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EDL论文附件1-论文标准格式

Abstract—The TiSi x/n-Si(100) Schottky power diode is fabricated by Ti silicidation and the Schottky barrier height (SBH) is found to be ~0.69 eV. For the first time, it is demonstrated that an 80 meV SBH reduction can be achieved by a TiN capping layer, which can lower ~15%self power consumption of the diode at a forward current of 20 A. It is revealed that the nitrogen atoms' diffusion into the TiSi x results in the SBH lowering, which is discovered by X-ray diffraction measurement, energy dispersive X-ray spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy.

Index Terms—TiSi x, Schottky diode, TiN capping layer, barrier height lowering

I.I NTRODUCTION

HESchottky diode is extensively used as aswitch diode, which requires the on-voltage as small as possible to reduce theself power consumption since the forward current is normally very large.For the same forward current, a Schottky barrier height (SBH) decreasing of ?? can directly result in an on-voltage lowering of ??, which indicates that reducing SBH is a very effective way to save the diode self power consumption[1], [2].For example, for an ideal Schottky diode with a SBH of 0.69 eV, the on-voltage is ~ 0.54 V for a forward current of 20 A. If the SBH can lower 80 meV, the on-voltage for the same current will be 0.46 V, which will significantly save 15 % (1.6 W) self power consumption. However, lowering the SBH is very challenging in the view of volume production. On one hand, employing low work function metal as the contact material, such as rare earth metal, may lead toa lower SBH, but these metals are readily oxidized and pinhole formation always accompanies during silicidation[3].On the other hand, lowering the SBH will result in the rapid increasing of reverse leakage.Fortunately, by means of trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) like structures, the Schottky diode reverse leakage can be partially suppressed by the lateral pinch-off of current conduction path[4].So within the acceptable leakage range, a practical way to lower the SBH of a power diode for volume Manuscript received XXXX, 2015. The work was supported by the China MOST project (2011cba00603), Natural Science Foundation of China (NSFC-61376108), and "ZhuoXue" plan.

Authors are with the State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China (*correspondence author, email: yljiang@https://www.wendangku.net/doc/d711675947.html,). production is highly expected. For Si based Schottky power diodes in volume production, TiSi x/Si Schottky diodesare widely used due to their low cost, good reliability and very mature technology[5].However, the SBH of TiSi x/n-Si diode is ~0.69eV [6], which is too high for a low power switch diode. In Si MOSFET process, TiN has been already employed as a diffusion barrier layer to screen the possible contamination and a medium work functionmetal gate electrode material to satisfy the MOSFET threshold voltage requirement[7], [8].These characteristics may also work well for TiSi x/n-Si diode[9].Besides, TiN fabrication is highly compatible with TiSi x process since only a same Ti target is required. In this letter the influence of TiN capping layer on TiSi x/n-Si diode SBH modulation is investigated and for the first time it is demonstrated that the TiN capping layer does be able to lower the SBH, which is attributed to the nitrogen atoms’ diffusion into TiSi x layer.

II.E XPERIMENTAL P ROCEDURE

The 2.7 mm ? 2.7 mm Si window is opened in 0.5 μm thick blanket SiO2capping layer on the epitaxial n-/n+- Sisubstrates with a poly-Si filled trench MOS like guard ring to suppress the peripheral leakage. The3 μm thick epitaxial layer is doped by phosphorus. The doping concentration is about 1?1016 cm-3for n-substrateand 1?1020 cm-3for n+substrate, respectively. Following a standard RCA cleaning process, 30 nm Ti and 60 nm TiN were deposited by magnetron sputtering or reactivemagnetron sputtering of Ti target. After TiN deposition, a rapid thermal annealing (RTA) at 700o C for 30s in N2 atmosphere was applied to form the TiSi x/n-Si Schottky diode.Then, a dry etch process was used to define the front electrode. 100 nm Al was last deposited as the back ohmic contact electrode. All the samples' information is listed in Table I.The inset (a) - (c) in Fig. 1 respectively shows the as-deposited sample structure of sample #1 to #3. Current density-voltage (J-V) measurement was performed by Keithley4200-SCS analyzer at 290K. X-ray diffraction (XRD) was used to identify the phase. Cross section transmission electron microscopy (XTEM) and energy dispersive X-rayspectroscopy (EDX) was

Effective Schottky Barrier Height Lowering By TiN Capping Layer For TiSi x/Si Power Diode

Lin-Lin Wang, Wu Peng, Yu-Long Jiang*, and Bing-Zong Li

TABLE I

S AMPLES'I NFORMATION

applied to reveal the film stack structure and the element depth profile. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was also employed to discover the chemical status of elements.

III. R ESULTS A ND D ISCUSSION

Fig. 1 shows the typical reverse and forward J-V curves for sample #1, #2 and #3, which clearly indicates the SBH difference. The SBH for these Schottky diodes can be extracted using thermionic emission model[10],

()1*2exp exp 1q J A T V IR b s kT nkT ???

????=---?? ?????????, (1) where J is the current density, A* is the effective Richardson

constant (for n-Si, A*=112 A cm -2 K -2), ?b is the SBH, q is the

electron charge, k is the Boltzmann constant, I is the current, R s

is the series resistance, T is the absolute temperature, and n is

the ideality factor, respectively. The cumulative probability of

SBH for sample #1, #2 and #3 is plotted in the inset (d) of Fig. 1,

which obviouslydemonstrates that after RTA the SBH of

TiN/Ti/n-Si diode (sample #1) is ~80 meV lower than that of

Ti/n-Si diode (sample #2). However, the reverse leakage

caused by TiN capping layer (sample #1) is less than 1mA/cm 2, which isacceptable comparing with the significant forward power consumption reduction.

It is known that TiN is extensively employed as a barrier layer to suppress the possible inter-diffusion between the silicide layer and the W plug[11].It is also reported that the work function of TiN is about ~4.5 eV which is ~0.2 eV lower than that of TiSi 2 and it has been used as a metal gate electrode material for NMOSFET[6],[8],[9]. However, in our work after a full silicidation of 30 nm Ti film the final TiSi 2 thickness is expected to be ~70 nm, so it is thick enough to screen the possible work function influence of TiN. Fig. 2(a) shows the XRD results for sample #1 to #4. As can be seen in Fig. 2(a), for the as-deposited TiN/Ti/n-Si (sample #4) a TiN/Ti stack is successfully revealed before RTA. It also shows that after RTA

both TiSi 2 and TiSi form for Ti/n-Si(sample #2) and for TiN/n-Si (sample #3) RTA converts all the as-deposited TiN into Ti 2N on n-Si substrate. Fig. 2(c) and (d) list the peak position at 2θ≈36.90o and the full width at half maximum

(FWHM) for sample #2 and #3 based on Gaussian simulation,

respectively. The simulation indicates that the peak position of Ti 2N (112) and TiSi (210) is so close that an overlapped peak will be observed when they exist together in the same sample.

The overlapped peak of TiSi (210) and Ti 2N (112) happens to sample #1 as shown in Fig. 2(a), which is confirmed by the peak simulation analysis presented in Fig. 2(b). Fig. 2 (b) demonstrates that the observed peak at 2θ≈36.90o

can be well decomposed into TiSi (210) and Ti 2N (112) peak and the

FWHM for each peak is also very close to that shown in Fig.

2(c) and (d), respectively.So,after RTA TiSi 2 and TiSi both

form and all the as-deposited TiN has been converted into Ti 2N

for TiN/Ti/n-Si (sample #1). Consideringthe conversion into

Ti 2N for the annealed TiN/n-Si (sample #3), it indicates that the

RTA may result in the loss of N atoms from the as-deposited

TiN layer and the N atoms loss is not related with the

underlying Ti layer for sample #1.

Although the RTA may result in the loss of N atoms from TiN layer to nitrogen atmosphere, the extracted SBH for sample #1 should be the same as that for sample # 2 if the formed TiSi x for TiN/Ti/n-Si (sample #1)is the same as that for Ti/n-Si (sample #2). The lowered SBH for sample #1 shown in Fig. 1 indicates that the RTA must change the formed TiSi x . Fig. 3(a) shows the atomic ratio depth profile of each element based on EDX results for sample #1 after RTA. It clearly demonstrates that a Ti 2N layer lies on the TiSi x (x ≈1.3) layer, which coincides well with the XRD results shown in Fig. 2(a). Besides, Fig. 3(a) also reveals that ~5% N atoms distribute in TiSi x layer, which means that RTA does change the TiSi x layer and some lost N atoms from TiN layer diffuse into the TiSi x layer. The inset in Fig. 3(a) shows the XTEM picture, which reveals the Ti 2N(~60nm)/TiSi x (~70nm) stack.

The results shown in Fig. 1 and Fig. 3(a) indicate that the N

Fig. 2(a) XRD measurements for sample #1(TiN/Ti/n-Si with RTA), #2 (Ti/n-Si with RTA),#3(TiN/n-Si with RTA), and#4 (TiN/Ti/n-Si without RTA).The peak decomposition analysis based on Gaussian simulation for sample (b) #1, (c) #2, and (d) #3.

Fig.1 Typical reverse and forward J-V curves for sample #1 (TiN/Ti/n-Si with RTA), #2 (Ti/n-Si with RTA)and #3 (TiN/Si with RTA). The solid fitting curves coincide well with the experimental data.Inset (a)-(c) respectively shows the as-deposited sample structure. Inset (d) shows the SBH cumulative probability curves for sample #1, #2 and #3 after RTA. 20 diodes for each kind of sample were measured for statistical analysis. 图的格式：

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origin 及Ps 制图)

3、图一定要保证内部插图的字足够大，看得清。

atoms actually have effective impact on the SBH modulation of TiSi x/n-Si diode. Fig. 3(b) and (c)respectively shows the binding energy (BE) spectra of N 1s and Si 2p corresponding to the positions labeled in the inset of Fig. 3(a). Fig. 3(b) reveals that the chemical status of N within TiSi x layer is the same as that in Ti2N layer, which means that N atoms may lie in TiSi x layer as Ti2N compounds. Fig. 3(c)shows the existence of TiSi x layer. So after RTA a mixture of TiSi x and Ti2N actually forms and the SBH modulation should be related with Ti2N. As shown in the inset (d)of Fig. 1,the Ti2N/n-Sidiode(sample #3) does have a much lower SBH of ~0.49 eV[12],which also results in a too large reverse leakage. Besides, the inset (d) in Fig. 1 clearly reveals that the SBH of TiSi x(Ti2N)/n-Si (sample #1) is just in between that of TiSi x/n-Si (sample # 2) and Ti2N/n-Si (sample #3).

According to Ti-N phase diagram, the solubility of N in Ti is as high as 15% at 800o C and below 800o C the most stable Ti nitride compound is Ti2N[13],which is very consistent with our XRD results shown in Fig. 2. So, for TiN/Ti/n-Si (sample #1) some N atoms will lose from the as-deposited TiN layer, diffusing into the underlying Ti layer and reacting with Ti there to form Ti2N compound during RTA. At the same time Ti will also react with Si to form TiSi x, thus a mixture of TiSi x and Ti2N may finally form. The SBH of Ti2N is 0.2 eV lower than that of TiSi x as shown in theinset (d) of Fig. 1, so the SBH of TiSi x(Ti2N)/n-Si diode can be 80 meV lower than that of a pure TiSi x/n-Si diode. For a forward current of 20 A, the on-voltage for TiSi x/n-Si diode is ~0.54 V. For the same current an on-voltage of only ~0.46 V is required forTiSi x(Ti2N)/n-Si diode, which indicates ~15% self power consumption (~1.6W) can be saved. Although the 80 meVSBH lowering also results in a higher reverse leakage, for TiSi x(Ti2N)/n-Si diode the increased self power consumption is only 6.7?10-4 W at -20V, which is negligible comparing with the 1.6W power saving. Besides, as shown in Fig. 4 a hard breakdown curve is observed for TiSi x(Ti2N)/n-Si diode and the breakdown voltage distribution is very tight as revealed by the inset (a) of Fig. 4. The inset (b) of Fig. 4 also clearly shows a very uniform ideality factor distribution for TiSi x(Ti2N)/n-Si diodes. These all indicate that the TiN capping layer can allow a very good silicide/Si Schottky contact. Furthermore, the same Ti target can be used for TiN fabrication in the same chamber without vacuum break for Ti silicidation process, so it is a highly compatible process for TiN/Ti stack fabrication.

IV.C ONCLUSION

In summary, the effective SBH lowering by TiN capping layer for TiSi x/Si power diode is investigated. Comparing with the conventional TiSi x/n-Si diode with a SBH of 0.69 eV, it is demonstrated that an 80 meV reduction of SBH for the annealed TiN/Ti/n-Si diode can be obtained. It is revealed that during annealing the N atoms will lose from the as-deposited TiN layer and diffuse into the underlying Ti layer, reacting with Ti to form Ti2N, which contributes to the SBH reduction.

R EFERENCES

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Schottky diode: Alternative extraction method of titanium nitride work Fig. 4 The typical breakdown curve for sample #1 (TiN/Ti/n-Si with RTA). Inset (a) and (b) respectively shows the cumulative probability curve of breakdown voltage and ideality factor for sample #1. 20 diodes were measured for statistical analysis.

Fig. 3(a) The atomic ratio depth profile of Ti, N, and Si by EDX measurements for sample #1 (TiN/Ti/n-Si with RTA). The inset shows the corresponding XTEM picture and the EDX line scan diagram (a→b), where the XPS analysis was also performed at the number labeled points. Binding energy spectra of (b) N 1s and (c) Si 2p corresponding to positions labeled in the inset of (a) are also shown.

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上面列举了一些我碰到的期刊的缩写及格式，碰到一些不常见的可以到论文中去查找该论文的引用格式。如文献[13]，

1、在谷歌学术中检索该论文，发现该文献曾经被引用过，至引用中查找：

2、查看该论文的引用结果，最好是和IEEE旗下的论文，格式比较统一

3、参看参考格式。

4、如果这篇文章实在引用很少，你又很想引用，那么就先蒙一个期刊的

缩写名称，然后再进行检索。

毕业论文论文格式规范

毕业论文格式补充要求（房地产系2011.3.2）一、毕业论文的结构 1．封面内容包括：标题名称、专业、导师与学生本人姓名。题目名称：不超过20个字，要简练、准确，可分两行书写。 2．摘要（中文在前，英文在后，见示例）摘要包括毕业论文题目、摘要正文及关键词，“摘要”字样位置应居中。摘要不设页眉和页脚摘要正文摘要是论文内容的简要陈述，应具有独立性和自含性，不阅读论文的全文就能获得必要的信息，一般应重点说明研究工作的目的，方法，结果和最终结论。中文摘要一般不得超过300字，英文摘要应与中文摘要的内容完全相同。 3．关键词关键词是从毕业论文中选取出的用以表示全文主题内容的单词或术语。不得自选关键词，关键词一般3-5个。（按照中国科协《关于在学术论文中规范关键词选择的规定(试行)》第一个关键词列出该文主要工作或内容所属二级学科名称。学科体系采用国家技术监督局发布的学科分类与代码(国标GB／T1 3745-92)。第二个关键词列出该文研究得到的成果名称或文内若干个成果的总类别名称。第三个关键词列出该文在得到上述成果或结论时采用的科学研究方法的具体名称。对于综述和评述性学术论文等，此位置分别写“综述”或“评论”等。对科学研究方法的研究论文，此处不写被研究的方法名称，而写所应用的方法名称。前者出现于第二个关键词的位置。第四个关键词列出在前三个关键词中没有出现的，但被该文作为主要研究对象的事或物质的名称，或者在题目中出现的作者认为重要的名词。如有需要，第五、第六个关键词等列出作者认为有利于检索和文献利用的其他关键词。） 4．目录目录按三级标题编写，要求层次清楚，目录要与中文标题一致，应在目录中列出的还包括引言（引言单独出现时）、论文后的参考文献、附录、谢辞等。目录不设页眉页脚。目录要求用WORD自动生成，格式见模板。 5．引言（绪论）引言是全篇文章的开场白，应简要说明选题的原由，研究工作的目的、范围、相关领域及前人的工作和知识空白，理论基础的分析、研究方法、实验方法、预期成果

毕业论文：格式规范

关于规范本科毕业论文（设计）格式和统一封面的通知鉴于目前毕业论文（设计）存在着论文格式不够规范、封面不统一等状况,为加强毕业论文的管理，提高论文质量，现对毕业论文格式和统一封面规定如下： 1．毕业论文按编排顺序应包括以下内容：封面、扉页（重复封面内容）、目录、内容摘要、正文章节、引用参考文献或资料注释、附录、封底等。 2．毕业论文的格式要求：（1）封面中“论文题目”等内容用四号宋体，文字居中。（2）从目录页开始在每面底部居中用小五宋体连续编页码。（3）论文的“目录”等标题用小二号黑体字，居中。目录一般列三级，后附规范的页号。正文中的标题分章、节、段三级；章、节标题居中，段标题居左，分别用三号黑体、小三黑体、四号黑体。具体内容用五号宋体，每行间距为22磅，科学公式和符号要符合国标，公式要单独占行、居中、行距为单倍行距。表格、插图全文要分别统一编号或按章编号，标题用五号宋体：（表格标题居表上方，插图标题居图下方），居中。（4）正文字数不少于6000～8000字（内容摘要字数不包括在正文中），段落间不允许空行，单倍行距，段落间距都为零；不得对整篇文章使用表格嵌套；不得使用繁体字和任何背景色。（5）参考文献或资料注释的内容：对所引用的他人观点，参考文献须做注释，清楚地注明作者、书名、出版社、出版时间或论文题目、刊物名称及期号、页码等，引用其它参考资料也应注明资料来源。参考文献一般不低于4种，参考文献的内容必须与论文内容紧密相关，而且是你真正认真研读过的。注释及参考书目统一用尾注，用五号宋体。 (著作)作者，书名，××出版社××××年第×版，第××页。 (论文)作者，论文题目，杂志名称××××年第×期，第××页。 (网文)作者，论文题目，网页链接地址。（6）附录为：重要参考文献中相关内容和章节复印件；作者或导师所做的与本论文有关的成果复印件。要求用A4纸复印附于参考文献后。 3．装订要求：毕业论文必须用A4纸打印（复印），封面交学院统一印制，装订成册，费用自理。 4．具体格式详见附件。软件学院教学部二OO七年三月二十八日附：毕业论文式样

中英文论文参考文献标准格式超详细

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毕业论文格式规范(全)

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论文格式范文模板导读：范文论文格式范文模板【篇一：大学学术论文格式范文模板】一、论文格式要求 (一)需报送全文，文稿请用word录入排版。字数不超过5000字。 (二)应完整扼要，涉及主要观点的图片、曲线和表格不能缺少，正文要有“结论”部分。如稿件内容不清或文章篇幅超长等原因，编辑有权删改。 (三)论文结构请按下列顺序排列： 1.大标题(第一行)：三黑字体，居中排。 2.姓名(第二行)：小三楷字体，居中排。 3.作者单位或通信地址(第三行)：按省名、城市名、邮编顺序排列，用小三楷字体。

4.关键词。需列出4个关键词，小三楷字体。第1个关键词应为二级学科名称。学科分类标准执行国家标准；关键词后请列出作者的中国科协所属全国性学会个人会员的登记号 5.正文。小四号宋体。文中所用计量单位，一律按国际通用标准或国家标准，并用英文书写，如km2，kg等。文中年代、年月日、数字一律用阿拉伯数字表示。正文中的各级标题、图、表体例见下表：表；标题体例标题级别字体字号格式说明一级标题三号标宋居中题目二级标题四号黑体左空2字，单占行汉字加顿号，如“一、” 三级标题四号仿宋体左空2字，单占行汉字加括号，如“(一)” 四级标题小四号黑体左空2字，单占行阿拉伯数字加下圆点，如“1.”

五级标题小四号宋体左空2字，右空1字，接排正文阿拉伯数字加括号，如“(1)”允许用于无标题段落图、表、注释及参考文献体例内容字体字号格式说明图题五号宋体排图下，居中，单占行图号按流水排序,如“图1；“图2” 图注小五号宋体排图题下，居中，接排序号按流水排序，如“1.”；“2.” 表题五号黑体排表上，居中，可在斜杠后接排计量单位，组合单位需加括号如“表2几种发动机的最大功率/kW”“表5几种车辆的速度/(km/h)”表序号按流水排序，如“表1”、“表2” 表栏头小五号宋体各栏居中，计量单位格式同上图文/表文小五号宋体表文首行前空1字，段中可用标点，段后不用标点

毕业论文规范格式的要求

毕业论文规范格式的要求 1.题目：题目应当简明、具体、确切地反映出本文的特定内容，一般不宜超过20字，如果题目语意未尽，用副题补充说明。 2.作者：署名的作者只限于那些选定研究课题和制订研究方案、直接参加全部或主要研究工作、做出主要贡献，并了解论文报告的全部内容，能对全部内容负责解答的人。其他参加工作的人员，可列入附注或致谢部分。 3.摘要：摘要应具有独立性和自含性，有数据结论，是一篇完整的短文。摘要一般200-300字.摘要中不用图、表、化学结构式、非公知公用的符号和术语。 4.正文：论文中的图、表、附注、参考文献、公式等一律采用阿拉伯数字编码，其标注形式应便于互相区别，如图1，图2-1;表2，表3-2;附注：1);文献[4];式(5)，式(3-5)等.具体要求如下; 4.1图：曲线图的纵.横坐标必须标注量、标准规定符号、单位(无量纲可以省略)，坐标上采用的缩略词或符号必须与正文中一致。 4.2表：表应有表题，表内附注序号标注于右上角，如 “XXX1)”(读者注意：前面“”引号中的实际排版表示方式应该是“1)”在“XXX”的右上角)，不用“﹡”号作附注序码，表内数据，空白代表未测，“一”代表无此项或未发现，"0"代表实测结果确为零。 4.3数学、物理和化学式：一律用“.”表示小数点符号，大于999的整数和多于三位的小数，一律用半个阿拉伯数字符的小间隔分开，不用千位擞“，”，小于1的数应将0列于小数点之前。例如94,652应写成94652;.319,325应写成0.314325。应特别注意区分拉丁文、希腊文、俄文、罗马数字和阿拉伯数字;标明字符的正体、斜体、黑体及大小写、上下角，以免混同。

本科毕业论文格式标准模板

本科毕业论文格式标准模板关于《本科毕业论文格式标准模板》，是我们特意为大家整理的，希望对大家有所帮助。本科毕业论文格式标准模板如下，希望大家喜欢。 1、论文题目：(下附署名)要求准确、简练、醒目、新颖。 2、目录目录是论文中主要段落的简表。(短篇论文不必列目录)

3、内容提要：是文章主要内容的摘录，要求短、精、完整。字数少可几十字，多不超过三百字为宜。 4、关键词或主题词关键词是从论文的题名、提要和正文中选取出来的，是对表述论文的中心内容有实质意义的词汇。关键词是用作计算机系统标引论文内容特征的词语，便于信息系统汇集，以供读者检索。每篇论文一般选取3-8个词汇作为关键词，另起一行，排在“提要”的左下方。主题词是经过规范化的词，在确定主题词时，要对论文进行主题分析，依照标引和组配规则转换成主题词表中的规范词语。(参见《汉语主题词表》和《世界汉语主题词表》)。

5、论文正文： (1)引言：引言又称前言、序言和导言，用在论文的开头。引言一般要概括地写出作者意图，说明选题的目的和意义, 并指出论文写作的范围。引言要短小精悍、紧扣主题。〈2)论文正文：正文是论文的主体，正文应包括论点、论据、论证过程和结论。主体部分包括以下内容： a.提出问题-论点; b.分析问题-论据和论证; c.解决问题-论证方法与步骤; d.结论。

6、参考文献一篇论文的参考文献是将论文在研究和写作中可参考或引证的主要文献资料，列于论文的末尾。参考文献应另起一页，标注方式按《GB7714-87文后参考文献著录规则》进行。中文：标题--作者--出版物信息(版地、版者、版期) 英文：作者--标题--出版物信息所列参考文献的要求是： (1)所列参考文献应是正式出版物，以便读者考证。

毕业论文格式常见要求范例

毕业论文格式常见要求范例第一、构成项目毕业论文包括以下内容：封面、内容提要与关键词、目录、正文、注释、附录、参考文献。其中“附录”视具体情况安排，其余为必备项目。如果需要，可以在正文前加“引言”，在参考文献后加“后记”。第二、各项目含义 (1)封面封面由文头、论文标题、作者、学校名称、专业、年级、指导教师、日期等项内容组成。 (2)内容提要与关键词内容提要是论文内容的概括性描述，应忠实于原文，字数控制在300字以内。关键词是从论文标题、内容提要或正文中提取的、能表现论文主题的、具有实质意义的词语，通常不超过7个。 (3)目录列出论文正文的一二级标题名称及对应页码，附录、参考文献、后记等对应的页码。 (4)正文正文是论文的主体部分，通常由绪论(引论)、本论、结论三个部分组成。这三部分在行文上可以不明确标示。 (5).注释对所创造的名词术语的解释或对引文出处的说明，注释采用脚注形式。 (6)附录，以及毕业论文结论附属于正文，在毕业论文结束语中出现，对正文起补充说明作用的信息材料，可以是文字、表格、图形等形式。 (7)参考文献作者在写作过程中使用过的文章、著作名录。

4、毕业论文格式编排第一、纸型、页边距及装订线毕业论文一律用国家标准a4型纸(297mmx210mm)打印。页边距为：天头(上)30mm，地脚(下)25mm，订口(左)30mm，翻口(右)25mm。装订线在左边，距页边10mm。第二、版式与用字文字、图形一律从左至右横写横排，1.5倍行距。文字一律通栏编辑，使用规范的简化汉字。忌用繁体字、异体字等其他不规范字。第三、论文各部分的编排式样及字体字号 (1)文头封面顶部居中，小二号行楷，顶行，居中。固定内容为“成都中医药大学本科毕业论文”。 (2)论文标题小一号黑体。文头居中，按小一号字体上空一行。(如果加论文副标题，则要求：小二号黑体，紧挨正标题下居中，文字前加破折号) 论文标题以下的行距为：固定值，40磅。 (3)作者、学院名称、专业、年级、指导教师、日期项目名称用小三号黑体，后填写的.内容处加下划线标明，8个汉字的长度，所填写的内容统一用三号楷体，各占一行，居中对齐。下空两行。 (4)内容提要及关键词紧接封面后另起页，版式和字号按正文要求。其中，“内容提要”和“:” 黑体，内容用宋体。上空一行，段首空两格，回行顶格：“关键词”与“内容提要”间隔两行，段首空两格。“关键词”和“:” 用黑体,内容用宋体。关键词通常不超过七个，词间空一格。 (5)目录另起页,项目名称用3号黑体，居中排列，上下各空一行;内容用小4号仿宋。

参考文献标准格式(新)

根据GB3469-83《文献类型与文献载体代码》规定，以单字母标识： M——专著（含古籍中的史、志论著） C——论文集 N——报纸文章 J——期刊文章 D——学位论文 R——研究报告 S——标准 P——专利 A——专著、论文集中的析出文献 Z——其他未说明的文献类型电子文献类型以双字母作为标识： DB——数据库 CP——计算机程序 EB——电子公告非纸张型载体电子文献，在参考文献标识中同时标明其载体类型： DB/OL——联机网上的数据库 DB/MT——磁带数据库 M/CD——光盘图书 CP/DK——磁盘软件 J/OL——网上期刊 EB/OL——网上电子公告一、参考文献著录格式 1 、期刊作者．题名〔J〕．刊名，出版年，卷(期)∶起止页码 2、专著作者．书名〔M〕．版本(第一版不著录)．出版地∶出版者，出版年∶起止页码 3、论文集作者．题名〔C〕．编者．论文集名，出版地∶出版者，出版年∶起止页码 4 、学位论文作者．题名〔D〕．保存地点．保存单位．年份 5 、专利文献题名〔P〕．国别．专利文献种类．专利号．出版日期 6、标准编号．标准名称〔S〕 7、报纸作者．题名〔N〕．报纸名．出版日期(版次) 8 、报告作者．题名〔R〕．保存地点．年份 9 、电子文献作者．题名〔电子文献及载体类型标识〕．文献出处，日期二、文献类型及其标识 1、根据GB3469 规定，各类常用文献标识如下： ①期刊〔J〕 ②专著〔M〕 ③论文集〔C〕 ④学位论文〔D〕 ⑤专利〔P〕 ⑥标准〔S〕 ⑦报纸〔N〕 ⑧技术报告〔R〕 2、电子文献载体类型用双字母标识，具体如下： ①磁带〔MT〕

②磁盘〔DK〕 ③光盘〔CD〕 ④联机网络〔OL〕 3、电子文献载体类型的参考文献类型标识方法为：〔文献类型标识/载体类型标识〕。例如： ①联机网上数据库〔DB/OL〕 ②磁带数据库〔DB/MT〕 ③光盘图书〔M/CD〕 ④磁盘软件〔CP/DK〕 ⑤网上期刊〔J/OL〕 ⑥网上电子公告〔EB/OL〕三、举例 1、期刊论文〔1〕周庆荣，张泽廷，朱美文，等．固体溶质在含夹带剂超临界流体中的溶解度〔J〕．化工学报，1995(3)：317—323 〔2〕Dobbs J M, Wong J M. Modification of supercritical fluid phasebehavior using polor coselvent〔J〕. Ind Eng Chem Res, 1987,26:56 〔3〕刘仲能，金文清.合成医药中间体4-甲基咪唑的研究〔J〕.精细化工，2002(2)：103-105 〔4〕Mesquita A C, Mori M N, Vieira J M, et al ．Vinyl acetate polymerization by ionizing radiation 〔J〕．Radiation Physics and Chemistry,2002, 63:465 2、专著〔1〕蒋挺大．亮聚糖〔M〕．北京：化学工业出版社，2001．127 〔2〕Kortun G．Reflectance Spectroscopy〔M〕．New York: Spring-Verlag,1969 3、论文集〔1〕郭宏，王熊，刘宗林．膜分离技术在大豆分离蛋白生产中综合利用的研究〔C〕．//余立新．第三届全国膜和膜过程学术报告会议论文集．北京：高教出版社，1999．421-425 〔2〕Eiben A E, vander Hauw J K．Solving 3-SAT with adaptive genetic algorithms 〔C〕．//Proc 4th IEEE Conf Evolutionary Computation．Piscataway: IEEE Press, 1997．81-86 4、学位论文〔1〕陈金梅．氟石膏生产早强快硬水泥的试验研究（D）．西安：西安建筑科学大学，2000 〔 2 〕Chrisstoffels L A J ．Carrier-facilitated transport as a mechanistic tool in supramolecular chemistry〔D〕．The Netherland：Twente University．1988 5、专利文献〔1〕Hasegawa, Toshiyuki, Yoshida,et al．Paper Coating composition〔P〕．EP 0634524．1995-01-18 〔 2 〕仲前昌夫，佐藤寿昭．感光性树脂〔P 〕．日本，特开平09-26667．1997-01-28 〔3〕Yamaguchi K, Hayashi A．Plant growth promotor and productionthereof 〔P〕．Jpn, Jp1290606．1999-11-22 〔4〕厦门大学．二烷氨基乙醇羧酸酯的制备方法〔P〕．中国发明专利，CN1073429．1993-06-23 6、技术标准文献〔1〕ISO 1210-1982，塑料——小试样接触火焰法测定塑料燃烧性〔S〕〔2〕GB 2410-80，透明塑料透光率及雾度实验方法〔S〕 7、报纸〔1〕陈志平．减灾设计研究新动态〔N〕．科技日报，1997-12-12(5) 8、报告〔1〕中国机械工程学会．密相气力输送技术〔R〕．北京：1996

毕业论文格式标准

毕业论文（设计）书写印制规范毕业论文写作是反映学生毕业论文工作成效的重要途经，是考核学生掌握和运用所学基础理论、基本知识、基本技能从事科学研究和解决实际问题能力的有效手段。掌握撰写毕业论文的基本能力是本科人才培养中的一个十分重要的环节。为了统一我校本科生毕业论文的书写格式，特制定本规范。本规范约定的书写格式主要适用于用中文撰写的毕业论文。涉外专业用英文或其他外国语撰写毕业论文的书写规范可参照本规范执行。毕业论文由设计图纸和论文两部分组成的，其图纸部分的规范格式由各学院根据不同专业图纸的要求对图纸的版面尺寸大小、版式、数量、内容要求等制定详细的规范格式。一内容要求（一）论文题目论文题目应以最恰当、最简明的词语准确概括整个论文的核心内容，避免使用不常见的缩略词、缩写字。中文题目一般不宜超过24个字，必要时可增加副标题。外文题目一般不宜超过12个实词。（二）摘要和关键词 1.中文摘要和中文关键词摘要内容应概括地反映出本论文的主要内容，主要说明本论文的研究目的、内容、方法、成果和结论。要突出本论文的创造性成果或新见解，不要与引言相混淆。语言力求精练、准确。在摘要的下方另起一行，注明本文的关键词（3—5个）。摘要与关键词应在同一页。 2.英文摘要和英文关键词英文摘要内容与中文摘要相同。最下方一行为英文关键词（Keywords3—5个）。（三）目录

论文目录是论文的提纲，也是论文各章节组成部分的小标题。目录应按照章、节、条三级标题编写，采用阿拉伯数字分级编号，要求标题层次清晰。目录中的标题要与正文中的标题一致。（四）正文正文是毕业论文的主体和核心部分，不同学科专业和不同的选题可以有不同的写作方式。正文一般包括以下几个方面： 1.引言或背景引言是论文正文的开端，引言应包括毕业论文选题的背景、目的和意义；对国内外研究现状和相关领域中已有的研究成果的简要评述；介绍本项研究工作研究设想、研究方法或实验设计、理论依据或实验基础；涉及范围和预期结果等。要求言简意赅，注意不要与摘要雷同或成为摘要的注解。 2.主体论文主体是毕业论文的主要部分，必须言之成理，论据可靠，严格遵循本学科国际通行的学术规范。在写作上要注意结构合理、层次分明、重点突出，章节标题、公式图表符号必须规范统一。论文主体的内容根据不同学科有不同的特点，一般应包括以下几个方面：（1）毕业论文（设计）总体方案或选题的论证；（2）毕业论文（设计）各部分的设计实现，包括实验数据的获取、数据可行性及有效性的处理与分析、各部分的设计计算等；（3）对研究内容及成果的客观阐述，包括理论依据、创新见解、创造性成果及其改进与实际应用价值等；（4）论文主体的所有数据必须真实可靠，自然科学论文应推理正确、结论清晰；人文和社会学科的论文应把握论点正确、论证充分、论据可靠，恰当运用系统分析和比较

标准论文格式+要求+范文(超全)

标准论文格式一： 1、题目。应能概括整个论文最重要的内容，言简意赅，引人注目，一般不宜超过20个字。论文摘要和关键词。 2、论文摘要应阐述学位论文的主要观点。说明本论文的目的、研究方法、成果和结论。尽可能保留原论文的基本信息，突出论文的创造性成果和新见解。而不应是各章节标题的简单罗列。摘要以500字左右为宜。关键词是能反映论文主旨最关键的词句，一般3-5个。 3、目录。既是论文的提纲，也是论文组成部分的小标题，应标注相应页码。 4、引言（或序言）。内容应包括本研究领域的国内外现状，本论文所要解决的问题及这项研究工作在经济建设、科技进步和社会发展等方面的理论意义与实用价值。 5、正文。是毕业论文的主体。 6、结论。论文结论要求明确、精炼、完整，应阐明自己的创造性成果或新见解，以及在本领域的意义。 7、参考文献和注释。按论文中所引用文献或注释编号的顺序列在论文正文之后，参考文献之前。图表或数据必须注明来源和出处。（参考文献是期刊时，书写格式为： [编号]、作者、文章题目、期刊名（外文可缩写）、年份、卷号、期数、页码。参考文献是图书时，书写格式为： [编号]、作者、书名、出版单位、年份、版次、页码。） 8、附录。包括放在正文内过份冗长的公式推导，以备他人阅读方便所需的辅助性数学工具、重复性数据图表、论文使用的符号意义、单位缩写、程序全文及有关说明等。

二：本科毕业论文格式要求： 1、装订顺序：目录--内容提要--正文--参考文献--写作过程情况表--指导教师评议表参考文献应另起一页。纸张型号：A4纸。A4 210×297毫米论文份数：一式三份。其他（调查报告、学习心得）：一律要求打印。 2、论文的封面由学校统一提供。(或听老师的安排） 3、论文格式的字体：各类标题（包括“参考文献”标题）用粗宋体；作者姓名、指导教师姓名、摘要、关键词、图表名、参考文献内容用楷体；正文、图表、页眉、页脚中的文字用宋体；英文用Times New Roman字体。 4、字体要求：（1）论文标题2号黑体加粗、居中。（2）论文副标题小2号字，紧挨正标题下居中，文字前加破折号。（3）填写姓名、专业、学号等项目时用3号楷体。（4）内容提要3号黑体，居中上下各空一行，内容为小4号楷体。（5）关键词4号黑体，内容为小4号黑体。（6）目录另起页，3号黑体，内容为小4号仿宋，并列出页码。（7）正文文字另起页，论文标题用3号黑体，正文文字一般用小4 号宋体，每段首起空两个格，单倍行距。（8）正文文中标题一级标题：标题序号为“一、”，4号黑体，独占行，末尾不加标点符号。二级标题：标题序号为“（一）”与正文字号相同，独占行，末尾不加标点符号。三级标题：标题序号为“1. ”与正文字号、字体相同。四级标题：标题序号为“（1）”与正文字号、字体相同。五级标题：标题序号为“①”与正文字号、字体相同。（9）注释：4号黑体，内容为5号宋体。

2020年本科毕业论文格式标准的样本

本科毕业论文格式标准的样本 1.1制定本标准的目的是为了统1规范我省电大财经类本科毕业论文的格式，保证毕业论文的质量。 1.2毕业论文应采用最新颁布的汉语简化文字，符合《出版物汉字使用管理规定》，由作者在计算机上输入、编排与打印完成。 1.3毕业论文作者应在选题前后阅读大量有关文献，文献阅读量不少于10篇，将其列入参考文献表，并在正文中引用内容处注明参考文献编号(按出现先后顺序编排)。 2.编写要求 2.1页面要求：毕业论文须用A4(210×297mm)标准、70克以上白纸，1律采用单面打印;毕业论文页边距按以下标准设置：上边距(天头)为：30 mm;下边距(地脚)25mm;左边距和右边距为：25mm;装订线：10mm;页眉：16mm;页脚：15mm。 2.2页眉：页眉从摘要页开始到论文最后1页，均需设置。页眉内容：浙江广播电视大学财经类本科毕业论文，居中，打印字号为5号宋体，页眉之下有1条下划线。 2.3页脚：从论文主体部分(引言或绪论)开始，用阿拉伯数字连续编页，页码编写方法为：第x页共x页，居中，打印字号为小5号宋体。 2.4前置部分从内容摘要起单独编页。 2.5字体与间距：毕业论文字体为小4号宋体，字间距设置为标准字间距，行间距设置为固定值20磅。 3.编写格式 3.1毕业论文章、节的编号：按阿拉伯数字分级编号。 3.2毕业论文的构成(按毕业论文中先后顺序排列)：前置部分：

封面中文摘要，关键词英文摘要，关键词目次页(必要时) 主体部分：引言(或绪论) 正文结论致谢(必要时) 参考文献附录(必要时) 4.前置部分 4.1封面：封面格式按浙江广播电视大学财经类本科毕业论文封面统1格式要求。封面内容各项必须如实填写完整。其中论文题目是以最恰当、最简明的词语反映毕业论文中最重要的特定内容的逻辑组合;论文题目所用每1词必须考虑到有助于选定关键词和编制题录、索引等2次文献可以提供检索的特定实用信息;论文题目1般不宜超过30字。论文题目应该避免使用不常见的缩写词、首字缩写字、字符、代号和公式等;论文题目语意未尽，可用副标题补充说明论文中的特定内容。具体内容依次列示如下内容：中央广播电视大学“人才培养模式改革和开放教育试点” ××××专业本科毕业论文(小2号黑体，居中) 论文题名：(2号黑体，居中) 学生姓名：(××××××××3号黑体)

毕业论文标准格式及

毕业论文标准格式及 Final approval draft on November 22, 2020

05毕业论文格式要求B5

天津软件职业技术学院软件技术系毕业论文格式要求为了统一规范我系毕业论文的格式，现对我系毕业论文的格式作出如下要求：一、毕业论文字数在8000字以上。论文统一用B5的复印纸打印，一式二份交于指导老师（并上交光盘，注：光盘中包含毕业论文、开题报告、任务书、中期报告、答辩讲稿（ppt格式）、毕业设计作品等相关文件）。二、封面： “天津电子信息职业技术学院（软件学院）”——宋体小二号字，加粗；“毕业论文”——宋体一号字，加粗； “题目”，“专业班级”，“姓名”，“指导教师”，“完成日期”的题号为宋体三号，加粗，填写内容为宋体小四号，不加粗；落款“天津电子信息职业技术学院（软件学院）制”和时间“2012年5月”为宋体四号，加粗。全部内容居中。三、页面设置： 1、页边距：上2.4cm，下2.4 cm，左3.1cm，右2.4cm 2、行距为1.5倍行距四、正文部分： 1、论文封皮格式参照附件1，复制后即可使用。

2、“摘要”为黑体小四号，摘要的内容为宋体五号，1.5倍行距。 3、另起一行，“关键词”为黑体小四号，关键词的内容为宋体五号，关键词之间空两格，摘要字数在200-300字，关键词3-6个，见附件2。 4、“目录”为黑体三号，居中；目录的内容为宋体小四号，1.5倍行距，两端对齐。 5、正文为1.5倍行距，文中大标题用黑体三号，小标题用宋体小四号加粗，其它正文部分用宋体小四号。 6、序号建议按以下方式标注：一、… （一）1、（1）（2）（3）…2、（1）（2）（3）…3、（1）（2）（3）…（二）1、（1）（2）（3）…2、（1）（2）（3）…3、（1）（2）（3）… 二、… 同上。 … 如采用其他序号编排方式，需保证格式统一，结构清晰。 7、论文中图片标题、表格标题一律采用宋体五号字，且图片序号、表格序号编排方式保证格式统一，结构清晰。五、参考文献： 1、参考文献与正文之间空一行，“参考文献”为黑体小四号；然后转下一行，参考文献的内容为宋体五号。 2、参考文献的标注方法如下：书籍类参考文献格式：作者. 书名. 出版地：出版社，出版时间如[1] 迈克尔·波特. 竞争优势[M]. 北京：华夏出版社, 1997 [2] 罗长海. 企业文化学[M]. 北京：中国人民大学出版社，1999 期刊类参考文献格式：作者. 年. 文章题目. 杂志名称. 期, 页码如：秦斌. 1998. 企业间的战略联盟：理论与演变[J]. 财经问题研究.

论文参考文献标准格式-写法

参考文献标准格式参考文献类型：专著［M］，论文集［C］，报纸文章［N］，期刊文章［J］，学位论文［D］，报告［R］，标准［S］，专利［P］，论文集中的析出文献［A］电子文献类型：数据库［DB］，计算机［CP］，电子公告［EB］电子文献的载体类型：互联网［OL］，光盘［CD］，磁带［MT］，磁盘［DK］ A：专著、论文集、学位论文、报告［序号］主要责任者.文献题名［文献类型标识］.出版地：出版者，出版年.起止页码（可选）［1］刘国钧，陈绍业.图书馆目录［M］.北京：高等教育出版社，1957.15-18. B:期刊文章［序号］主要责任者.文献题名［J］.刊名，年，卷（期）：起止页码［1］何龄修.读南明史［J］.中国史研究，1998,(3):167-173. ［2］OU J P，SOONG T T，et al.Recent advance in research on applications of passive energy dissipation systems［J］.Earthquack Eng,1997,38(3):358-36 1. C:论文集中的析出文献［序号］析出文献主要责任者.析出文献题名［A］.原文献主要责任者（可选）.原文献题名［C］.出版地：出版者，出版年.起止页码［7］钟文发.非线性规划在可燃毒物配置中的应用［A］.赵炜.运筹学的理论与应用——中国运筹学会第五届大会论文集［C］.西安：西安电子科技大学出版社，1996.4 68. D：报纸文章［序号］主要责任者.文献题名［N］.报纸名，出版日期（版次）［8］谢希德.创造学习的新思路［N］.人民日报，1998-12-25（10）. E：电子文献 [文献类型/载体类型标识]：[J/OL]网上期刊、[EB/OL]网上电子公告、 [M/CD]光盘图书、[DB/OL]网上数据库、[DB/MT]磁带数据库［序号］主要责任者.电子文献题名［电子文献及载体类型标识］.电子文献的出版或获得地址，发表更新日期/引用日期［12］王明亮.关于中国学术期刊标准化数据库系统工程的进展［EB/OL］.http:// https://www.wendangku.net/doc/d711675947.html,/pub/wml.html，1998-08-16/1998-10-01. ［8］万锦.中国大学学报文摘（1983-1993）.英文版［DB/CD］.北京：中国大百科全书出版社，1996.

论文格式要求及模板

论文格式要求 1.论文开本及版芯论文开本大小：A4纸；正文页面设置：左边距：30mm，右边距：25mm；上边距：30mm，下边距：25mm。 2.层次和标题一级标题：宋体、三号、加粗，段前段后间距为一行、左对齐、单列一行；如：1 课程论文；二级标题：宋体、四号、加粗，段前段后间距为一行、左对齐、单列一行；如：1.1课程论文；三级标题：宋体、小四号、加粗，段前段后间距为一行、左对齐、单列一行；如：1.1.1课程论文； 3.摘要摘要标题：宋体、三号，加粗，段前段后间距为一行、居中、单列一行宋体、小四号； 4.关键词 3～5个，宋体、小四号、各关键词间距3个空格； 5.目录目录标题格式要求同摘要标题，目录内容中一级标题、后记、参考文献和附录为宋体、四号，二级标题为宋体、小四。 6．正文必须从正面开始，并设置为第1页。（1）正文字体：正文采用小四号宋体，行间距为20磅。（2）图、表、公式：图形要精选，要具有自明性，切忌与表及文字表述重复。图形坐标比例不宜过大，同一图形中不同曲线的图标应采用不同的形状和不同颜色的连线。图中术语、符号、单位等应与正文中表述一致。图序、标题、图例说明居中置于图的下方。表中参数应标明量和单位。表序、标题居中置于表的上方。表注置于表的下方。图、表应与说明文字相配合，图形不能跨页显示，表格一般放在同一页内显示。公式居中对齐，公式编号用小括号括起，右对齐，其间不加线条。文中的图、表、公式、附注等一律用阿拉伯数字按章节（或连续）编号，例：如图1-1，表2-2，公式（3-10）等。文中表格均采用标准表格形式（如三线表，可参照正式出版物中的表格形式），图表单位要统一为国际单位制（SI）。图、表标题采用小五号加粗；表格中文字、图例说明采用小五号宋体；表注采用六号宋体 (3)量和单位：应严格执行GB3100~3102：93有关量和单位的规定（参阅《常用量和单位》.计量出版社，1996）。单位名称的书写，可采用国际通用符号，也可用中文名称，但全文应统一，不要两种混用。 7.参考文献

大学本科毕业论文标准格式

大学本科毕业论文标准格式标题xxxxx(三号黑体) 学号：(xxxxxxxx三号黑体) 指导教师：(xxxxxxxx三号黑体) 专业：(xxxxxxxx三号黑体) 年级：(xxxxxxxx三号黑体) 学校：(xxxxxxxx三号黑体) 4.2论文摘要：摘要是论文内容不加注释和评论的简短陈述，应以第三人称陈述。它应具有独立性和自含性，即不阅读论文的全文，就能获得必要的信息。摘要的内容应包含与论文同等量的主要信息，供读者确定有无必要阅读全文，也供文摘等二次文献采用。摘要一般应说明研究工作目的、实验研究方法、结果和最终结论等，而重点是结果和结论。摘要中一般不用图、表、公式等，不用非公知公用的符号、术语和非法定的计量单位。摘要页置于封面页后。中文摘要一般为300汉字左右，用5号宋体，摘要应包括关键词。英文摘要是中文摘要的英文译文，英文摘要页置于中文摘要页之后。申请学位者必须有，不申请学位者可不使用英文摘要。关键词：关键词是为了文献标引工作从论文中选取出来用以表示全文主题内容信息款目的单词或术语。一般每篇论文应选取3～5个词作为关键词。关键词间用逗号分隔，最后一个词后不打标点符号。以显著的字符排在同种语言摘要的下方。如有可能，尽量用《汉语主题词表》等词表提供的规范词。 4.3目次页：目次页由论文的章、节、条、附录、题录等的序号、名称和页码组成，另起一页排在摘要页之后，章、节、小节分别以1.1.1、 1.1.2等数字依次标出，也可不使用目次页 5.主体部分

5.1格式：主体部分的编写格式由引言(绪论)开始，以结论结束。主体部分必须另页开始。 5.2序号毕业论文各章应有序号，序号用阿拉伯数字编码，层次格式为： 1xxxx(三号黑体，居中) xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx(内容用小四号宋体)。 1.1xxxx(小三号黑体，居左) xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx(内容用小四号宋体)。 1.1.1xxxx(四号黑体，居左) xxxxxxxxxxxxxxxxxxxx(内容用小四号宋体)。 xxxxx三号黑体) 学号：(xxxxxxxx三号黑体) 指导教师：(xxxxxxxx三号黑体) 专业：(xxxxxxxx三号黑体) 年级：(xxxxxxxx三号黑体) 学校：(xxxxxxxx三号黑体) 4.2论文摘要：摘要是论文内容不加注释和评论的简短陈述，应以第三人称陈述。它应具有独立性和自含性，即不阅读论文的全文，就能获得必要的信息。摘要的内容应包含与论文同等量的主要信息，供读者确定有无必要阅读全文，也供文摘等二次文献采用。摘要一般应说明研究工作目的、实验研究方法、结果和最终结论等，而重点是结果和结论。摘要中一般不用图、表、公式等，不用非公知公用的符号、术语和非法定的计量单位。摘要页置于封面页后。中文摘要一般为300汉字左右，用5号宋体，摘要应包括关键词。英文摘要是中文摘要的英文译文，英文摘要页置于中文摘要页之后。申请学位者必须有，不申请学位者可不使用英文摘要。

毕业论文规范格式

毕业论文规范格式标准论文格式一： 1、题目。应能概括整个论文最重要的内容，言简意赅，引人注目，一般不宜超过20个字。论文摘要和关键词。 2、论文摘要应阐述学位论文的主要观点。说明本论文的目的、研究方法、成果和结论。尽可能保留原论文的基本信息，突出论文的创造性成果和新见解。而不应是各章节标题的简单罗列。摘要以500字左右为宜。关键词是能反映论文主旨最关键的词句，一般3-5个。 3、目录。既是论文的提纲，也是论文组成部分的小标题，应标注相应页码。 4、引言（或序言）。内容应包括本研究领域的国内外现状，本论文所要解决的问题及这项研究工作在经济建设、科技进步和社会发展等方面的理论意义与实用价值。

5、正文。是毕业论文的主体。 6、结论。论文结论要求明确、精炼、完整，应阐明自己的创造性成果或新见解，以及在本领域的意义。 7、 __和注释。按论文中所引用文献或注释编号的顺序列在论文正文之后， __之前。图表或数据必须注明和出处。（ __是期刊时，书写格式为： [编号]、作者、文章题目、期刊名（外文可缩写）、年份、卷号、期数、页码。 __是图书时，书写格式为： [编号]、作者、书名、出版单位、年份、版次、页码。） 8、附录。包括放在正文内过份冗长的公式推导，以备他人阅读方便所需的辅助性数学工具、重复性数据图表、论文使用的符号意义、单位缩写、程序全文及有关说明等。二：本科毕业论文格式要求：

1、装订顺序：目录--内容提要--正文-- __--写作过程情况表--指导教师评议表 __应另起一页。纸张型号：A4纸。A4 210×297毫米论文份数：一式三份。其他（调查报告、学习心得）：一律要求打印。 2、论文的封面由学校统一提供。(或听老师的安排） 3、论文格式的字体：各类标题（包括“ __”标题）用粗宋体；作者姓名、指导教师姓名、摘要、关键词、图表名、 __内容用楷体；正文、图表、页眉、页脚中的文字用宋体；英文用Times New Roman 字体。 4、字体要求：（1）论文标题2号黑体加粗、居中。