AMC1203DUB;AMC1203BDUB;AMC1203BDW;AMC1203DWR;AMC1203PSAR;中文规格书,Datasheet资料
Isolation Barrier
AMC1203
https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html,
SBAS427C –FEBRUARY 2008–REVISED JUNE 2011
1-Bit,10MHz,2nd-Order,Isolated Delta-Sigma Modulator
Check for Samples:AMC1203
FEATURES
DESCRIPTION
The AMC1203is a 1-bit,10MHz,isolated delta-sigma ?16-Bit Resolution (ΔΣ)modulator with an output buffer separated from ?SNR:80.5dB min
the input interface circuitry by a silicon dioxide (SiO 2)?THD:–88dB max (AMC1203B)
isolation barrier.This barrier provides galvanic ?±280mV Input Range with +5V Supply
isolation of up to 4000V PEAK .Used in conjunction with isolated power supplies,these devices prevent noise ?Internal 2.5V Reference Voltage:1%Accuracy currents on a data bus or other circuits from entering ?Gain Error:±1%(AMC1203B)
the local ground and interfering with or damaging ?
UL1577,IEC60747-5-2(VDE0884,Rev.2),and sensitive circuitry.
IEC61010-1Approved The AMC1203modulator operates from a +5V supply –Isolation:4000V PEAK ,with a dynamic range of 95dB.The differential inputs Working Voltage:560V
are ideal for direct connection to shunt resistors or –Transient Immunity:15kV/μs
other low-level signal sources.With the appropriate ?Typical 25-Year Life at Rated Working Voltage digital filter and modulator rate,the device can be (see Application Report SLLA197)used to achieve 16-bit analog-to-digital (A/D)?
Specified Temperature Range:conversion with no missing codes.An effective –40°C to +105°C
resolution of 14bits and an SNR of 85dB (typical)can be maintained with a sinc 3filter with a decimation APPLICATIONS
ratio of 256.
?
Shunt Based Current Sensing in:The modulator output is translated to a balanced signal and then transferred by the capacitive isolation –Motor Control
barrier.Across the isolation barrier,a differential –Uninterruptible Power Supplies comparator receives the logic transition information,–Power Inverters
and then sets or resets a flip-flop and the output –Industrial Process Control
circuit accordingly.
The AMC1203is available in SOP-8gull-wing,SOP-8,and SOIC-16packages.The AMC1203is characterized for operation over the ambient temperature range of –40°C to +105°C.
Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
All trademarks are the property of their respective owners.
AMC1203
SBAS427C–FEBRUARY2008–REVISED https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, This integrated circuit can be damaged by ESD.Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions.Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure.Precision integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.
PACKAGE/ORDERING INFORMATION(1)
SPECIFIED
PACKAGE TEMPERATURE PACKAGE ORDERING TRANSPORT MEDIA, PRODUCT PACKAGE-LEAD DESIGNATOR RANGE MARKING NUMBER QUANTITY
AMC1203DUB Tube,50 SOP-8Gull-Wing DUB–40°C to+105°C AMC1203
AMC1203DUBR Tape and Reel,350
AMC1203PSA Tube,95 AMC1203SOP-8PSA–40°C to+105°C1203
AMC1203PSAR Tape and Reel,2000
AMC1203DW Tube,40 SOIC-16DW–40°C to+105°C AMC1203
AMC1203DWR Tape ad Reel,2000
AMC1203BDUB Tube,50 SOP-8Gull-Wing DUB–40°C to+105°C AMC1203
AMC1203BDUBR Tape and Reel,350
AMC1203BPSA Tube,95 AMC1203B SOP-8PSA–40°C to+105°C1203
AMC1203BPSAR Tape and Reel,2000
AMC1203BDW Tube,40 SOIC-16DW–40°C to+105°C AMC1203
AMC1203BDWR Tape and Reel,2000 (1)For the most current package and ordering information see the Package Option Addendum at the end of this document,or visit the
device product folder on https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html,.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)
Over operating free-air temperature range,unless otherwise noted.
PARAMETER AMC1203UNIT Supply voltage,V DD1to GND1or V DD2to GND2–0.3to+6V
Analog input voltage at V IN+,V IN–GND1–0.3to V DD1+0.3V
Input current to any pin except supply pins±10mA Continuous total power dissipation See Dissipation Ratings Table Maximum junction temperature,T J+150°C
Human body model(HBM)
±3000V
JEDEC standard22,test method A114-C.01
Charged device Model(CDM)
Electrostatic discharge(ESD),all pins±1500V
JEDEC standard22,test method C101
Machine Model(MM)
±200V
JEDEC standard22,test method A115A
(1)Stresses beyond those listed under absolute maximum ratings may cause permanent damage to the device.These are stress ratings
only,and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under the Recommended Operating Conditions is not implied.Exposure to absolute maximum rated conditions for extended periods may affect device reliability.
AMC1203
https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, SBAS427C–FEBRUARY2008–REVISED JUNE2011
THERMAL CHARACTERISTICS(1)
Over recommended operating conditions,unless otherwise noted.
PARAMETER SOP-8GULL-WING SOP-8SOIC-16UNIT
Low-K127246104°C/W
θJA Junction-to-air thermal resistance
High-K7816458°C/W
θJC Junction-to-case thermal resistance613225°C/W
P D Device power dissipation(max)110110110mW (1)Tested in accordance with the Low-K or High-K thermal metric definitions of EIA/JESD51-3for leaded surface mount packages. RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Over operating free-air temperature range,unless otherwise noted.
PARAMETER MIN NOM MAX UNIT Supply voltage,V DD1to GND1or V DD2to GND2 4.5 5.0 5.5V Common-mode operating range,V CM0V DD1V Differential input voltage,(V IN+)–(V IN–)–280280mV Operating junction temperature range,T J(see the Thermal Characteristics table)–40+125°C DISSIPATION RATINGS(1)
DERATING FACTOR T A≤+25°C T A=+70°C T A=+85°C T A=+125°C PACKAGE ABOVE T A=+25°C POWER RATING POWER RATING POWER RATING POWER RATING SOP-8Gull-Wing7.9mW/°C984mW629mW511mW354mW SOP-8 4.1mW/°C508mW325mW264mW182mW
SOIC-169.6mW/°C1201mW769mW625mW432mW
(1)Based on Low-K thermal resistance.
REGULATORY INFORMATION
VDE UL
Certified according to IEC60747-5-2Recognized under1577Component Recognition Program File Number:40014131File Number:E181974
IEC60747-5-2ISOLATION CHARACTERISTICS
Over recommended operating conditions,unless otherwise noted.
PARAMETER TEST CONDITIONS VALUE UNIT
V IORM Maximum working insulation voltage560V
Method A,after input or safety test(subgroup2or3),
672V
V PD=V IORM×1.2,t=10s,partial discharge<5pC
Method A,after environmental test(subgroup1),
V PD Input to output test voltage896V
V PD=V IORM×1.6,t=10s,partial discharge<5pC
Method B1,routine and initial test,V PD=V IORM×1.875,
1050V
100%production test with t=1s,partial discharge<5pC
V IOTM Transient overvoltage t=60s4000V
R S Isolation resistance V IO=500V at T S>109?
PD Pollution degree2
AMC1203
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PACKAGE CHARACTERISTICS(1)
Over recommended operating conditions,unless otherwise noted.
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
DUB7mm
Shortest terminal to terminal distance
L(I01)Minimum air gap(clearance)DW8mm
through air
PSA 6.3mm
DUB7mm Minimum external tracking Shortest terminal to terminal distance
L(I02)DW8mm (creepage)across the package surface
PSA 6.3mm
Tracking resistance(comparative
CTI DIN IEC60112/VDE0303Part1≥175V tracking index)
Minimum internal gap(internal
Distance through the insulation0.008mm clearance)
Input to output,V IO=500V,all pins on each side
of the barrier tied together creating a two-terminal>1012?
device,T A<+85°C
R IO Isolation resistance
Input to output,V IO=500V,
>1011?
+100°C≤T A C IO Barrier capacitance input to output V I=0.8V PP at1MHz 1.2pF C I Input capacitance to ground V I=0.8V PP at1MHz3pF (1)Creepage and clearance requirements should be applied according to the specific equipment isolation standards of an application.Care should be taken to maintain the creepage and clearance distance of the board design to ensure that the mounting pads of the isolator on the printed circuit board do not reduce this distance.Creepage and clearance on a printed circuit board become equal according to the measurement techniques shown in the Isolation Glossary.Techniques such as inserting grooves and/or ribs on a printed circuit board are used to help increase these specifications. IEC SAFETY LIMITING VALUES Safety limiting intends to prevent potential damage to the isolation barrier upon failure of input or output(I/O)circuitry.A failure of the I/O circuitry can allow low resistance to ground or the supply and,without current limiting,dissipate sufficient power to overheat the die and damage the isolation barrier,potentially leading to secondary system failures. The safety-limiting constraint is the operating virtual junction temperature range specified in the Absolute Maximum Ratings table.The power dissipation and junction-to-air thermal impedance of the device installed in the application hardware determines the junction temperature.The assumed junction-to-air thermal resistance in the Thermal Characteristics table is that of a device installed in the JESD51-3,Low Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages and is conservative.The power is the recommended maximum input voltage times the current.The junction temperature is then the ambient temperature plus the power times the junction-to-air thermal resistance. PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT I S Safety input,output,or supply currentθJA=246°C/W,V I=5.5V,T J=+150°C,T A=+25°C90mA T C Maximum case temperature+150°C IEC61000-4-5RATINGS PARAMETER TEST CONDITIONS VALUE UNIT V IOSM Surge immunity 1.2/50μs voltage surge and8/20μs current surge±6000V IEC60664-1RATINGS PARAMETER TEST CONDITIONS SPECIFICATION Basic isolation group Material group IIIa Rated mains voltage≤150V RMS I-IV Installation classification Rated mains voltage<300V RMS I-III AMC1203 https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, SBAS427C–FEBRUARY2008–REVISED JUNE2011 ELECTRICAL CHARACTERISTICS At T A=–40°C to+105°C,V DD1=4.5V to5.5V,V DD2=4.5V to5.5V,V IN+=–280mV to+280mV,V IN–=0V,and sinc3filter with OSR=256,unless otherwise noted. AMC1203 PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP(1)MAX UNIT RESOLUTION16Bits DC ACCURACY AMC1203±3±9LSB INL Integral linearity error(2) AMC1203B±2±6LSB DNL Differential nonlinearity(3)–1+1LSB V OS Offset error(4)–1±0.11mV TCV OS Offset error thermal drift±1.5±5μV/°C AMC1203–2±0.22% G ERR Gain error AMC1203B–1±0.21% TCG ERR Gain error thermal drift±20ppm/°C PSRR Power-supply rejection ratio80dB ANALOG INPUTS FSR Full-scale differential voltage input range(V IN+)–(V IN–)–320320mV V CM Operating common-mode signal(3)–0.15V C I Input capacitance to GND1V IN+or V IN–3pF C I D Differential input capacitance6pF R ID Differential input resistance28k? I IL Input leakage current–55nA CMTI Common-mode transient immunity V CM=1kV15kV/μs V IN from0V to5V at0Hz92dB CMRR Common-mode rejection ratio V IN from0V to5V at50kHz105dB INTERNAL CLOCK t CLK Clock period See Figure283.33100125ns f CLK Clock frequency See Figure281012MHz t H Clock high-time See Figure2(t CLK/2)–850(t CLK/2)+8ns t D1Data valid time after falling edge of clock See Figure2–202ns AC ACCURACY SINAD Signal-to-noise+distortion f IN=1kHz8085dB SNR Signal-to-noise ratio f IN=1kHz80.585dB AMC1203,f IN=1kHz–92–84.5dB THD Total harmonic distortion AMC1203B,f IN=1kHz–95–88 AMC1203,f IN=1kHz8692dB SFDR Spurious-free dynamic range AMC1203B,f IN=1kHz8995 (1)All typical values are at T A=+25°C (2)Integral nonlinearity is defined as the maximum deviation of the line through the inputs of the specified input range of the transfer curve of the specified VIN expressed either as number of LSBs,or as a percent of the specified560mV input range. (3)Ensured by design. (4)Maximum values,including temperature drift,are ensured over the full specified temperature range. A A IN AMC1203 SBAS427C –FEBRUARY 2008–REVISED JUNE 2011 https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) At T A =–40°C to +105°C,V DD1=4.5V to 5.5V,V DD2=4.5V to 5.5V,V IN+=–280mV to +280mV,V IN –=0V,and sinc 3filter with OSR =256,unless otherwise noted. AMC1203 PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP (1) MAX UNIT DIGITAL OUTPUTS I OH =–8mA V DD2–0.8 4.6V V OH High-level output voltage I OH =–4mA V DD2–0.4 4.8V I OL =8mA 0.30.8V V OL Low-level output voltage I OL =4mA 0.20.4V POWER SUPPLY V DD Supply voltage V DD1and V DD2 4.5 5.0 5.5V I DD1Analog supply current 68mA I DD2Digital supply current 1012mA P D Power dissipation 80 110 mW EQUIVALENT INPUT CIRCUIT Figure 1.Equivalent Analog Input Circuit 1 2 3 48 7 6 5 V DD2 MCLK MDAT GND2 V DD1 V IN+ V IN-GND1AMC1203 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 GND2 NC V DD2 MCLK NC MDAT NC GND2 V DD1 V IN+ V IN- GND1 NC NC NC GND1 AMC1203 AMC1203 https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, SBAS427C–FEBRUARY2008–REVISED JUNE2011 PIN CONFIGURATION DUB or PSA PACKAGE DW PACKAGE SOP-8Gull-Wing or SOP-8SOIC-16 (TOP VIEW)(TOP VIEW) Table1.SOP-8PIN DESCRIPTIONS PIN https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, DESCRIPTION 1V DD1Analog power supply 2V IN+Noninverting analog input Table2.SOIC-16PIN DESCRIPTIONS 3V IN–Inverting analog input PIN 4GND1Analog ground https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, DESCRIPTION 5GND2Digital ground 1V DD1Analog power supply 6MDAT Modulator data output 2V IN+Noninverting analog input 7MCLK Modulator clock output 3V IN–Inverting analog input 8V DD2Digital power supply 4,8(1)GND1Analog ground 5,6,7, No internal connection—can be tied to any 10,12,NC potential or left unconnected 15 9, GND2Digital ground 16(1) 11MDAT Modulator data output 13MCLK Modulator clock output 14V DD2Digital power supply (1)Both pins are connected internally via a low-impedance path; thus only one of the pins must be tied to the ground plane. MCLK MDAT AMC1203 SBAS427C –FEBRUARY 2008–REVISED JUNE 2011 https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, TIMING INFORMATION Figure 2.Modulator Output Mode Timing TIMING CHARACTERISTICS FOR MODULATOR OUTPUT MODE Over recommended operating free-air temperature range at –40°C to +105°C,V DD1=+5V,and V DD2=+5V,unless otherwise noted. PARAMETER MIN TYP MAX UNIT t CLK MCLK clock period 83.33100125 ns t HIGH MCLK clock high time (t CLK /2)–8 t P /2(t CLK /2)+8 ns t D Data delay after falling edge of MCLK –20 2 ns t S Data setup time prior to rising edge of MCLK 31.5ns t H Data hold time after rising edge of MCLK 31.5 ns 0-300 -200 -100 100 200 300 V (mV) IN I N L (L S B ) 65432 10-1-2-3-4-5- 6-40-25-10125 1109580655035205 T emperature (C) °I N L (L S B ) 321 0-1-2- 3 4.50 5.50 5.25 5.004.75 V (V) DD1V (m V ) O S 0.200.150.10 0.05 0-0.05-0.10-0.15- 0.20 -40-25-10 125 11095 80 655035205 T emperature (C) °V (m V ) O S 0.50.40.30.2 0.10-0.1-0.2-0.3-0.4- 0.5 110 100100010000 OSR E N O B (B i t s ) 181614121086420 -40-25-10 125 11095 80 655035205 T emperature (C) °G a i n (%) 0-0.1-0.2 -0.3 -0.4-0.5- 0.6-0.7-0.8-0.9 AMC1203 https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, SBAS427C –FEBRUARY 2008–REVISED JUNE 2011 TYPICAL CHARACTERISTICS At V DD1=V DD2=5V,V IN+=–280mV to +280mV,V IN –=0V,and sinc 3filter with OSR =256,unless otherwise noted. INTEGRAL NONLINEARITY INTEGRAL NONLINEARITY vs INPUT SIGNAL AMPLITUDE vs TEMPERATURE Figure 3. Figure 4.OFFSET ERROR OFFSET ERROR vs SUPPLY VOLTAGE vs TEMPERATURE Figure 5.Figure 6. GAIN ERROR EFFECTIVE NUMBER OF BITS vs TEMPERATURE vs OVERSAMPLING RATIO Figure 7.Figure 8. 1 10 100 1000 V IN PP (mV ) S N R (d B ) 1009080 70605040 30 -40-25-10 125 11095 80 655035205 T emperature (C) °S N R (d B ) 90898887 868584838281 80 100 10k 1k f IN (Hz) S N R (d B ) 110105100 95 90858075 70-40-25-10 125 11095 80 655035205 T emperature (C) °S N R (d B ) 90898887 86858483828180 100 10k 1k f (Hz) IN T H D (d B ) -80-85-90 -95-100 -105-110 -40-25-10125 1109580655035205 T emperature (C) °T H D (d B ) -80-85-90 -95-100 -105-110 AMC1203 SBAS427C –FEBRUARY 2008–REVISED JUNE 2011 https://www.wendangku.net/doc/fa11563223.html, TYPICAL CHARACTERISTICS (continued) At V DD1=V DD2=5V,V IN+=–280mV to +280mV,V IN –=0V,and sinc 3filter with OSR =256,unless otherwise noted. SIGNAL-TO-NOISE RATIO SIGNAL-TO-NOISE RATIO vs INPUT SIGNAL AMPLITUDE vs TEMPERATURE Figure 9. Figure 10. SIGNAL-TO-NOISE RATIO SIGNAL-TO-NOISE RATIO vs INPUT SIGNAL FREQUENCY vs TEMPERATURE Figure 11. Figure 12. TOTAL HARMONIC DISTORTION TOTAL HARMONIC DISTORTION vs INPUT SIGNAL FREQUENCY vs TEMPERATURE Figure 13.Figure 14. 分销商库存信息: TI AMC1203DUB AMC1203BDUB AMC1203BDW AMC1203DWR AMC1203PSAR AMC1203DUBR AMC1203DUBRG4AMC1203BDWR AMC1203BPSAR AMC1203BDUBR AMC1203BDUBRG4AMC1203DUBG4 AMC1203BDUBG4AMC1203DW AMC1203PSA AMC1203BPSA AMC1203EVM 电子电力课后习题答案 第一章电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。 或者U AK >0且U GK >0 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 I m ，试计算各波形的电流平均值I d1 、I d2 、I d3 与电流有效值I 1 、I 2 、I 3 。 解：a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I 1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I 2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t c) I d3= ?= 2 Im 4 1 ) ( Im 2 1π ω π t d I 3= Im 2 1 ) ( Im 2 1 2 2= ?t dω π π 1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2 、I d3 各为多 少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2 、I m3 各为多少? 解：额定电流I T(AV) =100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1 35 . 329 4767 .0 ≈ ≈ I A, I d1 ≈0.2717I m1 ≈89.48A 华师16秋《高等数学(文)》在线作业 ————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 一、单选题（共 20 道试题，共 40 分。） V 1. y=xsin3x,则y=( )。 . (-os3x+3sin3x)x . (sin3x+3xos3x)x . (os3x+sin3x)x . (sin3x+xos3x)x 标准答案： 2. f(x)在某点连续是f(x)在该点可微的（） . 充分条件 . 必要条件 . 充分必要条件 . 既非充分又非必要条件 标准答案： 3. x→5时，函数|x-5|/(x-5)的极限是（） . 0 . ∞ . 1 . 不存在 标准答案： 4. 当x→0时，ln(1+x)与x比较是（）。 . 高阶无穷小量 . 等价无穷小量 . 非等价的同阶无穷小量 . 低阶无穷小量 标准答案： 5. 当x→0时，下列变量为无穷大量的是（）。 . xsinx . sinx/x . ^x . (1+sinx)/x 标准答案： 6. 极值反映的是函数的（）性质。 . 局部 . 全体 . 单调增加 . 单调减少 标准答案： 7. （）是函数f(x)=1/2x的原函数。 . F(x)=ln2x . F(x)=-1/x^2 . F(x)=ln(2+x) . F(x)=lnx/2 标准答案： 8. 若f(x)是奇函数，g(x)是偶函数，且f[g(x)]有意义，则f[g(x)]是（） . 奇函数 . 非奇非偶函数 . 偶函数或奇函数 标准答案： 9. 曲线y=(4+x)/(4-x)在点（2,3）的切线的斜率是（）。 . 2 . -2 . 1 . -1 标准答案： 10. 曲线y=f(x)在点(x0,f(x0))的切线存在是函数y=f(x)在x0处可导的 . 充分条件 . 必要条件 . 充分必要条件 . 既非充分又非必要条件 标准答案： 11. 如果函数f(x)的定义域为（-1,0），则下列函数中，（）的定义域为（0,1）. f(1-x) . f(x-1) . f(x+1) . f(x2-1) 标准答案： 12. 偶函数的定义域一定是( )。 . 包含原点的区间 . 关于原点对称 . (-∞,+∞) . 以上说法都不对 标准答案： 13. 函数y=x^2+1在区间[-2,1]上的最大值是（）。 . 1 . 2 . 5 . 不存在 标准答案： 14. 设函数f(x)=|x|，则函数在点x=0处() . 连续且可导 . 连续且可微 . 连续不可导 . 不连续不可微 标准答案： 15. 曲线y=xlnx-x在x=处的切线方程是（）。 . y=-x- . y=x- 数据挖掘方法综述 [摘要]数据挖掘（DM，DataMining）又被称为数据库知识发现（KDD,Knowledge Discovery in Databases）,它的主要挖掘方法有分类、聚类、关联规则挖掘和序列模式挖掘等。 [关键词]数据挖掘分类聚类关联规则序列模式 1、数据挖掘的基本概念 数据挖掘从技术上说是从大量的、不完全的、有噪声的、模糊的、随机的数据中提取隐含在其中的、人们事先不知道的、但又是潜在的有用的信息和知识的过程。这个定义包括好几层含义: 数据源必须是真实的、大量的、含噪声的、发现的是用户感兴趣的知识, 发现的知识要可接受、可理解、可运用, 并不要求发现放之四海皆准的知识, 仅支持特定的发现问题, 数据挖掘技术能从中自动分析数据进行归纳性推理从中发掘出潜在的数据模式或进行预测, 建立新的业务模型帮助决策者调整策略做出正确的决策。数据挖掘是是运用统计学、人工智能、机器学习、数据库技术等方法发现数据的模型和结构、发现有价值的关系或知识的一门交叉学科。数据挖掘的主要方法有分类、聚类和关联规则挖掘等 2、分类 分类（Classification）又称监督学习（Supervised Learning）。监 督学习的定义是：给出一个数据集D，监督学习的目标是产生一个联系属性值集合A和类标（一个类属性值称为一个类标）集合C的分类/预测函数，这个函数可以用于预测新的属性集合（数据实例）的类标。这个函数就被称为分类模型（Classification Model），或者是分类器（Classifier）。分类的主要算法有：决策树算法、规则推理、朴素贝叶斯分类、支持向量机等算法。 决策树算法的核心是Divide-and-Conquer的策略，即采用自顶向下的递归方式构造决策树。在每一步中，决策树评估所有的属性然后选择一个属性把数据分为m个不相交的子集，其中m是被选中的属性的不同值的数目。一棵决策树可以被转化成一个规则集，规则集用来分类。 规则推理算法则直接产生规则集合，规则推理算法的核心是Separate-and-Conquer的策略，它评估所有的属性-值对（条件），然后选择一个。因此，在一步中，Divide-and-Conquer策略产生m条规则，而Separate-and-Conquer策略只产生1条规则，效率比决策树要高得多，但就基本的思想而言，两者是相同的。 朴素贝叶斯分类的基本思想是：分类的任务可以被看作是给定一个测试样例d后估计它的后验概率，即Pr（C=c j︱d），然后我们考察哪个类c j对应概率最大，便将那个类别赋予样例d。构造朴素贝叶斯分类器所需要的概率值可以经过一次扫描数据得到，所以算法相对训练样本的数量是线性的，效率很高，就分类的准确性而言，尽管算法做出了很强的条件独立假设，但经过实际检验证明，分类的效果还是 电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力 数据挖掘概述 阅读目录 ?何为数据挖掘？ ?数据挖掘背后的哲学思想 ?数据挖掘的起源 ?数据挖掘的基本任务 ?数据挖掘的基本流程 ?数据挖掘的工程架构 ?小结 回到顶部何为数据挖掘？ 数据挖掘就是指从数据中获取知识。 好吧，这样的定义方式比较抽象，但这也是业界认可度最高的一种解释了。对于如何开发一个大数据环境下完整的数据挖掘项目，业界至今仍没有统一的规范。说白了，大家都听说过大数据、数据挖掘等概念，然而真正能做而且做好的公司并不是很多。 笔者本人曾任职于A公司云计算事业群的数据引擎团队，有幸参与过几个比较大型的数据挖掘项目，因此对于如何实施大数据场景下的数据挖掘工程有一些小小的心得。但由于本系列博文主要是结合传统数据挖掘理论和笔者自身在A云的一些实践经历，因此部分观点会有较强主观性，也欢迎大家来跟我探讨。 回到顶部数据挖掘背后的哲学思想 在过去很多年，首要原则模型(first-principle models)是科学工程领域最为经典的模型。 比如你要想知道某辆车从启动到速度稳定行驶的距离，那么你会先统计从启动到稳定耗费的时间、稳定后的速度、加速度等参数；然后运用牛顿第二定律(或者其他物理学公式)建立模型；最后根据该车多次实验的结果列出方程组从而计算出模型的各个参数。通过该过程，你就相当于学习到了一个知识--- 某辆车从启动到速度稳定行驶的具体模型。此后往该模型输入车的启动参数便可自动计算出该车达到稳定速度前行驶的距离。 然而，在数据挖掘的思想中，知识的学习是不需要通过具体问题的专业知识建模。如果之前已经记录下了100辆型号性能相似的车从启动到速度稳定行驶的距离，那么我就能够对这100个数据求均值，从而得到结果。显然，这一过程是是直接面向数据的，或者说我们是直接从数据开发模型的。 这其实是模拟了人的原始学习过程 --- 比如你要预测一个人跑100米要多久时间，你肯定是根据之前了解的他(研究对象)这样体型的人跑100米用的多少时间做一个估计，而不会使用牛顿定律来算。 回到顶部数据挖掘的起源 由于数据挖掘理论涉及到的面很广，它实际上起源于多个学科。如建模部分主要起源于统计学和机器学习。统计学方法以模型为驱动，常常建立一个能够产生数据的模型；而机器学习则以算法为驱动，让计算机通过执行算法来发现知识。仔细想想，"学习"本身就有算法的意思在里面嘛。 电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通； 《高等数学B（二）》教学大纲 本课程依据全校理工类专业2015版人才培养方案，理工类本科数学基础课程教学基本要求制定，也依据了2015年教育部高等学校大学数学课程教学指导委员会关于大学数学课程教学的基本要求。 课程名称：高等数学B（二） 课程代码：BB-2 课程管理：数理学院（或部）高等数学教研室 教学对象：全校理工类专业 教学时数：总时数64 学时，其中理论教学64 学时，实验实训0 学时。 课程学分：4.0 课程开设学期：2 课程性质：专业基础课 课程衔接：（1）先修课程初等数学（2）后续课程概率论与数理统计 一、课程教学目标及要求 通过本课程的学习，要使学生获得空间解析几何与向量代数、多元函数微分学、多元函数积分学、常微分方程及无穷级数等基本概念、基本理论和基本运算技能，为学习后继课程和进一步获得数学知识奠定必要的数学基础。 要求学生理解数学的基本概念和基本定理，培养学生的抽象思维能力和逻辑思维能力。熟悉高等数学的基本公式和基本方法，掌握常用公式和方法，提高计算能力。 二、教学内容及要求 第六章空间解析几何与向量代数 （一）教学目标 使学生掌握向量概念及有关运算；掌握平面方程、空间直线方程的各种形式；熟悉平面与平面、直线与直线、平面与直线之间的交角公式及平行、垂直条件；掌握常用的二次曲面的标准方程及其图形。 （二）知识点及要求 第一节向量及其线性运算 1、理解空间直角坐标系，向量的概念及其表示。 2、掌握向量的线性运算，向量的模与方向余弦的计算。 第二节数量积与向量积 1、理解两向量的数量积与向量积的概念。 2、掌握向量的数量积和向量积的运算。 第三节平面及其方程 1、理解平面的点法式方程，平面的一般方程，两平面的夹角。 2、掌握平面方程及其求法，平面与平面间几何位置的判定。 第四节空间直线及其方程 1、理解空间直线的一般方程、对称式方程与参数方程，两直线的夹角，直线与平 面的夹角。 2、掌握空间直线方程及其求法，会利用直线、平面相互关系（平行、垂直、相交 《电力电子技术》试卷1答案 一、填空（每空1分，36分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。 二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×） 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失 控现象。（√） 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中 一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（×） 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√） 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×） 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×） 8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×） 9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×） 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 （√） 三、选择题（每题3分，15分） 0-1.什么是电力电子技术? 电力电子技术是应用于电力技术领域中的电子技术；它是以利用大功率电子器件对能量进行变换和控制为主要内容的技术。国际电气和电子工程师协会（IEEE）的电力电子学会对电力电子技术的定义为：“有效地使用电力半导体器件、应用电路和设计理论以及分析开发工具，实现对电能的高效能变换和控制的一门技术，它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换。” 0-2.电力电子技术的基础与核心分别是什么? 电力电子器件是基础。电能变换技术是核心. 0-3.请列举电力电子技术的 3 个主要应用领域。 电源装置;电源电网净化设备;电机调速系统;电能传输和电力控制;清洁能源开发和新蓄能系统;照明及其它。 0-4.电能变换电路有哪几种形式?其常用基本控制方式有哪三种类型? AD-DC整流电;DC-AC逆变电路;AC-AC交流变换电路;DC-DC直流变换电路。 常用基本控制方式主要有三类：相控方式、频控方式、斩控方式。 0-5.从发展过程看，电力电子器件可分为哪几个阶段? 简述各阶段的主要标志。可分为：集成电晶闸管及其应用；自关断器件及其应用；功率集成电路和智能功率器件及其应用三个发展阶段。集成电晶闸管及其应用：大功率整流器。自关断器件及其应用：各类节能的全控型器件问世。功率集成电路和智能功率器件及其应用：功率集成电路（PIC），智能功率模块（IPM）器件发展。 0-6.传统电力电子技术与现代电力电子技术各自特征是什么? 传统电力电子技术的特征：电力电子器件以半控型晶闸管为主，变流电路一般 为相控型，控制技术多采用模拟控制方式。 现代电力电子技术特征：电力电子器件以全控型器件为主，变流电路采用脉宽 调制型，控制技术采用PWM数字控制技术。 0-7.电力电子技术的发展方向是什么? 新器件：器件性能优化，新型半导体材料。高频化与高效率。集成化与模块化。数字化。绿色化。 1-1.按可控性分类，电力电子器件分哪几类? 按可控性分类，电力电子器件分为不可控器件、半控器件和全控器件。 1-2.电力二极管有哪些类型?各类型电力二极管的反向恢复时间大约为多少? 电力二极管类型以及反向恢复时间如下： 1）普通二极管，反向恢复时间在5us以上。 2）快恢复二极管，反向恢复时间在5us以下。快恢复极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复二极管。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者在100ns 以下，甚至达到20~30ns，多用于高频整流和逆变电路中。 3）肖特基二极管，反向恢复时间为10～40ns。 1-3.在哪些情况下，晶闸管可以从断态转变为通态? 维持晶闸管导通的条件是什么? 1、正向的阳极电压； 2、正向的门极电流。两者缺一不可。阳极电流大于维持电流。 高等数学A2 课程教学大纲 课程编号：10009B6 学时：90 学分：5 适用对象：理学类、工科类本科专业 先修课程：高等数学A1 考核要求：闭卷考试，总成绩=平时成绩20%+期末成绩80% 使用教材及主要参考书： 同济大学数学系主编，《高等数学》（下册），高等教育出版社，2002 年, 第五版 黄立宏主编，《高等数学》（上下册），复旦大学出版社，2006 年陈兰祥主编，《高等数学典型题精解》，学苑出版社，2001 年陈文灯主编，《考研数学复习指南（理工类）》，世界图书版公司2006年李远东、刘庆珍编，《高等数学的基本理论与方法》，重庆大学出版社，1995年 钱吉林主编，《高等数学辞典》，华中师范大学出版社，1999 年一、课程的性质和任务 高等数学课程是高等学校理工科各专业学生的一门必修的重要基础理论课，为学习后继课程（如大学物理等）奠定必要的基础，是为培养我国社会主义现代化建设所需要的高质量、高素质专门人才服务的。二、教学目的与要求 通过本课程的学习，使学生获得向量代数和空间解析几何、多元函数微分学、多元函数积分学、无穷级数（包括傅立叶级数）等方面的基本概念、基本理论和基本运算技能。 在传授知识的同时，要通过各个教学环节逐步培养学生具有抽象思维能力、逻辑推理能力、空间想象能力和自学能力，还要特别注意培养学生具有比较熟练的运算能力和综合运用所学知识去分析问题和解决问 题的能力。 三、学时分配 第八章多元函数微分法及其应用18 第九章重积分16 第十章曲线积分与曲面积分16 第十一章无穷级数18 总复习 6 四、教学中应注意的问题 1. 考虑学生的差异性，注意因材施教； 2. 考虑数学学科的抽象性，注意数形结合； 3. 考虑数学与现实生活的关系，注意在教学中多讲身边的数学, 使学生树立“学数学是为了用数学”的观点，培养学生“用数学”的好习惯。 五、教学内容 第七章：空间解析几何与向量代数 1 ?基本内容： 向量及其线性运算，数量积，向量积，曲面及其方程，空间曲线及其方程，平面及其方程，空间直线及其方程。 2 ?教学基本要求： (1)理解空间直角坐标系、理解向量的概念及其表示； (2)掌握向量的运算(线性运算、点乘法、叉乘法、)了解两个向量垂直、平行的条件； (3)掌握单位向量，方向余弦、向量的坐标表达式以及用坐标表达式进行向量运算的方法； (4)平面的方程和直线的方程及其求法，会利用平面、直线的相互关系解决有关问题 (5)理解曲面的方程的概念，了解常用二次曲面的方程及其图形，了解以坐标轴为旋转的旋转曲面及母线平行于坐标轴的柱面方程； (6)了解空间曲线的参数方程和一般方程； (7)了解曲面的交线在坐标平面上的投影。 3 ?教学重点与难点: 教学重点：向量的运算（线性运算、点乘法、叉乘法），两个向量垂直、平行的条件，向量方向余弦、向量的坐标表达式以及用坐标表达式进行向量运算，平面的方程和直线的方程及其求法，曲面方程的 数据挖掘分类算法介绍 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 分类是用于识别什么样的事务属于哪一类的方法，可用于分类的算法有决策树、bayes分类、神经网络、支持向量机等等。 决策树 例1 一个自行车厂商想要通过广告宣传来吸引顾客。他们从各地的超市获得超市会员的信息，计划将广告册和礼品投递给这些会员。 但是投递广告册是需要成本的，不可能投递给所有的超市会员。而这些会员中有的人会响应广告宣传，有的人就算得到广告册不会购买。 所以最好是将广告投递给那些对广告册感兴趣从而购买自行车的会员。分类模型的作用就是识别出什么样的会员可能购买自行车。 自行车厂商首先从所有会员中抽取了1000个会员，向这些会员投递广告册，然后记录这些收到广告册的会员是否购买了自行车。 数据如下： 在分类模型中，每个会员作为一个事例，居民的婚姻状况、性别、年龄等特征作为输入列，所需预测的分类是客户是否购买了自行车。 使用1000个会员事例训练模型后得到的决策树分类如下： ※图中矩形表示一个拆分节点，矩形中文字是拆分条件。 ※矩形颜色深浅代表此节点包含事例的数量，颜色越深包含的事例越多，如全部节点包含所有的1000个事例，颜色最深。经过第一次基于年龄的拆分后，年龄大于67岁的包含36个事例，年龄小于32岁的133个事例，年龄在39和67岁之间的602个事例，年龄32和39岁之间的229个事例。所以第一次拆分后，年龄在39和67岁的节点颜色最深，年龄大于67岁的节点颜色最浅。 ※节点中的条包含两种颜色，红色和蓝色，分别表示此节点中的事例购买和不购买自行车的比例。如节点“年龄>=67”节点中，包含36个事例，其中28个没有购买自行车，8个购买了自行车，所以蓝色的条比红色的要长。表示年龄大于67的会员有74.62%的概率不购买自行车，有23.01%的概率购买自行车。 在图中，可以找出几个有用的节点： 1. 年龄小于32岁，居住在太平洋地区的会员有7 2.75%的概率购买自行车； 2. 年龄在32和39岁之间的会员有68.42%的概率购买自行车； 3. 年龄在39和67岁之间，上班距离不大于10公里，只有1辆汽车的会员有66.08%的概率购买自行车； 第二章： 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若 du/dt过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。 2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性 答: 晶闸管的伏安特性 正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。 3.使晶闸管导通的条件是什么 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 4.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管 （GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。 5.晶闸管的擎住电流I L 答：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。 6.晶闸管通态平均电流I T(AV) 答：晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 7.晶闸管的控制角α（移相角） 答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。 历史学专业本科人才培养方案★专业编号：832 历史学专业本科人才培养方案 一、专业培养目标及基本要求 培养目标： 本专业依据“研教双优”人才培养模式培养具有良好的政治思想素质、有较强的学习和研究能力、扎实的专业技能的一流师资和应用型人才。 基本要求： 扎实掌握本专业的基本理论和基本知识，了解本专业的发展趋势和新进展；具有科学的思维方法和探索精神，具备一定的科学研究能力和专业技能。 具体要求毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 1．在大学平台课的基础上，掌握历史学的基本理论和中国历史、世界历史比较系统的基本知识； 2．通过专业学习和训练，形成一定的历史学研究能力； 3．较熟悉地掌握古汉语和一门外国语，能阅读中外历史文献和资料； 4．了解相关学科基本理论，具有较强的综合应用能力； 5．掌握科学的教育理论和教学方法，具备教师基本技能。 二、主要课程 中国古代史、中国近代史、中国现代史、中华人民共和国史、历史科学概论、世界古代史、世界中世纪史、世界近代史、世界现代史、世界当代史、中国史学史、西方史学史、中国历史地理、中国历史文选、教育学、心理学等。 三、学制 4年 四、授予学位 历史学学士 五、教学时间分配表 （续表） 六、课程教学学时、学分分布表 注：专业类必修课指学科基础必修课与专业必修课；专业类选修课指学科基础选修课与专业选修课 七、课程计划表 （续表） （续表） （续表） （续表） 八、说明 1．本专业必须修满教学计划规定的167学分方可毕业。其中通识教育必修课35学分，通识教育选修课12学分，专业必修课67学分，专业选修课34学分，实践环节19学分，必修课学分不能以选修课学分代替； 2．教师教育课程分必修、选修共20学分，必修课为教育学基础3学分、心理学基础3学分、教师口语1学分、教师书法1学分、多媒体技术与应用2学分、现代教育技术2学分、历史教学技能训练1学分、历史学科教学论2学分，共15学分；选修课5学分（教育、心理类3学分，学科教育类2学分）； 3．本专业学生必须选修12个学分的综合素质课。其中必须理科类不得少于4学分，艺体类不少于2学分，其他6学分建议从文学院、政法学院、经济学院、管理学院、美术学院、音乐学院等院选修； 4．专业实践包括第二学年暑期专业考察（2学分）和第三学年暑期专业研究实践“历史记忆中的家乡”（2学分）； 5．本专业共开设双学位课程49学分。修满双学位课程28学分，可申请本专业辅修结业证书；修满42学分并完成辅修论文及答辩，可申请本专业双学位学士证书； 6．学生需同时修满规定的专业课程学分和素质拓展学分方可毕业。素质拓展学分要求：学生需获取20个必修学分，10个选修学分，具体修取办法见教学管理规章制度中的相关规定。 《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（） 华中师范大学教育学专业参考书目 华中师范大学教育学考研参考书目，鉴于出现很多想报考教育学硕士研究生 的同学们，苦于找不到参考的书籍这一情况，凯程教育第一时间整理了如下 书籍，希望对考研的同学们提供点帮助。 随着越来越多的人加入考研大军，研究生就业问题近年来也成为热点话题。官方发布的研究生总体就业率高达95%以上，但有的专业首次就业率甚至低至5.56%。究竟什么才是真实的情况，也许永远也无法知道，但多几个渠道了解信息，或许能在作决定时提供帮助。 七成高校研究生就业率超95％ 凯程考研以"专业、负责、创新、分享"的办学理念，突出"高命中率、强时效性、全面一条龙服务"的特色，成为考研学子选择专业课辅导的首选。10年来已有千余位考生在凯程的帮助下顺利考取全国著名高校，引发业界强烈关注。 主要参考书目 教育经济与管理专业（教育学院） 《教育学》王道俊、王汉澜主编，人民教育出版社1999年版 《当代教育学》袁振国，教育科学出版社 《教育投入与产出》王善迈，河北教育出版社 《教育经济学新编》范先佐，人民教育出版社2010年版 《学校管理学新编》萧宗六、余白，华中师范大学出版社 《新编教育管理学》修订版，吴志宏、魏志春等主编，华东师范大学出版社 注：311教育学专业基础综合考试大纲由国家统一制订 课程与教学论（历史学院） 《历史教育学》王铎全上海教育出版社 《中学历史教学法》于友西高等教育出版社 课程与教学论复试科目参考书目（数据与统计学院） 《数学教育学》，吴宪芳、华中师范大学出版社 或《中学数学教材教法》总论，十三院校协编、高等教育出版社 课程与教学论、教育硕士（物理科学与技术学院） 《力学》漆安慎等高等教育出版社（《力学》潘武明科学出版社）《电磁学》赵凯华高等教育出版社（《电磁学》陈义成科学出版社）《光学教程》姚启均高等教育出版社 《中学物理新课程教学概论》主编：阎金铎，郭玉英，北京师范大学出版集团2008年2月 《现代基础物理教育学》主编：李来政何熊智，华中师范大学出版社2004年8月 《大学物理实验》主编：熊永红等科学出版社2007年8月 有机化学、物理化学、分析化学、无机化学、高分子化学与物理、农药学（化学学院） 《物理化学》万洪文詹正坤主编高等教育出版社（面向21世纪教材）《物理化学解题指南》陈平初、詹正坤、万洪文编，高等教育出版社 《物理化学》南京大学傅献彩等编著（第四版），高等教育出版社 《有机化学》（上下册）尹冬冬主编高等教育出版社 《有机化学》五所师大合编，曾昭琼主编第三版上下册，高教出版社，北京《有机化学实验》五所师大合编，曾昭琼主编第三版，高教出版社，北京生物化学：（生命科学学院） 《生物化学教程》王镜岩等，高等教育出版社，2008年 20××－20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) （时间90分钟 满分100分） （适用于 ××学院 ××级 ××专业学生） 一、 填空题（30分,每空1分）。 1．如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。（只写简称） 2．单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ；带阻感负载时，α角移相范围为 ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3．直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4．升降压斩波电路呈现升压状态时，占空比取值范围是__ _。 5．与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6．当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7．三相交交变频电路主要有两种接线方式，即 _和 。 8．矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ；控制方式是 。 9．逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 型逆变器和 型逆变器。 10．把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题（18分,每题6分）。 1．逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合？ 2．交流调压电路和交流调功电路有什么异同？ 3．功率因数校正电路的作用是什么？有哪些校正方法？其基本原理是什么？ 三、计算题（40分，1题20分，2题10分，3题10分）。 1．一单相交流调压器，电源为工频220V ，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH 。 试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数；④当2πα＝时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2．.三相桥式电压型逆变电路，工作在180°导电方式，U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 ．如图所示降压斩波电路E=100V ，L 值极大，R=0.5Ω，E m =10V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值 电力电子技术试题（第一章） 一、填空题 1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。 1、三个、阳极A、阴极K、门极G。 2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。 2、正向、触发。 3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。 3、阻断、导通、阻断。 4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示，7表示。 4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。 5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。 5、维持电流。 6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。 6、减小。 7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。 7、电阻、电感、反电动势。 8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。 8、减小、并接、续流二极管。 9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。要求管子的额定电流值要些。 9、小、脉冲、小、大。 10、单结晶体管的内部一共有个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。 10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。 11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电 压时就截止。 11、峰点、谷点。 12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。 12、同步、时刻。 13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。 13、正弦波、锯齿波。 14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。 14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。 15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。 15、关断过电压。 16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。 16、硒堆、压敏电阻。 16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。 16、快速熔断器。 二、判断题对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分） 1、普通晶闸管内部有两个PN结。（×） 2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（×） 3、型号为KP50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。（） 4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（×） 5、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（×） 6、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（√） 7、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。（×） 8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（×） 9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（×） 10、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（×） 11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√） 12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（×） 13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（×） 14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。（×） 15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（√）电力电子技术答案第五版(全)
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