电子技术基础与技能电子教案(综合)

《电子技术基础与技能》电子教案

项目一二极管单向导电板的制作

教案编号：01—01—01

一、教学目标

1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体；

2、了解PN结的形成过程及其特性；

3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等；

4、会用万用表判断二极管的质量。

二、重点难点

重点：二极管的符号及单向导电特性。

难点：PN结的形成过程

三、学情分析

有关半导体、二极管等概念，学生第一次接触到，而且这些内容十分抽象难理解，所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关内容，而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，因此，教师要如此引入过渡，学生是容易接受的。

四、教学方法

讲解法、观察法、图形演示法

五、教具准备

各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等

六、课时安排：2课时

七、教学过程

1、导入新课：

大家在初中学习了电阻，电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质，如铁、铝、铜等金属；不能导电的物质就是绝缘体，如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢？这就是今天我们要学习的内容——半导体

2、新授阶段

（1）出示投影（课本图1-1 二极管单向导电电路图）

让生认识电路图，了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件，今天我们就来重点学习这种元件。

（2）先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。

1）半导体：由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性，特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。

2）P型半导体和N型半导体

先介绍本征半导体，然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体，即N型半导体和P型半导体。（可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图）。

3）PN结：出示投影（课本图1-2 PN的结构示意图），简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。

给生时间理解并自己动手画图记忆

（3）二极管

1）出示投影（课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号）

讲解二极管的定义、结构及其符号等

给生时间理解并自己动手画图记忆

2）实物投影展示各种不同形状的二极管外形，之后拿出实物让生观察，增强学生的感性意识。

3）二极管的特性曲线

出示投影（课本图1-5 二极管的伏安特性曲线）

讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。

讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压：对于硅管是0.5V，锗管是0.2V；导通电压：对于硅管是0.7V；对于锗管是0.3V。

给生时间理解并自己动手画图记忆

4）二极管的种类及参数：师简单介绍

3、课堂小结：（略）

4、课堂练习：可用课后习题或自备随堂练习题

5、布置作业：课后习题

6、板书设计：（略）

7、教学反思

项目一二极管单向导电板的制作

教案编号：02—01—02

一、教学目标

1、会连接二极管的单向导电实物图；

2、会用二极管判断二极管的极性；

3、通过实践进一步理解和掌握半导体和二极管等；

4、提高学生的实践技能。

二、重点难点

重点：二极管的单向导电实物图的安装。

难点：二极管质量的判别

三、学情分析

学生在上节课中已经学习了半导体、P型半导体、N型半导体、PN结以及二极管等知识，这就为本节课学习二极管的实验打下了基础。由于该实验比较简单，而且实验现象明显，所以，学生只要能按电路正确接线，一定能会取得成功。

六、教学方法

讲解法、观察法、图形演示法

七、教具准备

万用表、二极管、电源、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等

六、课时安排：2课时

七、教学过程

1、导入新课：

前面大家已经学习了半导体及二极管的相关知识，提问：二极管的重要特性是什么？

那么二极管的单向导电特性是怎么验证出来的呢？那么这节课我们就用实验来验证这个问题。

2、新授阶段

（1）先让学生学习用万用表判别二极管的极性。

讲述用万用表判别二极管的具体步骤：第一，要将万用表拨至欧姆档并选择R×100或R×1K档；第二，调零欧姆调节器使指针指向0欧姆；第三，要对二极管反正测量两次（2）出示投影（课本图1-6 二极管的实物连接实验图）

（3）学生分组实践

1）分发元件及接线板，让学生认识元件。

2）根据电路图进行电路板的连接或焊接。

（4）学生接线、自检、师检查、通电实验。

结论：（师引导学生总结）二极管加正向电压时导电，加反向电压时截止，这就是二极的单向导电特性

（5）教师评估打分

3、课堂小结：（略）

4、课堂练习：可用课后习题或自备随堂练习题

5、布置作业：写实验报告

6、板书设计：（略）

7、教学反思

项目二防火报警器的制作

教案编号：03—02—01

一、教学目标

1、认识防火报警器的工作原理图；

2、了解电路中所用到的元器件；

3、认识晶体管，掌握它的符号、结构及特性；

4、理解晶体管的放大原理和输入、输出特性曲线等

二、重点难点

重点：晶体管的符号及放大特性

难点：晶体管特性曲线的形成过程

三、学情分析

前面学生已经学习了半导体、PN结及二极管等内容，这为学习本节课的内容打下了铺垫。晶体管也是一种半导体元件，它与二极管的主要区别是内部有两个PN结，外面有三个引出电极，所以，学生很容易联想过渡。晶体管是组成各种放大器的基础，如家用电器中的电视机、录音机和收音机等都含有放大器。这样会激发学生强烈的好奇心去学习和掌握。

三、教学方法

讲解法、观察法、图形演示法

四、教具准备

各种不同形状的晶体管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等

五、课时安排：2课时

六、教学过程

1、导入新课：

由前面学到的二极管引导学生复习半导体、N型半导体、P型半导体及PN结等。提问二极管的特性、二极管的特性曲线及参数等。然后自然过渡到另一种常用的半导体元件——晶体管。

2、新授阶段

（1）出示投影（课本图2-1 防火报警器的原理图）

让生认识电路图，了解图中的各元器件。并强调指出其中的晶体管VT是整个放大电路的核心元件，今天我们就先重点来学习这种元件。

（2）了解晶体管的定义、结构、符号及外形图及种类

出示投影（课本图2-2 晶体管的结构示意图），讲解其结构，然后让学生观察PNP和NPN的结构特点，并自己动手画图记忆

（3）拿出几种不同形状的晶体管实物在实物投影仪上投影展示或直接让学生观察实物，增强学生的感性意识。

（4）晶体管放大原理

投影出示（课本图2-5 晶体管各极上的电流分配关系）让学生观察电路图，并按照电路图连接实物电路。然后让生观察在电阻改变时各个电流表的读数。

教师引导学生总结实验结论：1）电流分配关系I E＝I B＋I C

且I E≈I C

2）电流放大作用

直流电流放大倍数β= I C/I B

交流电流放大倍数β=△I C/△I B

（5）晶体管的特性曲线

教师首先给出输入特性曲线的定义，然后投影出示（课本图2-6 晶体管的输入特性曲线图）。教师要从内部电子转移的观察简述曲线形成过程。

教师引导学生总结输入特性曲线的特点：A、输入特性曲线是非线性的，并随着U CE 的增大曲线向右移。B、对于硅管：死区电压是0.5V，导通电压是0.7V；对于锗管：死区电压是0.1V，导通电压是0.3V。

教师给出输出特性曲线的定义，然后投影出示（课本图2-7 晶体管的输出特性曲线）。教师要从内部电子转移的观察简述曲线形成过程。

教师讲解输出特性曲线中的三个区域及其特点。即：截止区是指i B=0以下的区域；饱和区指虚线与纵轴之间的区域。在此区域中晶体管的集电极电流I C不再随着基极电流I B的变化而变化；放大区指近乎平行线的区域。晶体管在放大区具有恒流特性和放大作用。

给生时间理解并自己动手画图记忆。

3、课堂小结：（略）

4、课堂练习：可用课后习题或自备随堂练习题

5、布置作业：课后习题

6、板书设计：（略）

7、教学反思

项目二防火报警器的制作

教案编号：04—02—02

一、教学目标

1、能识读晶体管共发射极放大电路图；

2、理解静态工作点并能进行简单计算；

3、掌握晶体管单级放大器的工作原理；

4、会分析放大电路的交流特性。

二、重点难点

重点：晶体管的放大原理。

难点：晶体管的动态分析。

三、学情分析

在前面学生已经学习了晶体管，掌握了晶体管的放大原理及特性曲线等，这为学习晶体管的放大电路打下了基础。通过本节课的学习，学生能进一步理解晶体管的放大条件，知道放大电路的动态和静态问题。通过学习放大电路的放大原理，学生会发现放大电路中的能量转换及动静态转换等。原理分析比价复杂，教师要结合图形演示及公式推导慢慢分析。

三、教学方法

讲解法、观察法、图形演示法

四、教具准备

幻灯片及幻灯机、实物投影仪等

五、课时安排：2课时

六、教学过程

1、导入新课：

学生前面已经学习了晶体管等相关内容，这为学习晶体管的放大电路打好了铺垫。提问：晶体管的种类、结构、特性及放大原理等。晶体管的主要用途是用来进行放大，那么由晶体管构成的放大电路是怎样的呢？这就是本节课我们要讨论的问题。

2、新授阶段

（1）出示投影（课本图2-8 基本共发射极放大电路）

师说出单级放大电路的定义，根据投影让生认识电路图，讲解电路中各元器件的名称及作用。

给生时间理解并自己动手画电路图加深记忆。

（2）静态及静态工作点

教师给出静态的定义、结合电路图分析静态工作点的计算方法。

让生记忆静态工作点的计算公式，并且教师要结合课本中的例题让学生进一步理解和掌握。

（3）静态工作点的重要作用

出示投影（课本图2-9 放大电路不设静态工作的情况）

教师结合电路及波形图讲清放大器不设静态工作点时的缺陷，让生真正明白静态工作点的重要性。

（4）放大器的工作原理

这是本节课的重点和难点。教师要结合图2-8和图2-10仔细分析和推导。最后得出的结论是：放大器具有放大和倒相作用。

给生时间理解并自己动手推导公式和画电路图加深记忆。

（5）放大器的交流性能分析

教师要讲清放大器中的直流通路和交流通路。然后（出示投影 课本图2-11 放大电路的交流性能测试图）简单介绍放大电路的几个重要参数：即输入电阻r i =i i I U 、输出电阻r o =R C 和电压放大倍数u A &=i

U U &&O 等。 结合课本图2-12 讲解放大电路中静态工作点的稳定问题。

给生时间理解并自己动手推导公式和画电路图加深记忆。

3、课堂小结：（略）

4、课堂练习：可用课后习题或自备随堂练习题

5、布置作业：课后习题

6、板书设计：（略）

7、教学反思

项目二 防火报警器的制作

教案编号：05—02—03

一、教学目标

1、进一步熟悉万用表的使用；

2、会用万用表识别晶体管的管脚；

3、能根据电路图安装防火报警器的实物图；

4、提高学生的观察和实际操作能力。

二、重点难点

重点：安装防火报警器的实物图。

难点：用万用表识别晶体管的集电极。

三、学情分析

通过上两节课的学习，学生已经掌握了晶体管及晶体管的放大电路等内容，这为学习用万用表测量晶体管和安装防火报警器电路打好了基础。用万用表判断晶体管的集电极，就是利用了放大器的放大原理，这一点教师一定要讲清楚。观察防火报警器现象时，改变热敏电阻其实就是改变了电路中的静态工作点。

三、教学方法

讲解法、观察法、图形演示法

四、教具准备

热敏电阻、晶体管、发光二极管、电源及幻灯机、实物投影仪等

五、课时安排：2课时

六、教学过程

1、导入新课：

前面大家已经学习了晶体管及晶体管的放大电路，提问：晶体管进行放大的条件和实质；让生上黑板画出一个单级放大电路。目的是为学习本节内容做好铺垫。那么一个放大电路如何在具体电路中应用呢？这就是本节课我们要学习的防火报警器电路

2、新授阶段

（1）先用万用表判别晶体管的三个管脚。

1）首先判断基极和管型：这和判断二极管的方法一样，同时也要遵循三个步骤（略）。

2）判断发射极和集电极

首先要假设基极以外的两个极中的其中一个极是集电极并用黑表笔接入（在这里以NPN型为例）。然后用红表笔接另一个极。这时要在基极和集电极之间加上一个较大的电阻，

此时相当于组成了一个放大器，根据晶体管的放大原理，此时测出的电阻值应该很小。

拿出几个不同的晶体管让学生练习测量。

（2）出示投影（课本图2-1 防火报警器的原理图）

师介绍电路的组成以及电路中各个元器件的名称和作用。

让学生熟悉电路和电路中的各个元器件，然后根据实验电路图连接实物图

（3）学生分组实践

1）分发元件及接线板，让学生认识元件。

2）根据电路图进行电路板的连接或焊接。

（4）学生接线、自检、师检查、通电实验。

（5）教师评估打分

3、课堂小结：（略）

4、课堂练习：可用课后习题或自备随堂练习题

5、布置作业：写实验报告

6、板书设计：（略）

7、教学反思

项目三电子助听器的制作

教案编号：06—03—01

一、教学目标

1、了解电子助听器的工作原理图；

2、知道多级放大器中“耦合”的概念；

3、掌握多级放大器的组合形式及其特点；

4、对多级放大电路动静态的简单分析。

二、重点难点

重点：多级放大器的组合形式及其特点。

难点：多级放大器的动态分析。

三、学情分析

前面学生已经有了单级放大电路的基础，这为学好多级放大电路打下了良好的铺垫。

《电子技术基础》正式教案

电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识

目的与要求 1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。

一、半导体的导电特性 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 2．空穴的运动（与自由电子的运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 （3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 1. N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使 净输入量 减小的反馈，称为 负反馈 。 为了判别反馈极性，一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区，使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等，而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。

模拟电子技术基础复习题答案

第1章习题及答案 1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。 o o (a) (b) (c) (d) 图题1.1 解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。 （b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。 （c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。 （d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。 画出o u 波形如图所示。

V u i / u o /u o /u o /u o / 1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。 解：各电路图如图所示。(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。 (a) (b) (c) (d) (e) 1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？ 图题1.3 解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。 1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？ 解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。 1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 （填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以 通频带， 非线性失真。

10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ， 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中， 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

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练习题1 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题2分，总计40分)。 1、半导体二极管的主要特点是具有( )。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 2、在RC桥式正弦波振荡电路屮，当满足相位起振条件吋，则其屮电压放大电路的放大倍数必须满足( )才能起振。 (a) A v = 1 (b) A v = 3 (c) A v < 3 (d) A v >3 3、所谓晶体管输出特性曲线屮的线性区域是指( )□ (a)放大区(b)饱和区(c)截止区 4、要使放大器的输入电阻提高，输出电阻减小，该放大器应引入( )。 (a)电流申联负反馈個电压并联负反馈 ?电流并联负反馈(d)电压串联负反馈 5、理想运算放大器的开环电压放大倍数Ao是( )o (a)无穷大(b)零(c)约120dB 6、电路如图所示，其电压放大倍数等于( )o (a) I (b)2 (c)零 7、运算放大器电路如图所示，/?F1和/?F2均为反馈电阻，其反馈极性为()。 (a) /?F1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 ⑹Rpi和RF2引入的均为负反馈 (c) /?FI和RF2引入的均为正反馈(d) /?F1引入的为负反馈，/?F2引入的为正反馈 41

8、直流稳压电源屮滤波电路的Fl的是( )。 Q)将交流变为直流(b)将高频变为低频(c)将交流成分滤掉 9、姜消除乙类推挽放大器的交越失真，应改用( )推挽功率放大器。 (a)甲类(b)甲乙类(c)内类 10、整流电路如图所示，输出电流平均值厶=50 mA ,则流过每个二极管的电流平均值厶是( )o (a) ￡ =50 mA (b) ￡ =25 mA (c)厶=12.5 mA O ----- ——r^— --------------- + ZK D, ZK D2 11、余3 码01101001 对应的8421 BCD 码为( )。 (a) 00110110 (b) ()0111001 (c) 01100110 (d) 10011100 12、组合逻辑电路通常由( )组合而成。 (a) fl电路(b)触发器(c) 计数器(d)寄存器 13、已知逻辑函数式F二A3C + 4BC +ABC ,化简为最简与或式是 ( )o (a) F = A'B + B'C (b) F = A'C +AB (c) F = A*C + BC 14、为实现将D触发器转换为T触发器图1所示的虚框内应是( )o (a)或非门(b)与非门(c)异或门(d)同或门

《电子技术基础与技能 》课程标准

《电子技术基础与技能》课程标准 一、概述 （一）课程性质 本课程是高等职业技术学校电气控制自动化专业的核心课程，是本专业学生必修的专业基础技术课程。 通过本课程的学习和实践操作，使学生掌握电子技术的基础知识、一般分析方法和基础技能，为深入学习本专业有关后继课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。考虑到课程的基础性和应用性，一方面要求学生对基本概念、基本理论、基本工作原理要有所了解，更重要的要加强对学生综合分析和应用能力的培养。 （二）课程设计理念与思路 本课程贯彻以就业为导向，以能力为本位的职教思想。从高职学校培养应用型技术人才这一总目标出发，以应用为目的，以必需、够用为度，以职业能力分析为依据，设定课程培养目标，较大程度降低理论教学的重心，删除与实际工作关系不大的繁冗计算，以必备的相关基础知识和电子技术在工业中的应用为主线组织教学内容，注重培养学生的应用能力和解决问题的实际工作能力。 本课程在教学中，将实验室、实训室与教室整合为理论与实践融合互动的一体化情景氛围教学平台。即理论与实践融合互动的一体化情景氛围的教学实验室、实训室。实训室配置了常用工具、通用电子仪器仪表、常用元器件、实验实训装置等设施。创造了任务和条件就在手边的氛围环境，使学生产生强烈的实践学习的欲望、兴趣和冲动，激发了学生学习的潜能。 二、课程目标 （一）总目标 通过学习，使学生获得电子技术方面的基础知识和技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术在专业中的应用打好基础。 学习科学探究方法，发展自主学习能力，养成良好的思维习惯和职业规范，能运用相关的专业知识、专业方法和专业技能解决工程中的实际问题。 发展好奇心与求知欲，发展科学探索兴趣，培养坚持真理、勇于创新、实事求是的科学态度与科学精神，有振兴中华，将科技服务于社会的责任感。

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ； 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

(完整版)电子技术基础复习题及答案

电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）

习题答案电子技术基础与技能资源

习题答案电子技术基础与技能资源 1.填空题 （1）单向导电 导通 截止 （2）硅管 锗管 0.6~0.7 0.2~0.3 （3）最大整流电流 最高反向工作电压 （4）将电信号转换成光信号 将光信号转换成电信号 （5）将交流电网电压转换成为稳固的直流电压 （6）桥式整流 （7）将交流电变成单向脉动直流电 将脉动的直流电转换成较平滑的直流电 2.判定题 （1）（ √ ） （2）（ × ） （3）（ √ ） （4）（ √ ） （5）（ √ ） （6）（ √ ） 3.选择题 （1）C （2）B （3）B （4）C （5）A （6）D （7）C 4.分析与运算 解：a)VT 导通。Uao=－9V b)VT1导通，VT2截止。Uao=0V c)VT2导通，VT1截止。Uao=－4.5V 5.画图题 略 第1章 测试题一解答 1.填空题 （1）导体 绝缘体 （2）本征半导体 （3）P 型 （4）负极 正极 （5）反向击穿 （6）反向 （7）反偏 （8）半波整流 2.判定题 （1）（ × ） （2）（ × ） （3）（ × ） （4）（ √ ） （5）（ × ） （6）（ × ） 3.选择题 （1）C （2）C （3）D （4）A 4.分析与运算 （1）解：依照二极管的正向伏安特性曲线可知，若按此接法，由于电源本身内阻专门小，1.6V 电压几乎全加在二极管两端，通过二极管的电流会专门大，容易烧坏二极管，电源也会因过热而损坏，因此不承诺把二极管按此方法连接。 （2）解：8种接法；5个不同值，16V 、8.7V 、1.4V 、8V 、0.7V 。 （3）解：VD1、VD4接反，电容C 极性接反。 （4）解：V V U U O 1081209.09.02=?==； 空载时V V U U O 1681204.122=?≈=； 二极管承担反向电压可达168V 。 第1章 测试题二解答 1.填空题 （1）空穴 （2）0.5 0.2

《电子技术基础》教案

《电子技术基础》教案 适用学时：前60（54）学时 编写日期：2006年2月1日

§绪言 学时：1学时 教学内容 一、电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合，然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等，进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。 二、电子技术基础课程的内容 1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件，本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数，以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路 放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路 三、课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础，但它具有很强的实践性。 §第一章常用半导体器件 第一节半导体的基本知识 学时：1学时 教学要求： 1．了解半导体的一般概念 2．理解半导体的导电机理与导电特性 3．理解掺杂半导体的产生及导电类型 4．了解PN结的概念 5．理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性 教学内容 一、半导体的导电特性

（a ）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 二、N 型和P 型半导体 1、N 型半导体 在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 图1.2 N 2、P 型半导体 在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 图1.3 P 三、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成 所示。

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

电子技术基础与技能电子教案(综合)

《电子技术基础与技能》电子教案 项目一二极管单向导电板的制作 教案编号：01—01—01 一、教学目标 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体； 2、了解PN结的形成过程及其特性； 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等； 4、会用万用表判断二极管的质量。 二、重点难点 重点：二极管的符号及单向导电特性。 难点：PN结的形成过程 三、学情分析 有关半导体、二极管等概念，学生第一次接触到，而且这些内容十分抽象难理解，所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关内容，而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，因此，教师要如此引入过渡，学生是容易接受的。 四、教学方法 讲解法、观察法、图形演示法 五、教具准备 各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等 六、课时安排：2课时 七、教学过程 1、导入新课： 大家在初中学习了电阻，电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质，如铁、铝、铜等金属；不能导电的物质就是绝缘体，如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢？这就是今天我们要学习的内容——半导体 2、新授阶段

（1）出示投影（课本图1-1 二极管单向导电电路图） 让生认识电路图，了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件，今天我们就来重点学习这种元件。 （2）先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。 1）半导体：由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性，特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。 2）P型半导体和N型半导体 先介绍本征半导体，然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体，即N型半导体和P型半导体。（可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图）。 3）PN结：出示投影（课本图1-2 PN的结构示意图），简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。 给生时间理解并自己动手画图记忆 （3）二极管 1）出示投影（课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号） 讲解二极管的定义、结构及其符号等 给生时间理解并自己动手画图记忆 2）实物投影展示各种不同形状的二极管外形，之后拿出实物让生观察，增强学生的感性意识。 3）二极管的特性曲线 出示投影（课本图1-5 二极管的伏安特性曲线） 讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。 讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压：对于硅管是0.5V，锗管是0.2V；导通电压：对于硅管是0.7V；对于锗管是0.3V。 给生时间理解并自己动手画图记忆 4）二极管的种类及参数：师简单介绍

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题：（每空1分，共16分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（ 逻辑图 ）、（ 逻辑表达式 ）和（ 卡诺图 ）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（ 0 ）。 3．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。 4．施密特触发器有（ 两 ）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。 5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。 6．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ 20 ）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ 50 ）。 7．GAL 器件的全称是（ 通用阵列逻辑 ），与PAL 相比，它的输出电路是通过编程设定其（ 输出逻辑宏单元 ）的工作模式来实现的，而且由于采用了（ E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共16分） 1． 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解：1． 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成，图3由 CMOS 门电路构 成，试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解：．2. 三、已知电路及输入波形如图4（a ）（b ）所示，其中FF1是D 锁存器，FF2是维持-阻塞D 触发器，根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 （8分） 解： R ＋

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

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第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性：单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分 : 有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 ）按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 ）按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 ）按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区

第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3）电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性：i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是（） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则n+1=1Q 的是（） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是（） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器（） A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为（） A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为（） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为（） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）（对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴（ ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降（ ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开（） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域（） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（）

注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V0=。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.（10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q和Q的波形。27.（9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： （1）R开路；（2）R L开路；（3）稳压二极管V接反； （4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.（16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： （1）列出状态表，状态转换图；（2）说明计数器类型。

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电工电子基础综合练习 填空 *基本的数字逻辑门电路是：与门电路、_________或____和____非_______。 * 正逻辑体制中，高电平用_____1_______表示。低电平用______0______表示。 * 常用的单相整流电路有_____单相桥式全波整流___________、__________半波整流______等两种。 * 在单相桥式整流电路中，如果负载电流是2A，则流过每只二极管的电流是____1____A。如果负载电阻等于10Ω，则输出电压等于____20_____V。 *滤波电路中，滤波电感和负载___串____联，滤波电容和负载___并___联。 *硅稳压管在电路中，它的正极必须接电源的___负____极，它的负极接电源的____正___极。 *电流流通的___路径___叫电路，通常是由_____电源___、__负载_____、____导线__和____中间控制环节_____组成。 * 电路有三种工作状态，即___开路___状态、___短路____状态、通路状态。 *电源是将_____机械能____、______化学能_______、_______热能_______转换成______电能____的设备。 * 电路中两点间的电位之差称为两点间的______电压____。 * 电源的外特性是指_____端电压U___________随_____负载电流I____________的变化关系。 *基尔霍夫电流定律是指流入电路中任一节点的电流___之和______等于—_____流出____该节点的电流____之和_____。 * 正弦交流电的三要素是指____幅值_______、_____频率_____、____初相位______。 * 正弦交流量表达式中最大值与有效值的关系为_____Im=根号二Io________。* 两个频率相同的正弦交流量的_____初相位_______之差称为相位差。 *由两个电阻组成的串联电路，两端的总电压是100V，其中一个电阻为80Ω，两端电压为40V，则另一电阻为__120___Ω。 *放大电路静态工作点设置不合适，容易产生输出电压非线性失真，工作点过高容易产生饱和失真，工作点过低容易产生截止失真。 *PN结具有单相导通性性能，即加正向电压时PN结导通，加反向电压时PN结截止。 *电路中如果流过二极管的正向电流过大，二极管将会过热而损坏；若加在二极管两端的反向电压过高，二极管会击穿。 *某晶体三极管的U CE不变，基极电流I B=40uA时，I C=1mA，则发射极电流I E= mA，如果基极电流I B增大到60uA时，I C增加到2mA，则发射极电流I E=