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中国科学院大学微电子学院2020年硕士研究生招生考试复试考生名单

微电子学院2020年硕士研究生招生考试复试考生名单

北京中国科学院大学2013年考研光学真题

（北京）中国科学院大学2013年考研光学真题中国科学院大学 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题科目名称：光学考生须知： 1．本试卷满分为 150 分，全部考试时间总计 180 分钟。 2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。 3．可使用无字典存储和编程功能的计算器。 1. 概念题(15 分，每小题 3 分) 1) 解释光的反射定律和光的折射定律 2) 解释光学系统的孔径光阑和视场光阑 3) 解释辐照度和辐亮度 4) 同一个物体，经针孔与平面镜所成的像有何不同？ 5) 在夜晚的江面上，为什么路灯生成的倒影是拉得很长的一条光带？

2. 置于空气中的平凸薄透镜，其光焦度为 2 ?1m ，折射率为 1.5，求薄透镜焦距和凸面的半径。（6 分） 3. 有一个焦距为 200mm 的胶片照相机，在速度为 18km/h 的列车上拍摄 10m远的物体，如果拍摄的方向垂直于列车前进方向，求能够拍摄到清晰照片时，允许的最长曝光时间是多少？（假定人眼的极限分辨角为 1 角分）(8 分) 4. 显微镜目镜焦距为 25mm，使用此显微镜分辨清楚相邻 0.00075mm 的两个点，求需要选择物镜的倍率是多少？（假定人眼的视角分辨率为 1 角分，即 0.0003弧度）（8 分） 5. 一架 10×的开卜勒望远镜，物镜焦距为 100mm，求望远镜目镜焦距？与观察无限远目标相比，当用此望远镜观察距离 500mm 处的目标时，需要的调焦距离是多少？假定该望远镜的物镜和目镜之间有足够的调焦可能，求此时仪器的实际视放大率等于多少。(13 分)

6. 今有一振动方向与入射面的法线成45度角的线偏振光以48 37′角入射到玻璃空气界面上，玻璃折射率为n=1.51。试确定反射光的偏振状态(光电场矢量末端轨迹、旋向)。 (12 分) 7. 一束振动方向垂直于入射面的线偏振激光和一束太阳光分别以60 角斜入射到折射率为n = 1.5的窗玻璃上，若不计玻璃内的多次反射和折射，求其透过率，并说明它们透过窗玻璃后的偏振状态将发生怎样的变化。 (14 分) 8. 今有一波长为λ = 5μm 的红外光垂直入射到两表面镀有折射率为n = 2.35 膜层的锗片( n = 4 )上，膜层的光学厚度为 1.25μm，若不计吸收损耗，试计算该光透过锗片后光能的损失为多少？ (10 分) 9. 在杨氏实验中，点光源为中心波长λ = 500nm 、线宽?λ = 10nm 的复色光源，试求观察屏上最多能看到多少级干涉条纹。 (12 分)

中国科学院微电子研究所考研大纲(考研,复试,保研面试)

中国科学院微电子研究所考研大纲（考研，复试，保研面试）本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。一、考试内容（一）半导体的电子状态：半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂质和缺陷能级：硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级（三）半导体中载流子的统计分布状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体（四）半导体的导电性载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应（五）非平衡载流子

非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式（六）p-n结 p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应（七）金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触（八）半导体表面与MIS结构表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响（九）异质结异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用二、考试要求（一）半导体的晶格结构和电子状态 1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。 2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。 3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。 4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。 5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。 6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。

大一微积分公式

有关高等数学计算过程中所涉及到的数学公式（集锦）一、0 101101lim 0n n n m m x m a n m b a x a x a n m b x b x b n m --→∞?=??+++? =??? （系数不为0的情况）二、重要公式（1）0sin lim 1x x x →= （2）()1 0lim 1x x x e →+= （3 ）)1n a o >= （4 ）1n = （5）lim arctan 2x x π→∞= （6）lim tan 2 x arc x π →-∞=- （7）lim arc cot 0x x →∞ = （8）lim arc cot x x π→-∞ = （9）lim 0x x e →-∞ = （10）lim x x e →+∞ =∞ （11）0 lim 1x x x + →= 三、下列常用等价无穷小关系（0x →） sin x x tan x x a r c s i n x x arctan x x 2 11c o s 2 x x - ()ln 1x x + 1x e x - 1l n x a x a - ()11x x ? +-? 四、导数的四则运算法则 ()u v u v '''±=± ()uv u v uv '''=+ 2u u v uv v v '''-??= ??? 五、基本导数公式 ⑴()0c '= ⑵1 x x μμμ-= ⑶()sin cos x x '= ⑷()cos sin x x '=- ⑸()2 tan sec x x '= ⑹()2 cot csc x x '=- ⑺()sec sec tan x x x '=? ⑻()csc csc cot x x x '=-? ⑼()x x e e '= ⑽()ln x x a a a '= ⑾()1 ln x x '=

中国科学院大学研究生课程学习及学分要求暂行规定

附件4 中国科学院大学研究生课程学习及学分要求暂行规定（2015年3月16日校长办公会议通过）根据《中国科学院大学学位授予工作细则》、《中国科学院大学关于研究生课程设臵的指导意见》和《中国科学院大学研究生课程教学组织管理暂行规定》，结合中国科学院大学（以下简称“国科大”）研究生培养的实际情况，特制定本规定。一、总则 1.本规定旨在规范国科大在学研究生有关学分要求、选课、考核等课程学习过程中的相关事项。此处“研究生”指的是在国科大正式注册的研究生，即按照国家招生计划录取的、在国科大校部和中国科学院所属各研究院、所、台、站、中心等单位（以下简称“研究所”）攻读硕士（以下简称“硕士生”）和博士学位的研究生，包括硕博连读研究生（以下简称“硕博生”）、直博生和普通招考博士研究生（以下简称“普博生”）。 2.国科大研究生的培养贯穿于国科大校部组织的集中教学阶段和在科研院所的科研实践阶段。集中教学阶段为期1个学年，一般包括秋季、春季和夏季学期。硕士生、硕博生、直博生须参加集中教学阶段的课程学习，

特殊情况须经国科大教学委员会批准。二、学分要求 3.国科大研究生的培养实行学分制，研究生获得学位所需的学分，由课程学习学分和必修环节学分两部分组成，二者不能相互替代。必修环节包括开题报告、中期考核、学术报告和社会实践等部分，由各研究所依据国科大有关培养方案的规定，结合学科特点、研究生工作量等因素核定学分和完成期限。 4.硕士生申请硕士学位前，总学分应不低于35学分，包括课程学习30学分和必修环节5学分。课程学习包括学位课和非学位课的学习。学位课学分不低于18学分，其中，公共学位课6学分，专业学位课不低于12学分。非学位课中公共选修课不低于2学分。专业学位硕士研究生在上述规定前提下，参照国科大相关培养方案，工程硕士必须修读《知识产权》、《信息检索》和《专业英语》三门公共课，共计4学分。参加集中教学的硕士生，在集中教学阶段，课程学习总学分应不低于25学分，其中，公共学位课6学分，非学位课中公共选修课不低于2学分。 5.硕博生与直博生在申请博士学位前，总学分应不低于42学分，包括课程学习37学分和必修环节5学分。课程学习包括学位课和非学位课的学习。学位课学分不低于25

2020年中国科学院大学地图学与地理信息系统考研招生情况、分数线、参考书目、录取名单、备考经验

一、资源与环境学院简介中国科学院大学资源与环境学院（资环学院）成立于2004年，是中国科学院大学的基础学院之一。著名自然地理学家秦大河院士任名誉院长，著名环境科学专家江桂斌院士任院长。师资队伍及科研遵循“三统一、四融合”的科教融合办学方针，资环学院由中国科学院生态环境研究中心承办，地理科学与资源研究所与植物研究所协办。学院与欧美、日本、澳大利亚等国家的大学和研究机构有着密切的学术合作，具有多个硕、博士生联合培养项目，为有志于出国深造的研究生开辟了一条便捷途径。资源与环境学院的研究生除了可申请教育部设立的各种奖学金外，还可以申请“中国科学院研究生奖学金”、“中国科学院院长奖学金”等各类奖学金，同时，实行“研究助理”、“管理助理”和“教学助理”制度，有利地保证了研究生正常生活与学习需求。资源与环境学院2019年预计招收硕士学位研究生30名（包括: 预计接9收推免生10名；环境材料与污染控制技术研究中心约4名；建筑研究与设计中心约4名）。二、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业招生情况、考试科目三、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业分数线

2018年硕士研究生招生复试分数线 2017年硕士研究生招生复试分数线四、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业考研参考书目 843遥感概论： 1. 赵英时等，《遥感应用分析原理与方法》（第二版），北京：科学出版社2013. 2. 梅安新等，《遥感导论》，北京：高等教育出版社，2010. 3. 戴昌达等，《遥感图像应用处理与分析》，北京：清华大学出版社，200 4. 839地理信息系统： [1] 张康聪（Kang-tsung Chang）（作者）, 陈健飞等（译者），地理信息系统导论（第八版），科学出版社，2016年。 [2] 周成虎，裴韬等，2011. 地理信息系统空间分析原理，科学出版社。 841生态学： 1.戈峰主编，现代生态学（第二版），北京：科学出版社, 2008 2.李博主编，生态学，北京：高等教育出版社，2000 五、中国科学院大学地图学与地理信息系统专业复试原则 1.英语测试。满分100分，包括：英文自我介绍（不超过3分钟）（20分）、英文听力会话（30分）、科技文献翻译（50分）。评分标准：从语法、词汇、表达与交流等方面考察综合运用英语的能力 2.业务能力测试。满分100分，包括：本科阶段课程学习情况；科研工作情况；专业知识问答。评分标准：（1）现有专业知识与硕士期间计划从事的科研活动的吻合程度(20分) （2）掌握知识的广度、深度和扎实程度（20分）

航天火箭公司(航天704所) - 首页-中国科学院大学就业网

航天火箭公司（航天704所） 2013年应届毕业生专场招聘会日程安排友情提示： 1.具体时间地点，请以学校通知为准。 2.招聘会类型说明： 1）航天704所专场是航天火箭公司自行组织的招聘宣讲会，时间大约1个小时，内容包括三个部分:（1）播放宣传纪实短片，（2）介绍公司情况、招聘需求及相应的政策等，（3）现场接收应聘材料。2）航天科技集团专场：展会式招聘，由于场地限制，当场只能张贴海报，发放宣传页，接收简历。3.若有意应聘航天火箭公司（航天704所）的同学，请提前填妥《应聘申请表》。宣讲会后将《应聘申请表》、简历和成绩单等应聘材料一并递交给工作人员。 4.建议有意向的同学们参加航天704所专场，以较为全面的了解单位情况，提高应聘的针对性和有效性。 5.由于每场招聘会的内容相同，同学们可根据自己情况选择适合时间参加其中任何一场。如希望详细了解单位情况，建议参加航天704所专场。日期学校招聘会类型9月14日周五西安电子科技大学航天704所专场 9月15日周六西北工业大学航天704所专场 9月15日周六大连理工大学航天科技集团专场 9月18日周二哈尔滨工业大学航天704所专场 9月19日周三哈尔滨工程大学航天704所专场 9月22日周六哈尔滨工业大学航天科技集团专场 9月23日周日北京航空航天大学航天704所专场 9月24日周一北京理工大学航天704所专场 9月25日周二长春理工大学航天科技集团专场 9月25日周二中科院研究生院航天704所专场 9月27日周四天津大学航天科技集团专场 10月11日周四电子科技大学（成都）航天704所专场 10月11日周四南京航空航天大学航天704所专场 10月11日周四东南大学航天704所专场 10月12日周五南京理工大学航天704所专场 10月14日周日南京理工大学航天科技集团专场 10月15日周一南京航空航天大学航天科技集团专场 10月17日周三上海交通大学航天科技集团专场 10月19日周五浙江大学航天科技集团专场 10月19日周五中国科学技术大学航天704所专场 10月21日周日中国科学技术大学航天科技集团专场 10月22日周一华中科技大学航天704所专场 10月22日周一武汉大学航天704所专场 10月23日周二华中科技大学航天科技集团专场 10月24日周三武汉大学航天科技集团专场 10月27日周六西北工业大学航天科技集团专场 10月28日周日西安电子科技大学航天科技集团专场 11月1日周四四川大学航天科技集团专场 11月2日周五电子科技大学（成都）航天科技集团专场 11月2日周五厦门大学航天704所专场 11月4日周日重庆大学航天科技集团专场 11月9日周五清华大学航天科技集团专场 11月10日周六北京航空航天大学航天科技集团专场 11月11日周日北京理工大学航天科技集团专场

中国科学院大学学生户口使用

中国科学院大学学生户口使用指南国科大学生处户籍办公室编 2015年3月一、基本信息 1、国科大学生集体户口基本信息户口首页地址：北京市海淀区中关村南一条3号户口登记机关：北京市公安局海淀分局中关村派出所户口类型：非农业集体户口 2、中关村派出所基本信息办公地点：北京市海淀区中关村南三街甲15号（中国科学院行政管理局西侧）办公时间：9:00-12:00，14:00-17:00 咨询电话： 3、国科大学生处户籍管理办公室基本信息业务范围：新生户口落户，毕业生户口迁出，在校生户口卡借用、复印件及开具户籍证明办公地点：北京市海淀区中关村东路80号（保福寺桥南）青年公寓东平房131室咨询电话：（周末不上班，节假日及寒暑假另行通知） 4、国科大教职工、博士后集体户口由户籍办管理联系电话：二、新生户口迁移指南 1、学生户口是否需要迁到学校？学生进入中国科学院大学就读，可自愿选择是否将户口迁入学校集体户口。户口迁移仅限入学或离校（毕业/退学）时办理，在校期间无法将户口迁入或迁出。 2、学生户口迁入学校有何作用？学生在校就读期间将个人户口迁入学校集体户口，便于就近办理出入境证件及签证、结婚生育手续、无犯罪证明、公证以及其他需要户口材料的手续。不迁入集体户口不影响毕业后的留京落户。 3、哪些新生的户口可以迁到学校？由中科院北京地区研究所录取的非定向研究生，可自愿选择将户口迁入学校；录取类型为定向、委托或非脱产自筹培养研究生，不能办理户口迁移手续；

已持有北京市、上海市常住家庭户口或工作单位集体户口的新生，户口不迁入学校；春季入学/转博的研究生，可于当年9月份随秋季新生一起办理户口迁入。 4、新生户口迁入地址由京外地区持《户口迁移证》迁入的新生务必确保迁移地址准确，否则无法落户。 5、新生户口迁移材料具体要求 ①从京外地区迁入的新生，需上交《户口迁移证》。迁移证中“出生地”和“籍贯”两项信息必须具体到市或县，且婚姻状况不得为空。如有遗漏必须返回迁出地派出所更正（手写更正处需盖章确认）或提交相应证明材料。否则不予接收，无法落户。 ②来自北京各高校的新生，需上交《常住人口登记卡》。户口卡中“出生地”和“籍贯”两项信息必须具体到市或县，且婚姻状况不得为空。如有遗漏必须返回原派出所更正，否则不予接收，无法落户。 6、新生如何办理北京市身份证？根据北京市公安机关规定，持《户口迁移证》入校的京外新生，可在入学时同时办理北京市居民身份证。办理时需采集个人照片及指纹，并缴纳工本费20元/人。具体时间安排请留意相关通知。采集身份证照片时，请穿着深色有领衣服，露出眉毛及耳朵，勿佩戴首饰、发饰，勿化浓妆。7、新生入学多久后可以使用户口？因涉及信息核查、材料制作、指标审批等手续，入学新生（含春季、秋季新生）的户口一般要到当年12月底方可使用，具体时间以相关通知为准。启用同时发放京外迁入新生的北京市身份证。三、在校生户口使用指南 1、在校生如何借用户籍材料？在校生借用户口，需首先到所在研究所（院系）研究生主管老师处开具借用户口的介绍信，准确填写借用事由，经办人签字后分别在骑缝处及落款位置加盖公章。于工作时间持介绍信及本人学生证到学生处户籍管理办公室办理相关事宜。 2、在校生如何办理出入境证件？（详见附件1）（1）因私出入境证件包括：普通护照、《往来港澳通行证》、《大陆居民往来台湾地区通行证》；（2）户口已迁至学校的在校生办理因私出入境证件，可直接进入北京市公安局网站在线预约，并持身份证原件及近期二寸免冠白底彩色照片（不需户口）前往预约受理大厅办理即可；（3）户口未迁入学校集体的在校生也可在京办理出入境证件，需首先进入北京市公安局网站在线预申请，申请审核通过后网上预约，根据预约的时间，持①个人户口簿原件及复印件②居民身份证

中科院微电子所介绍

招生简介中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。现有职工622人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员91人，上岗研究生导师74名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发、电子封装）。本专业一级学科为电子科学与技术。作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：430109）和集成电路工程（代码：430110）两个领域招收全日制专业学位研究生。我所2011年度研究生招生仍为国家计划内公费。专业代码： 080903 专业名称：微电子学与固体电子学学科专业研究方向与导师 w 硅器件及集成技术该方向为一室、九室、十室研究方向，主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。这些研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力，并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。目前正在致力于下一代纳米级的 CMOS新结构器件与电路、新工艺技术、高可靠性集成电路设计技术与新型MEMS器件与集成，以及先进电子封装技术的研究。导师简介韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师杜寰男 1963年出生副研究员硕士生导师欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师万里兮男 1955年出生研究员博士生导师曹立强男 1974年出生研究员硕士生导师陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师王文武男 1973年出生研究员博士生导师

大学高数常用公式大全

高等数学公式导数公式：基本积分表：三角函数的有理式积分： 2 22212211cos 12sin u du dx x tg u u u x u u x += =+-=+=，　，　，　 a x x a a a ctgx x x tgx x x x ctgx x tgx a x x ln 1)(log ln )(csc )(csc sec )(sec csc )(sec )(2 2 = '='?-='?='-='='2 2 22 11 )(11 )(11 )(arccos 11 )(arcsin x arcctgx x arctgx x x x x +- ='+= '-- ='-= '? ?????????+±+=±+=+=+=+-=?+=?+-==+==C a x x a x dx C shx chxdx C chx shxdx C a a dx a C x ctgxdx x C x dx tgx x C ctgx xdx x dx C tgx xdx x dx x x )ln(ln csc csc sec sec csc sin sec cos 222 22 22 2C a x x a dx C x a x a a x a dx C a x a x a a x dx C a x arctg a x a dx C ctgx x xdx C tgx x xdx C x ctgxdx C x tgxdx +=-+-+=-++-=-+=++-=++=+=+-=????????arcsin ln 21ln 211csc ln csc sec ln sec sin ln cos ln 2 2222222? ????++-=-+-+--=-+++++=+-= ==-C a x a x a x dx x a C a x x a a x x dx a x C a x x a a x x dx a x I n n xdx xdx I n n n n arcsin 22ln 22)ln(221 cos sin 22 2222222 2222222 22 2 22 2 ππ

中科院微电子所硕博连读培养方式

中国科学院微电子研究所硕-博连读研究生培养方案 2009-10-12 | 编辑： | 【大中小】【打印】【关闭】为加强我所攻读硕士学位研究生的培养工作，进一步提高硕士生的培养质量，根据国家和中国科学院的相关文件的精神，并根据我所的具体情况，特制定攻读硕士学位研究生的培养方案如下：培养目标我所攻读硕士学位研究生的培养目标是：进一步学习、掌握马克思主义的基本原理，树立为社会主义现代化建设事业服务的理想。在攻读学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识；掌握一门外国语（英语）；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。具有健康的体格。学习年限硕士学位研究生的学习年限一般为三年，学位课程学习时间为一年，从事学位论文相关的科学研究和撰写论文为二年至三年。正常情况下，如不能按时毕业者，若完成学习任务，论文答辩未通过，作结业处理。确实由客观因素未能按时完成学习任务，必须由导师提出申请，经研究生部核准，可延长半年至一年，延长学习的时间不计算学制。在职硕士学位研究生的学习年限3年半，论文工作必须结合本职工作。硕士学位研究生一般不得提前毕业。培养方式政治理论学习与经常性政治、思想、纪律和理想教育相结合。对硕士生除开设必修的政治理论课外，还应加强形势、政策、理想、法纪、道德品质和爱国主义教育。同时，在完成学习任务的前提下，积极开展社会主义公益和社会实践活动。贯彻学位课程和论文工作并重的原则。硕士生既要系统地学习理论，也要接受独立从事科

学研究的实践锻炼。贯彻指导教师负责带教和指导教师小组集体培养相结合的原则。导师应该从政治思想和业务学习两方面关心和教育硕士生。指导教师根据本专业培养方案规定的原则和要求，结合研究方向，制定硕士生的培养计划，对学位课程和论文作出具体安排。硕士生应在导师指导下制定本人学习计划，选修课程必须征得导师或学科点学术秘书的同意；完成学位课程学习计划后，必须在一学期内完成调研工作并转入论文正式工作。建立每学年年终评比奖励优秀研究生制度，对品学兼优的研究生进行表彰和奖励，以鼓励先进，在研究生中形成积极上进的气氛。研究专业我所攻读硕士学位专业为：微电子学与固体电子学（工学）。课程学习硕士学位研究生课程分为公共必修课、专业必修课和选修课三大类。学位课程的设置应遵循以下原则： ?公共必修课应按国家统一设置； ?专业必修课六门，按一级学科范畴设置，体现本专业和知识面宽的特点；并设置本学科实验技能方面的课程； ?必修课应相对稳定，课程内容比较成熟，覆盖面较宽，符合本学科发展要求； ?避免与本学科课程中设置内容上的不必要重复； ?为了适应科学技术的发展，在加强基本理论学习的同时，课程设置要有一个合理的知识

中国科学院大学硕士研究生入学考试

中国科学院大学硕士研究生入学考试《光学》考试大纲一、考试科目基本要求及适用范围概述《光学》考试大纲适用于“光学”、“光学工程”、“物理电子学”等专业的硕士研究生入学考试。本课程考试旨在考查学生对光学的基础理论、基本知识和基本技能掌握的程度，以及运用所学理论解决基本实际问题的能力。二、考试形式和试卷结构本课程考试形式为闭卷笔试，考试时间180分钟，总分150分。考试内容包括物理光学和应用光学两部分，各占比例约60%和40%。考试内容中基本概念和基本理论的考核占60%，综合和实际应用的考核占40%。主要题型有：简答题，计算题等。三、考试内容物理光学部分（一）光的电磁理论基础 1. 光波的特性：光波场的数学表示，光波的速度，光波场的时域、空域频谱，光波场的横波性及偏振态表示。 2. 光波在介质界面上的反射和折射：反射定律和折射定律，菲涅耳公式，反射率和折射率，反射和折射的相位、偏振特性，全反射。（二）光的干涉 1. 光波干涉的基本条件，光的相干性； 2. 双光束干涉、平行平板的多光束干涉； 3. 光学薄膜：增透膜，高反射膜，干涉滤光片； 4. 典型的干涉仪：迈克尔逊干涉仪，马赫-泽德干涉仪，法布里-珀罗干涉仪。（三）光的衍射 1. 光衍射的基本理论； 2. 夫朗和费衍射：单缝衍射，圆孔衍射，多缝衍射，巴俾涅原理； 3. 菲涅耳衍射：菲涅耳圆孔衍射，菲涅耳直边衍射；

4. 衍射的应用：光栅，波带片，小孔、细线直径测量，狭缝测量； 5. 傅里叶光学基础。（四）光在各向异性介质中的传播特性 1. 光在晶体中传播特性的解析法描述、几何法描述，光在各向同性介质、单轴晶体中的传播特性； 2. 平面光波在晶体界面上的反射和折射特性：双折射，双反射； 3. 晶体光学元件：偏振棱镜，波片和补偿器； 4. 晶体的偏光干涉； 5. 晶体的旋光性。（五）晶体的感应双折射 1. 晶体的线性电光效应及应用； 2. 声光效应（喇曼-乃斯衍射、布喇格衍射）及应用； 3. 法拉第效应。（六）光的吸收、色散和散射光的吸收、色散和散射基本概念。应用光学部分（七）几何光学基础 1. 基本概念和基本定律：光的直线传播定律，折射和反射定律，费马原理，马吕斯定律； 2. 基本光学元件及其成像特性：符号规则，折射球面及其近轴区物像关系，反射球面镜及其近轴区物像关系，反射平面镜成像的特点和应用，平板的成像公式及其应用，反射棱镜及其成像，透镜及其成像，共轴球面光学系统及其成像。（八）理想光学系统及其成像关系 1. 理想光学系统的基点和基面及其性质； 2. 图解法确定理想光学系统的物像关系和基点、基面； 3. 解析法确定理想光学系统的物像关系—成像公式和放大率公式； 4. 理想光学系统的组合（双光组组合公式、截距法和正切法求解多光组组合公式）。（九）光学系统像差基础和光路计算 1. 光学系统的像差及光路计算：像差的基本概念，共轴球面光学系统中近轴区的光路计算，共轴球面光学系统中子午面内光线的光路计算；

北京中国科学院大学2012年考研高分子化学与物理真题

（北京）中国科学院大学2012年考研高分子化学与物理真题中国科学院研究生院2012 年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题科目名称：高分子化学与物理考生须知： 1．本试卷满分为 150 分，全部考试时间总计 180 分钟。 2．所有答案必须写在答题纸上，写在试题纸上或草稿纸上一律无效。 3. 可以使用无字典存储和编程功能的电子计算器。高分子化学部分（75 分）一、名词解释 (共10分，每小题2分) 1. 环氧值; 2. 自由基寿命; 3. 悬浮聚合; 4. 几率效应; 5. 高性能聚合物。二、选择题 (共20分, 每题选一最佳答案, 每小题2分) 1. 以下叙述不正确的是: a) 氯乙烯聚合中以向单体的链转移为主; b) 氯乙烯聚合中常采用引发剂调节聚合反应速度; c) 氯乙烯聚合时, 引发剂的半衰期较长时残留率较大; d) 氯乙烯聚合中, 采用时间调节聚氯乙烯的分子量。 2. 对单体纯度要求最高的逐步聚合方法是: a) 界面聚合; b) 溶液聚合; c) 熔融聚合。 3. 下列单体最容易进行阳离子聚合的是: a) CH2=CHCl; b) CH2=C(CH3)2; c) CH2=CHPh;

d) CH2=CH2。 4. 丙烯酸二茂铁甲酯与苯乙烯 (St)、丙烯酸甲酯 (MA)、醋酸乙烯 (VAc)共聚的竞聚率分别为r1 = 0.02, r2 = 2.3、r1 = 0.14, r2 = 4.4、r1 = 1.4, r2 = 0.46, 丙烯酸-二茂铁乙酯与上述三种单体进行自由基共聚反应的活性次序为: a) St MA VAc; b) MA St VAc; c); MA St VAc; d) VAc MA St。 5. 微悬浮聚合的机理主要是: a) 胶束成核; b) 液滴成核; c) 水相成核。 6. 甲基丙烯酸甲酯分别在苯、甲苯、四氢呋喃、硝基苯中用萘钠引发聚合, 在其中聚合速率最大的溶剂是: a) 苯; b) 甲苯; c) 四氢呋喃; d) 硝基苯。 7. 下列不能进行配位聚合的单体是: 8. 聚丙烯和聚丁二烯的立体异构体数目分别是: a) 4、3; b) 2、2; c) 3、4; d) 3、3。 9. 用BF3-H2O引发四氢呋喃开环聚合，既能提高反应速率又不降低聚合度的最好方法是:

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常用微积分公式大全

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常用微积分公式基本积分公式均直接由基本导数公式表得到，因此，导数运算的基础好坏直接影响积分的能力，应熟记一些常用的积分公式. 因为求不定积分是求导数的逆运算,所以由基本导数公式对应可以得到基本积分公式.。 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11)

对这些公式应正确熟记.可根据它们的特点分类来记. 公式（1）为常量函数0的积分，等于积分常数. 公式（2）、（3）为幂函数的积分，应分为与. 当时，，积分后的函数仍是幂函数，而且幂次升高一次. 特别当时，有. 当时，公式（4）、（5）为指数函数的积分，积分后仍是指数函数，因为，故（，）式右边的是在分母，不在分子，应记清. 当时，有. 是一个较特殊的函数，其导数与积分均不变. 应注意区分幂函数与指数函数的形式，幂函数是底为变量，幂为常数；指数函数是底为常数，幂为变量.要加以区别，不要混淆.它们的不定积分所采用的公式不同. 公式（6）、（7）、（8）、（9）为关于三角函数的积分，通过后面的学习还会增加其他三角函数公式.

公式（10）是一个关于无理函数的积分公式（11）是一个关于有理函数的积分下面结合恒等变化及不定积分线性运算性质，举例说明如何利用基本积分公式求不定积分. 例1 求不定积分. 分析：该不定积分应利用幂函数的积分公式. 解：（为任意常数）例2 求不定积分. 分析：先利用恒等变换“加一减一”，将被积函数化为可利用基本积分公式求积分的形式. 解：由于，所以（为任意常数）例3 求不定积分.

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2016年中科院微电子所考研复试经验 -----新祥旭考研辅导

2016年中科院微电子所考研复试经验准备了10个月，初试发挥不是很好，393，今年分都高，我差不多十七八名吧，但复试后总排名变成第一了，给大家说说经验。准备考微所是去年三月八号开始的。有点早，但是大一混到大三，该玩的都玩了，对自己说是时候学点了，但老实说大三下学期看不下去书，每天学4个小时吧，一去自习室就想睡觉，但那个学期让我生活习惯改了过来。暑假和我女朋友出去住的。每天学8个小时，效率很高。然后暑假开学后突然质变了，学习效率超级高，差不多一天能学10个小时。学啊学啊到了冬天，发现身体因为学习变得不行了，总生病，反正最后两个月就没消停。最后浑浑噩噩的考完了。寒假回家玩了一个月，开学查成绩，发现过复试了，很开心。开始准备复试。复试要看好多书，数电模电信号。我看了一天模电就放弃了。因为模电可是补考了两次才抄过去的。完全看不懂，于是下定决心看器件工艺方面的，差不多五六天就看完了吧。这时候我就在想如果复试就这样岂不是太简单了，后来发现的确是这回事，复试的时候老师的确会问点没学过的东西。这时候我受我们班长的诱导，说一个微所博士说微电子十室搞22nm工艺的牛人多，挺虎的。于是我开始看工艺，看论文。先上微电子所官网看看他们室的方向有哪些，然后就是下论文看论文。找那种总结性的论文。这样能看懂。然后呢，好好做笔记，对新东西一定要了解，后来复试的发现太有用了。说说复试经历吧，我复试前就猜应该复试会问些不一样的东西，要不然还不如考专业课卷子呢，后来李博老师也是这么说的。果然第一天下午复试出来的人好多都发现问的问题很怪异，有些不是很好答，书上都找不到。对了，复试通知上说，复试主要考基本原理和知识面，这就要求不能只会书上的东西。第二天轮我复试了，还好，竟然不紧张。进去了，鞠躬，说老师好，然后坐下来自我介绍，后来同学说我自我介绍的时候身体晃来晃去的。这个自我介绍太重要了，你要靠这个介绍让老师问你学过的东西，我对老师说我对新的东西总有兴趣，