完整版模电答案第二章
第2章基本放大电路
自测题
一.在括号内用 “V 和“X 表明下列说法是否正确。
1.
只有电路既放大电流又放大电压 ，才称其有放大作
用。（X 2. 可以说任何放大电路都有功率放大作用。 （“
3. 放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供
的。
4. 电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
5. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
6. 由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，
（X
7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
二.试分析 图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信 号均可视为短路。 （存 （存
任何放大电路的输出都毫无变
(i)
A.减小
B.不变
C.增大 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值
U om ( A )；
⑵当1& 1mV 时，若在不失真的条件下，减小
R w ，则输出电压的幅值将(C )；
(g) (h) 图
T2.2
解：图(a)不能。 图(b)可以。
图(c)不能。
图(d)不能。 图(e)不能。
图⑴不能。
图(g)可能。
图(h)不合理。因为 G-S 间电压将大于零。
图(i)不能。因为T 截止。
V BB 将输入信号短路。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
输入信号被电容 C 2短路。 输出始终为零。 三.在图T2.3所示电路中，已知 V cc 12V ,晶体管卩=100,
R b 100k 。填空：要求 先填文字表达式后填得数。
(1)当U& 0V 时，测得U BEQ 0.7V ，若要基极电流I BQ 20 A ,则R b 和R w 之和
R D =( (V CC U BEQ ) / I BQ ) k ( 565 ) k ;而若测得U CEQ
6V , 则艮=((V CC U CEQ )/ 1 BQ
(2)若测得输入电压有效值
U i 5mV 时, 输出电压有效值 U 。 0.6V ,
则电压放大倍数A ( U o /U i ) - ( -120 )。
若负载电阻R L 值与R c 相等，则带上
负载后输出电压有效值 U 0 R L
R L 瓦人円0.3 )V 。
四、已知图T2.3所示电路中
V CC 12V, R c 3k ，静态管压降U cEQ 6V,并在输出端加 负载电阻R L ,其阻值为3k 。选择一个合适的答案填入空内。
A.2V
B.3V
C.6V
om
(3)在U i 1mV 时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输 出电压波形将(B )；
A.顶部失真
B.底部失真
C.为正弦波
(4)若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将
(B )。
六、未画完的场效应管放大电路如
图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够
正常放大。要求给出两种方案。 解：根据电路接法，可分别采用耗尽型 N 沟道和P 沟道MOS 管，如解图T2.6所示。
ti
解图T2.6
习题
2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留 电路原来的共射接法和耦合方式。
A. R w 减小
B. R c 减小
C. V cc 减小
五、现有直接耦合基本放大电路如
下： B.共集电路
A.共射电路
D.共源电路 C.共基电路 它们的电路分别如图 2.2.1、2.5.1(a)、 2.5.4 (a)
、2.6.2 和 2.6. 9(a)所示；设图中 R e R b ，且 I
CQ 、 I DQ 均相等。选择正确答案填入空内，只需填
A 、
B 、? (1) 输入电阻最小的电路是( (2) 输出电阻最小的电路是(
(3)
有电压放大作用的电路是 B ( ( C )，最大的是(D 、
)；
A 、 A 、 )； D )；
D 、
E ); E )； (6)
输入电压与输出电压同相的电路是 );反相的电路是(A 、D )。
图 T2.6
解：⑻将-V cc改为+V cc。
(b)在+ V cc与基极之间加 R b。
(C)将V BB反接，且在输入端串联一个电阻。
(d)在V BB支路加R b，在- V cc与集电极之间加
22画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。路
。
ft
' H R，n—⑻
T-
T.
(c
)
■y ft.
JI iBi ■
S
(b
)
R c。
设所有电容对交流信号均可视为短
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.2所示各电路的交流通路如 解图P2.2所示；
2.3分别判断图P2.2(a)、(b)所示两电路各属哪种放大电路，
并写出Q 、& R i 和R o 的
表达式。
解: ⑻-I BQ V CC U BEQ R R 2 (1 )R 3 ，I CQ I BQ ， U CEQ V CC (1 )I BQ 尺。 R
2// R 3 r be ，R i 「be 〃 R , R o R 2// R 3 图(b): 1 BQ —^^V cc U BEQ )/ R 2 〃 R 3 (1 R 2 R 3 )R ， I CQ I BQ ， U CEQ V cc I CQ R 4 I EQ Ri 。 A u r be r be R ，尺 R 4。 1 2.4电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时
U BEQ 0.7V 。利用图 解法分别求出R L 和R L 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om (有效值)。
3际山
BB
]5kQ
'cc
12V
P
2.4
舌/mA
<
1
2 5 1 6 Jt Hi 12 *￡
(b
)
解：空载时：I BQ 20 A, I CQ 2mA,U CEQ 6V
；
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V , 有效值约为 3.75V。
2.5 在图 P2.5
带载时：I BQ 20A, I CQ 2mA,U CEQ 3V；
所示电路中，已知晶体管的3=80, r be =1k Q,U i 20mV ,静态时
U BEQ °.7V, U CEQ 4V ,I BQ 20 A。判断下列结论是否正确，在括号内打“V和“X
表
示
。
4
20
80
10
5
1
20k
20
1
3k (X
5k (V
(1) &
(9) R O
亍200 (X
400 (存
⑵A 4 5.71
( X
0.
⑷Au
80 2.5 ccc
acc
(V
0.7
200
1
⑹R k 35k (X
0.0
(8)R 1k (V
(10) R o 2.5k
(11)U s 20mV (存(12) U s 60mV (“
I BQ
2.6电路如 图P2.6所示，已知晶体管 3=120 , U BE =0.7V ,饱和管压降 U CES =0.5V 。在下 列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？ (1)正常情况；(2)R b1短路；(3)R b1开路；
(4)R b2开路；(5)R b2短路； ⑹R c 短路
;
V CC U BE
R b2 U BE R b1
174 163 11 A ,l c l B 1.32mA , ???U C V CC 1 C R c 8.3V 。
⑵R b1短路,| c l B
0, ? U C 15V 。 V cc U CES
(3) R b1开路，临界饱和基极电流I BS ------------------ 23.7 A ,
实际基极电流I B Vcc U BE R b2
174
由于l B l BS ，管子饱和,? U c U CES
0.5V 。 ⑷R b2开路，无基极电流 ,U C
V cc 15V 。 ⑸R b2短路，发射结将烧毁, U c 可能为15V 。 ⑹ R c 短路，U c V cc 15V
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的卩=80 , r bb ' 100
。分别计算R L 和R L 3k 时的Q 点、A 、R i 和R o 。
解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、 r be 均相等，它们分别为:
V
CC U BEQ U
BEQ CC A 22 A R b R s
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:
2.8若将图P2.7所示电路中的NPN 管换成PNP 管，其它参数不变，则为使电路正常放
大电源应作如何变化？ Q 点、A 、R i 和R o 变化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波 形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除?
解：由正电源改为负电源；Q 点、A&、R i 和R o 不会变化；输出电压波形底部失真对应 输入信号正半周失真，对 PNP 管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；减小
2.9已知图P2.9所示电路中，晶体管
3=100, r be =1.4 k Q 。 (1)现已测得静态管压降 U CEQ =6V ，估算R b ；
解: (1)I C V C C U C E 2mA ,
R c
I CQ I BQ 1.76 mA
r be r bb' (1 )^6mV
1.3k I EQ
U CEQ V CC I CQ R C 6.2V ； A u
R c 308
r be R o
R L 3k 时,
R b 〃 r be r be 1.3k R c 5k A us
r be r be R A u 93
静态管压降、电压放大倍数分别为: U CEQ R V CC L Q ") 2.3V
A& (R C //R L )
115 r be A&s r be A u 34.7 r be R s
R
^3 // r be r be 1.3k R o R c 5k 。 (2)若测得U i 和U 。的有效值分别为 R b 。
+
I BQ
U om 冷 3.82V
R L 3k 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
2.11电路如图P2.11所示，晶体管 3=100, r bb =100 Qo (1)求电路的Q 点、A u 、R i 和R o ; ⑵若改用3=200的晶体管，贝y Q 点如何变化？
(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化? 解：(1)静态分析：
动态分析：「be r bb' (1 )沁2.7氷 I EQ
U BQ R^V CC 2V 1 EQ BQ U BEQ . . ------- 1mA R e 1 BQ I EQ 1 10 A U CEQ V CC I EQ (R c R f R e ) 5.7V
图 P2.11 ?- R b V cC U BE 565k o
⑵由A U o
U7 (R C //R L ) 「be
100,
可得：R L 2.625k o
图 P2.9 2.10在图P2.9所示电路中，设静态时
I CQ 2mA ，晶体管饱和管压降 U CES 0.6V o 试问：当负载电阻 R L 和R L 3k 时, 电路的最大不失真输出电压各为多少伏?
解:由于I CQ 2 mA ，所以
U CEQ V CC I CQ R c 6V o 空载时，输入信号增大到一定幅值, 电路首先出现饱和失真。故
U om
I CQ R
L L 2.12V
A&
(R C//R_)
r be (17. 7
R o
)R f
R bi//R b2//[r be (1 )R f] 3.7
k R c 5k
(2) 3=200 时, U BQ
R b1 R b2
2V （不
变）;
I U BQ IEQ帀U BEQ
1mA （不
变）;
I BQ
旦5 A （减小）；
1
U CEQ V CC I EQ (尺R f R e) 5.7V （不
变）。
⑶Ce开路时，& _____ (R C//R L)
r be (1 )(R
e R f)
R C//R L 1.92 (减小);
R e R f
R R b1//R b2//[r be (1 )(R e R f)] 4.1
k （增大）；
R o R c 5k （不变）。
2.12电路如图P2.12所示，晶体管的3=80 , r be=1k
Q。
（1）求出Q点；（2）分别求出R L=8和R L=3k Q时电路的A、R i 和
R o。
解：（1）求解Q点:
r be (1 )R e
R b //[ r be (1 )R e] 110k
R L=3k Q 时;
A (1)(5)0.992
r be (1 )(&//%)
R R b //[ r be (1 )(&〃％)] 76k
输出电阻：民R e // Rs // Rb rbe 37
2.13电路如图P2.13所示，晶体管的卩=60, r bb' 100
。（1）求解Q点、A u、R和R o
⑵设U s = 10mV （有效值），问U i
若C3开路，则U i ?,U o
解：⑴Q点:
V CC U BEQ 31
RTh__)R e
I CQ I BQ 1.86mA
U CEQ V CC I E Q(R C R e) 4.56V
A u
、
R i和R o的分析:
r be r bb' (1)26mV
1 EQ
952 , A U (R C//R L) 95
r be
R D // r be 952 R
o R c
3k 。
⑵设 U s = 10mV （有效值），
则
U i U s 3.2mV
；
U o U i304mV 若C3开路，则:
R b 〃[ r be (
1
)R e] 51.3k A u 誉1.5
U i
R s R
U s 9.6mV，U o A U i 14.4mV。
2.14改正图P2.14 路
的共漏接法。
所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电
(2)利用等效电路法求解 A u 、R i 和R o 。
(d)
P 2.14
(b)漏极加电阻R D ；
(d)在R g 支路加-V GG , +V DD 改为-V DD
2.15已知图P2.21⑻所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图 (b)
、(C)所示。
(1)利用图解法求解Q 点；
Jf
： R
fl
*
P2.14 (b ) (d
)
(C) 解：(a)源极加电阻R S ； (C)输入端加耦合电容; 改正电
路如解图 P2.14所示。
曲线的交点为Q 点，U DSQ 3V 。如解图P2.21 （b ）所
示。
⑵首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
2 f ---------- J I Dss l DQ 1 mV / V
U DS
解：（1）在转移特性中作直
线 U GS \D R S ，与转移特性的交点即为 Q 点；读出坐标值, 得出 I DQ 1mA,U GSQ 2V 。
如解图 P2.15(a)所示。
在输出特性中作直流负载线
U DS V DD i D (R d R s ），与U GSQ 2V 的那条输出特性
i p
U GS
U GS(off )
g m R d 5；R R g 1M ；R o R d 5k
解：（1）输出电压波形底部失真，类似于 NPN 型三极管的饱和失真, R 2或增大R 1、R s ;若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大 R s o 2.18图
P2.18
中的哪
些接法
可以构
成复合
管？标出它们等效管的类型（如
型、N 沟道结型 ...... ）及管脚（b 、e 、c 、d 、g 、s ）。 2.16已知图P2.16（a ）所示电路中场效应管的转移特性如图 （b ）所示。 求解电路的Q 点和A U 。
根据电路图可知， U GSQ V GG 3V 。
从转移特性查得，当U GSQ
3V 时的漏极电流: I DQ 1mA 因此管压降 U DSQ V DD I DQ R d 5V 。
（2）求电压放大倍数: 2 f _________ -gm
^I DQ I DO U GS(th) 2mA/V , g m R d 20
2.17电路如图P2.17 出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施? 所示。（1）若输出电压波形底部失真， （2）若想增大& 则可采取哪些措施？若输 ，则可采取哪些措施?
减小 应降低 Q,故可
R 2或减小R 1、
（2）若想增大I A u ，就要增大漏极静态电流以增大 g m ，故可增大
R 2或减小R i 、R s 。 PNP NPN 型、 解：⑴求Q 点:
(b
(c
(d)
(e) (f) 图
P2.18
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
(g)构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
模拟电路第二章课后习题答案(供参考)
第二章 习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）； (f) 无放大作用，电容C 2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b 使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解： 本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ；②增大VCC ；③增大β。 解： ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1；②增大R b2；③增大Re ；④增大β。 解： ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &
模电第2章_作业答案
模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1．简答题： （1）放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？ 答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。 （2）说明利用三极管组成放大电路的基本原则。 答：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数，以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？ 答：分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确，工程上常用来分析放大电路的静态工作点；微变等效法方便分析放大电路的动态；图解法直观，可同时用于分析放大电路的静态和动态。 （4）共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法，而反相电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来理解？ 答：共射电路有电压放大作用，且输出电压与输入电压相位相反。为此，称这种放大电
路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此，可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它称为电流跟随器。 2．图1所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V， =100，临界放大饱和时三极管压降（集电极-发射极之间）为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解：分析：判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。 方法一： 1．对于NPN管，若U BE<0.7V，则管子截止；对于PNP管，若U BE>-0.7V，或U EB<0.7V 则管子截止； 2．若NPN管，U BE>0.7V，PNP管U EB>0.7V，则说明三极管处于放大状态或饱和状态。 对于NPN管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U CE>0.3V（设小功率三极管饱和压降为0.3V），说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V，说明管子工作在饱和区。 对于PNP管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U EC>0.3V，说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V，说明管子工作在饱和区。方法二： 当确定三极管处于非截止状态时，计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS （U EC=0.3V），如果βI B I CS，说明电路处于饱和状态。 方法二似乎更为简单。 解：
模电第二章习题答案
习题2-5 设图中的三极管β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =12 V ，R C =3 k Ω，R b =120 k Ω。求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。 习题2-15 设图中三极管的β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =10V ，R C =3 k Ω，Rb b’=100 Ω。V CC =10V ,，R C =3 k Ω，Re=1.8 k Ω，RF=200Ω，Rb1=33 k Ω，Rb2=100 k Ω，RL=3 k Ω C1，C2和Ce 足够大。 ①求静态工作点 ②画微变等效电路如图 (3)求O i u U A U =； (4)设Rs =4 k Ω，求o s us U A U =
(5)求o i R R 和 ① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQ CQ Q CEQ V V ②微变等效电路如图 ③ be 2.9r ≈ k Ω， L be = 6.5 (1)u F R A r R ββ'-≈-++
(4) 12i r ≈ k Ω，= 4.9i us u i s r A A r R -≈-+ (5) R i ≈12 k Ω，R o ≈3 k Ω 习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路，写出计算电压放大倍O1O2 i i U U U U 和数的表达式，并画出当c e R R =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形（与正弦波i U 相对应）。
微变等效电路如下图 解 O1i be (1)c e U R U r R ββ=-++ e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时，，和的波形如下图 e be e * 02* )1(1R r R U U Au i ββ+++= = ）（
模拟电路第二章课后习题答案汇编
模拟电路第二章课后 习题答案
第二章习题与思考题 ◆题 2-1试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）；
(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解：
本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb；②增大VCC；③增大β。 解： ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模电课后习题答案
模电典型例题分析 第二章 题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===-
()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +
模电答案第二章
第2章基本放大电路 自测题 一?在括号内用“V”和“X”表明下列说法是否正确。 1?只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（X） 2?可以说任何放大电路都有功率放大作用。（V） 3?放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。（X ） 4?电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。（X ） 5?放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（V） 6?由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。 （X ） 7?只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（X ） 二?试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)
(h) 图 T2.2 解：图(a)不能。V BB将输入信号短路。 图(b)可以。 图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C2短路。 图⑴不能。输出始终为零。 图(g)可能。 图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。 图(i)不能。因为T截止。 三?在图T2.3所示电路中，已知V cc 12V ,晶体管p=100, R b 100k 。填空：要求先 填文字表达式后填得数。 (1)当U i 0V时，测得U BEQ 0.7V，若要基极电流I BQ 20 A,则R b和R W之和 负载后输出电压有效值U。( L U o)=( 0.3 )V。 R L R c 四、已知图T2.3所示电路中V cc 12V, R c 3k ，静态管压降U CEQ 6V ,并在输出端加负载电阻R L,其阻值为3k 。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值U om( A ); A.2V B.3V C.6V ⑵当U& 1mV时，若在不失真的条件下，减小R w，则输出电压的幅值将(C ); A.减小 B.不变 C.增大 (g) (i)
模电答案部分
u A 、 i R 和 o R 的分析： '26(1) 952be bb EQ mV r r I , (//)95c L u be R R A r & //952i b be R R r , 3o c R R k 。 (2)设U s = 10mV （有效值），则 3.2i i s s i R U U mV R R ； 304o u i U A U mV & 若C 3开路，则： //[(1)]51.3i b be e R R r R k ， // 1.5c L u e R R A R & 9.6i i s s i R U U mV R R ， 14.4o u i U A U mV &。 改正图 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。 (a) (b) (c) (d) 图 解：(a)源极加电阻R S ； (b)漏极加电阻R D ； (c)输入端加耦合电容； (d)在R g 支路加?V GG ， +V DD 改为?V DD 改正电路如解图所示。 (a) (b) (c) (d) 解图 已知图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、
(c)所示。 (1)利用图解法求解Q 点； (2)利用等效电路法求解u A 、i R 和o R 。 (a) (b) (c) 图 解：(1)在转移特性中作直线GS D s u i R ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出1,2DQ GSQ I mA U V 。如解图(a)所示。 (a) (b) 解图 在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R ，与2GSQ U V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，3DSQ U V 。如解图(b)所示。 (2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 5u m d A g R &； 1i g R R M ；5o d R R k 已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。 求解电路的Q 点和u A &。 (a) (b) 图 解：(1)求Q 点： 根据电路图可知，3GSQ GG U V V 。 从转移特性查得，当3GSQ U V 时的漏极电流：1DQ I mA 因此管压降 5DSQ DD DQ d U V I R V 。
第二章 南邮通达模电习题答案
习题： 一．填空题 1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。 2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利 用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。 3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导 体。N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。 4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。 5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。 6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。 7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。 8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。 9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。 10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。 11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。 12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。 13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中 题表2-1 二．选择题 1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。 A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压 2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。 A.开路 B.短路 C.不能确定 3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。 A.增大 B.不变 C.减小 5.工作在放大区的某晶体管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为＿＿C＿＿。
模电答案第二章
第2章 基本放大电路 自测题 一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。 1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√) 3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×) 4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×) 5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√) 6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×) 7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×) 二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) (i) 图T2.2 解：图(a)不能。V BB 将输入信号短路。 图(b)可以。 图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C 2短路。 图(f)不能。输出始终为零。 图(g)可能。 图(h)不合理。因为G -S 间电压将大于零。 图(i)不能。因为T 截止。 三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。填空：要求 先填文字表达式后填得数。 (1)当0i U V =时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =， 则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。 (2)若测得输入电压有效值5i U mV =时， 输出电压有效值'0.6o U V =， 则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。 若负载电阻L R 值与c R 相等，则带上 图T2.3
模电补充作业及答案2
【4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，U BE＝0.7 V，饱和管压降U CES＝0.4 V；稳压管的稳定电压U Z＝4V，正向导通电压U D＝0.7 V，稳定电流I Z＝5 mA，最大稳定电流I ZM＝25 mA。试问： （1）当u I为0 V、1.5 V、2.5 V时u O各为多少？ （2）若R c短路，将产生什么现象？ 【相关知识】 晶体管工作状态的判断，稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。 【解题思路】 （1）根据u I的值判断晶体管的工作状态。 （2）根据稳压管的工作状态判断u O的值。 【解题过程】 （1）当u I＝0时，晶体管截止；稳压管的电流 在I Z和I ZM之间，故u O＝U Z＝4 V。 当u I＝1.5V时，晶体管导通，基极电流 假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流 由于u O＞U CES＝0.4 V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。 值得指出的是，虽然当u I为0 V和1.5 V时u O均为4 V，但是原因不同；前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使u O＝4 V；后 者因晶体管工作在放大区使u O＝4 V，此时稳压管因电流为零而截止。 当u I＝2.5 V时，晶体管导通，基极电流 假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流 在正电源供电的情况下，u O不可能小于零，故假设不成立，说明晶体管工作在饱和状态。
实际上，也可以假设晶体管工作在饱和状态，求出临界饱和时的基极电流为 I B=0.18 mA＞I BS，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态。 （2）若R c短路，电源电压将加在稳压管两端，使稳压管损坏。若稳压管烧断，则u O＝V CC＝12 V。 若稳压管烧成短路，则将电源短路；如果电源没有短路保护措施，则也将因输出电流过大而损坏 【方法总结】 （1）晶体管工作状态的判断：对于NPN型管，若u BE＞U on（开启电压），则处于导通状态；若同 时满足U C≥U B>U E，则处于放大状态，I C＝βI B；若此时基极电流 则处于饱和状态，式中I CS为集电极饱和电流，I BS是使管子临界饱和时的基极电流。 （2）稳压管是否工作在稳压状态的判断：稳压管所流过的反向电流大于稳定电流I Z才工作在稳压 区，反向电流小于最大稳定电流I ZM才不会因功耗过大而损坏，因而在稳压管电路中限流电阻必不 可少。图示电路中R c既是晶体管的集电极电阻，又是稳压管的限流电阻。【4-2】电路如图所示，已知晶体管 ＝50，在下列情况下，用直流电 压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V CC＝12V，晶体管饱和管压降U CE S＝0.5V。 （1）正常情况（2）R b1短路（3）R b1开路 （4）R b2开路（5）R C短路 图 【解题过程】 设U BE＝0.7V。则 （1）基极静态电流
模电课后答案全解
51模电课后答案 第二章运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。 2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r 约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。 2.2 理想运算放大器 2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。2.输出电阻很小，接近零。 3.运放的开环电压增益很大。 2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。 2.3 基本线性运放电路 2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。 2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。 虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。 2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn 增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。 由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0. 2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。 反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。 电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。 2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。 2.3.5 答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。 2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用 2.4.1各个图参考 P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。 2.4.2
模电 习题答案
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ；
哈工大 模电 第二章习题册答案
【2-1】 填空： 1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 3．漂移电流是 在 作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。 5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2. 杂质浓度，温度。 3. 少数载流子，(内)电场力。 4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。 5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ） 6. 增大; 【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。假设电容C 容量足够大。 - +- +C R +k 5ΩV 6i u VD +- D u D i a) ( 图2.10.4 题2-5电路图 1．静态分析 静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。不妨设U D = 则 D D 6V (60.6)V 1.08mA 5k U I R --= ==Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。 2．动态分析 对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范 围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D 1i r u ?=?，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。 二极管伏安特性方程： )1e (T D /S D -=U u I i (1.4.1) 由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为： T D /S D e U u I i ≈ T D D D d d d 1U I u i r ≈=
模拟电子技术第二章答案
【1】电路如图(a)所示。设为A理想的运算放大器，稳压管DZ的稳定电压等于5V。 （1）若输入信号的波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形。 （2）试说明本电路中稳压管的作用。 图(a) 图(b) 【相关知识】 反相输入比例器、稳压管、运放。 【解题思路】 （1）当稳压管截止时，电路为反相比例器。 （2）当稳压管导通后，输出电压被限制在稳压管的稳定电压。 【解题过程】 （1）当时，稳压管截止，电路的电压增益 故输出电压 当时，稳压管导通，电路的输出电压被限制在，即 。根据以上分析，可画出的波形如图(c)所示。
图(c) （2）由以上的分析可知，当输入信号较小时，电路能线性放大；当输入信号较大时稳压管起限幅的作用。 【2】在图(a)示电路中，已知, ，，设A为理想运算放大器，其输出电压最大值为，试分别求出当电位器的滑动端移到最上端、中间位置和最下端时的输出电压的值。反馈类型？ 图(a) 【相关知识】 反相输入比例器。 【解题思路】 当时电路工作闭环状态；当时电路工作开环状态。 【解题过程】 （1）当的滑动端上移到最上端时，电路为典型的反相输入比例放大电路。输出电压
（2）当的滑动端处在中间位置时，画出输出端等效电路及电流的参考 方向如图(b)所示。图中。 图(b) 由图可知 以上各式联立求解得 代入有关数据得 （3）当的滑动端处于最下端时，电路因负反馈消失而工作在开环状态。此时，反相输入端电位高于同相输入端电位，运放处于负饱和状态。输出电压。 【3】电压－电流转换电路如图所示，已知集成运放为理想运放，R2＝R3＝R4＝R7＝R，R5＝2R。求解i L与u I之间的函数关系。
模拟电路第二章课后习题答案
模拟电路第二章课后习题答案习题与思考题第二章 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。◆题2-1
解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(b) 模拟电路第二章课后习题答案无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (c) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(d) ）；(e) 有放大作用（电压放大倍数小于1 输出交流电压信号为0； (f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法无放大作用，电容Cb(g) 加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置；的极性使场效应管不能形成导电沟道。(i) 无放大作用，VGG 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容试画出P2-2◆题2-2 均足够大，变压器为理想变压器。 解： 模拟电路第二章课后习题答案
本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 模拟电路第二章课后习题答案三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数NPN 2-3 在◆题将UCEQICQ、不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的IBQ、β。Rb增大、减小还是不变。 ①增大；②增大VCC；③增大解：
U?VV0.7V?RU?V?I?I?I?I BEQCCCCCC??I?CCCCEQCQBQCQBQ ①②③点的影响。本题的意图是理解单管共射放大电路中BQ RRR bbb 各种参数变化时对Q 三极管组成的分压式工作点稳定电路中，假设电NPN◆题 2-4 在图所示、路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的、ICQIBQ 、rbe和将增大、减小还是不变。UCEQ 。β；④增大Re；③增大Rb2；②增大Rb1①增大． 模拟电路第二章课后习题答案解：
模拟电路部分习题答案
模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？ 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？
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模电答案第二章
第2章基本放大电路 自测题 一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。 1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√) 3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×) 4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×) 5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√) 6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×) 7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×) 二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c)
(d) (e) (f) (g) (h) (i) 图T2.2 解：图(a)不能。V BB 将输入信号短路。 图(b)可以。 图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C 2短路。 图(f)不能。输出始终为零。 图(g)可能。 图(h)不合理。因为G -S 间电压将大于零。 图(i)不能。因为T 截止。 三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0i U V =&时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =， 则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。 (2)若测得输入电压有效值5i U mV =时， 输出电压有效值'0.6o U V =， 则电压放大倍数u A =&( /o i U U - )≈( -120 )。 若负载电阻L R 值与c R 相等，则带上 图T2.3 负载后输出电压有效值o U =( ' L o L c R U R R ?+ )=( 0.3 )V 。 四、已知图T2.3 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω，静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ，其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A )； A.2V B.3V C.6V (2)当1i U mV =&时，若在不失真的条件下，减小R w ，则输出电压的幅值将( C )； A.减小 B.不变 C.增大 (3)在1i U mV =&时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将( B )； A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( B )。 A.R w 减小 B.c R 减小 C. CC V 减小 五、现有直接耦合基本放大电路如下：