半导体工艺试验-电子科技大学

微机电系统课程实验之三

采用湿法刻蚀技术制作微V型槽《微机电系统》课程组编写

电子科技机械电子工程学院

2005年5月

实验名称：采用湿法刻蚀技术制作硅微V 形槽

一、 实验目的

1、理解硅湿法刻蚀加工原理；掌握硅晶体晶向对湿法刻蚀过程、最终形成

结构形状的影响规律；

2、理解微加工工艺流程；通过运用硅湿法刻蚀加工装置、完成其腐蚀实验

过程，培养对微加工过程的具体感性认识； 3、学习微结构测试、分析的相关知识。

二、 实验任务

选择适当硅片，在其上表面上刻蚀平行V 型槽阵列，用于某MEMS 组装结构。周期350微米，槽宽205微米。槽数量3~5个。

三、 实验原理

1、 硅湿法刻蚀加工原理

硅是各向异性材料，因此对硅的不同晶面将有不同的腐蚀速率，基于这种腐蚀特性，可以在硅衬底上加工出各种不同的微细结构，例如我们将要加工的V 型槽。腐蚀剂可分为两类：一类是有机腐蚀剂，例如EPW （乙二胺，邻苯二酸和水按一定比例配成）、联胺；另一类是无机腐蚀剂，例如KOH 、NaOH 、LiOH 、CsOH 、NH 4OH 等等。由于有机腐蚀剂排放的气体有毒，所以我们将考虑采用氢氧化钾溶液作为腐蚀剂。其腐蚀的反应式为：

↑+=++232222H SiO K KOH O H Si

（2-1）

在有乙丙醇（（CH 3）2CHOH ，缩写为IPA ）参与的情况下，其反应式为：

+-+++=+H OH K O H KOH 22

（2-2） 2

6

2)(42--=++OH Si O H OH Si

（2-3）

即首先将硅氧化成含水的硅化物。

O H H OC Si CHOH CH OH Si 22673232

66])([)(6)(+=+--

（2-4）

由上述反应式可知，KOH 首先将Si 氧化成含水的硅化合物，然后与IPA 反应，形成可溶解的硅络合物，这种络合物不断离开硅的表面。 2、 湿法刻蚀加工中的各向异性与V 型槽的形成

(110) (100) (111)

图1 硅晶体的晶面

硅的湿法腐蚀速率与硅晶体的晶面方向有关，这是由硅晶体的各向异性特性得到的。正是硅晶体有此特性，才能制作出各种微细结构。

硅晶体中存在多个晶面，其中较为常用的有三个（目前市场上常见的硅片均是以这三个晶面为衬底）：（100）、（110）、（111）。晶面的相对位置如图1所示。

其中以（100）晶面为衬底的硅片具有以下腐蚀特性：在掩膜上刻出的任一种封闭图形，在经过长时间的腐蚀之后，都会形成〈110〉取向且四侧壁为{111}面的孔腔（注：〈110〉表示与[110]晶向同性质的一系列晶向，{111}表示与（111）晶面同性质的一系列晶向，晶向是晶面的法线），如图2所示。

由Si晶面性质可知，100晶面与111晶面的夹角为54.74°。图3的V型槽结构正是我们希望得到的。

图2 （100）为衬底的硅片腐蚀

图3 硅片上腐蚀出的V型槽结构

（硅片上镀了一层铬作为掩蔽层）

四、实验步骤

1、硅片准备

实验前要选择好硅片，要求以100晶面为衬底。在显微镜下判别硅片属于

（100）、（110）、（111）晶面基底的哪一种类型（可用显微镜观察背面，若是一些规则的正方形方块，则为100晶面）。

将沉积好二氧化硅薄膜的硅片镀上一层均匀的铬层（厚度约0.2μm），然后严格沿基准面平行的方向（110晶向）切割为小方块。

2、熟悉湿法刻蚀加工装置

KOH溶液腐蚀硅的速率与KOH的浓度、温度、晶向、有无IPA有关。为保证腐蚀过程中速率的稳定，所采用的湿法腐蚀装置在设计时须作以下考虑：

a.在腐蚀的化学反应过程中，Si表面的KOH溶液浓度不断变化，所以需

要搅拌装置不断的均匀搅动，以保证溶液的浓度稳定性；

b.高温下产生大量的水蒸气，改变了溶液的浓度，需要冷却回流装置；

c.需要恒温加热装置，以保持溶液的温度（同时保留温度计插孔）；

d.反应过程中有气体产生，需保留出气口。

按照以上考虑，设计并制作出用于KOH溶液的腐蚀装置，如图4所示。3、熟悉湿法刻蚀加工流程

其工艺流程如图5所示，过程为：用甩胶机镀上一层均匀的光刻胶，用光刻机曝光处理，去铬，去胶，去氧化层，然后用湿法腐蚀装置刻蚀V型槽。

要求观察、了解图5中工艺1到工艺6的操作过程，对于相应的设备仪器形成感性认识。

4、配腐蚀液

参考教材与参考资料上的配方，配成腐蚀液。

5、腐蚀

进行具体的腐蚀实验，观察其过程，总结规律，发现其中出现的最主要问题。

6、 测试

学习测试微V 型槽几何形状的有关方法，利用台阶仪等仪器得到微V 型槽几何参数准确数据。

图5 湿法腐蚀工艺流程

五、 实验内容

1、设计腐蚀系统配方；

2、根据实验原理和实验步骤指导内容，动手操作腐蚀实验，记录、分析实

验过程；

3、对微V 型槽形状尺寸进行测试，分析实验结果。

六、 思考题

1、采用（100）基底硅片湿法刻蚀出的微V 形槽底部角度数值是多少、如何

计算出？若采用（110）、（111）硅片湿法刻蚀，能否得到微V 形槽，形状如何？

2、实验中所选用的腐蚀液，对比其他腐蚀系统有什么特点？

3、设计硅微加工工艺过程的一般程序有何规律？

4、实验中作为腐蚀掩蔽层的二氧化硅的变化情况如何？如何更加有效地减

小二氧化硅塌边现象对V 型槽形状精度造成的影响？

5、 有那些测试方法可以测定V 型槽的几何形状与尺寸？使用台阶仪中最重

要的注意事项是什么？

工艺1：镀铬

工艺2：涂胶；烘烤固化

工艺3：曝光去胶，露出图形

工艺7：湿法腐蚀刻V 型槽 工艺6：去二氧化硅层

工艺5：去胶

工艺4：用去铬液去铬

电子科技大学微嵌实验最新版

电子科技大学微嵌实验最新版

电子科技大学 实验报告 修正了M00和旧版答案的错误，代码使用Keil uVision5 均已调试通过。课程名称微处理器系统结构与嵌入式系统设计_____________________ 实验名称ARM基础编程实验_____________________________________ 任课教师________ 实验教师 ________ 姓名 ______ 学号__________ 实验地点分组号时间年月日、实验目的 1.熟悉并掌握常用ARM匚编指令 2.熟悉并掌握C+汇编混合编程技术 3.熟练使用ARM软件开发调试工具Keil _、实验内容 1.学习使用Keil开发工具 2.使用ARM匚编语言，编程头现1+2+ ...... +N累加运算功冃匕 3.使用C调用汇编函数，实现字符串拷贝功能 4.使用汇编调用C函数，实现求和运算功能 5.使用ARM匚编语言，实现冒泡排序算法（选做） 三、实验步骤

1.实验1.1 :运行Keil ,建立工程文件，单步运行调试演示示例程 序，深刻理解每一条指令，观察寄存器，内存空间的变化。 2.实验1.2 :用汇编语言实现1+2+...+N的累加： a）建立新工程，加入实验1.2文件夹中的sum.s。 b）用汇编补充算法核心部分，代码参考流程图如下图 1.1所示。 c）使用单步调试，仔细观察过程中关键寄存器值的变化。 R0暂存累加和 图 3.实验1.3 : C调用汇编实现字符串拷贝功能： a）建立新工程，加入实验1.3文件夹中的ma in .c和 testfile.s（同一个工程下添加两个文件一起编 译）。 b）补充完成源代码中缺失的部分，分别实现 1.拷贝源字符串的一个字节到R2中； 2.将拷贝的字节复制到目标空间。 c）运行Debug进行调试。 4.实验1.4 :汇编调用C实现求和1+2+...+10 : a）建立新工程，加入实验1.4文件夹中的sum.c和 testfile.s（同一个工程下添加两个文件一起编 译）。 b）补充完成源代 码中缺失的部分，通过调用c函数 g（）实现1+2+3+glovb1，结果存在R8中。 c）运行Debug进行调试

电子科技大学 汇编 实验报告

计算机专业类课程 实 验 报 告 课程名称：汇编语言程序设计 学院：计算机科学与工程 专业：计算机科学与技术 学生姓名：郭小明 学号：2011060100010 日期：2013年12月24日

电子科技大学 实验报告 实验一 学生姓名：郭小明学号：2011060100010 一、实验室名称：主楼A2-412 二、实验项目名称：汇编源程序的上机调试操作基础训练 三、实验原理： DEBUG 的基本调试命令；汇编数据传送和算术运算指令 MASM宏汇编开发环境使用调试方法 四、实验目的： 1. 掌握DEBUG 的基本命令及其功能 2. 学习数据传送和算术运算指令的用法 3．熟悉在PC机上编辑、汇编、连接、调试和运行汇编语言程序的过程五、实验内容： 编写程序计算以下表达式: Z=(5X+2Y-7)/2 设X、Y的值放在字节变量VARX、VARY中，结果存放在字节单元VARZ中。 1．编辑源程序，建立一个以后缀为.ASM的文件. 2．汇编源程序，检查程序有否错误，有错时回到编辑状态，修改程序中错误行。无错时继续第3步。 3．连接目标程序，产生可执行程序。

4．用DEBUG程序调试可执行程序，记录数据段的内容。 六、实验器材（设备、元器件）： PC机，MASM软件平台。 七、实验数据及结果分析： 程序说明: 功能：本程序完成Z=(5X+2Y-7)/2这个等式的计算结果求取。其中X 与Y 是已知量，Z是待求量。 结构：首先定义数据段，两个DB变量VARX与VARY（已经初始化），以及结果存放在VARZ，初始化为？。然后定义堆栈段，然后书写代码段，代码段使用顺序程序设计本程序，重点使用MOV和IMUL以及XOR，IDIV完成程序设计。详细内容见程序注释。 程序清单：

半导体工艺主要设备大全

清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅 片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT 模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广 泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用 防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发 单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（ 120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年 1 月 14日 注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分； 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分 一、选择填空（含多选题）（2×20=40分） 1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指（ A ）的半导体。 A、(E C -E F )或(E F -E V )≤0 B、(E C -E F )或(E F -E V )≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。 A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型； E、禁带宽度； F、温度 5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i ；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导

体。 A 、E c ； B 、E v ； C 、E F ； D 、 E g ； E 、E i 。 67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C ）。 A 、变大，变大 B 、变小，变小 C 、变小，变大 D 、变大，变小 8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。 A 、E A ； B 、E B ； C 、E F ； D 、 E i ； E 、少子； F 、多子。 9、一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A 、1/4 B 、1/e C 、1/e 2 D 、1/2 10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。 A 、散射机构； B 、复合机构； C 、杂质浓度梯度； C 、表面复合速度。 11、下图是金属和n 型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面形成了（D ）。 A 、n 型阻挡层 B 、p 型阻挡层 C 、p 型反阻挡层 D 、n 型反阻挡层 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A 、W ms =0 B 、W ms ＜0 C 、W ms ＞0 D 、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性 13、MOS 器件中SiO 2层中的固定表面电荷主要是（ B ），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。 A ．钠离子； B 硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压 二、证明题：（8分） 由金属－SiO 2－P 型硅组成的MOS 结构，当外加的电压使得半导体表面载流子浓度n s 与内部多数载流子浓度P p0相等时作为临界强反型层条件，试证明：此时半导体的表面势为： 证明：设半导体的表面势为V S ，则表面的电子浓度为： 200exp()exp()S i S s p p qV n qV n n KT p KT == （2分） 当n s =p p0时，有：20exp( ),S p i qV p n KT = （1分）

电子秒表实验报告

电子技术设计性实训报告 学号：211002146 姓名：邱富烨 同组人：夏文彬 班级：03班 指导老师：林雪健 日期：2012.09.07

目录 一．实训目的---------------------------------------------------3二．设计功能要求---------------------------------------------3 三．电路设计---------------------------------------------------4 （一）电路框图--------------------------------------------4 （二）单元电路分析-------------------------------------4四．设计总图及其工作原理---------------------------------5 （一）工作原理--------------------------------------------5 （二）元件清单--------------------------------------------5五．电路调试--------------------------------------------------6 (一) 调试过程--------------------------------------------6 （二）故障分析与排除-----------------------------------7六．实训心得---------------------------------------------------8

电子科大电子技术实验报告

电子科技大学 电子技术实验报告 学生姓名：班级学号：考核成绩：实验地点：仿真指导教师：实验时间： 实验报告内容：1、实验名称、目的、原理及方案2、经过整理的实验数据、曲线3、对实验结果的分析、讨论以及得出的结论4、对指定问题的回答 实验报告要求：书写清楚、文字简洁、图表工整，并附原始记录，按时交任课老师评阅实验名称：负反馈放大电路的设计、测试与调试

一、实验目的 1、掌握负反馈电路的设计原理，各性能指标的测试原理。 2、加深理解负反馈对电路性能指标的影响。 3、掌握用正弦测试方法对负反馈放大器性能的测量。 二、实验原理 1、负反馈放大器 所谓的反馈放大器就是将放大器的输出信号送入一个称为反馈网络的附加电路后在放大器的输入端产生反馈信号，该反馈信号与放大器原来的输入信号共同控制放大器的输入，这样就构成了反馈放大器。单环的理想反馈模型如下图所示，它是由理想基本放大器和理想反馈网络再加一个求和环节构成。 反馈信号是放大器的输入减弱成为负反馈，反馈信号使放大器的输入增强成为正反馈。四种反馈类型分别为：电压取样电压求和负反馈，电压取样电流求和负反馈，电流取样电压求和负反馈，电流取样电流求和负反馈。 2、实验电路

实验电路如下图所示，可以判断其反馈类型累电压取样电压求和负反馈。 3.电压取样电压求和负反馈对放大器性能的影响 引入负反馈会使放大器的增益降低。负反馈虽然牺牲了放大器的放大倍数，但它改善了放大器的其他性能指标，对电压串联负反馈有以下指标的改善。 可以扩展闭环增益的通频带 放大电路中存在耦合电容和旁路电容以及有源器件内部的极间电容，使得放大器存在有效放大信号的上下限频率。负反馈能降低和提高,从而扩张通频带。 电压求和负反馈使输入电阻增大 当 v一定，电压求和负反馈使净输入电压减小，从而使输入电流 s

电子科技大学微处理器与嵌入式系统设计实验报告一

微处理器系统结构与嵌入式系统设计实验报告 微处理器系统结构与嵌入式系统设计实验名称 ARM基础编程实验 一、实验目的 1.熟悉并掌握常用ARM汇编指令 2.熟悉并掌握“C＋汇编”混合编程技术 3.熟练使用ARM软件开发调试工具Keil 二、实验内容 1.学习使用Keil开发工具 2.使用ARM汇编语言，编程实现1+2+……+N累加运算功能 3.使用C调用汇编函数，实现字符串拷贝功能 4.使用汇编调用C函数，实现求和运算功能 5.使用ARM汇编语言，实现冒泡排序算法（选做） 三、实验步骤 1.实验1.1：运行Keil，建立工程文件，单步运行调试演示 示例程序，深刻理解每一条指令，观察寄存器，内存空间 的变化。 2.实验1.2：用汇编语言实现1+2+...+N的累加： a)建立新工程，加入实验1.2文件夹中的sum.s。 b)用汇编补充算法核心部分，代码参考流程图如下 图1.1所示。 c)使用单步调试，仔细观察过程中关键寄存器值的 变化。

微处理器系统结构与嵌入式系统设计实验报告 RO=R0+R1 R1=R1+1 SUM_END 结果溢出？ R1>=N NO YES YES NO 图1.1 3. 实验1.3：C 调用汇编实现字符串拷贝功能： a) 建立新工程，加入实验1.3文件夹中的main.c 和testfile.s(同一个工程下添加两个文件一起编译)。 b) 补充完成源代码中缺失的部分，分别实现 1. 拷贝源字符串的一个字节到R2中; 2. 将拷贝的字节复制到目标空间。 c) 运行Debug 进行调试。 4. 实验1.4：汇编调用C 实现求和1+2+ (10) a) 建立新工程，加入实验1.4文件夹中的sum.c 和testfile.s(同一个工程下添加两个文件一起编译)。 b) 补充完成源代码中缺失的部分，通过调用c 函数g()实现1+2+3+glovb1，结果存在R8中。 c) 运行Debug 进行调试 5. 实验1.5：ARM 汇编实现冒泡算法： a) 建立新工程，加入实验1.5文件夹中的maopao.s 。 b) 补充完成源代码中缺失的部分，实现冒泡排序功能。 c) 运行Debug 进行调试 四、 实验结果 1. 实验1.2：用汇编语言实现1+2+...+N 的累加 R1自增1 R0暂存累加和

电子科技大学2012半导体物理期末考试试卷A试题答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 2012半导体物理学期末试题 一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，m n*/m0值是乙的2 倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载 流子将衰减到原来的（C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时，半导体具有（ B ）半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si中电子扩散系数Dｎ与ＮＤ有如下图（C ）所示的最恰当的依赖关系： ＤｎＤｎＤｎＤｎ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（A ）移动；当掺

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

电子科技大学微机实验报告 实验5

实验五基于ARM的模块方式驱动程序实验 【实验目的】 1.掌握Linux 系统下设备驱动程序的作用与编写技巧 2.掌握Linux 驱动程序模块加载和卸载的方法 3.了解Linux 内核中的makefile和kconfig文件 【实验内容】 1.基于s3c2440 开发板编写led 驱动程序。 2.将编写好的led驱动加入linux内核中，修改makefile和kconfig文件，配置和编译内核。 3.编写关于led 的测试程序，交叉编译后运行，控制led 灯的亮灭。 【预备知识】 1.了解ARM9处理器结构和Linux 系统结构 2.熟练掌握C语言。 【实验设备和工具】 ?硬件：ARM嵌入式开发平台，PC机Pentium100 以上。 ?软件：PC机Linux操作系统＋MINICOM＋AMRLINUX 开发环境 【实验原理】 ?linux设备驱动程序 ?驱动的模块式加载和卸载 ?编译模块 ?装载和卸载模块 ?led 驱动的原理 在本开发板上有八个led指示灯，从下往上分别为LED0-LED7。这八个led灯都是接的芯片上的gpio口（通用功能输入输出口）。在本实验的开发板硬件设计中，当led 灯对应的gpio的电平为低时，led灯被点亮；当led灯对应的gpio的电平为高时，led灯灭。本驱动的作用就是通过设置对应gpio口的电平来控制led 的亮灭。 因为ARM 芯片内的GPIO口都是复用的，即它可以被配置为多种不同的功能，本实验是使用它的普通的I/O口的输出功能，故需要对每个GPIO口进行配置。在内核中已经定义了对GPIO口进行配置的函数，我们只需要调用这些函数就可以完成对GPIO口的配置。 【实验步骤】实验程 序运行效果：

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化 第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光 第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验 第十章:高级光刻工艺 第十一章:掺杂 第十二章:淀积 第十三章:金属淀积 第十四章:工艺和器件评估 第十五章:晶圆加工中的商务因素 第十六章:半导体器件和集成电路的形成 第十七章:集成电路的类型 第十八章:封装 附录:术语表

#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述 本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。 目的 完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。 一个工业的诞生 电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。 这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。 真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。 真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。 真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。 这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

电子科大微嵌实验报告二

电子科技大学 实验报告 课程名称微处理器系统与嵌入式系统综合实验 实验名称实验二_SoC平台环境搭建 任课教师实验教师姓名学号 实验地点科B239 分组号时间年月日 一、实验目的 1、了解SoC平台环境搭建的具体操作流程 2、学习Xilinx Vivado&SDK 2017.3工具的使用 3、熟悉SoC平台环境搭建过程和工作原理 二、实验内容 以PS与PL协同设计实现GPIO为例，自行搭建SoC平台环境。 将FPGA当做一个PS处理器的外设，通过寄存器地址映射到PS的寻址空间。在处理器中使用C程序访问这些寄存器，来实现软件和逻辑结合的协同设计的效果。 具体步骤是先在VIVADO中配置ZYNQ处理器，做好FPGA的外设，互联完成之后生成BIT流文件下载到板子。在SDK环境下开发好软件之后，进行在线调试运行。 三、实验步骤 1.打开桌面VIVADO 2017.3，点击Create Project创建新工程。为新工程命名，选择工程 保存路径，点击Next。选择芯片xc7z020clg484-1，点击Next → Finish。点击Create Block Design，创建块设计，并命名 2.在右侧Diagram窗口空白处右击→ Add IP。搜索zynq，双击ZYNQ7 Processing System， 添加zynq处理器，并点击Run Block Automation，勾选处理器→点击OK，会自动进行一些配置 3.再添加两个GPIO核，在Diagram窗口空白处右击→ Add IP → 搜索gpio → 双击。操 作两次，添加两个AXI GPIO核，点击Run Connection Automation，勾选All Automation，点击OK，进行自动配置。自动连接之后在空白处右击选择Regenerate Layout，重新布

半导体工艺原理实验报告

半导体工艺原理实验附录 姓名：xxx 学号：xxx 指导教师：xxx 目录 实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验 (1) 详细实验步骤 (1) 实验结果 (4) 实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验 (5) 操作步骤 (5) 实验结果 (5) 第一组 (5) 第二组 (6) 第三组 (7) 第四组 (8) 其他组实验 (10) 实验三.刻蚀仿真实验 (13) 实验步骤 (13) 实验结果 (15) 实验四.超净间参观 (17) 参观过程 (17) 超净间定义 (17) 实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验 详细实验步骤 （1）（2）

（3）（4） （5）（6） （7）（8）

（9）（10） （11）（12） （13）（14）

（15）（16） （17）（18） 实验结果 晶片晶向时间（min）温度方式 1 100 1 890 900 880 2,3 表 1 参考参数 晶片号类型晶向氧化时间（min）氧化温度(?C)氧化厚度(A) 1Dry1102900180 2Dry11021000924 4Dry1112900183 3Dry11010900173 5Wet10010900669 6Wet10020900449 7Wet10030900660 8Wet110210001136 10Wet11010900902 9Wet11029003536 11Wet11129001310 表 2 实验数据

图 1 各组参数柱状图对比效果实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验实验时间：2015年12月4日星期五 操作步骤 操作步骤大体与实验一类似，按照提示操作即可。 实验结果 第一组 深度（130） 浓度 （13） 深度 （130） 浓度 （13） 深度 （130） 浓度 （13） 0.0015.450.7013.49 1.408.75 0.0517.080.7513.09 1.458.47 0.1017.680.8012.69 1.508.20 0.1517.790.8512.31 1.557.94 0.2017.630.9011.94 1.607.68 0.2517.330.9511.58 1.657.43 0.3016.95 1.0011.23 1.707.18 0.3516.53 1.0510.89 1.75 6.94 0.4016.10 1.1010.56 1.80 6.71 0.4515.65 1.1510.24 1.85 6.49 0.5015.20 1.209.92 1.90 6.27 0.5514.76 1.259.62 1.95 6.06 0.6014.33 1.309.32 2.00 5.87 0.6513.90 1.359.03 表 3 离子注入第一组数据

电子科技大学通信原理实验实验报告2

电子科技大学通信学院 最佳接收机（匹配滤波器） 实验报告 班级 学生 学号 教师任通菊

最佳接收机（匹配滤波器）实验 一、实验目的 1、运用MATLAB软件工具，仿真随机数字信号在经过高斯白噪声污染后最佳的恢复的方法。 2、熟悉匹配滤波器的工作原理。 3、研究相关解调的原理与过程。 4、理解高斯白噪声对系统的影响。 5、了解如何衡量接收机的性能及匹配滤波器参数设置方法。 二、实验原理 对于二进制数字信号，根据它们的时域表达式及波形可以直接得到相应的解调方法。在加性白高斯噪声的干扰下，这些解调方法是否是最佳的，这是我们要讨论的问题。 数字传输系统的传输对象是二进制信息。分析数字信号的接收过程可知，在接收端对波形的检测并不重要，重要的是在背景噪声下正确的判断所携带的信息是哪一种。因此，最有利于作出正确判断的接收一定是最佳接收。 从最佳接收的意义上来说，一个数字通信系统的接收设备可以看作一个判决装置，该装置由一个线性滤波器和一个判决电路构成，如图1所示。线性滤波器对接收信号进行相应的处理，输出某个物理量提供给判决电路，以便判决电路对接收信号中所包含的发送信息作出尽可能正确的判决，或者说作出错误尽可能小的判决。 图1 简化的接收设备 假设有这样一种滤波器，当不为零的信号通过它时，滤波器的输出能在某瞬间形成信号的峰值，而同时噪声受到抑制，也就是能在某瞬间得到最大的峰值信号功率与平均噪声功率之比。在相应的时刻去判决这种滤波器的输出，一定能得到最小的差错率。 匹配滤波器是一种在最大化信号的同时使噪声的影响最小的线性滤波器设计技术。注意：该滤波器并不保持输入信号波形，其目的在于使输入信号波形失 t输出信号值相对于均方根（输出）噪声值达到真并滤除噪声，使得在采样时刻 最大。

半导体器件工艺基础知识

半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 　通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。 电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞

电子科技大学 材料与能源学院 半导体物理 知识点

1.载流子、空穴：价带电子具有导电的特性，用空穴导电来描写，即价带中不被电子占据 的空状态，空穴带正电荷+q，能量坐标与电子相反。在常温下由于热激发，使得一些价电子获得足够的能量脱离共价键的束缚成为自由电子，同时共价键上留下一个空位即空穴。 2.引入空穴的意义：把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来。半导体中有 电子和空穴两种载流子，而金属中只有电子一种载流子（荷载电流的粒子） 3.杂质的补偿作用：半导体中同时存在施主和受主杂质，因为施主和受主之间有相互抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 4.分布函数 5.等电子陷阱:固体中的等电子杂质以短程作用为主的俘获电子或空穴所形成的束缚态 6.本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体，靠热激发产生载流子。 7.费米能级的意义：系统处于热平衡状态，不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子 所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，即系统的费米能级。处于热平衡状态的系统具有统一的化学势，即处于热平衡的电子系统有统一的费米能级。费米能级位置直观标志了电子占据量子态情况。费米能级标志了电子填充能级的水平。对系统而言，Ef 位置越高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 8.有效质量 9.电离能 10.杂质电离、施主杂质、受主杂质（举例说明）： 施主杂质以Si掺杂P为例，一个磷原子占据了了硅原子的位置，磷原子的最外层有五个电子，其中四个与相邻的半导体原子形成了共价键，还剩一个价电子，同时磷原子所在处也多余一个正电荷+q，所以P替代Si之后形成了一个正电中心P+和一个多余的价电子，这个多余的价电子就束缚在正电荷中心周围。但束缚作用较共价键弱得多，少许能量即可使其挣脱为自由电子。这时磷原子就少了一个价电子的磷离子，它是一个不能移动的正电中心。上述电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离，使价电子挣脱束缚成为导电电子的能量为杂质电离能ΔED，将被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级E D 受主杂质（缺少一个电子从硅原子中夺取一个电子，在硅晶体的共价键中产生一个空穴，B接受电子成为不能移动的负电离子中心），将被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级E A 11.迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度，单位是m2/V.s或cm2/V.s 12.电导率和迁移率的关系 13.杂质散射和格波散射 电离杂质产生带电离子，引入了库伦势场这一附加势场使载流子散射破坏了周期势场格波散射：晶格振动（格波）的散射：长纵学波起主要作用 1）声学波：交换动量作用 2）光学波：交换能量作用 14.直接复合和间接复合 直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合 15.复合中心和陷阱中心 复合中心：半导体中杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级，杂质缺陷越多，寿命就越短，杂质和缺陷有促进复合的作用，这些促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。间接复

project实验报告材料

实验报告 一、分析思路 实验开始前，根据案例分析要求，运用Visio软件对project文档编制项目计划的思路及过程进行了编绘，思路图如下： 二、案例分析过程 （1）新建project文件，在文件选项卡，项目信息中设置项目标题为“笔记本开发”；保存文件，命名为“89+1306100114+李幸果”，打开项目选项卡下的项目信息，设置项目开始时间为“2016年1月1日”；

（2）在文件选项卡的“选项”中打开project选项窗口，按照项目信息设置日程信息，设置项目每周开始于“星期一”即周一，财政年度开始于“八月”，默认开始时间为“9:00”，默认结束时间为“18:00”如下：

点击项目选项卡下的“更改项目时间”打开相应窗口，启用并编辑日历“标准”，根据项目组规定，在“默认”的中点击“详细信息”，设置工作日工作时间为“9:00-12:00/13:00-18:00”；

在“例外日期”中添加（元旦、春节、劳动节、国庆节）休假时间，安排为法定节假日放假；

录入项目信息，分别设置项目之间的关系以及前置任务；

录入资源信息，按照资源信息表分配各个任务资源； （3）查看项目的初步计划：打开甘特图视图，初步查看项目的计划情况； （4）检查项目的进度、成本和资源情况： “工期”——形成项目初步计划后，我发现项目的工期与任务信息表不符，项目完成时间为2019年2月19日，超过了项目计划的计划时间2018年12月31日； 调整方法： A．方法一：部分任务的工作日过长，对工期进行缩减：将任务“评估生产过程的稳定性和成本效益”原来的工期30日缩减至“20日”（如下图），操作过后项目结束时间提前到了“2019年2月5日”，有效缩短工期；

电子科技大学实验报告撰写模板

电子科技大学 实验报告 ( 2018 - 2019 - 2 ) 学生姓名：学生学号：指导老师： 实验学时：1.5h 实验地点：基础实验大楼425 实验时间：2019.4.9 14：30—16：00 报告目录 一、实验课程名称：电路实验I 1.实验名称：BJT放大器设计与测试 二、实验目的： 1. 了解BJT管的基本放大特性。 2. 掌握BJT共射放大电路的分析与设计方法。 3. 掌握放大电路静态工作点的测试方法。 4. 掌握放大电路放大倍数（增益）的测试方法。 5. 掌握放大电路输入、输出电阻的测试方法。 6. 掌握放大电路幅频特性曲线的测试方法。 三、实验器材（设备、元器件）： GDS1152A型数字示波器一台。 EE1641B1型函数发生器一台。

通用面包板一个。 1kΩ电阻；10mH电感；0.047μF电容若干。 四、实验原理：

3、测试方法 （1）静态工作点调整与测试 对直流电压的测量一般用数字万用表。测量静态工作点时测出晶体管各管脚对地的电压。 （2）放大倍数的测试 用晶体管毫伏表或者示波器直接测量输出、输入电压，由 Av=vo/vi 即可得到。（3）放大器输入电阻的测试

在放大器输入端口串入一个取样电阻R，用两次电压法测量放大器的输入电阻Ri。 （4）放大器输出电阻的测试 在放大器输出端口选择一个合适的负载电阻RL，用两次电压法分别测量空载与接上负载时的输出电压，计算输出电阻Ro。 （5）放大器频率特性的测试 用点频法测试法测量放大器的频率特性，并求出带宽。 五、实验内容： （1）静态工作点的测试 （2）电压增益测试 （3）输入电阻测试 （4）输出电阻测试 （5）幅频特性测试 六、实验数据及结果分析： 1、静态工作点调整与测试 令VCC=+12V，用万用表测量VE、VB、VC，计算VBE、IEQ、VCE，数据记入表格中。 2、放大倍数的测试 用函数发生器输出一个正弦波信号作为放大器的输入信号，设置信号频率 f =1kHz，(有效值)Ui=5mV，测量U0 ，计算放大器的电压放大倍数（增益）Av。数据填入表中，定量描绘输出波形图。