半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总

第一章集成电路芯片封装技术

1. (P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。

广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。

2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。

3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。

5.封装工程的技术的技术层次？

第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放

发热量日趋增大4引脚越来越多

对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性

9.有关名词：

SIP：单列式封装SQP：小型化封装MCP：金属鑵式封装

DIP：双列式封装CSP：芯片尺寸封装QFP：四边扁平封装

PGA：点阵式封装BGA：球栅阵列式封装LCCC：无引线陶瓷芯片载体

第二章封装工艺流程

1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作

2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装，芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序

3.硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，

系统集成测试题

系统集成项目管理师整体管理模拟试题及答案 1、你被选为你公司将要发布的新产品的项目经理。你认识到为了项目的成功，你的项目小组必须： A、具有关于产品的适当技术和知识； B、配备高级别的人员以帮助较低级别小组成员； C、拥有自动化的项目管理信息系统； D、每周举行一次项目进展评估会议。 参考答案：A 2、你的项目必须对时间表风险进行一项蒙特卡罗（Monte Carlo）分析。这是你组织的什么要求： A、项目计划方法 B、项目执行方法 C、项目管理信息系统 D、项目经验积累 参考答案：A 3、你正在进行一个通信项目。有关产品和系统的要求已经确定并得到了客户，管理阶层和其它股东的同意。工作正在按照时间表进行之中。到目前各方对进展似乎都很满意。你得知一项新的政府管理方面的要求将会引起项目的一个绩效指标的变更。为使这个变更包括在项目计划之中，你应该： A、召集一次变更控制委员会会议 B、改变工作分解包，项目时间表和项目计划以反映该管理要求 C、准备变更请求 D、通知受到影响的股东将要对项目立即采取的新计划 参考答案：C 4、你的组织正在开始着手一个新的项目，配备了虚拟项目小组。根据过去的经验，你认识到矩阵环境 下的小组成员有时对职能经理的配合超过对项目经理的配合。因此，你决定制定： A、项目计划 B、项目章程 C、项目范围说明 D、人力资源管理计划 参考答案：B 系统集成项目管理师整体管理模拟试题及答案 来源：考试大【考试大——我选择，我喜欢】 2011年4月4日 5、由于一项新的政府规定，你必须变更你的通信项目的范围。项目目标已经做了若干变更。你已经对 项目的技术和规划文件做了必要的修改。你的下一步应该是：

高频电子技术试题库第三章

一、选择题（每题2分） 1在调谐功率放大器中，晶体管工作延伸到非线性区域包括。（） A．截止和饱和区 B．线性和截止区 C．线性和饱和区 答案：A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。（） A． U B．b E C．L R j 答案：C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min （） A． U B．bm U C．cm U ces 答案：A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。（） A．射极电流 B．基极电流 C．集电极电流

答案：C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。（） A．甲类 B．乙类 C．丙类答案：C 6 窄带高频功率放大器又被称为。（） A．调谐功率放大器 B．非调谐功率放大器 C．传输线放大器 答案：A 7 高频调谐功率放大器分析方法。（） A．近似法 B．折线法 C．等效分析法 答案：B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。（） A．正偏 B．反偏 C．0偏置 答案：B

9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。（） A．180o B．90o C．小于90o 答案：C 10 高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于区。（） A．截止 B．饱和 C．线性放大 答案：A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o 答案：B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o

答案：C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，展开系数最大的是 。（ ） A ．0α B ．1α C ．2α 答案：B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最大值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最小值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：C 16 某晶体管的转移特性，其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-，激励信号 电压幅值bm U =3.2V ，则导通角为 。（ ） A ．90o B ．60o C ．30o 答案：B

高频电子技术试题库第二章

1LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为 ______ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 2LC串联谐振回路发生谐振时.回路总阻抗为______ o（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到_____ o < ） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：A 4串联谐振曲线是 _____ 之问的关系曲线。（） A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率答案：B 5 LC串联谐振回路 ____ ,谐振特性曲残越尖锐。（） A.回路Q值大 B.回路Q值大 C. 0 答案：A 6 LC串联谐振回路Q值大，回路选择性0 （） A.差B?好 C. 不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成O() A.正比B?反比 C. 无关 答案：B () 8单回路通频带B与谐扳频率f成 A.正比B?反比 C. 无关 答案：A 9并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为 _____ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 10并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为0 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：B 11并联谐振回路发生谐振时，阻抗为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 13 LC串脫谐振回路发生失谐时，阻抗为0 () A.大 B.小 C. 0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f V坨时，阻抗呈 _______ 。（） A.容性 B.感性 C. 0

系统集成技术试题参考

系统集成技术试题汇总 总题量：74 一、难 数量：12 1、数据共享方案，描述中错误的是： A．实时数据同步，数据源变更时，调整时亦很方便 B．容易造成数据完整性和一致性被破坏 C．外挂系统对主系统会产生性能压力 D．不适用于数据保密性要求高的应用 A 2、计算机网络拓扑结构根据通信子网中通信信道的类型可分为哪两类： A．点对点信道的拓扑结构与星型拓扑结构 B．点对点信道的拓扑结构与广播信道通信子网 C．星型拓扑结构与环形拓扑结构 D．广播信道通信子网与环形拓扑结构 B 3、在NT的执行体各组成部件中，对中断和异常作出响应、调度线程、提供一组基本对象和接口的部件是（） A．内核 B．对象管理程序] C．安全调度监视 D．硬件抽象层 A 4、关于直通式以太交换机的说法，（）是不正确的。 A．可以用直通式以太交换机来代替本地的网桥或路由器来提高网络的性能 B．直通式以太交换机的速度快，但是性能比网桥好 C．直通式以太交换机可以互连多个网段 D．直通式以太交换机的速度快，但是性能却不如网桥好 B 5、通信软件的数据操作功能不含（）。 A．转换表 B．流控制 C．文件传输 D．编辑器 A 6、SLIP协议规定当工作站发送IP数据时，如果在IP数据报中出现0xC0标志时，则使用转义代码（）来替代。 A．0xDB 0Xdc B．0XDC 0xDB

C．0xDB 0xDD D．0xDD 0Xdb B 7、下列选择中间件的考虑因素中不合适的一项是 A．有些中间件只提供一些平台实现，对异构系统之间的移植有限制 B．多数流行的中间件服务使用专有的API和协议，使得不同中间件提供厂家之间的产品较难集成 C．应尽可能使用中间件服务，这是解决分布式计算环境各项问题的最佳方案 D．中间件服务遵循的一些原则离实际应用还有较大差别 C 8、下列有关XML的叙述种错误的是 A．SAX是比DOM更快、更轻量级的处理XML文档的方法 B．XSLT除了可以定制XML文档在浏览器中的显示外，还可以将一个XML文档转换成另一种数据结构的XML文档 C．一个良构（Well-Formed）的XML文档必定也是符合DTD或XML Schema语义验证的 D．XML文档中可以自定义标签，而HTML中则不行 C 9、下列关于EJB的说法错误的是 A．EJB是用于开发和部署多层结构的、分布式的、面向对象的Java应用系统的平台的构件体系结构 B．EJB体现了Java的“Write once, run anywhere”的原则，一旦一个EJB 开发完成之后，那么就可以部署在任何支持EJB的平台上，而不需要重新编译或对源代码进行修改。 C．EJB目前不支持和其它的非Java应用系统的互操作性 D．EJB没有用户界面，且完全位于服务器端；而一个标准的JavaBean是一个客户端构件。 C 10、关于J2EE和.NET架构的比较，下列说法错误的是 A．互相竞争的建立Web服务的两种方案 B．J2EE已经是业界标准，.NET目前只是微软的产品 C．J2EE核心语言是Java，而.NET可以使用包括C#、https://www.wendangku.net/doc/dd14016387.html,、Perl、Cobol等在

《高频电子技术》试卷及答案

试卷代号： ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级 电子信息 专业 200**年6月 一、填空题（每空1分，共30分） 1、调制的方式有 、 、 。它们分别由调制信号去控制高频载波的 、 、 。 2、高频放大器按负载形式可分为 放大器和 放大器。 3、单调谐放大器，多级级联增益 ，通频带 ，选择性 。 4、镜像干扰是指 ，抑制这种干扰的主要方法有 和 。 5、广播电台的载波是1500KHZ ，问接收机本振频率为 ，对接收机引起干扰的镜频为 。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有 ，各频率对应的幅度分量为 。 7、AM 信号幅度最大值为 ，最小值为 ，边频信号幅度为 ，载波信号幅度为 。 8、正弦波振荡器由 、 、 组成。 9、石英晶体与电感串联后，由于串联电感增加，串联谐振频率 ，而并联谐振频率 ，通频带向低频方向扩展 。 10、反馈式振荡器振荡条件是 和 。 二、选择题（每小题3分，共18分） ）时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态，现欲调整使它工作在临界状态，可采用（ ）方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中，信号需要调制的原因是（ ） A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在（ ），高电平调幅器应用在（ ） A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中，功率消耗最大的是（ ） A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ，调幅系数M=0.3，载波与边频总功率为（ ） C 1090W D 1180W 三、判断题（每小题1分，共10分） 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现，这样，输出信号的失真可以减小。（ ） 2、非线性器件有频率变换作用，而混频电路中也是频率变换电路的一种，所以说非线性器件有混频作用。（ ） 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。（ ） 4、二极管大信号包络检波器原来无失真，但当输入已调波信号幅度增大时，则将可能产生负峰切割失真。（ ） 5、同步检波，可以用来解调任何类型的调幅波。（ ） 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近，通频带宽度很窄。（ ） 7、谐振回路Q 值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带就越宽。（ ） 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。（ ） 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法，但中和法较难调整。（ ） 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路，但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。（ ） 四、画图题（10分） 已知调幅波表达式，画出他们的波形和频谱图。（c ω=5Ω） (1+0.5COS t t c ωsin )Ω

半导体集成电路习题及答案

第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。 提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能 的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；

⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周； ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作 的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =） 第3章 集成电路中的无源元件 复 习 思 考 题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。 试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答：12μm (2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答：一个弯头 第4章 晶体管 (TTL)电路 复 习 思 考 题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上 机使用时有什么问题? 答：不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1 CES V =0.1～0.2V 。 答：（1）导通态（输出为低电平） V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ，

网络系统集成练习试题和答案

单选： 1、为数据交换数据而制定的规则、约定和标准统称为（B）。 A．网络结构 B.网络协议 C.参考模型 D.体系结构 2.同层次进程通信的协议及相邻层接口统称为（A） A.对等层协议 B.网络体系结构 C.数据链路层协议 D.物理层协议 3.数据多层封装采用的形式为（）Ｂ A．自下而上 B.自上而下 C.自左而右 D.自右而左 ４.世界上第一个网络体系结构由（B）公司提出 A .HP B.IBM C.DELL D.微软 ５、物理层的PDU名称为（C）。 A.数据段 B.分组数据报文C二进制比特流 D.数据帧 ６.物理层之间的数据用（A）实现介质访问，数据表示，端到端的连接. A．比特流 B. 帧 C 数据包 D 数据段 ７.网际层将数据封装为（Ｃ） Ａ比特流Ｂ数据段Ｃ数据包Ｄ帧 8.下列哪些层封装的不只有数据（D） A 应用层 B 表示层 C 会话层D传输层 9.在数据封装过程中哪层会加上尾部（B） A 物理层B数据链路层 C 网际层 D传输层 10、IPv4要寻找的“地址“是（B）位长的。 A.64位 B.32位 C.48位 D.96位 11. IPV6要寻找的“地址”是（C）位长的。 A 48 B 64 C 128 D 36 １2.传输层的PDU特定名称是（）A A数据段 B 分组报文 C 数据帧 D 比特流 １3.C类地址的最大主机数目是（）C A 250 B 252 C 254 D256 １4.OSI体系结构分为应用层，表示层，会话层，传输层，网络层，（B），物理层 A IP层 B 数据链路层 C 网际层 D 网络接口层 １5、系统集成是将（A）和网络软件系统性地组合成整体的过程。 A．网络设备 B.交换机 C.路由器 D.服务器 １6、下列（Ｄ）不是ＤＮＳ的组成部分。 Ａ．域名空间Ｂ．名字服务器Ｃ．解析程序Ｄ．ｉｐ地址 １7、下列（Ｃ）不是子网划分后的ｉｐ地址的组成部分。 Ａ．网络号Ｂ．主机号Ｃ．端口号Ｄ．子网号 １8、ＡＲＰ协议是从（Ａ）的解析。 Ａ．ｉｐ地址到ＭＡＣ地址Ｂ．ＭＡＣ地址到ｉｐ地址 Ｃ．源地址到目的地址Ｄ．目的地址到源地址 １9.RARP是（）协议 B A. 地址解析协议 B.反地址解析协议 C超文本传输协议 D.文件传输协议 20 DNS用于将( B)

高频电子技术试题库 第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0

15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0

《半导体集成电路》考试题目及参考答案(DOC)

第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释

最新高频电子期末考试试题及答案

《高频电子技术》科期考试题 考试类型：理论考试时间：90分钟出题老师：韦艳云 考试班级：考生姓名：考生学号：卷面成绩： 一、填空题（每空一分，共 35分）。 1、通信系统的组成：、、、、。 （答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端） 2、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低） 3、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。 （答案：平坦；差） 4、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。 （答案：增宽；变差） 5、理想谐振回路K r 0.1，实际回路中K r 0.1，其值越越好。 （答案：等于1；大于1；小） 6、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变 ，当ff0是呈。 （答案：大；纯电阻；小；感性；容性） 7、高频放大器按照输入信号的大小可分为放大器和放大器。 （答案：小信号；大信号） 8、实际谐振曲线偏离理想谐振曲线的程度，用表示。 （答案：距形系数） 9、小信号调谐放大器当工作频率等于回路的谐振频率时，电压增益，当工作频率偏离谐振频率时，电压增益。 （答案：最大；减小） 10、调谐放大器主要由和组成。 （答案：晶体管；调谐回路） 11、双调谐回路放大器，谐振曲线在η>1时，会出现现象。

（答案：谐振曲线顶部凹陷） 12、高频功率放大器中谐振电路的作用是、、。 （答案：传输；滤波；匹配） 13、设一放大器工作状态有下述几种：甲类，乙类，丙类。效率最高。（答案：丙类） 14、反馈式振荡器的自激条件是。 （答案：正反馈） 15、正弦波振荡器由、、组成。 （答案：放大器；反馈网络；选频网络） 二、选择题(每题2分，共20分)。 1、下列表达式正确的是（ B ）。 A）低频信号可直接从天线有效地辐射。 B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与（A ）相比拟。 A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。 C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。 3、电视、调频广播和移动通信均属（A ）通信。 A）超短波B）短波C）中波D）微波 4、串联谐振曲线是（ B ）之间的关系。 A）回路电流I与谐振时回路电流I0 B）回路电流幅值与信号电压频率 C）回路电压幅值与信号电流频率D）谐振时回路电流I0与信号电压频率 5、强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷（A ）。 A) 越大B)越小C) 不出现

系统集成考试题

一、单选题。每道题只有一个正确答案。 1、以下哪个不是数据仓库的特点？（C） A数据的一致性 B数据的完整性 C数据的扩展性 D数据的集成性 2、以下哪个不属于数据仓库需求分析的先决条件？ A 主题模型 B 数据质量评估 C 详细需求文档 D 宏观信息需求 3、进行需求分析可使用多种工具，但以下哪项是不适用的？ A 数据流图 B 判定表 C PAD图 D 数据字典 4、以下与逻辑建模技术表述无关的是哪一个？ A 采用逻辑建模或物理建模技术。 B 采用的模型为星型模型货三范式模型。 C 参与的角色有DWAR、DWE。 D 使用多维模型设计工具。 5、数据仓库设计过程中所采用的逻辑模型是下面哪一个？ A 关系模型 B 雪花模型 C 星型模型 D 三范式模型 6、以下有关ETL表述不正确的是哪一个？ A ETL由三个子过程构成、数据抽取、数据转换和数据加载。 B ETL又可以扩展为可以分为4个步骤、数据抽取、数据清洗、数据转换和数据加载，即ETCL。 C ETL设计涉及到错误恢复过程设计、归档转储过程设计、作业调度过程设计等内容。 D 根据选用的数据仓库工具将数据从数据源抽取到数据库，然后根据业务规则转换和集成为数据仓库中需要的数据格式，最后将转换的结果装入数据仓库。 7、以下哪一个不属于元数据管理系统的建设的步骤？ A 元数据需求定义 B 元数据管理实现 C 元数据应用实现 D 系统应用定义 8、以下哪一个不是数据仓库管理的内容？ A 元数据管理 B 数据仓库管理 C 数据管理 D 系统管理模块 9、以下哪一项在数据挖掘项目中所占时间比重最大？

A 数据采集 B 数据清洗 C 数据预处理 D 数据挖掘 10、在数据挖掘中，可以通过哪种方法找出发现不真实的数据资料，保证资料的可信度？ A 过程技术推证 B 变量交叉验证 C 变更同比分析 D 变更极值控制 11、软件需求规格说明书的内容不应包括对的描述。 A 主要功能 B 算法的详细过程 C 用户界面及运行环境 D 软件的性能 12、K-means算法的缺点不包括？ A K必须是事先给定的。 B 选择初始聚类中心。 C 对于“噪声”和孤立点数据是敏感的。 D 可伸缩、高效。 13、CRM是指在合适的、通过合适的、在合适的内、向合适的、提供合适的。 A 渠道、时间、产品、客户、价格 B 价格、产品、时间、客户、渠道 C 时间、渠道、价格、客户、产品 D 客户、价格、时间、渠道、产品 14、银行客户流失预测模型建立流程中模型预测周期一般为？ A 1个月 B 2个月 C 3个月 D 6个月 15、商业银行信用评分模型中的数据源不包括？ A 财务报告 B 信用报告 C 帐户交易信息 D 预测信息 16、利用客户偏好模型对客户进行合理性、等角度去描述群体和调整模型，直至得到理想的模型。 A 可扩展性 B 可应用性 C 科学性 D 完整性 17、客户关系管理的核心是？ A 渠道 B 了解客户自身的喜好 C 产品

集成电路芯片封装技术

集成电路芯片封装技术（书） 第1章 1、封装定义：（狭义）利用膜技术及细微加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、 粘帖固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构 成整体立体结构的工艺 （广义）将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程 2、集成电路的工艺流程：芯片设计（上）芯片制造（中）封装测试（占50%）（下）（填空） 3、芯片封装实现的功能：传递电能传递电路信号提供散热途径结构保护与支持 4、封装工程的技术层次（论述题）：P4图 晶圆Wafer -> 第零层次Die/Chip -> 第一层次Module -> 第二层次Card ->第三层次Board -> 第四层次Gate 第一层次该层次又称芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层组装进行链接的模块 第二层次将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电路卡的工艺 第三层次将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺 第四层次将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程 5、封装的分类与特点： 按照封装中组合集成电路芯片的数目——单芯片封装（SCP）多芯片封装（MCP） 按照密封材料——高分子材料封装陶瓷材料封装 按照器件与电路板互连方式——引脚插入型（PTH）表面贴装型（SMT） 6、DCA（名词解释）：芯片直接粘贴，即舍弃有引脚架的第一层次封装，直接将IC芯片粘贴到基板上再进行电路互连 7、TSV硅通孔互连封装 HIC混合集成电路封装 DIP双列直插式引线封装

高频电子技术试题库-第二章

高频电子技术试题库-第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0

15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0

半导体集成电路制造PIE常识

Question Answer & PIE

PIE 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 200mm300mm 8〞12〞

OpanStack系统集成继续教育试题2017

、多选题。每道题有两个或两个以上的正确答案 1、以下属于基础资源层的技术有哪些？ A 裸金属(Bare Metal) B 虚拟化技术(Virtualization) C软件及服务(SaaS) D平台及服务(IaaS) 正确答案AB 2、以下哪个需求就是对私有云服务的要求？ A对云服务的访问安全性要求高。 B设备层面对SLA及性能的考量较重。 C业务层面更多的非模块化的商用软件应用。 D对可操作性与运维简化性要求高。 正确答案ABCD 一、单选题。每道题只有一个正确答案。 1、以下哪个城市没有举办过Ope nStack Design Summit ？A北京 B香港 C旧金山 D波特兰 正确答案A 一、单选题。每道题只有一个正确答案。 1、OpenStack 从哪个版本增加了glanee模板模块？ A Austin B Bexar C Cactus D Diablo 正确答案B 一、单选题。每道题只有一个正确答案。 1、OpenStack 中的计算模块就是以下哪个模块？ A Nova B Gla nee C Swift D Cin der 正确答案A 一、多选题。每道题有两个或两个以上的正确答案。 1、以下哪几个选项属于OpenStack 社区代码Review的步骤? A 提交bug 或者Blueprint。 B创建分支修改代码。 C将代码提交给Gerrit。

D 代码在社区Review 正确答案ABCD 、单选题。每道题只有一个正确答案。 1、以下哪个模块式负责 Ope nStack 中的计算? A Nova 。 B Cinder 。 C Neutr on 。 D Keysto ne 。 正确答案A 、多选题。每道题有两个或两个以上的正确答案 1、以下哪个模块在 Ope nStack Nova 模块中负责计算核心功能? A no va-api 。 B no va-scheduler 。 C no va-compute 。 D no va-c on ductor 。 正确答案BCD 、单选题。每道题只有一个正确答案。 1、以下哪些信息不属于项目的 Quota ？ A 块存储的限制（数目与总大小）。 B 虚拟机数目的限制。 C 浮动IP 地址与静态IP 地址的限制。 2、以下对于OpenStack 中区域划分的概念描述不正确的有哪些? A Regio n 通常可以映射为一个地域的数据中心。 B Avaiablity Zone C Host Aggregate D Host Aggregate 正确答案D 1、OpenStack 提供基本的块存储管理功能。 通过iSCSI 、FC 或者NFS 对SAN 进行虚拟化管理。 C 提供持久的存储介质，并可以将其在虚拟机之间传递。 D 提供高性能的文件系统。 正确答案D 2、以下哪个Cinder 中的子模块直接与存储设备交互? A cin der-api B cin der-volume C cin der-scheduler D cin der 的数据库 用户权限的限制。 D 正确答案D 通常对应一组计算节点或者存储节点。 更倾向于逻辑划分。 通常可以映射为一个数据中心的一个 Rack 。 、单选题。 每道题只有一个正确答案。 中Cinder 模块不提供以下哪些基本功能?

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总 第一章集成电路芯片封装技术 1. (P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。 广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。 2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。 3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。 4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。 5.封装工程的技术的技术层次？ 第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。 6.封装的分类？

按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。 7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子 8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面？ 1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多 对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性 9.有关名词： SIP ：单列式封装 SQP：小型化封装 MCP：金属鑵式封装 DIP：双列式封装 CSP：芯片尺寸封装 QFP：四边扁平封装 PGA：点阵式封装 BGA：球栅阵列式封装 LCCC：无引线陶瓷芯片载体 第二章封装工艺流程 1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作

电子技术基础试题库完整

电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（） A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S － T U U I D. 1 e S － T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为（）。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不