文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › S9014三极管

S9014三极管

S9014三极管
S9014三极管

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

S9014 TRANSISTOR

(NPN)

FEATURES z High Total Power Dissipation.(P C =0.45W)

z High h FE and Good Linearity z Complementary to S9015

MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Test conditions

M in T yp Max Unit

Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =100μA, I E =

0 50 V

Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C = 1mA, I B =0 45 V

Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =50V, I E =0 0.1 μA Collector cut-off current I CEO V CE =35V, I B =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB = 5V, I C =0 0.1 μA DC current gain

h FE

V CE =5V, I C = 1mA

60 1000 Collector-emitter saturation voltage V CE (sat) I C =100mA, I B = 5mA 0.3 V Base-emitter saturation voltage V BE (sat) I C =100mA, I B = 5mA

1

V

Transition frequency

f T

V CE =5V, I C = 10mA f=30MHz

150 MHz

CLASSIFICATION OF h FE(1) Rank A B C D Range

60-150 100-300 200-600 400-1000

TO-92

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

A,Apr,2011

https://www.wendangku.net/doc/ee4694227.html,

【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

100

1000

0200

400

600800

1000

1200

25

50

75

100

125

1

10

1

10

100

1000

8

7

5

43

2

61

0C O L L E C T O R C U R R E N T I C (m A )

Static Characteristic

5000

B A S E -E M M I T E R V O L T A G E V B E (m V )

B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E V B E s a t (m V )

AMBIENT TEMPERATURE Ta ()

℃S9014

Typical Characterisitics

T R A N S I T I O N F R E Q U E N C Y f T (M H z )

COLLECTOR CURRENT I C (mA)

60

I C

h FE —— A,Apr,2011

https://www.wendangku.net/doc/ee4694227.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

https://www.wendangku.net/doc/ee4694227.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

Sponge strip

2000 pcs

Sponge strip The top gasket

Label on the Inner Box

Plastic bag

Label on the Outer Box

Inner Box: 333 mm ×162mm ×43mm

Outer Box: 350 mm × 340mm × 250mm

QA Label

Seal the box with the tape

Stamp “EMPTY” on the empty box

Inner Box: 240 mm ×165mm ×95mm

Label on the Inner Box

Outer Box: 525 mm × 360mm × 262mm

Label on the Outer Box

QA Label

Seal the box with the tape

Stamp “EMPTY” on the empty box

三极管的基础知识及参数对照表

[知识学堂] 三极管的基础知识及参数对照表双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空 穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的CB结势垒电场的效果下到达集电区,形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小,所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大效果。 常用中小功率三极管参数表: 型号材料与极性Pcm( W) Icm(mA ) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G

半导体三极管的工作原理(精)

半导体三极管的工作原理 半导体三极管的工作原理 PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN 型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程,进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图15-3 (a) 所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图15-3 (b) 所示。半导体三极管中的电流传 输可分为三个阶段。 1 发射区向基区发射电子 电源接通后,发射结为正向连接。在正向电场作用下,发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此,发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区,形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然,基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射 区,形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低,与从发射区来的电子流相比, IEP可以忽略不计,所以发射极电流为: 2. 电子在基区中的扩散与复合 从发射区扩散到基区的电子到达基区后,由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大,靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中,电子有可能与基区的空六相遇而复合,基极电源、EB不断提供空穴,这就形成了

基极电流IBN 。由于基区很薄,而空穴浓度低,电子与空穴复合的机会很少,大部分电子继续向集电区扩散。此外,半导体三极管工作时,集电结为反向连接,在反向电场作用下,基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c 因基区载流子很少.电子更少,故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动形成的电流ICBO的数值很小,而且与 外加电场的大小关系不大,它被称为集电极反向饱和电流因此,基极电流为 3. 集电极电流的形成 由于集电结加的是反向电场,经过基区继续向集电区方向扩散的电子是逆电场方向的,所以受到拉力,加速流向集电区.形成电子流ICN 。如果考 虑集电极饱和电流ICBO的影响,集电极电流应为: 从半导体三极管外电路看,流入管子的电流必须等于流出的电流,所以 从半导体三极管电流传输过程中可以看出,集电极电流IC很大,而基极电流IB 很小。另外,由于三极管本身的结构已定,所以IC和IB在相当大 的一个范围内总存在一个固定的比例关系,即 其中β表示IC与IB的关系.称为共发射极的直流放大系数,β大于1 ,一般为20 -200 。 由于IC和IB存在一定的比例关系,而且IE=lC+IB,所以半导体三极管起着一种电流分配器的作用,即把发射极电流IE 按一定的分配关系分成I C和IB。IC远大于IB 。因存在这种分配关系,所以只要使IB略有增加, IC就会增加很多,这就起到了放大作用。

半导体三极管

半导体三极管 称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn 与pnp三极管的电路符号,发射极特别被标出,箭号所指的极为 n型半导体,和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个 pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。 pnp和npn三极管的结构及其示意图 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关,工作区间也依 偏压方式来分类,这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压,而BC极间的pn接面则在反向偏压,通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,

射极的空穴会注入到基极,基极的电子也会注入到射极;而BC 接面的耗尽区则会变 宽,载体看到的位障变大,故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形下,空穴和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例,射极的空穴注入 基极的n型中性区,马上被多数载体电子包围遮蔽,然后朝集电极方向扩散,同时也被电子复合。当没有被复合的空穴到达BC 接面的耗尽区时,会被此区内的电场加速扫入集电极,空穴在集电极中为多数载体,很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点,形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec,与 由基极注入射极的电子流InBE(这部分是三极管作用不需要的 部分)。InB E在射极与与电洞复合,即InB E=IErec。pnp三 极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。

全系列三极管应用参数代换大全

名称封装极性用途耐压电流功率频率配对管 9012 贴片PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9012 21 PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A0.625W 9012 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP低噪放大50V 0.1A0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 5609 21 NPN 音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 5610 21 PNP音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 60MIAL1 电磁/微波炉1000V 60A 300W 9626 21 NPN 通用 MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A180MHZ

三极管的主要参数

三极管的主要参数 1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb 时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级. (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电 压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的 电流,它实际上是发射结的反向饱和电流. (4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与 基极输入的直流电流的比值,即: β1=Ic/Ib 2、交流参数 (1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流 的变化量△Ib之比,即: β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定. (2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的 变化量△Ie之比,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用 α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频 时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放 大性能的重要参数. 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2, 这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量. (2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO. (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO. (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用 时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.

三极管放大电路设计,参数计算及静态工作点设置方法

三极管放大电路设计,参数计算及静态工作点设置方法 说一下掌握三极管放大电路计算的一些技巧 放大电路的核心元件是三极管,所以要对三极管要有一定的了解。用三极管构成的放大电路的种 类较多,我们用常用的几种来解说一下(如图1)。图1是一共射的基本放大电路,一般我们对放大路要掌握些什么内容? ⑴ 分析电路中各元件的作用; (2) 解放大电路的放大原理; (3) 能分析计算电路的静态工作点; (4) 理解静态工作点的设置目的和方法。 图1中,C1,C2为耦合电容,耦合就是起信号的传递作用,电容器能将信号信号从前级耦合到后级,是因为电容两端的电压不能突变,在输入端输入交流信号后,因两端的电压不能突变因,输出端的 电压会跟随输入端输入的交流信号一起变化,从而将信号从输入端耦合到输出端。但有一点要说 明的是,电容两端的电压不能突变,但不是不能变。 R1、R2为三极管V1的直流偏置电阻,什么叫直流偏置?简单来说,做工要吃饭。要求三极管工作,必先要提供一定的工作条件,电子元件一定是要求有电能供应的了,否则就不叫电路了。 在电路的工作要求中,第一条件是要求要稳定,所以,电源一定要是直流电源,所以叫直流偏置。为什么是通过电阻来供电?电阻就象是供水系统中的水龙头,用调节电流大小的。所以,三极管的三 种工作状态“:载止、饱和、放大”就由直流偏置决定,在图1中,也就是由R1、R2来决定了。 首先,我们要知道如何判别三极管的三种工作状态,简单来说,判别工作于何种工作状态可以根据Uce的大小来判别,Uce接近于电源电压VCC,则三极管就工作于载止状态,载止状态就是说三极管基本上不工作,Ic电流较小(大约为零),所以R2由于没有电流流过,电压接近0V,所以Uce就接近于电源电压VCG 若Uce接近于0V,则三极管工作于饱和状态,何谓饱和状态?就是说,Ic电流达到了最大值,就算I b增大,它也不能再增大了。 以上两种状态我们一般称为开关状态,除这两种外,第三种状态就是放大状态,一般测Uce接近于电源电压的一半。若测Uce偏向VCC,则三极管趋向于载止状态,若测Uce偏向0V,则三极管趋向于饱和状态。 理解静态工作点的设置目的和方法 放大电路,就是将输入信号放大后输出,(一般有电压放大,电流放大和功率放大几种,这个不在这 讨论内)。先说我们要放大的信号,以正弦交流信号为例说。在分析过程中,可以只考虑到信号大 小变化是有正有负,其它不说。上面提到在图1放大电路电路中,静态工作点的设置为Uce接近于

全系列常用三极管型号参数资料(精)

全系列常用三极管型号参数资料 编者按:这些虽不能涵盖所有的三极管型号,例如3DD系列等,但是都是极其常用的型号,例如901系列,简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告,找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013

三极管放大电路设计,参数计算及静态工作点设置方法

三极管放大电路设计,参数计算及静态工作点设置方法 说一下掌握三极管放大电路计算的一些技巧 放大电路的核心元件是三极管,所以要对三极管要有一定的了解。用三极管构成的放大电路的种类较多,我们用常用的几种来解说一下(如图1)。图1是一共射的基本放大电路,一般我们对放大路要掌握些什么内容? (1)分析电路中各元件的作用; (2)解放大电路的放大原理; (3)能分析计算电路的静态工作点; (4)理解静态工作点的设置目的和方法。 以上四项中,最后一项较为重要。 图1中,C1,C2为耦合电容,耦合就是起信号的传递作用,电容器能将信号信号从前级耦合到后级,是因为电容两端的电压不能突变,在输入端输入交流信号后,因两端的电压不能突变因,输出端的电压会跟随输入端输入的交流信号一起变化,从而将信号从输入端耦合到输出端。但有一点要说明的是,电容两端的电压不能突变,但不是不能变。 R1、R2为三极管V1的直流偏置电阻,什么叫直流偏置?简单来说,做工要吃饭。要求三极管工作,必先要提供一定的工作条件,电子元件一定是要求有电能供应的了,否则就不叫电路了。 在电路的工作要求中,第一条件是要求要稳定,所以,电源一定要是直流电源,所以叫直流偏置。为什么是通过电阻来供电?电阻就象是供水系统中的水龙头,用调节电流大小的。所以,三极管的三种工作状态“:载止、饱和、放大”就由直流偏置决定,在图1中,也就是由R1、R2来决定了。首先,我们要知道如何判别三极管的三种工作状态,简单来说,判别工作于何种工作状态可以根据Uce的大小来判别,Uce接近于电源电压VCC,则三极管就工作于载止状态,载止状态就是说三极管基本上不工作,Ic电流较小(大约为零),所以R2由于没有电流流过,电压接近0V,所以Uce就接近于电源电压VCC。

全系列三极管应用参数

全系列三极管应用参数全系列三极管应用参数 名称 封装极性功耐 压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功 放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放 大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放 大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放 大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放 大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550

8550 21 PNP 高频放 大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通 用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开 关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通 用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放 大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视 放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功 放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 放 100V 2A 2W

2N5401 21 PNP 视频放 大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功 放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功 放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放 大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通 用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通

三极管的主要参数及极性判断

PNP三极管管脚图TO-92管脚图: SOT-23管脚图:

本篇文章摘自百科查看详细内容请点:https://www.wendangku.net/doc/ee4694227.html,/Article/jk/200912/121135 5.html 三极管的主要参数及极性判断

Z304三极管的主要参数及极性判别 1.常用小功率三极管的主要参数 常用小功率三极管的主要参数,参见表B311。 2.三极管电极和管型的判别 (1) 目测法 ①管型的判别 一般,管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部颁标准,三极管型号的第二位(字母),A、C表示PNP管,B、D表示NPN管,例如: 3AX 为PNP型低频小功率管3BX 为NPN型低频小功率管 3CG 为PNP型高频小功率管3DG 为NPN型高频小功率管 3AD 为PNP型低频大功率管3DD 为NPN型低频大功率管 3CA 为PNP型高频大功率管3DA 为NPN型高频大功率管 此外有国际流行的9011~9018系列高频小功率管,除9012和9015为PNP管外,其余均为NP N型管。 ②管极的判别 常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型,图T305介绍了三种典型的外形和管极 排列方式。

(2) 用万用表电阻档判别 三极管内部有两个PN结,可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下,也可 用此法判别管型。 ①基极的判别 判别管极时应首先确认基极。对于NPN管,用黑表笔接假定的基极,用红表笔分别接触另外两个极,若测得电阻都小,约为几百欧~几千欧;而将黑、红两表笔对调,测得电阻均较大,在几百千欧以上,此时黑表笔接的就是基极。PNP管,情况正相反,测量时两个PN结都正偏的情况下,红表笔接基极。 实际上,小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间,可用上述方法,分别将黑、红表笔接基极,既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样),又可确认管型。 ②集电极和发射极的判别 确定基极后,假设余下管脚之一为集电极c,另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时,将万用表两表笔分别与c、e接触,若被测管为NPN,则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反),观察指针偏转角度;然后再设另一管脚为c极,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度,大的一次表明IC大,管子处于放大状态,相应假设的c、e极正确。 3.三极管性能的简易测量 (1) 用万用表电阻档测ICEO和 基极开路,万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反),此时c、e间电阻 值大则表明ICEO小,电阻值小则表明ICEO大。 用手指代替基极电阻Rb,用上法测c、e间电阻,若阻值比基极开路时小得多则表明β值大。 (2) 用万用表hFE档测β 有的万用表有hFE档,按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β,若β很小或为零,表明三极管己损坏,可用电阻档分别测两个PN结,确认是否有击穿或断路。

三极管放大电路设计-参数计算及静态工作点设置方法

三极管放大电路设计-参数计算及静态工作点设置方法

————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:

三极管放大电路设计,参数计算及静态工作点设置方法 说一下掌握三极管放大电路计算的一些技巧 放大电路的核心元件是三极管,所以要对三极管要有一定的了解。用三极管构成的放大电路的种类较多,我们用常用的几种来解说一下(如图1)。图1是一共射的基本放大电路,一般我们对放大路要掌握些什么内容? (1)分析电路中各元件的作用; (2)解放大电路的放大原理; (3)能分析计算电路的静态工作点; (4)理解静态工作点的设置目的和方法。 以上四项中,最后一项较为重要。 图1中,C1,C2为耦合电容,耦合就是起信号的传递作用,电容器能将信号信号从前级耦合到后级,是因为电容两端的电压不能突变,在输入端输入交流信号后,因两端的电压不能突变因,输出端的电压会跟随输入端输入的交流信号一起变化,从而将信号从输入端耦合到输出端。但有一点要说明的是,电容两端的电压不能突变,但不是不能变。 R1、R2为三极管V1的直流偏置电阻,什么叫直流偏置?简单来说,做工要吃饭。要求三极管工作,必先要提供一定的工作条件,电子元件一定是要求有电能供应的了,否则就不叫电路了。 在电路的工作要求中,第一条件是要求要稳定,所以,电源一定要是直流电源,所以叫直流偏置。为什么是通过电阻来供电?电阻就象是供水系统中的水龙头,用调节电流大小的。所以,三极管的三种工作状态“:载止、饱和、放大”就由直流偏置决定,在图1中,也就是由R1、R2来决定了。首先,我们要知道如何判别三极管的三种工作状态,简单来说,判别工作于何种工作状态可以根据Uce的大小来判别,Uce接近于电源电压VCC,则三极管就工作于载止状态,载止状态就是说三极管基本上不工作,Ic电流较小(大约为零),所以R2由于没有电流流过,电压接近0V,所以Uce就接近

半导体三极管及其基本电路试题及标准答案

第二章半导体三极管及其基本电路 一、填空题 1、(2-1,中)当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。 2、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。 3、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时, 与之间的关系。 5、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。 6、(2-1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则 I B,这样可克服失真。 7、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 9、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。 10、(2-1,中)共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。 11、(2-1,难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。 12、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,试判断: a.①脚是,②脚是,③脚是(e, b,c); b.管型是(NPN,PNP); c.材料是(硅,锗)。 13、(2-1,中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。 14、(2-1,低)温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C,静态工作

全系列三极管应用参数--2档

全系列三极管应用参数—2 全系列三极管应用参数 名称封装极性功耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放 40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关 80V 0.7A 0.8W

三极管选型表

全系列三极管应用参数 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A 180MHZ A741 4 PNP 开关20V 0.1A 70/120NS A781 39B PNP 开关20V 0.2A 80/160NS

半导体三极管知识介绍

半导体三极管知识介绍 5.1 半导体三极管英文缩写:Q/T 5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。 5.3半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有 放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可 互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 NPN型,锗管多为PNP型。 `E() C(集电极) B(基极) NPN型三极管 PNP型三极管 5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管 子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外 部条件。 5.5 半导体三极管的主要参数 a; 电流放大系数:对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化, 使集电极电流Ic发生更大的变化,即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大,这就 是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。 b;极间反向电流,集电极与基极的反向饱和电流。 c;极限参数:反向击穿电压,集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。 5.6半导体三极管具有三种工作状态,放大、饱和、截止,在模拟电路中一般使用放大 作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 a;半导体三极管的三种基本的放大电路。

共射极放大电路共集电极放大电路 b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断,

没有交流信号通过的极,就叫此极为公共极。 注:交流信号从基极输入,集电极输出,那发射极就叫公共极。 交流信号从基极输入,发射极输出,那集电极就叫公共极。 交流信号从发射极输入,集电极输出,那基极就叫公共极。 5.7 用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表). a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位. b;判别半导体三极管基极: 用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极,红表笔分别接半导体三极管另外两各电极,观察指针偏转,若两次的测量阻值都大或是都小,则改脚所接就是基极(两次阻值都小的为NPN型管,两次阻值都大的为PNP型管),若两次测量阻值一大一小,则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量,直到找到基极。 c;.判别半导体三极管的c极和e极: 确定基极后,对于NPN管,用万用表两表笔接三极管另外两极,交替测量两次,若两次测量的结果不相等,则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极,红笔接得是c极(若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反)。 d; 判别半导体三极管的类型. 如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管. 5.8 现在常见的三极管大部分是塑封的,如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e?三极管的b极很容易测出来,但怎么断定哪个是c哪个是e? a; 这里推荐三种方法:第一种方法:对于有测三极管hFE插孔的指针表,先测出b极后,将三极管随意插到插孔中去(当然b极是可以插准确的),测一下hFE值,b;然后再将管子倒过来再测一遍,测得hFE值比较大的一次,各管脚插入的位置是正确的。第二种方法:对无hFE测量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法:对NPN管,先测出b极(管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出,是吧?),将表置于R×1kΩ档,将红表笔接假设的e极(注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚),黑表笔接假设的c极,同时用手指捏住表笔尖及这个管脚,将管子拿起来,用你的舌尖舔一下b 极,看表头指针应有一定的偏转,如果你各表笔接得正确,指针偏转会大些,如果接得不对,指针偏转会小些,差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管,要将黑表笔接假设的e极(手不要碰到笔尖或管脚),红表笔接假设的c极,同时用手指捏住表笔尖及这个管脚,然后用舌尖舔一下b极,如果各表笔接得正确,表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次,比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极

全系列三极管应用参数及代换

全系列三极管应用参数及代换

A1941 BCE PNP 音频功放形状140V 10A 100W C5198 C5198 BCE NPN 音频功放形状140V 10A 100W A1941 A1943 BCE PNP 功放开关230V 15AA 150W C5200 C5200 BCE NPN 功放开关230V 15A 150W A1943 A1988 BCE PNP 功放开关 B449 锗管12 PNP 功放开关50V 3.5A 22.5W B647 21 PNP 通用120V 1A 0.9W 140MHZ D667 D667 21 NPN 通用120V 1A 0.9W 140MHZ B649 B1375 BCE PNP 音频功放60V 3A 2W 9MHZ D40C BCE NPN 对讲机用 40V 0.5A 40W 75MH B688 BCE PNP 音频功放开关120V 8A 80W D718 B734 39B PNP 通用60V 1A 1W D774 B649 29 PNP 视放180V 1.5A 20W D669 D669 29 NPN 视频放大180V 1.5A 20W 140MHZ B649 B669 28 PNP 达林顿功放70V 4A 40W B675 28 PNP 达林顿功放60V 7A 40W B673 28 PNP 达林顿功放100V 7A 40W B631K 29 PNP 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ D600K D600K 29 NPN 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ B631K

C3783 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 100W B1400 28B PNP 达林顿功放120V 6A 25W D1590 B744 29 PNP 音频功放开关70V 3A 10W B1020 28 PNP 功放开关100V 7A 40W B1240 39B PNP 功放开关40V 2A 1W 100MHZ B1185 28B PNP 功放开关60V 3A 25W 70MHZ D1762 B1079 30 PNP 达林顿功放100V 20A 100W D1559 B772 29 PNP 音频功放开关40V 3A 10W D882 B774 21 PNP 通用30V 0.1A 0.25W B817 30 PNP 音频功放形状160V 12A 100W D1047 B834 28 PNP 功放开关60V 3A 30W B1316 54B PNP 达林顿功放100V 2A 10W B1317 BCE PNP 音频功放180V 15A 150W D1975 B1494 BCE PNP 达林顿功放120V 20A 120W D2256 B1429 BCE PNP 功放开关180V 15A 150W C380 21 NPN 高频放大35V 0.03A 250MHZ C458 21 NPN 通用30V 0.1A 230MHZ C536 21 NPN 通用40V 0.1A 180MHZ 2N6609 12 PNP 音频功放开关160V 15A 150W >2MHZ 2N3773 C3795 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 40W C2458 21ECB NPN 通用低噪50V 0.15A 0.2W C3030 BCE NPN 开关管900V 7A 80W. 达林顿 C3807 BCE NPN 低噪放大30V 2A 1.2W 260MHZ C3858 BCE NPN 功放开关200V 17A 200W 20MHZ A1494 D985 29 NPN 达林顿功放150V ±1.5A 10W C2036 29 NPN 高放低噪80V 1A 1-4W C2068 28E NPN 视频放大300V 0.05A 1.5W 80MHZ C2073 28 NPN 功率放大150V 1.5A 25W 4MHZ A940 C3039 28 NPN 电源开关500V 7A 50W C3058 12 NPN 开关管600V 30A 200W C3148 28 NPN 电源开关900V 3A 40W C3150 28 NPN 电源开关900V 3A 50W C3153 30 NPN 电源开关900V 6A 100W C3182 30 NPN 功放开关140V 10A 100W A1265 C3198 21 NPN 高频放大60V 0.15A 0.4W 130MHZ 3DK4B 7 NPN 开关40V 0.8A 0.8W 3DK7C 7 NPN 开关25V 0.05A 0.3W 3D15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W C2078 28 NPN 音频功放开关80V 3A 10W 150MHZ C2120 21 NPN 通用30V 0.8A 0.6W C2228 21 NPN 视频放大160V 0.05A 0.75W C2230 21 NPN 视频放大200V 0.1A 0.8W C2233 28 NPN 音频功放开关200V 4A 40W C2236 21 NPN 通用30V 1.5A 0.9W A966

相关文档
相关文档 最新文档