用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写

用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写

1引言

在DSP系统的设计中，经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据，如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中，从而节省DSP芯片内部的存储器资源。在实际应用中，片外存储器通常选择RAM或FLASH MEMORY。RAM数据掉电即丢失，不适合长期保存数据。对于一些无需频繁读写但需要长期保存的数据，如字模数据、端口地址等时，通常选择片外FLASH作伪扩展的数据存储器。使用片外FLASH必须要解决对其擦写的问题。

在实际应用中，对片外FLASH的擦写有两种方式：一是使用通用编程器对FLASH芯片进行擦写；二是直接由DSP对FLASH进行擦写。对于需要修改或已安装在电路板上的FLASH 芯片无法使用第一种方式，只能采用第二种方式，且便于调试。本文介绍一种利用存储器映射技术实现对DSP片外FLASH擦写的方法。

DSP56F805 芯片是Motorola公司在DSP56800 的基础上开发的系列DSP芯片之一。该芯片采用先进的修正哈佛结构，三个内部地址总线和四个内部数据总线支持数据传输；采用MCU 形式的指令集，寻址方式灵活；具有较强的片外存储空间扩展能力；功耗小，高度并行。但是该芯片的片内数据存储器空间最大为64k，程序存储空间寻址范围是64k，内部模式（Mode0A和Mode0B）下只有31.5k。对于一些需要复杂中文图形用户界面的DSP系统来说芯片存储资源显得不够，必须对芯片存储空间进行扩展。考虑到具体要求，本文使用片外FLASH来扩展系统数据存储空间，将DSP系统的中文图形用户界面中用到的所有字模数据和页面内容数据存放到片外FLASH中，大大节省了片内的数据存储器空间。

CodeWarrior IDE是由Metrowerks公司专为Motorola的DSP56800系列设计的开发平台。该平台具有简单明了的图形用户界面和丰富的软件开发工具，适合于开发基于DSP56800系列的应用程序、插件程序等各种程序代码。在CodeWarrior环境中，用户可以通过修改.cmd 文件来配置存储器分配方式，还可以通过修改startup文件夹中的初始化程序来控制系统的初始化操作。用户编译并链接后，将生成.elf文件，在文件中可以看到存储器的详细分配情况。当用户将程序下载到DSP芯片后，可以使用CodeWarrior的调试器对程序进行全面的调试，如设置断点、单步执行等；也可以使用Watch Memory指令来检查存储器中的各地址段的值，还可以使用Save/Load Memory指令来保存或是载入某段存储器的值。

2方法介绍

首先利用GPIOD0口生成合适的片外FLASH和片内XRAM片选信号，实现片内XRAM 和片外FLASH的访问切换。例如当GPIOD0 =0时，0x8000～0xFFFF映射到片内XRAM，此时对于整个0x0000～0xFFFF地址范围的读写操作就是对于片内XRAM的操作；当GPIOD0=1时，0x8000～0xFFFF地址范围映射到数据FLASH，则对0x8000～0xFFFF 地址范围的读写操作就是对于片外FLASH的操作；对0x0000～0x7FFF地址范围的读写仍是针对片内XRAM的操作，从而将数据存储空间扩展了32k。

再将映射方式设置为片内，将需要写到FLASH中的数据文件载入片内XRAM。最后根据需要设置GPIO端口值，切换地址映射的存储器。这样通过地址映射的方法，便可实现将XRAM中数据写入片外FLASH的操作，而对于DSP芯片来说只是进行了其XRAM寻址

空间内部的数据搬移操作。

假设要将一组二维数组character[180][32]形式的字模数据保存入片外数据FLASH的0x8000～0xA000地址段中，先做以下准备工作：

①用一个GPIO端口，扩展系统的可寻址数据存储器空间；②编写FLASH擦写程序，程序流程如图1所示。

#define N 100 /* 由于FLASH与RAM的读写速度不同，所以需要在每项操作后加入若干个延迟以保证正确性，延迟的具体长短可以根据具体情况作调整*/

void main()

{

unsigned int i,code;

unsigned int *code_addr;

unsigned int *flash_addr;

*GPIO_D_DR=0x0002; /*映射方式设置为映射到片外数据FLASH*/

delay(N);

GPIOD_setup(); /*GPIOD设置*/

delay(N);

erase_flash(); /*如FLASH上原有数据无需保留，则全部擦除，如部分据需保留，也可部分擦除*/

*GPIO_D_DR=0x0000; /*映射方式设置为映射到片内XRAM*/

delay(N);

flash_addr=(unsigned int *) FLASH_ADDR;

code_addr=(unsigned int *)CODE_ADDR; /*设置XRAM的存储起始地址和数据FLASH擦写起始地址*/

/*循环擦写*/

for(i=0;i{

*GPIO_D_DR=0x0000;

delay(N);

code=*(code_addr++); /*保存XRAM中数据到变量code*/

delay(N);

*GPIO_D_DR=0x0002;

delay(N);

pre_write_flash(); /* 写FLASH前的预处理，向FLASH内写入相应命令字，根据所选用FLASH的不同预处理操作也有所不同*/

delay(N);

*(flash_addr++)=code; /*写数据到FLASH中*/

delay(N);

}

)

擦写步骤如下：

①将character[180][32]设置为全局变量。

②将程序编译下载到DSP芯片中，打开工程目录中output文件夹中的.elf文件，找到char ac ter 数组在XRAM中存放的起始地址和长度。用户可以使用Watch Memory命令察看该段地址的数据值。

③使用Save Memory命令将XRAM中对应于character数组的地址段的数据以二进制形式保存在计算机上。通过UltraEdit将其打开，检看数据保存是否正确。

④打开FLASH擦写程序，修改数据在片内XRAM中存储的起始地址和FLASH的擦写起始地址与数据长度。编译下载后，单步执行，执行到擦除完FLASH，并将地址映射方式置为映射到片内XRAM处，使用Load Memory指令将char数据文件载入到片内XRAM的相

应存储地址段中，再接着全速运行程序，几十秒之后程序执行完毕，数据便写到片外FLASH 的相应地址中。

⑤再次打开FLASH擦写程序，单步执行到映射方式置为片外FLASH处停止，使用Save Mem o ry命令保存FLASH中刚写入的地址段的数据值。接着使用UltraEdit的比较文件命令比较前两次保存的数据，如完全相同就表明character字模数组已经正确的写到片外FLASH中。

将数据擦写入片外数据FLASH后，就可以在用户程序中对该数据加以调用。在调用的时候要先将映射方式设置为映射到片外FLASH，然后再取数据。如下所示，取出FLASH中0x6000地址上存储的数据：

#define FLASH_ADD (unsigned int *)0x6000

*GPIO_D_DR=0x0002; /*映射方式设置为映射到片外FLASH*/

data = *(FLASH_ADD);

3 结论

本文介绍了一种通过地址映射方式，在基于DSP的嵌入式系统中，通过DSP擦写片外FLASH的方法。该方法可适用于多种场合，针对多个FLASH芯片可使用多个GPIO端口进行地址的扩展，并可通过DSP实现对其擦写操作；若将部分程序放置到片外FLASH中并作相应设置，即可实现系统的自举运行等。

实验一 存储器实验

实验一存储器实验 1.FPGA中LPM_ROM定制与读出实验 一.实验目的 1、掌握FPGA中lpm_ROM的设置,作为只读存储器ROM的工作特性与配置方法。 2、用文本编辑器编辑mif文件配置ROM,学习将程序代码以mif格式文件加载于 lpm_ROM中; 3、在初始化存储器编辑窗口编辑mif文件配置ROM; 4、验证FPGA中mega_lpm_ROM的功能。 二.实验原理 ALTERA的FPGA中有许多可调用的LPM (Library Parameterized Modules)参数化的模块库,可构成如lpm_rom、lpm_ram_io、lpm_fifo、lpm_ram_dq的存储器结构。CPU 中的重要部件,如RAM、ROM可直接调用她们构成,因此在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB 可以构成各种结构的存储器,lpm_ROM就是其中的一种。lpm_ROM有5组信号:地址信号address[ ]、数据信号q[ ]、时钟信号inclock、outclock、允许信号memenable,其参数都就是可以设定的。由于ROM就是只读存储器,所以它的数据口就是单向的输出端口,ROM中的数据就是在对FPGA现场配置时,通过配置文件一起写入存储单元的。图3-1-1中的lpm_ROM有3组信号:inclk——输入时钟脉冲;q[23、、0]——lpm_ROM的24位数据输出端;a[5、、0]——lpm_ROM的6位读出地址。 实验中主要应掌握以下三方面的内容: ⑴ lpm_ROM的参数设置; ⑵ lpm_ROM中数据的写入,即LPM_FILE初始化文件的编写; ⑶lpm_ROM的实际应用,在GW48_CP+实验台上的调试方法。 三.实验步骤 (1)用图形编辑,进入mega_lpm元件库,调用lpm_rom元件,设置地址总线宽度address[] 与数据总线宽度q[],分别为6位与24位,并添加输入输出引脚,如图3-1-1设置与连接。 (2)设置图3-1-1为工程。 (3)在设置lpm_rom数据参数选择项lpm_file的对应窗口中(图3-1-2),用键盘输入 lpm_ROM配置文件的路径(rom_a、mif),然后设置在系统ROM/RAM读写允许,以便能

基于March C-算法的单片机存储器测试

基于March C-算法的单片机存储器测试 作者：于文考高成张栋 来源：《现代电子技术》2010年第06期 摘要:为了保证单片机系统的可靠性,对单片机内嵌存储器的测试显得尤为重要。根据MCS-51系列单片机系统内嵌存储器的结构特点和故障模型,研究了测试算法的选择、数据背景的产生等问题,首次提出将March C-算法用于单片机内嵌存储器的用户级测试程序编写。该测试程序对SAF,TF,AF,CF的故障覆盖率可达到100%,并且能够检测部分NPSF故障,具有较高的故障覆盖率,适合于对用户级MCS-51系列单片机存储器的测试。 关键词:单片机;March C-算法;存储器测试;故障覆盖率 中图分类号:TP333文献标识码:B 文章编号:1004-373X(2010)06-019-03 Test of Single Chip Microcomputer′s Memory Based on March C- Algorithm YU Wenkao,GAO Cheng,ZHANG Dong (Beihang University,Beijing,100191,China) Abstract:In order to ensure thereliability of single chip microcomputer system,test of the single chip microcomputer embedded memory is particularly important.In accordance with characteristics and fault model of MCS-51 embedded memory,selection of the test algorithm and the data background are researched,and the test program which based on March C- algorithm for MCS-51 single chip microcomputer embedded memory for the first time in user-level is presented.The test program can reach all of the SAF,TF,AF,CF failure and some of NPSF failure,has a high fault coverage,suitable for test of MCS-51 single chip microcomputer embedded memory in user-level. Keywords:single chip microcomputer;March C- algorithm;memory test;fault coverage 0 引言 存储器是单片机系统中的重要组成部分,其功能的正确性直接影响到单片机的可靠性。因此,为了保证单片机系统的可靠性,对单片机内嵌存储器的功能测试尤为重要。针对单片机内嵌存储器的结构特点,在详细分析嵌入式存储器故障模型的基础上,合理选择测试算法和数据背景,采用面向位与面向字节相结合的March C-算法,实现了基于March C-算法的单片机内嵌存储器测试。 1 存储器的故障模型

存储器测试方法与设计方案

本技术公开了一种存储器测试方法，包括以下步骤：激活操作系统，令系统进入存储器测试的保护模式；在存储器中创建一地址转换页表；判断待测存储器的物理地址空间是否超过 4GB；若是，激活地址转换页表，将系统给定的32位线性地址转换为与存储器的实际物理地址相对应，并在系统中央处理器的控制下，依照地址转换页表查询和访问存储器的实际物理地址，且执行存储器检测算法进行存储器测试；若不是，则在系统中央处理器的控制下，直接访问与系统的32位线性地址相对应的存储器的实际物理地址，并执行存储器检测算法进行存储器测试。采用本技术可以访问和测试4GB以上存储器地址空间的问题及缺陷，从而在提 高了存储器测试范围的同时节约了测试成本。

技术要求 1、一种存储器测试方法，应用于使用英特尔中央处理器的计算机服务器 系统或个人微电脑系统中的存储器检测过程，其特征在于，该方法包括以下步骤： 激活操作系统，并令系统进入存储器测试的保护模式； 在存储器中创建一地址转换页表结构，用以在后续步骤中将系统给定的 32位线性地址转换成具有4GB以上物理地址空间的存储器的物理地址； 判断所测试的存储器的物理地址空间是否超过4GB； 如超过4GB，则激活所述地址转换页表结构，将系统给定的32位线性地 址转换为与所述存储器的实际物理地址相对应，并在系统中央处理器的控制下，依据该地址转换页表查询和访问所述存储器的实际物理地址，且执行存储器检测算法对该存储器进行测试，并且在完成对所述存储器的实际物理地址的访问及存储器测试后，关闭该地址转换页表结构；以及 如未超过4GB，则不激活所述地址转换页表结构，而在所述系统中央处理 器的控制下，直接访问与系统给定的32位线性地址相对应的所述存储器的实际物理地址，并执行存储器检测算法对该存储器进行测试。 2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述地址转换页表结构是 基于Intel公司提供的物理地址扩展/页扩展技术而构建的。 3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括如下步骤： 在存储器的控制缓存器CR3中装载一具有两级页表结构的页映像表； 在存储器的控制缓存器CR4中设定所述线性地址第5位支持所述物理地址 扩展功能，并设定该线性地址第4位的偏移大小；以及

实验一存储器实验

实验一存储器实验 1．FPGA中LPM_ROM定制与读出实验 一．实验目的 1、掌握FPGA中lpm_ROM的设置，作为只读存储器ROM的工作特性和配置方法。 2、用文本编辑器编辑mif文件配置ROM，学习将程序代码以mif格式文件加载于 lpm_ROM中； 3、在初始化存储器编辑窗口编辑mif文件配置ROM； 4、验证FPGA中mega_lpm_ROM的功能。 二．实验原理 ALTERA的FPGA中有许多可调用的LPM (Library Parameterized Modules)参数化的模块库，可构成如lpm_rom、lpm_ram_io、lpm_fifo、lpm_ram_dq的存储器结构。CPU中的重要部件，如RAM、ROM可直接调用他们构成，因此在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB可以构成各种结构的存储器，lpm_ROM是其中的一种。 lpm_ROM有5组信号：地址信号address[ ]、数据信号q[ ]、时钟信号inclock、outclock、允许信号memenable，其参数都是可以设定的。由于ROM是只读存储器，所以它的数据口是单向的输出端口，ROM中的数据是在对FPGA现场配置时，通过配置文件一起写入存储单元的。图3-1-1中的lpm_ROM有3组信号：inclk——输入时钟脉冲；q[23..0]——lpm_ROM的24位数据输出端；a[5..0]——lpm_ROM的6位读出地址。 实验中主要应掌握以下三方面的内容： ⑴lpm_ROM的参数设置； ⑵lpm_ROM中数据的写入，即LPM_FILE初始化文件的编写；

⑶lpm_ROM的实际应用，在GW48_CP+实验台上的调试方法。 三．实验步骤 （1）用图形编辑，进入mega_lpm元件库，调用lpm_rom元件，设置地址总线宽度address[]和数据总线宽度q[]，分别为6位和24位,并添加输入输出引脚，如图3-1-1设置和连接。 （2）设置图3-1-1为工程。 （3）在设置lpm_rom数据参数选择项lpm_file的对应窗口中（图3-1-2），用键盘输入lpm_ROM配置文件的路径（rom_a.mif），然后设置在系统ROM/RAM读写允许，以便能对FPGA中的ROM在系统读写。 (4) 用初始化存储器编辑窗口编辑lpm_ROM配置文件（文件名.mif）。这里预先给出后 面将要用到的微程序文件：rom_a.mif 。rom_a.mif中的数据是微指令码（图3-1-3）。 （5）全程编译。 （6）下载SOF文件至FPGA，改变lpm_ROM的地址a[5..0]，外加读脉冲，通过实验台上的数码管比较读出的数据是否与初始化数据(rom_a.mif中的数据)一致。 注：下载sof示例文件至实验台上的FPGA，选择实验电路模式仍为NO.0，24位数据输出由数码8至数码3显示，6位地址由键2、键1输入，键1负责低4位，地址锁存时钟CLK由键8控制，每一次上升沿，将地址锁入，数码管8/7/6/5/4/3将显示ROM 中输出的数据。发光管8至1显示输入的6位地址值。

存储器测试算法及诊断覆盖率研究

龙源期刊网 https://www.wendangku.net/doc/dc17805683.html, 存储器测试算法及诊断覆盖率研究 作者：陈金鸿谢亚莲 来源：《企业技术开发·下旬刊》2014年第04期 摘要：随着微电子技术的快速进步，半导体集成电路高速发展，新的存储器测试技术也 不断更新。文章描述了存储器的经典测试算法运算过程，并分析了其原理。在研究经典测试算法的基础上，吸收经典算法的思想，比较各种不同算法的优缺点，改进测试算法，以便在实际检测中能够减少测试所需要的时间，提高故障诊断覆盖率，达到比较满意的测试效果。 关键词：存储器；测试算法；诊断覆盖率 中图分类号：TP333.8 文献标识码：A 文章编号：1006-8937（2014）12-0009-02 存储器测试技术是一直不断更新的技术，随着存储器在市场上的需求日益增加，每一种新存储器技术的出现都会引起广泛的关注，往往新技术的出现都对实际测试工作造成巨大的改变。而面对越来越大的存储器市场，生产商对于存储器功能安全越来越重视，寻找高效的测试算法一直是存储器测试过程中需要解决的问题。 1 存储器测试算法 对于存储器的测试，目前有许多种测试算法，有使用时间长久的经典算法，也有近些年运用广泛的新型算法，它们都各有特点。 现主要的算法有MSCAN算法（全“0”全“1”算法）、Checkerboard算法（棋盘法）、Gallop算法（奔跳法）、March算法等。一种实用有效的测试算法，能够花费较少的时间和操作程序，更全面的检测出存储器故障。 1.1 MSCAN算法（全“0”全“1”算法） 对所有单元写“1”，再读取所有单元，进行对比。对所有单元写“0”，再读取所有单元，进行对比。算法表达式：{■（w0）；■（r0）；■（w1）；■（r1）}。算法的执行方式可以如下： ①从检测起始点，沿着地址递增的方向将所有存储单元写“0”；②从检测起始点，沿着地址递增的方向读出所有存储单元的值“0”；③从检测起始点，沿着地址递增的方向将所有存储单元写“1”；④从检测起始点，按照地址递增的方向读出所有储存单元的值“1”。 可编程为： For I=1 to n；Do

存储器测试图形算法概述

Vol.45No.4 740 计算机与数字工程 Computer /Digital Engineering总第330期 2017年第4期存储器测试图形算法概述$ 罗晶杨士宁石雪梅 (航天科工防御技术研究试验中心北京100854) 摘要存储器的高集成度化、高速化，为存储器测试带来了极大挑战。论文介绍了存储器测试图形的原理和发展，基于传统的存储器测试图形，综合描述了目前国内外几种较为新颖的且可用于实际工业生产的存储器测试图形改进算法。 关键词存储器测试；测试图形&改进的齐步算法 中图分类号TP391 DO# 10.3969/j.issn1672-9722. 2017. 04.031 Summary of Test Pattern Algorithm for Memory LUO Jing YANG Shining SHI Xuemei (Institute201 of the Second Academy of China Aerospace Science/Industry Corp,Beijing100854) Abstract tt brings big challenge to the testing of semiconductor memory with the development of its high integration and speed.The principle and development of test pattern for memory are introduced.Ameliorated test pattern for memory used in industry manufacture based on traditional test pattern for memory is described synthetically at present. Key Words memory test，test pattern，improved march pattern algorithm Class Number TP391 1引言 随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体芯 片的发展趋于高密度、高速度、高复杂度，给测试带 来了极大的挑战[1]。存储器是集成电路产品中的 一个主要门类，主要用来存放数据、指令、程序等信 息。存储器的测试一方面可用于判断产品质量是 否合格，另一方面通过测试获得一些数据用于改进 工艺[2]。 目前存储器的基本测试方法已经比较成熟，主 要有存储器直接存取测试、存储器的宏测试、存储 器内建自测试三种，各有利弊。存储器直接存取测 试是利用自动测试设备来进行测试，自动测试设备 的性能和测试成本使得直接存取测试方式对大容 量的存储器并不合适。存储器的宏测试将存储器 作为一个宏模块，利用电路内部的扫描路径生成宏 模块的测试向量，再通过自动测试设备在电路外部施加测试矢量，对于较大的存储器，宏测试向量的 数据量较大，测试需要较长时间。存储器内建自测 试是在存储器外围产生一整套控制电路，实现芯片 内置存储器测试模式的自动产生及测试结果的自 动判别，这种方法增加芯片的面积，但是具有自动化程度 、量 、、等优势(]。 对于存储器来说，最主要的测试是读写逻辑功 能测试，以检测存储单元的故障，包括由于坏的金 属连接、坏的元件、芯片逻辑错误等原因引起的功 能故障。这些故障通常被简化为几个较为成熟的 故障模型，通过不同的测试图形算法来检测故障。 本文以存储器的测试图形为切入点，先简单介 绍存储器简化的故障模型，然后介绍常用的存储器 测试图形算法以及一些新近提出的改进存储器测 试图形算法，对其进行比较，并对将来存储器测试 图形的发展进行预期。 收稿日期：2016年10月8日，修回日期：2016年11月25日 作者简介:罗晶，女，硕士，助理工程师，研究方向：元器件测试。杨士宁，男，硕士，工程师，研究方向：元器件测试。石雪梅，女，硕士,工程师，研究方向:元器件测试。

内存储器和外存储器的区别

记忆 内存，也称为内存存储器，通常也称为主存储器，是计算机的主要组成部分，与外部存储器不同。 存储器是计算机的重要组成部分之一，是与CPU通信的桥梁。 计算机中的所有程序都在内存中运行，因此存储器的性能对计算机有很大的影响。 内存，也称为内存，用于在CPU中临时存储操作数据，并与硬盘等外部存储器交换数据。 只要计算机在运行，CPU就会把需要计算的数据传送到内存中进行计算，然后在计算完成后，CPU将结果传送出去， 存储器的运行也决定了计算机的稳定运行。存储器由存储器芯片、电路板和金手指组成。 分类 一般来说，微型计算机的存储器包括磁芯存储器和半导体存储器，

微型计算机的存储器是半导体存储器。 半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM）， 只读存储器也称为读写存储器。 1随机存取存储器 随机存取存储器 随机存取存储器（RAM）是一种可以随机读/写数据的存储器，也称为读/写存储器。Ram有以下两个特点：第一，它可以读写。 读出时原始存储内容不会损坏， 原始存储器的内容只有在写入时才被修改。 其次，RAM只能用于信息的临时存储。一旦电源关闭，就可以读取电源 存储的内容会立即消失，即不稳定。 Ram通常由MOS半导体存储器组成， 根据数据存储机制，可分为动态RAM和静态RAM。

DRAM是高度集成的，主要用于大容量存储。SRAM具有存取速度快的特点，主要用于高速缓冲存储器。 2只读存储器 ROM是只读存储器。顾名思义，它只能阅读原始内容， 用户无法再编写新内容。原始存储内容由制造商使用掩蔽技术编写， 永远保存。它通常用于存储特殊的固定程序和数据。 只读存储器是一种非易失性存储器， 不需要额外的电源来保存信息，并且不会因为电源故障而丢失信息。 根据内容是否可以在线重写，可以分为两类：不能在线重写的ROM和可以在线重写的ROM。 不能在线重写的ROM包括mask ROM、prom和EPROM； 在线可擦只读存储器包括EEPROM和Flash ROM。 三。CMOS存储器（互补金属氧化物半导体存储器）

存储测试方案

网络存储测试方案 一．目前主流网络存储设备厂商及其主要产品的特点及主要性能指标主流厂商: EMC，IBM，HDS，Netapp等。 EMC 目前EMC产品存储方面主要涵盖：NAS、SAN、云计算等方面。主要产品有： EMC Atmos 集全球规模的存储能力与云体系结构的优势于一身，提供能够满足企业和服务提供商需求的解决方案。 EMC isilon 针对大数据的强大横向扩展NAS 解决方案，不管规模如何，其安装、管理和扩展都很简单。 EMC Symmetrix 10K/20K/40K 这系列三个产品从经济性到高性能均覆盖到，其中 10K：最经济划算的多控制器阵列，专门针对高性能和高效率而设计，适合在虚拟环境中整合应用程序。 20K：专门针对高要求虚拟数据中心环境的性能、整合和自动化需求而打造。 40K：专为混合云环境打造，提供了业界最高级别的整合、性能和可扩展性。 EMC VNX 高性能统一存储，具有无与伦比的简洁性和高效性，针对虚拟应用程序而优化。 IBM IBM TotalStorage DS8870 提供高达 3 倍的性能提升，以实现更快的事务处理速度和实时分析 凭借与IBM 企业级服务器集成的完全硬件冗余的先进业务持续性解决方案，提供卓越的系统可用性 凭借 5 代IBM? System Storage? Easy Tier? 功能和其他先进的自我调整功能，优化性能和成本目标 扩展至高达 1 TB 的系统缓存和高达 2 PB 的容量 通过出色的可扩展性、自我优化、驱动器分层和对广泛工作负载的支持实现整合 IBM XIV 存储系统 针对极致的易用性和运营敏捷性设计的久经考验的创新性高端磁盘存储系统热点、始终如一的高性能，以及通过网格架构实现的大规模并行处理 适用于优化的云与虚拟环境的虚拟化存储资源 通过完全冗余、自我修复和无与伦比的重建速度实现的极高可靠性与可用性

主流DSP存储器测试方法

主流DS P存储器测试方法 本文选自电子发烧友网5月《智能工业特刊》特别聚焦栏目，转载请注明出处 存储器相关的问题是DSP 应用中非常普遍的问题。本文介绍KeyStone I 系列DSP 上一些存储器测试的方法。 KeyStone DSP 存储器系统简介 KeyStone DSP 存储器架构如图1 所示。 对不同的DSP，存储器的大小可能不同，DSP 核和EDMA 传输控制器的个数也可能不同。表1比较了KeyStone I 系列中常用的3颗

DSP。 表1 KeyStone I 存储器系统比较 本文介绍几种存储器测试算法，并讨论这几种算法的用途。 数据测试 下面是数据测试的伪代码： for(memory range under test) fill the memory with a value; for(memory range under test) read back the memory and compare the readback value to the written value 通常，这个测试会被执行几次，每次填充的值不一样。常用的填充值包括 0x55555555, 0xAAAAAAAA, 0x33333333, 0xCCCCCCCC, 0x0F0F0F0F , 0xF0F0F0F0, 0x00FF00FF , 0xFF00FF00FF00, 0xFFFFFFFF , 0。 这个测试可以用来检测数据比特粘连(bit -stuck)问题，例如，如果，

written value = 0, readback value = 0x8, 表示bit 3 粘连到1. 如果 written value = 0xFFFFFFFF , readback value = 0xFFFFFFFE, 表示bit 0 粘连到0. 如果能正确的写入并读出0x55555555（或0xAAAAAAAA），说明相邻的两个比特没有粘连；如果能正 确写入并读出0x33333333（或0xCCCCCCCC），说明相邻的4 个比特没有粘连；如果能正确写入并读出 0x0F0F0F0F（或0xF0F0F0F0），说明相邻的8 个比特没有粘连… 这个算法既可以用来测试数据总线连接，也可以用于测试存储器单元。当用于测试存储器单元时则每一 个存储单元都需要写读所有的值，这将是比较耗时的测试；而用于测试数据总线连接时，只需要把所有的值都 写读一遍就可以了（地址不限）。 地址测试 地址测试的伪代码如下: for(memory range under test) fill each memory unit with its address value; for(memory range under test) read back the memory and compare the readback value to the written value

内存储器和外存储器的区别

内存储器和外存储器的区别: 内存储器是指我们常说的内存。内存储器是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存储器中进行的，因此内存储器的性能对计算机的影响非常大。内存储器(Memory)也被称为内存，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。内存储器速度更快、容量较小、成本较高。 内存储器 外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。外存储器则速度较慢、容量较大、成本较低。 外储存器 内存储器和外储存器区别：

内存储器只是用来交换数据一旦重启电脑，数据马上就没了。而外储存器是用来存储数据，即是是关闭了计算机后数据依然存在。这两个是完全不同的概念！ 内存储器有哪些? rom 咱们正常家里机器里的内存就是你所说的内存储器.还有cpu里面有个一级二级的缓寸也是内存储起.速度比较快.一但没有加电.里面就没数据. 外存储器又有哪些? 现在的营盘啊,光盘啊,u盘.软盘都是外存储器.他们储存的东西多.但速度没有内存快 他们的用途特点是什么? 内存:特点不没电就没数据.运行速度快,主要在cpu与外存储器之间.起到过度作用 外存.相反么.存储量大.造价便宜

内存储器和外存储器的区别

记忆 内存，也称为内存存储，通常也称为主内存，是计算机的主要组件，它相对于外部内存。 内存是计算机的重要组成部分之一，是与CPU通信的桥梁。 计算机中的所有程序都在内存中运行，因此内存的性能对计算机有很大的影响。 内存，也称为内存，用于将操作数据临时存储在CPU中，并与诸如硬盘之类的外部存储器交换数据。 只要计算机在运行，CPU就会将需要计算的数据传输到内存中进行计算，然后在计算完成后，CPU会传输结果， 内存的运行还决定了计算机的稳定运行。内存由内存芯片，电路板和金手指组成。 分类 通常，微型计算机的存储器包括磁芯存储器和半导体存储器， 微型计算机的存储器是半导体存储器。

T半导体存储器可以分为随机存取存储器（RAM）， 只读存储器（ROM）也称为读写存储器。 1.随机存取存储器 随机存取存储器 随机存取存储器（RAM）是一种可以随机读取/写入数据的存储器，也称为读取/写入存储器。 Ram具有以下两个特征：一是它可以读写。 原始存储的内容在读出时不会损坏， 原始存储的内容仅在写入时才被修改。 其次，RAM只能用于信息的临时存储。电源一旦关闭，电源就可以读出 存储内容立即消失，即易失。 Ram通常由MOS半导体存储器组成， 根据数据存储的机制，它可以分为动态RAM和静态RAM。

DRAM具有高度集成的特点，主要用于大容量存储器。SRAM的特点是访问速度快，主要用于高速缓冲存储器。 2.只读内存 ROM是只读存储器。顾名思义，它只能读取原始内容， 用户不能再写新内容。原始存储内容由制造商使用遮罩技术编写， 并永远保留下去。它通常用于存储特殊的固定程序和数据。 只读存储器是一种非易失性存储器， 无需额外的电源来保存信息，并且不会因电源故障而丢失信息。 根据内容是否可以在线重写，可以分为两种类型：不能在线重写的ROM和可以在线重写的ROM。 不能在线重写的ROM包括mask ROM，prom和EPROM； 在线可擦写ROM包括EEPROM和Flash ROM。 3. CMOS存储器（互补金属氧化物半导体存储器）

[其他论文文档]简述存储器测试图形算法

简述存储器测试图形算法 1 介绍 随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体芯片的发展趋于高密度、高速度、高复杂度，给测试带来了极大的挑战。存储器是集成电路产品中的一个主要门类，主要用来存放数据、指令、程序等信息。存储器的测试一方面可用于判断产品质量是否合格，另一方面通过测试获得一些数据用于改进工艺。 目前存储器的基本测试方法已经比较成熟，主要有存储器直接存取测试、存储器的宏测试、存储器内建自测试三种，各有利弊。存储器直接存取测试是利用自动测试设备来进行测试，自动测试设备的性能和测试成本使得直接存取测试方式对大容量的存储器并不合适。存储器的宏测试将存储器作为一个宏模块，利用电路内部的扫描路径生成宏模块的测试向量，再通过自动测试设备在电路外部施加测试矢量，对于较大的存储器，宏测试向量的数据量较大，测试需要较长时间。存储器内建自测试是在存储器外围产生一整套控制电路，实现芯片内置存储器测试模式的自动产生及测试结果的自动判别，这种方法增加芯片的面积，但是具有自动化程度高、测试质量高、测试成本低、测试时间短等优势。 对于存储器来说，最主要的测试是读写逻辑功能测试，以检测存储单元的故障，包括由于坏的金属连接、坏的元件、芯片逻辑错误等原因引起的功能故障。这些故障通常被简化为几个较为成熟的故障模型，通过不同的测试图形算法来检测故障。本文以存储器的测试图形为切入点，先简单介绍存储器简化的故障模型，然后介绍常用的存储器测试图形算法以及一些新近提出的改进存储器测试图形算法，对其进行比较，并对将来存储器测试图形的发展进行预期。 2 常用的存储器测试图形算法 对于存储器的功能测试，算法有很多种，分别针对不同的存储器故障模型，包括固定故障、转换故障、耦合故障、图形敏感故障、寻址故障、数据保留故障等。一个高效率的测试算法，需要用尽可能少的测试图形和尽可能短的测试时间检测到尽可能多的故障。从理论上说，存在覆盖所有故障的测试算法，但是实际上由于时间复杂度的原因无法实现。假设用N 表示一个存储器的地址数，那么测试图形的复杂度可以用N来表示。 对于较大容量的存储器来说，N3/2图形和N2图形的测试时间在实际测试中是无法承受的。在实际测试中最常用的算法主要有全0/全1图形，奇偶校验板图形和齐步1/0图形。这三种图形均为N图形。 1、全0/全1图形 将全部存储单元按顺序写0、读0、写1、读1，测试图形序列长度为4 N，可用于检测存储器的固定故障。 2、奇偶校验板图形

内存储器和外存储器的区别

内存： 内存是计算机的重要部件之一。 它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行。 内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。 内存(Memory)也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU 中的运算数据，与硬盘等外部存储器交换的数据。 只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算。当运算完成，CPU将结果传送出来。 内存的运行也决定计算机整体运行快慢的程度。 内存条由内存芯片、电路板、金手指等部分组成。 概述： 在计算机的组成结构中有一个很重要的部分是存储器。它是用来存储程序和数据的部件。 对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。 存储器的种类很多。按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。 内存又称主存。它是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。特点是存取速率快。 内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。

我们平常使用的程序，如：Windows操作系统、打字软件、游戏软件等。一般安装在硬盘等外存上，但仅此是不能使用其功能，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能。 我们平时输入一段文字或玩一个游戏，其实是在内存中进行。好比在一个书房，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，我们工作的办公桌相当于内存。 通常，我们把要永久保存、大量数据存储在外存上，把一些临时或少量的数据和程序放在内存上。当然，内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。 内存是暂时存储程序以及数据的地方。当我们使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它被存入内存中。当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。 外储存器： 外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。 解释： PC机常见的外存储器有软盘存储器、硬盘存储器、光盘存储器等。磁盘有软磁盘和硬磁盘两种。光盘有只读型光盘CD-ROM、一次写入型光盘WORM和可重写型光盘MO三种。 简介

存储器故障诊断算法的研究与实现

作者: 来源：电子与封装/刘炎华1景为平2 1 东南大学集成电路学院2南通大学上网日期: 2007年01月18日 1 引言 存储器是各种电子设备中保存信息的主要部件，随着存储器芯片的密度和复杂度的日益提高，设计一个良好的测试算法来测试存储器变得尤为重要，存储器按功能，主要可分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。 随机存储器（RAM）根据存储阵列所用的电路类型可分为静态随机存储器（SRAM）、动态随机存储器（DRAM），只读存储器（ROM）可分为掩模编程ROM和现场可编程ROM。 2 存储器的故障模型 研究存储器的检测方法，就必须先建立存储器单元的故障模型，也就是要求把物理故障模型化为逻辑故障，通常可以用功能模型或灰匣子模型将存储器故障模型化，典型RAM功能模型如图1所示，该模型是由Vande Goor提出的简化功能DRAM模型[1]。 对于图1的功能模型，存储器的故障主要表现有3类： （1）地址解码器故障（AF）[2]，主要表现为4种形式（如图2所示）。 （2）读写逻辑模块故障。主要表现为在读写电路中，某些检测放大器的出或者写入驱动器的逻辑部分，可能产生开路、短路或者I/O固定的故障，在读写电路的数据 线之间存在交叉耦合的干扰。 （3）存储单元阵列故障，由于存储单元阵列是存储器内规模最为复杂的一个模块，因此出现故障的概率最大，故障的类型也最为复杂，主要是由于存储器单元内的数据线开路、短路以及串扰所引起的。 对于上述的功能模型去掉其中的某些逻辑模块，就可用于ROM的测试。

3 存储器的简化功能故障[2、5、6] 基于以上各模块的故障表现形式，又由于地址译码故障和读写逻辑故障可以等效的功能映射为存储器单元阵列故障，故可把存储器故障简化为下列四种功能故障： （1）固定故障（stuck-At Fault，SAF） 单元或连线的逻辑值总为0或总为1的故障，单元/连线总是处于有故障的状态，并且故障的逻辑值不变。 （2）转换故障（Transition Fault.TF） 转换故障是SAF的一种特殊情况，当写数据时，某一存储单元失效使得0→1转变或1→0转变不能发生，表现为固定故障的形式。 （3）耦合故障（Coupling Fault，CF） 存储单元中某些位的跳变导致其他位的逻辑发生非预期的变化，它既可以发生在不同单元之间，也可以发生在同一单元不同位之间。 （4）相邻矢量敏化故障（Neighborhood Pattern Sensitive Faults，NPSF） 一个单元因相邻单元的活动导致状态不正确，一个单元的相邻单元可能有5个，也可能有9个，如图3的（a）、（b）所示。 4 存储器故障诊断算法分析 针对存储器故障模型中的各种故障，人们提出了各种诊断算法，目前主要使用的算法有：Checkerboard算法（棋盘法）、Gallop算法（奔跳法）、March算法（进行法）等。 4.1 Checkerboard算法（棋盘法）[7] 棋盘法的测试过程是首先对每一个存储单元赋值，使得每一个单元与其紧相邻的各个单元的值都不同，如图4所示，即把整个存储阵列分为两块a、b，然后采用如下过程对a、b 进行读写； （1）对分块a（b）中的单元写0（1）； （2）读所有单元；

简述存储器测试图形算法

简述存储器测试图形算法 本文从网络收集而来，上传到平台为了帮到更多的人，如果您需要使用本文档，请点击下载按钮下载本文档（有偿下载），另外祝您生活愉快，工作顺利，万事如意！ 1介绍 随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体芯片的发展趋于高密度、高速度、高复杂度，给测试带来了极大的挑战。存储器是集成电路产品中的一个主要门类，主要用来存放数据、指令、程序等信息。存储器的测试一方面可用于判断产品质量是否合格，另一方面通过测试获得一些数据用于改进工艺。 目前存储器的基本测试方法已经比较成熟，主要有存储器直接存取测试、存储器的宏测试、存储器内建自测试三种，各有利弊。存储器直接存取测试是利用自动测试设备来进行测试，自动测试设备的性能和测试成本使得直接存取测试方式对大容量的存储器并不合适。存储器的宏测试将存储器作为一个宏模块，利用电路内部的扫描路径生成宏模块的测试向量，再通过自动测试设备在电路外部施加测试矢量，对于较大的存储器，宏测试向量的数据量较大，测试需要较长时间。存储器内建自测试是在存储器外围产生一整套控制电路，实现芯片内置存储器测试模式的自动产

生及测试结果的自动判别，这种方法增加芯片的面积，但是具有自动化程度高、测试质量高、测试成本低、测试时间短等优势。 对于存储器来说，最主要的测试是读写逻辑功能测试，以检测存储单元的故障，包括由于坏的金属连接、坏的元件、芯片逻辑错误等原因引起的功能故障。这些故障通常被简化为几个较为成熟的故障模型，通过不同的测试图形算法来检测故障。本文以存储器的测试图形为切入点，先简单介绍存储器简化的故障模型，然后介绍常用的存储器测试图形算法以及一些新近提出的改进存储器测试图形算法，对其进行比较，并对将来存储器测试图形的发展进行预期。 2常用的存储器测试图形算法 对于存储器的功能测试，算法有很多种，分别针对不同的存储器故障模型，包括固定故障、转换故障、耦合故障、图形敏感故障、寻址故障、数据保留故障等。一个高效率的测试算法，需要用尽可能少的测试图形和尽可能短的测试时间检测到尽可能多的故障。从理论上说，存在覆盖所有故障的测试算法，但是实际上由于时间复杂度的原因无法实现。假设用N 表示一个存储器的地址数，那么测试图形的复杂度可以用N来表示。

存储过程测试方法

1.在要调试的过程上单击test，如下图所示： 2.出现如下界面时单击最左上方的按钮：，如下图所示： 3.单击后呈现如下画面：

其中：表示要停止test; 表示要全部运行完这个过程。单击它后你就不能单步调试了。 单步调试。单击它后可以像在exlipse或者visal stidio里面一样对程序进行单步调试了。 4.单击“单步调试”按钮。出现如下画面：

这个时候表示你进入了调试状态，你可以单击上面说的任何按钮来控制程序，如下：表示要停止test，不再调试了; 表示要全部运行完这个过程，不再进行单步调试了。 单步调试，表示要一步一步的调试这个程序 要想单步调试这个程序，只需要你用鼠标左键连续单击这个按钮即可。 5.断点的使用。 可以使用断点，方法是在文本区域最左侧的边框进行左键单击，如下： 这个时候单击：这个按钮，就可以直接运行到这个位置了，示意图如下：

这个时候再单击，进行一步步的调试。 注意：当你忘记了设置断点，而进入一个非常大的循环时，没有关系，你可以打开这个过程在相应处设置断点，然后单击就可以了。步骤如下： a。忘了设断点了，但是我进入了非常大的循环单步调试很难退出时：这个时候需要打开这个过程，如下： b.你需要设置断点的地方左键单击即可，如下图：

c。单击就直接运行到你设置的这个断点的地方了。 5.对监控窗口的使用： 这个窗口可以把你要监视的变量进行显示，你把你需要监视的变量复制到这个窗口就可以了。这个窗口在调试界面的最下方，如下示： 这个sql_str就是要被监视的对象。 6.继续单步调试：可以看到，这个变量被赋值了。如下图所示：