模拟电子技术基础试题A卷

《模拟电子技术基础》复习题

一、判断题

1.在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ）

2.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ）

3.使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ）

4.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ）

5.利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ）

6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ）

7.未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ）

8.集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ）

9.只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） 10.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 11.PN 结正向偏置时电阻小，反向偏置时截止 。 （ ） 12.晶体二极管是线性元件。 （ ） 13.晶体二极管具有单向导电性。 （ ） 14.发射结正向偏置时的晶体三极管一定工作在放大状态。 （ ） 15.在晶体三极管放大电路中，三极管发射结加正向电压，

集电结加反向电压 （ ） 16.放大器的交流通路是用来确定静态工作点的。 （ ） 17.采用阻容耦合的前后级放大电路的静态工作点互相影响。 （ ） 18.负反馈可以消除放大器非线性失真。 （ ） 19.射极输出器具有电流放大作用。 （ ） 20.近似估算法同样可以应用于功率放大器。 （ ）

二、选择填空 （10分）

1.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。

A ．电流负反馈

B ．电压负反馈

C ．直流负反馈

D ．交流负反馈 2.RC 串并联网络在RC

f f π21

0=

=时呈 。 A ．感性 B ．阻性 C ．容性

3.通用型集成运放的输入级多采用。

A．共基接法 B．共集接法 C．共射接法 D．差分接法

4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

A．βB．β 2 C．2βD．1+β

5.在A．、B．、C．三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，

又能放大电压的电路是。

A．共基放大电路 B．共集放大电路 C．共射放大电路

6.当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。

A．> B．< C．= D．≤

7.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

A．大 B．小 C．相等

8.半导体中传导电流的载流子是（）

A．电子 B．空穴 C．电子和空穴

9.当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。

A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态

10.满足I C=βI B的关系时，晶体三极管工作在（）。

A．饱和区 B．放大区 C．截止区

11.三极管是一种（）半导体器件。

A．电流控制 B．电压控制 C．既是电压又是电流控制

12.在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（）对应。

A．输入电压 B．基极电压 C．基极电流

13.在晶体三极管共射极低频电压放大电路中，输出电压应视为（）。

A．uo=icRC B．uo=-icRC

14.放大电路中的饱和失真与截止失真称为（）。

A．线性失真 B．非线性失真 C．交越失真

15.利用电压放大器的交流等效电路可求出放大器的（）。

A．电压放大倍数 B．输入电阻和输出电阻 C．A和B

16.在室温升高时，晶体三极管放大电路的电压放大倍数（）。

A．增大 B．减小 C．不变

17.射极输出器中的反馈类型是（）。

A．电压并联负反馈 B．电流并联负反馈 C．电压串联负反馈

三、填空题

1） PN结具有________性能，即加正向电压时PN结________，加________时PN结反偏截止。

2）晶体三极管有____PN结，即________结和________结；有三个电极，即发射极、________极和________极，分别用e、____和____表示。

3）晶体三极管有________型和________型，前者的图形符号是______，后者的图形符号是________。

4）晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即放大区、_______区和______区。5）当晶体三极管的发射结正偏，集电结________时，工作在放大区。

6）放大电路按三极管连接方式可分为________、________和________。

7）放大器中晶体三极管静态工作点是指________、________和______。

8）小功率三极管的输入电阻r be=_____________。

9）射极输出器也叫________________，它的电压放大倍数________，输出电压与输入电压相位________。

10）多级放大电路常用的级间耦合方式有________、________和________。

四、综合题

1.放大器产生截止失真和饱和失真的原因是什么？如何消除截止失真和饱和失真？

2.射极输出器有什么特点？

3.图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。

4.在图示电路中，已知晶体管静态时B-E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B-E 间动态电阻为r be 。填空：

静态时，I BQ 的表达式为 ，I CQ 的表达式为 ，U CEQ 的表达式

为 ；电压放大倍数的表达式为 ，输入电阻的表达式为 ，输出电阻的表达式为 ；若减小R B ，则I CQ 将 ，r be

将 ，u

A 将 ，R i 将 。 5.在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ，电流放大系数为β=100，r be =1 k Ω，R B1=5 k Ω，R B2=15 k Ω，R E =2.3 k Ω，R C =R L =3 k Ω，V CC =12V 。 1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

2估算信号源内阻为R S =1k Ω时，S us U U A 0 的数值。

6.在图示电路中，已知V CC =12V ，V EE =6V ，恒流源电路

I=1 mA ，R B1=R B2=1 k Ω，R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同， 且β1=β2=100，r be1= r be2=2 k Ω。估算： 1电路静态时T 1和T 2管的集电极电位；

2电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0

7.在图示OCL 电路中，已知T 1、T 2管的V U CES 1 ，电源电压为±9V ，负载电阻R L =8 Ω，试计算最大输出功率P om 及效率η。

8.设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。

9.在图示电路中，要求R F =100 kΩ，比例系数为11，试求解R、和R 的阻值。

10.求解图示电路的运算关系式。

11.在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10 kΩ，R和C的可调范围分别为1~100 k Ω、0.001~1μF。

（1）振荡频率的可调范围是多少？

（2）R F的下限值为多少？

12.在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V，R1=R2=R3=200 Ω，试求输出电压的调节范围。

U

13.串联型稳压电路如图所示，T

2和T

3

管特性完全相同，T

2

管基极电流可忽略不计，

稳压管的稳定电压为U

Z

。填空：

调整管为，输出电压采样电阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路组成；

输出电压调节范围的表达式为

。14.如下图所示的是某电压放大电路中晶体三极管的输出特性曲线及直流负载线、交流负载线，由图分析：

（1）静态工作点I CQ和U CQ是多少？（4

（2）L1和L2哪一条是交流负载线？

哪一条是直流负载线？（6分）

μA

U CE(V)

15、试判断下图各连接方法是否正确。如正确，指出其等效于什么类型的管子，管脚1、2、3、分别对应什么电极？（10分）

答案

一、判断题

1× 2√ 3× 4√ 5 √ 6√ 7× 8√ 9× 10√ 11√ 12× 13√ 14√ 15√ 16× 17× 18√ 19√ 20×

二、不定项选择

1B 、C 2B 3D 4B 5B 、C 6A 、A 7A 8C 9A 10B 11A 12C 13B 14B 15C 16C 17C

三．填空题

1）单向导电、导通、截止 2）二、发射、集电、基极、集电 3）NPN PNP 4）接收、截止、饱和 5）反偏

6）共射、共基、共集 7）I B Q 、I C Q 、U C E Q 8）300+（1+β）26/I E Q

9）射极输出器、等于1、同相位 10）阻容、变压器、直接

四、综合题

1、电路中静态工作点的变化引起的，提高和降低静态工作点的位置

2、电压放大倍数等于1，输入与输出同相位，输入电阻大、输出电阻小

3、二极管D 导通，-3V

4、B BEQ CC BQ R U V I -=；BQ CQ I I β=；C CQ CC CEQ R I V U -=；be L u

r R A '-=β ； be B i r R R //=；C R R =0；增大；减小；减小；减小

5、3V ；1mA ；10цA ；6.7V ；-150；0.79k Ω；-66.7

6、7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω

7、4W ；5.7W ；70%

8、（a ）电压并联负反馈；-R 2/R 1 （b ）电压串联负反馈；1+R 2/R 1 9、10 k Ω；9 k Ω 10、21

21120)1(I I u R R

u R R u ++-

= 11、1.6H Z —160kH Z ；20 k Ω 12、9V ；8V

13、T 1 ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；T 2、T 3、R E 、R C ；

Z Z U R R R R U U R R R R R 3

3

21032321++≤≤+++

14、ICQ=2.1mA UCQ=16v L1-直流负载线 L2-交流负载线 15、（b ）正确 1-发射极 2-基极 3-集电极

模拟电子技术基础中的常用公式必备

模拟电子技术基础中的常用公式 第7章半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章集成运算放大器

主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性：光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越 高，本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和 复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 正偏PN结（P+,N-）:具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结 （P-, N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。单向导电性：正向导通，反向截止。

UML试题及答案

一、选择题 1．类的结构是（）。（E） A.由代码来表示 B.由属性和关系来表示 C.由操作来表示 D.由对象的交互来表示 E.选项B和C 2．类的行为是（）。（A） A.由一组操作决定 B.由类的属性决定 C.对类的每一个对象唯一的 D.由父类决定 E.选项A和B 3．顺序图反映对象之间发送消息的时间顺序，它与（）是同构的。（C）A.用例图 B.类图 C.协作图 D.状态图 4．（）定义了系统的功能需求，它是从系统的外部看系统功能，并不描述系统内部对功能的具体实现。（A） A.用例图 B.类图 C.活动图 D.状态图 5．状态图包括（）。（E） A.类的状态 B.状态之间的转换 C.类执行的动作 D.触发类的动作的事件 E.所有以上选项 6．下列属于状态的组成部分的有（ AB ）。 A.名称 B.转移 C.条件 D.事件 7．下列各种图可用于静态建模的有（）。（B）

A.状态图 B.类图 C.序列图 D.活动图 8．下列不属于属性的可见性的是（）。(C) A.公有的 B.私有的 C.私有保护的 D.保护的 9．下面不属于用况之间关系的是（）。（A） A.友元 B.扩展 C.包含 D.泛化 10．通常对象有很多属性，下面仅能在对象内部访问的属性可见性限制是（）。（D） A.公有的（public） B.受保护的（protected） C.友员（friendly） D.私有的（private） 11．在用况之间，会有三种不同的关系，下列不是用况之间关系的是（）。（D） A.包含（include） B.扩展（extend） C.泛化（generalization） D.关联（connect） 12．在ATM自动取款机的工作模型中（用户通过输入正确的用户资料，从银行取钱的过程），下面不是“Actor”的是（）。（D） A.用户 B.ATM取款机 C.ATM取款机管理员 D.取款 13．下面不是活动图中的基本元素的是（）。（D） A.状态、分支 B.分叉、汇合 C.泳道、对象流 D.用况、状态14．在下面的图例中，哪个用来描述活动（activity）（）。（A）

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？

导游基础知识期末试题及答案

《导游基础知识》期末试题 (全卷共五大题，总分100分) 成绩: 一、单选题（每小题1分，共20分，请把答案填写到以下表格中） 的日食记录。 A、《春秋》 B、《甘石星经》 C、《诗经》 D、《梦溪笔谈》 2、我国第一部纪传体通史巨著（）。 A、《史记》 B、《汉书》 C、《春秋》 D、《资治通鉴》 3、中国少数民族中散居全国、分布最广的民族是（）族。 A、满族 B、朝鲜族 C、回族 D、壮族 4、维吾尔族人的（）是最普遍的民间集体舞蹈。 A、踩芦笙 B、赛乃姆 C、孔雀舞 D、玄子舞 5.（）是傣族的传统新年。 A、火把节 B、泼水节 C、开斋节 D、圣纪节 6、少数民族服饰中，戴四楞小花帽的和藏式金花帽的分别是（）族。 A、回族和藏族 B、回族和维吾尔族 C、维吾尔族和蒙古族 D、维吾尔族和藏族 7、佛教、道教、儒教褒封关羽称号分别是( )。 A、关帝圣君、伽蓝神、武圣人 B、武圣人、关帝圣君、伽蓝神 C、伽蓝神、关帝圣君、武圣人 D、关帝圣人、武圣人、伽蓝神 8、中国第一座佛教寺庙是（）。 A、东林寺 B、塔尔寺 C、白马寺 D、华严寺 9、基督教有（）传中国之说。 A、一 B、二 C、三 D、四 10、我国现存最大的皇家园林是（）。 A、北海公园 B、苏州园林 C、颐和园 D、承德避暑山庄 11、我国以龙墙著称的园林是（）。 A、颐和园 B、承德避暑山庄 C、豫园 D、拙政园 12、园林入口处常迎门挡以假山，这种园林的构景手段称为（）。 A、借景 B、添景 C、抑景 D、漏景 13、贵妃鸡、葫芦鸡、叫化鸡分别属于（）。 A、福建菜、西北菜、浙江菜 B、上海菜、西北菜、江苏菜 C、上海菜、东北菜、江苏菜 D、广东菜、东北菜、山东菜 14、为国内国际市场上的“酒中明珠”,素有“国酒”之誉的是( )。 A、五粮液 B、郎酒 C、贵州茅台酒 D、董酒 15、下列茶叶中, 按加工工艺依次为不发酵、半发酵和全发酵的是( )。 A、西湖龙井, 水仙, 大红袍 B、黄山毛峰, 君山银针, 宣红

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基本练习题(解)教学文稿

模拟电子技术基本练 习题(解)

电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入 5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为 49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为 0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成 2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。

9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器； 基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络； 稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。 18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20．差动放大电路中，共模抑制比K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 二．选择题

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

导游基础知识考试题及答案

导游基础知识考试题及答案 2020导游基础知识考试题及答案篇1一、单选题 1、某导游员普通话说的好，游客便认为其其他技能也好。这属于社会知觉误区中的( D ) A、第一印象 B、刻板印象 C、期望效应 D、晕轮效应 2、人们一般认为美国人喜新奇、重实利、随便自由。这属于社会知觉误区中的( B ) A、第一印象 B、刻板印象 C、期望效应 D、晕轮效应 3、下列表述正确的是( B ) A、导游员与游客的接触应是“平起平坐”的。 B、游客对旅游活动的满意度也取决于旅游服务中客我交往 C、在景物较单调的`场合，导游语言应简洁明快。 D、在游客观赏情绪高涨的场合，导游语言应婉转丰富。 4、游客对客房服务有极高的要求，客房给人的印象首先应该是( D )

A、舒适 B、宁静 C、豪华 D、整洁 5、旅游者购物动机中比较典型的是( D ) A、新奇动机 B、馈赠动机 C、求实动机 D、纪念性动机 6、商品形象的美观程度与( B )，在购物环境中最直接影响着游客是否购买该商品。 A、包装质量 B、商品质量 C、商场布置 D、服务员服饰 7、以下属于东北游客个性特征的是( A ) A、外向、豪气 B、文化素养较高 C、恋家情结深 D、时间观念强 8、当游客遇累、热、饿时，会拒绝游览要求返回，导游员正确做法是( D )

A、予以拒绝 B、告知后果自负 C、予以同意 D、报告地接社同意后返回 9、以下属于德国游客最突出的个性特征是( B ) A、浪漫 B、踏实 C、无拘无束 D、豪爽大方 10、旅游服务人员与游客交往的特殊性主要表现在其具有( A ) A、短暂性 B、长期性 C、平等性 D、群体性 二、多项选择题 1 修内司官窑在工艺上有三个明显的特征，这就是(ACD)。 A薄胎厚釉 B玛瑙入釉 C紫口铁足 D釉面开片 E芝麻支钉 2以下属于釉下彩的瓷器有(AB)。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

UML考试试题与答案

UML考试试题及答案 一、选择题（共15 分，每题 1 分） 1.UML的全称是 ( B ) （ A） Unify Modeling Language（ B） Unified Modeling Language （ C） Unified Modem Language（ D） Unified Making Language 2.执行者（ Actor ）与用例之间的关系是（C） （ A）包含关系（B）泛化关系（C）关联关系（ D）扩展关系 3.在类图中，下面哪个符号表示继承关系（C） 4.(A)(B)(C)(D) 下面哪个视图属于 UML语言的交互图（D） （ A）行为图（B）状态图（C）实现图（ D）顺序图 5.UML语言包含几大类图形（B） （A）3（B） 5（C）7（D） 9 6.在类图中，下面哪个符号表示接口（C） (A)(B)(C)(D) 7.下面哪个图形代表活动（D） (A)(B)(C)(D) 8. UML中关联的多重度是指(b) （A）一个类有多个方法被另一个类调用 （B）一个类的实类能够与另一个类的多个实类相关联 （C）一个类的某个方法被另一个类调用的次数 （D）两个类所具有的相同的方法和属性 9.下面哪个不是 UML中的静态视图（ A） (A)状态图(B)用例图(C)对象图(D) 类图 10.（ A）技术是将一个活动图中的活动状态进行分组，每一组表示一个特定的类、人或 部门，他们负责完成组内的活动。 (A) 泳道(B) 分叉汇合(C)分 支(D) 转移 11.下列关于状态图的说法中，正确的是（C）

(A)状态图是 UML中对系统的静态方面进行建模的五种图之一。 (B)状态图是活动图的一个特例，状态图中的多数状态是活动状态 (C)活动图和状态图是对一个对象的生命周期进行建模，描述对象随时间变化的行为。 (D)状态图强调对有几个对象参与的活动过程建模，而活动图更强调对单个反应型对象建模 12.类图应该画在 Rose 的哪种（ B）视图中。 View (A)Use Case View(B)Logic View (D)Deployment View (C)Component 13.顺序图由类角色，生命线，激活期和（B）组成 (A) 关系(B) 消息(C) 用 例(D) 实体 14.关于协作图的描述，下列哪个不正确（B） (A)协作图作为一种交互图，强调的是参加交互的对象的组织； (B)协作图是顺序图的一种特例 (C)协作图中有消息流的顺序号； (D)在 ROSE工具中，协作图可在顺序图的基础上按“ F5”键自动生成； 15.组件图用于对系统的静态实现视图建模，这种视图主要支持系统部件的配置管理， 可以分为四种方式来完成，下面哪种不是其中之一（B） 通常(A) 对源代码建模(B)对事物建模 (C) 对物理数据库建模(D)对可适应的系统建模 二、填空题（共15 分，每空 1 分） 1．软件体系结构是指一个系统的有目的的设计和规划，这个设计规划既不描述活 动，也不描述系统怎样开发，它只描述系统的组成元素及其相互的交互协作。 2．一个UML模型只描述了一个系统要做什么，它并没告诉我们系统是 怎么做。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

uml综合练习题及答案

一、选择题 1.软件设计中的（）设计指定各个组件之间的通信方式以及各组件之间如 何相互作用。 A．数据 B．接口 C．结构 D．组件 2.UML 是一种（）。 A．面向对象的程序设计语言 B．面向过程的程序设计语言 C．软件系统开发方法 D．软件系统建模语言 3.面向对象中的（）机制是对现实世界中遗传现象的模拟，通过该机制，基 类的属性和方法被遗传给派生类。 A．封装 B．多态C．继承 D．变异 4.下面关于类、对象和实例的叙述中，错误的是（）。 A 类是创建对象的模板 B 对象是类的实例 C 类是对象的实例 D 类是一组具有共同特征的对象集合 5.下列不在UP的初始阶段中完成的 A编制简要的愿景文档 B粗略评估成本 C定义大多数的需求 D业务案例 6.下面那一种模式是不属于GRASP模式的 A 多态（Ploymorphism） B 行为对象（pure fabrication） C 中间者（Indirection） D GoF 7.类是一组具有相同属性的和相同服务的对象的抽象描述，类中的每个对象都 是这个类的一个。 9.一个对象通过发送来请求另一个对象为其服务。 A调用语句B消息C命令D口令 10.下面的述中，对迭代和增量式开发描述错误的是（）。 A. 迭代是时间定量的 B. 系统是增量式增长的 C. 迭代是以循环反馈和调整为核心驱动力的 D. 当迭代无法依照时间表来集成、测试和稳定局部系统时，可以推迟完成 日期。 11.有关UP阶段的说法，不正确的是（） A. UP的一个开发周期（以系统发布作为产品结束标志）由多个迭代组成； B. 初始阶段不是需求阶段，而是研究可行性的阶段。 C. 细化阶段就是需求或设计阶段； D. 细化阶段就是迭代地实现核心架构并解决高风险问题的阶段； 12.下面关于领域模型的描述，不正确的是（） A. 领域模型就是软件对象图； B. 应用UML表示法，领域模型被描述为一组没有定义操作的类图； C. 创建领域模型的原因之一是帮助理解关键业务概念和词汇； D. 领域模型和领域层使用相似的命名可以减少软件表示与我们头脑中的领

地方导游基础知识-第一章试题只是分享

第一章华北地区 第一节北京市基本概况 一、判断题（正确的标注“A”，错误的标注“B”） 1．在地理上，北京与天津相邻，并与天津一起被山西省环绕。( ) 2．北京地形西北高，东南低。( ) 0．第六次全国人口普查结果显示，在北京人口当中，高中文化程度人数所占比例高于具有初中文化程度人口比例。( ) 4．北京首都国际机场是全球规模最大的机场，几乎所有北京的国内国际航班均在北京首都国际机场停靠和起飞，其旅客吞吐量位居全球第一。( ) 5．北京远古的历史可追溯到50多万年前的“蓝谋人”时期。( ) 二、单项选择题（每题的备选项中，只有1个最符合题意） 1．北京有着( )余年的建城史。 A. 6000 B.5000 C.4000 D.3000 2．西部是太行山山脉余脉的西山，北部是燕山山脉的军都山，两山在南口关沟相交，形成一个向东南展开的半圆形大山弯，人们称之为( )。 A．大亚湾B．浅水湾C．北京弯D．北京岙 3．“幽州之地，左环沧海，右拥太行，北枕居庸，南襟河济，诚天府之国。”这段话是在描绘我国的哪座城市？( ) A．天津B．北京C．重庆D．上海 4．北京最早见于文献的名称叫( )。 A．蓟B．燕京C．幽州D．大都 5．北京有国家级高速公路( )条。 A．12 B．10 C，8 D．6 6．北京是世界闻名的文化古城，多民族特有的文化在这里相互渗透交融形成的地方

性民俗，最具特色的是( )、胡同和市肆庙会。 A．弄堂B．四合院C．徽派建筑D．干栏式建筑 7．北京地区新石器时代早期代表性的文化遗址是门头沟区清水河畔的( )墓葬。A．东胡林人B．门头沟人C．契丹人D．清水畔人 8．北京的快板书由( )演变而成。 A．相声B．数来宝C．绕口令D．京剧 9．北京是“博物馆之都”，注册博物馆多达151座，( )为世界最大博物馆。 A．故宫博物B．中国军事博物馆C．中国革命博物馆D．国家博物馆 10.北京是世界第( )大“美食之城”，居内地之首。 A．八B．一C．三D．五 三、多项选择题（每题的备选答案中，有2个或2个以上符合题意，至少有1个错项）1．北京市有水库85座，其中大型水库有( )和海子水库。 A．清水潭水库B．密云水库C．十三陵水库D．官厅水库E．怀柔水库2．北京的评剧，习称( )。 A．京剧B．蹦蹦戏C．落子戏D．北京梆子E．京韵大鼓 3．有北京琴书，前身是清代流行于河北安次县一带及北京郊区农村中的五音大鼓，以( )等乐器伴奏。 A．三弦B．四胡C．扬琴D．大鼓E．笙 4．有京剧，是中国的“国粹”，已有200年历史，清朝乾隆五十五年（1790年）四大徽班进京后与北京剧坛的( )等剧种经过五六十年的融会，衍变成为京剧：A．河北梆子B．昆曲C．汉剧D．弋阳E．乱弹 5．下列选项中，土生土长的北京籍作家有( )。 A．老舍B．贾平凹C．刘绍棠D．汪曾祺E．王朔

模拟电子技术基础I考核作业标准答案完整版

模拟电子技术基础I考核作业标准答案 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页） 总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40kΩ，R b2=20kΩ，R c =R L =2kΩ，U BE =，β=50， R e =2kΩ，U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真 (3)计算i u A R ， 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率(2)此时的效率和管耗各是多少？ 图4阻容耦合放大 u u o + _

五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关， 而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反 偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电 路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输 出电流采用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信 号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补 功率放大器。 10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功 率放大电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于 （）电路中。 六、选择题（每空2分共20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必 须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分 别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、 （PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小

UML习题及答案

ATM建模 1、浏览器和框图窗口之间有关系吗？如果有，是怎么样的关系？ 答：有。我们可以用浏览器打开一个或几个UML框图。改变框图中的元素时，Rose自动更新浏览器。同样用浏览器改变元素时，Rose自动更新相应框图。这样，Rose就可以保证模型的一致性。 2、用例图中的参与者和用例分别表示什么？ 答：从用例图中我们可以看到系统干什么，与谁交互。用例是系统提供的功能（系统“干什么”），参与者是系统与谁交互，参与者可以是人、系统或其他实体。 3、ATM用例图中的箭头从参与者指向用例表示什么?从用例指向参与者又表示什么？答：箭头从参与者到用例表示由参与者启动用例。箭头从用例到参与者表示用例产生一些参与者要使用的信息。 4、RUP有哪五个工作流程？我们在RUP的哪个工作流程中画用例图？ 答：RUP（统一软件开发过程）的五个核心工作流程包括：需求捕获、分析、设计、实现和测试。在需求捕获时画用例图。 5、活动图中的泳道表示什么意思？ 答：泳道是活动图里的竖段，包含特定人员或组织要进行的所有活动。可以把活动图分为多个泳道，每个泳道对应每个人员或组织，他们各自的活动都放在各自的泳道中。6、活动图中的同步棒表示什么意思？ 答：表示并发控制流的分叉和汇合。结合图中具体来说，同一段时间内这几个活动同时发生/这几个活动都结束之后才进入下个决策点的判断中。 7、活动图中的初始状态和终止状态分别用什么表示？数目上有什么限制？ 答：实心圆和牛眼。初始状态必须有，而且只能有1个。终止状态可以是0，1或多个。 8、活动图中决策点之后的[ ]里的内容是什么，有什么要求？ 答：保证条件，用来控制在决策之后采取什么路径。保证条件应该是互斥的。 9、类由哪几部分组成，分别表示什么意思？ 答：类图中每个类都是用方框表示的，分成三个部分。第一部分是类名；第二部分是类包含的属性，属性是类和相关的一些信息；最后一部分包含类的方法，方法是类提供的一些功能。 10、类的属性和方法左边有一些修饰，分别表示什么意思？ 答：若是一个小锁图标，表示这个属性和方法是private的(UML中用’－’表示)，该属性和方法只在本类中可访问。没有小锁的，表示public(UML中用’+’表示)，即该属性和方法在所有类中可访问。若是一个钥匙图标，表示protected(UML中用’＃’表示)，即属性和方法在该类及其子类中可访问。 11、两个类之间的连线表示什么？ 答：类之间的连线表示了类之间的通信关系（一个类要调用另一个类的属性或方法）。例如，账目类连接了ATM屏幕，因为两者之间要直接相互通信；取钱机和读卡机不相连，因为两者之间不进行通信。 12、序列图和协作图之间有什么关系？ 答：序列图和协作图统称为交互图。序列图显示了用例中的功能流程，侧重于对象和参与者随时间变化的交互，而协作图则不参照时间而显示对象与参与者的交互。

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.wendangku.net/doc/ba1603360.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.wendangku.net/doc/ba1603360.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.wendangku.net/doc/ba1603360.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.wendangku.net/doc/ba1603360.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.wendangku.net/doc/ba1603360.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。