2006年全国普通高等学校招生统一考试物理卷

2006年全国普通高等学校招生统一考试

上海 物理试卷

考生注意：

1．答卷前，考生务必将姓名、准考证号、校验码等填写清楚．

2．本试卷共10页，满分150分．考试时间120分钟．考生应用蓝色或黑色的钢笔或圆珠笔将答案直接写在试卷上．

3．本试卷一、四大题中，小题序号后标有字母A 的试题，适合于使用一期课改教材的考生；标有字母B 的试题适合于使用二期课改教材的考生；其它未标字母A 或B 的试题为全体考生必做的试题．不同大题可以选择不同的．．．．．．．．．．．A ．类或．．B ．类试题．．．

，但同一大题的选择必须相同．若在同一大题内同时选做A 类、B 类两类试题，阅卷时只以A 类试题计分． 4．第19、20、2l 、22、23题要求写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤．只写出最后答案，而未写出主要演算过程的，不能得分．有关物理量的数值计算问题，答案中必须明确写出数值和单位。

一．(20分)填空题．本大题共5小题，每小题4分．答案写在题中横线上的空白处或指定位置，不要求写出演算过程．

本大题中第l 、2、3小题为分叉题。分A 、B 两类，考生可任选一

类答题．若两类试题均做。一律按A 类题计分．

A 类题(适合于使用一期课改教材的考生)

1A ． 如图所示，一束卢粒子自下而上进人一水平方向的匀强

电场后发生偏转，则电场方向向 ，进人电场后，β粒子的动能 （填“增加”、“减少”或“不变”）．

2A ．如图所示，同一平面内有两根互相平行的长直导线1和2，通有大小相

等、方向相反的电流，a 、b 两点与两导线共面，a 点在两导线的中间与两导线的距离均为r ，b 点在导线2右侧，与导线2的距离也为r ．现测得a 点磁感应强度的大小为B ，则去掉导线1后，b 点的磁感应强度大小为 ，方向 ．

得分

评卷人

3A ．利用光电管产生光电流的电路如图所示．电源的正极应接在

端（填“a ”或“b ”）；若电流表读数为8μA ， 则每 秒从光电管阴极发射的光电子至少是 个（已知电子电量为 l.6×10-19C ）

B 类题(适合于使用二期课改教材的考生)

1B ．如图所示，一束β粒子自下而上进人一垂直纸面的匀强磁场

后发 生偏转，则磁场方向向，进人磁场后，p 粒子的动能 （填“增加”、“减少”或“不变”）

2B ．如图所示，一理想变压器原、副线圈匝数分别为n l 和n 2，

当负载电阻R 中流过的电流为I 时，原线圈中流过的电流为 ；现减小负载电阻R 的阻值，则变压器的输入功率将 （填“增大”、“减小”或“不变”）．

3B ．右图为包含某逻辑电路的一个简单电路图，L 为小灯泡．光

照射电阻R ’时，其阻值将变得远小于R ．该逻辑电路是 门电路（填“与”、“或”或“非”）。当电阻R ’受到光照时，小灯泡L 将 （填“发光”或“不发光”）。

公共题（全体考生必做）

4．伽利略通过研究自由落体和物块沿光滑斜面的运动，首次发现了匀加速运动规律．伽

利略假设物块沿斜面运动与物块自由下落遵从同样的法则，他在斜面上用刻度表示物块滑下的路程，并测出物块通过相应路程的时间，然

后用图线表示整个运动过程，如图所示．图中OA 表示测得的时 间，矩形OAED 的面积表示该时间内物块经过的路程，则图中OD 的长度表示 ．P 为DE 的中点，连接OP 且延长交AE 的延长线于B ，则AB 的长度表示 ．

5．半径分别为r和2r的两个质量不计的圆盘，共轴固定连结在一起，可以绕水平轴O无摩擦转动，大圆盘的边缘上固定有一个质量为m的质点，

小圆盘上绕有细绳．开始时圆盘静止，质点处在水平轴O的正

下方位置．现以水平恒力F拉细绳，使两圆盘转动，若恒力

F=mg，两圆盘转过的角度θ= 时，质点m的速度最

大．若圆盘转过的最大角度θ=π/3，则此时恒力F= 。

二．(40分)选择题．本大题共8小题，每小题5分．每小题给出的四

个答案中，至少有一个是正确的．把正确答案全选出来，并将正确

答案前面的字母填写在题后的方括号内．每一小题全选对的得5分；选对但不全，得部分分；有选错或不答的，得O分．填写在方括号外的字母，不作为选出的答案．

6．人类对光的本性的认识经历了曲折的过程。下列关于光的本性的陈述符合科学规律或历史事实的是

（A）牛顿的“微粒说”与爱因斯坦的“光子说”本质上是一样的．

（B）光的双缝干涉实验显示了光具有波动性．

（C）麦克斯韦预言了光是一种电磁波．

（D）光具有波粒两象性性．

7．卢瑟福通过对a粒子散射实验结果的分析，提出

（A）原子的核式结构模型．

（B）原子核内有中子存在．

（C）电子是原子的组成部分．

（D）原子核是由质子和中子组成的．

8．A、B是一条电场线上的两点，若在A点释放一初速为零的

电子，电子仅受电场力作用，并沿电场线从A运动到B，其速

度随时间变化的规律如图所示．设A、B两点的电场强度分别为

E A 、E

B

，电势分别为U

A

、U

B

，则

（A）E

A = E

B

．（B）E

A

＜E

B

．（C）U

A

= U

B

（D）U

A

＜U

B

．

得分

评卷人

9．如图所示，竖直放置的弯曲管A 端开口，B 端封闭，密度为ρ的液体将两段空气封闭在管内，管内液面高度差分别为h 1、h 2和h 3，则B 端气体的压强为（已知大气压强为P 0） （A ）P 0-ρg （h 1＋h 2-h 3） （B ）P 0-ρg （h 1＋h 3） （C ）P 0-ρg （h 1＋h 3- h 2） （D ）P 0-ρg （h 1＋h 2）

10．在均匀介质中选取平衡位置在同一直线上的9个质点，相邻两质点的距离均为L ，如图(a ）所示．一列横波沿该直线向右传播，t=0时到达质点1，质点1开始向下运动，经过时间Δt 第一次出现如图（b ）所示的波形．则该波的

（A ）周期为Δt ，波长为8L ． （B ）周期为32

Δt ，波长为8L ．

（C ）周期为32Δt ，波速为12L /Δt （D ）周期为Δt ，波速为8L/Δt

11．在如图所示电路中，闭合电键S ，当滑动变阻器的滑动触头P 向下滑动时，四个理想电表的示数都发生变化，电表的示数分别用I 、U 1、U 2和U 3表示，电表示数变化量的大小分别用ΔI 、ΔU 1、ΔU 2和ΔU 3表示．下列比值正确的是

（A ）U 1/I 不变，ΔU 1/ΔI 不变．

（B ）U 2/I 变大，ΔU 2/ΔI 变大． （C ）U 2/I 变大，ΔU 2/ΔI 不变． （D ）U 3/I 变大，ΔU 3/ΔI 不变．

12．如图所示，平行金属导轨与水平面成θ角，导轨与固定电阻R 1和R 2相连，匀强磁场垂直穿过导轨平面．有一导体棒ab ，质量为m ，导体棒的电阻与固定电阻R 1和R 2的阻值均相等，与导轨之间的动摩擦因数为μ，导体棒ab 沿导轨向上滑动，当上滑的速度为V 时，受到安培力的大小为F ．此时

（A）电阻R

1

消耗的热功率为Fv／3．

（B）电阻 R。消耗的热功率为 Fv／6．

（C）整个装置因摩擦而消耗的热功率为μmgvcosθ．

（D）整个装置消耗的机械功率为（F＋μmgcosθ）v·

13．如图所示．一足够长的固定斜面与水平面的夹角为370，物

体A以初速度V

1

从斜面顶端水平抛出，物体B在斜面上距顶端L

＝15m处同时以速度V

2

沿斜面向下匀速运动，经历时间t物体A 和物体B在斜面上相遇，则下列各组速度和时间中满足条件的是（sin37O＝0．6，cos370＝0．8，g＝10 m/s2）

（A）V

1＝16 m/s，V

2

＝15 m/s，t＝3s．

（B）V

1＝16 m/s，V

2

＝16 m/s，t＝2s．

（C）V

1＝20 m/s，V

2

＝20 m/s，t＝3s．

（D）V

1＝20m/s，V

2

＝16 m/s，t＝2s．

三．(30分)实验题．

14．（5分）1919年卢瑟福通过如图所示的实验装置,第一次完成了原子核的人工转变，并由此发现．图中A为放射源发出的粒子，B为气．完成该实验的下列核反应方程

＋→17

8

O＋．

15.（6分）在研究电磁感应现象实验中,

(1）为了能明显地观察到实验现象，请在如图所示的实验器材中，选择必要的器材，在图中用实线连接成相应的实物电路图；

（2）将原线圈插人副线圈中，闭合电键，副线圈中感生电流与原线圈中电流的绕行方向（填得分评卷人

“相同”或“相反”）；

（3）将原线圈拔出时，副线圈中的感生电流与原线圈中电流的绕行方向（填“相同”或“相反”）．

16．（5分）为了测试某种安全阀在外界环境为一个大气压时，所能承受的最大内部压强，某同学自行设计制作了一个简易的测试装置．该装置是一个装有电加热器和温度传感器的可密闭容器．测试过程可分为如下操作步骤：

a．记录密闭容器内空气的初始温度t

1

；

b．当安全阀开始漏气时，记录容器内空气的温度t

2

；

c．用电加热器加热容器内的空气；

d．将待测安全阀安装在容器盖上；

e．盖紧装有安全阀的容器盖，将一定量空气密闭在容器内．

(1）将每一步骤前的字母按正确的操作顺序填写：；

（2）若测得的温度分别为t

1＝27 o C，t

2

＝87 o C，已知大气压强为1.0X105pa，则测试

结果是:这个安全阀能承受的最大内部压强是 .

17．(7分）表格中所列数据是测量小灯泡 U-I关系的实验数据：

(1）分析上表内实验数据可知，应选用的实验电路图是图（填“甲”或“乙”）；

（2）在方格纸内画出小灯泡的U-I曲线．分析曲线可知小灯泡的电阻随I变大而（填“变大”、“变小”或“不变”）；

（3）如图丙所示，用一个定值电阻R和两个上述小灯泡组成串并联电路，连接到内阻不计、电动势为3V的电源上．已知流过电阻R的电流是流过灯泡b电流的两倍，则流过灯泡b的电流约为 A．

18．（7分）有一测量微小时间差的装置，是由两个摆长略有微小差别的单摆同轴水平悬挂构成．两个单摆摆动平面前后相互平行． （1）现测得两单摆完成 50次全振动的时间 分别为 50．0 S 和 49．0 S ，则两单摆的周期差AT ＝ s ；

（2）某同学利用此装置测量小于单摆周期的微小时间差，具体操作如下：把两摆球向右拉至相同的摆角处，先释放长摆摆球，接着再释放短摆摆球，测得短摆经过若干次全振动后，两摆恰好第一次同时同方向通过某位置，由此

可得出释放两摆的微小时间差．若测得释放两摆的时间差Δt ＝0.165s ，则在短摆释放 s （填时间）后，两摆恰好第一次同时向 （填方向）通过 （填位置）；

（3）为了能更准确地测量微小的时间差，你认为此装置还可做的改进是 。

四．（60分）计算题．本大题中第 19题为分叉题，分 A 类、B 类两题，考生可任选一题．若两题均做，一律按A 类题计分．

A 类题(适合于使用一期课改教材的考生)

19A ．（10分〕一活塞将一定质量的理想气体封闭在水平固定放置的气缸内，开始时气体体积为V 0，温度为270C ．在活塞上施加压力，

将气体体积压缩到32 V 0，温度升高到570C ．设大气压强p 0＝l.0×

105

pa ，活塞与气缸壁摩擦不计． （1）求此时气体的压强；

（2）保持温度不变，缓慢减小施加在活塞上的压力使气体体积恢复到V O ，求此时气体

的压强．

得分

评卷人

B 类题(适合于使用二期课改教材的考生)

19B ．（10分）一活塞将一定质量的理想气体封闭在气缸内，初始时气体体积为 3.O ×10-3m 3

．用 DIS 实验系统测得此时气体的温度和压强分别为 300K 和1.0×105 Pa ．推动活塞压缩气体，测得气体的

温度和压强分别为 320K 和1.0×105

Pa ． (1）求此时气体的体积；

（2）保持温度不变，缓慢改变作用在活塞上的力，使气体压强变为 8.0×104Pa ，求此

时气体的体积．

公共题(全体考生必做)

20、（l0分）辨析题：要求摩托车由静止开始在尽量短的时间内走完一段直道，然后驶入一段半圆形的弯道，但在弯道上行驶时车速不能太快，以免因离心作用而偏出车道．求摩托车在直道上行驶所

用的最短时间．有关数据见表格．

某同学是这样解的：要使摩托车所用时间最短，应先由静止加速到最大速度 V 1＝40 m/s ，然后再减速到V 2＝20 m/s ，

t 1 = 11a v = …； t 2 =

2

1

21a v v = …； t= t 1 + t 2

你认为这位同学的解法是否合理？若合理，请完成计

算；若不合理，请说明理由，并用你自己的方法算出正确结果．

得分 评卷人

得分 评卷人

21．（l2分）质量为 10 kg 的物体在F ＝200 N 的水平推力作用下，从粗糙斜面的底端由静止开始沿斜面运动，斜面固定不动，与水平地面的夹角θ＝37O ．力F 作用2秒钟后撤去，物体在斜面上继续上

滑了1．25秒钟后，速度减为零．求：物体与斜面间的动摩擦因数μ和物体的总位移S 。 （已知 sin37o ＝0．6，cos37O ＝0．8，g ＝10 m/s 2） 22．（14分）如图所示，将边长为a 、质量为m 、电阻为R 的正方形导线框竖直向上抛出，穿过宽度为b 、磁感应强度为B

的匀强磁场，磁场的方向垂直纸面向里．线框向上离开磁场时的速度刚好是进人磁场时速度的一半，线框离开磁场后继续上升一段高度，然后落下并匀速进人磁场．整个运动过程中始终存在着大小恒定的空气阻力f 且线框不发生转动．求： （1）线框在下落阶段匀速进人磁场时的速度V 2； (2）线框在上升阶段刚离开磁场时的速度V 1； （3）线框在上升阶段通过磁场过程中产生的焦耳热Q ．

得分 评卷人

得分

评卷人

23．（l4分）电偶极子模型是指电量为q、相距为l的一对正负点电

荷组成的电结构，O是中点，电偶极子的方向为从负电荷指向正电

荷，用图(a)所示的矢量表示．科学家在描述某类物质的电性质时，认为物质是由大量的电偶极子组成的，平时由于电偶极子的排列方向杂乱无章，因而该物质不显示带电的特性．当加上外电场后，电偶极子绕其中心转动，最后都趋向于沿外电场方向排列，从而使物质中的合电场发生变化．

(1）如图(b）所示，有一电偶极子放置在电场强度为E。的匀强外电场中，若电偶极子的方向与外电场方向的夹角为θ，求作用在电偶极子上的电场力绕O点的力矩；（2）求图(b)中的电偶极子在力矩的作用下转动到外电场方向的过程中，电场力所做的功；

（3）求电偶极子在外电场中处于力矩平衡时，其方向与外电场方向夹角的可能值及相应的电势能；

（4）现考察物质中的三个电偶极子，其中心在一条直线上，初始时刻如图(c）排列，它们相互间隔距离恰等于 1．加上外电场E

O

后，三个电偶极子转到外电场方向，

若在图中A点处引人一电量为+q

0的点电荷(q

很小，不影响周围电场的分布），求

该点电荷所受电场力的大小．得分

评卷人

2018年华约自主招生物理试题和答案(word解析版)

2018年高水平大学（华约）自主选拔学业能力测试 物理探究 注意事项： 1 ．答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡上。 2 ．将答案写在答题卡上，写在本试卷上无效。 3．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。本试卷共七大题，满分100分。解 答应写出必要的文字说明、方程式和主要演算步骤。一、<15分）<1）质量约1T的汽车在10s内由静止加速到60km/h。如果不计阻力，发动机的平均输出功率约为多大? <2）汽车速度较高时，空气阻力不能忽略。将汽车简化为横截面积约1m2的长方体，并以此模型估算汽车以60km/h行驶时为克服空气阻力所增加的功率。已知空气密度ρ=1.3kg/m3 。 <3）数据表明，上述汽车所受阻力与速度平方的关系如图所示。假定除空气阻力外，汽车行驶所受的其它阻力与速度无关，估计其它阻力 总的大小。 二、<10分）核聚变发电有望提供人类需要的丰富清洁能 源。氢核聚变可以简化为4个氢核< ）聚变生成氦核<）并放出2个正电子< ）和2个中微子< ）。 <1）写出氢核聚变反应方程； <2 ）计算氢聚变生成一个氦核所释放的能量； <3）计算1kg氢完全聚变所释放的能量；它相当于多少质量的煤完全燃烧放出的能量? （1kg 煤完全燃烧放出的能量约为3.7 ×107 J> 。 已知：m< ）=1.6726216×10 -27kg ，m< ）=6.646477×10 -27kg ， m< ）=9.109382×10 -31kg ，m< ）≈0，c=2.99792458×108m/s。 4 / 10

三、(15分>明理同学平时注意锻炼身体，力量较大，最多能提起m=50kg的物体。一重物放置在倾角θ=15°的粗糙斜坡上，重物与斜坡间的摩擦因数为μ= ≈0.58 。试求该同学向上拉动的重物质量M的最大值? 四、(15分>如图，电阻为R的长直螺线管，其两端通过电阻可忽略的导线相连 接。一个质量为m的小条形磁铁从静止开始落入其中，经过一段距离后以速度 做匀速运动。假设小磁铁在下落过程中始终沿螺线管的轴线运动且无翻转。 (1> 定性分析说明：小磁铁的磁性越强，最后匀速运动的速度就越小； (2> 小磁铁做匀速运动时在回路中产生的感应电动势约为多少 五、(10分＞自行车胎打足气后骑着很轻快。由于慢撒气——缓慢漏气， 车胎内气压下降了四分之一。求漏掉气体占原来气体的比例η。假设漏气 过程是绝热的，一定质量的气体，在绝热过程中其压强p和体 积v满足关 系pvγ=常量，式中参数γ是与胎内气体有关的常数。 六、(15分＞如图所示，在光学用直导轨型支架上，半径为R的球面反射镜放置在焦距为f 的凸透镜右侧，其中心位于凸透镜的光轴上，并可沿凸透镜的光轴左右调节。 (1＞固定凸透镜与反射镜之间的距离l ，将一点光源放置于凸透镜的左侧光轴上，调节光源在光轴上的位置，使该光源的光线经凸透镜——反射镜——凸透镜后，成实像于点光源处。问该点光源与凸透镜之间的距离d可能是多少? (2＞根据(1＞的结果，若固定距离d，调节l 以实现同样的实验目的，则l 的调节范围是多少? 2 / 10

2018年普通高等学校招生全国统一考试数学文含答案

2018年普通高等学校招生全国统一考试 文科数学 注意事项： 1．答卷前，考生务必将自己的姓名和准考证号填写在答题卡上。 2．回答选择题时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其它答案标号。回答非选择题时，将答案写在答题卡上。写在本试卷上无效。 3．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。 一、选择题：本题共12小题，每小题5分，共60分。在每小题给出的四个选项中，只有一 项是符合题目要求的。 1．已知集合{}02A =，，{}21012B =--，，，，，则A B =I A ．{}02， B ．{}12， C ．{}0 D ．{}21012--，， ，， 2．设1i 2i 1i z -= ++，则z = A ．0 B ．12 C ．1 D 3．某地区经过一年的新农村建设，农村的经济收入增加了一倍．实现翻番．为更好地了解该地区农村的经济收入变化情况，统计了该地区新农村建设前后农村的经济收入构成比例．得到如下饼图： 则下面结论中不正确的是 A ．新农村建设后，种植收入减少 B ．新农村建设后，其他收入增加了一倍以上 C ．新农村建设后，养殖收入增加了一倍 D ．新农村建设后，养殖收入与第三产业收入的总和超过了经济收入的一半

4．已知椭圆C ：22 214 x y a +=的一个焦点为(20)， ，则C 的离心率为 A ．1 3 B ．12 C ． 2 D ． 22 5．已知圆柱的上、下底面的中心分别为1O ，2O ，过直线12O O 的平面截该圆柱所得的截面是面积为8的正方形，则该圆柱的表面积为 A ．122π B ．12π C ．82π D ．10π 6．设函数()()321f x x a x ax =+-+．若()f x 为奇函数，则曲线()y f x =在点()00，处的切线方程为 A ．2y x =- B ．y x =- C ．2y x = D ．y x = 7．在△ABC 中，AD 为BC 边上的中线，E 为AD 的中点，则EB =u u u r A ．3144 AB AC -u u u r u u u r B ．1344 AB AC -u u u r u u u r C ．3144 AB AC +u u u r u u u r D ．1344 AB AC +u u u r u u u r 8．已知函数()2 2 2cos sin 2f x x x =-+，则 A ．()f x 的最小正周期为π，最大值为3 B ．()f x 的最小正周期为π，最大值为4 C ．()f x 的最小正周期为2π，最大值为3 D ．()f x 的最小正周期为2π，最大值为4 9．某圆柱的高为2，底面周长为16，其三视图如右图．圆柱表面上的点M 在正视图上的对应点为A ，圆柱表面上的点N 在左视图上的对应点为B ，则在此圆柱侧面上，从M 到N 的路径中，最短路径的长度为 A ．217 B ．25 C ．3 D ．2 10．在长方体1111ABCD A B C D -中，2AB BC ==，1AC 与平面11BB C C 所成的角为30?，则该长方体的体积为 A ．8 B ．62 C ．82 D ．83

2绵阳中学自主招生物理测试试题卷

物理测试试题卷 一、单选题（在每小题给出的四个选项中，只有一个符合题意。选对得4分，选错或不答得0分。共计40分。） 1、下列数据中最接近实际的是： A.蜗牛的爬行速度约为2cm/s B.一般分子的直径约为0.4nm C.家用电脑的功率约为1000W D.一个鸡蛋的质量约为100g 2、下列生活中的做法不符合用电器安装规则和安全用电原则的是： ①利用停电机会用湿抹布和洗洁剂清洗教室内的插座；②原来的保险丝经常熔断，不查原因就换上一根铜导线；③在学校的学生寝室内使用电吹风、“热得快”等大功率家用电器；④早晨上学前在家里使用电熨斗熨衣服时突然停电，放下电熨斗后就背着书包上学。 A．只有①②B．只有②③C．只有①②④D．①②③④ 3、“神舟六号”载人飞船的成功，标志着中国人实现“奔月”的梦想指日可待。试分析，当宇航员登上月球后，下列哪种活动不可实现？ A．利用激光测量月球与地球之间的距离B．宇航员之间利用声波互相喊话C．利用天平测物体的质量D．利用弹簧测力计测物体的重力4、某同学学习了滑动变阻器的知识后，决定将自己的台灯改为调光式，于是他买了“1W 2kΩ”的电位器一个，装在了台灯（灯泡为“PZ220 60”）上，一开灯，确实能调光，但电位器一会儿就冒起烟了，吓得他赶快扯下了插头。下列对他失败的原因分析和改进措施正确的是： A．电位器额定功率偏大B．电位器电阻偏小 C．应换用一个“1W 13Ω”的电位器D．应换用一个“1W 25Ω”的电位器5、如图所示物体A静止在水平桌面上，其右侧正好与桌边相齐，若 用水平推力把物体A向右缓慢推出，则从开始推动到物体A翻到之 前，物体A对桌面的压力和压强的变化情况是： A．压力不变，压强增大B．压力减小，压强增大 C．压力减小，压强不变D．压力和压强都不变 6、如下图所示，A、B两灯泡额定电压都为110V，额定功率P A=100W、P B=40W，接在电压恒为220V电路上，欲使两灯泡均正常发光，且整个电路消耗的电功率最小，则下面四种电路连接方式中满足要求的是：

半导体物理器件期末考试试题(全)

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。 代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11

13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

自主招生物理试卷及答案word版

学校 姓名 准考证号 自主招生考试 物理素质测试题 ◆注意事项： 本试题共四大题，满分80分，考试时间80分钟。 题号 一 二 三 四 总 分 15 16 得分 一、选择题（本大题5小题，每小题4分，共20分。每小题至少有一个正确选项，不选、错选均不得分，少选得2分） 1．如图1所示，上瓶内装有空气，下瓶内装有红棕色的二氧化氮气体，将上下两瓶间的玻璃板 抽掉后，两瓶气体混合在一起，颜色变得均匀，这个现象主要说明 A ．物质是由分子组成的 B ．分子不停做无规则运动 C ．分子间有作用力 D ．分子有一定的质量 2．有一根竖直吊着的弹簧，如果在弹簧下端挂上质量为m 1的物体后，弹簧长度为L 1；如果在 弹簧下端挂上质量为m 2的物体后，弹簧长度为L 2，则弹簧原来的长度不可能为（m 1＜m 2； 上述过程弹簧均处于弹性限度内） A ．21L L + B ．12L L - C ． 121 221m m m L m L -- D ．1 21122m m m L m L -- 3．一盏电灯接在恒定电压的电源上，其功率为100W 。若将这盏电灯先接在一段很长的导线后， 再接在同一电源上，已知导线上损失功率是9 W ，那么此时电灯实际消耗功率是 A ．91 W B ．小于91 W C ．大于91W D ．条件不足，无法确定 4．如图2所示，一平面镜放在圆筒的中心处，平面镜正对筒壁上一点 光源S ，点光源发出一细光束垂直射向平面镜。平面镜从图示位置开 始绕圆筒中心轴O 匀速转动，在转动ο 30角时，点光源在镜中所成的 像转过的角度1θ，照射到筒壁上的反射光斑转过的角度2θ，则 A ．ο 301=θ，ο 302=θ B ．ο 301=θ，ο 602=θ C ．ο 601=θ，ο 302=θ D ．ο 601=θ，ο60 2=θ 5．如图3所示装置中，均匀木棒AB 的A 端固定在铰链上，悬线一端绕过一固定定滑轮，另一 端用线套套在木棒上使棒保持水平。现使线套逐渐向右移动，但始终使木棒保持水平，则悬 线上的拉力T （棒和悬线足够长） A ．逐渐变小 B ．逐渐变大 C ．先逐渐变大，后又逐渐变小 D ．先逐渐变小，后又逐渐变大 图1 图3 图2 （ ） （ ） （ ） （ ） （ ）

半导体物理期末试卷含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

中学自主招生考试物理试卷

2015年学科素养考核 物理卷 【卷首语】亲爱的同学们，欢迎参加一六八中学自主招生考核。希望你们凝神静气，考出水平！开放的一六八中学热忱欢迎你们！本学科满分为100分，共20题；用时60分钟。 一、单项选择题（每题3分，共18分） 1、在一次班级的才艺秀表演中，小芳演奏了一曲《赛马》博得 了大家的热烈掌声，细心的小明发现在小芳的演奏过程中，她的 左手在不停地上下移动。当小芳的左手手指向下移动时，我们听 到的声音发生了怎样的变化（） A.响度变大C.音调变高 B.响度变小D.音调变低 2、如图所示，将蜡烛放在凸透镜的2倍焦距处，蜡烛焰心、凸透镜的光心、光屏的中心在同一高度上，则其像在另一侧的位置和火焰像的指向（） A.主光轴的上方向上C.主光轴的下方向上 B.主光轴的上方向下D.主光轴的下方向下 3、在一个固定的粗糙斜面上，一个物体从顶端由静止开始滑下，若它在顶端时相对低端的 重力势能为10J，则它滑到低端的动能（） A.可能是8J B.一定是10J C.可能是12J D.以上都有可能 4、如图所示，气球和铁块用细线连在一起，恰能悬浮在盛水的圆柱形容器内，如图所示位置，若把气球向下压一段距离（水足够深），则气球和铁块的沉浮情况及铁块所受的浮力大小将（） A.下沉，变小 B.下沉，不变 C.下沉，变大 D.悬浮，不变 5、1820年4月丹麦的奥斯特发现，在小磁针正上方放置一根通电直导线会使小磁针偏转，因而发现了电流的磁效应，揭示了电与磁的联系。为使该实验现象更加明显，你认为通电直导线应如何放置（） A.东西方向 B.南北方向 C.东偏南 D.东偏北

6、如图所示，电源电压4V（不计内阻），电流表的量程选择0-0.6A，电压表的量程选择0-3V，滑动变阻器的规格是“20Ω1A”，定值电阻的规格是“10Ω0.4A”，在保证电路安全的 情况下，以下说法正确的是（） A. 电流表的示数变化范围0.1A-0.3A B. 电压表的示数变化范围是1V-3V C. 滑动变阻器阻值的可调范围是-20Ω D. 定值电阻的电功率变化范围-1.6w 二、填空题（每空2分，共34分） 7、如图所示，是单气缸四冲程内燃机的＿＿＿＿＿冲程。假设在活塞的运动过程中，气缸内的气压始终为P，气缸的容积为V，则活塞从上端运动到下端的过程中，气体对活塞所做的功是＿＿＿＿。 8、“伽利略理想实验”中小球从某一高度由静止滑下， 最终还会在另一个斜面上达到相同的高度，这时因为小 球的＿＿＿＿＿＿＿＿。当另一斜面放置水平后，由于 ＿＿＿＿＿小球会一直做匀速直线运动，这时在小球的 前方放置一块挡板，小球会被弹回，这说明＿＿＿＿。 9、一个做匀变速直线运动的物体，其路程和时间的关系式为（其中v、a分别为物体的初速 度和物体单位时间内速度的变化量）。小明在某次实验中得到做匀变速直线运动的小车路程和时间的关系式为，则小车在单位时间内速度的变化量为＿＿＿＿，前3s内的平均速度为＿＿＿＿。

全国普通高等学校统一招生考试

全国普通高等学校统一招生考试 (文科数学试卷) 一、选择题：本题共12小题，每小题5分，共60分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。 1.若312z i i =++，则z = A.0 B.1 C.2 D. 2 2.已知合集{} 2340A x x x =--<，{}4,1,3,5B =-，则A B = A.{}4,1- B.{}1,5 C.{}3,5 D.{}1,3 3.埃及胡夫金字塔是古代世界建筑奇迹之一，它的形状可视为一个正四棱锥，以该四棱锥的高为边长的正方形面积等于该四棱锥一个侧面三角形的面积，则其侧面三角形底边上的高与底面正方形的边长的比值为 A. 51 - B. 51 2- C. 51 + D. 51 + 4.设O 为正方形ABCD 的中心，在O, A ,B, C, D 中任取3点，则取到的3点共线的概

率为 A. 15 B. 25 C. 12 D. 45 5.某校一个课外学习小组为研究某作物种子的发芽率y 和温度x （单位：C ）的 关系，在20个不同的温度条件下进行种子的发芽实验，由实验数据 ,)(i i y i =（x 1,2,…,20)得到下面的散点图： 由此散点图，在10C 至40C 之间，下面四个回归方程类型中最适宜作为发芽率y 和温度x 的回归方程类型的是 A. y a bx =+ B. 2y a bx =+ C. x y a be =+ D. ln y a b x =+ D. 1 2 6.设O 为正方形ABCD 的中心，在O, A ,B, C, D 中任取3点，则取到的3点共线的概率为 A. 15 B. 25

半导体物理学期末复习试题及答案一

一、选择题 1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.· 6.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 7.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 8.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。

A. 直接 B. 间接 9. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作 用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 10. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。 · A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 11. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 12. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 13. - 14. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

重点高中自主招生物理试题5

重点高中自主招生物理试题（五） 及参考答案 一、选择题（共15小题，45分，每小题所给的选项中有一个或一个以上的选项是正确的。 全部选对得3分，选对但不全得1分，错选或不选得0分。） １、在某次举重锦标赛中，一名运动员在抓举比赛时，将质量为127.5 kg的杠铃举起历时约0.5 s，再停留3 s后放下杠铃.那么，该运动员在举起杠铃过程中的平均功率约为（） A．几百瓦B．几千瓦C．几十千瓦D．几百千瓦 ２、在一个明月如皓的夜晚，李刚走在回家的路上，高悬的月亮让李刚在右侧留下长长的身影。刚下过的雨在坑洼的路面留下了一个个积水坑，李刚为了不踏入水坑，下面说法正确的是（） A．应踩在较亮的地方，因为水面发生了漫反射，看起来较暗 B．应踩在较亮的地方，因为路面发生了漫反射，看起来较亮 C．应踩在较暗的地方，因为路面发生了漫反射，看起来较暗 D．应踩在较暗的地方，因为水面发生了镜面反射，看起来较亮 ３、2008年9月“神舟”七号顺利升空，广袤的太空第一次留下了中国人的脚印.图中所示为翟志刚身着国产航天服、身系安全绳，缓缓步出轨道舱时的照片.地球就像一轮巨大的月亮，悬挂在其头顶，此时飞船绕地运行的速度高达七至八千米每秒.根据我们所学的知识可知，下述说法正确的是（） A．在此高空，翟志刚不受重力作用 B．白色的航天服能反射太阳光中的各种色光 C．由于地球对阳光的反射，飞船上的摄像机 才能拍摄到地球 D．尽管飞船速度很快，但在舱外翟志刚依靠 惯性也能随飞船飞行 ４、在2008年北京奥运会中，牙买加选手博尔特成为了一名公认的世界飞人，在男子100 m 决赛和男子200 m决赛中他分别以9.69 s和19.30 s的成绩打破两项世界纪录，获得两枚金牌.关于他在这两次决赛中的运动情况，下列说法正确的是（） A．200 m决赛中的路程是100 m决赛的两倍 B．200 m决赛中的平均速度约为10.36 m/s C．100 m决赛中的平均速度约为10.32 m/s D．100 m决赛中的最大速度约为20.64 m/s ５、如图所示的是握力计的原理图，其中弹簧上端和滑动变阻器滑 片固定在一起，AB间有可收缩的导线，R0是保护电阻，电压表可显 示压力的大小.则当握力F增加时，电压表的示数将（） A.变大 B.变小 C.不变 D.无法确定 ６、物理学常常把实际的研究对象或实际的过程抽象成“物理模型”。 下列选项中叙述正确的是（）

半导体物理期末考试试卷A参考答案与评分标准

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试 一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN 呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4， m n */m 0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e 2 ； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有 （ B ） 半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si 中电子扩散系数D ｎ与ＮＤ有如下图 （C ） 所示的最恰当的依赖关系： Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ａ Ｂ Ｃ Ｄ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺 ＮＤ ＮＤ ＮＤ ＮＤ

中学自主招生物理试卷文字版

一、单项选择题（每题3分，共24分） 1．在物理学中，公式不仅反映了数值上的等量关系，也能体现单位之间的关系，例如速度的单位m/s可 用公式v = s t推得，现定义一个新的物理量：加速度，用字母a表示，它等于速度变化量除以引起这一变 化所需的时间，则该物理量的单位是（） A．m·s B．m C．m/s D．m/s2 2．如图是生活中常见的传送带，已知A为主动轮，B为从动轮，启动传送带，使其顺时针转动，则启动瞬间，位于A轮上的E点和传送带上的F点所受摩擦力的方向分别为（） A．向上向上B．向上向下 C．向下向下D．向下向上 3．2016年12月26日，合肥地铁一号线正式通车，北起合肥火车站，南至九联圩站，线路全长29.06千米，全线为地下线，共设23座车站。下列关于地铁中应用到的物理知识表述正确的是（）A．列车启动时，车外广告牌向后移动，这是由于惯性所导致的 B．透过车窗玻璃，看到窗外的广告牌，这是光的反射形成的像 C．候车时，乘客应站在安全黄线以外，主要是考虑到流体压强与流速的关系 D．铁轨下铺设枕木主要是为了减小列车通过时对地面的压方力 4．利用阻值已知的定值电阻R和一只电流表（或一只电压表），可测出未知电阻R的阻值，同学们设计了如图所示的四种电路，其中可行的方法有（电源电压未知）（） A．（1）（3）B．（1）（4）C．（2）（3）D．（2）（4） 5．某同学用一只不等臂天平称量一物体的质量m，先把此物体放在天平右边的托盘上，左边托盘上放置

砝码的质量为m 1时天平平衡；再把物体放在天平左边的托盘上，右边托盘上放置砝码的质量为m 2时天平平衡，那么被称物体的质量m 应为（ ） A ．m 1m 2 B ．m 1+m 22 C ．m 1－m 22 D ．m 1m 2m 1+m 2 6．由于长期的河道淤塞，黄河下游的河床已被抬高。沿河农民通常采用如图所示的方式，引黄河水来灌溉农田。有关这种引水灌溉方式，下列说法中错误的是（ ） A ．使用时 B 端管口必须低于A 处水面 B ．这种取水灌溉方式利用了连通器原理 C ．高度差H 越大，管道中的水流得就越快 D ．使用时先将管道中灌满水 7．挂在竖直墙壁上的石英钟，它的秒针在走动时会受到转轴处的摩擦阻力和重力的作 用。当石英钟内电池的电能将耗尽而停止走动时，其秒针往往停在表盘上的（ ） A ．“3”的位置 B ．“6”的位置 C ．“9”的位置 D ．“12”的位置 8．近年来蹦极运动深受喜爱，我们可以将其过程简化处理。已知原长为l 的橡皮绳一端固定在O 点，另一端悬挂一个小钢球，将钢球从O 点静止释放，钢球运动到A 点后开始向上返回，O 、A 两点间距为2l ，如图所示，则钢球从O 点运动到A 点的过程中，其动能E k 随运动距离s 变化关系的图像可能正确的是（ ） 二、填空题（每空2分，共24分） 9．汽车散热器用水作冷却剂，这是利用了水__________________较大的性质；如果散热器中装有10kg 的水，在温度升高20℃的过程中吸收的热量相当于完全燃烧_________m 3的天然气放 出的热量［天然气的热值q = 4.2×107J/m 3，水的比热容c = 4.2×103J/（kg ·℃）］

2016年普通高等学校招生全国统一考试

2016普通高等学校招生全国统一考试 11月调研卷英语 第二部分阅读理解（共20小题，每题2分，满分40分） 第一节（共15小题；每小题2分，满分30分） 阅读下列短文，从每题所给的四个选项（A、B、C和D）中，选出最佳选项，并在答题卡上将该项涂黑。 A My newlywed husband said the same thing every morning. "You're beautiful today." One glance in the mirror revealed that it was far from the truth. A skinny girl with mashed hair on one side of her head and no makeup smiled back at me. I could feel my sticky morning breath. "Liar," I shot back with a grin. It was my usual response. My mother's first husband was not a kind man and the harsh words we heard growing up took root. I had trouble seeing myself as someone of value. I had been married two years when I surprised myself. My husband wrapped his arms around me and told me I was beautiful. "Thank you," I said. The same thin girl with the mousy brown hair still stared back at me in the mirror, but somehow the words had finally blossomed in my heart. A lot of years have passed. My husband has grey in his hair. I'm no longer skinny. Last week I woke up and my husband's face was inches from mine. "What are you doing?" I asked. I covered my mouth, trying to hide my morning breath. He reached down and kissed my face. "What I do every morning," he said. He leaves in the early hours of the morning while I sleep. When he left, I rolled over and hugged my pillow. I envisioned the picture of me lightly snoring with my mouth open and giggled. What a man! My husband understands my past. He's been beside me as I've grown from an unsure young girl to a confident woman, mother, speaker and author. But I'm not sure that he understands the part he played in that transition. The words I

芜湖一中2017年高一自主招生考试物理试卷及参考答案

芜湖一中2017年高一自主招生考试 物理试卷 (满分：120分) 一、选择题（每题4分，共32分） 1．下列物体中质量最接近1.5×106mg的是（） A．一位中学生B．一头牛C．一只鸡D．一粒砂子 2．图中L为一薄凸透镜，ab为一发光圆面，二者共轴，S为与L平行放置的屏，已知这时ab 可在屏上成清晰的像。现将透镜切除一半，只保留主轴以上的一半透镜，这时ab在S上的像（） A．尺寸不变，亮度不变 B．尺寸不变，亮度降低 C．只剩半个圆，亮度不变 D．只剩半个圆，亮度降低 3．一杯开水的水面上方有“白色气”，夏天一块冰放在桌面上，冰的上方也有“白色气”（）A．前者主要是由杯中水变来的“水的气态物质” B．前者主要是由杯中水变来的“水的液态物质” C．后者主要是由冰变来的“水的气态物质” D．后者主要是由冰变来的“水的液态物质” 4．在进行杂技表演时，有六位演员从上到下排成如图所示三层人形，已知 每位演员的质量为m,重力加速度为g，则（） A．3号演员与4号演员的肩膀承受的压力一样大 B．地面对4号演员的支持力为1.75mg C．5号演员两侧肩膀承受的总压力为1.50mg D．地面对5号演员的支持力为2.00mg 5．如图所示，A、B两球完全相同，分别浸没在水和水银的同一深度内，A、B球用同一种特殊的材料制作，当温度稍微升高时，球的体积明显地增大，如果水和水银的初温及缓慢升高后的末温都相同，且两球膨胀后体积也相等，两球也不再上升，则（） A．A球吸收的热量多 B．B球吸收的热量多 C．A、B二球吸收的热量一样多 D．不能确定吸收热量的多少 6．如图所示，在一根松弛的导体线圈中通以电流，线圈将会（） A．纵向收缩，径向膨胀 B．纵向伸长，径向膨胀 C．纵向伸长，径向收缩

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

北工大 10年 半导体物理 期末试卷

半导体物理2010-2011学年(2011.1.5) 一、简答题（8*6’=48’） 1.请填写下表中的数据： 解理面 材料晶格结构布拉伐格子直接/间接 带隙 Si GaAs 2.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电子浓度n和本征载流子浓度ni随T变化曲线。 3.“纯净的半导体中，掺入百万分之一的杂质，可以减小电阻率达1百万倍，”是估算说明之。 4.一块杂志补偿的半导体，受主杂质和施主杂质浓度相等。设杂质全部电离，判断当杂质浓度分别为 (a) Na=Nd=1014cm-3(b) Na=Nd=1018cm-3 时，哪种情况的电导率大？简述分析理由。 5.什么是载流子的平均自由时间τ？有两块Si半导体材料1和2，其中τ1>τ2，迁移率哪个大？ 如果同一块半导体中，有两种机理的平均自由时间τ1和τ2，其总迁移率如何确定？ 6.写出以n型样品为例少子空穴的连续性方程。 由连续性方程写出：不考虑电场的作用、无产生、稳态载流子扩散方程； 7.什么是PN结的势垒电容？定性说明掺杂浓度对势垒电容有何影响。 8.一个p-N异质结接触前能带图见图1。画出平衡状态下能带图。

电阻率为7Ω·cm的p型硅，T=300K。 ⑴试计算室温时多数载流子和少子浓度（可查图）。 ⑵计算该半导体的功函数。 ⑶不考虑界面态，在金属铝（功函数W Al=4.20eV）和金属铂（功函数W Pi=5.3eV）中选择制备肖特基二极管的金属，给出选择理由。 ⑷求金属一侧势垒高度的理论值qΦms和半导体一侧势垒高度qV D 。 三、(16’) 室温下，一个Si的N-P结，N区一侧掺杂浓度为1017cm-3，P区为1015cm-3 ⑴求该N-P结的接触电势差。 ⑵画出平衡PN结、正向偏置PN结、反向偏置PN结空间电荷区中及边界处的载流子分布示意图。 ⑶根据正向和反向少子分布情况，解释PN结正向导通，反向截止的饱和特性。 ⑷写出理想PN结电流-电压关系公式，在对数坐标下，定性画出理想和实际I-V特性示意图。 四、（15’） 一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如图2. （1）判断该结构中，半导体的导电类型。 （2）说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态，并示意画出每点半导体一侧的能带形状，以及金属和半导体一侧的电荷分布。