电子技术习题
基本半导体器件
一、判断题：
1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，Ｒ
、ｒbe都增高。
be
二、选择题：
1、当晶体三极管的两个ＰＮ结都反偏时，则晶体三极管处于（）。
（A）饱和状态；（B）放大状态；（C）截止状态
2、当晶体三极管的两个ＰＮ结都正偏时，则晶体三极管处于（）。
（A）截止状态；（B）放大状态；（C）饱和状态
3、晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该晶体二极管处于（）。（A）反偏；（B）正偏；（C）零偏
4、在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（）。
（A）大电阻；（B）接通的开关；（C）开的开关
5、用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的特性好坏时，应把欧姆档拨到（）。（A）Ｒ* 100Ω或Ｒ* 1ｋΩ档；（B）Ｒ*1Ω档；（C）Ｒ*10kΩ档
6、半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为（）半导体。（A）Ｎ型；（B）Ｐ型；（C）本征
7、在半导体材料中，其正确的说法是（）。
（A）.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
（B）.P型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
（C）P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
（D）P型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
（E）P型和N型半导体材料本身都不带电。
8、在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V，则分别代表三极管的三个极是（）。
（A） e 、c、b；（B） e、b、c ；（C） b、c、e；（D）c、b、e
答案：
一、1、对；2、错；3、对；4、错；5、错；6、对；7、错；8、对；9、错；10、对；11、错；12、错；13、对；14、错；15、错；16、错；17、错；18、错；19、错；20、错；
二、1、C；2、C；3、A；4、B；5、A；6、C；7、E；8、B；
三、分析与计算题
１、
答案：
2、用万用表直流电压档测得电路中三极管各电极的对地电位如下图所示，试判断这些三极管的工作状态。
答案： a）放大；b）截止；ｃ）BE结损坏；d）饱和
３、设硅稳压管D
Z1和D
Z2
的稳定电压为5V和10V，已知稳压管的正向压降为0.7V，
求下图中电路的输出电压Uｏ？
答案： a) u
O =5V ；b) u
O
=0.7V
４、电路如下图所示，已知u
i
=1.0sinωt(V)，R=1kΩ，二极管D具有理想特性。请在下列三种情况下，画出相应的uｏ的波形。
1）U=2V； 2）U=-2V； 3）U=0V。
答案：
答案：I
1=0，I
2
=15mA，I3=0，I=－15mA。
6、
答案：
7、
答案：
基本放大电路
一、判断题：
1．注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小差动式直流放大器的零点漂移。2．直流放大器只能放大直流信号，不能放大交流信号。
3．交流放大器中没有零点漂移现象，直流放大器中存在零点漂移现象。
4．差动式直流放大器的差动放大倍数愈大，共模抑制比愈小，则其性能愈好。
5．差动式直流放大器有四种接法，放大倍数取决于输出端的接法，而与输入端的接法无关。
6．典型的差动式直流放大器中的发射极电阻Ｒ
对差模信号和共模信号都有负反
E
馈作用，牺牲了差模放大倍数，但提高了共模抑制比。
7．具有恒流源的单端输出差动式直流放大器共模抑制比很高，但增加了零点漂移。
8．所谓差模输入信号是指加在差动式放大器两个输入端的电压之差。
9．差动式放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的电压放大倍数相等。
10．在推挽功率放大器中，当两只晶体三极管有合适的偏流时，就可消除交越失真。
11．在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加正向电压，集电结加反向电压。
12．同晶体三极管一样，场效应晶体管也是电流控制元件。
13．当单级放大器的静态工作点过高时，可减小电源电压E
，使直流负载线向下
c
平移。
，使直流负载线的14．当单级放大器的静态工作点过高时，可减小集电极电阻R
c
斜率减小。
15．用微变等效电路可以分析放入器的输入电阻和输出电阻，因此也可以用来计算放大器的放大倍数。
16．利用微变放大电路，可以很方便地分析计算小信号输入时的静态工作点。
17．晶体三极管是依靠基极电压控制集电极电流,而场效应晶体管是以栅极电流控制漏极电流的。
18．阻容耦合低频放大器中，工作频率愈高，耦合电容应选取得愈大。
19．放大器的电压放大倍数随负载而变化，负载愈高，电压放大倍数愈大。
20．单管甲类功率放大器的工作点应选在交流负载线的中点，这样做可使放大器的实际效率达50％。
21．射极输出器即共集电极放大器，其电压放大倍数小于１，输入电阻小，输出电阻大。
22．射极输出器因其电压放大倍数小于１，不能起缓冲、隔离作用，实际工作中很少使用。
23．电压串联负反馈使放大器的输入电阻下降，输出电阻增加。
24．同乙类推挽功率放大器一样，互补对称功率放大器的两个晶体三极管也是工作在共射极放大状态。
25．如果两个放大器单独使用时的电压放大倍数分别为K
v1、K
v2
，则这两个放大
器级联起来后总的放大倍数，在K
v1考虑了后级输入电阻的影响时为K
v
=K
v1
+K
v2
。
26．多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。
二、计算题：
1、设下图所示电路的元件参数均已知，试写出
1）I
CQ 、U
CEQ
的表达式； 2）A
u1
=u
o1
/u
i
、Au2=u
o2
/u
i
的表达式；3）R
o1
、R
o2
的表达式。
2、分析下图所示电路，试回答：
1）静态时，负载R
L
中的电流应为多少？
2）若输出电压波形出现交越失真，应调哪个电阻？如何调整？
3、图所示电路的元件参数为已知。
1）说明T
1、T
2
分别构成什么组态的放大器？
2）写出A
u =u
o
/u
i
、R
i
、R
o
的表达式
答案：
一、1.对；2.错；3.错；4.错；5.对；6.错；7.错；8.错；9.错；10.对；11.对；12.错；13.对；14.错；15.对；16.错；17.错；18.错；19.错；20.错；21.错；22.错；23.错；24.错；25.错；26.错；
二、
1、 1）I
CQ =[R
B2
/（R
B1
+ R
B2
） U
CC
- U
BE（ON）
]/ R
E
、U
CEQ
=U
CC
-I
CQ
（R
C
+ R
E
）
2）A
U1=-βR
C
/[ r
be
+（1+β）R
E
] 、 A
U2
=（1+β）R
E
/[ r
be
+（1+β）R
E
]
3）R
o1=R
C
、 R
o2
= [r
be
/（1+β）]//R
E
2、 1）负载电流为0 ； 2）增大R
2
3、 1）T1：共集放大器；T2：共射放大器
2）A
u = A
u1
×A
u2
≈ A
u2
=-β
2
R
5
/ r
be2
、
R i =R
1
//{ r
be1
+（1+β
1
）[R
2
// R
3
// R
4
// r
be2
]} 、 R
=R
5
集成运算放大器
一、判断题：
1．同相运算放大器属于电压串联负反馈放大器。
2．运算放大器实际上是具有深度负反馈的低增益的交流放大器。
3．运算放大器的调零方法是：将输出端短路，利用调零电位器来调节差动式放大器两管集电极电压差。
二、选择题：
1．直接耦合放大器级间耦合方式采用（）。
（A）阻容耦合；（B）变压器耦合；（C）直接（或通过电阻）耦合
2．差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于（）。（A）有效地抑制零点漂移；（B）放大倍数增加；（C）输入阻抗增加
3．差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于（）。
（A）两个晶体三极管的放大倍数；
（B）两个晶体三极管的对称程度；
（C）各个晶体三极管的零点漂移
4．在典型的差动式直流放大器中，ＲE的作用是（）。
（A）对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性；
（B）对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力；
（C）A 和B
5．集成电路按功能可分成两种，即（）。
（A）数字集成电路和固体组件；
（B）线性集成电路和固体组件；
（C）线性集成电路和线性组件；
（D）固体组件和线性组件；
（E）数字集成电路和线性集成电路
6．在一个三级直接耦合放大器中，如各级的放大倍数均为10，各级自身的漂移输出均为0.01Ｖ，即当输入电压为零时，输出端的漂移电压力（）。
（A）0.03V ；（B）1V ；（C）1.11V
7．对运算放大器进行调零，是由于（）。
（A）存在输入失调电压；（B）存在输入失调电流；（C）存在输入偏置电流三、计算题：
1．求下图运算放大器输出与输入的关系。
2．求图示电路的电压增益U o/U i。
3．求图示电路运算放大器的输出电流I o。
4．求图示电路的输出电压U o。
答案：
一、1.对；2.错；3.错；
二、1.C；2. A；3.B；4.B；5.E；6.C；7.A；
三、1、；
2、-5.75；
3、-0.375A；
4、2.057V；
正弦波振荡电路
判断题
1．放大器的自激振荡是由于放大器的电压放大倍数太大所致。
2．振荡器是没有输入信号而有输出信号的放大器。
3．正弦波振荡器中引入负反馈是为了稳定振幅。
4．用瞬时极性法判断图中只有图3所示电路不能满足振荡的相位条件。
答案：
1．错；2．对；3．错；4．对；
门电路和组合逻辑电路
一、填空题：
1、逻辑代数中的变量称为（），其取值只有（）和（）。
2、逻辑代数中的0和1代表（）。
3、逻辑加和逻辑乘的交换律可分别用公式表示为（）和（）。
4、一个两输入端的与非门，其输出信号Z与输入信号A、B之间的逻辑关系表示为（）。
5、真值表是把输入逻辑变量的（）和相应的输出函数值排列在一起而组成的表格。
6、一个两输入端的异或门，其输出信号Z与输入信号A、B之间的逻辑关系表示为（）。
7、用代数法可把Z＝ABC＋ABC+ABC化简为（）。
8、若将逻辑函数Z＝A＋B＋C?D＋E?D＋F?G用与非门来实现，应写成（）。
9、要把逻辑函数Z＝A?B?C?D?E用与或非门来实现，应写成（）。
10、用代数法可把逻辑函数Z＝AB＋ABD＋AC＋BCD化简为（）。
答案：
一、1、逻辑变量，0，1；
2、两种不同的逻辑状态；
3、A+B=B+A，A?B＝B?A；
4、Z=AB；
5、各种可能取值；
6、Z=AB+AB；
7、Z=AB+BC；
8、Z=ABCDEDFG；
9、Z=A+BC+DE；
10、Z=B+AC；
二、计算题：
1、将下列各数转换为等值的十进制数和十六进制数：
(1) (10000001)
2；(2) (01000100)
2
；(3) (1101101)
2
； (4) (11.001)
2
2、写出下列函数的最小项表达式
电子技术习题集-答案
第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中，E12V =， D为硅二极管，R10K =Ω，则二极管D和和电阻R上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？ 解：二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中， i u12sin tω =V，二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。 （a）（b）（c） 解： 2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a）和（b）中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解：(a) D导通， AB U6V =-； （b）D1导通，D2截止； AB U0V =；
2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =，输入电压 i u12sin tω =V，画出输出 电压 o u波形图。 解： 2.2.2在下图所示的(a)和（b）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。解：（a）由于稳压管的击穿电压各不相 同，击穿电压低的管子工作，而另一个 不工作。 (b)可以串联连接，输出电压为两个稳压 管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =，波动范围10% ±；稳压管的稳定电压 Z U6V =，稳 定电流 Z I5mA =，最大耗散功率 ZM P180mW =；限流电阻R200Ω =；输出电流 o I20mA =。（1）求I U变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？ 解：输入电压波动范围： Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?=
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第1章 电路模型和电路定律 三、单项选择题 1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ） A 、一定为正值 B 、一定为负值 C 、不能肯定是正值或负值 2、已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为（ B ） A 、6V B 、－6V C 、14V 3、当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ B ） A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、 i R u = 4、一电阻R 上u 、i 参考方向不一致，令u =－10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为（ A ） A 、200Ω B 、－200Ω C 、±200Ω 5、两个电阻串联，R 1：R 2=1：2，总电压为60V ，则U 1的大小为（ B ） A 、10V B 、20V C 、30V 6、电阻是（ C ）元件，电感是（ B ）的元件，电容是（ A ）的元件。 A 、储存电场能量 B 、储存磁场能量 C 、耗能 7、理想电压源和理想电流源间（ B ） A 、有等效变换关系 B 、没有等效变换关系 C 、有条件下的等效关系 8、当恒流源开路时，该恒流源内部（ B ） A 、有电流，有功率损耗 B 、无电流，无功率损耗 C 、有电流，无功率损耗 9、图示电路中5V 电压源发出的功率P 等于（ A ） A ）15W B ）－15W C ）30W D ）－30W
五、计算分析题 1、图1.1所示电路，已知U =3V ，求R 。（2k Ω） 2、图1.2所示电路，已知U S ＝3V ，I S ＝2A ，求U AB 和I 。（？V 、？A ） 3、图1.3所示电路，负载电阻R L 可以任意改变，问R L 等于多大时其上可获得最大功率，并求出最大功率P Lmax 。（？Ω） 4、图1.4所示电路中，求2A 电流源之发出功率。（？W ） 5、分别计算S 打 开与闭合时图1.5电路中A 、B 两点的电位。（S 打开：A － 10.5V,B 图1.1 L 4U 图 1.4 2Ω Ω 图1.2
模拟电子技术基础习题册.docx
专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。 （1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。 （1）画出u2、u D 1和u O的波形； （2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。
1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问： （1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。
专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 （1）分别标出u O1和u O2对地的极性； （2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 （3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少
电子技术基础习题答案(优.选)
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
模拟电子技术课后习题及答案
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。
电工电子技术课后答案
《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元件 分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的 参考方向已标出，在参考方向下通过测量得到：I 1＝－ 2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝ 30V 。试判断哪些元件是电源？哪些是负载？ 解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件3是负载。 根据并联电路端电压相同可知，元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。 验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。 第16页检验题解答： 1、电感元件的储能过程就是它建立磁场储存磁能的过程，由2/2L LI W =可知，其储能仅取决于通过电感元件的电流和电感量L ，与端电压无关，所以电感元件两端电压为零时，储能不一定为零。电容元件的储能过程是它充电建立极间电场的过程，由2/2C CU W =可知，电容元件的储能只取决于加在电容元件两端的电压和电容量C ，与通过电容的电流无关，所以电容元件中通过的电流为零时，其储能不一定等于零。 2、此电感元件的直流等效电路模型是一个阻值等于12/3=4Ω的电阻元件。 3、根据dt di L u =L 可知，直流电路中通过电感元件中的电流恒定不变，因此电感元件两端无自感电压，有电流无电压类似于电路短路时的情况，由此得出电感元件在直流情况下相当于短路；根据 图1-5检验题4电路图 U 3
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2 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++＝
《电子技术基础》练习题库
《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.
(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性
电工学电子技术课后答案第六版秦曾煌
第14章 晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系 晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下： C B I I β≈ (1)E B C B I I I I β=+=+ C C B B I I I I ββ?= = ? 3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线： 晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线： 晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。在不同的B I 下， 输出特性曲线是一组曲线。B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域： 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。 晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。此时，B I =0，C I =CEO I 。 晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。 14．3 典型例题 例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压D U =0.7V 。
电子技术试题及答案-(
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
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第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++=
(2) )( AB Y D C B C ABD +++＝ D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4．根据下列各逻辑式， 画出逻辑图。 ①Y=（A+B ）C ； ②Y=AB+BC ； ③Y=（A+B ）（A+C ）； 5．试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。
6.如果“与”门的两个输入端中， A为信号输入端， B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时，输入信号端A的波形如图所示，试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端，则输出端Y的波形又如何？总结上述四种门电路的控制作用。
第2章 组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式，列出真值表，然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器 真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=： ①列出逻辑真值表，说明其逻辑功能； ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图； ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图； ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图； ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器
参考答案-《电工与电子技术基础(第三版)习题册》-A06-3760
第一章直流电路 一、填空题 1．电源、负载、导线和控制装置 2．通路、断路、和短路短路 3．定向移动 I A mA μA 4.某点参考点有无 5. 20V -50V -30V 6. b指向a a指向b 1.5 V 7．阻碍 R 欧姆（Ω） 8．正比反比 I=U/R 9．5A 10．0.4A 11．电能其他电功 W 焦耳 12．2 13．单位时间 14．1 15．导体发热电烙铁电吹风电熨斗 16．0.45484 17．50Ω 2Ω 18．1:2 1:1 1:1 2:1 19．4 6 7 3 20．6A 21．短路 二、判断题 1．√ 2. √ 3. √ 4. × 5. √ 6. × 7. × 8. ×9. √ 10. × 11. √ 12. × 三、选择题 1．C 2.C 3.C 4. C 5. A 6. B 7. D 8. B 9. C 10. C 11.A 12. A 四、问答题 1.答：电流热效应的利：利用电流热效应可以制成很多电器设备，如：电烙铁、电饭煲、电熨斗等。 电流热效应的弊：元器件和电气设备发热过多，不仅消耗电能，而且会加速绝缘材料的老化，严重时还会引起电气火灾。
2. “220V ”表示这个灯泡的额定电压 “40W ”表示这个灯泡的额定功率 3．答：（1）对交、直流电流应分别使用交流电流表和直流电流表测量。 （2）电流表必须串接到被测量的电路中。 （3）电流必须从电流表的正端流入负端流出。 （4）选择合适的量程。 五、计算题 1．解：（1）C 为参考点，则 U A =-3V-5V=-8V U B =-5V U C =0V U AB = U A - U B =-8V-(-5V)=-3V U BC = U B - U C =-5V U AC = U A - U C =-8V （2）以B 为参考点，则U A =-3V=-3V U B =0V U C =5V U AB = U A - U B =-3V U BC = U B - U C =0-（5）=-5V U AC = U A - U C =-3-（5）=-8V （3）从上面的结果可知：电位随着参考点的改变而改变； 电压不随参考点的改变而改变。 2．解：假设电流方向如图所示 12+103 4.510AB U IR E E I V =?=×+?=?
电子技术基础习题答案
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第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）
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电子技术实训试题库 一、填空类题 1、CW7906表示输出电压为V的稳压器。 2、在多级放大电路中，级数越多，通频带越。 3、为了有效地抑制零点漂移，常采用电路作为集成运放的前置级。 4、如图1所示放大电路，极间反馈类型为。 5、对三极管的引脚进行判别时，把万用表置于R?100Ω（或R k1 ?Ω档），把黑表笔与假定的基极引连，红表笔分别与另外两个极相连，测得其电阻值均很小，说明该管的类型为。 6、测得三极管各管脚对雪电压分别为U C=0.4V，U B=1.0V，U E=0.3V，则此三极管工作于状态。 7、在比例运算放大电路中，若闭环放大倍数A F=-3，则反馈系数F为。 8、将二进制数11011001转换为十进制数。 9、将异或门实现的函数C =改用同或门实现，其函数表达式为。 ? B A L? 10、图中画出了门电路的输入波形A、B，输出波形L、其中L对应的门电路类型为。 11、复合管的电流放大倍数β是 12、集成运放运用于时电压放大倍数趋于无穷大。 13、十进制数69转换为8421BCD码是 14、时序逻辑电路中最基本的单元一般是 15、JK触发器转化为T触发器的条件是 16、能将二进制代码转换为相应的输出信号的电路称为 17、如图所示电压跟随电路中，输入输出电阻的特点是 18、如图所示电路中已知U21=U22=20V（有效值），则U O2= 19、如图所示电路，满足深度负反馈，已知R1=100K，R2=50K=R F=2K反馈系数F=
20、74LS161是4位于一进制同步加法计算器，如图9所示连接后构成的计数器模 21、在某一振荡器中，如果反馈电路的系数F 是 0.02。那么开环放大器的放大倍数必须是 。 22、一低频小功率三极管，当I C =2mA 时，β=150，则此三极管的交流输入电阻r be = ,K Ω(精确到小数点后一位)。 23、如图所示为一晶体三极管外形，则其1脚是 极。 24、理想运算放大器的电路如图所示，u O = u i 。 25、一个全波整流电路，当输入40HZ 的正弦信号时，输入出信号的基波频率是 。 26、如图所示电路输出端Y 的最小顶表达式为 。 27、函数CD B A y +=的反函数是 。 28、逻辑函数D B B A y ?+=的最简表达式是 。 29、8421BCD 码100101110对应的十进制数是 。 30、反映D/A 转换器工作速度的指标是 。 31、晶体管和声效应管具有受控作用的器件，场效应管属于 式器件，其G 、S 的阻抗要 晶体管有B 、E 间的阻抗。 32、在调谐放大电路中，三极管集电极负载为 。为了较好地兼顾通频带和选择性，双调谐回路的耦合程度最好处于 状态。 33、将十进制（42.625）10转换成二进制数 。 34、利用对偶原则写出表达式))()()((C B C A B A B A F ++++=的对偶式 F '= 。 35、时序逻辑电路按工作方式可分为 和 。 36、正弦波振荡电路振幅平衡条件是 ，相位平衡条件是 。 用CMOS 或非门实现反相器功能时，或非门的多余端应接 。 37、文氏桥式正弦波振荡电路如图所示，R=12K Ω，C=0.03μF ，电路满足 的条件参数时,电路方能起振；电路的振荡频率为 。
数字电子技术课后答案
数字电子技术基础答案 第1章 自测题 1.1填空题 1. 100011.11 00110101.01110101 11110.01 1E.4 2. 4 3. n 2 4. 逻辑代数 卡诺图 5.)(D C B A F += )(D C B A F +=' 6.))((C B D C B A F +++= 7. 代数法 卡诺图 8. 1 1.2判断题 1. √ 2.√ 3. × 1.3选择题 1.B 2.C 3.C 1.4 A F =1⊙B AB F =2 B A F +=3 1.5 1.6 C L = 1.7 AB C B A BC Y ++= 习题 1.1 当000012=A A A ,7A 到3A 有1个不为0时，就可以被十进制8整除 1.2 (a)AC BC AB F ++=1 （b ）B A AB F +=2 (c)C B A S ⊕⊕= AC BC AB C ++=0 1.3略 1.4 (1) ）（B A D C F ++=)(1 ))((1B A D C F ++=' (2) ）（B A B A F ++=)(2 ))((2B A B A F ++=' (3) E D C B A F =3 DE C AB F =' 3
(4) )()(4D A B A C E A F +++=）（ ))()((4D A C AB E A F +++=' 1.5 C B A F ⊕⊕= 1.6 (1) B A C B C A L ++= (2) D B C B D C A L +++= (3) AD L = (4) E ABCD L = (5) 0=L 1.7 C B A BC A C AB ABC C B A L +++=),,( 1.8(1) ABD D A C F ++=1 (2) BC AB AC F ++=2 (3) C A B A B A F ++=3 (有多个答案) (4) C B D C AB C A CD F +++=4 (5) C B A ABD C B A D B A F +++=5 (6) 16=F 1.9 (1) AD D C B B A F ++=1 (2) B A AC F +=2 (3) D A D B C B F ++=3 (4) B C F +=4 1.10 (1) C A B F +=1 (2) B C F +=2 (3) D A B C F ++=3 (4) C B A D B D C F ++=4 1.11 C A B A D F ++= 1.12 (1) D B A D C A D C B F ++=1（多种答案） (2) C B BCD D C D B F +++=2 (3) C B C A D C F ++=3 (4) A B F +=4 (5) BD D B F +=5 (6) C B D A D C A F ++=6（多种答案） (7) C A D B F +=7（多种答案） (8) BC D B F +=8（多种答案） (9) B D C F +=9 1.13 略 第2章 自测题 2.1 判断题 1. √ 2. √ 3. × 4. √ 5. √ 6. √ 7. × 8. √ 9. × 10√ 2.2 选择题 1．A B 2．C D 3．A 4．B 5．B 6．A B D 7．C 8．A C D 9．A C D 10.B 习题 2.1解：ABC Y =1
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电工电子技术试题库 一、单项选择题 1.硅稳压管的工作状态是(D) A.正向导通 B.正向击穿 C.反向截止 D.反向击穿 2.要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（C ） A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 3．下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( C ) A．仅自由电子是载流子B．仅空穴是载流子 C．自由电子和空穴都是载流子D．三价杂质离子也是载流子 4．理想运算放大器的两个基本特点是( C ) A．虚地与虚断B．虚短与虚地 C．虚短与虚断D．断路与短路 5．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（ B ） A．P型半导体，其少子为自由电子B．N型半导体，其多子为自由电子C．P型半导体，其少子为空穴D．N型半导体，其多子为空穴 6．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U O为（ B ） A．3V B．10V C．-3V D．-10V 7．关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（ B ） A．基区很薄B．基区掺杂浓度最高 C．发射区掺杂浓度最高D．发射结的结面积小于集电结的结面积8．测得某放大电路中的三极管，各管脚电位如题4图所示，则可判定该管为（ D ） A．锗管①为b极 B．硅管③为c极 C．锗管②为e极 D．硅管③为b极 9．放大电路如题7图所示，该电路引入了交直流（ B ） A．电流并联负反馈
B．电流串联负反馈 C．电压并联负反馈 D．电压串联负反馈 10.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为( B ) R A.-10V B.-4V C.+6V D.+10V 11.NPN型三极管处在放大状态时，各电极的电位关系是( D ) A.E极电位最高，C极电位最低 B.E极电位最高，B极电位最低 C.C极电位最高，B极电位最低 D.C极电位最高，E极电位最低 12.若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈组态为( C ) A.电流串联 B.电流并联 C.电压串联 D.电压并联 13.要降低放大电路输入电阻，可引入(D) A.电压负反馈 B.电流负反馈 C.串联负反馈 D.并联负反馈 14.共射极放大电路直流负载线由(C) A.电流放大系数β确定 B.基极电阻Rb与电源Ucc确定 C.集电极电阻Rc与电源Ucc确定 D.负载电阻RL确定 =++等价于(B) 15.函数Y A B C A.Y=ABC B. C = ? B A Y? =++ C.Y=AB+C D. Y A B C 16.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为( C ) A.F=ABC B.F=A+B+C C.F=ABC D.F=A+B+C 17．下列逻辑式中，正确的逻辑公式是( D ) A．AA A AA= =B．1 C．AA A AA= =D．0
最新电子技术习题答案
第6章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题 1．变压器的主要功能有 电压 变换、 电流 变换和 阻抗 变换。 2．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的 反向击穿 区。 3．稳压管是利用反向击穿 特性来稳压的，正向 也可以 稳压。 4．在电子线路和自动控制系统中，常需要稳定的直流电压，直流稳压电源主要由 变压 、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。 5．电路如图1所示，二极管为理想元件，已知交流电压表V 1的读数为100V ，负载电阻R L =1 k Ω，开关S 断开时直流电压表V 2 = 45V ，电流表A= 45mA ；开关S 闭合时直流电压表V 2 = 90V ，电流表A= 90mA 。 图1 二、选择题 1．要得到P 型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ A ）。 A ．三价元素 B ．四价元素 C ．五价元素 D ．六价元素 2．稳压管电路如图2所示，稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =，Z2D 的稳定电压为 26V Z U =，则电压0U 等于（ C ）。 A ．12 V B ．20 V C ．6 V D ．0 V 图2 图3 3．理想二极管构成的电路如图3所示，则输出电压0U 等于（ A ） A ．8 V B .- 6 V C .2 V D .14 V
4．在整流电路中，设整流电路的输出电流平均值为o I ，如果流过每只二极管的电流平均值D o /2I I =，每只二极管的最高反压为2U ，则这种电路是（ A ） A ．单相桥式整流电路 B ．单相全波整流电路 C ．单相半波整流电路 D ．单相半波整流电容滤波电路 5．稳压管电路如图4所示，稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =，Z2D 的稳定电压为 26V Z U =，则电压0U 等于（ C ） A ．12 V B ．20 V C ．6 V D ．0 V 图4 图5 6．整流电路如图5所示，输出电压平均值0U 是18V ，若因故一只二极管损坏而断开， 则输出电压平均值0U 是（ A ） A ．9 V B ．20 V C ．40 V D ．10 V 三、计算题 1．电路如图6所示，设S V U =6，i sin V u t ω=12，分别画出输出电压01U 和02U 的波形。二极管正向压降忽略不计。 图6 解：
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电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（） A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S － T U U I D. 1 e S － T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为（）。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不