3D TSV内存芯片技术与大容量内存

3D TSV内存芯片技术与大容量内存

文章导读：市场上的单条4GB内存越来越普遍，而更大的单条8GB、16GB内存也已经初显端倪。在小小的DRAM颗粒中实现更大的容量，必然需要更先进的制造技术，目前各个DRAM 大厂都推出了基于3D TSV多层穿孔技术的产品，这让我们看到了将内存“做大”的希望。

今天就为大家介绍一下3D TSV内存芯片技术与大容量内存之间的关系。

市场上的单条4GB内存越来越普遍，而更大的单条8GB、16GB内存也已经初显端倪。在小小的DRAM颗粒中实现更大的容量，必然需要更先进的制造技术，目前各个DRAM大厂都推出了基于3D TSV多层穿孔技术的产品，这让我们看到了将内存“做大”的希望。今天就为大家介绍一下3D TSV内存芯片技术与大容量内存之间的关系。

3D TSV，不一样的封装

3D TSV是通过在芯片之间或晶圆之间制作垂直导通，从而实现互连的最新技术。采用这种方式可以大幅缩小芯片尺寸，提高芯片内的晶体管密度，改善层间电气互联性能，提升芯片运行速度以及降低芯片的功耗。

1．数据传输距离更短、功耗更低

虽然先进的纳米制造技术可以不断缩小芯片的尺寸、芯片内晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短，但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。比如90nm 制程晶体管的延迟时间大约在1.6ps（皮秒）左右，而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路，其延迟时间会增加500ps左右；而到22nm制程，晶体管的延迟时间会达到0.4ps 水平，而互联线路的延迟则会增加到1万ps水平。晶体管的尺寸越小速度越快，但与此同时，互联层线路的电阻则会随着线路截面积的缩小而增大，这正是导致互联层延迟增加的主要原因

而3D TSV技术最大的优点就是减小互联线的长度，能够实现最短、最丰富的Z方向互连，通过在芯片和芯片、晶圆和晶圆之间制造垂直导通，实现芯片间的互连，能够将逻辑、内存和模拟等组件非常紧密地连结在一起。TSV这种封装结构可把芯片上数据需要传输的距离缩短1000倍，并使每个元件的互连性增加100倍。

垂直互连提供更短的信号路径，就能提高性能，同时也能增加互连带宽，解决过去平面式互连造成的电阻及电容延迟问题。而且缩短组件之线路连接距离，还可进而降低寄生电容和耗电量，功耗随之降低。

2．芯片的集成度更高

TSV的另一项优势是可以缩小尺寸，采用区域数组式垂直互连的作法比起打线接合或导线架封装更节省空间，从而可能在有限的空间内整合更多芯片。比如相比传统的RDIMM内存，三星新款基于3D TSV技术的8GB内存可以节约40%的功耗，同时通过TSV技术将能够显著提升内存容量，从而可以为服务器系统带来更大的内存空间。在新一代服务器内存插槽提升30%的情况下，TSV技术能够让内存容量提升最多50%以上。

延伸阅读：厂商为什么热衷于发展大容量DRAM？

内存颗粒及模块厂商之所以热衷于发展大容量DRAM，一方面是应市场需要，另一方面是受利益驱动。毕竟内存芯片的密度提升可以让PCB设计得更小一些，这样内部的信号线长度可以大幅缩短，不仅节省成本，而且可以让整体性能更出色。比如借助TSV技术，8GB的内存仅仅需要4颗2Gbit内存颗粒，理论上成本更具优势。在技术与设备成熟条件、同样的性能表现下，TSV封装比传统的封装最多能节省30%的硅基板用量。不过，就目前而言，TSV 由于技术还不太成熟，因此成本优势并没有体现出来。

TSV所需面临的挑战

作为一种新技术，TSV的发展并非一帆风顺，目前也面临着不少难题。首先需要解决一系列技术问题。大多数情况下TSV制作都需要打通不同材料层，包括硅材料、IC中各种绝缘或导电的薄膜层，而这里面蚀刻工艺是关键。对于硅的蚀刻原理和应用并不少见，但是在实际制造工艺中，TSV在很多方面的要求超出了人们的预计和想象。大多数情况下，TSV的蚀刻范围包括硅、绝缘的电介质层以及导电的金属薄膜层，因此它在在TSV中举足轻重，这不仅是由于被蚀刻材料更加复杂，也和TSV通孔的分布密度、尺寸（包括深度和直径）等息息相关，这都对厂商的制程工艺提出了更高的要求。目前市场上仍未出现最佳的TSV解决方案、只能应用到特定的领域。

同时TSV标准化的建立，也是TSV否能得到快速应用的关键因素。反观目前在3D TSV 应用市场上，已公布的标准仅有内存互连标准——公布了三维内存芯片堆栈的官方标准规格。另外在制程标准化上，由于3D TSV牵涉到如执行的位置、钻孔的方式、互连的方法等

问题，仍未有明确的公开标准。

此外，在价格与成本之间也是TSV要面临的极大障碍。一个名为 EMC-3D 的业界组织表示，以目前用于量产的工具模型为基础来推估，TSV将使每片晶圆增加约120美元的成本。这样高的成本，并不能满足应用TSV的成本效益需求。理想的TSV成本应该要再降低才能满足引进新技术的合理价格。根据半导体厂商和制造设备厂商的说法，随着TSV爆发式的普及，成本将降至每片晶圆50美元，这意味着目前离理想的TSV成本，仍有一大段的距离。

DRAM，TSV的尝试之地

虽然TSV技术在目前仍有许多挑战存在，但许多DRAM大厂仍在竭力推进基于TSV的3D 芯片技术的发展。三星已公布一系列相关配套技术，进而加速TSV在产品上之应用。例如早在2006年4月，三星使用晶圆级堆叠封装(注：Wafer Level Stack Packaging，WSP）方法来堆叠高密度DRAM，并采用激光穿孔技术来制作TSV的导孔。

三星目前已经使用30nm工艺生产出拥有更高性能、更低功耗的TSV内存：今年三星针对服务器市场推出了单条容量达到 32GB DDR3内存，默认频率为1333MHz，功耗却只有4.5W。而针对桌面市场，三星也推出了基于TSV的8Gbit DDR3颗粒。此颗粒利用TSV技术层叠了4块2Gbit DRAM，最底层的一块装有DRAM内核并具有外部输入输出功能，其余3块只有DRAM 内核，它们之间通过约300个TSV连接。

Hynix则利用TSV技术成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM，可让一个内存模块的最大容量达到前所未有的64GB，可广泛应用以满足服务器和其他产品对大容量内存的需求。

尔必达也一直在大力开发TSV技术，早在2009年就利用TSV开发出了由8层1Gbit DRAM 内核堆叠而成的8Gbit颗粒。目前尔必达正在组建TSV设计、制造组装的一条龙流水线，2Gbit DRAM现已能够批量生产，利用TSV堆叠4个2Gbit DRAM的DDR3颗粒不是难事，因此尔必达推出32GB模块也是轻而易举的事。

当然，TSV并不只应用在内存上，在CPU上也将看到TSV的身影。目前Intel等厂商都在研究如果利用TSV技术来适应日益提升的集成度下，实现处理器核心内各个单元更高效地互联通信。比如Intel早在2005年投入到TSV技术研发，其已公布的80核心处理器中就有这种技术的身影。未来CPU内部通过数千个微小的连线实现立体的传输数据，在硅芯片中通过填充钨材料到细微的孔洞就可实现TSV互联，而且通过TSV能将运算单元与内存直接连接，可为CPU的运算能力带来10%的提升以及20%的节能。

可以说，3D TSV在内存乃至整个芯片进化史中都是一项意义重大的技术。TSV技术的导入，让元件整合的方式进入到利用穿孔信道的区域数组式互连的新阶段，从而使不同的芯片或晶圆能够堆栈在一起，并实现更多的容量、更快的速度以及更少的功耗

【CN110070029A】一种步态识别方法及装置【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910309192.7 (22)申请日 2019.04.17 (71)申请人 北京易达图灵科技有限公司 地址 100013 北京市朝阳区安定门外大街1 号1幢9层905室 (72)发明人 袁飞　华仁红　马向军　孙文凤　 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 代理人 王庆龙　苗晓静 (51)Int.Cl. G06K 9/00(2006.01) G06K 9/46(2006.01) G06N 3/04(2006.01) (54)发明名称 一种步态识别方法及装置 (57)摘要 本发明实施例提供一种步态识别方法及装 置。方法包括：获取待识别视频中任一行人对应 的人体关键点特征向量序列；将人体关键点特征 向量序列输入至目标神经网络，根据目标神经网 络的输出结果，识别人体关键点特征向量序列对 应的行人身份；其中，目标神经网络是根据带有 行人身份标签的人体关键点特征向量序列进行 训练后得到的。本发明实施例提供的方法及装 置，通过获取待识别视频中任一行人对应的人体 关键点特征向量序列，并将该序列输入至目标神 经网络，根据目标神经网络的输出结果，识别该 序列对应的行人身份。通过充分利用人体关键点 特征，自学习人体的步态特征，大大提高了步态 识别的鲁棒性和准确性，并且，对硬件的要求较 低， 便于实际应用。权利要求书2页 说明书8页 附图2页CN 110070029 A 2019.07.30 C N 110070029 A

权　利　要　求　书1/2页CN 110070029 A 1.一种步态识别方法，其特征在于，包括： 获取待识别视频中任一行人对应的人体关键点特征向量序列； 将所述人体关键点特征向量序列输入至目标神经网络，根据所述目标神经网络的输出结果，识别所述人体关键点特征向量序列对应的行人身份； 其中，所述目标神经网络是根据带有行人身份标签的人体关键点特征向量序列进行训练后得到的。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待识别视频中任一行人对应的人体关键点特征向量序列，包括： 获取待识别视频，所述待识别视频中包括若干个行人； 对所述待识别视频进行采样，得到多帧图像并组成采样图像序列； 将所述采样图像序列输入至人体关键点检测模型，得到所述待识别视频中任一行人对应的人体关键点特征向量序列。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述人体关键点特征向量序列输入至目标神经网络，之前还包括： 获取多个样本视频和每一样本视频中每一行人对应的行人身份标签，并获取每一样本视频中每一行人对应的人体关键点特征向量序列； 将每一行人对应的人体关键点特征向量序列和行人身份标签的组合作为一个训练样本，得到多个训练样本并组成训练集； 通过所述训练集对原始神经网络进行训练，得到所述目标神经网络。 4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过所述训练集对原始神经网络进行训练，得到所述目标神经网络，包括： 将所述训练集中的任一训练样本输入至所述原始神经网络，根据所述原始神经网络的输出结果和所述训练样本中的行人身份标签计算所述原始神经网络的损失值； 若所述损失值小于第一预设阈值，则将所述原始神经网络作为所述目标神经网络。 5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过所述训练集对原始神经网络进行训练，得到所述目标神经网络，包括： 将所述训练集中的任一训练样本输入至所述原始神经网络，根据所述原始神经网络的输出结果和所述训练样本中的行人身份标签计算所述原始神经网络的损失值； 若所述损失值小于第一预设阈值，则将所述原始神经网络作为候选神经网络； 多次调整所述神经网络的结构，每调整一次则重复执行训练过程以得到对应的候选神经网络，并从得到的多个候选神经网络中选择一个作为所述目标神经网络。 6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述从得到的多个候选神经网络中选择一个作为所述目标神经网络，包括： 从所述多个候选神经网络中，选择损失值小于第二预设阈值的若干个候选神经网络； 基于验证集对所述若干个候选神经网络中的每一候选神经网络进行验证，得到每一候选神经网络的准确率，并将准确率最高的候选神经网络作为所述目标神经网络。 7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述目标神经网络为长短期记忆网络。 8.一种步态识别装置，其特征在于，包括： 2

如何看内存条型号(容量)

金士顿 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位：兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC；72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3：CAS=3； C2.5：CAS=2.5； C2：CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例： 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY（现代HYNIX） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新. 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般为0 8、产品线：从A－D系列 9、功率：空白则为普通，L为低功耗. 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：

DDR2内存芯片解读

韩国三星（SAMSUNG）： 韩国三星（SAMSUNG）DDR2内存芯片 以三星K4T1G084QA-ZCE6为例，K代表内存芯片，4代表DRAM，T代表DDR2内存，1G代表容量（51代表512MB），08代表位宽，4代表逻辑Bank数量，Q代表1.8V 工作电压，A代表产品版本号，Z代表封装类型为FBGA-LF（G为FBGA，S为小尺寸FBGA），C代表普通能耗（L为低能耗），E6代表运行速度为DDR2-667·CL=5（D6为DDR2-667·CL=4，F7为DDR2-800·CL=6，E7为DDR2-800·CL=5）。 韩国海力士/现代（Hynix）：

韩国海力士/现代（Hynix）DDR2内存芯片 以现代HY5PS12821E FP-Y5为例，HY代表现代，5P代表DDR2内存，S代表1.8V工作电压，12代表芯片容量为512Mb（56为256Mb，1G为1Gb），8代表位宽，2代表逻辑Bank数量，1代表接口类型为SSTL_2，E代表版本号，F代表封装类型为FBGA，P代表无铅，Y5代表速度为DDR2-667·CL=5（S6为DDR2-800·CL=6，S5为DDR2-800·CL=5，Y4为DDR2-667·CL=4）。 日本尔必达（ELPIDA）：

日本尔必达（ELPIDA）DDR2内存芯片 以尔必达E2508AB-GE-E为例，E代表DDR2内存，25代表芯片容量为256Mb（51为512Mb，11为1Gb），08代表位宽，A代表1.8V工作电压，B代表内核版本，GE代表DDR2-800·CL=5（6C代表DDR2-667·CL=4，6E代表DDR2-667·CL=5），E代表无铅。 德国奇梦达（Qimonda）： 德国奇梦达（Qimonda）DDR2内存芯片

(完整版)体积容积单位换算

一、把下列单位间的进率背熟，你一定能做到！ 长度单位：1千米=1000米1米=10分米1分米=10厘米1厘米=10毫米1米=100厘米1km=1000m 1m=10dm 1dm= 10cm 1cm=10mm 1m=100cm 面积单位：1平方千米=100公顷1公顷=10000平方米 1平方米=100平方分米1平方分米=100平方厘米 1m2 =100 dm21dm2 =100 cm2 体积单位：1立方米=1000立方分米1立方厘米=1000立方毫米 1m3 =1000 dm31dm3 =1000 cm3 容积单位与体积单位之间的关系： 1升=1立方分米1毫升=1立方厘米 1L=1 dm3 1 m L=1 cm3 1升=1000毫升1立方米=1000立方分米=1000升 1L= 1000 m L 1m3 =1000 dm3 =1000L 二、把正方体与长方体的相关知识记熟！ 长方体的总棱长=（长+宽+高）×4 正方体的总棱长=棱长×12 长方体的表面积=（长×宽+长×高+宽×高）×2 正方体的表面积=棱长×棱长×6 长方体的体积=长×宽×高正方体的体积=棱长×棱长×棱长V=abh=Sh V=a3 知识运用练习题 一、1米=（）分米1分米=（）厘米 1平方米=（）平方分米1平方分米=（）平方厘米 8平方分米=（）平方厘米5平方米=（）平方分米 300平方厘米=（）平方分米 我发现了：每相邻的两个常用长度单位间的进率是（）， 每相邻的两个常用面积单位间的进率是（）。 （1）5立方分米=( )立方米=( )立方厘米（2）（）cm3 =0.3 m3 =（）dm3（3）340立方米=（）立方厘米=（）立方分米（4）4800 cm3 =（）m3 =( ) dm3（5）56立方分米=( )立方厘米=( )立方米（6）8.88 dm3 =( ) m3 =( ) cm3 （7）( )立方厘米=3.4立方分米=( )立方米（8）0.35 m3 =（）cm3 =（）dm3 （9）45立方分米=( )立方米=( )立方厘米（10）（）cm3 =1.3 m3 =（）dm3（11）（）立方厘米=100立方米=（）立方分米（12）12.12 dm3 =( ) m3 =( ) cm3（13）0.58立方厘米=（）立方米=( )立方分米（14）30.03 dm3 =( ) m3 =( ) cm3（15）0.4立方分米=( )立方厘米=( )立方米（16）( )dm3 =（）m3 =0.58 cm3（17）3.2立方分米=( )立方米=( )立方厘米（18）( ) cm3 =4.33L=( ) m3 （19）( ）cm3=（）m L=8.2 L （20）42.6 m L =（）L =( ) dm3（21）( ) dm3=（）L=3.8 m3 （22）( ) m L=0.777 L=( ) dm3 （23）45.7立方分米=( )升=( )立方厘米（24）( ) m3=( )L=254 dm3 （25）( )立方厘米=( )立方米=300立方分米（26）5 dm3=( ) L=( ) cm3 （27）25立方厘米=（）立方分米=( )升（28）（）m L=0.02 dm3=（）cm3

内存芯片参数介绍

内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、

DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.wendangku.net/doc/8210557808.html,

目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)

摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao

芯片存储容量计算问题

1.芯片容量=2的地址线位数次方乘以数据线位数 比如地址线8位，数据线4位芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位 2.若单片机外存储器芯片容量为2kb，起始地址为3000h，终止地址为（31FF）吗？请给出计算方法 没那么多吧, 2K = 2*1024 = 0x0800h 0x0800+0x3000h=0x3800h;最大也就0x3799h 3.地址线14根，数据线1根，则存储芯片容量为4k位！怎么算出来的？谢谢 存储容量4KB=2*2*2^10*2^3=2^(14+1)=4*1KB=4KB 4.用（1K*4）SRAM芯片组成容量为4K*8的储存器。问需要多少个芯片？指出需要多少根地址和数据线？在线等 呵呵！1K*4位理解透了没什么的！你需要8块这样的SRAM！地址线10根数据线那就是8根喽！并行的哦！这样速度快！还有控制和时钟线！这些东西不是很难的！只要理解透了就没什么了！希望对你有帮助！ 根地址线按字节寻址范围是多少？ 生活如歌:2^24=16MB 2^10=1024=1K 2^20=1048576=1M 寂寞如影随:地址线用于传输地址信号，可以指向主存储器的每一个单元。地址线24根，表示能指示2^24 个内存地址，按字节寻址也就是说每一地址可以标识一个字节。寻址范围没有单位，而寻址空间有单位， 注意两者的区别，所以寻址空间为0~2^24-1，也就是16M 6.问一个计算机题目当内存储器的容量为512 MB时，若首地址的十六进制表示为：0000 0000H，则末地 址的十六进 满意回答:2 = 2000 0000H。 人工计算，数字太大，用WINDOWS里面的计算器来算即可。追问但是我们试题是卷面的没有计算机怎么 算？回答512 MB = (1024 / 2) * 1024 * 1024 = 2^29 即2的29次方。 2的2次方＝４，就是二进制：100，即在1后面加上2个0； 2的3次方＝８，就是二进制：1000，即在1后面加上3个0； …… 2的29次方，就是在1后面加上29个0。 转换成16进制，就是 2000 0000H。 起始地址为：0000 0000H，末尾地址就是：2^29－1。 即：2000 0000H－１＝ 1FFFFFFFH。 7.问：当内存储器的容量为512 MB时，若首地址的十六进制表示为：0000 0000H，则末地址的十六进制表 示为 __H。 2011-1-15 17:44 提问者：逍遥·狂雷 | 浏览次数：750次 求详细的解答步骤，单位什么的求标好。要能看明白的。。还有就是看到其他有类似的问题其中计算中有 0x。。。是什么，和组后的。。。H有什么关系512MB * 1024KB * 1024B = 2 = 0x1FFFFFFF (1FFFFFFFH)求解释 答：先说0x，其实0x就是十六进制标志代码，意思是看到0x开始，后面的数字是十六进制的。和H是一个意思，只不过H是放在十六进制数字后面，0x是放在十六进制数字前面而已。（呵呵呵呵，是不是有种恍

体积与容积单位换算

体积与容积单位换算 1立方米=1000升=1000立方分米=1000000毫升=1000000立方厘米1升=1立方分米=1000毫升=1000立方厘米 长度单位换算 1千米=1000米1米=10分米 1分米=10厘米1米=100厘米1厘米=10毫米 面积单位换算 1平方千米=100公顷1公顷=10000平方米 1平方米=100平方分米1平方分米=100平方厘米 1平方厘米=100平方毫米 体(容)积单位换算 1立方米=1000立方分米=1000000立方厘米 1立方米=1000立方分米1立方分米=1000立方厘米 1立方分米=1升1立方厘米=1毫升1立方米=1000升 重量单位换算 1吨=1000 千克1千克=1000克1千克=1公斤 人民币单位换算 1元=10角1角=10分1元=100分 时间单位换算 1世纪=100年1年=12月 大月(31天)有:1\3\5\7\8\10\12月小月(30天)的有:4\6\9\11月 平年2月28天, 闰年2月29天平年全年365天, 闰年全年366天1日=24小时1时=60分1分=60秒1时=3600秒 小学数学常用图形计算公式: 1,正方形 C周长S面积a边长 周长=边长×4 面积=边长×边长 C=4a S=a×a S=a2 2,正方体 V体积a棱长 表面积=棱长×棱长×6 体积=棱长×棱长×棱长 S表=a×a×6 S表=6a2V=a×a×a V= a3

3,长方形 C周长S面积a边长 周长=(长+宽)×2 面积=长×宽 C=2(a+b) S=ab 4,长方体 V体积S面积a长b宽h高 (1)表面积=(长×宽+长×高+宽×高)×2 (2)体积=长×宽×高 S=2(ab+ah+bh) V=abh 5,三角形 S面积a底h高 面积=底×高÷2 三角形高=面积×2÷底三角形底=面积×2÷高S=ah÷2 6,平行四边形 S面积a底h高 面积=底×高S=ah 7,梯形 S面积a上底b下底h高 面积=(上底+下底)×高÷2 S=(a+b)× h÷2 8,圆形 S面积C周长π圆周率d直径r半径 周长=直径×π周长=2×π×半径面积=半径×半径×π C=πd C=2πr S=πr2 d=C÷πd=2r r=d÷2 r=C÷2÷πS环=π(R2-r2) 9,圆柱体 V体积h高S底面积r底面半径C底面周长 (1)侧面积=底面周长×高(2)表面积=侧面积+底面积×2 (3)体积=底面积×高S侧=Ch S侧=πdh V=Sh V=πr2h 圆柱体积=侧面积÷2×半径 10,圆锥体 V体积h高S底面积r底面半径 体积=底面积×高÷3 V=Sh÷3

内存芯片封装

内存芯片封装 内存颗粒的封装方式最常见的有SOJ、TSOP II、Tiny-BGA、BLP、uBGA等封 装，而未来趋势则将向CSP发展。 SOJ封装方式是指内存芯片的两边有一排小的J形引脚，直接黏着在印刷电路 板的表面上。它是一种 表面装配的打孔封装技术，针脚的形状就像字母"J",山此而得名。SOJ封装一般应用在EDO DRAMo TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array （小型球栅阵列封装），属于是 BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面 积与封装面积之比不小于1:1. 14,可以使内存在体积不变的悄况下内存容量提高2 ?3倍，与TS0P封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电 性能。采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量1W况下体积只有TS0P封装的1/3。TS0P封装内存的引脚是山芯片四周引出的，而TinyBGA则是山芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离, 信号传输线的长度仅是传统的TS0P技术的1/4,因此信号的衰减也随之减少。 这样不仅大幅提升了芯片的 抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达

300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。TinyBGA封 装的内存其疗度也更薄（封装高度小于0.8mm）,从金属基板到散热体的有效散热 路径仅有0?36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。 樵风（ALUKA）金条的内存颗粒采用特殊的BLP封装方式，该封装技术在传统封装技术的基础上采用一 种逆向电路，山底部直接伸出引脚，其优点就是能节省约90%电路，使封装尺寸电阻及芯片表面温度大幅 下降。和传统的TSOP封装的内存颗粒相比，其芯片面积与填充装面积之比大 于1： 1.1,明显要小很多，不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的 提高，制造成本也不高，BLP封装与KINGMAX的TINY-BGA封装比较相似，BLP的封装技术使得电阻值大幅下降，芯片温度也大幅下降，可稳定工作的频率更高。

主流DDR内存芯片与编号识别

我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。

怎样看懂内存条芯片的参数

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1〃HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2〃内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3〃处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4〃芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5〃内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6〃内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7〃接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8〃内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9〃能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10〃封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11〃封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP （UTC）） 12〃封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13〃速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14〃工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实

容量单位换算

首頁＼技術文章＼單位換算＼ 中外度量衡換算表－容量 1公撮＝0.001 公升(市升) 0.00097 營造升 0.00055 日升(台升) 0.03520 英液溫司 0.03382 美液溫司 0.00211 美液品脫 0.00022 英加倫 0.00026 美加倫 0.00003 英蒲式耳 0.00003 美蒲式耳 1公升(市升)＝1000 公撮 0.96575 營造升 0.55435 日升(台升) 35.1960 英液溫司 33.8148 美液溫司 2.11342 美液品脫 0.21998 英加倫 0.26418 美加倫 0.02750 英蒲式耳 0.02838 美蒲式耳 1營造升＝1035.47 公撮 1.03547 公升(市升)

0.57402 日升(台升) 36.4444 英液溫司 35.0141 美液溫司 2.18838 美液品脫 0.22777 英加倫 0.27355 美加倫 0.02960 英蒲式耳 0.02939 美蒲式耳 1日升(台升)＝1803.91 公撮 1.80391 公升(市升) 1.74212 營造升 63.4904 英液溫司 60.9986 美液溫司 3.81242 美液品脫 0.39682 英加倫 0.47655 美加倫 0.04960 英蒲式耳 0.05119 美蒲式耳 1英液溫司＝28.4123 公撮 0.02841 公升(市升) 0.02744 營造升 0.01585 日升(台升) 0.96075 美液溫司 0.06005 美液品脫 0.00625 英加倫 0.00751 美加倫 0.00078 英蒲式耳 0.00081 美蒲式耳 1美液溫司＝29.5729 公撮

常用计量单位换算表重量单位及其换算

常用计量单位换算表重量单位及其换算 ? 更新日期:2011-2-21 10:20:16? ? 点击:2431 单位名称旧名称代号对主单位的比 毫克厘克分克克十克百克公斤公担吨 公丝 公毫 公厘 公分 公钱 公两 公斤，千克 公担 公吨 mg cg dg g dag hg kg q t 公斤 公斤 公斤 公斤 公斤 公斤 主单位 100公斤 1000公斤 常用英美制重量单位表（2） 1英吨（长吨，ton)=2240磅 1美吨（短吨，=2000磅 1磅（1b)=16盎司（oz） 常用重量单位换算表（3） 吨公斤市担市斤英吨美吨磅 吨 1 1000 20 2000 公斤 1 2 市担50 1 100 市斤 1 英吨 1 2240 美吨 1 2000 磅 1 压力单位换算表（4） 公斤/厘米2 大气压水银柱高 度(毫米) 水柱高度 （米） 毫巴磅/寸2 英寸水柱 公斤/厘米2 大气压 水银柱高度（毫米）水柱高度（米） 毫巴 磅/寸2 英寸水柱1 1 1 1 1 1 1

常用长度单位换算表（5） 米厘米毫米市尺英尺英寸 米 1 100 1000 3 厘米 1 10 毫米 1 市尺 1 英尺 1 12 英寸 1 英寸与毫米对照表（6） 寸毫米寸毫米寸毫米寸毫米寸毫米寸毫米 1/16 1/8 3/16 1/4 5/16 3/8 7/16 1/2 9/16 5/8 11/16 3/4 13/16 7/8 15/16 1 17/16 9/8 19/16 5/4 21/16 11/8 23/16 3/2 25/16 13/8 27/16 7/4 29/16 15/8 31/16 2 17/8 9/4 19/8 5/2 21/8 11/4 23/8 3 25/8 13/4 27/8 7/2 29/8 15/4 31/8 4 常用容量单位换算表（7） 升（市升）立方英寸英加仑美加仑（液量）美加仑（干量） 升（市升） 1 立方英寸 1 英加仑 1 美加仑（液量）231 1 美加仑（干量）101636 1 二、常用化学元素符号表（8） 元素名称符号元素名称符号元素名称符号 铬镍硅锰铝Cr Ni Si Mn Al 铌 钽 氢 碳 氧 Nb Ta H C O 铝 铋 锕 铈 铍 Pb Bi Ac Ce Be

内存计算

1、内存地址从4000H到43FFH，共有? 个内存单元。若该内存每个存储单元可存储16位二进制数，并用4片存储芯片构成，则芯片的容量是? 解析:首先转换为10进制，4000(16)=16384(10)，43FF(16)=17407(10),。17407-16384+1=1024 芯片容量:1024*16bit/4=256*16bit 2、某程序的目标代码为16384个字节，将其写到以字节编址的内存中，以80000H为首地址开始依次存放，则存放该目标程序的末地址为?。 解析:16384(10)=4000H,80000H+4000H-1=83FFFH 3、构成4M*8bit的存储器，若采用256K*8bit的芯片，需?片，若采用512K*1bit的芯片，需?片 解析:4M*8bit/(256K*8bit)=16 4M*8bit/(512k*1bit)=64 4、内存按字节编址，地址从A4000H到CBFFFH，共有多少个字节？若用存储容量为32K×8bit的存储器芯片构成内存，至少需要多少片？ 解析 十六进制计算：（CBFFF-A4000）+1=28000H个字节，转化为十进制就是163840字节，也就是163840/1024=160K 字节。 所需32K*8bit存储芯片个数为：（160K/32K）X（8bit/8bit）=5 个 5、若指令流水线把一条指令分为取指、分析和执行三部分，且三部分的时间分别是t取=2ns，t分=2ns，t执=1ns，则100条指令全部执行完毕需要?ns 解析2*100+3=203ns。因为，每一个2ns就会取一条指令，所以2*100;当最后一条取完后还需要2+1来分析和执行。

Flash存储芯片工作原理概况

Flash 存储芯片工作原理: Flash 芯片并不是像光盘那样把信息刻上去的。为了更加清楚地说明，我首先让你知道计算机的信息是怎样储存的。计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与击，都可以表示0与1。硬盘就是采用磁性物质记录信息的，磁盘上的磁性物质被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因为磁性在断电后不会丧失，所以磁盘断电后依然能保存数据。而内存的储存形式则不同，内存不是用磁性物质，而是用RAM 芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”，就是画一个正方形再平均分成四份，这个“田”字就是一个内存，这样，“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了，这个储存空间极小极小，只能储存电子。。好，内存现在开始工作。内存通电后，如果我要把“1010”这个信息保存在内存（现在画的“田”字）中，那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的第一个空格你画一点东西表示电子，第二个空格不用画东西，第三个空格又画东西表示电子，第四个格不画东西。这样，“田”的第一格有电子，表示1，第二格没有，表示0，第三格有电子，表示1，第四格没有，表示0，内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质，必须有一个电源才能规则地运动，内存通电时它很安守地在内存的储存空间里，一旦内存断电，电子失去了电源，就会露出它乱杂无章的本分，逃离出内存的空间去，所以，内存断电就不能保存数据了。再看看U 盘，U 盘里的储存芯片是Flash 芯片，它与RAM 芯片的工作原理相似但不同。现在你在纸上再画一个“田”字，这次要在四个空格中各画一个顶格的圆圈，这个圆圈不是表示电子，而是表示一种物质。好，Flash 芯片工作通电了，这次也 是保存“1010”这个数据。电子进入了“田”的第一个空格，也就是芯片的储存空间。电子把里面的物质改变了性质，为了表示这个物质改变了性质，你可以把“田”内的第一个圆圈涂上颜色。由于数据“1010”的第二位数是0，所以Flash 芯片的第二个空间没有电子，自然里面那个物质就不会改变了。第三位数是1，所以“田”的第三个空格通电，第四个不通电。现在你画的“田”字，第一个空格的物质涂上了颜

存储系统和结构

第4章存储系统和结构 4.1 基本内容摘要 1、存储系统的组成 ◆存储器的分类 ◆主存 半导体存储器 SRAM、DRAM、ROM的基本电路 ◆辅存 2、主存的组织与操作 ◆半导体存储器的基本结构 ◆存储器中的数据组织 小端存放格式 大端存放格式 ◆半导体存储器的主要技术指标 存储容量 存储速度 ◆半导体存储器芯片的发展 DRAM芯片技术发展： FPM DRAM ；EDO DRAM ；SDRAM ；DDR SDRAM ◆主存储器的组织 SRAM HM 6116 DRAM Intel 2164 芯片的互联：位扩展、字扩展、字位扩展 ◆多体交叉存储技术 组成、工作原理 3、存储系统的层次结构 ◆层次化存储系统 ◆Cache-主存存储层次 ◆主存-辅存存储层次 4、高速缓冲存储器 ◆Cache的工作原理 Cache的结构 Cache的工作过程 ◆主存与Cache之间的地址映像

Cache的基本结构 地址映像和地址映像表 ◆直接映像 直接映像方式 主存地址 直接映像的访存过程 ◆全相联映像 全相联映像方式 主存和Cache的地址结构 主存和Cache的地址结构 全相联映像下的访存过程 ◆组相联映像 组相联映像方式 主存和Cache的地址结构 组相联映像下的访存过程 ◆替换策略和更新策略 三种替换算法：随机法、先进先出法、LRU法 更新策略：写回法、全写法、写装入法、写不装入法 5、虚拟存储器 ◆虚拟存储器的基本概念 虚拟存储器的工作原理 虚地址、实地址 ◆页式虚拟存储器 页式虚拟存储器地址结构 页式虚拟存储器的地址映像 页式虚拟存储器的地址变换过程 ◆段式虚拟存储器 段式虚拟存储器地址结构 段式虚拟存储器的地址映像 段式虚拟存储器的地址映像过程 ◆段页式虚拟存储器 段页式虚拟存储器的地址结构 段页式虚拟存储器的地址映像 段页式虚拟存储器的地址映像过程

内存型号说明

内存型号说明： Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36

各种体积单位换算表

各种体积单位换算表 立方米(m3) 升(L,dm3) 立方厘米(cm3,ml,C.C) 立方英尺(ft3) 立方英寸(in3) 英加仑(UK gal) 美加仑(U.S gal) 美油桶(US bbl) 立方米(m3) 1 103 106 35.3147 6.10237×104 2.19969×102 2.64172×103 6.28994 升(L,dm3) 10-3 1 10 3.53147×10-2 61.0237 2.19969×10-1 2.64172×10-1 6.28994×10-3 立方厘米(cm3,ml,C.C) 10-6 10-3 1 3.53147×10-5 6.10237×10-2 2.19969×10-4 2.64172×10-4 6.28994×10-6 立方英尺(ft3) 2.83168×10-2 28.3168 2.83168×104 1 1728 6.22883 7.48052 1.78109×10-1 立方英寸(in3) 1.63871×10-5 1.63871×10-2 16.3871 5.78704×10-4 1 3.60466×10-3 4.32901×10-3 1.0307×10-4 英加仑(UK gal) 4.54609×10-3 4.54609 4.54609×103 1.60544×10-1 2.7742×102 1 1.20095 2.85942×10-2 美加仑(U.S gal) 3.78541×10-3 3.78541 3.78541×103 1.33681×10-1 2.31×102 8.32674×10-1 1 2.38097×10-2 美油桶(US bbl) 1.58984×10-1 1.58984×102 1.58984×105 5.61447 9.701794×103 34.97156 41.99913 1

内存芯片数据库

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