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南邮通达模电填空选择题整理

南邮通达模电填空选择题整理
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通达13级期末模电填空题选择题整理

一、填空题整理

1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,利用发光材料

可制成发光二级管,利用PN结的光敏性可制成光敏(光电)二级管。

3.在本征半导体中加入__5价__元素可形成N型半导体,加入

_3价_元素可形成P型半导

体。N型半导体中的多子是_自由电子_______;P型半导体中的多子是___空穴____。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为0,反向电阻为(你猜),这两种状态相当于一个___开关____。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

9.. 三极管从结构上看可以分成PNP 和NPN 两

种类型。

10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降UCE不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。

12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类,目前

广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类,每一类中又分为N 沟道和P沟道两种。

13.晶体管工作在放大区时,具有发射结正偏、集电结反偏的特点。

14.晶体管工作在饱和区时,具有发射结正偏、集电结正偏的特点。

15. 饱和失真和截止失真属于非线性失真,频率失真属于线性失真。

16.共集电极放大器又叫射极输出器,它的特点是:输入电阻高(高、低);输出电阻

低(高、低);电压放大倍数约为 1 。

17.多级放大器由输入级、____中间级_____和输出级组成;其耦合方式有__阻容耦合____和直接耦合、变压器耦合三种;集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。

18.三种最基本组态的放大器分别是共基极放大电路、___共发射极

_______和___共集电极。其中输入电阻最大的是共集电极电路,而输出电阻最小的是共集电极电路。

19.多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的乘积。输入电阻约等于第一级的输入电阻电阻,而输出电阻约等于输出级的输出电阻电阻。

20.多级放大器总的上限频率比其中任何一级的上限频率都要__低___(高/低),而下限频率比任何一级的下限频率都要___高____(高/低)。21.若使放大器不产生频率失真,则要求其__高频__频率响应和__低频___频率响应均不产生失真。

22.晶体管的内部结电容和负载电容主要影响放大器的___高频__特性,而耦合电容和旁路电容主要影响放大器的__低频____特性。

23、选用差分放大电路的原因是克服温漂。

24、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将抑制

共模信号能力增强。

25、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。

26、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2,差模输入电压为v id,共模输入电压为v ic,则当v i1=50mV,v i2=50mV时,

v

=_0mV __,v ic=_50mV__;当v i1=50mV,v i2=-50mV时,id

v

=_100mA__,v ic=_0mA__;当v i1=50mV,v i2=0V时,v id=_50mV__,id

v

=_25mA__。

ic

27、电流源常用于放大电路,作为_A___(A.有源负载,B.电源,C.

信号源),使得放大倍数__A__(A.提高,B.稳定)。

28、电压放大电路主要研究的指标是a 、 b 、 c ;

功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、

f 、

g 、

(a 电压放大倍数b 输入电阻c 输出电阻d 输出功率e 电源提供的功率f效率g 管耗)

29、功率放大电路中,___甲类____功率放大电路导通角最大;_____

乙类___功率放大电路效率较高。(甲类、乙类、甲乙类)

30、甲类功放效率低是因为静态电流过大

31.一放大电路输入电压为1mV,输出电压为1V。加入反馈后,为达到同样输出时需要的输入电压为10mV,该电路的反馈深度为10 ,反馈系数为0.009 。

32.电压串联负反馈稳定的电压放大倍数;电流串联负反馈稳定互导放大倍数;电压并联负反馈稳定互阻放大倍数;电流串联负反馈倍数电流放大倍数。

33.串联负反馈只有在信号源内阻小时,其反馈效果才显著;并联负反馈只有在信号源内阻大时,其反馈效果才显著。

34.已知负反馈放大电路的闭环增益为40dB,基本放大电路的开环增益变化10%,闭环增益相应变化1%,则电路的开环增益为60 dB。

35.为了稳定输出电流,应引入交流电流负反馈;为了稳定输出电压,应引入交流电压负反馈;为了稳定静态工作点,应引入直流反馈;为了提高输入电阻,应引入串联反馈;为了降低输出电阻,应引入并联反馈。

36.直流负反馈的作用是稳定工作点,交流负反馈的作用是改善动态性能,交流电压负反馈的作用稳定输出电压,交流电流负反馈的作用是稳定输出电流。

37.某传感器产生的电压信号,经过放大器后希望输出电压与电流信号成正比,这个放大电路应选用电流串流负反馈。

38.在反馈深度比较深的情况下,多级负反馈放大电路可能产生自激振荡,为了消除这种影响,可在负反馈放大电路中接入补偿电路。

39、理想运算放大器的开环放大倍数Au为无穷大,输入电阻Ri为无穷大,输出电阻为Ro为零。

40、集成运算放大器有两个工作区间,分别为线性区和非线性区。

41、理想运放工作在线性区的条件下,有两个重要特性是虚断和虚短。

42、单值电压比较器有1 个门限电压,迟滞电压比较器有2 个门限电压。

43、电压传输特性如图6.1所示,参考电压是__-2______V,输出电压是___ 10_____V;输入信号加在____反相____输入端。

图题6.1

44、 正弦波振荡器一般是由 基本放大电路 、 反馈网络 和 选频网络 所组成,但为了保证振荡器幅值稳定且波形较好,常常还需要稳幅环节。

45、正弦波振荡电路产生自激振荡的相位平衡条件是2A F n ??π+=;幅度平衡条件是1AF =。

46、正弦波振荡电路起振的相位平衡条件是2A F n ??π+=;幅度平衡条件是1AF >。

47、产生低频正弦波一般选用 RC 振荡器;产生高频正弦波一般选用振荡器;产生频率稳定性很高的正弦波可选用 LC 振荡器。

48、常见的小功率直流稳压电源系统是由 变压器 、 整流电路 、 滤波电路 和 稳压电路 等四部分组成。

49、并联稳压电路,稳压部分是由 稳压管 和 限流电阻 两个元件组成。

50、串联反馈式稳压电路由 采样环节 、 基准环节 、 比较放大环节 、 调整环节 四部分构成。

51、当电网电压上升10%,稳压电路的输出电压从10V 上升到10.2V ,则电路的相对稳压系数S 等于 0.02 。

52、在单项桥式整流电路中,若有一只整流二极管接反则整流管将因电流过大而烧坏

二、选择题整理

1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 A 。

A、杂质浓度

B、温度

C、输入

D、电压

2.理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为__A__。

A.开路

B.短路

C.不能确定

3.稳压管的稳压区是二极管工作在__D__状态。

A.正向导通

B.反向截止

C.反向导通

D.反向击穿

4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将__A__。

A.增大

B.不变

C.减小

5.工作在放大区的某晶体管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC 从1mA变为2mA,那么它的β约为__C__。

A.83

B.91

C.100

6.当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将C。

A、增大

B、不变

C、减小

7.u GS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 和 C 。

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

8.场效应管属于__A____控制型器件,晶体三极管则属于___B___控制

器件。

A、电压

B、电流

C、电感

D、电容。

9.测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v、2.3v、12v则三极管三个电极分别

是 C ,该管是E

A、(e b c)

B、(b c e)

C、(b e c )

D、(pnp)

E、(npn)

10.如题图2-1所示,二极管均为理想元件,则VD1、VD2、

VD3的工作状态为( A )。

A. VD1导通,VD2 、VD3截止

B. VD2导通,VD1 、VD3截止

C. VD3导通,VD1 、VD2截止

11.在题图2-2示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V,VDZ2的

稳定电压为15V,输出电压UO等于( B )。

A.15V B.9VC.24V

图2-1 图2-2

12.为了放大变化缓慢的微弱信号,放大电路应该采用(A )耦合方

式;为了实现阻抗变换,放大电路应采用(C )耦合方式。

A. 直接

B. 阻容

C. 变压器

D.光电

13.阻容耦合和直接耦合多级器之间的主要不同是(A )。

A.所放大的信号不同

B.交流通路不同

C.直接通路不同

14..直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比,低频特性

(A)。

A.好

B.差

C.差不多

15.具有相同参数和相同放大倍数的两级放大器,在组成它的各个单极放大器的截止频率处,总的电压放大倍数下降(A )。

A.3dB

B.6dB

C.9dB

D.20dB

16.多级放大电路与单极放大电路相比,总的通频带一定比它的任何一级都(D )。

A.大

B.小

C.宽

D.窄

17.当信号频率等于放大电路的L f或H f时,放大倍数的值约下降到中频时的(B )。

A.0.5倍

B.0.7倍

C.0.9倍

18.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B ),而低频信号作用时放大倍数下降的原因是(A )。

A.耦合电容和旁路电容存在

B.半导体极间电容和分布电容的存在

C.半导体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点不合适

19.u GS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有( A )和( C )。

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

20.负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B )。

A.输入信号所包含的干扰和噪声

B.反馈环内的干扰和噪声

C.反馈环外的干扰和噪声

D.输出信号中的干扰和噪声

21.多级负反馈放大电路容易产生自激振荡的原因是(D )。

A.各级电路的参数很分散

B.环路增益大

C.闭环增益大

D.放大器的级数多

22.一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈,则(C )。

A.一定会产生高频自激

B.可能产生高频自激

C.一般不会产生高频自激

D.一定不会产生高频自激

23.为了实现下列目的,分别引入以下两种反馈的一种

A.直流负反馈

B.交流负反馈

(1)为了稳定静态工作点,应引入(A );

(2)为了稳定放大倍数,应引入(B );

(3)为了改变输入电阻和输出电阻,应引入(B );

(4)为了展宽频带,应引入(B )。

24.交流负反馈有以下几种情况:

A.电压

B.电流

C.串联

D.并联

(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入(A )负反馈。(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入(B )负反馈。(3)为了增大放大电路的输入电阻,应引入(C )负反馈。(4)为了减小放大电路的输入电阻,应引入(D )负反馈。(5)为了增大放大电路的输出电阻,应引入(B )负反馈。

25.已知交流负反馈有四种组态:

A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

(1)欲得到电流一电压转换电路,应在放大电路中引入(B );(2)欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入(C );

(3)欲减小电路从信号源索取的电源,增大带负载能力,应在放大电路中引入(A );

(4)欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入(D );

26、工作在线性区的运算放大器应置于(a)状态。

a深度负反馈 b 开环c正反馈

27、工作在非线性区的运算放大器具有(a)的特点

a虚断 b 虚短 c 虚断和虚短

28、下列关于迟滞电压比较器的说法,不正确的是(b)

a 迟滞电压比较器有两个门限电压

b 构成迟滞电压比较器的集成运算放大电路工作在线性区

c 迟滞电压比较器一定外加正反馈

d 迟滞电压比较器的输出电压只有两种可能

29、能将矩形波转变成三角波的电路是(c )

a 比例运算电路

b 微分运算电路

c 积分运算电路

d 加法电路

30、工作在开环状态下的电压比较器,其输出电压Uo 的大小由(c )决定。

a 运放的开环放大倍数

b 外电路参数

c 运放的工作电源

31、正弦波振荡电路的输出信号最初是由 B 中而来的。(A 、基本放大电路 B 、干扰或噪声信号 C 、选频网络

32、正弦波振荡电路的振荡频率由 C 而定。(A 、基本放大电路 B 、反馈网络 C 、选频网络

33、 RC 正弦振荡电路中,设理想运放,f R 和1R 阻值适当,100R k =Ω,

0.01C uF =则其振荡频率约 为(B )。

A.15.9Hz

B.159Hz

C.999Hz

D.99.9Hz

南邮模拟电子第7章 集成运算放大器的应用习题答案

习题 1. 试求图题7.1各电路的输出电压与输入电压的关系式。 R 2 U i U U i2U i3U i4 (a ) (b ) 图题7.1 解:(a)根据虚断特性 i 434U R R R u += +,o 2 11 U R R R u +=- 根据虚短特性-+=u u ,所以i 4 34 12o )1(U R R R R R U ++ = (b)当0i4i3==U U 时,电路转换为反相输入求和电路,输出 )( i22 3i113o12U R R U R R U +-= 当0i2i1==U U 时,电路转换为同相输入求和电路,输出 )////////)(//1(i46 456 4i365465213o34U R R R R R U R R R R R R R R U ++++ = 根据线性叠加原理,总输出为 o34o12o U U U += 2. 图题7.2为可调基准电压跟随器,求o U 的变化范围。 _ W 6V E =±15V 图题7.2 解:当可变电位器的滑动触头位于最下端时,+u 达最小,

V 69.063 .023.03 .0(min)=?++= +u ,当可变电位器的滑动触头位于最上端时,+u 达最大, V 31.563 .023.03 .02(max)=?+++= +u ,故o U 的变化范围为 5.31V ~V 69.0。 3. 试求图题7.3各电路的输出电压的表达式。 U o Ω U o R (a ) (b ) 图题7.3 解:(a )-u 由i U 、o U 两部分通过线性叠加而成,当i U 单独作用时,产生的分量为 i i 5.01 .0//9.9100010001 .0//9.91000U U ≈+++,当o U 单独作用时,产生的分量为 o o 005.02000 1000 1.0//20009.91.0//2000U U ≈?+,所以i o 5.0005.0U U u +=-,根据虚短、虚断特 性,0==+-u u ,故i o 100U U -=。 (b )本题同时引入了正反馈和负反馈,该图中一定保证负反馈比正反馈强,故仍可用虚短和虚断特性。-u 由i U 、o U 两部分通过线性叠加而成,当i U 单独作用时,产生的分量为 i 212U R R R +,当o U 单独作用时,产生的分量为o 211 U R R R +,所以 o 211i 212U R R R U R R R u +++= -,根据虚短、虚断特性,o 434 U R R R u u +==+-,故 )/(2 11 434i 212o R R R R R R U R R R U +-++= 。 4. 电路如图题7.4所示。已知123410mV U U U U ====,试求o ?U =

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A .大于 B.等于 C .小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B .空穴数增多,自由电子数基本不变 C .自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A .电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D . 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B .反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D . 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B . 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C从1m A变为2mA ,那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D . 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.P NP 硅管 C .NP N锗管 D.P NP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A .电流控制电流 B.电流控制电压 C .电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C .保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是 B 。 A .限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B .相反 C.相差90° D.相差270° 16、NP N管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

【原创】南京邮电大学 课程设计 Wilkinson(威尔金森)功分器的设计

南京邮电大学电子科学与工程学院电磁场与无线技术Wilkinson功分器 课题报告 课题名称 Wilkinson功分器 学院电子科学与工程学院 专业电磁场与无线技术 班级 组长 组员 开课时间 2012/2013学年第一学期

一、课题名称 Wilkinson(威尔金森)功分器的设计 二、课题任务 运用功分器设计原理,利用HFSS软件设计一个Wilkinson功分器,中心工作频率3.0GHz。 ?基本要求 实现一个单阶Wilkinson等功分设计,带内匹配≤-10dB,输出端口隔离≤-10dB,任选一种微波传输线结构实现。 ?进阶要求 多阶(N≥2),匹配良好(S11≤-15dB),不等分,带阻抗变换器(输出端口阻抗 不为50Ω),多种传输线实现。 三、实现方式 自选一种或者多种传输线实现,如微带线,同轴线,带状线等,要求输入输出端口阻抗为50Ω,要求有隔离电阻(通过添加额外的端口实现) 四、具体过程 1.计算基本参数 通过ADS Tool中的Linecalc这个软件来进行初步的计算。 在HFSS中选定版型为Rogers RT/duroid 5880 (tm),如具体参数下图

50Ω微带线计算 得到选取微带线宽度约为0.67mm。 70.7Ω微带线计算 得到选取微带线宽度约为0.34mm,由于微带线电长度与其宽度没有必然联系,所以两个分支微带线的长度根据具体情况进行更改。

2.绘制仿真模型 微带单阶功分器

◆微带参数:w50:阻抗为50Ω的微带线宽度;w2:两分支线宽度; l1,l2,l3,l4:各部分微带线长度; rad1,rad2:各部分分支线长度(即半环半径) ◆在本例中,需要调整的调整关键参数为w2,rad1,空气腔参数随关键参数相应调 整即可。 ◆根据计算,此处的吸收电阻值应该为100Ω,但是在实际情况中,选取97Ω。 微带多阶功分器

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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

南邮课程设计实验报告

课程设计I报告 题目:课程设计 班级:44 姓名:范海霞 指导教师:黄双颖 职称: 成绩: 通达学院 2015 年 1 月 4 日

一:SPSS的安装和使用 在PC机上安装SPSS软件,打开软件: 基本统计分析功能包括描述统计和行列计算,还包括在基本分析中最受欢迎的常见统计功能,如汇总、计数、交叉分析、分类比较、描述性统计、因子分析、回归分析及聚类分析等等。具体如下: 1.数据访问、数据准备、数据管理与输出管理; 2.描述统计和探索分析:频数、描述、集中趋势和离散趋势分析、分布分析与查看、正态性检验与正态转换、均值的置信区间估计; 3.交叉表:计数;行、列和总计百分比;独立性检验;定类变量和定序变量的相关性测度; 4.二元统计:均值比较、T检验、单因素方差分析; 5.相关分析:双变量相关分析、偏相关分析、距离分析; 6.线性回归分析:自动线性建模、线性回归、Ordinal回归—PLUM、曲线估计; 7.非参数检验:单一样本检验、双重相关样本检验、K重相关样本检验、双重独立样本检验、K重独立样本检验; 8.多重响应分析:交叉表、频数表; 9.预测数值结果和区分群体:K-means聚类分析、分级聚类分析、两步聚类分析、快速聚类分析、因子分析、主成分分析、最近邻元素分析; 10. 判别分析; 11.尺度分析; 12. 报告:各种报告、记录摘要、图表功能(分类图表、条型图、线型图、面积图、高低图、箱线图、散点图、质量控制图、诊断和探测图等); 13.数据管理、数据转换与文件管理; 二.数据文件的处理 SPSS数据文件是一种结构性数据文件,由数据的结构和数据的内容两部分构成,也可以说由变量和观测两部分构成。定义一个变量至少要定义它的两个属性,即变量名和变量类型其他属性可以暂时采用系统默认值,待以后分析过程中如果有需要再对其进行设置。在spss数据编辑窗口中单击“变量视窗”标签,进入变量视窗界面,即可对变量的各个属性进行设置。 1.创建一个数据文件数据 (1)选择菜单【文件】→【新建】→【数据】新建一个数据文件,进入数据编辑窗口。窗口顶部标题为“PASW Statistics数据编辑器”。 (2)单击左下角【变量视窗】标签进入变量视图界面,根据试验的设计定义每个变量类型。

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A .交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极

南邮课程设计电子钟CCS VC5509

通信与信息工程学院 2016 /2017 学年第 1 学期 课程设计报告 模块名称DSP技术及应用 专业电子信息工程 学生班级 学生学号 学生姓名 指导教师王奇王明伟吴庆国卢敏

目录 一、设计任务及要求 (4) 1.1 设计电子时钟,要求有报时功能。 (4) 1.2 显示器用液晶显示屏,报时可用蜂鸣器完成。 (4) 二、相关原理简介 (4) 2.1 液晶显示器显示原理 (4) 2.1.1 EMIF 接口 (4) 2.1.2 液晶显示模块的访问 (4) 2.1.3 显示控制方法 (4) 2.1.4 数据信号的传送 (5) 2.1.5 程序流程图 (5) 2.2 音频信号发生原理 (6) 2.2.1 EMIF 接口 (6) 2.2.2 蜂鸣器 (6) 2.2.3 蜂鸣器的连接 (6) 2.2.4 程序流程图 (6) 三、设计方案与实现 (6) 3.1 设计方案 (6) 3.1.1 数字时钟选择方案 (6) 3.1.2 液晶显示屏显示方案 (8) 3.1.3 蜂鸣器整时报时 (8) 3.2 设计结果 (8) 四、调试过程及问题解决 (8) 五、体会与建议 (9) 参考文献 (9) 附录 (10)

DSP技术及应用课程设计报告 一、设计任务及要求 1.1 设计电子时钟,要求有报时功能。 1.2 显示器用液晶显示屏,报时可用蜂鸣器完成。 二、相关原理简介 2.1 液晶显示器显示原理 2.1.1 EMIF 接口 TMS320C5509DSP 的扩展存储器接口(EMIF)用来与大多数外围设备进行连接,典型应用如连接片外扩展存储器等。这一接口提供地址连线、数据连线和一组控制线。ICETEK-VC5509-A 将这些扩展线引到了板上的扩展插座上供扩展使用。 2.1.2 液晶显示模块的访问 液晶显示模块的访问、控制是由 5509ADSP 对扩展接口的操作完成。控制口的寻址:命令控制接口的地址为 0x602800,数据控制接口的地址为 0x602801 和0x600802,辅助控制接口的地址为 0x600801。 2.1.3 显示控制方法 液晶显示模块中有两片显示缓冲存储器,分别对应屏幕显示的象素,向其中写入数值将改变显示,写入“1”则显示一点,写入“0”则不显示。其地址与象素的对应方式如表1: 发送控制命令:向液晶显示模块发送控制命令的方法是通过向命令控制接口写入命令控制字,然后再向辅助控制接口写入0。下面是基本命令字、解释和 C

电工电子实验报告-南邮课程设计

目录 第一章技术指标 (2) 1.1 系统功能要求 (2) 1.2 系统结构要求 (2) 1.3 电气指标 (2) 1.4 设计条件 (2) 第二章整体方案设计 (2) 2.1 整体方案 (2) 2.2 整体原理及方框图 (2) 第三章单元电路设计 (4) 3.1 频率控制电路设计 (4) 3.2 计数器设计(256) (5) 3.3 存储器及正弦函数表 (6) 3.4 D/A(II)正弦波产生电路 (7) 3.5幅度控制 (8) 3.6 阻抗控制 (9) 3.7整体电路图 (9) 3.7 整体元件清单(理论值) (9) 第四章测设与调整(数据) (11) 4.1 频率控制电路调测 (11) 4.2 地址计数器电路调测如下: (11) 4.3 存贮器电路调测(R=1千欧) (11) 4.4 数字幅度电路调测 (11) 4.5 波形扩展 (11) 4.6 整体指标测试 (12) 第五章设计小结 (13) 5.1电子电路课程设计的意义 (13) 5.2 设计任务完成情况 (13) 5.3 问题及改进 (13) 5.4 心得体会 (14) 附录 (15) 参考文献 (15) 主要芯片介绍: (15)

第一章技术指标 1.1 系统功能要求 数控正弦函数信号发生器的功能是,用数字电路技术产生正弦波信号。正弦波输出信号的频率和电压幅度均由数字式开关控制。 1.2 系统结构要求 数控正弦波信号发生器的结构要求如图(1)所示,其中正弦波发生器采用数字电路产生正弦信号,频率选择开关用于选择输出信号的频率,幅度选择开关用于选择输出信号电压幅度。频率选择开关和幅度选择开关均应采用数字电路。 1.3 电气指标 输出信号波形:正弦波 输出信号频率范围:1kHz~5kHz 输出信号最大电压:2.8V (峰峰值) 输出阻抗:50Ω 幅度选择档位:5档 波形可选择:方形,正弦波,三角波,斜波 输出频率最小步长:20Hz 1.4 设计条件 电源条件:+5V,-5V ?可供选择器件如下: ?型号名称及功能数量 ?DAC0832 8位D/C转换电路 2 ?MC4046 锁相电路 1 ?28C64B EEPROM存储器 1 ?T4LS393 双16进制计数器 1 ?MC4051 四模拟开关 1 ?TL084 运算放大器 1 ?8路开关双制直插式微型开关 2 ?MC4060 与晶振为频率器 1 ?CD7474 双D型触发器 3 ?CD7404 六反向器 1 ?74139 译码器 2 ?LED 二极管12 ?单开关开关 3 ?晶振32768k 1 ?其他若干电阻,电容 第二章整体方案设计 2.1 整体方案 事先对正弦波进行取样,把各个取样点的取样值存入存储器构成正弦函数表(可以存入一个周期完整信号,也可以存入半个周期或1/4周期)。通过数字频率控制电路对正弦函数表的读取,再把读出的取样值取出还原成原始的正弦信号。 2.2 整体原理及方框图

模电试题及答案

试题一 一、选择题:(每小题2分,共24分) (1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + (7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。 A .3d B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A .同相比例 B .微分 C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分) (1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。 (2)工作在放大区的晶体管,当I B从10μA增大到20μA,I C从1mA增大到2mA,它的β为 100 。 (3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用直接耦合放大方式。

南邮模拟电子第8章-功率放大电路习题标准答案

习题 1. 设2AX81的I CM =200mA ,P CM =200mW ,U (BR)CEO =15V ;3AD6的P CM =10W (加散热板),I CM =2A ,U (BR)CEO =24V 。求它们在变压器耦合单管甲类功放中的最佳交流负载电阻值。 解:当静态工作点Q 确定后,适当选取交流负载电阻值L R ',使Q 点位于交流负载线位于放大区部分的中点,则可输出最大不失真功率,此时的L R '称为最佳交流负载电阻。 忽略三极管的饱和压降和截止区,则有L CQ CC R I U '=。 同时应满足以下限制:CM CQ CC P I U ≤?,2 (BR)CEO CC U U ≤ ,2 CM CQ I I ≤ 。 (1)对2AX81而言,应满足mW 200CQ CC ≤?I U ,V 5.7CC ≤U ,mA 100CQ ≤I 。取 mW 200CQ CC =?I U 。 当V 5.7CC =U 时,mA 7.26CQ =I ,此时L R '最大,Ω=='k 28.07 .265 .7L(max)R ; 当mA 100CQ =I ,V 2CC =U 时,此时L R '最小,Ω=='k 02.0100 2 L(min)R ; 故最佳交流负载电阻值L R '为:ΩΩk 28.0~k 02.0。 (2)对3AD6而言,应满足W 10CQ CC ≤?I U ,V 12CC ≤U ,A 1CQ ≤I 。取 W 10CQ CC =?I U 。 当V 12CC =U 时,A 83.0CQ =I ,此时L R '最大,Ω=='46.1483.012 L(max)R ; 当A 1CQ =I 时, V 10CC =U ,此时L R '最小,Ω=='101 10L(min)R ; 故最佳交流负载电阻值L R '为:ΩΩ46.14~10。 2. 图题8-2为理想乙类互补推挽功放电路,设U CC =15V ,U EE =-15V ,R L =4Ω,U CE(sat)=0,输入为正弦信号。试求 (1) 输出信号的最大功率; (2) 输出最大信号功率时电源的功率、集电极功耗(单管)和效率; (3) 每个晶体管的最大耗散功率P Tm 是多少?在此条件下的效率是多少?

南京邮电大学matlab软件设计(超详细).doc

南京邮电大学通信学院 软件课程设计 实验报告 模块名称:___MATLAB软件设计 专业班级:__通信工程 姓名:____ ____ 学号:___ 实验日期:2013年 6 月 17—28日实验报告日期: 2013 年 7 月 1 日

一、要求练习的实验部分 1.在时间区间 [0,10]中,绘出t e y t 2cos 15.0--=曲线。 程序: t=0:0.1:10; y=1-exp((-0.5)*t).*cos(2*t); plot(t,y,'r-'); shg 结果: 2. 写出生成如图E2-1所示波形的MA TLAB 脚本M 文件。图中虚线为正弦波,要求它的 负半波被置零,且在2 3 处被削顶。 程序: t=linspace(0,3*pi,500); y=sin(t); a=sin(pi/3); z=(y>=0).*y; z=(y>=a).*a+(y

xlabel('t'),ylabel('z=f(t)'),title('逐段解析函数') legend('y=sin(t)','z=f(t)',4),hold off 结果: 3. 令???? ??????=987654321A ,运行 [U,S,V]=svd(A);tol=S(1,1)*3*eps; 然后回答以下问题: (1) sum(diag(S)>tol) - rank(A) 是多少 ? (2) S(1,1) - norm(A) = 0 是多少 ? (3) sqrt(sum(diag(S*S))) - norm(A,'fro') 的结果是什么 ? (4) S(1,1)/S(3,3) - cond(A) 的结果是什么 ? (5) S(1,1)*S(2,2)*S(3,3) - det(A) < tol 的运行结果是什么? (6) V(:,1)'*null(A) 得到什么结果 ? (7) abs(A*null(A)) < tol 得到什么结果 ? (8) U(:,1:2) = = orth(A) 的运行结果是什么 ? 程序: clear; clc; disp('设 A=[1,2,3;4,5,6;7,8,9],得')

论坛12年南邮电院考研总结

明天就是2013考研的日子,回想起自己去年考研时的种种,感触很多了,从初试复试到调剂。。。 1.去年报的是电院的电路与系统,因为我确信自己英语上不了50分,果不其然考了49;初试选的是《信号与系统》(难度适中可就是题量太大了),复试考《电路》(复习了N久都烦躁了,考的不好)。 2.去年新增专业-物理电子学招11人,木有一个人报考;电路与系统实招23人(坑爹的是通知57人去复试,结果电路23+11人调剂到物理电子学,剩下的就拜拜了);微电子招10人(9人去复试);电磁场与波招26人(36人去复试);集成电路招15人(10人去复试);电子与通信招45人(45人去复试)。 ps:以上是当时去复试时记下的,各专业实招人数是否包含保研的在内,记不清楚了,还望大家见谅。。。 3.复试时先考专业课2个小时,考完了就是综合面试 首先英语面试(去年考研英语泄题说是复试时加大考察力度,木有考听力,就是面试,搞得挺吓唬,其实老师不会为难你的),查看你四六级过了木有?一开始是叫你自己抽一个纸条(上面是各种专业相关的英语)阅读一下再翻译一遍,然后随便问你几个问题,一般都30--40分,六级过了的话更高些,咱英文水平有限就不多说了。。。 下面说下专业面试吧: ①复试时把四六级,计算机,什么智能车,电子设计大赛等证书带着可以加分的;进屋面试时就把这些交给老师,有专门的老师负责统计加分,别紧张,老师们都是很和蔼的;记得当时有个女同学把自己本科做的智能车直接带进去演示了一番,结果可想而知,导师们就希望要这些动手能力强的学生。总结一下,进屋首先是上交证书和相关材料。 ②然后,就是自我介绍,让老师们在很短的时间内能够快速的了解你,知晓你的亮点;会问问你在校期间做过什么项目木有等等,老师据此评分 ③然后抽纸条(专业题,三个纸堆,一般抽2、3道,去年是信号与系统、电路和数电模电)抽完后把题目读一遍然后回答,不会的直接pass再抽,老师也会问其他他感兴趣的问题,像我是计算机过了网络四级就被问了好几个关于网络方面的问题;回答完问题后,纸条还会放进纸堆里,所以大家可以守在门口一个也不放过问问他抽到了什么题目,一般都会说的,当时觉得我们哪是像竞争对手,简直就是一群战友。。。还有就是南邮的复试相对来说还是比较公平的,大家可以放心的。 4.根据当时复试时大家抽到的题目,回忆如下(当天晚上回去用本本记下的):PLD.... 卡诺图为什么能够化简? 什么是竞争与冒险?如何消除? 组合逻辑电路的初始状态怎么判断?这题很怪异啊。。。 噪声系数。。。 (n-1)个KCL、(b-n+1)个KVL,这个是答案,相信大家知道题目了吧。。。 网络定理的适用条件(电路上的) FET与BJT有何不同? 画差分放大电路? 甲类,丙类功率放大器(模电上的),几类功率放大器的题目不少

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分,共14分) 1. 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ,电流I D =0.8mA ,其交流电阻 r D =( )。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2. BJT 放大电路中,测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ,据此 可判定BJT 为( A )型三极管,其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3. 图1所示共射放大电路,设静态时CQ 5mA I =,晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4. 在图1所示电路中,已知晶体管的100β=, be 1k r =Ω,i 20mV U =;静态工作时BEQ 0.7V U =,CEQ 5V U =,BQ 20uA I =, 相应的电压增益为( )。 A .u 1003 3001A ?=-=-& B .u 1001.5 1501 A ?=-=-& C .u -352502010A =-=-?& D .u 57.140.7 A =-≈-& 5. 根据不同器件的工作原理,试判断( )可以构成复合管。 (A ) (B )(C ) (D ) 6. 在设计两级放大电路的过程中,要求输入电阻i R 约为150k Ω,电压放大倍数的数值 u A &约为100,第一级电和第二级电路应采用( )。 A. 共集电路;共射电路 B .共基电路;共射电路 C. 共集电路;共基电路 D. 共射电路;共射电路 7. MOS FET 构成的两级放大电路,总电压增益u 2000A =倍,其中第一级的电压增益

南邮大四课程设计

一、EMIF 接口上的I/O接口扩展 一.实验原理 1.TMS320VC5509DSP 的EMIF 接口: 存储器扩展接口(EMIF)是DSP 扩展片外资源的主要接口,它提供了一组控制信号和地址、数据线,可以扩展各类存储器和寄存器映射的外设。 -ICETEK-VC5509-A 评估板在EMIF 接口上除了扩展了片外SDRAM 外,还扩展了指示灯、DIP 开关和D/A 设备。具体扩展地址如下: 400800-400802h:D/A 转换控制寄存器 400000-400000h:板上DIP 开关控制寄存器 400001-400001h:板上指示灯控制寄存器 -与ICETEK-VC5509-A 评估板连接的ICETEK-CTR 显示控制模块也使用扩展空间控制主要设备: 602800-602800h:读-键盘扫描值,写-液晶控制寄存器 600801-600801h:液晶辅助控制寄存器 602801h 、600802h:液晶显示数据寄存器 602802-602802h:发光二极管显示阵列控制寄存器 2.指示灯扩展原理 3.实验程序流程图:

二.实验步骤 1.实验准备: 关闭实验箱上扩展模块和信号源电源开关。 2.设置Code Composer Studio 2.21 在硬件仿真(Emulator)方式下运行。 3.启动Code Composer Studio 2.21: 选择菜单Debug→Reset CPU。 4.打开工程文件: 工程文件为:C:\ICETEK-VC5509-EDULab\Lab0301-LED\LED.pjt。 打开源程序LED.c。 5.编译、下载程序。 6.运行程序,观察结果。 7.退出CCS: 三.部分程序代码 // 定义指示灯寄存器地址和寄存器类型 #define LBDS (*((unsigned int *)0x400001)) // 子程序接口 void Delay(unsigned int nDelay); // 延时子程序 int i; main() { unsigned int uLED[4]={1,2,4,8}; // 控制字,逐位置1: 0001B 0010B 0100B 1000B CLK_init(); // 初始化DSP运行时钟 SDRAM_init(); // 初始化EMIF接口 while ( 1 ) {

南邮软件工程课程设计实验报告-教务管理系统

南京邮电大学 实验报告 课程名称:软件工程 课题名称教务系统课程设计 专业:广播电视工程 学生姓名:陈超 班级学号:B13011413 指导教师:范山岗 日期:2015 年12 月25 日

实验面象对象软件设计 一、实验目的 用面象对象方法设计实用软件,掌握需求分析方法,掌握掌握UML设计方法。 二、实验性质 验证、设计实验。 三、实验要求 1、选定题目编写需求分析说明 2、学习Rational Rose环境 3、学习通过Rational Rose绘制各类框图的方法。 四、环境简介 1、Rational Rose可视化环境组成 Rose界面的五大部分是浏览器、文档工具、工具栏、框图窗口和日志。见图1-1。

图1-1:Rose界面 浏览器:用于在模型中迅速漫游。 文档工具:用于查看或更新模型元素的文档。 工具栏:用于迅速访问常用命令。 框图窗口:用于显示和编辑一个或几个UML框图。 日志:用于查看错误信息和报告各个命令的结果。 1.2浏览器和视图 浏览器是层次结构,用于在Rose模型中迅速漫游。在浏览器中显示了模型中增加的一切,如参与者、用例、类、组件等。浏览器中包含四个视图:Use Case 视图、Logical视图、Component视图和Deployment视图。点击每个视图的右键,选择new就可以看到这个视图所包含的一些模型元素。 1.3框图窗口 在框图窗口中,我们可以浏览模型中的一个或几个UML框图。改变框图中

的元素时,Rose自动更新浏览器。同样用浏览器改变元素时,Rose自动更新相应框图。这样,Rose就可以保证模型的一致性。 五、实验步骤 1、编写需求分析说明书 对系统需求进行初步的整理与分析,是后续建模和设计工作的基础。需求分析说明书详情请见附录。 2、用UML语言对系统进行分析与建模(OOA) 2.1建立用例图use case diagram 从用例图中我们可以看到系统干什么,与谁交互。用例是系统提供的功能,参与者是系统与谁交互,参与者可以是人、系统或其他实体。一个系统可以创建一个或多个用例图。 实例: 1)教务管理系统主要用例图。 用例图说明:教务管理系统主要用例图实现三个主要参与者——管理员、教师与学生和系统六大主要用例——登陆管理、账号管理、班级管理、课程管理、选课管理、成绩管理之间的关系。管理员主要参与用例账号管理、课程管理与班级管理;教师主要涉及用例选课管理与成绩管理;而参与者学生主要参与选课管理与成绩管理,其中登陆管理是三个主要参与者共同参与的用例。

最新模电题库附答案

最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时,发射结为____,集电结为____,工作在饱和区时,发射结为____,集电结为____。 A、正向偏置, B、反向偏置, C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____;P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子, B、带正电的离子, C、三价元素,如硼等, D、五价元素,如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。 A、大于, B、小于, C、等于, D、变宽, E、变窄, F、不变

[答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____;在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大, B、减小, C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时,反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下,当二 极管的结温升高10℃,反向电流大约为____。 A、0.05μA, B、0.1μA, C、0.2μA, D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中,当V=3V时,测得I=1mA,。 1.当V调到6V,则I将为____。 A、1mA, B、大于1mA,但小于2mA C、2mA, D、大于2mA

2.保持V=3V不变,温度升高20℃,则将为____。 A、小于0.7V, B、0.7V不变, C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示,,当直流电源电压V增大时,二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大, B、减小, C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中,测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为-1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____,电极②是____,电极③是____(A、发射极,B、基极,C、集电极);该晶体管的类型是____(A、PNP型,B、NPN型);该晶体管的共射电流放大系数约为____

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