硅片加工技术答案
▊晶体具有均匀性、有限性、对称性、各向异性和解理性。基本特征有：
1：晶体有规则而对称的外形。2：晶体有固定的熔点。3：晶体有各向异性的特征。4：解理性。
▊滚磨开方是一个机械磨削加工过程，通过磨轮与工件产生相对运动，使磨轮上的金刚石颗粒对工件进行磨削而达到加工目的。
▊磨削加工是指用磨料来去除工件表面多余材料的方法。
▊磨削加工的分类：按磨削的类型分类，有固定磨粒加工和游离磨粒加工两大类。
▊硅片加工中，硅单晶滚磨、内圆切割、金刚线切割和倒角等都属于固定磨粒加工，而研磨、喷砂、多线切割和抛光等则属于游离磨粒加工。
▊磨削加工稳定性好、精度高、速递快并且能加工各种高硬度的材料。
▊磨削过程的三个阶段：第一阶段：弹性变形阶段。第二阶段：刻划阶段。第三阶段：切割阶段。
▊硅片主副参考面的作用：主参考面是为了在器件生产中获得管芯分割的最佳划片合格率而制作的，因此又叫做最佳划片方位，规定硅片的主参考面方位（110）副参考面的作用是便于宏观区分硅片的型号和晶向。
▊滚磨开方设备：包括单晶切方滚磨机、带锯和开方线锯。
DQMF08单晶切方滚磨机主体结构有设备基座与框架、滚磨区和切方区构成。（基座与框架是整个机器的基础与支撑。滚磨区是对晶体进行外圆整形滚圆及制作参考面的工作区域，切方区包括切方锯片、油缸及其相应设置，是晶体进行切方加工的作业区域。）
▊四大运动（单晶切方滚磨机的多元运动）
1：纵向工作台的纵向往复运动。2：工件的纵向移动和旋转运动。
3:滚磨砂轮的前后往复运动和旋转运动。4:切方锯片的上下垂直运动和旋转运动。
▊定向：采用专门的设备及工艺手段确定单晶或者晶片的晶向的过程。
▊硅单晶滚磨切方是为了得到需要的符合要求的直径、参考面及太阳能单晶的四个平面，也就是得到所需要的符合要求的硅片外形轮廓。
▊开方线锯可以同时完成X与Y方向的分割，大大提高了加工效率，损耗更低、切削面更滑、加工精度更高，是更理想的大规模生产切方设备。
▊整个设备由机械传动系统、液压系统、电气系统和冷却系统四大部分组成，液压系统和电气系统为设备提供动力，通过机械传动系统而实现整个设备的多元运动。
▊硅单晶主副参考面方位的确定（光图定向法/晶棱连线法）
▊硅单晶主副参考面的制作要求主要有两点：参考面方位和参考面长度。
▊带锯与单晶切方滚磨机比较，产能高，锯缝小，相对效率提高，原料损耗降低，因此更利于规模生产。
▊磨削加工的特点：
1：磨削界面都有大量磨粒。2：磨粒硬度高，热稳定性好。
3：每颗磨粒的切割厚度很薄。4：磨削加工的效率高。5：磨粒具有一定的脆性。
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第2章
▊内圆切割与多线切割：晶体切割就是利用内圆切片机或者线切割机等专用设备将硅单晶或多晶切割成符合使用要求的薄片的过程。
▊硅单晶的切割主要有：内圆切割和多线切割两种形式。
▊宏观对称元素有对称面、对称中心、对称轴和旋转-反演轴4种。
▊微观对称元素主要分为平移轴、螺旋轴和滑移面三类。
▊晶面夹角指晶面法线间的夹角，它反映了晶面与晶面在空间的几何关系。
▊定向切割：器件生产的硅单晶片，对其表面取向有一定的要求，即指硅片表面的结晶方向及其偏离度数。
▊内圆切割工艺过程：1准备工作2单晶粘接3定向与校对4上机切割5冲洗与去胶6送清洗
▊导轮的选择：在多线切割中，导轮的槽距设计主要取决于硅片目标厚度、钢线直径、磨料粒度及设备性能。
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第3章
▊硅片边缘倒角：就是利用专门的设备与工艺，使高转速的金刚石磨轮相对一定转速的硅片作摩擦运动而对硅片边缘进行磨削的过程。
▊硅片倒角的目的为了有效地释放这部分应力，以减少在后续加工中的损伤。
▊硅片倒角按其边缘轮廓分为两种，即R型倒角和T型倒角。通常以R型倒角最为常见。
▊磨削液的作用：磨削液作用主要体现在降低磨削温度、改善加工表面质量、提高磨削效率和延长磨具使用寿命四个方面（冷却作用、排渣作用、润滑作用、防锈作用）
▊硅片研磨的目的：通过对硅片上下两个平面的磨削，去除硅片表面的刀痕或线痕，改善硅片的表面平整度，制造均
匀一致的表面损伤层，同时使每批硅片的厚度偏差尽量接近，为后工序（抛光）制备无损伤的硅片表面创造条件。
▊研磨机理分析：切削作用、化学作用、塑性变形
▊硅片研磨最重要的目的和作用是保证硅片的几何形状，制造统一合理的损伤层，从而得到批量厚度一致并具表面形态完整性和一致性的硅片。
▊硅片研磨步骤：1硅片分选2配研磨液3修盘4设置5研磨6送清洗
▊研磨液的浓度对研磨速率也会有所影响，在一定的浓度范围内研磨速率随研磨液浓度增大而上升，但是到了某一浓度值时便不再上升。
▊半导体：具有一定的晶体结构，有一定的熔化、固化温度，有一定的光泽、颜色，既有电子，又有空穴参与其导电过程。半导体的电阻率正好介于导体和绝缘体之间。
▊硅单晶的电阻率会随其内部或外界条件的变化而变化。主要放映在其基本特性上，即热敏性、光敏性和杂质敏感性。▊这种半导体的电子浓度n大于空穴浓度p，把这种主要依靠电子导电的半导体称为N型半导体。
▊N型硅单晶：硅单晶子生长过程中掺入施主杂质后成为N型硅单晶。
▊硅片热处理主要有两个作用，其一是消除氧的施主效应，得到一个真实稳定的电阻率；其二就是释放应力。
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第4章
▊理想平面：指一个绝对平整的平面，此平面上任意三点所构成的平面都在这个平面内。
▊硅片表面平整度：表面平整度是硅片的一种表面性质，它被定义为硅片表面对一个虚构的近乎平行的基准平面的最大偏离。
▊硅片的化学剪薄：硅片在抛光前，通常都要进行化学煎薄。所谓化学煎薄，就是通过酸与硅片表面在一定条件下产生化学反应，对硅片表面进行一层剥离，为抛光工艺创造条件的工艺过程。
▊硅片减薄主要有三个作用，第一是使硅片表面洁净，第二可以提高抛光效率，第三可以消除硅片内应力。
▊硅片化学减薄工艺过程：1准备工作2 硅片厚度分选3化学腐蚀4冲洗甩干5送检
▊机械抛光的特点是速度快、平整度高、适应性强，但是，由于磨料硬度大且颗粒不均匀，致使硅片表面较粗糙，有时划痕并形成新的损伤层。
▊硅片抛光方式：有蜡抛光、无蜡抛光、双面抛光
▊碱性二氧化硅抛光方法原理：碱对硅的腐蚀反应、胶粒间的吸附作用、抛光布垫和胶粒与硅片的机械摩擦作用以及碱的络合反应。
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第5章
▊吸附的定义：硅片的表面是硅单晶的一个断面，这个断面所有的晶格都处于破坏状态。所谓破坏状态，就是说有一层或多层硅原子的键被打开而呈现一层到多层的悬挂键，也称为非饱和键。非饱和键化学活性高，处于不稳定状态。极容易与周围的分子或原子结合，这就是吸附。
▊吸附可以分为化学吸附和物理吸附两种形式。
▊硅片表面沾污类型：硅片经过不同工序加工后，其表面已收到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分为有机杂质沾污、颗粒类杂质沾污和金属杂质沾污三类。
▊硅片清洗处理方法分为湿法清洗和干法清洗两大类。
▊化学清洗的定义：就是利用各种化学试剂对杂质的腐蚀、溶解、氧化及络合等作用，去除硅片表面的杂质沾污。
▊超声波清洗原理；超声波在传递过程中会使液体形成许多微笑的气泡，这些小气泡形成后迅速膨胀并爆裂，产生能量极大的冲击波，将浸没在清洗液中的硅片表面的沾污物振落剥离下来，随着流动的液体流走。
▊超声波频率的影响：超声波频率越低，在液体中产生空化越容易，作用也越强，但是方向性差。频率高则超声波方向性强，且随着超声频率的提高，气泡数量增加而爆破冲击力减弱
▊硅切割片清洗工艺过程：1准备工作2去除胶黏剂和石墨3超声清洗4甩干5结束工作
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第6章
▊硅片检验方法的分类：硅片检验分接触式与非接触式两种方式。
▊硅片电学参数检验主要包括硅片导电类型检验、硅片电阻率和径向电阻率均匀性检验。
▊硅片质量特性用一系列质量参数来体现，大致可分为电学参数、结晶学参数、机械几何参数和表面参数四大类，硅片检验就是对硅片各种参数的检验。
▊硅片导电类型的检验有多种方法，主要有热探针法、冷探针法、点接触整流法、全类型系统测试法和霍尔效应极性法等。
▊随机抽样：即每次抽取时，批中所有单位产品被抽中的可能性都相等的抽样方法。
▊5S现场管理;1清理2整理3清扫4清洁5素养
硅片生产工艺流程及注意要点
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。
特种加工期末考试题C卷及答案
上海第二工业大学（试卷编号：） 20 –20 学年第学期期终考试特种加工技术试卷 答案 一、填空：( 30 分，每空1分) 1、电火花加工中，单个脉冲放电所释放的能量取决于（极间放电电压）、（放电电流）、（放电持续时间）。 2、电火花加工过程中，电火花加工过程的稳定性对电蚀量有影响，对稳定性影响最大的是电火花加工的（自动进给和调节）系统，以及正确（加工参数）的选择和调节。为提高加工稳定性，改善排屑条件，提高加工速度和防止拉弧，常采用（强迫冲油）和（工具电极定时抬刀）。 3、电火花加工的电极材料对加工稳定性有影响，常用的电极材料有（铜）、（石墨）。 4、电火花加工后，材料的表面层可分为（熔化凝固）层和（热影响）层。 5、型腔的电火花加工方法主要有（单电极平动法）、（多电极更换法）、（分解电极法）。 6、电火花加工脉冲电源按输出脉冲波形可分为（矩形波脉冲电源）、（高低压复合脉冲电源）、（梳状波分组脉冲电源）、（阶梯波脉冲电源）等。 7、电解加工中，常用的电解液为（ NaCl ）、（ NaNO3 ）、 （ NaClO3 ）三种。 8、电解液的参数除除成分外，还有（粘性）、（温度）、（PH值）和浓度等。 9、影响电火花加工精度的主要因素有（放电间隙的大小）、（放电间隙的一致性）、（工具电极损耗）及其稳定性。 10、电火花加工的表面质量主要包括（表面粗糙度）、（表面变质层）、（表面力学性能）三部分。 二、选择题、（5 分、每题1分） 1、电火花加工使用（A）进行加工的。 （A）电能和热能（B）电能和光能 （C）声能和热能（D）光能和热能 2、对于电火花加工，我国通常把工件接脉冲电源的正极（工具电极接负极）时，称（B）加工 （A）极性（B）正极性 （C）其它（D）负极性 3、电火花加工存在电极损耗，该损耗多集中于电极的（ B ）。 （A）任意位置（B）尖角或底面 （C）上面（D）侧面
糖果制品生产许可证审查细则
糖果制品生产许可证审 查细则 文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]
糖果制品生产许可证审查细 则 实施食品生产许可证管理的糖果制品是指以白砂糖（或其他食糖）、淀粉糖浆、乳制品、可可液块、可可粉、可可脂、类可可脂、代可可脂、食品添加剂等为原料，按照一定工艺加工而成的各种糖果、巧 克力及巧克力制品。 实施食品生产许可证管理的糖果制品分为2个申证单元，即糖果、 巧克力及巧克力制品。 在生产许可证上应当注明糖果制品及具体申证单元名称。生产许可证有效期为3年，其产品类别编号为:1301。 糖果生产许可证审查细则 一、发证产品范围 实施食品生产许可证管理的糖果包括以白砂糖（或其他食糖）、淀粉糖浆或甜味剂为主要原料制成的固态或半固态甜味食 品。 二、基本生产流程及关键控制环节 （一）基本生产流程。 1.硬糖、乳脂糖果等：砂糖、淀粉糖浆→溶糖→过滤→油脂
混合（乳脂糖果）→熬煮→充气（充气糖果）→冷却→调和→成 型→冷却→挑选→包装 2．凝胶糖果：砂糖、淀粉糖浆→溶糖→过滤→凝胶剂熬煮→浇模→干燥→（筛分→清粉→拌砂→）包装3．胶基糖果：胶基预热→搅拌（加入各种原料和添加剂）→ 出料→成型→包装 4．压片糖果：原料混合→压片成型→包装 （二）关键控制环节。 1．还原糖控制。 2．焦香糖果焦香化处理控制。 3．充气糖果充气程度的控制。 4．凝胶糖果凝胶剂的使用技术。 5．成品包装控制。 （三）容易出现的质量安全问题。 1．返砂或发烊。 2．水分或还原糖含量不合格。
3．乳脂糖产品蛋白质、脂肪不合格。 4．含乳糖果和充气糖果,由于加入了奶制品，容易造成微生 物指标超标。 三、必备的生产资源 （一）生产场所。 糖果生产企业除必须具备必备的生产环境外，还应当有与企业生产相适应的原辅料库、生产车间、成品库和检验室。 （二）必备的生产设备。 1．胶基糖果：（1）预热搅拌设备；（2）成型设备；（3） 包装设备。 2．压片糖果：（3）混合搅拌设备；（2）压片成型设备； （3）包装设备。 3．其他糖果（除胶基糖果和压片糖果以外）：（1）化糖设备；（2）熬煮设备；（3）冷却设备；（4）充气设备（充气糖果必备）；（5）成型设备；（6）包装设备（异型产品除外）。 四、产品相关标准 GB 9678.1－2003《糖果卫生标准》；GB 17399－2003《胶基糖卫生标准》；SB 10018－2001《硬质糖果》；SB 10019－2001
精密与特种加工试题A答案
2017－2018学年第二学期期末考查 机械设计制造及其自动化专业 《精密与特种加工技术》试卷A 参考答案及评分标准 一、填空(每空1分，共10分) 1.脉冲放电 2.乳化液、喷入式 3.整体电极、镶拼式电极 4.液体静压 5.金刚石 6.(111) 7.高 8.负。 二、选择题(每题2分，共20分) 1.B 2.A 3.A 4.A 5.C 6.C 7.B 8.D 9.C 10.B 三、简答题(24分) 1.简述精密磨削加工机理。（8分） 答：精密磨削主要靠砂轮具有微刃性和等高性的磨粒实现，即：①微刃的微切削作用；②微刃的等高切削作用；③微刃的滑挤、摩擦、抛光作用。磨粒可看作具有弹性支承的和大负前角切削刃的弹性体，弹性支承为结合剂。当刀刃锋利，有一定磨削深度时，微切削作用较强；如果刀刃不够锋利，或磨削深度较浅，磨粒切削刃不能切入工件，则产生塑性流动、弹性破坏和滑擦。 2.根据超硬磨料（金刚石、立方氮化硼）的特点，说明为什么超硬磨料磨具在精密加工和超精密加工中得到广泛应用？（8分） 答：超硬磨料（金刚石、立方氮化硼）的主要特点：①可用来加工各种高硬度、高脆性金属材料和非金属材料，如陶瓷、玻璃、半导体材料等。②磨削能力强，耐磨性好，寿命高，易于控制加工尺寸及实现自动化。③磨削力小，磨削温度低，表面质量好无烧伤、裂纹和组织变化。④磨削效率高，在加工硬质合金及非金属硬脆材料时，金刚石砂轮的
金属切除率优于立方氮化硼砂轮，但在加工耐热钢、钛合金、模具钢等时，立方氮化硼砂轮远高于金刚石砂轮。⑤综合成本低。所以说超硬磨料磨具在精密加工和超精密加工中得到广泛应用。 3.电解加工（如套料、成形加工等）的自动进给系统和电火花加工的自动进给系统有何异同？为什么会形成这些不同？（8分） 答：一般电解加工自动进给系统主要是控制均匀等速的进给速度，它的大小是事先设定的。进给速度的大小与端面平衡间隙有直接关系（双曲线关系），而端面平衡间隙又直接影响到阴极形状。在正常电解加工时，主要依照电流的大小来进行控制，但在电极开始进入或即将退出工件时，由于加工面积的变化，则不能依照电流的大小来进行控制。电火花加工自动进给控制系统的目的是保证某一设定加工间隙的稳定，它是按照电极间隙蚀除特性曲线和调节特性曲线来工作的，它的进给速度不是均匀等速的。之所以形成这种不同的进给特性，主要是电解加工中存在平衡间隙，进给速度越大，平衡间隙越小，工件的蚀除速度越高，在进给方向、端面上一般不易短路；而电火花加工中不存在平衡间隙，进给速度稍大于蚀除速度，极易引起短路，所以必需调节进给速度以保证放电间隙。 4.电火花加工中的极性效应是什么？加工中如何利用极性效应来提高加工效率降低工具损耗。线切割加工一般采用什么极性加工？为什么？（10分） 答：在电火花加工时，相同的材料（如用钢电极加工钢）两电极的被腐蚀量是不同的。其中一个电极比另一个电极的蚀除量大，这种现象叫做极性效应。 精加工时，工件应接脉冲电源的正极，即应采用正极性加工。而当放电持续时间长(脉冲宽度大)时，正离子有足够时间加速，到达负极表面的离子数将随脉冲宽度的增大而增多，由于正离子质量大，传递给负极的能量就大，导致负极材料蚀除高于正极。因此，车床粗加工时，工件应接脉冲电源的负极，即采用机床负极性加工。从提高加工效率和降低工具电极损耗(有利于提高电火花加工的仿形精度)的角度考虑，极性效应愈显著愈好。在实际加工中，应当充分利用极性效应的积极作用。 电火花线切割利用移动的细金属丝作工具电极，按预定的轨迹进行脉冲放电切割。通常工件与电源正极相接，即正极加工。若采用负极性加工将会导致反加工。即电极损耗大，只有在同种材料加工才可用反加工，就是常说的铁打铁。 四、综合分析题(每题12分，共36分) 1.解：
硅片生产工艺技术流程
顺大半导体发展有限公司太阳能用 硅单晶片生产技术 目录 一、硅片生产工艺中使用的主要原辅材料 1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件： 2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件： 二、硅片生产工艺技术 1、硅单晶生产部 （1）、腐蚀清洗工序生产工艺技术 对处理后原材料质量要求 （2）、腐蚀清洗生产工艺流程 ①多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程 ②边皮料酸碱清洗处理工艺流程 ③埚底料酸清洗处理工艺流程 ④废片的清洗处理工艺流程 （3）、硅单晶生长工艺技术 （4）、单晶生长中的必备条件和要求 ①单晶炉 ②配料与掺杂 （5），单晶生长工艺参数选择 （6）、质量目标： （7）、硅单晶生长工艺流程
2、硅片生产部 （1）、硅片加工生产工艺技术 （2）、硅片加工工艺中的必备条件和要求 ①切割机 ②切割浆液 （3）、质量目标 （4）、硅片加工工艺技术流程 ①开方锭生产工艺流程 ②切片生产工艺流程 （5）、硅片尺寸和性能参数检测
前言 江苏顺大半导体发展有限公司座落于美丽的高邮湖畔。公司始创生产太阳能电池用各种尺寸的单晶和多晶硅片。拥有国内先进的拉制单晶设备104台，全自动单晶炉112台。年产量可达到××××吨。拥有大型先进的线切割设备×××台。并且和无锡尚德形成了合作联盟（伙伴），每×可以向尚德提供×××硅单晶片。同时河北晶于2004年，占地面积××××。公司现在有×××名员工，从事澳、南京等光伏组件公司都和顺大形成了长年的合作关系。为了公司的进一步发展，扩大产业链，解决硅单晶的上下游产品的供需关系，2006年在扬州投资多晶硅项目，投资规模达到××亿。工程分两期建设，总规模年产多晶硅6000吨。2008年底首期工程已经正式投入批量生产，年产多晶硅×××吨。 太阳能用硅片生产工艺十分复杂，要通过几十道工序才能完成，只有发挥团队精神才能保证硅片的最终质量。编写该篇壮大资料的目的：首先让大家了解整个硅片生产过程，更重要的是让各生产工序中的每一位操作人员明确自己的职责，更自觉地按操作规程和规范做好本职工作，为顺大半导体发展有限公司的发展，尽自己的一份力量。
(完整版)特种加工试卷题库[1]
一、名词解释： 1．极性效应 在电火花加工中，把由于正负极性接法不同而蚀除速度不同的现象叫极性效应。 2．线性电解液 如NaCl电解液，其电流效率为接近100%的常数，加工速度v L和与电流密度i的曲线为通过原点的直线（v L=ηωi），生产率高，但存在杂散腐蚀，加工精度差。 3．平衡间隙（电解加工中） 当电解加工一定时间后，工件的溶解速度vL和阴极的进给速度v相等，加工过程达到动态平衡，此时的加工间隙为平衡间隙Δb 。 4．快速成形技术 是一种基于离散堆积成形原理的新型成形技术，材料在计算机控制下逐渐累加成形，零件是逐渐生长出来的，属于“增材法”。 5．激光束模式 激光束经聚焦后光斑内光强的分布形式。 二、判断题： 01．实验研究发现，金刚石刀具的磨损和破损主要是由于111晶面的微观解理所造成的。（√） 02．电解加工时由于电流的通过，电极的平衡状态被打破，使得阳极电位向正方向增大（代数值增大）。（√） 03．电解磨削时主要靠砂轮的磨削作用来去除金属，电化学作用是为了加速磨削过程。（×） 04．与电火花加工、电解加工相比，超声波加工的加工精度高，加工表面质量好，但加工金属材料时效率低。（√） 05．从提高生产率和减小工具损耗角度来看，极性效应越显著越好，所以，电火花加工一般都采用单向脉冲电源。（√） 06．电火花线切割加工中，电源可以选用直流脉冲电源或交流电源。（×） 07．阳极钝化现象的存在，会使电解加工中阳极溶解速度下降甚至停顿，所以它是有害的现象，在生产中应尽量避免它。（×）08．电子束加工是利用电能使电子加速转换成动能撞击工件，又转换成热能来蚀除金属的。（√） 10．电火花加工是非接触性加工（工具和工件不接触），所以加工后的工件表面无残余应力。（×） 11．电化学反应时，金属的电极电位越负，越易失去电子变成正离子溶解到溶液中去。（√） 12．电解加工是利用金属在电解液中阴极溶解作用去除材料的，电镀是利用阳极沉积作用进行镀覆加工的。（×） 13．氯化钠电解液在使用中，氯化钠成分不会损耗，不必经常添加补充。（√） 14．由于离子的质量远大于电子，故离子束加工的生产率比电子束高，但表面粗糙度稍差。（×）
习题自测 糖果巧克力生产工艺
糖果巧克力生产工艺习题自测 一、单选题 1、就纯巧克力而言，通常由( A )制成。 A可可脂，B 米粉，C 小麦粉，D 大麦粉 2．( C )是密度最高的糖果。 A巧克力，B软糖，C 硬糖，D胶基糖果 二、多选题 1、从工艺的角度，糖果可分为（ABCD）等类型。 A. 硬糖； B. 半软糖； C. 软糖； D. 巧克力制品 2、硬糖在保存期可能出现的质变包括（AB） A. 发烊； B. 返砂； C. 干缩； D. 脱水收缩 3、可可脂生产巧克力的工艺关键控制环节包括（ABCD） A. 精磨； B. 精炼； C. 调温； D. 成型 4、纯巧克力，通常可由（ABD）和表面活性剂等组成 A. 可可料； B. 可可脂； C.代可可脂； D. 乳固体 5、巧克力令人愉悦的口感来源于其可可脂的熔化温度在（A ）左右，熔化时还 会吸收少量热量，给人一种入口即化的清凉感觉。 A. 35℃； B.0℃； C.10℃； D. 50℃ 6、以下不属于硬糖生产工序的是（A ） A. 拌砂 B. 溶化 C. 熬煮 D. 冷却 7、果胶软糖与淀粉软糖加工的不同在于它在注模成型中不需干燥而直接（B ）。 A. 熬煮 B. 拌砂 C. 溶化 D.包装 8、( A )和蔗糖脂这两种表面活性剂在巧克力加工中常用作乳化稀释剂脂。 A.磷脂 B. 硬脂酸甘油酯 C. 吐温20 D. 硬脂酸钠盐 9、代可可脂巧克力生产不需要以下哪个工艺环节（ C ） A. 精磨 B. 成型 C. 调温 D. 冷却 10、影响硬糖生产的主要特性有( A、B、C、D) A 物态和质构 B 密度和比重C粘度和流变性D平衡相对湿度 11、以下哪些可可制品可以用来制作巧克力。( A、B、C )
特种加工考试题(卷)(附有答案)
一、填空题（15分，每空1分） 1、特种加工主要采用机械能以外的其他能量去除工件上多余的材料，以达到 图样上全部技术要求。（1分） 2、电火花加工原理是基于工具和工件（正、负电极）之间脉冲性火花放电时 的电腐蚀现象，来蚀除多余的金属，以达到对零件的尺寸、形状和表面质量等预定的加工要求。（2分） 3、电火花加工系统主要由工件和工具、脉冲电源、自动进给和调节装置 几部分组成。（3分） 4、在电火花加工中，提高电蚀量和加工效率的电参数途径有：提高脉冲频率、 增加单个脉冲能量、减少脉冲间隔。（3分） 5、电火花加工的表面质量主要是指被加工零件的表面粗糙度、表面变质层、 表面力学性能。（3分） 6、电火花加工的自动进给调节系统主要由以下几部分组成：测量环节、比较 环节、放大驱动环节、执行环节、调节对象。（3分） 7、电火花成型加工的自动进给调节系统，主要包含伺服进给控制系统和参 数控制系统。（2分） 8、电火花加工是利用电火花放电腐蚀金属的原理，用工具电极对工件进行复制 加工的工艺方法，其应用范围分为两大类：穿孔加工、型腔加工。（2分）9、线切割加工是利用移动的、作为负极的、线状电极丝和工件之间的脉冲放 电所产生的电腐蚀作用，对工件加工的一种工艺方法。（2分） 10、快走丝线切割机床的工作液广泛采用的是乳化液，其注入方式为喷入式。（2分） 11、线切割机床走丝机构的作用：是使电极丝以一定的速度运动，并保持一定 的张力。（2分） 12、线切割控制系统作用主要是：1）自动控制电极丝相对于工件的运动轨迹； 2）自动控制伺服的进给速度。（2分） 13、快速成形技术（RP）最早产生于二十世纪70年代末到80年代初，目前RP 技术的主流是： SLA立体光造型、LOM薄材叠层制造、SLS激光烧结、FDM 熔融成型四种技术。（4分） 14、快速成型的数据接口主要有：快速成型技术标准数据格式即STL格式和快 速成型设备的通用数据接口即CLI 格式。（2分） 二、判断题（15分，每题1分） 1、目前线切割加工时应用较普遍的工作液是煤油。（错） 2、在型号为DK7740的数控电火花线切割机床中，D表示电加工机床。（对） 3、线切割机床通常分为两大类，一类是快走丝，另一类是慢走丝。（对） 4、3B代码编程法是最先进的电火花线切割编程方法。（错） 5、离子束加工必须在真空条件下进行。（对） 6、电火花加工中的吸附效应都发生在阴极上。（错） 7、线切割加工一般采用负极性加工。（错）
硅片多线切割技术详解
硅片多线切割技术详解 太阳能光伏网 2012-4-9 硅片是半导体和光伏领域的主要生产材料。硅片多线切割技术是目前世界上比较先进的硅片加工技术，它不同于传统的刀锯片、砂轮片等切割方式，也不同于先进的激光切割和内圆切割，它的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦，从而达到切割效果。在整个过程中，钢线通过十几个导线轮的引导，在主线辊上形成一张线网，而待加工工件通过工作台的下降实现工件的进给。硅片多线切割技术与其他技术相比有：效率高，产能高，精度高等优点。是目前采用最广泛的硅片切割技术。 多线切割技术是硅加工行业、太阳能光伏行业内的标志性革新，它替代了原有的内圆切割设备，所切晶片与内圆切片工艺相比具有弯曲度（BOW）、翘曲度（WARP）小，平行度（TAPER）好，总厚度公差（TTA）离散性小，刃口切割损耗小，表面损伤层浅，晶片表面粗糙度小等等诸多优点。 太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。 在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。 一、切割液（PEG）的粘度 由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。 1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同，因而对砂浆的粘度也不同，即要求切割液的粘度也有不同。例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55，而NTC要求22-25，安永则低至18。只有符合机器要求的切割标准的粘度，才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。 2、由于带着砂浆的钢线在切割硅料的过程中，会因为摩擦发生高温，所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。如果粘度不达标，就会导致液的流动性差，不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线，因此切割液的粘度又确保了整个过程的温度控制。 二、碳化硅微粉的粒型及粒度
特种加工试题及答案
特种加工技术试题 一、填空题（每空1分，共10分） 1.电火花加工原理是基于，来蚀除多余的金属，以达到对零件的尺寸、形状和表面质量等预定的加工要求。 2.电火花加工的条件包括使工具电极和工件被加工表面之间经常保持一定的放电间隙、必须是瞬时脉冲性放电、。 3.在采用长脉冲（t>100us）电火花粗加工时，应采用极性加工，可以得到较高的蚀除速度和较低的电极损耗。 4.二次放电是指已加工表面上由于电蚀产物等的介入而再次进行的非正常放电。二次放电对加工精度的影响主要是在和使加工棱角边变钝。 5.电火花加工自动进给调节系统包括测量环节、、放大驱动环节、执行环节和调节对象几个主要环节。 6.电火花线切割加工总是采用极性加工。 7.利用原理对金属进行加工的方法即电化学加工。 8.是在电解加工中，使金属阳极溶解过程的超电位升高和电解速度减慢的现象。 9.混合气体的作用包括增加电解液中的电阻率，减少杂散腐蚀，使电解液向非线性方面转化和。 10.原子从高能态自发跃迁到低能态而发光的过程称为。 二、选择题（选择符合题意选项，多选或少选均不得分，每题3分，共30分） 1.电火花加工的局限在于（） A．主要用于加工金属等导电材料；B.一般加工速度较慢； C.存在电极损耗； D.工具的尖角很难精确到工件上 2.电火花加工提高电蚀量和生产率的途径包括（） A.提高脉冲频率f； B.增加单个脉冲能量WM C.增大脉冲间隙t D.提高工艺系数K 3.关于电火花线切割，以下说法正确的有（） A.线切割加工脉冲电源的脉宽较窄，单个脉冲能量、平均电流一般较小；
B.加工速度随着加工峰值电流、脉冲宽度的增大和脉冲间隔的减小而提高； C.表面粗糙度数值随峰值电流、脉冲宽度的增大及脉冲间隔的减小而增大 D.线切割加工的工件具有黑白交错相间的条纹 4.电解加工的缺点在于（） A.不易达到较高的加工精度和加工稳定性 B.电解加工的附局设备较多，占地面积较大，机床要有足够的刚性和防腐性能，造价高。 C.电极工具的设计和修正比较麻烦 D.电解产物需进行妥善处理，污染环境 5.钢在NaCl水溶液中电解加工，阳极反应产物为（） A.H2 B.Cl2 C.Fe(OH）2 D.Fe(OH）3 6.关于电解加工的规律，（）不正确。 A.电化学当量愈大，生产率愈高； B.电流密度越高，生产率越高； C.加工间隙越小，蚀除速度也就越高Ｄ．采用低质量分数的电解液生产效率高７．由于激光的（），从而保证了光束能精确地聚焦到焦点上，得到很高的功率密度。 Ａ．高强度Ｂ．高方向性Ｃ．高单色性Ｄ．高相干性 ８．钕玻璃激光器的特点包括（） Ａ．价格低，可做较大尺寸Ｂ．较高的光学均匀性 Ｃ．导热性较好Ｄ．机械性能好 ９．激光切割具有()优点。 Ａ．几乎不受切割材料的限制Ｂ．无力接触式加工 Ｃ．精密加工以连续输出方式工作Ｄ．切缝细小，可以实现窄缝切割及雕刻 １０．激光加工的基本设备由（）组成。 Ａ．激光器Ｂ．激光器电源Ｃ．光学系统Ｄ．机械系统 三、简答题（共２０分） １．简述对电火花加工自动进给系统的一般要求。（４分） ２．什么是型腔模电火花加工的分解电极法？特点是什么？（４分） ３．什么是电极的极化？具体包括哪几种？（４分） ４．电解磨削的电化学阳极溶解的机理与电解加工相比有什么不同？（４分）
硅片生产流程
硅片生产流程 小组成员：吴国栋徐浩王汉杰王超 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 硅片加工过程步骤 1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查 15. 金属清洗
16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。 倒角 当切片完成后，硅片有比较尖利的边缘，就需要进行倒角从而形成子弹式的光滑的边缘。倒角后的硅片边缘有低的中心应力，因而使之更牢固。这个硅片边缘的强化，能使之在以后的硅片加工过程中，降低硅片的碎裂程度。图1.1举例说明了切片、激光标识和倒角的过程。 磨片（Class 500k） 接下来的步骤是为了清除切片过程及激光标识时产生的不同损伤，这是磨片过程中要完成的。在磨片时，硅片被放置在载体上，并围绕放置在一些磨盘上。硅片的两侧都能与磨盘接触，从而使硅片的两侧能同时研磨到。磨盘是铸铁制的，边缘锯齿状。上磨盘上有一系列的洞，可让研磨砂分布在硅片上，并随磨片机运动。磨片可将切片造成的严重损伤清除，只留下一些均衡的浅显的伤痕；磨片的第二个好处是经磨片之后，硅片非常平整，因为磨盘是极其平整的。 磨片过程主要是一个机械过程，磨盘压迫硅片表面的研磨砂。研磨砂是由将氧化铝溶液延缓煅烧后形成的细小颗粒组成的，它能将硅的外层研磨去。被研磨去的外层深度要比切片造成的损伤深度更深。
09高职数控技术特种加工试题A卷答案
A 卷《特种加工技术》第 1 页，共 7 页 A 卷《特种加工技术》第 2 页，共 7 页 山东华宇职业技术学院期末考试试卷 2011--2012年第一 学期 09 级 高 职 数控技术 专业 《特种加工技术》课程（A ）卷 闭卷 考试 一、选择题（每题1分，共60分） 1. 数控机床如长期不用时最重要的日常维护工作是（ C ）。 A. 清洁 B. 干燥 C.通电 2. 热继电器在控制电路中起的作用是（ B ）。 A ．短路保护 B. 过载保护 C. 失压保护 D. 过电压保护 3. 电源的电压在正常情况下，应为 ( C )。 A 、170 B 、100 C 、220至380 D 、850 4. 电火花线切割加工属于（ B ）。 A 、放电加工 B 、特重加工 C 、电弧加工 D 、切削加工 5. 用线切割机床不能加工的形状或材料为（A ）。 A 、盲孔 B 、圆孔 C 、上下异性件 D 、淬火钢 6. 在线切割加工中，加工穿丝孔的目的有（ A ） A 、保障零件的完整性 B 、减小零件在切割中的变形 C 、容易找到加工起点 D 、提高加工速度 7. 线切割机床使用照明灯的工作电压为（ B ）。 A 、6V B 、36V C 、 22OV D 、llOV 8. 关于电火花线切割加工，下列说法中正确的是（ A ） A 、快走丝线切割由于电极丝反复使用，电极丝损耗大，所以和慢走丝相比加工精度低 B 、快走丝线切割电极丝运行速度快，丝运行不平稳，所以和慢走丝相比加工精度低 C 、快走丝线切割使用的电极丝直径比慢走丝线切割大，所以加工精度比慢走丝低 D 、快走丝线切割使用的电极丝材料比慢走丝线切割差，所以加工精度比慢走丝低 9. 电火花线切割机床使用的脉冲电源输出的是（ A ） A 、固定频率的单向直流脉冲 B 、固定频率的交变脉冲电源 C 、频率可变的单向直流脉冲 D 、频率可变的交变脉冲电源 10. 在快走丝线切割加工中，当其他工艺条件不变时，增大短路峰直电流，可以（ A ） A 、提高切割速度 B 、表面粗糙度会变好 C 、降低电极丝的损耗 D 、增大单个脉冲能量 11. 电火花线切割加工过程中，电极丝与工件间存在的状态有（ C ） A 、开路 B 、短路 C 、火花放电 D 、电弧放电 12. 在快走丝线切割加工中，电极丝章紧力的大小应根据（ B ）的情况来确定 A 、电极丝的直径 B 、加工工件的厚度 C 、电极丝的材料 D 、加工工件的精度要求 13. 线切割加工中，在工件装夹时一般要对工件进行找正，罕见的找正方法有（ A ） A 、拉表法 B 、划线法 C 、电极丝找正法 D 、固定基面找正法 14. 在利用3B 代码编程加工斜线时，如果斜线的加工指令为L3 ，则该斜线与X 轴正方向的夹角为（ C ）。 A 、180°< a < 270° B 、180° < a ≤270° C 、180°≤ a < 270° D 、180°≤a ≤270 ° 15. 利用3B 代码编程加工斜线OA ，设起点O 在切割坐标原点，终点A 的坐标为Xe = 17mm ，Ye = 5mm ，其加工程序为（ B ） A 、Bl7 B5 B17 Gx L1 B 、B B5000 B Gx L1 C 、Bl7000 B5000 B GY L1 D 、B B50O0 B0050O0 GY L1 E 、B17 B5 BO Gx L1 16. 利用3B 代码编程加工半圆AB ，切割方向从A 到B ，起点坐标A （ 0 ，-5 0 ），终点坐标B ( 0 ，5 0 ) ，其加工程序为（ C ）。 A 、B5000BBGXSR2 B 、B5BBGYSR2 C 、B5000BBGYSR2 D 、BB5000BGYSR2 17. 用线切割机床加工直径为10 mm 的圆孔，在加工中当电极丝的补偿量设置为0.12 mm 时，加工孔的理论直径为10.02mm 。如果要使加工的孔径为10 mm ，则采用的补偿量应为（ B ）。 A 、0.10mm B 、0.11mm C 、0.12mm D 、0.13mm 18. 线切割加工中，当使用3B 代码进行数控程序编制时，下列关于计数方向的说法正确的有（ A ） A 、斜线终点坐标（Xe Ye ) ，当︱Ye ︱>︱Xe ︱时，计数方向取GY B 、斜线终点坐标（Xe Ye ) ，当︱Xe ︱>︱Ye ︱时，计数方向取GY C 、圆弧终点坐标（Xe Ye ) ，当︱Xe ︱>︱Ye ︱时，计数方向取GX D 、圆弧终点坐标（Xe Ye ） ，当︱Xe ︱|Ye|时，取Gy; 当|Ye|>|Xe|时，取Gx ；当|Xe|=|Ye|时，取Gx 或Gy 均可。V 19. 电火花线切割加工过程中，工作液必须具有的性能是（ A ） A 、绝缘性能 B 、洗涤性能 C 、冷却性能 D 、润滑性能 20. 电火花线切割加工称为（ B ）。 A 、EDM B B 、WEDM C 、ECM D 、EBM 21. 在电火花线切割加工过程中，放电通道中心温度最高可达（ D ）℃ 左右。 A 、1000 B 、10000 C 、100000 D 、5000 22. 快走丝线切割最常用的加工波形是（ B ） A 、锯齿波 B 、矩形波 C 、分组脉冲波 D 、前阶梯波 23. 数控电火花高速走丝线切割加工时，所选用的工作液和电极丝为（ C ）。 A 、纯水、钼丝 B 、机油、黄铜丝 C 、乳化液、钼丝 D 、去离子水、黄铜丝 24. 在数控电火花线切割加工的工件装夹时，为使其通用性强、装夹方便，应选用的装
桃仁压片糖果(食品安全企业标准)
Q/GCH0091S—2018 桃仁复合片（压片糖果） 1范围 本标准规定了桃仁复合片（压片糖果）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于以黑糖（粉碎）、低聚异麦芽糖、异麦芽酮糖醇、桃仁（净选、提取、浓缩、干燥、粉碎）、大豆低聚糖为主要原料，添加食品添加剂（D-甘露糖醇、硬脂酸镁、柠檬酸），经混合、压片、分装等加工工序制成的桃仁复合片压片糖果。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB 1886.177 食品安全国家标准食品添加剂 D-甘露糖醇 GB 1886.235 食品安全国家标准食品添加剂柠檬酸 GB 1886.91 食品安全国家标准食品添加剂硬脂酸镁 GB 2760 食品安全国家标准食品添加剂使用标准 GB 2762 食品安全国家标准食品中污染物限量 GB 4789.1 食品安全国家标准食品微生物学检验总则 GB 4789.2 食品安全国家标准食品微生物学检验菌落总数测定 GB 4789.3 食品安全国家标准食品微生物学检验大肠菌群计数 GB 5009.4 食品安全国家标准食品中灰分的测定 GB 5009.11 食品安全国家标准食品中总砷及无机砷的测定 GB 5009.12 食品安全国家标准食品中铅的测定 GB 5009.34 食品安全国家标准食品中二氧化硫的测定 GB 7718 食品安全国家标准预包装食品标签通则 GB 17399 食品安全国家标准糖果 GB 17403 食品安全国家标准糖果巧克力生产卫生规范 GB 19300 食品安全国家标准坚果与籽类食品 GB/T 20881 低聚异麦芽糖 GB/T 22491 大豆低聚糖 GB 28050 食品安全国家标准预包装食品营养标签通则 SB/T 10347 糖果压片糖果 QB/T 4486 异麦芽酮糖醇 QB/T 4567 黑糖 YY 0057 固体药用聚烯烃塑料瓶 JJF 1070 定量包装商品净含量计量检验规则 国家质量监督检验检疫总局令第75号《定量包装商品计量监督管理办法》 国家质量监督检验检疫总局令第123号《食品标识管理规定》 3 技术要求 1
几种主要糖果工艺与技术关键介绍
几种主要糖果工艺与技术关键介绍糖果是以砂糖和淀粉糖浆为主体，通过熬煮，配以部分食品添加剂，再经调和、冷却、成型等工艺操作，构成具有不同物态、质构和香味的精美而耐保藏的甜味固体食品。多数通过包装后成为一种既卫生又美观并便于携带的食品。 糖果的花色品种繁多，分类方法也专门难统一，国内有几种分类方法。具体可按糖果组成、性质和工艺不同来分类。 按软硬性质可分为硬糖，半软糖和软糖； 按工艺不同可分硬糖，夹心糖，充气糖，乳脂糖和凝胶软糖； 按组成可分硬糖，乳脂糖，蛋白糖，奶糖，软糖和夹心糖等； 按2001年修订后的中华人民共和国糖果行业标准分类： 1.SB10018-2001《硬质糖果》 2.SB10019-2001《硬质夹心糖果》 3.SB10020-2001《乳脂糖果》 4.SB10021-2001《凝胶糖果》 5.SB10022-2001《抛光糖果》 6.SB10023-2001《胶基糖果》 7.SB10104-2001《充气糖果》8.SB10347-2001《压片糖果》。 硬质糖果 硬糖是一种坚脆的透亮似玻璃态的无定形固体。它是通过高温熬煮脱水浓缩而成。硬糖含水分较低，一样浓度在98％以上，是最坚硬的一种糖果,因此称为硬糖. （一）、硬糖生产工艺流程: ?常压熬煮硬糖工艺流程： 砂糖 淀粉糖浆→溶糖→过滤→熬糖→冷却→调和 水↑ 香味料，着色剂，酸味剂剂ji 剂♂ →冷却→成型→冷却→拣选→包装→成品。 ?硬糖的连续浇注成型工艺流程： 砂糖
淀粉糖浆→溶糖→过滤→预热→真空熬糖→调和→浇注模→冷却→拣选→包装 水↑→成品 香味料，着色剂，酸味剂♂ ↑ （二）、工艺要点与技术关键操纵 （1）、溶糖 按照硬糖的制造原理，要制成无定型硬糖，需要完全破坏糖的结晶状态。溶糖的工艺目的确实是利用砂糖易溶于水的特点将结晶状态的糖变成分子状态的糖溶液，达到改变砂糖结晶状态的目的。 ?溶糖的加水量 在常温常压下100克水能溶解203.9克砂糖,也确实是糖液中含33％左右的水。随着温度上升到90°C时加水量也是需20％。以此作为依据。再考虑到糖浆干固物含量，加热过程中水分的缺失，溶糖的温度等因素。加水量一样操纵在30％左右。为了求得溶糖的正确水量，可通过下列体会公式，按原料实际含水量进行运算得出： W=0.3Ws-Wm (W：实际加水量kg Ws：配料中干固物总重量kg Wm：配料中水分总含量kg) (b)溶糖的操作要点： ①按配方正确投料，加水量按规定。 ②糖浆加热到105-107℃。浓度为75-80％。糖液沸腾后要静止片刻，使砂糖充分溶解。 ③溶糖时要持续搅拌,防止糖浆结焦或溶解不完全。 ④糖液不能放在加热锅内太久,防止糖液转化糖增加，色泽变深。 ⑤溶糖后的糖液必须过滤。筛子规格为80-100目 ⑥如要掺糖头水，要操纵其用量及酸度。一样糖头加水量不超过料的10％。用时溶成70％浓度的糖液。酸度高的糖头要用纯碱中和到PH6-7。
硅片加工
硅片加工技术 1. 硅的主要性质：原子序数：14、现对原子质量：08.28、晶体结构：金刚石结构、熔点：℃1420、颜色：银白色。 2. 硅片按生产工艺分为：切割片、研磨片、化腐片和抛光片。 3. 硅片加工第一道工序：定向、滚磨开方。 4. 滚磨开方的设备：单晶切方滚磨机、带锯、线锯。 5. 硅单晶主参考面方位的确定方法：光图定向法和晶棱连线法。 6. 硅单晶定向切割可分为：多线切割和内圆切割。 7. 硅片的研磨方式有：单面研磨和双面研磨。 8. 硅片抛光的方法分为：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。 9. 吸附分为：化学吸附和物理吸附。 10. 环境洁净度等级标准：美国联邦标准。 11. 硅片表面污染类型：有机杂质玷污、颗粒类杂质玷污和金属杂质玷污。 12. 化学试剂按纯度分为：优级纯、分析纯、化学纯。 13. 超声波清洗系统的组成：超声波电源、清洗槽和换能器。 14. 纯水制备系统的组成：预处理系统、初级处理系统和精处理系统。 15. 硅片电学参数：导电类型、电阻率、电阻率变化及电阻率条纹。 16. 硅晶体两种切割工艺比较： 内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝m 350280μ→、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。 线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝m 220180μ→、效率高、原料损耗小、硅片体型变小、加工参数一致性好、风险高。 17. 硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程： 内圆切割： 送清洗冲洗与去胶上机切割定向与校对粘结准备工作→→→→→。 多线切割： 送清洗冲洗去胶上机切割系统调整粘结定向准备工作→→→→→→。 18. 磨削液的作用：冷却、排渣、润滑、防锈。 19. 研磨工艺过程： 送清洗研磨设置修盘配置研磨液硅片厚度分选→→→→→。 20. 研磨前为什么要进行厚度分选？ 答：经切割的硅片厚度较分散，为使研磨后的硅片厚度较一致，并且总厚度变化TTV 小，需要对切割后的硅片进行厚度分选，将厚度一致的硅片放在同盘进行研磨。 21. 硅边缘倒角的目的、形状、工艺过程。 答：硅片倒角的目的为了有效的释放内部应力、以减少后续的加工损伤；
硅片生产流程
硅片生产流程及主要设备 作为一种取之不尽的清洁能源，太阳能的开发利用正引起人类从未有过的极大关注。商业化太阳能电池采用的是无毒性的晶硅，单晶和多晶硅电池的特点是光电转换效率高、寿命长且稳定性好。硅片是晶体硅光伏电池加工成本中最昂贵的部分, 随着半导体制造技术的不断成熟完善，硅片制造成本不断降低。硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分,太阳能电池所用硅片的切割成本一直居高不下，要占到太阳能电池总制造成本的30％以上。所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。目前硅片的切割方法都是围绕如何减小切缝损失、降低切割厚度、增大切片尺寸及提高切割效率方面进行的。 1.工艺流程：硅锭（硅棒）--切块（切方）--倒角抛光--粘胶--切片--脱胶清洗--分选检验、包装 2．工艺简介 切块／切方:将硅锭或者硅棒切成适合切片的尺寸,一般硅锭切成25 块（主流）。 倒角抛光：将晶柱的圆面棱角研磨成符合要求的尺寸，对表面进行抛光处理，从而获得高度平坦的晶片。 粘胶：用粘附剂把晶柱固定在由铝板和玻璃板组成的夹具上，自然硬化或用恒温炉使其硬化。 切片：把晶柱切割成硅片，切割的深度要达到夹具上的玻璃板，
以便在之后的程序中把硅片和玻璃板分开。 脱胶清洗：用清水清洗切成的硅片，再用热水浸泡，使硅片与玻璃板分开。 分选检验包装：抽样检查厚度、尺寸、抗阻值等指标，全部检查破损、裂痕、边缘缺口，挑选出符合要求的硅片进行包装。3．太阳能硅片切割方法 太阳能硅片切割方法主要有: 外圆切割、内圆切割和磨料线切割和电火花切割(WEDM )等。80年代中期之前的硅片切割都是由外圆切割机床或者内圆切割机床完成的, 这两种切割方法在那时的研究已经达到了鼎盛时期, 相当多功能的全自动切片机相继商品化, 生产主要分布在瑞士、德国、日本、美国等地方。 90年中后期以来, 多线切割技术逐渐走向成熟,其切缝损失小、切割直径大、成片效率高、适合大批量硅片加工, 在国内外太阳 能电池的硅片切割上,得到广泛的应用。WEDM 经过近半个世纪的发展, 技术已经十分成熟, 达到了相当高的工艺水平, 是一种非接触、宏观加工力很小的加工方式, 理论上采用WEDM 切割, 硅片的厚度可以达到很薄。 3．1外圆切割 外圆切割机主要有卧式和立式两种, 由主轴系统、冷却循环系统、工业机控制系统、电磁旋转工作台等组成, 其中主轴系统是它的核心系统, 刀片安装在主轴上面, 一般是在钢质圆片基体外圆部分电镀一层金刚石磨粒, 可以单刀切割或者多刀切割。