器的原理与应用。 二、实验仪器: 光纤位移传感器模块、Y型光纤传感器、测微头、反射面、直流电源、数显电压表。三、实验原理: 反射式光纤位移传感器是一种传输型光纤传感器。其原理如图36-1所示:光纤采用Y型结构,两束光纤一端合并在一起组成光纤探头,另一端分为两支,分别作为光源光纤和接收光纤。光从光源耦合到光源光纤,通过光纤传输,射向反射面,再被反射到接收光纤,最后由光电转换器接收,转换器接收到的光源与反射体表面的性质及反射体到光纤探头距离有关。当反射表面位置确定后,接收到的反射光光强随光纤探头到反射体的距离的变化而变化。显然,当光纤探头紧贴反射面时,接收器接收到的光强为零。随着光纤探头离反射面距离的增加,接收到的光强逐渐增加,到达最大值点后又随两者的距离增加而减小。反射式光纤位移传感器是一种非接触式测量,具有探头小,响应速度快,测量线性化(在小位移范围内)等优点,可在小位移范围内进行高速位移检测。 图36-1 反射式光纤位移传感器原理图36-2 光纤位移传感器安装示意图四、实验内容与步骤 1.光纤传感器的安装如图36-2所示,将Y型光纤安装在光纤位移传感器实验模块上。探头对准镀铬反射板,调节光纤探头端面与反射面平行,距离适中;固定测微头。接通电源预热数分钟。 2.将测微头起始位置调到14cm处,手动使反射面与光纤探头端面紧密接触,固定测微头。 3.实验模块从主控台接入±15V电源,打开实验台电源。 4.将模块输出“Uo”接到直流电压表(20V档),仔细调节电位器Rw使电压表显示为零。 5.旋动测微器,使反射面与光纤探头端面距离增大,每隔0.1mm读出一次输出电压U值,并记录。 五、数据记录与分析 1、数据记录表格 X(mm)0.10.20.30.40.50.60.70.80.9 1.0 Uo(V)0.080.180.280.400.520.640.750.870.97 1.06

相关文档
相关文档 最新文档