压力容器制造工艺流程

压力容器制造工艺流程卡

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储气罐部件布置方位排版图

晶圆制造工艺流程和处理工序

晶圆制造工艺流程和处理工序 晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposiTIon) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。（1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱 9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

钢制压力容器下料通用实用工艺守则

1 适用围 1.1 本守则规定了压力容器受压元件下料的通用技术要求。本工艺守则规定了下料工序的操作要点、质量要求和控制的主要容。 1.2 本守则适用于压力容器制造零部件的下料工序。 2 引用标准 《压力容器安全技术监察规程》 GB150-98《钢制压力容器》（第1、2号修改单） GB151-99《管壳式换热器》（第1号修改单） 公司《质量手册》及相关程序文件、管理制度 3 材料 3.1压力容器用材料的质量及规格应符合《压力容器安全技术监察规程》、GB150-2011《钢制压力容器》、GB151-2012《管壳式换热器》及相应国家标准、行业标准的规定。 3.2 制造压力容器受压元件的材料必须具有材料生产单位按照相应标准规定提供的质量证明书（原件）。质量证明书的容必须齐全、完整，并应有材料生产单位质量检验部门盖章确认。如质量证明书为材料生产单位出具的复印件，应由材料销售单位在质量证明书的复印件中加盖销售单位质量检验章和经办人章。 3.3 购进的压力容器受压元件用材，应有明显清晰的标志，且和质量证明书一致，图样及相关标准要求复验及对质量证明书中的某项性能有怀疑时均需复验，没有完成的材料检验，未经材料责任师签署验收

入库单的材料不得进入下料现场。 3.4 投入下料现场的材料未种植本单位材料代号标识及检查员见证标识，不允许进行划线下料。 3.5 主要受压元件用材必须进行标记的种植，且应经材料检查员确认。在使用中始终保留有标识，当制造中需要使用时，应进行标记的移植，并有材料检验员的确认标记。主要受压元件包括：压力容器中筒体，封头（端盖），人孔盖、人孔法兰、人孔接管、膨涨节、开孔补强圈、设备法兰、换热器的管板和换热管、M36mm以上的设备主螺栓及直径大于等于250mm的接管和管法兰。 3.6 标记位置 标记位置 图1 筒节钢板拼接标记位置

压力容器制造工艺流程

2007年4月，**公司因取《压力容器制造许可证》，需试制一台压力容器。公司决定试制一台自用的储气罐，规格Φ1000×2418×10，设计压力1.78MPa，设计温度40℃，属二类压力容器。通过该压力容器的试制，对压力容器的制造工艺流程有了更深的了解。 工艺流程：下料——>成型——>焊接——>无损检测——>组对、焊接——>无损检测——>热处理——>耐压实验 一、选材及下料 （一）压力容器的选材原理 1．具有足够的强度，塑性，韧性和稳定性。 2．具有良好的冷热加工性和焊接性能。 3．在有腐蚀性介质的设备必须有良好的耐蚀性和抗氢性。 4．在高温状态使用的设备要有良好的热稳定性。 5．在低温状态下使用的设备要考虑有良好的韧性。 （二）压力容器材料的种类 1．碳钢，低合金钢 2．不锈钢 3．特殊材料：①复合材料（16MnR+316L） ②刚镍合金 ③超级双向不锈钢 ④哈氏合金（NiMo:78% 20%合金） （三）常用材料

常用复合材料：16MnR+0Gr18Ni9 A：按形状分：钢板、棒料、管状、铸件、锻件 B：按成分分： 碳素钢：20号钢20R Q235 低合金钢：16MnR、16MnDR、09MnNiDR、15CrMoR、16Mn锻件、20MnMo锻件高合金钢：0Cr13、0Cr18Ni9、0Cr18Ni10Ti 尿素级材料：X2CrNiMo18.143mol（尿素合成塔中使用，有较高耐腐蚀性） 二、下料工具与下料要求 （一）下料工具及试用范围： 1、气割：碳钢 2、等离子切割：合金钢、不锈钢 3、剪扳机：＆≤8㎜L≤2500㎜切边为直边 4、锯管机：接管 5、滚板机：三辊 （二）椭圆度要求： 内压容器：椭圆度≤1%D；且≤25㎜ 换热器：DN≤1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤5㎜ DN﹥1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤7㎜ 塔器： DN

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

不锈钢容器制造通用工艺守则

1. 主题内容及适应范围 1.1本规程对不锈钢压力容器制造过程中的材料、各零部件和成品的组装程序、组装要求、质量检验、试验等做出通用规定。 1.2本守则如与设计、工艺文件相矛盾之处，应以设计、工艺文件为准。 1.3制造时，除引用标准和有关工艺守则外，还应符合设计图样的规定。 1.4本守则中引用的法规、标准、守则等如经修改，应以新的版本为准。 2. 引用标准 R0004《固定式压力容器安全技术监察规程》 150《压力容器》 151《管壳式换热器》 4710《钢制塔式容器》 4731《钢制卧式容器》 20584《钢制化工容器制造技术要求》 47015《钢制压力容器焊接规程》 21433《不锈钢压力容器晶间腐蚀敏感性检验》 3. 材料要求 3.1材料验收、保管按照《压力容器制造质量保证手册》及程序文件中材料质量控制的规定执行。 3.2不锈钢材料及零部件应防止长期露天存放、混料保管。要求按时投料、集中使用、随时回收、指定区域存放遮蔽保管。 3.3不锈钢与碳素钢等原材料有严格的隔离措施，搁置要稳妥，堆放要整齐，防止损伤(划痕、磕碰、压痕)和弯曲，散装的光亮板材应立放在15°斜度的木架上。 3.4设计图样要求对原材料进行抗晶间腐蚀试验复验的，其复验用试样的形状、尺寸、加工和试验方法，除设计图样另有规定外，应符合21433或设计图样规定的试验方法。 3.5制造压力容器用的不锈钢材料不得有分层，表面不允许有裂纹、结疤等缺陷。用于制造 有表面粗糙度要求的不锈钢板，应经80?100号砂头抛光后，再检查表面质量。 3.6不锈钢钢板表面允许存在深度不超过厚度负偏差之半的划痕、轧痕、麻点、氧化皮脱落后的粗糙等局部缺陷。 3.7经酸洗钝化供应的不锈钢材料表面不允许有氧化皮和过酸洗现象。 3.8不锈钢原材料和不锈复合钢板应按牌号、规格、炉号、批号分类存放，不锈钢材料上应有清晰的入库标识，应采用无氯、无硫记号笔书写，氯含量要w 25,也可用纸质标签粘贴 标识。 3.9钢板或另部件在吊运制作过程中应始终保持钢板表面的清洁，并防止磕碰划伤。 3.10深度超过规定应清除，清除打磨的面积应不大于钢板面积的30%，打磨的凹坑应与母 材圆滑过渡，斜度不大于1: 3。 3.11打磨后，如剩余厚度小于设计厚度，且凹坑深度小于公称厚度的5%或2 (取小者)， 允许不做补焊；如凹坑深度较深，剩余厚度仍满足上述要求，与设计部门联系协商解决。 3.12超出上述界限的缺陷应考虑补焊，但应符合以下要求： (1)低合金铬钼钢，单个修补面积小于或等于1002，总计面积小于或等于300 2或2% (取小者); (2)允许焊补深度不大于板厚的1/5。 (3)钢板边缘的分层长度如不大于25，可免于修补或清除；长度大于25，且深度大于1.5的分层均应打磨消除。打磨深度如不大于3，可免于焊补，否则焊补后使用；同一平面内，间距不大于板厚5%的分层，应作为连续的分层长度。 (4)钢板表面及坡口分层补焊应符合《焊接通用工艺守则》的规定。

下料通用工艺守则最新

下料通用工艺守则 1.材料要求 1.1在材料领用时，核对工艺文件与所领材料的牌号、规格和材质证 明书是否一致。 2.划线 2.1在划线下料前应对钢材表面进行净化处理。 2.2下料前，下料人员应根据材料面积、牌号及图样尺寸进行排版、 放样。碳钢、低合金钢用石笔、弹粉线法，不锈钢用铅笔、弹粉线法。 2.3划线时筒体的卷制方向应与钢板轧制方向一致。考虑焊缝正确布置，尽量使相关部件避开纵环缝所规定的尺寸，对长度要求较严的部件，如换热器、塔器等，其筒体拼缝处应预留焊接接头收缩余量。 2.4筒节长度不小于300mm，筒节展开长应不小于1000mm。筒体拼接 不准出现十字焊缝，相邻筒节纵逢距离为3倍板厚。且不小于100mm。 2.5凡在工艺文件上规定有试板的，筒体或封头在下料划线时，应按要求同时划出试板材料，并按规定作出标记。产品焊接试板的宽度方向应是钢板的轧制方向。 2.6划线时应从板材或管材无原始标志的一端开始，以保证剩余材料 上有原始标识。 3.材料标志移植 3.1制造受压元件的材料应有可追溯的标志。在制造过程中，如原标

志被裁掉或材料分成几块时，按《材料标识可溯性》进行标志移植，并在材料分割前完成标志的移植。 3.2 有耐腐蚀要求的不锈钢以及复合钢板，不得在耐腐蚀面采用硬印 标记。 3.3低温容器受压元件不得采用硬印标记。 3.4每件板料上都应写明产品编号、件号、下料尺寸等。 4.下料 4.1除一般零件外，压力容器受压件应尽量采用刨边机和自动切割机 进行下料。 4.2碳钢、低合金钢一般采用氧-乙炔切割下料；不锈钢应采用等离 子弧切割。 4.3除切割时预留切割耗量外，切割后需机加工的零件，应预留加工 余量，一般参照以下数量：500mm之内每边加大3mm；510-1000mm 每边加大4mm；1000-2000mm每边加大6mm。 5.坡口加工 5.1凡需制备焊接坡口的，应严格按图样和工艺要求进行加工。 坡口应符合下列要求： a. 坡口表面不得有裂纹、分层、夹杂等缺陷； b. 标准抗拉强度下限值R m≥540MPa的低合金钢材及Cr-Mo低合金 钢材经热切割的坡口表面，加工完成后应按JB/T4730.4进行磁粉检测，I级合格； c. 施焊前，应清除坡口及两侧材表面至少20mm范围内（以离坡口

简单压力容器安全技术监察规程 TSG R0003-2007

简单压力容器安全技术监察规程 【颁布日期】19850606 【实施日期】20070701 【修订日期】 【颁布单位】国家监督检验检疫总局 【发文号】TSGR0003-2007 第一章总则 第一条为加强简单压力容器的安全监察和管理，保障人民群众生命和财产的安全，根据《特种设备安全监察条例》的有关规定，制定本规程。 第二条本规程所称的简单压力容器是指结构简单、危险性较小的压力容器。第三条本规程适用于同时满足以下条件的简单压力容器： (一)容器由筒体和平封头、凸形封头（不包括球冠形封头），或者由两个凸形封头组成； (二)筒体、封头和接管等主要受压组件的材料为碳素钢、奥氏体不锈钢； (三)设计压力小于或者等于1.6MPa； (四)容积小于或者等于1000L； (五)工作压力与容积的乘积大于或者等于2.5MPa·L，并且小于或者等于 1000MPa·L； (六)介质为空气、氮气和医用蒸馏水蒸发而成的水蒸气； (七)设计温度大于或者等于-20℃，最高工作温度小于或者等于150℃； (八)非直接火焰的焊接容器。 第四条本规程也适用与简单压力容器相连接的以下连接件： (一)与外部管道或者装置用螺纹连接的第一个螺纹接头、法兰连接的第一个法兰密封面、专用连接件或者管件连接的第一个密封面； (二)简单压力容器开孔部分的承压盖及其紧固件； (三)非受压组件与简单压力容器本体连接的焊接接头； (四)所用的安全阀、爆破片（帽）、压力表、水位计、测温仪表等安全附件。第五条本规程不适用于下列压力容器： (一)军事装备、核设施、航空航天器、海上设施和船舶使用的压力容器； (二)机器上非独立的承压部件（如压缩机缸体等）； (三)危险化学品包装物； (四)灭火器； (五)快开门式压力容器； (六)移动式压力容器。 第六条简单压力容器的材料、设计、制造、检验检测和使用管理应当满足本规程的要求。 第七条申请简单压力容器制造许可的制造单位其产品应当先进行型式试验，并且合格。 第八条进出口简单压力容器的监督管理应当满足《锅炉压力容器制造监督管

塔器制造通用工艺守则QJQS192020

塔器制造通用工艺守则QJQS192020 受控号： 胜利油田胜利石油化工建设有限责任公司金属结构厂标准 Q/JQS19－2004 塔器制造 通用工艺守则 2004-04-20公布2004-05-20实施胜利油田胜利石油化工建设有限责任公司金属结构厂发布

目录 1 总则 2 技术内容 2.1 工序流程图 2.2 施工前预备 2.3 下料 2.4 筒节预制 2.5 筒体组装 2.6 焊接 2.7 划线、开孔 2.8 内件安装 2.9 裙座组装 2.10 热处理 2.11 耐压试验和气密性试验 2.12 除锈、涂敷

塔器制造通用工艺守则 1 总则 1.1 为确保设备的制造质量，特修订本工艺守则。 1.2 本工艺守则适用于高度大与10m，且高度/直径大于5的裙座自承式钢制塔器的制造与装配。塔器能够是内压或外压。 1.3 本工艺守则涉及人员均为受过造作安全教育者，电焊工、无损检测人员应持有操作资格证书。 1.4 引用标准 GB150 钢制压力容器 JB4710 钢制塔式容器 JB/T4709 钢制压力容器焊接规程 2 技术内容 2.1工序流程图 2.2 施工预备 2.2.1 施工前要熟悉产品图样及技术条件，对复杂产品要由有关技术人员进行讨论，制定施工方案，编制工艺卡。 2.2.2 材料、配件、外协件必须具有合格证书，材料的检验及代用应按GB150的有关规定执行。 2.2.3 预备施工用的机具及设备，关于接管及内件放样。 2.3 下料

2.3.1 下料除按《压力容器下料通用工艺守则》外，还应在板节周边留出刨边余量，以进一步找正，使对角线偏差接近零。 2.4 筒节预制 2.4.1 筒节的滚圆，纵缝点对应符合《压力容器筒体制造和组装通用工艺守则》的有关规定。 2.4.2 筒节两端面平行度不应大于2mm，否则应给予修整。 2.5 筒体组装 2.5.1 对口错边量应按《压力容器筒体制造和组装通用工艺守则》的有关规定。 2.5.2 在组装每条环缝时，可依照筒节的壁厚留有0.5~2mm的间隙，以便操纵塔体的弯曲度，每装一节筒节，要从四条中心线方向测量弯曲度，并依照具体情形进行及时调整，以保证整个筒体的直线度。 2.5.3 关于分段交货的塔器，应进行预组装，加工好坡口，外边缘＜100mm的范畴内可不涂敷防腐涂料，如需要可涂敷对焊接质量无害且易去除的爱护膜。 2.6 焊接 2.6.1 按图纸及焊接规程要求编制焊接工艺卡，工艺卡包括焊接材料、焊接方法、坡口型式、工艺参数及热处理要求。 2.6.2 按JB4744-2000要求制作产品焊接试板，焊接试板的规格、数量执行焊接工艺。 2.6.3 产品的焊接应严格执行焊接工艺。 2.6.4 焊缝的返修按GB150规定。 2.6.5 焊缝表面的外观应符合GB150规定。 2.6.6 焊缝的无损检测应按焊接工艺要求。 2.6.7 吊耳与塔壳之间的焊缝应作磁粉或渗透探伤。 2.7 划线、开孔 2.7.1 整体组装合格后,按图纸及排版图进行划线,划线应划出0°、90°、180°、270°四条中心线，且应划出塔盘支撑件的安装位置及接管、人孔等开孔位置线，并使用样板描出开孔轮廓。 2.7.2 划线经检验合格后，应进行开孔，开孔一样采纳气割，关于不锈钢材质应采纳等离子切割。 2.7.3 关于有人孔或大接管集中在一侧的塔体，要依照具体情形采取“反变形”或其它措施防止塔体的弯曲变形。 2.7.4 关于设备法兰连接的筒体，当法兰端面至开孔中心700mm内有大接管或焊接件时，为防止法兰密封的变形，应将接管、补强圈及焊接件先与塔体焊好，然后再将设备法兰与塔体

压力容器制造通用工艺规程

压力容器制造通用工艺规程 第四版 宜兴制药设备厂 发布日期2004年9月15日实施日期2004年10月1日 目录 一、关于贯彻实施“压力容器制造通用工艺规程”的通知 二、目录 1 三、编制说明 2 1． T.Z04-01压力容器制造工艺规程 3 2． T.Z04-02材料标记移植工艺规程10 3． T.Z04-03划线下料通用工艺规程16 4． T.Z04-04氧—乙炔切割工艺规程18 5． T.Z04-05空气等离子弧切割工艺规程20 6． T.Z04-06封头圆筒制造通用工艺规程21 7． T.Z04-07压力容器组装工艺规程24 8． T.Z04-08钢制压力容器焊接通用工艺规程27 9． T.Z04-09钢制压力容器焊条电弧焊工艺规程37 10．T.Z04-10钢制压力容器埋弧自动焊工艺规程38 11．T.Z04-11钢制压力容器钨极氩弧焊工艺规程40 12．T.Z04-12碳弧气刨工艺规程41 13．T.Z04-13钢制压力容器焊缝隙返修和修补工艺规程43 14．T.Z04-14管壳式换热器通用工艺规程45 15．T.Z04-15强度胀接工艺规程49 16．T.Z04-16不锈钢压力容器制造管理规定51 17．T.Z04-17晶间腐蚀通用工艺规程54 18．T.Z04-18不锈钢酸零部件膏剂酸洗钝化工艺规程56 19．T.Z04-19钢制压力容器热处理工艺规程 58 20．T.Z04-20水压试验操作规程61

21．T.Z04-21致密性试验操作规程63 22．T.Z04-22气压试验通用工艺规程65 23．T.Z04-23压力容器涂敷运输包装工艺规程67 编制说明 本规程是压力容器制造通用工艺文件的汇编，共23项通用规程。 为了不断改进和发展，对这些规程进行了更新，文件代号有前置代号和后置代号构成，前置代号有通用（TongYong）和制造（ZhiZao）组成，选取汉语拼音中第一个字母通用为T、制造为Z后置代号有年号和文件号组成，。 例T Z 04 01 文件顺序号 年份 制造 通用 压力容器通用制造工艺规程中第一个文件编号为：T.Z04-01 本手册中各规程均由技术科归口解释。 本厂制造的非《容规》控制的容器及其它产品，均可参照本规程执行。 压力容器制造工艺规程 文件号：T.Z04—01 编制说明 1．为使压力容器的制造符合安全技术法规的要求，提高操作人员的工作质量，保证产品质量，根据国家质量技术监督局颁布的《压力容器安全技术监察规程》和GB150-1998《钢制压力容器》的有关规定，结合本厂产品和加工设备的实际情况，特制定本规程。 2．本规程适用于碳素钢、低合金钢容器的制造。 3．由于产品制造中的焊接、探伤、水压试验、气密性试验、油漆、包装等工序已有单项“规程”、“守则”，本规程不再制定。 4．本规程是压力容器制造的基本要求，操作人员必须遵守设计图样和产品工艺过程卡的有关规定，并满足本规程的要求。 5．操作部门对本规程负责贯彻执行，检验部门负责监督检查。 6．本规程由技术科归口并负责解释。 一．矫形和净化 本工艺适用于钢材在划线、下料前的矫形和净化。 1．钢板矫形 钢板不平会影响划线质量、造成切割弯曲，从而影响产品制造质量，因此，钢板在加工制造前必须进行矫形。 1.1手工矫形：将钢板放在平台上，用锤锤击，或用专用工具进行矫形，手工矫形的工 具有大锤小锤及型锤(不得有锤痕)。 1.2机械矫形：将钢板放在专用矫形机(平板机)上进行，钢板纵向大波浪，弯曲也可在 圈板机上进行矫形。 1.3火焰矫形：通常用氧—乙炔火焰加热钢材变红，然后让其快速冷却，使变形得到矫 正。 2．钢板的不平度一般不得超过表1的规定数值。 表1 单位:mm

晶圆生产工艺与流程介绍

晶圆的生产工艺流程介绍 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长 --> 晶棒裁切与检测 --> 外径研磨 --> 切片 --> 圆边 --> 表层研磨 --> 蚀刻 --> 去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 检验 --> 包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm 左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。 4）.晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度

达到预定值。 5）.尾部成长（Tail Growth） 当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（Surface Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4.切片（Wire Saw Slicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表

设备卷圆通用工艺守则--------

1. 主题内容与适用范围 1.1本守则规定了压力容器受压元件预弯、卷圆、矫圆冷成型等通用工艺技术要求。 1.2本守则适用于压力容器圆筒、圆锥筒的制造工序。 1.3本工艺守则与施工图或有关标准或工艺文件不一致时，应按后者执行。 1.4本守则中引用的法规、标准、守则等如经修改，应以新的版本为准。 2. 引用标准 TSG R0004《固定式压力容器安全技术监察规程》 GB150 《压力容器》 GB151 《管壳式换热器》 JB4710 《钢制塔式容器》 JB4731 《钢制卧式容器》 HG20584 《钢制化工容器制造技术要求》 3．基本要求 3.1 工作场地要求 3.1.1环境温度≥5℃； 3.1.2工作场地清洁干净、无灰尘。 3.2奥氏体不锈钢防污要求：禁止与铁素体钢制造的起重和装卸装备接触；三辊应经清洗和除油以预防钢板受到污染，并且不含铁素体钢。 3.3 人员要求 3.3.1卷板操作人员应经过培训、考核，取得公司上岗资格证书。

3.3.2卷板操作人员应熟悉本规程要求。 3.3.3卷板操作人员应熟悉卷板设备的操作使用，并熟练掌握卷板设备的操作要求。 3.4 检验设备及工具要求 3.4.1 卡尺，量程150mm、精度0.02mm 3.4.2 钢板尺，量程1000mm 3.4.3 盒尺，量程2000mm 3.4.4 内圆弧样板 3.4.5 焊缝检测尺 3.4.6 纵焊缝错边量检查样板 3.4.7 环焊缝错边量检查样板 3.4.8 超声测厚仪 4、材料 4.1制造压力容器筒体用的材料要求，见《下料通用工艺守则》。 4.2钢板表面、坡口加工应符合设计图样的规定。 4.3材料标记应齐全、正确。 5. 卷圆准备 5.1 对下料工段来料应检查其表面质量，有无存在不允许的缺陷。 5.2 在卷板之前，应先清理钢板表面存在的熔渣和可能损伤母材表面的硬物，并应确认材料标记移植，使之位于筒节外表面。并检查焊缝坡口的方向，使之符合焊接工艺的要求。

压力容器壳体制造工艺规程

1 范围 本规程适用于压力容器产品的筒体制造。 2 引用标准 GB150-98《钢制压力容器》 3 工艺内容 （1）筒体所用材料应符合《材料使用工艺规程》的规定。 （2）筒体的排料应符合《排料工艺规程》的规定。 （3）筒体的下料应符合《压力容器下料工艺规程》的规定。 4 拼板 4.1 按排料图进行组对，两板对口要平齐，错边量不得大于1mm。组对前将坡口两侧20mm范围内的铁锈、氧化皮等杂物清理干净。 4.2 拼板焊接按《压力容器壳体焊接工艺规程》及《焊接工艺卡》执行。4.3 单节筒节予制 （1）滚圆：滚板前板面要干净，滚板时板面要放正，使板的边缘与轴中心平行，防止筒节边缘歪斜。首先必须压头，滚板时不要一次成型，要反复几次逐渐形成，并用弦长等于1/6内径Di且不小于300mmr的样板进行检查，其间隙不得大于（δs/10+2）mm,且不大于5mm，检查合格后将对口点焊。 （2）对口错边量

（3）焊接 严格执行《压力容器壳体焊接工艺规程》及《焊接工艺卡》。 （4）纵缝焊好后用内卡样板检查，超过误差应用滚板机校圆。 （5）单节筒节成型后，其纵缝棱角度不得大于（δs/10+2）mm，且不大于5mm。最大内径与最小内径之差应不大于内径Di的1%，且不大于25mm。 3.5 筒体予制 3.5.1 简体组对时应按照排料顺序，中心线以及焊缝位置逐节组对。位置不得随意颠倒，相领焊缝距离应符合《排料工艺规程》的规定。 3.5.2 组对前须测两对口的周长，以保证其合理对口错边量、且组对时不得强力组对。对于地底温容器和不锈钢容器禁止锤击。 3.5.3 组对时用筋板、卡板、吊耳等割掉后留下的焊疤必须打磨与母材平齐3.5.4 组对时的对口错边量按3. 4.3来执行。 3.5.5 简体的焊接 组对合格的简体，经检查合格后进行焊接，严格《压力容器壳体焊接工艺规程》及《焊接工艺卡》 3.5.6 无损检测 简体焊接室完毕后，根据图纸要求进行无损检测详见《压力容器无损检测工艺规程》经检测合格后，方可转下道工序。 3.5.7 简体制造各部公差, （1）对口错边量：详见3.4.3条的规定。 （2）焊缝形成的棱角度：在焊接接头轴向形成的棱角用长等于1/8，内径DJ. 且不小于300 mm的样板检查，在焊接接头轴向形成的棱角用长度不小于300mm的值不得大于（δs／１０＝２）mm且不大于５mm。 （３）简体的直线度：不大于简体长度的1‰,当直立容器的简体长度超过２０m时，其直线度允差应符合JB4710的规定（图纸有规定的除外）。 （４）最大直径与最小直径之差：应不大与内径Di的１％，且大与２５mm. 3.6 注意事项 （１）简体在造中应避免钢板表面的机械损伤。对于尖锐伤痕以及不锈钢容器防腐蚀表面局部伤痕、刻槽等缺陷应予修磨，修磨范围的斜度至少为１：３。修磨的深度应不大于该部们钢材厚度δs的５％且大于２mm、否则应矛焊补。

压力容器筒体制造通用工艺守则102

压力容器制造、检验通用工艺规程文件编号Q/PV-Q-3-102-2003 第 1 版 筒体制造通用工艺规程第0 次修改修改日期： 第 1 页共8 页 1总则 1.1 本守则依据GB150—1998《钢制压力容器》和GB151—1999《管壳式换热器》标准，以及《压力容器安全技术监察规程》99版，结合我厂设备及技术力量，编制的压力容器筒体制造通用工艺守则。 1.2 由于压力容器种类较多，各种类型之间要求各不相同，因此，本守则若同产品设计或工艺文件有矛盾时，应以产品设计图样设计要求或工艺文件规定为准。 1.3 操作工人必须熟悉图样和工艺文件，对本岗位所使用的设备结构性能和操作规程必须了解。 1.4 筒体焊缝必须由持证合格焊工施焊。 2 材料 2.1 制造筒体用的材料质量及规格应符合《容规》第10条国标、部标及相应的国家标准、行业标准有关的规定，并具有质量证明书，材料上明显部位有清晰、牢固的钢印标志或其他标志。 2.2 属下列之一的主要受压元件材料应复验 2.2.1 设计图样要求复验的； 2.2.2 用户要求复验的； 2.2.3 制造单位不能确定材料真实性或材料的性能和化学成分有怀疑的； 2.2.4 钢材质量证明书注明复印件无效或不等效的。 2.3 需要代用的材料，原则上应事先取得原设计单位出具的设计更改批准文件。 2.4 制造筒体的钢板表面不得有严重锈蚀或裂纹、斑疤、夹层等影响强度的缺陷。 2.5 严禁使用未经检验或检验不合格的材料。 3 筒体加工 3.1 领料 3.1.1 领料人员应根据领料单、图样、工艺过程卡，核对材料规格，材质标记，并在工艺过批准: 审核：编制： 2003.08.15实施

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

某压力容器制造企业换热管制造通用工艺守则

QB/HT-RQ-08-07 山东QQ有限公司企业标准 换热管制造通用工艺守则 编制 审核 批准 发放单位 接收单位 接收人：

1 主题内容及适用范围 本守则规定了换热管的精度要求，制造工序操作要点和控制的内容及质量要求。本守则适用于换热器碳钢、低合金钢、不锈钢及有色金属换热管的制造。 2编制依据 a GB151-1999《管壳式换热器》。 b《压力容器安全技术监察规程》。 c 本公司《质量手册》及程序文件管理制度。 3换热管制造工艺的主要工序流程图： 图1 4领料 4.1按生产通知单工艺定额要求开领料单，领取换热管，领料单中注明名称和编号。 4.2 对换热管的材料代号、规格、牌号、标记及标准、设计图样或技术协议书中对换热管有附加要求时，应按其要求执行。 4.3 查换热管表面，不得有裂纹、重皮严重锈蚀等缺陷。 4.4 测换热管外径和壁厚允许偏差按表1的规定。 4.5 按领料单及工艺定额要求发放换热管。 5下料：按下料工艺守则执行。 5.1抽查换热管下料尺寸允许偏差符合表2的规定。

表1 表2 换热管长度允许偏差（mm） 5.2抽查换热管管端倾斜偏差符合表3的规定。 表3 换热管管端倾斜允差（mm） 6 拼焊 6.1 换热管拼接处允许有壁厚的15％的错边量，且错边量不大于0.5mm。

6.2 拼接直线度偏差以下不影响顺利穿管为限。 6.3 同一根换热管的对接焊缝，直管不得超一条，U型管不得超过二条。 6.4 拼接处的焊接按焊接工艺守则施焊，并做好施焊及焊缝外观检查记录。6.5 抽查拼接管的10％对拼缝进行射线探伤，合格级别为GB4730-94中的三级，如有一条不合格应加倍抽查，再出现不合格的应100％检查。 6.6 将焊缝打磨至与母材平齐。 6.7 拼接的换热管均须作通球检查，钢球直径按表4 表4 作通球检查用钢球直径 注：di—换热管内径 7 弯管及盘管 7.1 弯管及盘管下料应留工艺余量，一般100－300mm。 7.2 弯管应进行冷弯，需热弯时应征得用户同意。 7.3 U型弯管段的圆度偏差，应不大于管子名义外径的10％，当弯曲半径小于2.5倍换热管名义外径，圆度偏差不大于管子名义外径的15％。 7.4当有耐应力腐蚀要求，冷弯U型管包括至少150mm直管段的弯管段应进 行热处理。 a) 碳钢低合金钢管作消除应力热处理。 b) 奥氏体不锈钢管按供需双方商定的方法进行热处理。 8 管端除锈 碳素钢、低合金钢换热管管端外表面应除锈，有色金属换热管管端应清除表面附着物及氧化层。用于焊接时，管端其长度应不小于管外径，且不小于25mm；用于胀接时，管端应呈现金属光泽，其长度应不小于二倍的管板厚度。

不锈钢容器制造通用工艺守则

1. 主题内容及适应范围本规程对不锈钢压力容器制造过程中的材料、各零部件和成品的组装程序、组装要求、质量检验、试验等做出通用规定。本守则如与设计、工艺文件相矛盾之处，应以设计、工艺文件为准。制造时，除引用标准和有关工艺守则外，还应符合设计图样的规定。本守则中引用的法规、标准、守则等如经修改，应以新的版本为准。 2. 引用标准 TSG R0004《固定式压力容器安全技术监察规程》 GB150《压力容器》 GB151《管壳式换热器》 JB4710《钢制塔式容器》 JB4731《钢制卧式容器》 HG20584《钢制化工容器制造技术要求》NB/T47015《钢制压力容器焊接规程》GB/T 21433《不锈钢压力容器晶间腐蚀敏感性检验》 3. 材料要求 材料验收、保管按照《压力容器制造质量保证手册》及程序文件中材料质量控制的规定执行。不锈钢材料及零部件应防止长期露天存放、混料保管。要求按时投料、集中使用、随时回收、指定区域存放遮蔽保管。 不锈钢与碳素钢等原材料有严格的隔离措施，搁置要稳妥，堆放要整齐，防止损伤(划痕、磕碰、压痕)和弯曲，散装的光亮板材应立放在15°斜度的木架上。 设计图样要求对原材料进行抗晶间腐蚀试验复验的，其复验用试样的形状、尺寸、加工和试验方法，除设计图样另有规定外，应符合GB/T 21433或设计图样规定的试验方法。制造压力容器用的不锈钢材料不得有分层，表面不允许有裂纹、结疤等缺陷。用于制造有表面粗糙度要求的不锈钢板，应经80?100号砂头抛光后，再检查表面质量。不锈钢钢板表面允许存在深度不超过厚度负偏差之半的划痕、轧痕、麻点、氧化皮脱落后的粗糙等局部缺陷。 经酸洗钝化供应的不锈钢材料表面不允许有氧化皮和过酸洗现象。不锈钢原材料和不锈复合钢板应按牌号、规格、炉号、批号分类存放，不锈钢材料上应有清晰的入库标识，应采用无氯、无硫记号笔书写,氯含量要w 25PPm也可用纸质标签粘贴标识。 钢板或另部件在吊运制作过程中应始终保持钢板表面的清洁，并防止磕碰划伤。深度超过规定应清除，清除打磨的面积应不大于钢板面积的30%，打磨的凹坑应与母材圆 滑过渡，斜度不大于 1 ：3。 打磨后，如剩余厚度小于设计厚度，且凹坑深度小于公称厚度的5%或2 mm (取小者)，允 许不做补焊；如凹坑深度较深，剩余厚度仍满足上述要求，与设计部门联系协商解决。超出上述界限的缺陷应考虑补焊，但应符合以下要求： (1)低合金铬钼钢，单个修补面积小于或等于 100cm2，总计面积小于或等于300 cm2或2%(取小者)； ( 2)允许焊补深度不大于板厚的1/5 。 (3)钢板边缘的分层长度如不大于25 mm,可免于修补或清除；长度大于25 mm，且深度大于mm的分层均应打磨消除。打磨深度如不大于3 mm,可免于焊补，否则焊补后使用；同一平面内，间距不大于板厚5%的分层，应作为连续的分层长度。 (4)钢板表面及坡口分层补焊应符合《焊接通用工艺守则》的规定。焊接材料应严格按照焊材库的验收、保管、烘干、发放和回收制度执行。 4、制造环境 不锈钢压力容器的制造应有独立、封闭的专用车间或场地（场区），制造场地通风、清洁，应与碳钢产品或零件严格隔离。不锈钢压力容器中附有碳钢零部件，其碳钢零部件的制造场地也应与不锈钢分开。 为了防止铁离子和其他有害物质的污染，不锈钢压力容器的生产场地应铺设橡胶或木质地板，零

压力容器生产工艺流程及主要工艺参数

丹阳华泰为压力容器制造企业主要生产A2级压力容器，设计压力小于10MPa，危害介质。压力容器的生产工艺流程：下料成型焊接无损检测组对焊接无损检测热处理压力试验 一．选材及下料 （一）压力容器的选材主要依据设计文件、合同约定及相关的国家标准及行业标准。（二）压力容器材料的种类 1.碳钢、低合金钢 2.不锈钢 3.特殊材料：（1）复合材料（2）钢镍合金（3）超级双相不锈钢（4）哈氏合金（三）常用材料 常用复合材料：16Mn+0Cr18ni9 A：按形状分：钢板、管状、棒料、铸件、锻件 B：按成分分： 碳素钢：20号钢、20R、Q235 低合金钢：16MnR、16MnDR、09MnNiDR、15CrMoR、16Mn锻件、20MnMo锻件 高合金钢：0Cr13、0Cr18Ni9、0Cr18Ni10Ti 尿素级材料：X2CrNiMo18.143mol （尿素合成塔中使用，有较高耐腐蚀性） 二．下料工具与下料要求 （一）下料工具及适用范围： 1、气割：碳钢 2、等离子切割：合金钢、不锈钢 3、剪扳机：＆≤8㎜ L≤2500㎜切边为直边 4、锯管机：接管 5、滚板机：三辊 （二）椭圆度要求： 内压容器：椭圆度≤1%D；且≤25㎜ 换热器：DN≤1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤5㎜ DN﹥1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤7㎜ 多层包扎内筒：椭圆度≤0.5%D，且≤6㎜ （三）错边量要求：见下表

（四）直线度要求： 一般容器：L≤30000 ㎜直线度≤L/1000㎜ L﹥30000㎜直线度按塔器 塔器：L≤15000 ㎜直线度≤L/1000㎜ L﹥15000㎜直线度≤0.5L/1000 +8㎜ 换热器：L≤6000㎜直线度≤L/1000且≤4.5㎜ L﹥6000㎜直线度≤L/1000且≤8㎜ 三、焊接 （一）焊前准备与焊接环境 1、焊条、焊剂及其他焊接材料的贮存库应保持干燥，相对湿度不得大于60%。 2、当施焊环境出现下列任一情况，且无有效防护措施时，禁止施焊： A）手工焊时风速大于10m/s B）气体保护焊时风速大于2m/s C）相对湿度大于90% D）雨、雪环境 （二）焊接工艺 1、容器施焊前的焊接工艺评定，按JB4708进行 2、A、B类焊接焊缝的余高不得超过GB150的有关规定 3、焊缝表面不得有裂纹、气孔、弧坑和飞溅物 （三）焊缝返修 1、焊逢的同一部位的返修次数不宜超过两次。如超过两次，返修前均应经制造单位技术总负责人批准，返修次数、部位和返修情况应记入容器的质量证明书。 2、要求焊后热处理的容器，一般应在热处理前进行返修。如在热处理后返修时，补焊后应做必要的热处理 四、无损探伤 （一）射线照相探伤法 1.X射线 2.γ射线 Ir192 74天＜100mm Co60 5.3年＜200mm 射线性质：①都是电磁波

晶圆生产工艺流程介绍

晶圆生产工艺流程介绍 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 （1）常压CVD(Normal Pressure CVD) （2）低压CVD(Low Pressure CVD) （3）热CVD(Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD(Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD(Metal Organic CVD)&分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘(pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱 9、退火处理，然后用HF去除SiO2层 10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。 14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。 16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、?镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。 （2）真空蒸发法（Evaporation Deposition） （3）溅镀（Sputtering Deposition） 19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性