220GHz新型SIW-波导过渡结构的设计

220GHz新型SIW-波导过渡结构的设计

刘军[1];于伟华[1];吕昕[1];;;

【期刊名称】《太赫兹科学与电子信息学报》

【年(卷),期】2017(000)003

【摘要】基片集成波导(SIW)既有波导的损耗低、品质因数高、功率容量大的特点,又兼具微带线的低剖面、尺寸小、易于与其他平面电路集成的优点,被广泛应用于微波电路设计之中。鉴于目前测试系统及级联都采用矩形波导端口,为实现对SIW元器件的测试及系统集成,须对SIW元器件进行过渡结构设计。采用三维高频电磁仿真软件仿真和优化,设计了一种新型SIW-波导过渡结构。仿真结果表明:该结构在205~225GHz频段内,带内插入损耗在0.5~0.6dB之间,回波损耗大于12dB;背对背结构,插入损耗小于1.5dB,回波损耗大于10dB,相对带宽11.4%。

【总页数】4页(P.364-367)

【关键词】太赫兹;基片集成波导;过渡结构

【作者】刘军[1];于伟华[1];吕昕[1];;;

【作者单位】[1]北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081;;[1]北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081;;[1]北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081;【正文语种】英文

【中图分类】TN62

【相关文献】

1.220 GHz新型SIW-波导过渡结构的设计 [J], 刘军; 于伟华; 吕昕