铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其设备制作方法与相关技术
本技术涉及一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法，利用单温区CVD系统，将草酸铈和WO2.9置于石英舟内且掺入氯化钠形成混合物，置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟置于加热炉膛外侧；关闭石英管并抽真空，载气为高纯氩气；温区将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛；以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。通过对实验过程相关的各类参数的控制，制备出晶体质量好、均匀的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
权利要求书
1.一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，利用滑轨式单温区管式炉，以草酸铈作为掺杂剂对二硫化钨薄膜进行掺杂，包括以下步骤：
步骤一，用乙醇及去离子水对衬底进行清洗并干燥；
步骤二，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9并按照质量比1：（8~12）将草酸铈和WO2.9置于石英舟1（参见图1）内且掺入氯化钠形成混合物，把衬底放置在石英舟1上，且SiO2面与混合物相对；
步骤三，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半；
步骤四，关闭石英管并抽真空5~10分钟，载气为高纯氩气；高纯氩气洗气后设置流速为
80~120sccm；
步骤五，温区以每分钟35~40摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近石英舟2边缘且此时温度达到1050~1200摄氏度；
步骤六，以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述的衬底选自SiO2/Si、蓝宝石、云母中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤二中，掺入质量为WO2.9质量的10~20%（质量比）的氯化钠形成混合物。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤五中，温区以每分钟38摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤五中，温度上升到1050~1200摄氏度后保温5分钟。
6.根据权利要求1-5所述的方法制备获得的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
技术说明书
铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法
技术领域
本技术涉及层状二维纳米材料的制备，具体而言，涉及一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其
制备方法。
背景技术
通过层间范德瓦尔斯力结合的层状过渡金属硫族化合物二硫化钨具有合适的带隙，而且这类材料随层数的变化会发生间接带隙到直接带隙的转变，即其可以实现带隙的调节，因而可用于光电器件及集成电路，但固有的带隙限制了其光电应用范围，同时其单分子层薄膜对于光的吸收比较差，不利于制作光电探测器等光电器件。对于传统半导体可掺杂各种离子或原子，由于杂质种类或者掺杂多少的不同，从而可以对传统半导体的带隙进行调控，以至于对其半导体特性进行控制。同样如此，通过对层状过渡金属硫族化合物二硫化钨进行铈掺杂，也可以实现对其的半导体特性的调控，有利于其作为发光器件和光电器件的应用。
现有技术中，金属掺杂过渡金属硫族化合物薄膜的方法及相关方法缺陷如下：1、硫化磁控溅射所得的合金薄膜，获取金属掺杂的过渡金属硫族化合物薄膜，这个方法获取的薄膜结晶性差，一般为多分子层结构，层数不可控。对于WS2薄膜而言，单分子层结构为直接带隙半导体，而多分子层结构为简介带隙半导体，单分子层WS2薄膜的发光效率为多分子层WS2薄膜的10倍以上，因此该方法制备的多分子层结构使其很难在发光器件和光电器件方面应用；2、将掺杂的金属元素以离子形式注入到晶体表面存在的缺陷中，实现金属掺杂过渡金属硫族化合物薄膜，这个方法对设备要求极高，成本也是相当巨大，且获得的WS2薄膜缺陷较多，发光效率低。
技术内容
本技术的目的是提供一种晶体质量好、均匀的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法。
为解决以上技术问题，根据本技术的一个方面，提供一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜的制备方法，利用滑轨式单温区管式炉，以草酸铈作为掺杂剂对二硫化钨薄膜进行掺杂，包括以下步骤：
步骤一，用乙醇及去离子水对衬底进行清洗并干燥；
步骤二，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9并按照质量比1：（8~12）将草酸铈和WO2.9置于石英舟1（参见图1）内且掺入氯化钠形成混合物，把衬底放置在石英舟1上，且SiO2面与混合物相对；
步骤三，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半；
步骤四，关闭石英管并抽真空5~10分钟，载气为高纯氩气；高纯氩气洗气后设置流速为
80~120sccm；
步骤五，温区以每分钟35~40摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近石英舟2边缘且此时温度达到1050~1200摄氏度；
步骤六，以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
进一步地，步骤一中所述的衬底选自SiO2/Si、蓝宝石、云母中的一种。
进一步地，步骤二中，掺入质量为WO2.9质量的10~20%（质量比）的氯化钠形成混合物。
进一步地，步骤五中，温区以每分钟38摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度。
进一步地，步骤五中，温度上升到1050~1200摄氏度后保温5分钟。
根据本技术的另一方面，提供一种根据以上方法制备获得的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
本技术通过化学气相沉积的方法，利用单温区CVD系统，在熔盐辅助下，用硫粉共同硫化草酸铈粉末与WO2.9粉末混合物生成铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜，通过对实验过程相关的各类参数的控制，制备出晶体质量好、均匀的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
附图说明
图1为本技术实施例1所用单温区系统的组成、反应源及衬底位置等示意图；
图2为本技术实施例1所得已掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜光学图像；
图3为本技术实施例1所得已掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜的原子力探针显微镜图像及所测得厚度曲线；
图4为本技术实施例1所得已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜与未掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜的拉曼对比；
图5为本技术实施例1所得已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜与未掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜的光致发光对比；
图6为本技术实施例1所得已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜与未掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜的XPS对比；
图7为本技术实施例1所得已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜的光致发光。
具体实施方式
本技术一种典型的实施方式提供的一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜的制备方法，利用滑轨式单温区管式炉，以草酸铈作为掺杂剂对二硫化钨薄膜进行掺杂，包括以下步骤：
步骤一，用乙醇及去离子水对衬底进行清洗并干燥，所述衬底为抛光的平整SiO2/Si衬底或蓝宝石、云母等衬底。
步骤二，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9并按照质量比1：（8~12）将草酸铈和WO2.9置于石英舟1（参见图1）内且掺入氯化钠形成混合物，所述氯化钠作为熔盐，掺入质量为WO2.9质量的10~20%（质量比）的氯化钠形成混合物。把衬底放置在石英舟1上，且SiO2面与混合物相对。
步骤三，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半。该放置方式可以保证炉膛正常加热工作，石英舟1处于加热炉膛的中心，而与此同时，石英舟2刚好处于加热炉膛的外部边缘区域，这样使得当加热炉膛移动到正常工作区域时，硫粉能够瞬间实现挥发，从而可以精确控制硫参与反应的时间。
步骤四，关闭石英管并抽真空5~10分钟，载气为高纯氩气；高纯氩气洗气后设置流速为
80~120sccm；该流速有利于产生合适的硫过饱和度，从而能够生长得到掺铈的单分子层WS2薄膜，不容易产生团簇和多分子层结构。
步骤五，温区以每分钟35~40摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近石英舟2边缘且此时温度达到1050~1200摄氏度。优选地，温区以每分钟38摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度，然后保温5~10分钟。通过精确的升温和移动，可以精确的控制反应的时间，同时与合适的氩气流速配合，实现硫过饱和度的精确控制，有利于掺铈WS2薄膜大面积生长。
步骤六，以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。采用阶段式降温可以有效的减低反应后石英管中硫的蒸汽压，从而避免硫在产物表面形成S团簇。
化学气相沉积方法是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术，它不仅能实现单层金属掺杂的过渡金属硫族化合物薄膜的生长，而且结晶性好、可操作性强、成本低。
铈元素作为稀土元素，由于其丰富的能级，能实现多种发光。将铈掺杂进二硫化钨可以丰富了二硫化钨薄膜的能带结构，扩大二硫化钨薄膜光致发光范围，从而能够扩大二硫化钨薄膜的适用光电领域。
本技术通过化学气相沉积的方法，利用单温区CVD系统，在熔盐辅助下，用硫粉共同硫化草酸铈粉末与WO2.9粉末混合物生成铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜，通过对实验过程相关的各类参数的控制，制备出晶体质量好、均匀的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
在以上实施方式中，对原料配比、加热温度、反应时间以及载气流速进行精准控制，实现铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜的大面积制备。通过对比所得已制备且大小近似的掺杂铈的单分子层二硫化钨薄膜与纯二硫化钨单分子层薄膜的拉曼光谱、光致发光光谱，掺杂铈的单分子层二硫化钨薄膜面内振动拉曼峰发生明显减弱，而面外振动发生明显增强，另外，光致发光发生大的红移。另外，通过XPS（X射线光电子能谱），测试掺杂铈的二硫化钨样品发现了Ce3d电子的特征峰，最后，掺杂铈的二硫化钨样品实现了特征激发。
通过对层状过渡金属硫族化合物二硫化钨进行铈掺杂，也可以实现对其的半导体特性的调控，有
利于其作为发光器件和光电器件的应用。
下面结合一些实施例对本技术要求保护的技术方案及其技术效果做进一步清楚、完整的说明。
实施例1：
第一步，衬底的清洁：用乙醇及去离子水对SiO2/Si衬底进行清洗并干燥；
第二步，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9的质量为10mg，按照质量比将草酸铈及WO2.9以1：10置于石英舟1内（参见图1）且掺入2毫克氯化钠，把衬底放置在1石英舟上，且SiO2面与混合物相对；
第三步，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半；
第四步，关闭石英管并抽真空5分钟，高纯氩气洗气后设置流速为120sccm；
第五步，温区以每分钟38摄氏度的速率将温度上升到1140摄氏度，在1140摄氏度保温5分钟，在此保温期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近放置硫粉的石英舟2边缘且此时温度为1140摄氏度；
第六步，温区以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5分钟；之后，自然降温，均得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
图2为已掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜光学图像，在光学显微镜下观察到尺寸可达近百微米。图3为本实施例所得已掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜（a、b）AFM图及测量得到的厚度曲线。
图4为已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜与未掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜的拉曼对比，在532nm 激光且同功率下，通过对比面内振动及面外振动，掺杂铈后，面内振动E12g发生红移、面外振动A1g发生蓝移，掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜面内振动拉曼峰E12g明显减弱及面外振动拉曼峰A1g 明显增强。
图5为已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜与未掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜的光致发光对比，在532nm激光且同功率下，通过对比发光位置及发光强度，掺杂铈后，发光的位置会红移近12nm。
图6为已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜与未掺杂铈的二硫化钨单分子层薄膜的XPS对比，通过对比,掺铈后，会在结合能880ev到910ev范围内出现Ce3d电子的特征峰。
图7为已掺杂铈二硫化钨单分子层薄膜的光致发光，在405nm激光的特征激发下，在694nm位置出现特征发射峰。
实施例2
第一步，衬底的清洁：用乙醇及去离子水对SiO2/Si衬底进行清洗并干燥；
第二步，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9的质量为8mg，按照质量比将草酸铈及WO2.9以1：8置于石英舟1（参见图1）内且掺入1.0毫克氯化钠，把衬底放置在石英舟1上，且SiO2面与混合物相对；
第三步，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半。
第四步，关闭石英管并抽真空5分钟，高纯氩气洗气后设置流速为80sccm；
第五步，温区以每分钟35摄氏度的速率将温度上升到1050摄氏度，在1050摄氏度保温5分钟，在此保温期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近放置硫粉的石英舟2边缘且此时温度为1050摄氏度；
第六步，温区以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5分钟；之后，自然降温，均得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
实施例3
第一步，衬底的清洁：用乙醇及去离子水对SiO2/Si衬底进行清洗并干燥；
第二步，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9的质量为8mg，按照质量比将草酸铈及WO2.9以1：12置于石英舟1（参见图1）内且掺入1.5毫克氯化钠，把衬底放置在石英舟1上，且SiO2面与混合物相对；
第三步，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半；
第四步，关闭石英管并抽真空10分钟，高纯氩气洗气后设置流速为120sccm；
第五步，温区以每分钟40摄氏度的速率将温度上升到1200摄氏度，在1200摄氏度保温10分钟，在此保温期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近放置硫粉的石英舟2边缘且此时温度为1200摄氏度；
第六步，温区以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温10分钟；之后，自然降温，均得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。
铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其设备制作方法与相关技术
本技术涉及一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法，利用单温区CVD系统，将草酸铈和WO2.9置于石英舟内且掺入氯化钠形成混合物，置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟置于加热炉膛外侧；关闭石英管并抽真空，载气为高纯氩气；温区将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛；以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。通过对实验过程相关的各类参数的控制，制备出晶体质量好、均匀的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。 权利要求书 1.一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，利用滑轨式单温区管式炉，以草酸铈作为掺杂剂对二硫化钨薄膜进行掺杂，包括以下步骤： 步骤一，用乙醇及去离子水对衬底进行清洗并干燥； 步骤二，使用滑轨式单温区管式炉，固定WO2.9并按照质量比1：（8~12）将草酸铈和WO2.9置于石英舟1（参见图1）内且掺入氯化钠形成混合物，把衬底放置在石英舟1上，且SiO2面与混合物相对； 步骤三，将石英舟1推进石英管内，并且置于加热炉膛一侧边缘，将放有硫粉的石英舟2（参见图1）置于加热炉膛外侧，且石英舟1与石英舟2的距离为加热炉膛尺寸的一半；
步骤四，关闭石英管并抽真空5~10分钟，载气为高纯氩气；高纯氩气洗气后设置流速为 80~120sccm； 步骤五，温区以每分钟35~40摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度并保温，在此期间不断地移动加热炉膛，直至加热炉膛边缘贴近石英舟2边缘且此时温度达到1050~1200摄氏度； 步骤六，以每分钟50摄氏度的降温速率退火且降至1040摄氏度并保温5~10分钟；然后自然降温，得到铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述的衬底选自SiO2/Si、蓝宝石、云母中的一种。 3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤二中，掺入质量为WO2.9质量的10~20%（质量比）的氯化钠形成混合物。 4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤五中，温区以每分钟38摄氏度的速率将温度上升到1050~1200摄氏度。 5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤五中，温度上升到1050~1200摄氏度后保温5分钟。 6.根据权利要求1-5所述的方法制备获得的铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜。 技术说明书 铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其制备方法 技术领域 本技术涉及层状二维纳米材料的制备，具体而言，涉及一种铈掺杂的单分子层二硫化钨薄膜及其
【CN110042363A】一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910187915.0 (22)申请日 2019.03.13 (71)申请人 西北大学 地址 710069 陕西省西安市太白北路229号 (72)发明人 孟庆远 贠江妮 黄任静 张艳妮 余润伟 杨芷 陈旭辉 (74)专利代理机构 西安恒泰知识产权代理事务 所 61216 代理人 孙雅静 (51)Int.Cl. C23C 16/30(2006.01) (54)发明名称 一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法 (57)摘要 本文公开了一种二硫化钨单层薄膜材料及 其制备方法，其特征在于，包括硫粉、三氧化钨和 氯化盐利用化学气相沉积法在通氩气的条件下 进行反应，所述的氯化盐与三氧化钨的质量比为 1～2:25。通过使用氯化盐辅助制备二硫化钨薄 膜，可以有效的制备出单层的薄膜，并且提高了 光致发光强度。该实验方法工艺比较简单，环境 友好的，并且是廉价的，适合大规模生产。制备的 二硫化钨薄膜可以应用于光电器件领域，具备较 高的使用价值。权利要求书1页 说明书4页 附图8页CN 110042363 A 2019.07.23 C N 110042363 A
权 利 要 求 书1/1页CN 110042363 A 1.一种二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括硫粉、三氧化钨和氯化盐利用化学气相沉积法在通氩气的条件下进行反应，所述的氯化盐与三氧化钨的质量比为1～2:25。 2.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的氯化盐包括氯化钠、氯化钾或氯化锂。 3.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的三氧化钨与硫粉的质量比1:3～4。 4.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的氩气的流速50～60sccm。 5.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的反应温度为850～860℃。 6.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的反应时间为8～12min。 7.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，具体包括： 将200mg硫粉、2mg氯化钠和50mg三氧化钨利用化学气相沉积法，在通入流速为50sccm 的氩气条件下，升温至850℃反应10min。 8.一种二硫化钨单层薄膜材料，其特征在于，由权利要求1～7任意一种二硫化钨单层薄膜材料的制备方法制成。 9.如权利要求8所述的二硫化钨单层薄膜材料，其特征在于，所述的二硫化钨单层薄膜材料的Raman光谱中的波数差62.13cm-1。 10.如权利要求8所述的二硫化钨单层薄膜材料，其特征在于，所述的二硫化钨单层薄膜材料的光致发光发光强度的相对值约为25000～55000。 2
二硫化钨(WS_2)纳米材料的水热合成与光吸收性能研究
二硫化钨(WS_2)纳米材料的水热合成与光吸收性能研究 二硫化钨(WS2)是一种典型的层状化合物,其层内原子通过很强的化学键结合,层间的作用力是范德华力。因此,其纳米结构不仅在润滑和催化领域具有广泛应用,而且在锂电池电极、储氢、光电学等领域均有广阔的应用价值。 正是其所具有的优异物理化学性能和巨大的潜在应用前景吸引了越来越多的科研工作者的关注。由于WS2结构的各向异性,不同形貌结构对其性能的影响相当显著。 因此,通过探索拓展WS2新的制备方法和工艺参数,实现微结构、形貌和微观尺度调控制备,使之在更广泛的领域得到应用,具有重要的理论和实践意义。本文在软模板的辅助下,通过控制水热合成方法中的一些反应参数(如原料的种类和浓度、反应温度、反应时间等)来实现调控产物不同微结构、形貌和尺度,合成不同形貌的WS2纳米材料,探讨不同维度WS2纳米晶的微观结构和光学吸收性能之间的联系,开拓其应用领域;另一方面,探索了纳米Ti O2负载纳米WS2以及WO3的复合催化剂,以及WO3/WS2纳米复合物的合成方法,并对复合催化剂的光学吸收性能进行了研究。 本论文主要包括以下几部分内容:①采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)辅助水热法制备了球状、线状、棒状、片状的低维WS2纳米结构,以及一种纳米片聚集的WS2纳米花分层结构。随着CTAB在溶液中浓度的不同,自发形成不同形态(球状、柱状、层状、以及六方有序等)的胶束,这些胶束在水热法制备WS2时可以起到一种软模板的作用。 对不同形貌的WS2纳米结构进行紫外可见光谱测试,表明WS2纳米材料在可见光区域存在比较宽的吸收范围,其在光催化方面将具有广泛的应用前景。②采
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