快速恢复二极管及其模块

快速软恢复二极管及其模块

王培清 张斌

清华大学电力电子厂 北京 102201

摘 要 在高频应用中为了减少电路损耗和防止过电压尖峰对器件的损坏，需要快速软恢复二极管。硬开关过程中存在二极管反向恢复电流（Irm ）增加了开关器件开通损耗率和过电压尖峰，并且在快速di/dt 开关时能够产生电磁干扰。本文介绍了采用特殊工艺设计的快速软恢复二极管。该二极管是为高频应用而设计的，在高频应用方面具有稳定的开关特性。本文还介绍了用该二极管制造的200A 绝缘型和非绝缘型快速软恢复二极管模块及其应用。

关键词 快速 软恢复二极管 模块

1．快速软恢复二极管介绍

大功率快速软恢复二极管主要应用在高频电力电子电路中，它与主回路中的晶闸管或IGBT 等新型电力半导体开关器件相并联，开关器件反向时，流过负载中的无功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的过电压尖峰。为了提高开关器件及电力电子线路的可靠性和稳定性，必须使用快速软恢复二极管。

快速软恢复二极管可以减少高频电路的损耗。在硬开关过程中存在的主要问题是：二极管反向恢复电流（Irm ）增加了开关器件开通损耗率，并且在快速di/dt 开关时能够产生电磁干扰。如果反向恢复电流很快回到零点，就会产生尖峰电压和电磁干扰。降低开关速度或使用缓冲电路可以降低尖峰电压。增加缓冲电路会增加电路成本并且使电路设计变复杂。这都是我们所不希望的。

本文介绍了快速软恢复二极管及其模块。该模块电压范围从400V 到1200V ，额定电流从60A ～400A 不等。设计上该模块采用外延二极管芯片，该芯片采用平面结终止结构，玻璃钝化(图1[1])并有硅橡胶保护。恢复特性如图2[2]所示。

快速软恢复二极管的基区和阳极之间采用缓冲层结构，使得在空间电荷区扩展后的剩余基区内驻留更多的残存电荷，并且驻留时间更长，提高了二极管的软度。快恢复二极管的软度由图2定义，

软度因子 a

b t t

S =

图

1

图2

反向峰值电压由下式确定：

?????

?

+×=S V V R RM 11

V R 为加在二极管上的反向电压。

二极管道软度因子越大，在关断过程中产生的反向峰值电压越低，使开关器件及整个电路处于较安全的状态。一般国内生产的快速二极管其反向恢复时间较长，大约在1～6μs，软度因子约为0.3，国内有多家整流器制造公司也在研究快速软恢复二极管，电流较大，但软度因子在0.4～0.6之间[3]。

传统的快速整流二极管使用掺金或铂的外延片以控制载流子寿命，但这些二极管表现出了以下的技术缺点：

1．正向电压降V f随着温度的升高而降低；

2．高温下漏电流大；

3．高温下快速di/dt时开关不稳定。

有一种二极管称为SONIC二极管[1]，其反向恢复时间比较长，约0.2～0.4μs，软度因子在0.7左右。在制造中除了采用平面结终止结构，玻璃钝化并有硅橡胶保护外，还采用了从硅片背面进行深扩散磷和控制轴向寿命抑制因素，使快速二极管的反向恢复电流衰减较慢，具有反向“软恢复”特性，防止在高频应用时在硬关断过程中产生过高的反向尖峰电压，保护了开关器件及其二极管自身。该二极管在整个工作温度范围内性能稳定，并且对于温度的变化正向电压降的变化可以忽略不计。该二极管是为高频应用设计的，在高频应用时稳定可靠。

新的快速软恢复二极管－SONIC二极管系列克服了这些缺点，它们的优点为：

1．并联二极管工作时正向电压降Vf与温度无关；

2．阻断电压稳定，漏电流比掺金和铂的小；

3．快速软恢复二极管在高温下反向漏电流从25℃到125℃比掺铂FRED少50%。

SONIC二极管采用磷深扩散和轴向寿命抑制因素，电压从600V至1800V，如图3所示。在硼中受控的轴向寿命抑制因素用来控制区域1中空穴的发射效率。区域2所示的软N区为软恢复提供了额外电荷。空穴的较低的发射效率使得器件的正向电压降对温度不太敏感，这有利于二极管并联工作，并且在高温时开关损耗最小。利用电子辐照作为附加的标准寿命抑制因素，二极管的软度可以得到进一步控制[1]。

图3 SONIC软恢复二极管的寿命控制

该二极管恢复波形异常的平滑没有振荡，所以电磁干扰EMI值非常低。这种软恢复二极管不仅导致开关损失减少，而且允许去除二极管的并联RC缓冲器。采用轴向寿命抑制因素可以得到最佳性能的二极管。

电力电子学中的功率开关器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）总是和快速二极管相并联，在增加开关频率时，除传导损耗以外，功率开关的固有的功能和效率均由二极管的反向恢复特性决定（由图2的Qrr, I RM 和Irr特性表示）。所以对二极管要求正向瞬态压降小，反向恢复时间断，反向恢复电荷少，并且具有软恢复特性。

反向峰值电流I RM是另一个非常重要的特性。反向电流衰变的斜率di rr/dt由芯片的工艺技术和扩散参数决定。在电路中，这个电流斜率与寄生电感有关，例如连接引线，引起过电压尖峰和高频干扰电压。di rr/dt 越高（“硬恢复”特性），二极管和并联的开关上产生的附加电压越高。反向电流的缓慢衰减（“软恢复”特性）是令人满意的特性。所有的FRED二极管都采用了“软恢复”特性，SONIC二极管的恢复特性更“软”，它们的阻断电压范围宽，使这些快速软恢复二极管能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器，以及逆变器和焊接电源中的功率开关的保护二极管和续流二极管。2．快速软恢复二极管的一种方法

2.1采用缓冲层结构的软恢复二极管[4]

采用缓冲层结构显著改善了二极管的反向恢复特性。为了缩短二极管的反向恢复时间，提高反向恢复软度，同时使二极管具有较高的耐压，采用了缓冲层结构，即利用杂质控制技术由轻掺杂的N1区及较重掺杂的N2区组成N基区；二极管的阳极采用由轻掺杂的P区与重掺杂的P＋区镶嵌组成，该P－P＋结构可以控制空穴的注入效应，从而达到控制自调节发射效率和缩短反向恢复时间的目的。

图4 采用缓冲层结构二极管示意图

2.2 芯片设计

2.2.1 原始硅片

根据二极管电压要求，同常规低导通压降二极管设计参数相同。

2.2.2扩散参数设计

阴极

采用正三角形P+短路点结构，轻掺杂的P 区表面浓度约为1017cm －3，短路点浓度约为1019cm －3。

阴极面N 1表面浓度约为1018cm －3，

N 2表面浓度约为1020cm －3。 2.3 少子寿命控制

目前少子寿命控制方法基本上有三种，掺金、掺铂和辐照，辐照也有多种方法，最常用的方法是高能电子辐照。缓冲层结构的快速二极管的少子寿命控制

方法是采用金轻掺杂和电子辐照相结合的办法。

图5 缓冲层结构的快速二极管的能带示意图

从能带示意图中可以看出，在两个高补偿区之间形成一个电子陷阱。当二极管处于反偏时，电子从二极管阴极面抽走，这一陷阱起到了一定的限制作用，使电子不易抽走，而与空穴在此复合，从而延长了反向恢复时间中t b 这一段，提高了快速二极管的软度因子S。

3．快速软恢复二极管模块

通态特性显示，在额定电流下正向电压降不受温度影响，从而使它更适用于并联工作。在125℃ 时的动态损耗比标准掺铂FRED 减少50%。以上特性使得该软恢复二极管特别适合工业应用。

利用上述FRED 二极管和SONIC 二极管我们开发了快速软恢复二极管模块，有绝缘型和非绝缘型二大类，绝缘型电流从40A ～400A ，最高电压达到1200V ，绝缘电压大于2500V ，反向恢复时间最小为40ns ；非绝缘型电流为200A （单管100A ），电压从400V 至1200V ，反向恢复时间根据用户要求，可从40ns 至330ns 。

由于采用模块结构，寄生电感较小，并且防止了高频干扰电压和过电压尖峰。

下面为200A 绝缘型和非绝缘型快速软恢复二极管模块外观和尺寸以及连接图。

图 6 200A 绝缘型快速软恢复二极管模块

图 7 200A 非绝缘型双塔结构超快速二极管模块

4．快速软恢复二极管及其模块的应用

快速软恢复二极管的阻断电压范围宽，使它们能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器，以及逆变器和焊接电源中的功率开关的保护二极管和续流二极管。

快速软恢复二极管模块广泛应用在以下几个方面：

z 高频开关器件的反并联二极管； z 变流器的续流二极管； z 感应加热和熔炼； z

不间断电源（UPS ）；

z超声波清洗器和焊机等。

200A绝缘型快速软恢复二极管模块在中频感应

加热电源、超音频电源得到了广泛的应用，双塔型非绝缘型超快速二极管模块的需求量也很大。这里不一一列举了。

参考文献 1．Proceedings of the Fifth International PCIM China Conference on Power Electronics 2006

SONIC二极管 第46－51页

2．Power Semiconductor Chips_04-05 ohne Cover2, p5, 2004 IXYS

3．张清纯，快速软恢复大功率二极管的研究，清华大学研究生论文，p1~18

4．张海涛，快速软恢复二极管的研究，清华大学研究生论文，p52－69

快速软恢复二极管及其模块

作者：王培清， 张斌

作者单位：清华大学电力电子厂,北京,102201

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1.期刊论文张海涛.张斌快速软恢复二极管的仿真设计-半导体技术2002,27(6)

讨论了快速软恢复二极管的工作原理及主要相关参数,利用软件SILVACO进行仿真设计并用于二极管的制作中.

2.会议论文张斌.王培清.王均平.志大器快速软恢复二级管工艺述评2000

本文综述了改善快速二极管反赂恢复特性的几种主要工艺及其机理,重点介绍了减少反向恢复电荷,提高反向恢复软度的少子寿命控制方法及多种结构;辅助二极管结构、理想欧姆接触及肖特基势垒结构、自调节发射率结构、SIOD结构、外延层结构和缓冲层结构等.

3.期刊论文张海涛.张斌快速软恢复二极管的发展现状-世界电子元器件2001,""(4)

随着电力电子技术的发展,各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大,这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管,还是采用有自关断能力的新型电力电子器件,如GTO,MCT,IGBT等,都需要一个与之并联的快速二极管,以通过负载中的无功电流,减小电容的充电时间,同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压.由于这些电力电子器件的频率和性能不断提高,为了与其关断过程相匹配,该二极管必须具有快速开通和高速关断能力,即具有短的反向恢复时间trr,较小的反向恢复电流IRRM和软恢复特性.

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快恢复二极管

快恢复二极管 快恢复二极管 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN 结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A 以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。 采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴

1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM 值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。

超快恢复二极管SFR08S60T2

8A、600V 快速恢复二极管 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SFR08S60T2 TO-220-2L SFR08S60T2 无铅料管SFR08S60F2 TO-220F-2L SFR08S60F2 无铅料管SFR08S60D TO-252-2L SFR08S60D 无铅料管SFR08S60DTR TO-252-2L SFR08S60D 无铅编带

极限参数 参数名称符号参数范围单位 反向重复峰值电压V RRM 700 V 正向平均整流电流I F(AV) 8.0 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM 120 A 工作结温范围T J -50～+150 °C 贮存温度范围T stg -50～+150 °C 热阻特性 参数名称符号参数范围单位 芯片对管壳热阻R θJC 2.0 °C/W 电气特性参数 参数符号最小值典型值最大值单位 最大正向电压 I F=8.0Amps，T C=25°C V F-- 1.95 2.2 V 最大反向漏电流 在直流工作电压下，T C=25°C I R-- -- 10.0 μA 最大反向恢复时间 I F=0.5 Amp，I R=1.0Amp，I REC=0.25Amp t rr-- -- 35 ns

典型特性曲线

封装外形图 15.80±0.30 0.20

封装外形图（续） 声明： ?士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。 ?任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ ?产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！

RS1G快速恢复二极管规格书

(RS1A~RS1M) SMA A Fast Recovery rectifiers Major Ratings and Characteristics I F(AV) 1.0 A V RRM50 V to 1000 V I FSM30 A t rr150nS, 250nS, 500nS V F 1.3 V T j max.150 °C Features ●Low profile package ●Ideal for automated placement ●Glass passivated chip junction ●Fast switching for high efficiency ●High forward surage capability ●High temperatrue soldering： 260℃/10 seconds at terminals ●Component in accordance to RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC Mechanical Date ●Case: JEDEC DO-214AC molded plastic over glass passivated chip ●Terminals: Solder plated, solderable per J-STD-002B and JESD22-B102D ●Polarity: Laser band denotes cathode end Maximum Ratings & Thermal Characteristics & Electrical Characteristics (TA = 25 °C unless otherwise noted) Symbol(RS1A)(RS1B)(RS1D)(RS1G)(RS1J)(RS1K)(RS1M)UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage V RRM501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS3570140280420560700V Maximum DC blocking voltage V DC501002004006008001000V Maximum average forward rectified current I F(AV)1A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load I FSM30A Maximum instantaneous forwad voltage at 1.0V F 1.3V Maximum DC reverse current T A = 25 ℃at Rated DC blocking voltage T A = 125℃I R 5.0μA 50μA Maximum reverse recovery time at I F = 0.5 A , I R = 1.0 A , I rr = 0.25 A t rr150250500nS Typical junction capacitance at 4.0 V ,1MHz C J118pF Thermal resistance from junction to ambient RθJA75℃/ W Operating junction and storage temperature range T J,T STG–55 to +150 ℃- 1 - https://www.wendangku.net/doc/d017209519.html,

整流管与快恢复二极管区别

整流电路由于频率很低，故只对耐压有要求，只要耐压能满足，肯定是可以代用的，且快恢复二极管也有用于整流的情况，就是在开关电源次级整流部份，由于频率较高，只能使用快恢复二极管整流，否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低，严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多，耐压越高越贵，所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。当然，如果你手头上只有快恢复二极管而没有一般整流管时，想怎么用就怎么用，只要耐压足够即可。 提问者评价 首先谢谢你的回答！！！ 是的，没有刚好合适耐压的整流二极管。所有用快恢复代替的 肖特基二极管和快恢复二极管的区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS 的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

常用二极管型号及参数大全

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0

DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别 肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 1．结构原理 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns 以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

快恢复二极管选型

快恢复二极管参数 型号品牌电流电压时间极性参考售价IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管 3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管 1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管 3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管 3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管 5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管 4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管 4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管 6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管 4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管 6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管 2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管 4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管 3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60 BYV26E PHI 1A 1000V 30ns 0.90 FR607 GI 6A 1000V 200ns 1.80 MUR8100 MOT 8A 1000V 35ns 单管 4.50 HFA15TB60 IR 15A 600V 35ns 单管 3.50

肖特基二极管与快恢复二极管区别

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 （他们恢复时间都是很快的）： 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V）(此处为什么不提是什么材料？)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）（用这个方法可以判断出该器件）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下，为何会有反向恢复时间

快恢复二极管参数

快恢复二极管参数大全 IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60

常用二极管型号参数大全

For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41

快恢复二极管与普通二极管的区别

下述说明只适用于需要“单向导电”特性的二极管应用(特殊二极管，如稳压、变容二极管等不适用） 二极管一般工作在交流下，粗划为高低频两类，低频以集中参数为主，高频以分布参数为主。在低频下，电路特性只与零件本身的物理参数有关，比如一颗二极管在直流时降压是0.7V，反向漏电流<0.1uA，那么它在低频时基本与直流下的状态基本一致。所以，可以认为，只要是二极管，无论它是什么类型，只要能满足耐压、电流等要求，在低频下都是可以相互代用的，正如你所说，它们在低频下没有任何区别（严格上说是有区别的，但是这些区别影响不大），除了厂家、型号、外型不一样，它们的作用都一致，只是个“单向导电”的二极管罢了。但是到了高频情况就完全不一样了，二极管的应用及划分就只是在高频领域里才会体现出来，因为高频时，集中参数影响随频率升高而减弱，分布参数参数开始发威。什么是分布参数？举个例子来说明，同样的一根铜走线，在低频时，它的电抗小于0.1欧，到了高频，它可能会变成100欧甚至无穷大。分布参数只在高频才会出现，它要求我们把平时并不在意的走线，排线、布局方式等都要考虑到设计里面，因为一段导线，在高频下它会表现出感抗及容抗的特性，而不单单只是纯阻性。同样，电子元件本身在高频下也存在分布参数，对于二极管，影响最严重的就是本身的垒式电容，简单来说，就是以“PN结”为绝缘体，P、N极为平板构成的一个电容器，这个电容与二极管并联。这个电容也是分布参数的一部份，现在来考虑，在高频工作的二极管，你希望这个电容是大一些还是小一些？答案当然是小一些，越小越好。因为频率越高，容抗越小，容抗越小，二极管的“单向导电”性就越来越不明显，到了一定频率时，二极管直接变成一个电容了，完全失去了它应有的作用。现在我有个1Mhz的应用，手里有两个二极管，二极管A在1Mhz时，它的分布电容<10pF，另一个B在同样频率下，分布容>0.1uF，噢，毫无疑问我应该用A。为了区分它们，我把A叫“开关”二极管，意思是它能在高频下像个开关一样正常工作，为了减小分布电容，开关二极管的内部结构与其它二极管也是大不相同的，具体你可以上网搜索。那B呢？它可能是一个普通的整流二极管，也可能是一个快恢复二极管。快恢复二极管，如果它的分布电容能小到与开关管一样的程度，那么它就是一个开关管了。既然它还叫快恢复二极管，那就说明它与开关管是有区别的。虽然它有“快恢复”三个字，但并不代表它就能用于高频，相反，此类二极管多数都是在几百Khz以下工作，比如开关电的整流。对于普通二极管来说，它的工作环境算是高频了，但是，它的“快恢复”并不是用来提升它的工作频率的，而是用来减小开关损耗的，主要是方波整流的损耗，比如开关电源里的整流，它整的就是一个方波。我们知道电子运动也是需要时间的，简单的说，假定方波的上升延很陡，是90度。经过二极管时，因为足够的载流子运动一个距离需要一个时间，这个时间越小，输出的上升延波形就越接近90度且平均损耗的功率越小（与斜率有关），这个时间称之为恢复时间。快恢复二极管使用的制造工艺使得它能在很短的时间内产生足够的载流子并且移动距离很短，用来满足低损耗的需求。所以恢复时间越短表示在相同频率下越小表示损耗越小，在相同损耗下，越小表示能应用的频率越高。当然，快恢复二极管也有高频或超高频的，它可以代替相同等级的开关管，但是开关二极管就没办法代替快恢复二极管，那全部都用快恢复得了，为什么还要分？因为价格！可以在相同频率下工作的快恢复二极管价格是开关管的N倍（具体看频率，越高N越大），如果是你，明明可以用开关管解决的电路你不可能全部都用快恢复吧，所以还是要区别对待。它们的名称主要还是跟它们的应用场合相关的：开关管，用于高频整流；普通管，低频整流；快恢复管，方波整流（高低频）。

快恢复整流二极管参数

快恢复整流二极管参数 IF VR 1.0A 50V100V200V400V600V800V1000V 1N49331N49341N49351N49361N4937 1N4933G1N4934G1N4935G1N4936G1N4937G BA157BA159BA159D BA159 DSH6 ERB4302ERB4304ERB4306ERB4308 ERB4402ERB4404ERB4406ERB4408ERB4410 ES1Z ES1ES1A EU01Z EU01EU01A EU01B EU01C EU1Z EU1EU1A EU1B EU1C EU02Z EU02EU02A EU2Z EU2EU2A FR101FR102FR103FR104FR105FR106FR107 FR101G FR102G FR103G FR104G FR105G FR106G FR107G MPG06A MPG06B MPG06D MPG06G MPG06J MPG06K MPG06M RGP10A RGP10B RGP10D RGP10G RGP10J RGP10K RGP10M RU1RU1A RU1B RU1C S5295B S5295G S5295J TVR1B TVR1D TVR1G TVR1J S5295B TVR2B TVR2D TVR2G TVR2J TVR10G TVR06J TVR5B TVR5D TVR5G TVRGJ 1.5A 1S18341S1835 BYD33D BYD33G BYD33J BYD33K BYD33M BYV95A BYV95B BYV95C BYT42M FR151FR152FR153FR154FR155FR156FR157 FR151G FR152G FR153G FR154G FR155G FR156G FR157G PR1501/S PR1502/S PR1503/S PR1504/S PR1502/S PR1506/S PR1507/S RGP15A RGP15B RGP15D RGP15G RGP15J RGP15K RGP15M

整流二极管选型大全

整流二极管选型大全 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V. 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 整流二极管的常用参数 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 （1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 （2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV （3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。 （4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 （5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 （6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 （7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。

US1J超快恢复整流SMA(DO-214AC)二极管规格书

1 Surface Mount Ultrafast Rectifier US1A thru US1M FEATURES ?Low profile package ?Ideal for automated placement ?Glass passivated chip junction ?Ultrafast reverse recovery time ?Low switching losses, high efficiency ?High forward surge capability ?Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ?Compliant to RoH S Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC ?Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition TYPICAL APPLICATIONS For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer, and telecommunication. MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoH S compliant, and commercial grade Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102 M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Color band denotes cathode end PRIMARY CHARACTERISTICS I F(AV) 1.0 A V RRM 50 V to 1000 V I FSM 30 A t rr 50 ns, 75 ns V F 1.0 V, 1.7 V T J max. 150 °C DO-214AC (S MA) MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC blocking voltage V DC 50 100 200 400600 800 1000 V Maximum average forward rectified current at T L = 110 °C I F(AV) 1.0A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load I FSM 30A Operating and storage temperature range T J , T STG - 55 to + 150 °C https://www.wendangku.net/doc/d017209519.html,