第三章 习题答案教案资料
第三章习题答案
习题
一、填空题
1．晶体管工作在放大区时，具有发射结正偏、集电结反偏的特点。
2.晶体管工作在饱和区时，具有发射结正偏、集电结正偏的特点。
3.饱和失真和截止失真属于非线性失真，频率失真属于线性失真。
4.共集电极放大器又叫射极输出器，它的特点是：输入电阻高（高、低）；输出电阻
低（高、低）；电压放大倍数约为 1 。
5.多级放大器由输入级、____中间级_____ 和输出级组成；其耦合方式有__阻容耦合____和直接耦合、变压器耦合三种；集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。
6．三种最基本组态的放大器分别是共基极放大电路、___共发射极_______和___共集电极。其中输入电阻最大的是共集电极电路，而输出电阻最小的是共集电极电路。
7.多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的乘积。输入电阻约等于第一级的输入电阻电阻，而输出电阻约等于输出级的输出电阻电阻。
8.多级放大器总的上限频率比其中任何一级的上限频率都要__低___(高/低),而下限频率比任何一级的下限频率都要___高____(高/低)。
9．若使放大器不产生频率失真，则要求其__高频__频率响应和__低频___频率响应均不产生失真。
10.晶体管的内部结电容和负载电容主要影响放大器的___高频__特性,而耦合电容和旁路电容主要影响放大器的__低频____特性。
二、选择题
1.为了放大变化缓慢的微弱信号，放大电路应该采用（ A ）耦合方式；为了实现阻抗变换，放大电路应采用（ C ）耦合方式。
A. 直接
B. 阻容
C. 变压器
D.光电
2.阻容耦合和直接耦合多级器之间的主要不同是（A ）。
A.所放大的信号不同
B.交流通路不同
C.直接通路不同
3..直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频特性（A ）。
A.好
B.差
C.差不多
4.具有相同参数和相同放大倍数的两级放大器，在组成它的各个单极放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降（ A ）。
A.3dB
B.6dB
C.9dB
D.20dB
5.多级放大电路与单极放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都
（ D ）。
A.大
B.小
C.宽
D.窄
6.当信号频率等于放大电路的L f或H f时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。
A.0.5倍
B.0.7倍
C.0.9倍
7.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ），而低频信号作用时放大倍数下降的原因是（A ）。
A.耦合电容和旁路电容存在
B.半导体极间电容和分布电容的存在
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
8.u GS＝０时，能够工作在恒流区的场效应管有( A )和( C )。
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
三．分析与计算题
1.试判别题图3-1 所示各电路能否对正弦信号进行电压放大？为什么？各电容对电信号可视作短路。
（a）（b）
（c）（d）
（e）题图3-1（f）
解：图（a）：因为输出信号被短路了，所以不能进行电压放大。
图（b）：因为输入信号被
B
C短路了，所以不能进行电压放大。
图(c)中管子截止，电路不能正常放大。应将R B改接在b极与地之间。
图（d）：晶体管基极偏置为零，不能进行放大。
图(e)中会使e结烧坏且输入信号短路，因而电路不能正常放大，应在b极到Ucc之间接偏置电阻R B。
图(f)中电路可以正常放大。
2..电路题图3-2所示，晶体管的60
=
β,
（1）求电路的Q点、
.
u
A、i R和0R。
（2）设mV
U s10
=，问?
=i U、?
0=
U若3C开路则?
=i U、?
0=
U
题3-2图
解：(1) Q 点：
31
(1)
CC BEQ
BQ
b e
V U
I A
R R
μ
β
-
=≈
++
1.86
CQ BQ
I I mA
β
=≈() 4.56
CEQ CC EQ c e
U V I R R V
≈-+≈
u
A&、
i
R和
o
R的分析：
'
26
(1)952
be bb
EQ
mV
r r
I
β
=++≈Ω,
(//)
95
c L
u
be
R R
A
r
β
=-≈-
&
//952
i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。
(2)设U s = 10mV （有效值），则 3.2i
i s s i
R U U mV R R =
?=+； 304o u i
U A U mV =?=& 若C 3开路，则：
//[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω ， // 1.5c L u
e R R A R ≈-≈-& 9.6i
i s s i
R U U mV R R =
?=+， 14.4o u i
U A U mV =?=&。
3．已知题图3-3（a ）所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b ）、（c ）所示。
（1）利用图解法求解Q 点；
（2）利用等效电路法求解.
u A 、i R 和0R 。
题图3-3（a ） 题图3-3（b ） 题3-3图（c ）
解：(1)在转移特性中作直线GS D s u i R =-，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出1,2DQ GSQ I mA U V ==-。如下图所示。
(a) (b)
在输出特性中作直流负载线()
DS DD D d s
u V i R R
=-+，与2
GSQ
U V
=-的那条输
出特性曲线的交点为Q 点，3
DSQ
U V
≈。如解图(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
2
1/
DS
D
m U DSS DQ
GS
i
g I I mV V
u U
?-
===
?
5
u m d
A g R
=-=-
&；1
i g
R R M
==Ω；5
o d
R R k
==Ω
4.如题图3-4所示的电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。若已知：
V
V CC12
=,Ω
=k
R B3
2，Ω
=k
R E1，Ω
=k
R C2,三极管为硅管，50
=
β，欲使V
U CE6
=,问基极上的偏置电阻1B R应为多大？此时BQ
I和CQ
I各为多少？
题图3-4
解：根据直流通路可知：
题图3-5
Ω
=-=-=
+==+=+========+-=+-=
K U R U R U R U R R R U V U U U V R I U A I I mA
R R U U I B B B B CC B CC
B B B B BE E B E CQ E CQ BQ E
C CE CC CQ 107
.23
*7.23*127.27.0221*24050/2/21
26
122212
12
μβ
5．电路如题图3-5所示。设FET 参数为：3=DSS I mA ，3)(-=off GS V V 。当
Ω=k R D 9.3时，判断场效应管是处在恒流区还是可变电阻区？
解：我们采用假设法来判断，首先假设管子工作在恒流区，根据结型场效应管恒流区i D 和u GS 的关系式可以求出电流i D ：
mA U
U
I i GSoff GS
DSS D 33013122
=???
???????? ??--=????
??-= 根据输出回路方程可以求出U DS 。
V U DS 3.39.3315=?-=
因此可得
U GD =U GS -U DS =—3.3V 。
+ u o
题图3-6
在假设条件下得出的结论是U GD
6.放大电路如图所示，已知晶体管的
7.0,50)(==on BE U βV ，各电容对信号可视为短路。计算CQ I 和CEQ U 的值。 解：
83128
3288
3212....U R R R U CC B B B BB =?+=+=
（V ）
13
7
083≈-=
-=
≈..R U U I I E
)
on (BE BB EQ CQ （mA ） ()633112=+-≈--=E EQ C CQ CC CEQ R I R I U U （V ）
7.放大电路如题图3-7（a ）所示，已知β＝50，U BE =0.7V ，U CBE =0，
R C =2K V U K R CC L 12,20,=Ω=Ω.
若已知该电路的交、直流负载线如图（b ）所示，试求：U CC =? R C =? U CEQ =? I CQ =? R L =? R B =? 输出动态范围U OPP =?