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北大2006半导体物理期末考试题

本科生期末考试试卷及参考答案

考试科目：半导体物理考试时间：2007 年6 月

专业级班主讲教师--------------

姓名学号毛

题

号

一二三四五六七八九十总分

得

分

一、（每小题6 分，共30 分）名词解释：

1、迁移率

参考答案：

单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：

μ ? = 。可见，有效质量和弛豫

时间（散射）是影响迁移率的因素。

2、过剩载流子

参考答案：

在非平衡状态下，载流子的分布函数和浓度将与热平衡时的情形不同。非平衡状态下的载流子称为非平衡载流子。将非平衡载流子浓度超过热平衡时浓度的部分，称为过剩载流子。非平衡过剩载流子浓度：Δn = n ? n0，0 Δp = p ? p ，且满足电中性条件：Δn = Δp。可以

产生过剩载流子的外界影响包括光照（光注入）、外加电压（电注入）等。

对于注入情形，通过光照或外加电压（如碰撞电离）产生过剩载流子：np>ni

2，对于抽取情

形，通过外加电压使得载流子浓度减小：np< ni

2。

3、简并半导体

参考答案：

对于重掺杂半导体，费米能级接近或进入导带或价带，导带/价带中的载流子浓度很高，泡利

不相容原理起作用，电子和空穴分布不再满足玻耳兹曼分布，需要采用费米分布函数描述。称此

类半导体为简并半导体。简并半导体满足的条件是：

3 3 C F V F E ? E ≤ kT或E ? E ≤ kT

装订线内请勿答题

4、俄歇复合

参考答案：

电子与空穴复合的方式之一，属非辐射复合，其中没有光子的发射。

载流子从高能级向低能级跃迁，发生导带电子与价带空穴复合时，不是通过辐射光子或声子的方式释放能量，而是通过碰撞将多余的能量传递给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量

更高的能级上去。然后，获得高能的载流子通过与晶格的连续散射方式（不断放出声子）逐渐释

放其较高动能的过程。

带间俄歇复合在窄禁带半导体中及高温情况下起着重要作用，而与杂质和缺陷有关的俄歇复合过程，则常常是影响半导体发光器件发光效率的重要原因。

5、PN 结电容

参考答案：

描述PN 结中存储电荷量随外加电压发生变化的物理量，定义为：T

C dQ

= 。PN 结中具有电

荷存储效应的因素包括：空间电荷耗尽区的耗尽电荷和外加偏压后的过剩少子注入，分别对应于

空间电荷区势垒电容和过剩少子的扩散电容。

（1）势垒电容CT

PN 结上外加电压的变化，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压变化，这种电容效应称为势垒

电容。在耗尽层近似下，PN 结反向偏压下的势垒电容可以等效为一个平行板电容器的电容。（2）扩散电容CD

PN 结加正向偏压时，由于少子的注入，在扩散区内，都有一定数量的少子和等量的多子的积

累，而且它们的浓度随正向偏压的变化而变化，从而形成了扩散电容：D Dp Dn C = C +C 。由于扩散电容随正向偏压按指数关系增加，所以在大的正向偏压时，扩散电容起主要作用。

二、（每题10 分，共30 分）

1. 假设Si 半导体中N 型杂质的掺杂浓度为d N ，P 型杂质的掺杂浓度为a N ，请写出该半导体的

电中性条件表达式；如果d a N > N ，写出在热平衡和完全电离条件下，载流子（n 和p）浓度的

表达式。

参考答案：

（1）电中性条件表达式

a a d d n + N ? p = p + N ? n

其中，Nd 和Pa 分别是没有电离的施主和受主浓度。

（2）在热平衡和完全电离条件下，有

i a d np = n 和n + N = p + N （ni为本征载流子浓度）。

由于Nd>Na，所以杂质补偿作用使导带中电子浓度取决于两种杂质浓度之差，有

2 2

i i

d a

n N N , p n n

n N N

= ? = =

2. 画出n+-p 单边突变结的平衡、正向和反向偏置情形的能带图；示意画出该n+-p 单边突变结在

正反偏压作用下的I-V 特性曲线，并解释之。

参考答案：

对于n+-p单边突变结:n+区域的Ef非常靠近Ec，xn 􀀓 xp ,并且准费米能级的变化在n+区域更剧烈。

（2）在正向偏压下，e x p 1 e x p S S

J J q V J q V

k T k T

?????? = ???? ?≈ ????????

，正向电流随正向偏压呈

指数关系迅速增大；在反向偏压下，势垒增高，势垒区电场增强，增强了漂移运动，使

漂移流大于扩散流，由于是少子的抽取形成的电流，所以浓度梯度小，并且当反向电压

很大时，浓度梯度不再随电压变化。所以反向电流较小并且趋于不变；当反向偏压增大

到一定程度，n+-p 结会发生击穿（如雪崩击穿，齐纳击穿），使反向电流随电压急剧增大。

3. 假设金属的功函数为M φ ，N 型半导体的掺杂浓度为Nd，相应的功函数为S

φ ，其中，M S φ >φ 。

1）求解热平衡时理想M/S 结构中半导体中的电势分布表达式（假设坐标x 的原点在M/S 界面，

半导体体内中性区为电势参考点）；2）写出半导体表面（x=0）处的载流子浓度表达式。

参考答案：

由于M S φ >φ ，在热平衡时，N型半导体将发生电子载流子的耗尽，形成电子势垒，如下图所示：

采用耗尽近似，则有泊松方程如下：

( ) ( )

( )

2 d

2 Si

qN 0 x x d x

0 x x

ρ ε

??≤ ≤ Ψ ?= ? =???

􀀻

半导体内电场为零，有

( ) d

x xd

x d 0

=? =

。

( ) d ( ) ( )

d d

ε x qN x x 0 x x

∴= ? ≤ ≤

再由边界条件( ) ( ) ( ) dΨ x = 0,Ψ 0 = ? Φm?Φs ，可得电势分布( ) d ( )2 ( ) Si ( )

d d d

Si d

x qN x x 0 x x , x 2 m s

2 qN

Ψ = ? ? ≤ ≤ 并且= Φ ?Φ

所以热平衡时M/S 的半导体中电势分布的表达式为：

( )

( ) ( )

( )

d 2

d d

qN x x 0 x x

x 2

0 xx

??? ≤ ≤ Ψ = ????

􀀻

其中势垒宽度Si ( )

x 2 m s

= Φ ?Φ

（2）半导体内电子浓度( ) d c d

n x N exp - Ec-Ef N

= ?? = ??

表面处的电子浓度( ) ( ) ( ) C f

E 0 -E

n 0 N exp -

= ????

( ) ( )

( )

m s

2 2

i i m s

-q -

n 0 N exp

n n q - p 0 exp

n 0 N kT

?Φ Φ ?

∴≈ ??

?Φ Φ ?

= ≈ ??

三、（20 分）已知某半导体为间接禁带半导体，其价带顶（EV）和导带底（EC）对应的波矢k 分

别为0 和k1（k1>0），同时在禁带中本征费米能级附近存在复合中心能级Et。1）简述该半导体中

可能发生的复合机制，并图示指出各机制的物理过程；2）如果该半导体可发生直接复合和间接

复合，那么在利用能谱分析手段直接观测光子和声子能谱时，可观察到的光子和声子的能谱分别

有几条？为什么？

参考答案：

（1）可能发生的复合机制有：直接复合，间接复合，表面复合和俄歇复合。复合过程满足能量

守恒和动量守恒。

直接复合示意图间接复合示意图

声子

光子

声子

光子

a.直接复合：导带电子直接跃迁到价带，与价带中空穴发生复合的过程。发射的光子能量为电子

跃迁损失的能量以满足能量守恒，hv = Ec ? Ev。由于光子的动量很小，间接禁带半导体发生直接复合时,还需要有声子的参予，以满足动量守恒，声子的动量为1 p = 􀀽k 。b.间接复合：导带电子和价带空穴间的复合是通过禁带中复合中心能级的辅助而发生的，复合过

程为电子首先从导带跃迁到禁带中的复合中心能级，然后再跃迁到价带与空穴发生复合。辐射的

光子能量为1 2 hv = Ec ? Et, hv = Et ? Ev。放出的声子的动量为1 p = 􀀽k 。

c.表面复合：如果在半导体表面存在大量的复合中心，则在半导体表面发生显著的间接复合，复

合中心来源于表面缺陷和杂质，如表面的悬挂键等。

d.俄歇复合：过程见一.4 题，属非辐射复合，其中没有光子的发射。示意图如下图所示。（2）可观察到的光子能谱有三条：

其中一条对应于直接复合， 1 hv = Ec ? Ev，

两条对应于间接复合，2 3 hv = Ec ? Et, hv = Et ? Ev。

可观察到的声子能谱有一条：直接复合，还是间接复合，动量守恒决定声子的动量变化都为

1 p = 􀀽k ，能量为

2 2

2 *

E K

= 􀀽 。

四、（20 分）设nMOS（p-Si 衬底）结构的栅氧化层厚度为ox t ，氧化层的介电常数为ox ε ，金属

栅和半导体功函数相同，即M φ = S

φ ，Si 的费米势( ) F i F φ = E ? E q，其中，EF和Ei分别为Si

的费米能级和本征费米能级。如果Si 与氧化层界面存在界面态，并假设界面态呈均匀分布（态

密度为Nit），其中在本征费米能级Ei 以上为类受主界面态，Ei 以下为类施主界面态。

1）画出该MOS 结构的高频C-V 特性曲线并与理想C-V 曲线比较；

2）给出平带电压VFB 的表达式，示意画出平带时的能带图；

3）如果在氧化层中部即/ 2 ox t 处同时还存在负的固定电荷f Q ，给出相应的平带电压VFB 的表达

式，并示意画出此种情形在平带时的能带图。

参考答案：

（1）由于在本征费米能级Ei 以上为类受主界面态，Ei 以下为类施主界面态，因此在表面处费米

势在高于或低于本征费米势时，界面陷阱电荷分别呈负电或正电性，考虑界面陷阱电荷影响的高

频C-V 特性曲线与理想高频C-V 特性曲线特征如下图所示。

a. 当外加很大的负向电压，Ef 在Ei 之下，类施主界面态带正电，类受主界面态不带电，总的界面

态正电荷使C-V 曲线左移；

b. 当负向电压逐渐减小时，类施主界面态被占据数目减小，使得界面正电荷不断减小，使C-V 曲线

的左移逐渐减弱；

c. 当外加电压继续上升，Ef 上升到Ei 时，类施主能级均在Ef 以下，不带电；同理，类受主能级

均在Ef 之上，不带电。等效界面态电荷为0，此点两条C-V 曲线重合。

d. 当外加正向电压继续增大，在Ef 之下的类受主界面态逐渐增多，电离类受主带的负电荷使C-V

曲线的右移增强。当正向电压大到使Ef 在Ec 之上时，所有的类受主界面态都电离，界面负电荷

最大，C-V 曲线的右移也达到最大。

（2）

平带时，类受主能级均在Ef 之上，类施主能级有部分

在Ef 之下。此时的界面态正电荷为

( ) 2

Q = qNit Ei ? Ef = q NitΦF ，

栅氧化层电容ox

= ，

从而，平带电压为

it F ox

V q N t

= ?

（3）

负固定电荷-Qf等效到Si-SiO2界面，则有' ( )

1 1

2 2

tox

f f f

ox ox

Q x x dx t Q Q

t t

= ∫ ρ = ? = ?

固定电荷和界面态电荷引起的总的平带电压为：

1 2 2

it F ox f ox

FB FB FB

ox ox

q N t Q t V V V

ε ε

= + =? +

（1）若Qf 较大时，则总的平带电压为正，使能带向下弯曲，半导体能带平直，如左图所示。氧化层

左半部分的能带向下弯曲增强，氧化层右半部分的能带向上的弯曲减缓，甚至可能平直或向下弯曲。

（2）若Qf 较小时，则总的平带电压为负，使能带向上弯曲，半导体能带平直，如右图所示。氧化层

左半部分的能级向下的弯曲程度减缓，甚至可能平直甚至向上弯曲，右半部分能带向上弯曲增强。

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（ 120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年 1 月 14日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分； 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分一、选择填空（含多选题）（2×20=40分） 1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指（ A ）的半导体。 A、(E C -E F )或(E F -E V )≤0 B、(E C -E F )或(E F -E V )≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。 A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型； E、禁带宽度； F、温度 5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i ；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导

体。 A 、E c ； B 、E v ； C 、E F ； D 、 E g ； E 、E i 。 67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C ）。 A 、变大，变大 B 、变小，变小 C 、变小，变大 D 、变大，变小 8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。 A 、E A ； B 、E B ； C 、E F ； D 、 E i ； E 、少子； F 、多子。 9、一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A 、1/4 B 、1/e C 、1/e 2 D 、1/2 10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。 A 、散射机构； B 、复合机构； C 、杂质浓度梯度； C 、表面复合速度。 11、下图是金属和n 型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面形成了（D ）。 A 、n 型阻挡层 B 、p 型阻挡层 C 、p 型反阻挡层 D 、n 型反阻挡层 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A 、W ms =0 B 、W ms ＜0 C 、W ms ＞0 D 、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性 13、MOS 器件中SiO 2层中的固定表面电荷主要是（ B ），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。 A ．钠离子； B 硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压二、证明题：（8分）由金属－SiO 2－P 型硅组成的MOS 结构，当外加的电压使得半导体表面载流子浓度n s 与内部多数载流子浓度P p0相等时作为临界强反型层条件，试证明：此时半导体的表面势为：证明：设半导体的表面势为V S ，则表面的电子浓度为： 200exp()exp()S i S s p p qV n qV n n KT p KT == （2分）当n s =p p0时，有：20exp( ),S p i qV p n KT = （1分）

大学期末考试题

一、单项选择题（本大题共 20 小题，每小题 1 分，共 20 分） 1．咨询顾问最核心的能力是其( D ) A．专业水平B．策划力C．技术能力D．影响力 2．在设备结构优化战略实施过程中，为实行大批量生产，企业应提高比重的设备是(D) A．服役期短的设备B．技术水平高的设备C．通用型设备D．专用型设备 3．一般来讲，新兴产业的收入弹性系数( C ) A．小于 1 B．等于 1 C．大于 l D．不确定 4．一般来讲，标准产品的适宜推销方式是( D ) A．人员推销B．展示会C．关系营销D．广告 5．企业战略涉及期限较长，一般认为应( C ) A．至少 3 年B．3～5 年C．至少 5 年D．至少 10 年 6．财务管理咨询的主要对象是( C ) A．企业经营活动B．企业生产活动C．企业资本活动D．商品流通活动 7．为实现企业的目标利润而把成本费用控制在合理的水平之下的谋划与方略，属于 ( D ) A．成本结构优化战略B．成本控制战略C．节约成本战略D．目标成本战略 8．山东水泥厂张才奎同志身先士卒，不图报酬，参加全厂最苦的“打窑皮”，带领全厂职工一举扭转十年亏损的局面。张才奎实施的方案属于( B ) A．企业员工共同信念战略方案B．企业凝聚力方案C．企业整体战略方案D．企业职工形象方案 9．企业行为识别系统的简称是( B ) A．MI B．BI C．VI D．CIS 10．咨询机构在具体职位的设计中，首先应考虑( A ) A．工作的需要B．咨询人员的素质C．人际关系D．心理结构 11．企业使命和战略目标的咨询属于组织结构内( A) A．最高层次的咨询B．中间层次的咨询C．第二层次的咨询D．第三层次的咨询 12．企业成长第三阶段有可能发生的危机是( B ) A．专制危机B．控制危机C．领导危机D．丧失活力危机 13．新产品一般是指在以下哪一范围内第一次试制鉴定确认的产品?( C ) A．企业内B．企业所在地区C．一个省、市、自治区D．全国

半导体物理器件期末考试试题(全)

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11

13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

最全计算机网络期末考试试题及答案

计算机网络试题及答案（一）一、.填空题 1.所谓计算机网络，会议是利用通信设备和线路将地理位置不同的、功能独立的多个计算机系统互连起来，以功能完善的网络软件实现网络中资源共享和数据通讯的系统。 2.计算机网络如果按作用范围进行分类，可分为广域网（WAN）、局域网（LAN）和城域网（MAN）。 3.网络协议通常采用分层思想进行设计，OSI RM中的协议分为7层，而TCP/IP RM中协议分为4层。 4.在TCP/IP RM中，用于互联层的协议主要有：ARP、IP、RARP、ICMP和IGMP 协议。 5.用于计算机网络的传输媒体有两类：有导线媒体和无导线媒体；光纤可分为两种：单模光纤和多模光纤（MMF）。 6.构成计算机网络的拓扑结构有很多种，通常有星形、总线型、环型、树型、和网状型等。 7.CSMA/CD技术是一种随机接入（所有的用户根据自已的意愿随机地发送数据），冲突不可避免；令牌技术是一种受控接入（各个用户不能任意接入信道而必须服从一定的控制），冲突避免。 8.10BASE-T局域网的数据速率是10mbps，100BASE-TX局域网的数据速率是100mbps。 9.在用双绞线时行组网时，连接计算机和计算机应采用交叉UTP电缆，连接计算机和集线器用直通UTP电缆。 10.在将计算机与10BASE-T集线器进行连接时，UTP电缆的长度不能大于100米。 11.在将计算机与100BASE-TX集线器进行连接时，UTP电缆的长度不能长于100米。 12.以太网交换机和数据交换和转发方式可以分为：直接交换、存储转发交换和改进的直接交换。 13.VLAN的组网方式有两种：静态根据以太网交换机端口进行划分VLAN，动态根据MAC地址、逻辑地址或数据包的协议类型进行划分VLAN。 14.在Internet中，运行IP的互联层可以为其高层用户提供的服务有三个特点：不可靠的数据投递服务、面向无连接的传输服务和尽最大努力投递服务。15.IP地址由网络号和主机号两部分组成，其中网络号表示互联网中的一个特定网络，主机号表示该网络中主机的一个特定连接。 16.主机的IP地址为202.93.120.77，主机B的IP地址为150.23.55.200。若主机A要向主机B所在的网络进行广播，则直播广播地址为150.23.255.255；若主机A要在本网络中进行广播，则有限广播地址为255.255.255.255。二、选择题 1.计算机网络是计算机技术和__________相结合的产物。->B A) 网络技术 B) 通信技术 C) 人工智能技术 D) 管理技术

半导体物理期末试卷含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？不变；当温度变化时，n o p o 改变否？改变。 4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p 型和强n 型材料，小注入时寿命τn 为，寿命τp 为 . 5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为爱因斯坦关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。费米能级由高到低的顺序是乙> 甲> 丙。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

大学人工智能期末考试题库

《人工智能与专家系统》试卷（1）参考答案与评分标准问答题（每题5分，共50分） 1．人工智能是何时、何地、怎样诞生的？（5分）答：人工智能于1956年夏季在美国达特茅斯（Dartmouth）大学诞生。（3分）1956年夏季，美国的一些从事数学、心理学、计算机科学、信息论和神经学研究的年轻学者，汇聚在Dartmouth大学，举办了一次长达两个月的学术讨论会，认真而热烈地讨论了用机器模拟人类智能的问题。在这次会议上，第一次使用了“人工智能”这一术语，以代表有关机器智能这一研究方向。这是人类历史上第一次人工智能研讨会，标志着人工智能学科的诞生，具有十分重要的意义。（2分） 2．行为主义是人工智能的主要学派之一，它的基本观点是什么？（5分）答：行为主义，又称进化主义或控制论学派。这种观点认为智能取决于感知和行动（所以被称为行为主义），它不需要知识、不需要表示、不需要推理。其原理是控制论和感知——动作型控制系统。 3．什么是知识表示？在选择知识表示方法时，应该考虑哪几个因素？（5分）答：知识表示是研究用机器表示知识的可行性、有效性的般方法，是一种数据结构与控制结构的统一体，既考虑知识的存储又考虑知识的使用。知识表示实际上就是对人类知识的一种描述，以把人类知识表示成计算机能够处理的数据结构。对知识进行表示的过程就是把知识编码成某种数据结构的过程。（3分）在选择知识表示方法时，应该考虑以下几个因素：(1)能否充分表示相关的领域知识；(2)是否有利于对知识的利用；(3)是否便于知识的组织、维护和管理；(4)是否便于理解和实现。（2分） 4．框架表示法有什么特点？（5分）答：框架表示法有如下特点：结构性、继承性、自然性。（5分） 5．何谓产生式系统？它由哪几部分组成？（5分）答：把一组产生式放在一起，让它们相互配合，协同作用，一个产生式生成的结论可以供另一个产生式作为已知事实使用，以求得问题的解，这样的系统称为产生式系统。（2分）产生式系统一般由三个基本部分组成：规则库、综合数据库和推理机。（3分） 6．产生式系统中，推理机的推理方式有哪几种？请分别解释说明。（5分）答：产生式系统推理机的推理方式有正向推理、反向推理和双向推理三种。正向推理：正向推理是从己知事实出发，通过规则库求得结果。反向推理：反向推理是从目标出发，反向使用规则，求证已知的事实。双向推理：双向推理是既自顶向下又自底向上的推理。推理从两个方向进行，直至在某个中间界面上两方向结果相符便成功结束；如两方衔接不上，则推理失败。

计算机网络期末考试试题及答案(2)

单选题 1、计算机网络拓扑是通过网中结点与通信线路之间的几何关系表示网络中各实体间的 ____B_____。 A、联机关系 B、结构关系 C、主次关系 D、层次关系 2、双绞线由两根相互绝缘的、绞合成均匀的螺纹状的导线组成，下列关于双绞线的叙述，不正确的是_A____。 A、它的传输速率达10Mbit/s~100Mbit/s，甚至更高，传输距离可达几十公里甚至更远 B、它既可以传输模拟信号，也可以传输数字信号 C、与同轴电缆相比，双绞线易受外部电磁波的干扰，线路本身也产生噪声，误码率较高 D、通常只用作局域网通信介质 3、A TM网络采用固定长度的信元传送数据，信元长度为_B____。 A、1024B B、53B C、128B D、64B 4、127.0.0.1属于哪一类特殊地址（B ）。 A、广播地址 B、回环地址 C、本地链路地址 D、网络地址 5、HTTP的会话有四个过程，请选出不是的一个。（D ） A、建立连接 B、发出请求信息 C、发出响应信息 D、传输数据 6、在ISO/OSI参考模型中，网络层的主要功能是_Ｂ _____。 A、提供可靠的端—端服务，透明地传送报文 B、路由选择、拥塞控制与网络互连 C、在通信实体之间传送以帧为单位的数据 D、数据格式变换、数据加密与解密、数据压缩与恢复 7、下列哪个任务不是网络操作系统的基本任务？_A___ A、明确本地资源与网络资源之间的差异 B、为用户提供基本的网络服务功能 C、管理网络系统的共享资源 D、提供网络系统的安全服务 8、以下选项不属于以太网的“５４３”原则是指？__D__ A、５个网段 B、４个中继器 C、３个网段可挂接设备 D、５个网段可挂接 9、既可应用于局域网又可应用于广域网的以太网技术是D A、以太网 B、快速以太网 C、千兆以太网 D、万兆以太网 10、交换机端口可以分为半双工与全双工两类。对于100Mbps的全双工端口，端口带宽为_B__。 A、100Mpbs B、200Mbps C、400Mpbs D、800Mpbs 11、要把学校里行政楼和实验楼的局域网互连,可以通过（ A ）实现。 A、交换机 B、MODEM C、中继器 D、网卡 12、以下哪一类IP地址标识的主机数量最多？（D ） A、D类 B、C类 C、B类 D、A类 13、子网掩码中“1”代表（B ）。 A、主机部分 B、网络部分 C、主机个数 D、无任何意义 14、给出B类地址190.168.0.0及其子网掩码255.255.224.0，请确定它可以划分几个子网？（B ） A、8 B、6 C、4 D、2

半导体物理试卷a答案

一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 2. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 3. 空穴：当满带顶附近产生P0个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，可等效为P0个具有正电荷q和正有效质量m p，速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空穴。 4. 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴 △p=p-p0称为过剩载流子。 5.费米能级、化学势答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高，说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ）甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙3．有效复合中心的能级必靠近( A ) 禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿

四川大学期末考试试题(A卷).doc

四川大学期末考试试题（A卷）（2013——2014 学年第一学期）课程号：303066030课序号：课程名称：计算机基础及C程序设计语言任课教师：刘亚梅刘洋任瑞玲曾晓东余勤罗伟王茂宁王忠邓丽华成绩：适用专业年级：2012级学生人数：印题份数：学号：姓名：考试须知四川大学学生参加由学校组织或由学校承办的各级各类考试，必须严格执行《四川大学考试工作管理办法》和《四川大学考场规则》。有考试违纪作弊行为的，一律按照《四川大学学生考试违纪作弊处罚条例》进行处理。四川大学各级各类考试的监考人员，必须严格执行《四川大学考试工作管理办法》、《四川大学考场规则》和《四川大学监考人员职责》。有违反学校有关规定的，严格按照《四川大学教学事故认定及处理办法》进行处理。一、单项选择题（每题1.5分，共45分）（注：本题及以下各题均以VC++6.0为软件编程平台） 1.一个C程序总是从_______开始执行的。 A）main函数B）程序的第一行 C）程序的第一个函数D）不固定位置 2.以下对C语言的描述正确的是。 A）函数允许嵌套定义B）编译时不检查语法 C）用户所定义的标识符必须以字母开头D）转义字符以“\”开头 3.下列C语言中运算对象必须是整型的运算符是。 A) %= B) && C) = D) *= 4.若有以下程序段：int c1, c2=3, c3=2; c1=（float）c2/c3;则执行后，c1、c2的值分别是。 A)0，3.0 B) 1，3.0 C) 0，3 D) 1，3 5.下列变量定义中合法的是。 A）short_a=0xda; B）double b=1+5e2.5; C）int a=‘A’; D）float 2_and=1-e-3; 6.若变量已正确定义并赋值，符合C语言语法的表达式是。 A）++(a+1) B）a=7+b/c=a++ C）a=a+7=c+b D）a=’\0’ 7.设int a=1,b=2,c=3,m=4,n=5,p=3;，则执行表达式(a=m10);，则a和b的值分别是。 A）10和1 B）10和0 C）11和0 D）11和1 11.以下4个选项中，不能．．看作一条语句的是。 A）if (b= =0) m=1;n=2; B）a=0,b=0,c=0; C）if (b==0){m=1;n=2;} D）if (a>0); 注：1试题字迹务必清晰，书写工整。本题8 页，本页为第 1 页

半导体物理学期末复习试题及答案一

一、选择题 1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.· 6.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 7.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 8.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。

A. 直接 B. 间接 9. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 10. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。 · A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 11. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C-V 特性图中，AB 段代表（ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 12. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 13. - 14. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

网络规划期末考试题

一、．单项选择题(70分，每题2分） ●网络和122．21·143·O／24 经过路由汇聚，得到的网络地址是（1)B。 (1)A．122．21．136．0／22 B．122·21·136．0／21 C．122．21．143．0／22 D．122．21．128·0／24 ●虚拟局域网中继协议(VTP)有三种工作模式，即服务器模式、客户机模式和透明模式，以下关于这3种工作模式的叙述中，不正确的是__（2）_D__。 (2) A．在服务器模式可以设置VLAN信息 B．在服务器模式下可以广播VLAN配置信息 C．在客户机模式下不可以设置VLAN信思 D．在透明模式下不可以设置VLAN信息 ●按照网络分级设计模型，通常把网络设计分为3层，即核心层、汇聚层和接入层，以下关于分级网络的描述中，不正确的是___（3）_A__。（3） A．核心层承担访问控制列表检查功能 B．汇聚层实现网络的访问策略控制 C．工作组服务器放置在接入层 D．在接入层可以使用集线器代替交换机 ●在802．11定义的各种业务中，优先级最低的是___(4)_A__ 。 (4)A．分布式竞争访问 B．带应答的分布式协调功能 C．服务访问节点轮询 D．请求／应答式通信 ● IPSec VPN 安全技术没有用到___(5)C__。 5)A．隧道技术 B．加密技术 C．入侵检测技术 D．身份认证技术 ●ADSL采用的两种接入方式是 (6) A。 (6) A．虚拟拨号接入和专线接入 B．虚拟拨号接入和虚电路接入 C．虚电路接入和专线接入 D. 拨号虚电路接入和专线接入 ●在下面关于以太网与令牌环网性能的比较中，正确的是__（7）_C__。 (7)A在重负载时，以太网比令牌环网的响应速度快 B在轻负载时，令牌环网比以太网的利用率高 C 在重负载时，令牌环网比以太网的利用率高 D·在轻负载时，以太网比令牌环网的响应速度慢 ●IEEE 采用了CSMA／CA协议，下面关于这个协议的描述中错误的是 (8)C。 (8) A·各个发送站在两次帧间隔(IFS)之间进行竞争发送 B·每一个发送站维持一个后退计数器并监听网络上的通信 C·各个发送站按业务的优先级获得不同的发送机会

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分）答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分）答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

大学C期末考试题库

一、单选题： 1. 能作为C++程序的基本单位是( )。 A. 字符 B. 语句 C. 函数 D. 源程序文件 2. 程序中主函数的名字为（）。 A. main B. MAIN C. Main D. 任意标识符 3. 关于C++与C 语言的关系的描述中，（）是错误的。 A. C 语言是C++的一个子集; B. C 语言与C++是兼容的; C. C++对C 语言进行了一些改进; D. C++和C 语言都是面向对象的 4. 可用作C++语言用户标识符的一组标识符是( )。 A. void define +WORD B. a3_b3 _123 YN C. for -abc Case D. 2a DO sizeof 5. 存储以下数据，占用存储字节最多的是（）。 A. 0 B. ‘0’ C. “0” D. 0.0 6. 设int a=12；则执行完语句a+=a*a ；后，a 的值是( )。 A. 12 B. 144 C. 156 D. 288 7. 假设在程序中 a 、b 、c 均被定义成整型，所赋的值都大于1，则下列能正确表示代数式abc 1的表达式是( )。 A. 1.0/a*b*c B. 1/(a*b*c) C. 1/a/b/(float)c D. 1.0/a/b/c 8. 以下说法中正确的是（）。 A. C++程序总是从第一个定义的函数开始执行 B. C++程序总是从main 函数开始执行 C. C++函数必须有返回值，否则不能使用函数 D. C++程序中有调用关系的所有函数必须放在同一个程序文件中 9. 下面有关构造函数的描述中，正确的是（）。 A. 构造函数可以带有返回值 B. 构造函数的名字与类名完全相同 C. 构造函数必须带有参数 D. 构造函数必须定义，不能缺省 10.在声明类时，下面的说法正确的是（）。 A. 可以在类的声明中给数据成员赋初值 B. 数据成员的数据类型可以是register C. private ，public ，protected 可以按任意顺序出现 D. 没有用private ，public ，protected 定义的数据成员是公有成员 11.在下面有关析构函数特征的描述中，正确的是（）。 A. 一个类可以有多个析构函数 B. 析构函数与类名完全相同 C. 析构函数不能指定返回类型 D. 析构函数可以有一个或多个参数 12.构造函数是在（）时被执行的。 A. 程序编译 B. 创建对象 C. 创建类 D. 程序装入内存 13. 下面有关静态成员函数的描述中，正确的是（） A. 在静态成员函数中可以使用this 指针 B. 在建立对象前，就可以为静态数据成员赋值 C. 静态成员函数在类外定义是，要用static 前缀 D. 静态成员函数只能在类外定义 14.下面有关友员函数的描述中，真确的说法是（） A. 友员函数是独立于当前类的外部函数

半导体物理期末考试试卷A参考答案与评分标准

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ），对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN 呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4， m n */m 0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e 2 ； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有（ B ）半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si 中电子扩散系数D ｎ与ＮＤ有如下图（C ）所示的最恰当的依赖关系：ＤｎＤｎＤｎＤｎＡＢＣＤ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺ＮＤＮＤＮＤＮＤ

计算机网络期末考试试题及答案

计算机网络期末考试试题A卷填空题（每空1 分，共30 分） 1、在计算机网络的定义中，一个计算机网络包含多台具有自治_功能的计算机；把众多计算机有机连接起来要遵循规定的约定和规则，即通信协议；计算机网络的最基本特征是__资源共享_______。 2、常见的计算机网络拓扑结构有：总线型、星型和网状 3、常用的传输介质有两类：有线和无线。有线介质有双绞线、同轴电缆、光纤。 4、网络按覆盖的范围可分为广域网、_城域网、局域网。 5、TCP/IP协议参考模型共分了___4层，其中3、4层是传输层、应用层。 6、电子邮件系统提供的是一种_存储转发式_________服务，WWW服务模式为___B/S 7、B类IP地址的范围是128.0.0.0—191.255.255.255 9、计算机网络的基本分类方法主要有：根据网络所覆盖的范围、根据网络上主机的组网方式，另一种是根据信息交换方式_。 10、数据传输的同步技术有两种：___同步传输_________和异步传输。 12、多路复用技术是使多路信号共同使用一条线路进行传输，或者将多路信号组合在一条物理信道上传输，以充分利用信道的容量。多路复用分为：频分多路复用_、波分多路复用_、时分多路复用和码分多路复用13、VLAN（虚拟局域网）是一种将局域网从逻辑划分网段，而不是从物理_上划分网段，从而实现虚拟工作组的新兴数据交换技术。二、选择题（每题2 分，共30 分） 22、既可应用于局域网又可应用于广域网的以太网技术是D A、以太网 B、快速以太网 C、千兆以太网 D、万兆以太网 27、给出B类地址190.168.0.0及其子网掩码255.255.224.0，请确定它可以划分几个子网？（B ） A、8 B、6 C、4 D、2 28、TCP/IP体系结构中与ISO-OSI参考模型的1、2层对应的是哪一层（A ） A、网络接口层 B、传输层 C、互联网层 D、应用层四、简答题（共30 分） 37、某A类网络10.0.0.0的子网掩码255.224.0.0，请确定可以划分的子网个数，写出每个子网的子网号及每个子网的主机范围。（10分）、由子网掩码可以判断出主机地址部分被划分出2个二进制作为子网地址位，所以可以划分出2*2-2=2个子网。（5分）每个子网的网络号和主机范围如下： ①子网号为192.168.0.64，主机号范围为192.168.0.65～192.168.0.126 （5分） ②子网号为192.168.0.128，主机号范围为192.168.0.129～192.168.0.190（5分） 2009-07-22 16:29 一、选择题（每题1分） 1、Internet的前身是 C 。 A、Intranet B、Ethernet C、ARPAnet D、Cernet 2、Internet的核心协议是 B 。 A、X.25 B、TCP/IP C、ICMP D、UDP 3、服务与协议是完全不同的两个概念，下列关于它们的说法错误的是 D 。 A、协议是水平的，即协议是控制对等实体间通信的规则。服务是垂直的，即服务是下层向上层通过层间接口提供的。 B、在协议的控制下，两个对等实体间的通信使得本层能够向上一层提供服务。要实现本层协议，还需要使用下面一层所提供的服务。 C、协议的实现保证了能够向上一层提供服务。 D、OSI将层与层之间交换的数据单位称为协议数据单元PDU。 5、常用的数据传输速率单位有kbit/s、Mbit/s、Gbit/s。1Gbit/s等于 A 。

2011东南大学半导体物理试卷

共 10 页第 1 页东南大学考试卷（卷）课程名称半导体物理考试学期 11-12-2 得分适用专业电子科学与技术考试形式闭卷考试时间长度 120分钟室温下，硅的相关系数：10300.026, 1.510,i k T eV n cm -==? 1932.810c N cm -=? 1931.110v N cm -=?，电子电量191.610e C -=?。一、填空题（每空1分，共35分） 1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,对于较纯净的半导体散射起主要作用，对于杂质含量较多的半导体，温度很低时，______________散射起主要作用。 2.非平衡载流子的复合率，t N 代表__________，t E 代表__________，当2i np n -为___________时，半导体存在净复合，当2i np n -_______时，半导体处于热平衡状态。杂质能级位于___________位置时，为最有效复合中心，此杂质称为____________杂质。 3.纯净的硅半导体掺入浓度为17 3 10/cm 的磷，当杂质电离时能产生导电________，此时杂质为_________杂质，相应的半导体为________型。如果再掺入浓度为16 3 10/cm 的硼，半导体是_______型。假定有掺入浓度为15 3 10/cm 的金，则金原子带电状态为__________。 4.当PN 结施加反向偏压，并增到某一数值时，反向电流密度突然__________开始的现象称为击穿，击穿分为___________和___________。温度升高时，________击穿的击穿电压阈值变大。 5. 当半导体中载流子浓度存在_________时，载流子将做扩散运动，扩散流密度与_______成正比，比例系数称为_________；半导体存在电势差时，载流子将做运动，其运动速度正比于，比例系数称为。 6. GaAs 样品两端加电压使内部产生电场，在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小，这区域称为________________，这是由GaAs 的_____________结构决定的。 20() 2t i t i i N C np n U E E n p n ch k T -= ?? -++ ? ??