现代半导体器件物理复习题

半导体器件物理复习题

1．简述Schrodinger 波动方程的物理意义及求解边界条件。

2．简述隧道效应的基本原理。

3．什么是半导体的直接带隙和间接带隙。

4．什么是Fermi-Dirac 概率函数和Fermi 能级，写出n(E) 、p(E) 与态密度和Fermi 概率函数的关系。

5．什么是本征Ferm 能级？在什么条件下，本征Ferm 能级处于中间能带上。

6．简述硅半导体中电子漂移速度与外加电场的关系。

7．简述Hall 效应基本原理。解释为什么Hall 电压极性跟半导体类型( N 型或P 型) 有关。

8．定性解释低注入下的剩余载流子寿命。

9．一个剩余电子和空穴脉冲在外加电场下会如何运动，为什么？

10．当半导体中一种类型的剩余载流子浓度突然产生时，半导体内的净电荷密度如何变化？为什么？

11．什么是内建电势？它是如何保持热平衡的？

12．解释p-n 结内空间电荷区的形成机理及空间电荷区宽度与外施电压的关系。

13．什么是突变结和线性剃度结。

14．分别写出p-n 结内剩余少子在正偏和反偏下的边界条件。

15．简述扩散电容的物理机理。

16．叙述产生电流和复合电流产生的物理机制。

17．什么理想肖特基势垒？用能带图说明肖特基势垒降低效应。

18．画出隧道结的能带图。说明为什么是欧姆接触。

19．描述npn三极管在前向有源模式偏置下的载流子输运过程。

20．描述双极晶体管在饱和与截止之间开关时的响应情况。

21．画出一个n-型衬底的MOS 电容在积聚、耗尽和反型模式下的能带图。

22．什么是平带电压和阈值电压

23．简要说明p-沟道器件的增强和耗尽型模式。

24．概述MESFET 的工作原理。

25．结合隧道二极管的I-V 特性，简述其负微分电阻区的产生机理。

26．什么是短沟道效应？阐述短沟道效应产生的原因及减少短沟道效应的方法。

短沟道效应( shortchanneleffect )：当金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管( MOSFE)T 的沟道长度L 缩短到可与源和漏耗尽层宽度之和(WS WD)相比拟时，器件将发生偏离长沟道 (也即L 远大于WSW D)的行为，这种因沟道长度缩短而发生的对器件特性的影响，通常称为短沟道效应。由于短沟道效应使MOSFET的性能变坏且工作复杂化，所以人们希望消除或

减小这个效应，力图实现在物理上是短沟道的器件，而在电学上仍有长沟道器件的特性。

当器件尺寸缩减时,必须将短沟道效应降至最低程度,以确保正常的器件特性及电路工作在器件按比例缩小设计时需要一些准则，一个简要维持长沟道特性的方法为将所有的尺寸及电压，除上一按比例缩小因素К (> 1)，如此内部电场将保持如同长沟道MOSFET 一般，此方法称为定电场按比例缩小(constant-field scaling) [

随器件尺寸的缩减，其电路性能(速度以及导通时的功率损耗)得到加强§．然而，在实际的IC 制作中，较小器件的内部电场往往被迫增加而很难保持固定．这主要是因为一些电压因子( 如电源供

电、阈值电压等）无法任意缩减．由于亚阈值摆幅是无法按比例缩小的，所以，假若阈值电压过低，则关闭态（ off state ）（V G=0 ）的漏电流将会显著增加，

因此，待机功率（standby power）损耗亦将随之上升[12]．通过按比例缩小规范，

方能制造出拥有沟道长度短至20nm、非常高的跨导（>1000ms／mn）以及合理的亚阈值摆幅（约120mV／decade）[13]的MOSFE．T

27．简述闩锁效应产生的原因及减少闩锁效应的方法。

28．什么是分布式反转? 说明分布式反转产生的条件.

29．如果一个晶体平面在直角坐标下的坐标分别为2a、3a和4a，其中a 为晶格常数，试求晶体平面的Miller 指数。

30．在室温下（300K ）硅和砷化镓半导体价带中的有效态密度分别为 2.66×1019cm-3和7×1018 cm-3, 试求空穴的有效质量。

31．在半导体中存在两种散射机理。如果只有第一种散射存在，电子迁移率为250 cm2/V-s 。如果只有第二种散射存在，电子迁移率为500 cm2/V-s。试求两种散射同时存在时的电

子迁移率。

32．已知半导体的施主掺杂浓度为N D （N D》n i），电阻为R1。如果该半导体的受主掺杂浓度为N A, 则电阻为0.5 R1。如果D n/D p=50，试求N A 和N D的关系。

33．一种n型半导体的剩余载流子空穴的浓度为1014 cm-3和，半导体内及表面的少子寿命分别为10-6 s和10-7 s，假设无外施电场且D p=10 cm2/s。试确定从半导体表面处（x=0）开

始的剩余载流子浓度随距离变化的函数。

34．一个扩散形成的线性缓变Si p-n结在p端的杂质浓度梯度a=1019 cm-4，在n-端的均匀掺杂浓度为3×1014 cm-3。如果在零偏下p 端的耗尽层宽度为0.8μm，试求零偏下的总耗尽层宽度、内建电势

和最大电场。

35．一个硅p-n-p 晶体管发射区、基区和集电区的杂质浓度分别为5×1018、2×1017和1016 cm-3。基区宽度为1.0μm，器件截面积为0.2 mm2。当射-基结前向偏置为0.5V，基-

集电结反向偏置为0.5V，试计算：a）中性区宽度。b）射-基结的少子浓度。

36．对于一个d=5 nm 和N A=1017 cm-3的理想Si-SiO 2 MOS 二极管, 求使得硅表面为本征性的界面处的外施电压和电场。

37．设一长沟道MOSFET 的参数如下：

16 -3 2 -7 2

L=1μm, Z=10 μm, N A=5×1016 cm-3, μn=800 cm 2/V-s, C o=3.45×10-7 F/cm 2, VT=0.7V 求V G=5V 时的V D sat和I D sat。

38．假设势垒高度为0.8 eV，N D=1.5×1016 cm-3, qχ=4.01 eV ，计算一个理想金属-硅肖特基势垒接触时的V bi 和Φ m。

39．1）从物理上解释在反偏p-n 结中扩散电容不重要的原因。2）对于Si,Ge 和GaAs 的p-n 结，如果其二极管在正向偏置下的总电流密度相同，讨论电子和空穴电流密度值。

40．如果一个硅突变结两边的施主浓度和受主浓度相等，1）根据临界电场和掺杂浓度推导击穿电压表达式。2）如果击穿电压V B＝50V，确定容许掺杂浓度范围。

41．概略画出简并掺杂正向偏置pn结的能带图，并说明分布反转发生的条件。

42．什么是负微分电阻？简述负微分电阻区产生的条件及其对器件速度的影响。

8 说出空间电荷区边缘少子浓度的边界条件。

当p 区相对于n 区加正电压时，pn 结内的势垒降低了。热平衡状态时扩散力与电场力的精确平衡被打乱了。阻止多数载流子穿越空间电荷区的电场被削弱；n 区内的多姿电子被注入到p 区，而p 区内的多子空穴被注入到n 区。值要外加偏压Va 存在，穿越空间电荷区的载流子注入就一直持续，pn 结就形成了一股电流。由于采用小注入假设，多子浓度基本保持不变。少子浓度会偏离热平衡值好几个数量级，也就说，形成了过剩少子。

9 短沟道效应：随着沟道长度减小，沟道区中由栅压控制的电荷将变小。随着漏电压的增大，漏端的反

偏空间电荷区会更严重地延伸到沟道区，从而栅压控制的体电荷变得更少，阈值电压向负方向偏移，从而使得n 沟道MOSFET 向耗尽模式转变。

10 描述双极晶体管的击穿机制。双极性晶体管中，有两种击穿机制。第一种称为穿通。随着反偏B-C 结

电压的增加，B-C 空间电荷区宽度扩展进中性区。B-C 结耗尽区穿通基区而到达B-E 结，这种现象称为穿通。

当B-C 结电压较小时，B-E 结势垒还未受到影响；于是晶体管的电流几乎还是为零。当反偏电压VR2 较大时，耗尽区向基区扩散，B-E 结势垒由于B-C 结电压而降低。B-E 结势垒的降低会使得B-C 结电压的微小变化，电流会有很大变化。这种现象称为穿通击穿现象。

第二种击穿机制为雪崩击穿，但是需要考虑晶体管的增益。反偏B-C 结电流的一部分是由从集电区流向基区中的空穴形成的。进入基区的空穴流使基区相对于发射区显正电性，从而使B-E 结正偏。正偏的B-

E 结产生电流，从发射区注入倒基区中的电子电流是其主要部分。注入的电子越过基区想B-C 结扩散。

这些电子会遇到双极性晶体管中所有可能的复合过程。当电子到达B-C 结时，其电流成分为α倍的晶体管电流。当晶体管偏置在基极开路模式时，反偏结电流倍放大了β倍。

1. 电荷贮存效应

当pn 结外加正偏电压时，载流子向空间电荷区注入，致使p 区和n 区内均存在过剩少数载流子，，空间电荷区边缘处的过剩少子浓度由正偏pn 结电压维持。当外加电压由正偏变为反

偏时，空间电荷区边缘处的过剩少子浓度开始衰减，pn 结内存储的过剩少数载流子被移走，即电容放电，这种效应叫电荷贮存效应。

2. 电流集边效应

基区存在一横向电压降，导致发射区下面存在横向电势差，随着基区中从边缘到中心的横向电压降，相对于中心，会有较多的电子从边缘注入，从而使发射极电流集中在边缘，这种效应叫发射极电流集边效应，或基区电阻自偏压效应。为避免这种效应，晶体管的发射极应设计的较窄，并做成交叉结构。

3. JFET 工作原理在正常工作条件下，反向偏压加于栅极，使得pn 结空间电荷区向沟道内部扩展，沟道宽度

变窄，沟道电阻增加，这样源和漏极之间流过的电流就可以由栅压调制，这就是JFET 的工作原理。

4. MOSFET 的工作原理

MOSFET 中的电流是由反型层载流子在源漏之间的流动形成的。通过调节栅源电压来控制反型层厚度，进而调节反型层电荷密度和沟道电导，当晶体管偏置在非饱和区时，漏电流是栅源电压和漏源电压的函数；当晶体管偏置在饱和区时，漏电流仅受栅源电压影响。这就是MOSFET 的工作原理。

5. MESFET 的工作原理在栅源极之间加一电压，可以调节金属栅极下面的空间电荷区宽度，进而调节沟道电导，这样，源和漏极之间流过的电流就可以由栅压控制。这就是MESFET 的工作原理。

6. 亚阈值特性

在MOSFET 中当栅源电压小于阈值电压时，晶体管被偏置在弱反型模式下，由于亚阈值电导而产生一个较明显的静态偏置电流，即漏电流不为零，漏电流由扩散机制而非漂移机制控制。这种特性称为亚阈值特性。亚阈值电流特点：a 由扩散机制而非漂移机制控制b 衬底浓度不同，亚阈值电流不同。

7. 沟道长度调制效应

当MOSFET 工作于饱和区时，由于漏极处的耗尽区进入了沟道区，有效沟道长度会随着漏电压的增大而减小。漏电流与沟道长度成反比，称为漏源电压的函数。该效应称为沟道长度调制效应。

8. 短沟道效应

对于短沟道MOSFET 器件，随着漏电压的增大，源漏空间电荷区会严重的延伸到沟道区，致使有效沟道长度变

短，栅压控制的体电荷减少，从而造成阈值电压的偏移。这种效应称为短沟道效应。

9. 窄沟道效应

对于MOSFET ，在沟道宽度的两侧有一个附加的空间电荷区，这些附加的电荷受栅压控制，应算到总体电荷中。随着沟道宽度的减小，边缘空间电荷区的影响变的显著，致使阈值电压发生偏移，这种效应称为窄沟道效应。

10. 基区宽度调制效应，又称厄尔利效应

对于双极晶体管，随着B-C 结反偏电压的增加，B-C 结空间电荷区宽度增加，以致扩展进基区，使得基区宽度减小。基区宽度的变化使得勺子浓度梯度发生变化，从而引起集电极电流发生变化，这种效应称为——11. 外加正偏电压的pn 结内电荷穿过空间电荷区电流的机制

当pn 结外加正偏电压时，pn 结内的势垒降低了，所有的压降几乎都落在pn 结区域，外加电场方向与空间电荷区热平衡电场方向相反，所以空间电荷区的净电场要低于热平衡值，阻止多数载流子穿越空间电荷区的电场被削弱，n 区内的多子电子被注入到p 区，p 区内的多子空穴被注入到n 区。只要外加偏压存在，这种多子注入就一直持续，pn 结内就形成了一股电流。

12. pn 结空间电荷区的形成过程

两区接触后，由于存在浓度差，结面附近的空穴从浓度高的p区向浓度低的n 区扩散，留下带负电的电离受主杂质，使得结面p 区一侧出现负的空间电荷；同样，结面附近的电子从浓度高的n 区向浓度低的p 区扩散，使得结面n 区一侧出现正的空间电荷。由此产生扩散电流，方向从p 区指向n 区，并形成空间电荷区，空间电荷区的电场为内建电场，方向由n 区指向p 区，这个电场使空穴和电子发生漂移运动，产生漂移电流，方向与扩散电流相反。随着扩散的进行，空间电荷区逐渐变宽，内建电场逐渐增强，漂移电流也逐渐增大。当漂移电流等于扩散电流时，流过pn 结的净电流为零，达到平衡状态，此时空间电荷区和内建电场强度也达到一个稳定值。

13. 发射区禁带变窄随着发射区浓度对基区掺杂浓度比值的增加，发射极注入效率会增加并接近于1.随着硅变得重掺杂，n 型发射区中的分立施主能级会分裂为一组能带。随杂质施主原子浓度的增加，施主原子的距离变小。随着掺杂浓度的持续增加，施主能带变宽，变得倾斜，向导带移动，并最终和它合并在一起，此时，有效禁带宽度减小，这种效应称为发射区禁带变窄。

14. 大注入效应

当电压VBE 很大时，发射区注入到基区的载流子多于基区的多子浓度，由于电中性，在基区靠近发射区边缘处多子浓度大量增加，使得基区扩散到发射区的电流增大，导致发射区的注入系数减小，这种效应称为大注入效应

第12 章金属- 氧化物-半导体场效应晶体管概念的深入热电子：由于在高场强中被加速，能量远大于热平衡时的值的电子。轻掺杂漏（LDD ）：为了减少电压击穿效应，在紧临沟道处制造一轻掺杂漏区的MOSFET 。

窄沟道效应：沟道宽度变窄后阈值电压的偏移。

源漏穿通：由于漏-源电压引起的源极和衬底之间的势垒高度降低，从而导致漏电流的迅速增大。寄生晶体管击穿：寄生双极晶体管中电流增益的改变而引起的MOSFET 击穿过程中出线的负阻效应。亚阈值导电：当晶体管栅偏置电压低于阈值反型点时，MOSFET 中的导电过程。

什么是亚阈值电导？它对MOSFET 的I-V 特性有什么影响？

是指在MOSFET 中当栅－源电压小于阈值电压时漏电流不为零。这种情况下，晶体管被偏置弱反型模式下，漏电流由扩散机制而非漂移机制控制。亚阈值电导会使I-V 曲线在VT 时不满足线性关系。

表面散射：当载流子在源极和漏极漂移时，氧化层-半导体界面处载流子的电场吸引作用和库仑排斥作用。

阈值调整：通过离子注入改变半导体掺杂浓度，从而改变阈值电压的过程。

分析当mos 管反型层形成时空间电荷宽度达到最大值的原因。

Φ s=2Φ fp时。表面处的费米能级远在本征费米能级之下。表面出的电子浓度等于体内空穴浓度，该条件称为阈值反型点，锁甲的电压称为阈值电压。然而，表面电子浓度是表面势的指数函数。表面势每增加数伏特，将使电子浓度以10 的幂次方增加，但是空间电荷区宽度的变化却是微弱的。在这种情况下，空间电荷区已经达到了最大值。

第11 章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础堆积层电荷：由于热平衡载流子浓度过剩而在氧化层下面产生的电荷。体电荷效应：由于漏源电压改变而引起的沿沟道长度方向上的空间电荷宽度改变所导致的漏电流偏离理想情况。沟道电导：当VDS ->0 （漏源压）时漏电流与漏源电压之比。沟道电导调制：沟道电导随栅源电压改变的过程。

CMOS：互补MOS；将p 沟和n沟器件制作在同一芯片上的电路。截止频率：输入交流栅电流等于输出交流漏电流时的信号频率。

分别定义mos管n沟，p沟增强型和耗尽型器件。

N 沟增强型：增强的含义为氧化层下面的半导体衬底在零偏压时不是反型的。需要加正偏压才能产生电子反型层，从而把n 型源区和n 型漏区连接起来。载流子从源端流向漏端。

N 沟耗尽型：栅压为0 时氧化层下面已经存在电子反型层。

p 沟增强型：必须加负栅压才能产生空穴反型层，从而连接p 型源区和漏区。空穴从源区流向漏区，因此电流将流入源区而流出漏区

p 沟耗尽型：零栅压时空穴反型层已经存在p 沟道。

平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。描述平带电压的意义。

平带电压定义为使半导体内没有能带弯曲时所加的栅压，此时的净空间电荷为0。由于功函数差和在氧化物中

可能存在的陷阱电荷，此时穿过氧化物的电压不一定为0.

定义VDS( sat)

VDS (sat)是在漏端产生零反型层电荷密度的漏源电压。反型层电荷：氧化层下面产生的电荷，它们与半导体掺杂的类型是相反的。

描述MOS 电容器中反型层电荷的产生过程。

更大偏压时，MOS 电容的负电荷的增多表示更大的空间电荷区以及能带弯曲程度的增大，表面处的本证费米能级低于费米能级；从而，导带比价带更接近费米能级。该结果表明了与氧化物- 半导体界面相邻的半导体表面呈

现出n型半导体的特点。通过施加足够大的正栅压，半导体表面已经从p 型转化为n型了，从而产生了氧化物-

半导体界面处的电子反型层。

反型层迁移率：反型层中载流子的迁移率。最大空间电荷区宽度：阈值反型时氧化层下面的空间电荷区宽度。

金属-半导体功函数差：金属功函数和电子亲合能之差的函数，用ΦMS表示。

临界反型：当栅压接近或等于阈值电压时空间电荷区宽度的微弱改变，并且反型层电荷密度等于掺杂浓度时的情形。

栅氧化层电容：氧化层介电常数与氧化层厚度之比，表示的是单位面积的电容记为Cox 。

饱和：在漏端反型电荷密度为零且漏电流不再是漏源电压的函数的情形。

强反型：反型电荷密度大于掺杂浓度时的情形。阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。

阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。

定义阈值电压。

阈值电压定义为达到阈值反型点时所需的栅压。阈值反型点的定义是，对于p 型器件当表面势Φs=2Φfp 时或对于n 型器件当表面势Φs=2Φfn的器件状态。

跨导：漏电流的改变量与其对应的栅压改变量之比。弱反型：反型电荷密度小于掺杂浓度时的情形。

第10 章双极性二极管

縱ㄨī 发表于2008 年06 月17 日01:22 阅读(12) 评论(0) 分类：器件资料举报

α截止频率：共基极电流增益幅值变为其低频值的1/ 根号二时的频率，就是截止频率。

禁带变窄：随着发射区重掺杂，禁带的宽度减少。

基区渡越时间：少子通过中性基区所用的时间。基区输运系数：共基极电流增益中的一个系数，体现了中性基区中载流子的复合。基区宽度调制效应：随C-E 结电压或C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。β截止频率：共发射极电流增益幅值下降到其频率的1/ 根号二时的频率。解释限制电流增益的各种因素的物理机理。

发射极注入效率γ考:虑了发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响。该电流是发射极电流的一部分，但是它对晶体管的工作没有作用，因为Ipe 不是集电极电流的一部分。

基区输运系数αT考虑了基区中过剩少子电子的复合影响。理想情况下，我们希望基区中没有复合。复合系数δ考虑了正偏B-E 结中的复合影响。电流JR 对发射极电流有贡献，但是对集电结电流没有贡献共基极电流增益是发射极注入效率系数，基极输运系数，复合系数的乘积。它反应了集电极电流与法发射极电流之比

共发射极电流增益为β=α(/α-1 ) 集电结电容充电时间：随发射极电流变化，B-C 结空间电荷区和集电区-衬底结空间电荷区宽度发生变化的时间常数。

集电结耗尽区渡越时间：载流子被扫过B-C 结空间电荷区所需的时间。共基极电流增益：集电极电流与发射机电流之比。共发射极电流增益：集电极电流与基极电流之比。电流集边：基极串联电阻的横向压降使得发射结电流为非均匀值。截止：晶体管两个结均加零偏或反偏时，晶体管电流为零的工作状态。

截止频率：共发射极电流增益幅值为 1 时的频率。

E-B 结电容充电时间：发射极电流的变化引起B-E 结空间电荷区宽度变化所需的时间。发射极注入效率系数：共基极电流增益的一个系数，描述了载流子从基区向发射区的注入。输出电导：集电极电流对C-E 两端电压的微分之比。

第8 章pn 结二极管

縱ㄨī 发表于2008 年06 月17日01:22 阅读(15) 评论(0) 分类：器件资料举报

雪崩击穿：电子和(或)空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内源自的电子发生碰撞产生电子-空穴对，

在pn 结内形成一股很大的反偏电流，这个过程称为雪崩击穿。

描述pn 结的雪崩击穿的机制。

在重掺杂pn 结内，当电子和空穴穿越空间电荷区时，由于电场的作用，它们的能量会增加。当他们的能量大到一定程度并与耗尽区原子内的电子发生碰撞时，便会产生新的电子-空穴对。新的电子与空穴又撞击其

他原子内的电子，于是就发生了雪崩效应，此时的击穿称为雪崩击穿。

载流子注入：外加反偏电压时，pn结体内载流子穿过空间电荷区进入p区或n区的过程。临界电场：发生击穿时pn 结空间电荷区的最大电场强度。

扩散电容：正偏pn 结由于少子的存储效应而形成的电容。

描述什么是扩散电阻与电容。

二极管外加直流正偏电压上叠加一个小的低频正弦电压，则直流电流上就产生了叠加小信号正弦电流。正弦电流与电压的比值称为增量电导。当正弦电压与电流无限小时，小信号增量电导就是直流电流- 电压的斜

率。增量电导的倒数即为增量电阻增量电阻又称为扩散电阻。假设交流电压的周期大于载流子扩散到n 区所用的时间，那么空穴浓度相对于距离的函数就可以堪称是一个稳态分布。在不同时态的稳态浓度分布，总的效果可看做在交流电压的周期内轮流充放电荷的过程，这个过程产生了电流，称为扩散电容。正偏pn 结的扩散电容比其势垒电容要大的多。

扩散电导：正偏pn 结的低频小信号正弦电流与电压的比值。

正偏：p 区相对于n 区加正电压。此时结两侧的电势差要低于热平衡时的值。

产生电流：pn 结空间电荷区由于电子-空穴对热产生效应形成的反偏电流。复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn 结电流。

描述pn 结内的产生与复合电流。实际中，由于反偏空间电荷区的电子浓度与空穴浓度为零，复合中心能级产生了电子与空穴，这些电子与空穴试图重新建立热平衡。电子与空穴一经产生，就被电场扫出空间电荷区。电荷流动方向为反偏电流方向。由空间电荷区电子与空穴的产生所引起的反偏产生电流密度不再与反偏电压无关。

当pn 结外加正偏电压时，电子与空穴会穿过空间电荷区注入倒相应的区域，空间电荷区有过剩载流子。因此电子与空穴在穿越空间电荷区时有可能发生复合，并不称为少子分布的一部分。

长二极管：电中性p 区与n 区的长度大于少子扩散长度的二极管。反偏饱和电流：pn 结体内的理想反向电流。

短二极管：电中性p 区与n 区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的pn 结二极管。描述短二极管的特点。

Wn 长度远小于少子的扩散长度Lnp ，则短二极管的扩散电流密度要远大于场二极管的扩散电流密度。此外，由于n 区内少子的浓度近似为距离的线性函数，因此少子扩散电流密度为常量。电流恒定就意味着短区内的少子不存在复合过程。描述pn 结的关瞬态。

起初pn 结外加正向偏压，t=0 时，将转换外加偏压。P 区与n 区内均存在过剩少数载流子，空间电荷区边缘处的过剩少子浓度由正偏pn 结电压Va 维持。当外加电压由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘处的少子浓度就不能再维持，于是他们开始衰减。空间电荷区边缘处少子浓度的快速衰减形成了很大的浓度梯度，于是电流方向就会变成反偏方向。

存储时间：当pn 结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变为零所用的时间。

第7 章pn 结

縱ㄨī 发表于2008 年06 月17 日01:21 阅读(5) 评论(0) 分类：器件资料举报

突变结近似：每个掺杂区的杂质浓度是均匀分布的，在交界面处，杂质的浓度有一个突然的跃变。内建电势场，内建电势差：热平衡状态下P区与N 区静电电势差。由于两区的浓度都有一个很大的梯度，空穴和电子分别向各自区域扩散，最终带正电的施主离子留在n 区，带负电的受主离子留在P 区，在冶金

结附近感生出了一个内建电场，方向由n 区指向P 区。n 区导带内电子在试图进入P区导带时遇到了一个势垒，这个电子所遇到的势垒称为内建电势差空间电荷区(耗尽区) ：半导体内部净正电荷与净负电荷区域。在内建电场的作用下，空间电荷区不存在可移动的电子和空穴，所以又叫耗尽区。描述空间电荷区是怎样形成的。起初，在冶金结所处的位置，电子与空穴的浓度都有一个很大的浓度梯度。由于两边的载流子浓度不同，n 区的多子电子向p 区扩散，p 区的多子空穴想n 区扩散。随着电子由n 区向p 区扩散，带正电的施主离子被留在了n区。同样，随着空穴由p区向n区扩散，p区由于存在带负电的受主离子而带负电。n区与p区的净正电荷与负电荷在冶金结附近感生出了一个内建电场，方向是由正电荷区指向负电荷区，也就是由n 区指向p 区。半导体内部净正电荷与净负电荷区域叫空间电荷区。描述当pn 结外加反偏电压时空间电荷区参数有什么变化。

外加反偏电压时总电势差Vtotal=| ΦFn|+| ΦFp|+V变R 大。空间电荷区内的电场增强。正负电荷数量随之增加，空间电荷区宽度增大。

给出势垒电容的定义并做出解释。

因为耗尽区内的正电荷与负电荷在空间上是分离的，所以pn 结就具有了电容的充放电效应。反偏电压增量会在n 区内形成额外的正电荷，同时在p 区内形成额外的负电荷即电荷增量，就相当于电容。线性缓变结：冶金结附近的净P（n）型掺杂浓度近似为冶金结位置为起点的距离的线性函数，具有这种有效掺杂浓度曲线的pn 结称为线性缓变结。

描述线性缓变结是怎样形成的。

因为实际pn结中，掺杂浓度不均匀，所以耗尽区会从冶金结所在的位置向p区与n区内延伸。冶金结附近的净p 型掺杂浓度近似为以冶金结位置为起点的距离的线性函数。同样，净n 型掺杂浓度也近似为以冶金

结所在位置为起点，想n 区内延伸的距离的线性函数。具有这种有效掺杂浓度曲线的pn结就称为线性缓变结。

超突变结：一种为了实现特殊电容特性而进行冶金结处高掺杂的pn 结，其特点围pn 结一侧的掺杂浓度由

冶金结处开始下降。

单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn 结。

描述单边突变结的特性与属性。

若Na>>Nd 则这种结称为p+n 结。考虑倒Xp>>Xn 并且W=Xn 几乎所有的空间电荷层均匀扩展倒pn 结轻掺杂的区域。单边突变结的耗尽层电容是低掺杂区掺杂浓度德尔函数，电容的倒数的平方是外加反偏电压的线性函数。

反偏：pn结的n区对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。描述外加反偏电压的pn 结内电荷穿过空间电荷区流动的机制。

外加反偏电压时，n 区相对于p 区内的电势为正，所以n 区内的费米能级要低于p 区内的费米能级，总势垒要高于零偏压下的势垒。曾加了的势垒高度继续组织电子与空穴的流动，因此pn 结内基本上没有电荷的流动，也就是基本没有电流。

24 提高注入效应的方法

縱ㄨī 发表于2008 年06 月17 日01:18 阅读（2）评论（0）分类：器件资料举报

24 提高注入效应的方法：

1）降低Wb 方法好，但受到工艺的影响Wb 的大小：双扩散>双离子注入>分子束外延。2）增大Nde 由于受到禁带窄化的影响不能无限增大，有个最佳浓度5*1019 。3）减小Na会提高BJT 的基极电阻，使BJT

性能变差。4）增大We提高这项会影响BJT 的频率特性会提高渡越时间

25 光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件

26 发光二极管：

利用半导体PN 结或类似的结构把电能转化为光能的器件称为

雪崩光电二极管是利用PN 结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管

27 发射激光需具备三个基本条件：要产生足够的粒子数反转分布，即高能态的粒子数足够地大于低能态的粒子数。要有一个合适的谐振腔能起到反馈作用，使激射光子增生，从而产生激光振荡。要满足一定的阿阈值条件，以使光子增益大于或等于光子损失。

20 速度饱和

縱ㄨī 发表于2008 年06 月17 日01:18 阅读(3) 评论(0) 分类：器件资料举报

20 速度饱和：

在长沟MOSFET ，迁移率是常数，随着电场的增大，漂移速度将无限地增加，在这种理想情况下，载流子速度会一直增

加，直到到达理想的电流，然而我们可以看到在增大电场时，载流子速度会出现饱和。

21 弹道疏运：

如果沟道长度继续减小到L<1 时，载流子中的一大部分可以不经过散射就能从源端到达漏端，这种载流子的运动称为弹道疏运

22 双击晶体管的基本工作原理：是在器件的两个端点之间加上电压，从而控制第三端的电流。有4 中工作状态：正向有源、相有源、饱和、截止。

23 耗尽层近似：认为空间电荷区内载流子全部耗尽，离化的杂质中心提供空间电荷空间电荷的分布在边界上突变过渡到零

15 雪崩击穿

縱ㄨī发表于2008 年06 月17日01:17 阅读(10) 评论(0) 分类：器件资料

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15 雪崩击穿：电子和(或)空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子-空穴对，在pn 结内

形成一股很大的反偏电流，这个过程称为雪崩击穿。 (条件：电场足够强能产生碰撞电离，W 足够宽能引起倍增效应) 16 齐纳击穿：

在重掺杂pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与假带离的很近，以至于电子可以由p 区的假带直接遂穿到n 区的导带

17 电导调制效应：

大注入时，扩散区过剩载流子密度增加到同平衡可以比拟时，那么过剩载流子对电导的贡献变得不可忽略，电导率相对于平衡态明显增加。

18 沟道长度调制效应：

当MOSFET 工作于饱和区时，由于漏极处的耗尽区进入了沟道区，有效沟道长度会随着漏电压的增大而减小，漏电流与沟道长度成反比，成为漏－源电压的函数。该效应称为～

19 沟道迁移率的变化：

以n 沟道器件为例，反型层电荷是由垂直电场产生的，正栅压在反型层电子上产生一股力量将之推向半导体表面。随着电子穿过沟道移向漏端他们将被表面吸引，但是随后将由于库仑力而被排斥，该效应被称为表面散射。表面散射效应降低了迁移率。如果在氧化层－半导体界面附近存在正的固定氧化层电荷，那么由于附加库仑力的相互作用，迁移率将进一步降低。

11 大注入效应

縱ㄨī 发表于2008 年06 月17 日01:16 阅读(11) 评论(0) 分类：器件资料举报

11 大注入效应：

双极型晶体管随着VBE 的增加，注入的少子浓度开始接近，甚至变得比多子浓度还要大。影响：发射极注入效率会降低；基区中过剩少子浓度和集电极随着BE 结电压增大的速率变慢。

12 发射极禁带变窄效应：

对于npn 双极型晶体管，随着硅变得重掺杂，n 型发射区的分立施主能级会分裂为一组能带。随杂质施主原子浓度的增加，施主原子的距离变小。施主能级的分裂是由于施主原子之间的相互作用。随掺杂浓度的持续增加，施主能带变宽，变得倾斜，向导带移动，并最终同它合并在一起，此时有效禁带宽度减小，这种效应叫发射极禁带变窄效应。

13 电流集边效应：双极型晶体管的基极电阻导致发射区下面存在横向电势差，随着基区中从边缘到中心的横向电压降，相对于中心会有较多的电子从边缘注入，从而使发射极电流集中在边缘，这种效应叫电流集边效应。导致：局部过热，局部的大注入效应.

14 穿通：

双极型晶体管，随着反偏B—C结电压的增加，B—C 空间电荷区宽度扩展进中性基区中，B—C结耗尽区穿透基区到达B —E 结，这种现象称为穿通。

縱ㄨī 发表于2008 年06 月17日01:16 阅读(15) 评论(0) 分类：器件资料举报

8 说出空间电荷区边缘少子浓度的边界条件。

当p 区相对于n区加正电压时，pn结内的势垒降低了。热平衡状态时扩散力与电场力的精确平衡被打乱了。阻止多数载流子穿越空间电荷区的电场被削弱；n区内的多姿电子被注入到p区，而p区内的多子空穴被注入到n 区。值要外加偏压Va存在，穿越空间电荷区的载流子注入就一直持续，pn 结就形成了一股电流。由于采用小注入假设，多子浓度基本保持不变。少子浓度会偏离热平衡值好几个数量级，也就说，形成了过剩少子。

9 短沟道效应：随着沟道长度减小，沟道区中由栅压控制的电荷将变小。随着漏电压的增大，漏端的反偏空间电荷区会更严重地延伸到沟道区，从而栅压控制的体电荷变得更少，阈值电压向负方向偏移，从而使得n 沟道MOSFET 向耗尽模式转变。

10 描述双极晶体管的击穿机制。

双极性晶体管中，有两种击穿机制。第一种称为穿通。随着反偏B-C 结电压的增加，B-C 空间电荷区宽度扩展进中性区。B-C 结耗尽区穿通基区而到达B-E 结，这种现象称为穿通。

当B-C 结电压较小时，B-E 结势垒还未受到影响；于是晶体管的电流几乎还是为零。当反偏电压VR2 较大时，耗尽区向基区扩散，B-E 结势垒由于B-C 结电压而降低。B-E 结势垒的降低会使得B-C 结电压的微小变化，电流会有很大变化。这种现象称为穿通击穿现象。

第二种击穿机制为雪崩击穿，但是需要考虑晶体管的增益。反偏B-C 结电流的一部分是由从集电区流向基区中的空穴形成的。进入基区的空穴流使基区相对于发射区显正电性，从而使B-E 结正偏。正偏的B-E 结产生电流，从发射区注入倒基区中的电子电流是其主要部分。注入的电子越过基区想B-C 结扩散。这些电子会遇到双极性晶体管中所有可能的复合过程。当电子到达B-C 结时，其电流成分为α倍的晶体管电流。当晶体管偏置在基极开路模式时，反偏结电流倍放大了β倍。

4MOSFET 的基本工作原理：是由反型层电荷密度的调制作用体现的以n 沟增强型MOSFET 为例说明：当所加栅压VGS< 阈值电压VT 时，漏电流为零，当VGS>VT 时，沟道反型层电荷密度增大，从而增大沟道电导，gd 越大，ID——VDS 特性曲线

的斜率就越大。当VGS>VT 且VDS 较小时，随着VDS 的增大，漏端附近的氧化层压降减小，反型层电荷密度也将减小，漏端的沟道电导减小，从而ID——VDS 特性曲线的斜率减小。当VDS 增大到漏端的氧化层压降等

于VT 时，漏端的反型层电荷密度为零，漏端电导为零，ID —VDS 特性曲线的斜率为零。此时漏源电压为VDS （sat）. 当VDS>VDS（sat）时，沟道中反型电荷为零的点移向源端，这时电子从源端进入沟道，通过沟道流向漏端。在电荷为零的点处电子被注入空间电荷区，并被电场扫出源端，ID —VDS 特性曲线进入饱和区，ID 为一常数。

5 基区宽度调制效应:

随着B—C 结反偏电压的增加，B—C 结空间电荷区宽度增加，使得中性基区宽度XB 减小，中性基区宽度的变化使得集电极电流发生变化，基区宽度的减小会使得少子浓度梯度增加，这种效应称基区宽度调制效应，又称厄尔利效应。

6 描述基区宽度调制效应及其对晶体管的I-V 特性产生影响的物理机制。

实际中基区宽度是B-C 结电压的函数，因为随着结电压的变化，B-C 结空间电荷区会扩散进基区。随着B-C 结反偏电压的增加，B-C 结空间电荷区宽度增加，使得中性基区宽度减小。中性基区宽度的变化使得集电极电流发生变化，基区宽度减小会使得少子浓度梯度增加。这种效应称为基区宽度调制效应，又称为厄尔利效应（early）. 多数情况下，恒定基极电流与恒定的B-E 结电压是等效的。理想情况下，集电极电流与B-C 结电压无关，所以I-V 曲线斜率为0；于是晶体管的输出电导为0.然而，基区宽度调制效应，使曲线斜率和输出电导不为0.如果集电极电流特性曲线反向延长使集电极电流为零，那么曲线与电压轴相交于一点，该点被称为厄尔利电压。

7 厄尔利电压：反向延长晶体管的I-V 特性曲线与电压轴交点的电压绝对值。

1 电荷存贮效应：加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在PN 结二极管中，这种现象称为电荷存贮效

应。

2 描述双极性晶体管的基本工作情况: 双极性晶体管有4 个工作模式：截止，正向有源，反向有源，饱和。

如果B-E 电压为零或反偏（VBE<=0 ），那么发射区中的多子电子就不会注入到基区。由于B-C 结也是反偏的；于是这种情况下，发射极电流和集电极电流是零。这种情况称为截止状态- 所有的电流均为零。

B-E 结变为正偏后，发射极电流就产生了，电子注入基区从而产生集电极电流，如果Vcc 足够大，而VR 足够小，那么Vcb>0 以为着B-C 结反偏。这种工作状态就是工作在正向有源区。

随着B-E 结电压增大，集电极电流会增大，从而VR 也会增大。VR 增大以为着反偏的C-B 电压降低，于是|VCB| 减小。在某一点处，集电极电流会增大倒足够大。而使得VR 和Vcc 的组合在B-C

结零偏置。过了这一点，集电极电流Ic 的微笑增加会导致VR 的微小增加，从而使得B-C 结变为正偏

（VCB<0 ）。这种情况称为饱和。工作于饱和模式时，B-E 结和B-C 结都是正偏的，并且集电极

电流不再守控与B-E 结电压。

反偏有源出线在B-E 结反偏而B-C 结正偏时，在这种情况下晶体管的工作情况是颠倒的。发射极和集电极的较色反转过来。

3JFET 的基本工作原理：

在正常工作条件下，反向偏压加于栅PN 结的两侧，使得空间电荷区向沟道内部扩展，并使耗尽层中的载流子耗尽。结果是沟道的结面积被减小，因而沟道电阻增加。这样，源和漏之间流过的电流就受到栅压的调制。

MESFET 的基本工作原理：在正常工作条件下，反向偏压加于栅肖特基势垒接触的两侧，使得空间电荷区向沟道内部扩展，并使耗尽层中的载流子耗尽。结果是沟道的结面积被减小，因而沟道电阻增加。这样，源和漏之间流过的电流就受到栅压的调制。

现代科学技术基础A卷及答案

《现代科学技术基础》试题 一、 填空题（每空1分，共25分） 1. 1942年世界上第一座 的建立标志着现代高新技术的诞生。 2. 18世纪60年代从英国开始的第一次工业革命，以瓦特发明的 为重 要标志 3. 是指在一定尺寸的芯片上所容晶体管个数。 4. 控制论中老鹰捉兔子是利用反馈中的 反馈。 5. 物体的温度越高，辐射的波长越 。 6. 现代遗传学的奠基人是奥地利的生物学家 ，摩尔根系统阐述了基因理 论，指出 是基因的载体。 7. 社会体制的改革应致力于公平性建立，公平包括 和 . 8. 海洋矿产资源开发主要有： 和 技术开发。 9. 爱因斯坦狭义相对论的主要结论是物体的长度随运动速度的增大 ，运 动时钟变 10. 恒星的结局由其质量决定，对于小于1.44 倍太阳质量的所谓钱德拉塞卡极限 的恒星，其结局为 ；质量大于它小于 2.4倍太阳的恒星最终结局 是 ，再大的恒星变成 。 11. 空间技术分三大部分 ， ， 。 12. 混沌具有三个具体特征：① ，② ，③ 13. 目前较为成熟的海水淡化技术有： 和 和 和 和反渗透法。 二、单选题（每题1分，共15分，答案写在每题前的括号里） （ ）1、下列能源中属于再生能源的是 等。 A 、石油 B 、太阳能 C 、电能 D 、柴油 （ ）2、超导材料属于 。 A 、无机非金属材料 B 、高分子材料 C 、金属材料 D 、光电材料 （ ）3、在如今知识经济时代， 密集型产业在国民经济中占主要地位。 A 、劳动 B 、资本 C 、技术 D 、资源

（）4、传统材料靠大规模生产维持其竞争力，而新材料靠___ ___求生存发展。 A、低价格 B、高质量、高性能 C、高利润 D、低成本（）5、又称微生物技术。即通过培养微生物来获得所需物质 A、酶工程 B、发酵工程 C、细胞工程 D、基因工程 （）6、细胞工程是一门在______上改良生物和创造新生物的技术。主要有：植物组织培养、细胞融合、克隆技术等等。 A、分子水平 B、大分子水平 C、细胞水平 D、微观层次 （）7、_是由更基本的粒子夸克组成； A、强子 B、轻子 C、传播子 D、基本粒子 （）8、生产力=_ _×（劳动者+劳动手段+劳动对象+生产管理） A、科学技术 B、文明 C、精神 D、道德 （）9、1953年克里克和沃森建立了DNA双螺旋结构的分子模型，标志了____的诞生。 A、分子生物学 B、遗传学 C、基因理论 D、生态学 （）10、二十世纪40年代末，维纳创立了。 A、混沌理论 B、信息论 C、耗散结构理论 D、控制论 （）11、轻子是指______作用的自旋为半整数的粒子。 A、只有弱 B、只有引力 C、只参与电弱 D、不参与强（）12、19世纪未物理学上的“三大发现”打开了原子的大门。它们是___。 A、射线、天然放射性、电子 B、电子、中子、质子 C、X射线、α粒子、电子 D、电子、光子、反粒子 （）13、中国在年发射了第一颗人造地球卫星。 A、1950 B、1957 C、1960 D、1970 （）14、世界上第一个进入太空的人是。 A、加加林B格林C、阿姆斯特朗D、奥尔德林 （）15、于1803年提出原子论 A、阿伏加德罗 B、麦克斯韦 C、道尔顿 D、李比希 三、简答题：（每题6分，共30分） 1、人类生存的四大环境分别是什么？人类进入太空需要克服哪些困难？ 2、什么是科教兴国战略和可持续发展战略？ 3、世界自然保护大纲的三大目标是什么？ 4、造成温室效应、臭氧层变薄和酸雨现象的原因是什么？主要是哪些气体？

2013高校教师岗前培训 现代教育技术导论考试题-92'

现代教育技术导论
单选题(60) 每题 1 分 共 60 分
(1) （ ）是通过从互联网上提取的各个网站的信息（以网页文字为主）建立的数据库中，检索与用户查询条件匹配的相关记录， 然后按一定的排列顺序将结果返回给用户。 A:元搜索引擎 B:全文搜索引擎
C:目录索引类搜索引擎
D:分类搜索引擎
(2) 下列选项不属于网络课程中的网络教学支持系统的是（ ）。 A:教学大纲 B:课件
C:习题
D:主机
(3) 根据采样数目及特性的不同数字图像可以划分为二值图像、灰度图像和（ ）。 A:数字图像 B:灰阶图像
C:彩色图像
D:数码图像
(4) 信息素养主要由信息意识、信息能力和（ ）三部分构成。 A:信息伦理 B:信息素养
C:信息资源
D:信息工具
(5) 建构主义学习环境模式是由（ ）提出来的。 A:乔纳森 B:杜威
C:史密斯
D:凯瑞
(6) 现代教育技术在研究、设计学习过程时，着重利用了学习理论、教学理论和（ ）。 A:系统方法 B:直观方法
C:科学抽象方法
D:理想化方法
(7) （ ）的基本观点是强调教师建立学习目标和创建教学策略去实现教学目的。 A:史密斯的教学设计过程模式 B:迪克—凯瑞”模式

C:乔纳森的建构主义学习环境模式
D:雷根的教学设计过程模式
(8) （ ）法是通过教师示范和学生模仿，来教与学如何运用内外部肌肉动作的方法。 A:实验法 B:演示法
C:示范—模仿
D:强化法
(9) （ ）最初是利用 LOGO 语言所建立的学习环境，它所提供的“图龟”世界允许学生进行操纵，并观察其反应。 A:虚拟世界 B:虚拟社区
C:微型世界
D:虚拟教室
(10) AECT 的 94 定义中没有具体描述作为物化形态的（ ），这表明教育技术关注的重点已经从“硬件”进化到了“软件”，即越来越 重视技术方法和方法论而不是设施本身。 A: 研究形态 B:研究任务
C:媒体
D:研究对象
(11) 下面的（ ）不是教育博客具有的功能。 A:过滤与管理教育信息 B:加强教师的专业发展
C:加强师生的沟通和教学中的反馈
D:学生学习情况的档案
(12) 输入“教育*”，结果不会显示（ ）等相关内容。 A:“教育技术” C:“教学过程” B:“教育信息” D:“教育内容”
(13) 以下选项中属于全文搜索引擎的是（ ）。 A:谷歌 B:雅虎
C:网易搜索
D:搜魅网
(14) 乐器产生基音的同时，还发出是基音频率整数倍的声音成为（ ）。 A:基音 B:谐音

现代科学技术基础A卷及答案教学文案

现代科学技术基础A 卷及答案

《现代科学技术基础》试题 一、填空题（每空1分，共25分） 二、 1. 1942年世界上第一座的建立标志着现代 高新技术的诞生。 2. 18世纪60年代从英国开始的第一次工业革命，以瓦特发明的 为重要标志 3. 是指在一定尺寸的芯片上所容晶体管个数。 4. 控制论中老鹰捉兔子是利用反馈中的反馈。 5. 物体的温度越高，辐射的波长越。 6. 现代遗传学的奠基人是奥地利的生物学家，摩尔根系统阐述了 基因理论，指出是基因的载体。 7. 社会体制的改革应致力于公平性建立，公平包括和 . 8. 海洋矿产资源开发主要有：和技术开发。 9. 爱因斯坦狭义相对论的主要结论是物体的长度随运动速度的增 大，运动时钟变 10. 恒星的结局由其质量决定，对于小于1.44 倍太阳质量的所谓钱德拉 塞卡极限的恒星，其结局为；质量大于它小于2.4倍太阳的恒星最终结局是，再大的恒星变成。 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2

11. 空间技术分三大部分，，。 12. 混沌具有三个具体特征：①，②，③ 13. 目前较为成熟的海水淡化技术有：和和和 和反渗透法。 二、单选题（每题1分，共15分，答案写在 每题前的括号里） （）1、下列能源中属于再生能源的是等。 A、石油 B、太阳能 C、电能 D、柴油 （）2、超导材料属于。 A、无机非金属材料 B、高分子材料 C、金属材料 D、光 电材料 （）3、在如今知识经济时代，密集型产业在国民经济中占主要地位。 A、劳动 B、资本 C、技术 D、资源 （）4、传统材料靠大规模生产维持其竞争力，而新材料靠___ ___求生存发展。 A、低价格 B、高质量、高性能 C、高利润 D、低成本（）5、又称微生物技术。即通过培养微生物来获得所需物质 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢3

半导体器件物理_复习重点

第一章 PN结 1.1 PN结是怎么形成的？ 耗尽区：正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷，所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度，多数载流子便受到了一个扩散力。在热平衡状态下，电场力与扩散力相互平衡。 p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子流向p区并留下正离子（这部分叫做载流子的扩散），正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以pn 结不加电压下呈电中性。 1.2 PN结的能带图（平衡和偏压） 无外加偏压，处于热平衡状态下，费米能级处处相等且恒定不变。 1.3 内建电势差计算 N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒，这个势垒称为内建电势差。

1.4 空间电荷区的宽度计算 n d p a x N x N = 1.5 PN 结电容的计算 第二章 PN 结二极管 2.1理想PN 结电流模型是什么？ 势垒维持了热平衡。 反偏：n 区相对于p 区电势为正，所以n 区内的费米能级低于p 区内的费米能级，势垒变得更高，阻止了电子与空穴的流动，因此pn 结上基本没有电流流动。 正偏：p 区相对于n 区电势为正，所以p 区内的费米能级低于n 区内的费米能级，势垒变得更低，电场变低了，所以电子与空穴不能分别滞留在n 区与p 区，所以pn 结内就形成了一股由n 区到p 区的电子和p

区到n 区的空穴。电荷的流动在pn 结内形成了一股电流。 过剩少子电子：正偏电压降低了势垒，这样就使得n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到p 区内，注入的电子增加了p 区少子电子的浓度。 2.2 少数载流子分布（边界条件和近似分布） 2.3 理想PN 结电流 ?? ????-??? ??=1exp kT eV J J a s ?? ? ? ? ?+=+= 0020 11p p d n n a i n p n p n p s D N D N en L n eD L p eD J ττ 2.4 PN 结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？ 扩散电阻：在二极管外加直流正偏电压，再在直流上加一个小的低频正弦电压，则直流之上就产生了个叠加小信号正弦电流，正弦电压与正弦电流就产生了个增量电阻，即扩散电阻。 扩散电容：在直流电压上加一个很小的交流电压，随着外加正偏电压的改变，穿过空间电荷区注入到n 区内的空穴数量也发生了变化。P 区内的少子电子浓度也经历了同样的过程，n 区内的空穴与p 区内的电子充放电过程产生了电容，即扩散电容。

数字媒体技术导论试卷3 参考答案(丁向民)

盐城师范学院考试试卷3 **** - **** 学年第*学期 信息科学与技术学院数字媒体技术专业 《数字媒体技术导论》试卷 班级学号姓名 一、单选题（本大题30小题，每题1分，共30分） 1、当前大范围使用的电子计算机所采用的电子元器件是。 A. 电子管 B. 晶体管 C.中小规模集成电路 D.大规模集成电路 2、有一小型企业共有员工200人，现公司要开发一个员工管理系统，欲为每个员工分配 一个唯一的二进制ID，则该公司应该设计的二进制ID长度至少为位。 A. 2 B. 4 C. 8 D. 16 3、二进制运算：∧= 。 A. B. C. D. 4、码是英文字符采用国际通用信息交换标准代码。 A. ASCII B. CRC C. BCD D. 机内码 5、冯·诺依曼提出的计算机设计思想奠定见了现代计算机的理论基础，其中以下不是他 提出的是。 A. 计算机应有运算器、控制器、存储器、输入设备和输出设备5大部分组成 B. 二进制是计算机的基本语言 C. 程序预先存入存储器中，使计算机能自动地从存储器中取出程序指令并执行 D. 总线是构成计算机系统的骨架 6、字长是CPU的一个重要指标，如果一台计算机的字长是32位，这意味着。 A、能处理的数值最大为32位十进制数 B、能处理的字符串最多由4个英文字母组成 C、在CPU中作为一个整体加以转送处理的代码为32位 D、CPU运算的最大结果为2的32次方 7、内存按工作方式不同可分为RAM和ROM，则以下说法不正确的是。 A、RAM又可分为DRAM和SRAM B、RAM可随机读取和写入数据 C、ROM只能读出数据，不能写入数据 D、RAM能长期保存信息 8、主板上的北桥芯片是主板芯片组的重要组成部分，它所起的作用也很多，以下不是 北桥芯片所负责的是。 A、AGP数据传输 B、与CPU的联系 C、与外部设备的联系 D、与内存的数据传输 9、下列设备中，不能作为微机的输出设备。 A、打印机 B、显示器 C、鼠标 D、多媒体音响 10、下列描述中，正确的是。 A、激光打印机是击打式打印机 B、光盘驱动器是存储器 C、计算机运算速度可用每秒钟执行的指令条数来表示 D、操作系统是一种应用软件 11、图中标注的1、2、3接口分别为： A、串口、并口、VGA B、串口、COM、VGA C、COM、并口、USB D、PS/2、串口、COM 12、配置高速缓冲存储器(Cache) 是为了解决。 A. 内存与辅助存储器之间速度不匹配问题 B. CPU与辅助存储器之间速度不匹配问题 C. CPU与内存储器之间速度不匹配问题

《科学与技术》期末考试试题与答案版

科学与技术复习试题 一、选择题（每题2分，共10分） 1．自然界中一切物体的相互作用，都可能归结为四种基本的相 互作用，即引力、弹力、电磁力和(C)相互作用。A．地磁力B．分子力C强力D．结合力 2．基因是含特定遗传信息的核苷酸序列，是(D)的最小功能单位。 A ．细胞 B ．蛋白质 C ．氨基酸 D ．遗传物质 3.1996年，世界上第一只克隆羊——多利面世，这 是世界上首次利用(A)技术而培养出的克隆动物。 A. 细胞核移植 B ．细胞融合C．细胞培养 D ．细胞膜嫁 接 4．由无数恒星和星际物质构成的巨大集合体称为(A) 。 A．星系 B ．星空 C ．星云 D ．星际 5．光纤通信利用光纤来传送(C)，它是20世纪70年代发展起来的一种新的通信方式。 A．电 B ．声 C ．光 D ．机械 二、填空题（每空2分，共10分） 6．科学是技术发展的__理论__基础，技术是科学发展的手段， 他们相互依存、相互渗透、相互转化。 7 ．我国863计划中，被评选列入该纲要的8个技术群是生物技 术、航天技术、信息技术、激光技术、自动化技术、能 源技术、新材料技术和海洋技术。 8 ．新技术革命的兴起是以__信息技术为先导的。 9．板块构造说的理论是在__大陆漂移学说、海底扩张 学说的基础上发展起的。 10.1987年，世界环境与发展委员会发布了一份 题为《我们共同的未来》的报告，首次提出了“可持续 发展”的概念。 三、名词解释（每题5分，共20分） 11．核能是在原子核变化过程中，从变化前后原子核质量亏损的质量 差转化来的能量。 12. 纳米材料就是用特殊的方法将材料颗粒加工到纳米级（lo-g 米），再用这种超细微粒子制造的材料。 13. 地球外部圈层结构指地球外部离地表平均800千米以内的圈 层，包括大气圈、水圈和生物圈。 14 ．物质生产力一（劳动者十劳动资料十劳动对象十管理 +??） 高科技。四、简答题（每题15分．共30分） 15．简述科学认识发展的动因。 (1)科学认识发展的外部动因（8分） 恩格斯曾经指出：“经济上的需要曾经是，而且越来 越是对自然界的认识进展的主要动力”。 一般地说，在19世纪中叶以前，科学是落后于生产和技术的， 它的发展是在生产需要的推动下进行的。而从19世纪下半叶以后，科学理论研究不仅走在技术和生产的前面，还为技术和生产的发展开辟了各种可能的途径。进入二十世纪以后，现代科学产生了空前的先行作用，科学变成了超越一般技术进步的因素。 (2)科学认识发展的内部动因（7分） 科学作为系统化的理论知识体系，有其自身的矛盾运 动和继承积累关系。科学发展的内部矛盾运动是它的内部动力。它表现为：1)新事实和1日理论的矛盾。2)各种不同观点、假说和理论的矛盾。 16．简述新材料发展的方向。 随着社会的进步，人类总是不断地对材料提出新的要求。当今新材料的发展有以下几点： (1)结构与功能相结合。即新材料应是结构和功能 上较为完美的结合。（3分） (2)智能型材料的开发。所谓智能型是要求材料本身具 有一定的 模仿生命体系的作用，既具有敏感又有驱动的双重的功能。（3 分） (3)少污染或不污染环境。新材料在开发和使用过 程中，甚至废弃后，应尽可能少地对环境产生污染。 （3分） 18世纪中叶产 生

《现代科学技术概论》题库及答案

《现代科学技术概论》题库及答案 一、填空题 1. 按照研究过程的不同可将研究分为__________、__________和开发研究。 2. 古希腊数学的最高成就体现在亚历山大时期的___________，他的不朽著作_____________，把前人的数学成果用公理化的方法加以系统的整理和总结。 3. 古代中国的四大发明是指造纸、______、印刷和______。 4. 近代科学革命是以________创立的日心说为开端，宣告了神学宇宙观的破产，比利时的解剖学家维萨里的___________一书，揭开了医学领域的革命序幕。 5. 拓扑学是用________研究几何图形在_____________下保持不变的性质。 6. 狭义相对论的两条基础原理分别是________________和_________________。 7. 德国物理学家海森堡和奥地利物理学家薛定谔分别于1925年和1926年创立了两种不同形式的量子力学____________和____________。 8. ____和______，揭开了原子能时代的序幕，标志着原子核物理学进入了一个新的发展阶段。 9. 广义相对论表明：在引力场中，空间的弯曲程度取决于__________________，物质密度大的地方，引力场也大，空间的弯曲也__________。 10. 计算机系统由________和________组成。 11. 迄今为止的计算机都是基于匈牙利数学家___________的___________思想设计而成的。 12. 网络拓扑结构是指网络中计算机之间物理连接的方式，较常见的拓扑结构有___________、总线结构、环形结构、___________和树形结构。 13. 对应于研究的种基本类型可以将科学分为基础科学、_________和_________。 14. 古希腊成就最伟大的物理学家是___________，被誉为“力学之父”，他在静力学方面的主要成果是用逻辑方法证明了_____________并给出了数学表达式、发现浮体定律、提出计算物体重心的方法等，这在当时达到世界的最高水平。 15. 我国古代著名的数学家_____________发现了圆周率，比欧洲早近1000年。明代时的李时珍著有_____________一书，记载有1892种药物，方剂11000个。 16. 中国古代著名的三大技术是指陶瓷技术、_________和__________。 17. 牛顿是提出了运动三定律和______________，使力学成为一个完整的理论体系，他________________________，被誉为近代科学史上最伟大的著作。 18. 法国的科学家拉瓦锡提出了燃烧的_________学说，牛顿和___________发明了微积分。 19. __________发明了蒸汽机，把人类带入“蒸汽时代”，意大利的___________发明了电池。 20. 1755年，康德和拉普拉斯提出了关于太阳系起源的___________。第一个提出生物进化论的是法国动物学家___________。 21. 新达尔文主义的代表人物是_________，他提出种质选择论，19世纪50-60年代，奥地利的科学家_________发现了遗传定律。 22. 突变理论主要以_________和奇点理论为工具，通过对稳定性和_________的研究，提出系列数学模型，以解释自然社会现象中所发生的不连续的变化过程。 23. 化学键主要有_________、共价键和_________。 24. 蛋白质的基本结构单位是__________，核酸的基本结构单位是___________。 25. 生殖细胞包括__________和_____________。

教育技术导论试题1

1．从技术的两个发展方向和三个发展阶段，可以比较清楚地了解教育技术发展概况。这就形成了关于教育技术发展的“2×3”模型。绩效技术和知识管理技术属于（）发展阶段的（）技术。 2．“经验之塔”把人们获得知识与能力的各种经验，按照它的抽象程度，分为3大类11个层次（1969年修改为11层次）。其中3大类为（）、（）、（）。 3．学习结果和学习目标在本质上一致的，加涅根据学习结果不同特点，概括出五种学习结果：（）、（）、（）、动作技能、态度。 4．1954年哈佛大学行为主义心理学家斯金纳发表了题为《学习的科学和教学艺术》一文，指出了传统教学的缺点，指出使用教学机器能解决许多教学问题。他根据他的（）、和（）的理论设计了教学机器和程序教学。 1．教育技术（AECT94定义）2．绩效技术3．知识管理 4．信息技术与课程整合5．信息素养 1．如何理解教育技术中的“技术”含义？ 2．个别化的优缺点有哪些？ 3．影响学习过程的因素有哪些？ 4．画出香农——韦弗教育传播理论模式图，并根据该模式分析学校教学的教育传播过程 5．结合自己学习体验谈谈对加涅的学习信息加工模型的理解？

6．知识管理对网络学习的作用有哪些？ 7、学习媒体选择的依据有哪些？ 8．简述“经验之塔”理论对视听教学方法发展的影响 9．对绩效技术和教学系统设计进行比较，二者有何联系和区别？ 10．程序教学的基本要素 四．论述题（第一小题12 分，第二小题13分，共25 分） 1．“我们淹没在网络数据资料的海洋中，却又在忍受着知识的饥渴”。阐述上述现象产生的原因以及解决措施。 2．在“长春2004—教育技术国际论坛”上，美国教育传播与技术协会(AECT)定义与术语委员会主席巴巴拉·西尔斯首次提出了AECT教育技术新定义：Educational Technology is the study and ethical practice of facilitating learning and improving performance by creating，using，and managing appropriate technological processes and resources.请结合自己的学习，谈谈AECT教育技术新定义的解读与启示周口师范学院教育科学系教育技术学专业 教育技术学导论试题 得分 评卷人 1、“经验之塔”把人们获得知识与能力的各种经验，按照它的抽象程度，分为3大类11个层次（1969年修改为11层次）。其中3大类为_________、_________、_________ 2、1954年__________发表了题为《学习的科学和教学艺术》一

现代科学技术基础知识练习试卷(精)(新)

《自然科学基础》练习题2005。12。17。 第一部分科学技术是第一生产力 一、填空题 1．科学作为一项事业，在社会总活动中的地位和功能的表现有两个方面：一是精神文明方面，即认识世界是科学的认识功能；二是物质文明方面，即改造世界，是科学的生产力功能。 2．科学研究的类型，一般最常用的科学研究分类，按过程分为基础研究；应用研究；和开发研究。 3．中国的四大发明指南针、火药、印刷术和造纸术。 4．人类进入“科学实验时代”，其代表人物是：哥白尼和伽利略。 5．在电力技术革命期间，1866年，维·西门子发明电机；1876年贝尔发明了电话；1879年爱迪生发明了电灯；这三大发明照亮了人类实现电气化的道路。 6．由于科学技术的加速发展和急剧变革，据粗略统计，人类的科学技术知识，19世纪是每50 年增加1倍；20世纪是每10 年增加1倍；当前则是世纪是每 3 年至 5 年增加1倍。 7．当代科技发展有两种形式：一是突破；二是融合；前者是线性的，即以研究开发的新一代科技成果取代原有的一代科技成果；后者是非线性的，即是组合已有的科技成果发展成为新技术。两者是互补和合作的。 8．对于“科学技术是产生力”的思想，马克思从历史的眼光进一步作出：“社会劳动生产力，首先是科学的力量”的精辟论断；而邓小平同志的理论和实践最为丰富、深刻和卓有成效，把握时代脉搏，最新提出的是“科学技术是第一产生力”的论断。 9．无线电技术，起源于欧洲，发展于美国；飞行技术起源于美国。

二、简答题 1、科学与技术之间的关系是什么？ 科学所要研究的客观世界的规律，它所要回答的是“是什么”、“为什么”。技术所要研究的是如何根据自然规律去改造客观世界，它所要回答的是“做什么”，“怎么做”。科学与技术是辩证的统一的整体，科学中有技术；技术中有科学，科学产生技术；技术也产生科学。对于科学来说，技术是科学的延伸；对于技术来说科学是技术的升华。 2、四大发明的意义是什么？ 马克思对中国古代四大发明中的三大发明有段行动的描述“火药、指南针、印刷术——这是预告资产阶级社会的到来的三大发明。火药把骑士阶层炸得粉碎，指南针打开了世界市场并建立了殖民地，而印刷术则变成新教的工具，总的来说变成科学复兴的手段，变成对精神发展创造必要前提的最强大的杠杆。 3、简述科学技术推动生产力发展的重大历史进程？ （1）17世纪到19世纪30年代，经蒸汽机为标志的机器和工具技术，产生了世界第二次产生力的高潮----产业革命。 （2）19世纪中叶到20世纪初，世界第三次生产力的高潮------化工技术革命。 （3）19世纪末到20世纪30年代，世界第四次生产力高潮-----电力技术革命。 （4）二次世界大战以后至今，世界进入第五次生产力发展的高潮-----技术综合创新的高科技时代。 4、简要回答在第五次生产力发展高峰时期，日本“科技起飞”的具体做法？ （1）以优化经济结构为导向，向重点工业倾斜 （2）着眼于技术引进，立足改进，以利于队伍成长为目的确定发展技术政策 （3）改变科研体制，适应大量引进技术的需要 （4）让“综合就是创造”的思想在企业生根 （5）技术要在离产品最近的地方下功夫

数字媒体技术导论试卷参考答案丁向民

盐城师范学院考试 试卷 3 **** - **** 学年第*学期 信息科学与技术学院数 字媒体技术专业 《数字媒体技术导论》试卷 班级 学号姓名 一、单选题（本大题30小题，每题1 分，共30分） 1、当前大范围使用的电子计算机所采 用的电子元器件是。 A. 电子管 B. 晶体管 C. 中小规模集成电路 D.大 规模集成电路 2、有一小型企业共有员工200人，现 公司要开发一个员工管理系统，欲 为每个员工分配一个唯一的二进 制ID，则该公司应该设计的二进制 ID长度至少为位。 A. 2 B. 4 C. 8 D. 16 3、二进制运算：∧= 。 A. B. C. D. 4、码是英文字符采用国际通用 信息交换标准代码。 A. ASCII B. CRC C. BCD D. 机内码5、冯·诺依曼提出的计算机设计思想 奠定见了现代计算机的理论基础， 其中以下不是他提出的是。 A. 计算机应有运算器、控制器、 存储器、输入设备和输出设备 5大部分组成 B. 二进制是计算机的基本语言 C. 程序预先存入存储器中，使计 算机能自动地从存储器中取出 程序指令并执行 D. 总线是构成计算机系统的骨架 6、字长是CPU的一个重要指标，如果 一台计算机的字长是32位，这意 味着。 A、能处理的数值最大为32位十 进制数 B、能处理的字符串最多由4个英 文字母组成 C、在CPU中作为一个整体加以转 送处理的代码为32位 D、CPU运算的最大结果为2的32 次方 7、内存按工作方式不同可分为RAM和 ROM，则以下说法不正确的 是。 A、RAM又可分为DRAM和SRAM B、RAM可随机读取和写入数据 C、ROM只能读出数据，不能写入 数据 D、RAM能长期保存信息

现代制造技术--试题(含答案)

现代制造技术与装备A卷 一、填空题20 1.现代制造技术，其内涵就是“_________+_________+管理科学”而形成的制造技术。 2.CIMS的含义是___________，___________含义是柔性制造系统。 3.切削液主要有___________作用、___________作用、排屑作用。 4.数控机床按伺服系统的类型分为__________，__________，__________。 5.数控机床主要有__________、__________、__________、测量反馈装置、控制介质五部 分组成。 6.机械手按驱动方式可分为__________、__________、气动式和机械式机械手。 7.三维几何建模的方式有线框模型、__________、__________。 8.柔性制造系统主要有__________、__________、计算机控制与管理系统。 9.广义的产品质量概念，除了包括狭义的产品本身质量概念外，还涵盖了__________，服 务质量，工作质量。 10.MRP基本原理是将企业产品中的各种物料分为独立物料和__________。 二：概念解释15 柔性（2`）： 高速加工（3`）： 加工中心（3`）： 三坐标测量仪(3`)： 并行设计(4`)： 三．简答题30 1.列举快速原型制造技术的主要五种方法。5 2.简述FMS的组成及其功能。6 3.激光加工的装置由哪些部分组成？激光有哪些作用？5 4.机床夹具按其使用范围主要可分为哪几种？5 5.APT语言的源程序有哪几种类型的语句组成？4 6.请简单阐述一下PDM的含义。5 四．分析理解35 1、超声波加工18 （1）将下超声加工原理图中的各部分（1～7）写出答案。14

高校教师资格证考试——现代教育技术导论试题库-题库

现代教育技术导论试题库 单选题 (1) （C）主要是模仿传统的课堂教学，以教师讲授为主，界面包括教师的授课视频、讲稿容配合文字、图片或PPT。 A: 协作探究型网络课程 B:自主学习型网络课程 C:课堂授课型网络课程 D:自测辅导型网络课程 (2) CSDN全球最大中文IT社区属于（C ）。 A:业余兴趣学习专题 B:文化知识赏析专题 C:技能知识学习专题 D:自主学习型专题 (3) 人耳在主观感觉上区别相同响度和音调两类不同声音的主观特性称为（C ）。 A:声波 B:音调 C:音色 D:响度 (4) 从教育属性看，教育信息化的基本特征是开放性、（C）、交互性与协作性。 A:规性 B:自主性 C:共享性 D:及时性 (5) 学校应用现代教育技术，提高教育信息化程度，必须具备的基本要素：教师、环境、（B）、设计、过程。 A:学生 B:资源 C:制度 D:管理 (6) 认知领域学习目标分类中，根据标准对材料作价值判断的能力，包括按照材料的在或外在标准进行价值判断，属于（D）。 A:运用 B:分析 C:综合 D:评价 (7) （A ）的本质是为学习者提供大量的专题学习资源和协作学习交流工具。 A:专题 B:博客

D:精品课程 (8) 下面的（B ）不属于教育技术对教育的变革。 A:学习空间与方式的变革 B:教学思想的变革 C:教学过程要素关系的转变 D:教育教学模式的变革 (9) 教育技术的AECT’94定义，（A ）是教育研究与实践的对象。 A:学习过程 B:教学过程 C:教育过程 D:实践过程 (10) 下面属于静止图像的文件是（C ）。 A:*.mpg B:*.avi C:*.jpeg D:*.mp3 (11) 教育技术的AECT’94定义，教育技术的基本研究容包括学习过程与学习资源的（A ）、开发、利用、管理与评价五个方面。 A:设计 B:构思 C:计划 D:创建 (12) （D）是一个基于用户关系的信息分享、传播以及获取平台，用户可以通过Web、WAP 以及各种客户端组建个人社区，以140字左右的文字更新信息，并实现即时分享。 A:个人博客 B:博客 C:博客圈 D:微博 (13) 乔纳森的建构主义学习环境模式以（B ）为核心，注重对不同种类型学习过程、心智模型和影响要素的整体设计。 A:有意义学习 B:问题解决 C:发现问题 D:创造性学习 (14) （D）是在程序教学发展的基础上形成的现代教育技术应用模式。 A:集体教学

现代科学技术试题

信息技术 应用信息科学的原理和方法，研究信息的产生、获取、变换、传输、存储、处理和利用的工程技术，又称信息工程。 激光 是物质的原子或分子系统在实现了粒子数反转的条件下通过受激发射所产生的强光束。 新型陶瓷 新型陶瓷是采用高度精选的不含硅酸盐的天然材料，通过一般的高温烧结成型工艺制成的陶瓷。 复合材料 复合材料是由两种或两种以上的不同材料按照一定规律组合而成的具有更加优异性能的新材料。 功能复合材料： 将两种或多种具有不同功能的材料复合成一体，形成一种具有多种功能或新功能的材料，称之为功能复合材料。 智能材料 智能材料能对材料的工作环境进行判断，并产生相应的反应，从而使材料继续不断地工作。 二次能源 需要依靠其他能源来制取或转换的能源称为二次能源。 原子能 原子能又称核能，是由原子核结合的变化而释放出的一种能量。 碱基互补配对 在DNA分子中，一条链上的腺嘌呤（A）与另一条链上胸腺嘧啶（T）或一条链上的鸟嘌呤（G）与另一条链上的胞嘧啶（C）总是通过氢键结合，组成碱基对，这种A—T或G—C的配对方式，称为碱基互补配对。

半保留复制 新合成的子DNA分子总是以母链DNA分子为模板，且两条链中有一条链为母链所遗传，保留母链DNA遗传信息（碱基排列顺序），这种合成DNA 的方式，称为半保留复制。 解旋 复制时，DNA分子在解旋酶的作用下，两条扭成螺旋的长链逐渐解开的过程，称解旋。 海洋牧业化 海洋牧业化就是在一定的海域中大量放养优质鱼苗，使之在海洋自然条件下生长发育，以便集中捕捞，稳产高产。 水声技术 研究和开发海洋所用的声学技术叫水声技术，包括回声探测、被动探测、声纳重人系统和水声通信等。 海洋矿产资源： 海洋矿产资源是指蕴藏海底可供开采的石油、天然气、矿砂、煤炭、锰结核和多金属软泥等。 航天科学技术 航天科学技术是探索、开发和利用地球大气层以外的宇宙空间以及地球以外其他天体的综合性科学技术。包括由地面至太空的一切运载工具的研制，人造卫星、宇宙飞船、宇宙探测器、空间站等飞行器的研制，以及飞行器的发射跟踪、控制、通信，遥测等系统的建立与实施。 地球同步静止轨道 指同步卫星运行的轨道，在赤道上空距地面高度为3．58万公里的圆形轨道。 航天器 航天器也叫空间飞行器。一般指在地球大气层以外的宇宙空间基本上按照天体力学规律运行的各类飞行器。 空间工业化 空间工业化是一种在地球大气层以外宇宙空间进行工业生产的设想。

研究生《高等半导体器件物理》试题

2014级研究生《高等半导体器件物理》试题 1.简单说明抛物线性能能带和非抛物线性能带的能带结构以及各自 的特点、应用。 2.试描述载流子的速度过冲过程和弹道输运过程，以及它们在实际 半导体器件中的应用。 3.什么是半导体超晶格？半导体器件中主要的量子结构有哪些？ 半导体超晶格:两种或者两种以上不同组分或者不同导电类型超薄层材料,交替堆叠形成多个周期结构,如果每层的厚度足够薄,以致其厚度小于电子在该材料中的德布罗意波的波长, 这种周期变化的超薄多层结构就叫做超晶格. 主要的量子结构:超晶格中, 周期交替变化的超薄层的厚度很薄,相临势阱中的电子波函数能够互相交叠, 势阱中的电子能态虽然是分立的, 但已被展宽. 如果限制势阱的势垒进度足够厚, 大于德布罗意波的波长, 那么不同势阱中的波函数不再交叠, 势阱中电子的能量状态变为分立的能级. 这种结构称之为量子阱( QW).在上述结构中,电子只在x 方向上有势垒的限制, 即一维限制,而在y , z 两个方向上是二维自由的. 如果进一步增加限制的维度,则构成量子线和量子点. 对于量子线而言, 电子在x , y 两个方向上都受到势垒限制; 对于量子点来说, 在x , y , z 三个方向上都有势垒限制. 我们通常将这些量子结构称为低维结构, 即量子阱、量子线和量子点分别为二维、一维和零维量子结构. 4.PHEMT的基本结构、工作原理以及电学特点。 5.隧道谐振二极管的主要工作特点，RITD的改进优势有哪些？ 6.突变发射结、缓变基区HBT的工作原理、特点及其应用。 7.举例讨论半导体异质结光电器件的性能。

参考文献： 1.沃纳，半导体器件电子学，电子工业出版社，2005 2.施敏，现代半导体器件物理，科学出版社，2002 3.王良臣等，半导体量子器件物理讲座（第一讲~第七讲），物理（期刊），2001~2002

现代教育技术概论——考试题库及答案

为网络课程的实施提供条件和环境支撑的是（） 收藏 A. 网络课程教学支持平台 B. 网络课程的内容 C. 网络及通讯技术 D. 网络课程的活动安排 回答错误!正确答案： A 互联网时代下学习不再是一个人的活动，而是一个连续的、知识网络形成的过程，节点和信息源的连接。这是哪个学习理论的观点？（） 收藏 A. 多元智能学习理论 B. 认知主义学习理论 C. 联通主义学习理论 D. 情境认知学习理论 回答错误!正确答案：C

在制作powerpoint时，SmartArt工具的主要功能是（）收藏 A. 可以快速制作图表 B. 划分段落 C. 绘图工具 D. 设置动画 回答错误!正确答案： A 动机、兴趣、情感、意志、性格属于（） 收藏 A. 智力因素 B. 非智力因素 回答错误!正确答案：B 制作多媒体课件时，确定选题后要进行的工作是（） 收藏 A. 编写脚本

选择开发工具 C. 搜集加工素材 D. 教学设计 回答错误!正确答案：D 老师要重新认识到只要正确的引导和挖掘他们，每个学生都能成才。这是哪个学习理论的观点？（） 收藏 A. 人本主义学习理论 B. 情境认知学习理论 C. 建构主义学习理论 D. 多元智能学习理论 回答错误!正确答案：D 老师要重新认识到只要正确的引导和挖掘他们，每个学生都能成才。这是哪个学习理论的观点？（） 收藏 A. 人本主义学习理论

情境认知学习理论 C. 建构主义学习理论 D. 多元智能学习理论 回答错误!正确答案：D “学习是学习者在与环境交互作用的过程中主动地建构内部心理表征的过程”，这种观点属于（） 收藏 A. 行为主义学习理论 B. 人本主义学习理论 C. 认知主义学习理论 D. 建构主义学习理论 回答错误!正确答案：D 下来哪些媒体属于视听媒体（） 收藏 A. 电视机 B.

现代科学技术 概论试卷

一、单项选择题 1、大爆炸宇宙理论的提出者是美国物理学家（ A ） A.伽莫夫 B.弗里德曼 C.哈勃 D.威尔逊 2、最早发明60进制计算系统的国家是（ D ） A．古中国 B．古印度 C．古埃及 D．古巴比伦 3、集希腊古典数学之大成的《几何原本》作者是（B） A、阿喀琉斯 B、欧几里得 C、阿基米德 D、阿波罗尼 4、《伤寒杂病论》的作者是中国医圣（ A ） A.张仲景 B.李时珍 C.华陀 D. 孙思邈 5、《人体的构造》一书的作者（ A ） A．维萨里 B．哈维 C．塞尔维特 D．达芬奇 6、使地心说成为一套完整的严密的理论体系的科学家是（ B ） A.亚里士多德 B.托勒密 C.哥白尼 D.泰勒斯 7、电磁感应定律的发现者是（ B ） A．伏打 B．法拉第 C．奥斯特 D．伽伐尼 8、英国医生( B )首先发现了植物细胞的细胞核。 A．施莱登 B. 布朗 C. 艾弗里 D.施旺 9、生物分类学的代表人物是 ( A ) A．林耐 B．拉马克 C．施莱登 D．达尔文 10、最先把机体分为内环境和外环境，内环境还是能够保持恒定的学者是( B ) A．马让迪B．贝尔纳C．桑克托留斯D．格列森 11、《海陆的起源》一书的作者是（ A ） A．魏格纳B．达尔文C．丹纳D．博蒙 12、发现了遗传的连锁与交换定律的科学家是（ B ）A．艾弗里B．摩尔根C．孟德尔D．德佛里斯 13、达尔文生物进化学说的中心内容是（ B ） A．用进废退学说B．自然选择学说C．过度繁殖学说D．生存斗争学说 14、分子生物学诞生的标志DNA双螺旋结构模型建立的时间是（ B ）A．1950 B．1953 C．1956 D．1948 15、生物技术的核心是（D ） A.细胞工程； B.酶工程； C.发酵工程； D.基因工程 二、多项选择题（将正确答案的字母填入后面的括号中，每题2分，共10分，多选、错选、漏选都不给分 1、现代科学的五大基本模型包括（ ABCDE ） A.宇宙演化的热大爆炸模型 B.粒子物理的标准模型 C.遗传物质DNA双螺旋结构模型 D.智力活动的图灵计算模型 E.地壳构造的板块模型 2、技术的基本特征包括（ ABC ） A.中介性 B.自然属性 C.社会属性 D.解释性 E.探索性 3、英国物理学家开尔文说道：“只是在物理学晴朗天空的远处，还有两朵小小的令人不安的乌云。”这两朵乌云的指是什么？（ A B ） A.黑体辐射问题 B.以太问题 C.万有引力问题 D.太阳黑洞问题 E.物质波问题 4、孟德尔定律的重新发现做出贡献的科学家有( ABC ) A．德佛里斯 B.柯灵斯 C.丘敬马克 D. 魏斯曼 E.摩尔根 5、19世纪自然科学上的三大发现有（ ACD ） A．能量守恒原理 B. 元素周期律 C.细胞学说 D.达尔文的进化论 E. 孟德尔定律 三、判断题 1、物质、能量和信息是构成世界的三大要素（√） 2、科学主要解决“做什么”和“怎么做”的问题。（×） 3、纳米材料是指粒子平均粒径在1000纳米以下的材料（×） 4、中国是最早养蚕和织造丝绸的国家。早在三千多年前的殷商时代，就开始了养蚕和丝织。（√） 5、意大利著名的天文学家和实验物理学家伽利略是经典力学的奠基人。（√） 6、波义耳为元素概念提出了一个科学的定义，为化学研究指出了正确的方向（√） 7、细胞学说最终是由胡克完成的（×） 8、太阳是一颗恒星，它的质量占太阳系总质量的99.86％，表面温度约6000℃（√） 9、居里夫人是历史上唯一两次获得诺贝尔奖的女科学家，也是唯一同时获得物理和化学两种诺贝尔奖的科学家。（√）

现代教育技术导论试题库

现代教育技术导论试题库 单选题 (1) ( C )主要是模仿传统的课堂教学，以教师讲授为主，界面包括教师的授课视频、讲稿 内容配合文字、图片或 A: 协作探究型网络课程 B:自主学习型网络课程 C 课堂授课型网络课程 D:自测辅导型网络课程 (2) CSDN 全球最大中文IT 社区属于(C )。 A 业余兴趣学习专题网站 B:文化知识赏析专题网站 C 技能知识学习专题网站 D:自主学习型专题网站 (3) 人耳在主观感觉上区别相同响度和音调两类不同声音的主观特性称为( A:声波B 音调C 音色D:响度 (4) 从教育属性看，教育信息化的基本特征是开放性、 A 规范性B:自主性C 洪享性D:及时性 (5) 学校应用现代教育技术， 提高教育信息化程度， 必须具备的基本要素： 教师、环境、( B )、 设计、过程。 A:学生B:资源C 制度D:管理 (6) 认知领域学习目标分类中，根据标准对材料作价值判断的能力，包括按照材料的内在 或外在标准进行价值判断，属于( A 运用B 分析C 综合D:评价 (7) ( A )的本质是为学习者提供大量的专题学习资源和协作学习交流工具。 A 专题网站 B:博客 C 搜索引擎 D:精品课程 (8) 下面的(B )不属于教育技术对教育的变革。 A:学习空间与方式的变革 B:教学思想的变革 C 教学过程要素关系的转变 D:教育教学模式的变革 (9) 教育技术的 AECT '94 定义，( A )是教育研究与实践的对象。 A:学习过程 B:教学过程 C 教育过程 D:实践过程 (10) 下面属于静止图像的文件是( A:*.mpg B:*.avi C:*.jpeg D:*.mp3 (11) 教育技术的AECT 94定义，教育技术的基本研究内容包括学习过程与学习资源的 开发、利用、管理与评价五个方面。 A:设计 B:构思 PPT 。 C )。 (C )、交互性与协作性。 D )。 C ）。 (A )、