半导体物理概念题与判断题
概念与判断题
个人总结，对错无法保证，仅供参考
一：基本概念
1.离子晶体，共价晶体
离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。
共价晶体：由共价键结合而成的晶体叫共价晶体。
补充：
晶体的分类（按原子结合力的性质分）
离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。
原子晶体：晶格格点上交替排列的是原子，依靠共价键结合而成。
分子晶体：占据晶格中格点位置的是分子，依靠范德瓦耳斯力结合而成。
金属晶体：晶格格点上排列着失去价电子的离子实，依靠金属键结合而成。2.布喇菲点阵（七大晶系，14种点阵）
布喇菲点阵（格子）：实际晶体中，在基元上取一个等同点，这些点在空间中的分布反映了基元在空间的排列结构，这些等同点在空间规则分布称为布喇菲点阵。（晶体中空间等同点的集合）
补充：
立方晶系：简立方(cP)、体心立方(cI)和面心立方(cF
六方晶系：简六方(hP)
四方晶系：简四方(tP)和体心四方(tI)
三方晶系：有简六方(hP)和R心六方(hR)
正交晶系：简正交(oP)、C心正交(oC)、体心正交(oI)和面心正交(oF)
单斜晶系：有简单斜(mP)和C心单斜(mC
三斜晶系：简三斜(aP
3.原胞，晶胞
原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：反映布拉菲点阵对称性的前提下，构成布拉菲点阵的平行六面体。除顶点上外，内部和表面也可以包含格点。
4.施（受）主杂质，施（受）主电离能
施主杂质：杂质在硅、锗等半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。
施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。受主杂质：杂质在硅，锗等半导体中能接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。
受主电离能：使空穴挣脱受主杂质成为导电空穴所需要的能量。
5.量子态密度，状态密度，有效状态密度
量子态密度：k空间单位体积内具有的量子态数目。
状态密度：能量E附近单位能量间隔内的量子态数。
有效状态密度：
6.深（浅）杂质能级
深杂质能级：若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。
浅杂质能级：通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。这种能级称为浅能级，对应的杂质称为浅能级杂质。
7.空穴
空穴：把满带中的空状态假想为的一个带正电的“粒子”。
8.有效质量
有效质量：将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来，并且包含了晶体中的内力作用效果。
补充：
有效质量的意义：
★有效质量概括了晶体中电子的惯性质量以及晶体周期势场对电子的作用。
★引入有效质量后，晶体中电子所受的外力与加速度的关系与牛顿第二定律类似，只用用有效质量代替惯性质量即可。
决定有效质量大小的因素：
★有效质量与电子所处的状态及能带结构有关;
★有效质量反比于能谱曲线的曲率；
★有效质量在能带底附近为正值，能带顶附近为负值;
★有效质量各向异性: 一般地,沿晶体不同方向的有效质量不同。只有当等能面是球面时，有效质量各向同性。
9.理想半导体（实际半导体）
理想的半导体：无限大的、既没有杂质和缺陷,也没有晶格振动和电子间的相互碰撞（四ppt25）
补充：
★理想的半导体的电阻为零:
★实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？
答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。
（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。
★实际晶体是不完整性，杂质、缺陷、晶格热振动将对电子产生散射，使电子重新趋于对称分布，电流变为零，即存在电阻。
10.直接（间接）复合
直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合
间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合
11.复合率，产生率
载流子复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
载流子的产生率：单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数。
12.陷阱，陷阱中心
陷阱效应：杂质或缺陷能收容非平衡载流子的作用称为陷阱效应。
陷阱和陷阱中心：有显著陷阱效应（积累的非平衡载流子数目可以与非平衡载流子数目相比拟）的杂质或缺陷能级称为陷阱，而相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。 电子陷阱：能收容电子的杂质或缺陷能级。
空穴陷阱：能收容空穴的杂质或缺陷能级。
13.平衡态，非平衡态，稳定态
平衡态：半导体中载流子浓度不随时间变化且满足200i n p n =
非平衡态：当半导体受到外界作用(如：光照等)后, 载流子分布将与平衡态相偏离, 此时的半导体状态称为非平衡态。此时载流子浓度不满足200i n p n =
稳定态：当半导体受到的外界作用稳定一定时间后, 载流子浓度将不随时间变化, 此时的半导体的状态称为稳定态。此时载流子浓度也不满足：2
00i n p n =
14.费米能级，准费米能级
准费米能级：由于同一能带内，电子的跃迁非常迅速和频繁，因此，即使在非平衡状态下，导带中的电子和价带中的电子分布仍满足费米分布，即各自处于热平衡态---准平衡态。 此时导带上的电子和价带上的电子有各自的费米能级----准费米能级
补充：
★费米分布函数是用来描述同一量子态系统中平衡状态下的电子按能级的分布的,也即只有平衡状态下才可能有“费米能级”.
★费米能级不是一个真正存在的能级。它只是用于衡量一个系统的能级水平。
15.绝缘体，半导体，能带结构
绝缘体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽度较大。 半导体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。 能带结构：原子的价电子，在晶体中成为共有化电子，产生能级分裂而形成的带状结构。能带结构决定了很多物体的基本特性，如电导性、磁学特性、光学特性、光电特性、晶格常数和弹性等
补充：
导体：有未被填满的价带。
16.扩散系数，扩散长度
补充：
◆扩散系数反映载流子在有浓度梯度时运动的难易程度
◆迁移率反映载流子在外电场作用下运动的难易程度
◆扩散长度的意义:非平衡少数载流子在边扩散边复合的过程中，其浓度减少到原值的1/e 时扩散走过的距离。也表示非平衡载流子深入半导体的平均深度. ◆扩散长度由扩散系数和材料的寿命所决定. 通常材料的扩散系数已有标准数据,因此扩散长度作为寿命测量的方法之一.
◆扩散流密度：在浓度梯度方向单位时间内通过单位面积的非平衡载流子数
17.散射几率
散射几率(Pi):描述散射的强弱，它表示单位时间内一个载流子受到散射的次数。
18.迁移率
补充
◆迁移率是半导体材料的重要参数，它表示电子或空穴在外电场作用下作漂移运动的难易程度。（四章ppt35）
◆物理意义：表示在单位场强下电子或空穴所获得的平均漂移速度大小，单位为m2/V ·s 或cm2/ V ·s ．
19.复合中心，表面复合
复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷。
表面复合：在半导体表面发生的复合过程
补充：
表面复合机理: 表面越粗糙,表面包含的杂质或缺陷越多, 它们在禁带中形成复合中心能级(表面电子能级), 促进间接复合.表面越粗糙,载流子寿命越短.
20.简并，非简并
补充：
◆低掺杂半导体中，载流子统计分布通常遵顺玻耳兹曼统计分布。这种电子系统称为非简并性系统。
◆高掺杂半导体，载流子服从费米统计，这样的电子系统称为简并性系统
二：判断题
1，量子态定义—单位E 间隔内状态数（错）
解析：量子态：一个微观粒子允许的状态。对费米子来说，一个量子态只能 容纳一个粒子。
状态密度：能带中能量E 附近，单位能量间隔内的量子态数p58
2，电子和空穴的移动都能形成电流（对）
3，理想半导体电阻率=0（对）
理想的半导体：无限大的、既没有杂质和缺陷,也没有晶格振动和电子间的相互碰撞（四ppt25）
理想的半导体的电阻为零:
4，T 不变，电离杂质浓度越高，迁移率u 越小（对）
5，电离杂质浓度不变，T 越高，迁移率u 越高（错）
当杂质浓度较高时(大于1019cm 3)，低温区，电离散射为主，因此温度升高 ，迁移率有所上升。高温区，声学波散射作用变显著，迁移率随温度升高而下降。（四章ppt80）
6，绝缘体的Eg 大于半导体的Eg （对）
绝缘体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽度较大。 半导体：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。 7，平衡态的n ，p 与T 无关（错）
平衡态：半导体中载流子浓度不随时间变化且满足200i n p n =，本证载流子浓度是Ni 的函数。
8，n ，p 与T 无关时，处于平衡态（错）
9，有效状态密度与T 无关 （错）
导带的有效状态密度2/3c T N ∝是温度的函数（三章ppt36）
10，能收容非平衡载流子的缺陷或杂质能成为陷阱中心（错）
陷阱效应：杂质或缺陷能收容非平衡载流子的作用称为陷阱效应。
陷阱和陷阱中心：有显著陷阱效应（积累的非平衡载流子数目可以与非平衡载流子数目相比拟）的杂质或缺陷能级称为陷阱，而相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。电子陷阱：能收容电子的杂质或缺陷能级。
空穴陷阱：能收容空穴的杂质或缺陷能级。
11，处于非平衡状态时，导带上的电子随能级分布仍服从f(E)（对）
由于同一能带内，电子的跃迁非常迅速和频繁，因此，即使在非平衡状态下，导带中的电子和价带中的电子分布仍满足费米分布，即各自处于热平衡态---准平衡态。此时导带上的电子和价带上的电子有各自的费米能级----准费米能级（五章ppt16）
12，基元是实际晶体的最小重复单元（对）
基元：实际晶体都包含一个最小的重复单元，整个晶体可以看作是这个重复单元在空间的平衡堆积形成。这个最小的重复单元称谓基元。
13，靠近价带顶的杂质能级是深杂质能级（错）
深杂质能级：若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。
浅杂质能级：通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。这种能级称为浅能级，对应的杂质称为浅能级杂质。
14，表面复合是间接复合（对）
表面复合机理: 表面越粗糙,表面包含的杂质或缺陷越多, 它们在禁带中形成复合中心能级(表面电子能级), 促进间接复合.
间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合
15，对同一个布拉菲点阵，原胞体积不会超过晶胞体积（对）
原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：反映布拉菲点阵对称性的前提下，构成布拉菲点阵的平行六面体。除顶点上外，内部和表面也可以包含格点。
16，半导体共价键上的电子就是价带上的电子（错）
未电离的施主或受主杂质上也有共价键，但上面的电子不是价带上的电子而是杂质能级上的电子
17，杂质既可以成为复合中心，也可以成为陷阱中心（对）
复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷。
陷阱和陷阱中心：有显著陷阱效应（积累的非平衡载流子数目可以与非平衡载流子数目相比拟）的杂质或缺陷能级称为陷阱，而相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。18，同一半导体，电子的扩散系数Dn与迁移率相关，与空穴Dp无直接关系（对）19，电子的有效质量与电子的能带结构有关（对）
决定有效质量大小的因素
有效质量与电子所处的状态及能带结构有关;
有效质量反比于能谱曲线的曲率；
有效质量在能带底附近为正值，能带顶附近为负值;
有效质量各向异性: 一般地,沿晶体不同方向的有效质量不同。只有当等能面是球面时，有效质量各向同性。
20，空穴的有效质量小于0（错）
空穴具有正的有效质量
21，同一半导体中，空穴有效质量与电子有效质量相等（错）
在价带顶部，电子的有效质量是负值，空穴的有效质量为正值*-m *m n p = 22，费米分布函数不为0的能量，一定有电子占领 （错）
23,半导体的费米能级只能处于禁带中 （错）
24，禁带宽度与浓度无关 （错）
简并半导体中，杂质能级扩展为能带并进入导带中与导带相连，形成新的简并导带，使能带边缘延伸，导致禁带宽度变窄（三章P132）
25,周期性势场中运动的电子，其能量是波矢的周期函数 （对）
因此在K 空间中电子的能量是波矢的周期函数，周期是倒格子空间的基矢（二章ppt28）
26,半导体晶格震动的长波对电子的散射比短波更显著 （对）
根据准动量守恒，声子动量应和电子动量具同数量级，即格波波长范围也应是10-8m ．晶体中原子间距数量级为10-10m,因此起主要散射作用的是波长在几十个原子间距的长波。 （四章ppt45） 27，同一半导体中，电子的准费米能级与空穴的准费米能级之差反映半导体偏离平衡态的程度 （对）
P132第二段
28，一般来说，非平衡少子对半导体的应用有意义 （对）
P128倒数第二段
29，净复合率即为非平衡载流子的复合率 （错）
载流子复合率：R=单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
载流子的产生率：G=单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数。（五章ppt3） 非平衡载流子净复合率U=电子俘获率(甲)-电子发射率(乙)
=空穴俘获率(丙)-空穴发射率(丁) （五章ppt57）
撤销非平衡条件后,通过直接复合的产生的载流子的净复合率:0d G R U -=(五章ppt41)
半导体物理器件期末考试试题(全)
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。 代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11
13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11
电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（ 120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年 1 月 14日 注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分； 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分 一、选择填空（含多选题）（2×20=40分） 1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指（ A ）的半导体。 A、(E C -E F )或(E F -E V )≤0 B、(E C -E F )或(E F -E V )≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。 A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型； E、禁带宽度； F、温度 5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i ；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导
体。 A 、E c ； B 、E v ； C 、E F ； D 、 E g ； E 、E i 。 67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C ）。 A 、变大，变大 B 、变小，变小 C 、变小，变大 D 、变大，变小 8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。 A 、E A ； B 、E B ； C 、E F ； D 、 E i ； E 、少子； F 、多子。 9、一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A 、1/4 B 、1/e C 、1/e 2 D 、1/2 10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。 A 、散射机构； B 、复合机构； C 、杂质浓度梯度； C 、表面复合速度。 11、下图是金属和n 型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面形成了（D ）。 A 、n 型阻挡层 B 、p 型阻挡层 C 、p 型反阻挡层 D 、n 型反阻挡层 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A 、W ms =0 B 、W ms ＜0 C 、W ms ＞0 D 、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性 13、MOS 器件中SiO 2层中的固定表面电荷主要是（ B ），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。 A ．钠离子； B 硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压 二、证明题：（8分） 由金属－SiO 2－P 型硅组成的MOS 结构，当外加的电压使得半导体表面载流子浓度n s 与内部多数载流子浓度P p0相等时作为临界强反型层条件，试证明：此时半导体的表面势为： 证明：设半导体的表面势为V S ，则表面的电子浓度为： 200exp()exp()S i S s p p qV n qV n n KT p KT == （2分） 当n s =p p0时，有：20exp( ),S p i qV p n KT = （1分）
运筹学判断题
运筹学判断题
判断题√√×× 一、线性规划 1.若线性规划存在最优解则一定存在基本最优解√ (若存在唯一最优解，则最优解为最优基本可行解（一个角顶），若存在多重最优解（由多个角顶的凸组合来表示) 2.若线性规划为无界解则其可行域无界√ （可行域封闭有界则必然存在最优解） 3.可行解一定是基本解× （基本概念） 4.基本解可能是可行解√ （基本概念） 5.线性规划的可行域无界则具有无界解× （有可能最优解，若函数的梯度方向朝向封闭的方向，则有最优解） 6.最优解不一定是基本最优解√（在多重最优解里，最优解也可以是基本最优解的凸组合） 7.x j的检验数表示变量x j增加一个单位时目标
函数值的改变量√ （检验数的含义，检验函数的变化率） 8.可行解集有界非空时,则在极点上至少有一点达到最优值√ （可行解集有界非空时，有可行解，有最优解，则至少有一个基本最优解） 9.若线性规划有三个基本最优解X(1)、X(2)、X(3)，则X=αX(1)+(1-α)X(3)及X=α1X(1)+α2X(2)+α3X(3)均 为最优解,其中√（一般凸组合为X=α1X(1)+α2X(2)+α3X(3)，若a3=0，则有X=αX(1)+(1-α)X(3)） 10. 任何线性规划总可用大M单纯形法求解√ （人工变量作用就是一个中介作业，通过它来找到初始基本可行解）
11. 凡能用大M法求解也一定可用两阶段法求解√ （大M法和两阶段法没有本质区别） 12. 两阶段法中第一阶段问题必有最优解√ （第一阶段中，线性规划的可行域是封闭有界的，必然有最优解） 13. 两阶段法中第一阶段问题最优解中基变量全部非人工变量,则原问题有最优解×（只能说有可行解，也有可能是无界解） 14. 任何变量一旦出基就不会再进基× 15. 人工变量一旦出基就不会再进基√ （这个是算法的一个思想，目标函数已经决定了） 16.普通单纯形法比值规则失效说明问题无界√ 17. 将检验数表示为λ＝C B B-1A－C的形式,则求极大值问题时基可行解是最优解的充要条件是λ≥0√ （各种情况下最优性判断条件）
半导体物理习题及复习资料
复习思考题与自测题 第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层 电子参与共有化运动有何不同。 答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。 2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。 答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量 3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？ 答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。 4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？ 答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 5.简述有效质量与能带结构的关系； 答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。 6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同；答：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F
半导体物理期末试卷含部分答案
一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度
六年级下数学选择题和判断题
六年级下数学选择题和判断题 1. 要统计某地去年月平均气温情况，最好选用（ ）。 A 、折线统计图 B 、扇形统计图 C 、条形统计图 2. 圆柱的侧面沿直线剪开，在下列的图形中，不可能出现（ ）。 A 、长方形或正方形 B 、三角形 C 、平行四边形 3. 一个圆锥的体积是135 cm 3，（ ）是它等底等高的圆柱体体积。 A 、45cm 3 B 、405cm 3 C 、270cm 3 4. 下面各组中的两个比，可以组成比例的是（ ）。 A 、12：9和9：6 B 、13 :16 和12 :14 C 、8.4:2.1和1.2：8.4 5、一个圆柱的底面半径是2 cm ,高是12.56 cm ,它的侧面沿高剪开是（ ）。 A.长方形 B. 正方形 C.平行四边形 6.一架客机从北京飞往上海，飞行速度和所用时间（ ） A.成正比例 B. 成反比例 C.不成比例 7、圆柱的体积一定，它的高和（ ）成反比例。 A. 底面半径 B. 底面积 C. 底面周长 8、下面各组的两个比不能组成比例的是（ ） A. 7:8和14:16 B.0.6:0.2和3:1 C.19:110 和10:9 9、在x=7y 中，x 和y （ ） A.成正比例 B. 成反比例 C.不成比例 10、压路机的前轮转动一周能压多少路面就是求压路机前轮的（ ） A.侧面积 B. 表面积 C.体积 11、下面图形中，（ ）是圆柱的展开图。 A 、 B 、 C 、 12、圆柱体的底面半径扩大3倍,高不变,体积扩大（ ） A.3倍 B.9倍 C.6倍 13、把一个棱长4分米的正方体木块削成一个最大的圆柱体，体积是（ ）立方分米。 A.50.24 B.100.48 C.64 14、把一团圆柱体橡皮泥揉成与它等底的圆锥体，高将（ ）。 A.扩大3倍 B.缩小3倍 C.扩大6倍 15、在-3、-0.5、0、-0.1这四个数中，最小的是（ ） A -3 B -0.5 C 0 D -0.1 16、圆柱的体积比与它等底等高的圆锥的体积大（ ）
半导体物理试卷a答案
一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 2. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 3. 空穴：当满带顶附近产生P0个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，可等效为P0个具有正电荷q和正有效质量m p，速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空穴。 4. 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴 △p=p-p0称为过剩载流子。 5.费米能级、化学势 答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高，说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。 二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙3．有效复合中心的能级必靠近( A ) 禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿
初中考试photoshop选择题与判断题
Photoshop题库 一、选择题 1、李林同学制作了一个《蚂蚁探秘》的电子杂志，她收集了多张有关蚂蚁的图片， C 适合用于“蚂蚁身体结构”的页面。 2、王志清同学想将一张大小为640×480像素的图片设置为自己的QQ头像，如果要通过Photoshop把该图片的大小更改为30×20像素，他可以 B 。 A．通过工具栏的矩形选框工具进行选取 B．执行“图像”→“图像大小”命令，在图像大小对话框中修改 C．执行“编辑”→“自由变换”命令，进行调整 D．执行“图像”→“画布大小”命令，在画布大小对话框中修改 3、在Photoshop中处理图片，若使用工具箱中的剪裁工具在图片中拖拽出一个矩形（如下图所示），则在矩形中双击后得到的结果是 C 。 4、下列关于Photoshop中图层的描述错误的是 C 。 A．一张图可以有多个图层 B．图层就像一张张透明的纸叠放在一起 C．一张图只能有一个图层 D．可以单独编辑某一图层 5、下图所示照片拍照时曝光过度，我们可通过下列 B 软件对图片进行加工。 A.千千静听 B. Photoshop C.录音机 D.记事本 6、Photoshop中，图示对话框可以设置 C 。
A.画布大小 B.选区大小 C.图像大小 D.裁切区域大小 7、Photoshop中，“亮度／对比度”对话框的调整如图所示，则调整后的图像 B 。 A．没有变化B．亮度增加，对比度增加 C．亮度减小，对比度减小D．亮度增加，对比度减小 8、Photoshop中，工具栏上名称为 C 。 A．文字工具B．矩形选框工具C．裁切工具D．横排文字工具 9、Photoshop中，要为图片添加文字，可使用工具栏中的 A 。 10、Photoshop中，可以使用 C 快速为图示人物剪影建立选区。 11、在Photoshop中，要将右图选 区中的人物移动至左图中，可以通 过工具栏中的 D 实现。 12、使用Photoshop处理图像，图 层调板显示如图，则该图像有 C 个图层。
半导体物理期末试卷(含部分答案
一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度
电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数
宏观经济学选择题与判断题
选择题 1.宏观经济学的中心理论是（）。 A．收入分配理论 B．国民收入决定理论 C．消费理论 D．经济增长理论 2.如果个人收入等于57美元，而个人所得税等于9美元，消费等于43美元，利息支付总额为1美元，个人储蓄为4美元，个人可支配收入则等于（）。 A.50美元 B.48美元 C.47美元 D.40美元 3.恒等式GNP＝C＋I+G是从（）角度来统计国民收入的。 A．收入 B．支出 C．生产 D．消费 4.基于生命周期假说的消费函数强调（）。 A.当期消费与财富积累的联系 B.当期储蓄与当期收入的联系 C.终身消费与终身收入的联系 D.当期储蓄与当期消费的联系 5.永久收入理论认为，（）。 A.当前收入的变化会引起消费的同比例增加 B.暂时性收入高于持久性收入 C.高收入边际消费倾向较高 D.暂时性收入的边际消费倾向接近于0 6.如果在消费—收入图形上，消费曲线向下移动，这意味着（）。 A.由于收入减少而导致消费减少 B.由于收入增加而导致消费增加 C.由于非收入等其他原因导致消费减少 D.由于非收入等其他原因导致消费增加 7.乘数的作用必须在以下条件下才可发挥，（） A.经济实现了充分就业 B.总需求大于总供给 C.政府支出等于政府税收 D.经济中存在闲置资源 8.税收对投资乘数的影响是（）。 A.使乘数变大 B.使乘数变小 C.乘数保持不变 D.与税收的种类有关 9.下面哪一种情况可能使国民收入增加最多？（） A.政府对高速公路的养护开支增加250亿元 B.政府转移支付增加250亿元 C.个人所得税减少250亿元 D.企业储蓄减少250亿元 10.若三部门经济的消费函数为C=150+0.8(y-t)，且政府税收t与自发性投资支出i 同时增加50亿，则均衡收入水平将（）。 A.增加100亿 B.减少50亿 C.增加50亿 D.保持不变 11.当政府支出的增加与政府转移支付的减少相同时，收入水平会（）。 A.不变 B.增加 C.减少 D.不相关 12.税收对投资乘数的影响是（）。 A.使乘数变大 B.使乘数变小 C.乘数保持不变 D.与税收的种类有关 13.封闭经济中，政府只征收总量税，且将新征税100亿美元全部用于政府支出，这一举措的净效应是（）。 A.该经济的GDP增加100亿美元 B.该经济GDP增加量等于100亿美元乘以财政支出乘 C.GDP保持不变，因为税收增加额恰好抵消了政府支出的增加额 D.不能判断
新运筹学填空选择简答题题库
基础课程教学资料祝福您及家人身体健康、万事如意、阖家欢乐！祝福同学们快乐成长，能够取得好成绩，为祖国奉献力量 运筹学填空/选择/简答题题库 第一章运筹学概念部分欢迎使用本资料，祝您身体健康、万事如意，阖家欢乐。愿同学们健康快乐的成长。早日为祖国的繁荣昌盛奉献自己的力量 一、填空题 1．运筹学的主要研究对象是各种有组织系统的管理问题，经营活动。欢迎使用本资料，祝您身体健康、万事如意，阖家欢乐。愿同学们健康快乐的成长。早日为祖国的繁荣昌盛奉献自己的力量 2．运筹学的核心主要是运用数学方法研究各种系统的优化途径及方案，为决策者提供科学 决策的依据。欢迎使用本资料，祝您身体健康、万事如意，阖家欢乐。愿同学们健康快乐的成长。早日为祖国的繁荣昌盛奉献自己的力量 3．模型是一件实际事物或现实情况的代表或抽象。 4通常对问题中变量值的限制称为约束条件，它可以表示成一个等式或不等式的集合。5．运筹学研究和解决问题的基础是最优化技术，并强调系统整体优化功能。 6．运筹学用系统的观点研究功能之间的关系。 7．运筹学研究和解决问题的优势是应用各学科交叉的方法，具有典型综合应用特性。8．运筹学的发展趋势是进一步依赖于_计算机的应用和发展。 9．运筹学解决问题时首先要观察待决策问题所处的环境。 10．用运筹学分析与解决问题，是一个科学决策的过程。 11.运筹学的主要目的在于求得一个合理运用人力、物力和财力的最佳方案。 12．运筹学中所使用的模型是数学模型。用运筹学解决问题的核心是建立数学模型，并对模型求解。 13用运筹学解决问题时，要分析，定义待决策的问题。 14．运筹学的系统特征之一是用系统的观点研究功能关系。 15.数学模型中，s.t表示约束（subject to 的缩写）。 16．建立数学模型时，需要回答的问题有性能的客观量度，可控制因素，不可控因素。17．运筹学的主要研究对象是各种有组织系统的管理问题及经营活动。 18. 1940年8月，英国管理部门成立了一个跨学科的11人的运筹学小组，该小组简称为OR。 二、单选题 1．建立数学模型时，考虑可以由决策者控制的因素是（ A ） A．销售数量 B．销售价格 C．顾客的需求D．竞争价格 2．我们可以通过（C）来验证模型最优解。 A．观察 B．应用 C．实验 D．调查 3．建立运筹学模型的过程不包括（ A ）阶段。 A．观察环境 B．数据分析 C．模型设计 D．模型实施 1
半导体物理试题汇总
半导体物理学考题 A (2010年1月)解答 一、（20分）简述下列问题: 1．（5分）布洛赫定理。 解答：在周期性势场中运动的电子，若势函数V(x)具有晶格的周期性，即：)x (V )na x (V =+， 则晶体中电子的波函数具有如下形式：)x (u e )x (k ikx =ψ，其中，)x (u k 为具有晶格周期性的函数，即：)x (u )na x (u k k =+ 2．（5分）说明费米能级的物理意义； 试画出N 型半导体的费米能级随温度的变化曲线。 解答： 费米能级E F 是反映电子在各个能级中分布情况的参数。 能量为E F 的量子态被电子占据的几率为1/2。 N 型半导体的费米能级随温度变化曲线如右图所示：（2分） 3、（5分）金属和N 型半导体紧密接触，接触前，二者的真空能级相等，S M W W <。试画出金属— 半导体接触的能带图，标明接触电势差、空间电荷区和内建电场方向。 解答： 4．（5分）比较说明施主能级、复合中心和陷阱在半导体中的作用及其区别。 解答： 施主能级：半导体中的杂质在禁带中产生的距离能带较近的能级。可以通过杂质电离过程向半导体导带提供电子，因而提高半导体的电导率；（1分） 复合中心：半导体中的一些杂质或缺陷，它们在禁带中引入离导带底和价带顶都比较远的局域化能级，非平衡载流子（电子和空穴）可以通过复合中心进行间接复合，因此复合中心很大程度上影响着非平衡载流子的寿命。（1分） 陷阱：是指杂质或缺陷能级对某一种非平衡载流子的显著积累作用，其所俘获的非平衡载流子数目可以与导带或价带中非平衡载流子数目相比拟。陷阱的作用可以显著增加光电导的灵敏度以及使光电导的衰减时间显著增长。（1分） 浅施主能级对载流子的俘获作用较弱；有效复合中心对电子和空穴的俘获系数相差不大，而且，其对非平衡载流子的俘获几率要大于载流子发射回能带的几率。一般说来，只有杂质的能级比费米能级离导带底或价带顶更远的深能级杂质，才能成为有效的复合中心。而有效的陷阱则要求其对电子和空穴的俘获几率必须有很大差别，如有效的电子陷阱，其对电子的俘获几率远大于对空穴的俘获几率，因此才能保持对电子的显著积累作用。一般来说，当杂质能级与平衡时费米能级重合时，是最有效的陷阱中心。（2分） C E v E x FN E FM E i E eV E C E i E d E V E T () 型N E F
2011东南大学半导体物理试卷
共 10 页 第 1 页 东 南 大 学 考 试 卷（卷） 课程名称 半导体物理 考试学期 11-12-2 得分 适用专业 电子科学与技术 考试形式 闭卷 考试时间长度 120分钟 室温下，硅的相关系数：10300.026, 1.510,i k T eV n cm -==? 1932.810c N cm -=? 1931.110v N cm -=?，电子电量191.610e C -=?。 一、 填空题（每空1分，共35分） 1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,对于较纯净的半导体 散射起主要作 用，对于杂质含量较多的半导体，温度很低时，______________散射起主要作用。 2.非平衡载流子的复合率 ，t N 代表__________，t E 代表__________，当2i np n -为___________时，半导体存在净复合，当2i np n -_______时，半导体处于热平衡状态。杂质能级位于___________位置时，为最有效复合中心，此杂质称为____________杂质。 3.纯净的硅半导体掺入浓度为17 3 10/cm 的磷，当杂质电离时能产生导电________，此时杂质为_________杂质，相应的半导体为________型。如果再掺入浓度为16 3 10/cm 的硼，半导体是_______型。假定有掺入浓度为15 3 10/cm 的金，则金原子带电状态为__________。 4.当PN 结施加反向偏压，并增到某一数值时，反向电流密度突然__________开始的现象称为击穿，击穿分为___________和___________。温度升高时，________击穿的击穿电压阈值变大。 5. 当半导体中载流子浓度存在_________时，载流子将做扩散运动，扩散流密度与_______成正比，比例系数称为_________；半导体存在电势差时，载流子将做 运动，其运动速度正比于 ，比例系数称为 。 6. GaAs 样品两端加电压使内部产生电场，在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小，这区域称为________________，这是由GaAs 的_____________结构决定的。 20() 2t i t i i N C np n U E E n p n ch k T -= ?? -++ ? ??
五年级语文选择题和判断题
五年上册语文选择题与判断题复习（长泰县古农农场中心小学）（第一卷） 一、选择题 1、下列加点字注音完全正确的一组是（） A 挑．拨(tiǎo) 诱．惑 (yòu) 操纵．(zònɡ) 沮．丧(jǚ) B塑．料(sù) 附．近(fù)便．宜(pián)允．许(rǔn) C眸．子(móu) 流泻．(xiè)葱茏．(．lónɡ) 石榴．(liù) D旅．途(lǚ) 和蔼．(ǎi)信赖．(lài) 眼睑．（jiǎn) 2、下列没有错别字的一组是（） A 小心翼翼依依不舍不容争辨银光闪闪 B不动生色大喜过望源源不断络绎不绝 C星罗棋布心灵手巧受用不尽神气十足 D垂头丧气月光如水筋疲力尽与重不同 3、下面的句子有错误的一项是（） （1）小明忍不住笑出声来。 （2）暑假快到了，我们已经结束了小学的学习生活。 （3）不亲身体验，怎能获得真实的感受? （4）言行不一致，是一种不诚实的表现。 4、下列句子中没有运用修辞的是（） A 那树叶像一片绿玻璃片一样透明、清亮。 B 森林伸出有力的臂膀，发出欢快的呼啸声。 C 像往常一样,他径直走向了那家餐馆。 D 太阳一出来,地上已经像着了火。 5、下列加点词语使用不当的是（） A这种给予也许是微不足道 ．．．．。 ．．．．的，可它的作用却难以估计。B今天学生的表现使老师迷惑不解 C碧空如洗 ．．．．，马上就要下雨了。D同学们看到张红工整的作业后赞叹不已 ．．．．。 二、判断题 1、“毅力、顽强、固执、顽固、坚韧、坚强”都是褒义词。（） 2、“鼎”是上下结构，“大名鼎鼎”的“鼎”与“人声鼎沸”的“鼎”意思不一样。（） 3、《秋思》是宋代张籍写的一首思念家乡亲人的诗。（） 4、《梅花魂》一课采用了倒叙的写法。（） 5、“明月有情应识我，年年相见在他乡”作者是卢纶。（）
半导体物理试题
姓名：班级：学号： 密封线请在本线宽度范围内出题 新余学院 2010--2011学年 第二学期 新能源科学与工程学 院 09级光伏专业各班 《半导体物理与器件（闭卷）》期末试卷A卷出卷人：刘 坚批准人： 一、单项选择题（本题总分30分，每题3分） 1、本征半导体是指______的半导体。 A、不含杂质与缺陷 B、电子密度与空穴密度相等 C、电阻率最高 D、电子密度与本征载流子密度相等 2、在晶体硅中掺入元素______杂质后，能形成N型半导体。 A、锗 B、磷 C、硼 D、锡 3、300K下，硅本征载流子浓度是______cm-3。 A、2.33×1013 B、1.02×1010 C、 1.1×107 D、3.9×1018 4、电子在导带能级中分布的概率表达式是。 A、 B、 C、 D、 A、杂质电离，本征激发 B、本征激发，杂质电离 C、施主电离，本征激发 D、本征激发，受主电离 6、硅导带结构为。 A、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面 7、一般半导体它的价带顶位于，而导带底位于。（ ）
A、波矢k=0或附近，波矢k≠0 B、波矢k≠0，波矢k=0或附近 C、波矢k=0，波矢k≠0 D、波矢k=0或附近，波矢k≠0 或k=0 8、杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别 掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。 A、硼或铁 B、铁或铜 C、硼或磷 D、金或银 9、本征半导体费米能级的表达式是。 A、 B、 C、 D、 10、一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态 基本上，而能量小于费米能级的 量子态基本上为，而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是，所以费米能级的位置 比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。 A、没有被电子占据，电子所占据1/2 B、电子所占据，没有 被电子占据1/2 C、没有被电子占据，电子所占据1/3 D、电子所占据，没有 被电子占据1/3 二、名词解释（每题4分，共20分） 1、载流子的有效质量 2、有效态密度 第1页（共2页） 密封线请在本线宽度范围内出题 3、深能级杂质 4、费米能级 5、本征激发 三、简答题（每题6分，共30分） 1、从带隙及载流子占据的能级等方面说明导体、半导体和绝缘
半导体物理期末考试试卷A参考答案与评分标准
电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试 一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN 呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4， m n */m 0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e 2 ； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有 （ B ） 半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si 中电子扩散系数D ｎ与ＮＤ有如下图 （C ） 所示的最恰当的依赖关系： Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ａ Ｂ Ｃ Ｄ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺 ＮＤ ＮＤ ＮＤ ＮＤ
复习题选择以及判断题
网络攻防与入侵检测期末复习 1、TELNET协议主要应用于哪一层（A ） A、应用层 B、传输层 C、Internet层 D、网络层 2、一个数据包过滤系统被设计成允许你要求服务的数据包进入，而过滤掉不必要的服务。这属于（ A ）基本原则。 A、最小特权 B、阻塞点 C、失效保护状态 D、防御多样化 3、不属于安全策略所涉及的方面是（D ）。 A、物理安全策略 B、访问控制策略 C、信息加密策略 D、防火墙策略 4、对文件和对象的审核，错误的一项是（D） A、文件和对象访问成功和失败 B、用户及组管理的成功和失败 C、安全规则更改的成功和失败 D、文件名更改的成功和失败 5、WINDOWS主机推荐使用（A ）格式 A、NTFS B、FAT32 C、FAT D、LINUX 6、UNIX系统的目录结构是一种（A ）结构 A、树状 B、环状 C、星状 D、线状 7、在每天下午5点使用计算机结束时断开终端的连接属于（A ） A、外部终端的物理安全 B、通信线的物理安全 C、窃听数据 D、网络地址欺骗 8、检查指定文件的存取能力是否符合指定的存取类型，参数3是指（B ） A、检查文件是否存在 B、检查是否可写和执行 C、检查是否可读 D、检查是否可读和执行 9、（D ）协议主要用于加密机制 A、HTTP B、FTP C、TELNET D、SSL 10、不属于WEB服务器的安全措施的是（ D ） A、保证注册帐户的时效性 B、删除死帐户 C、强制用户使用不易被破解的密码 D、所有用户使用一次性密码 11、DNS客户机不包括所需程序的是（D ） A、将一个主机名翻译成IP地址 B、将IP地址翻译成主机名 C、获得有关主机其他的一公布信息 D、接收邮件 12、下列措施中不能增强DNS安全的是（C ） A、使用最新的BIND工具 B、双反向查找 C、更改DNS的端口号 D、不要让HINFO记录被外界看到 13、为了防御网络监听，最常用的方法是（B ） A、采用物理传输（非网络）