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东芝光耦命名规律

发布时间：2010-12-21 下午

3:53

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现在市场上各种IC 型号层出不穷，对于一些老手来说数万个型号信口拈来，连封装，年份可以说是倒背如流了，但是对于一些新手来说就是件很苦闷的差事了。最近光耦炒的很热，价格也是翻了好几番，有的档位市场上根本就很难问到货。现在就东芝光耦型号命名规律跟大家分享下。

我们以型号TLP176A

为例来说明

1. TLP means photo coupler / photo sensor.

2. Package type, etc.

This section shows a product's package type, safety standard status, etc.

( Details are shown in the following table. )

Number Package, etc.

1 Mini flat type

2 Various types

3 DIP type

4 HOOP line products

5 DIP type

6 DIP type

7 DIP type, SDIP type

(8 to 12) (Photo interrupter)

30 to 99( note 2 ) Various types

3. Output style

This section expresses output style.

( It is an exception when there is "30" to section 2 )

00 - 09: IC coupler / Photorelay

?10 - 19: IC coupler

?20 - 29: 4 Pin

?30 - 39: 6 Pin

?40 - 49: Thyristor output

?50 - 59: IC output

?60 - 69: Triac output

?70 - 79: Darlington Transistor output

?80 - 89: Transistor output

?90 - 99: MOSFET output / Photo voltaic output

4.Withstand voltage level, etc.

( It is an exception when there is a "30" to section 2 )

Details are as follows.

(a) Photo relay

?A: 60V

?B: 100V

?D: 200V

?G: 350 or 400V

(b) Photo triac, Photo coupler

?G: 300 or 400V

?J: 600V

?L: 800V

Letters other than G and J : it shows that there were some changes

几种常用的光耦反馈电路应用

————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：

在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。而且在很多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。 1 常见的几种连接方式及其工作原理常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。这里以TLP521为例，介绍这类光耦的特性。 TLP521的原边相当于一个发光二极管，原边电流If越大，光强越强，副边三极管的电流Ic越大。副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大系数，该系数随温度变化而变化，且受温度影响较大。作反馈用的光耦正是利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈，因此在环境温度变化剧烈的场合，由于放大系数的温漂比较大，应尽量不通过光耦实现反馈。此外，使用这类光耦必须注意设计外围参数，使其工作在比较宽的线性带内，否则电路对运行参数的敏感度太强，不利于电路的稳定工作。通常选择TL431结合TLP521进行反馈。这时，TL431的工作原理相当于一个内部基准为2.5 V的电压误差放大器，所以在其1脚与3脚之间，要接补偿网络。常见的光耦反馈第1种接法，如图1所示。图中，Vo为输出电压，Vd为芯片的供电电压。com信号接芯片的误差放大器输出脚，或者把PWM 芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式，com信号则接到其对应的同相端引脚。注意左边的地为输出电压地，右边的地为芯片供电电压地，两者之间用光耦隔离。图1所示接法的工作原理如下：当输出电压升高时，TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升，3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降，光耦TLP 521的原边电流If增大，光耦的另一端输出电流Ic增大，电阻R4上的电压降增大，com 引脚电压下降，占空比减小，输出电压减小；反之，当输出电压降低时，调节过程类似。常见的第2种接法，如图2所示。与第1种接法不同的是，该接法中光耦的第4脚直接接到芯片的误差放大器输出端，而芯片内部的电压误差放大器必须接成同相端电位高于反相端电位的形式，利用运放的一种特性——当运放输出电流过大(超过运放电流输出能力)时，运放的输出电压值将下降，输出电流越大，输出电压下降越多。因此，采用这种接法的电路，一定要把PWM 芯片的误差放大器的两个输入引脚接到固定电位上，且必须是同向

光耦简介

光耦光耦的定义耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器，简称光耦，是开关电源电路中常用的器件。光耦的工作原理耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力。所以，它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以大大增加计算机工作的可靠性。

光耦的优点光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件，现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。光耦的种类光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD 等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：LP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

51单片机命名规则

51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成，它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含Flash存储器，C表示为CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载Flash存储器。

在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。后缀中的第一个参数X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。X＝24，表示速度为24 MHz。后缀中的第二个参数X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。X＝Q，表示PQFP封装。’ X＝J，表示PLCC封装。X＝A，表示TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插DIP封装。X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示SOIC封装。后缀中第三个参数X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十150℃。后缀中第四个参数X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用MIL—STD—883标准。例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是ATMEL公司的Flash 单片机，内部是CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机

(完整word版)光耦原理介绍

光电耦合器 TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图 Characteristic 参数 Symbol 符号 Rating 数值Unit 单位 TLP521?1 TLP521?2 TLP521?4 LED Forward current 正向电流IF 70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃?0.93(Ta≥50℃)?0.5(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj 125 ℃ 接收侧 Collector?emitter voltage 集电极发射极电压 VCEO 55 V Emitter?collector voltage 发射极集电VECO 7 V

flash开发中的命名

1、违反：代码规范的目的是增加代码的可读性，便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的 .左大括号须放置于组合语句开始的末尾。 If(loggedin()){ https://www.wendangku.net/doc/cc1322724.html,bel=”Welcome’; }else{ https://www.wendangku.net/doc/cc1322724.html,bel=”Access”; } 2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names) 在缩写中，只将首字母大写如果一个类成员是由缩写开始，则该缩写全部使用小写字母，此约定不适用到常量再说句废话，所有的名字都应该使用英文 3、包命名（package names Package names should be lower case 包的名字应全部为小写； 4、类命名（class names） Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case (类应该以名词单数形式，首字母大写，大小写混排，方式命名) Class representing collections should have names in plural form (表示一组事物的类应使用复数形成；) Names of exception classes should be prefixed with Error (异常类的名字须以Error开头) Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default; （接口的默认实现类可以以Ddfault开头）接口命名Interface names Interface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I” (接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词) 变量/属性命名Variable/property names Private class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’; （私有类的变量名称应为以下划线为前缀，小写字母开头的大小写混排） Private var _lastYear:int; Private var _loader:Loader; 注：函数中局部变量的名字不必在前面加_; Property names should be in mixed cases starting with lower case (属性名应以小写字母开头，大小写字母混排) Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name

P521光耦详细解答

光耦pc817应用电路 pc817是常用的线性光藕，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。 <光耦pc817应用电路图> 当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。

\ \当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。光耦的测量：用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚,其中仅且仅有一次导通的，红表笔接的为阳极，黑表笔接的为阴极(指针表相反)。且这两脚为低压端，也就是反馈信号引入端。在正向测试低压端时，再用另一块万用表测试另外高压端两只脚，接通时，红表笔所接为C极，黑表笔接为E极。当断开低压端的表笔时，高压端的所接万用表读数应为无穷大。同理：只要在反馈端加一定的电压，高压端就应能导通，反之，该器件应为损坏。光耦能否代用，主要看其CTR参数值是否接近。测量的实质就是：就是分别去测发光二极管和3极管的好坏。另外一种测量说法：用两个万用表就可以测了。光电耦合器由发光二极管和受光三极管封

nandflash命名规则大全(三星,海力士,美光)

NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : August 2009
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
1
1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
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6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
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Part Number Decoder

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持 IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 ---------------------------------------------------------------------------------------- 常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有： TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线

TOSHIBA光耦TLP系列的部分光耦的应用

TLP112A 东芝小型扁平耦合器TLP112A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。 TLP112A包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。 TLP112A（P112A）特性 ?隔离电压：2500Vrms（最小） ?转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ） ?兼容TTL ?UL 认证：UL1577,file no.E67349 TLP112A（P112A）应用 ?晶体管逆变器 ?数字逻辑隔离 ?线路接收器 ?电源控制，反馈控制 ?开关式电源 TLP113A 概述：东芝小型扁平耦合器TLP113是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。 TLP113（包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高增益，高速单片光探测器。探测器的输出为肖特基钳位晶体管，集电极开路输出。 TLP113A 特性： ?输入电流阀值：IF=10mA（最大） ?转换速度：10MBd（典型值） ?兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V ?性能保证温度范围：0～70℃ ?隔离电压：2500Vrms（最小） ?UL 认证：UL1577 file no.E67349 TLP113A 应用： ?隔离线路接收器 ?单/多路数据传输 ?计算机外设接口 ?微处理器系统接口 ?A/D,D/A转换数字隔离 TLP114A 东芝小型扁平耦合器TLP114A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。 TLP114A含有一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。 TLP114A 特性 ?隔离电压：3750Vrms（最小） ?转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（RL=1.9kΩ） ?兼容TTL UL ?认证：UL1577,file no.E67349

Flash知识点总结(有用哦)(吐血推荐)

Flash基础知识点总结(一) Flash的工作界面标题栏主工具栏文档选项卡工具箱舞属性面板编辑栏库面板

舞台：进行创作的主要工作区域。标尺、网格、编辑栏中设置显示比例。场景概念：时间轴窗口：由一系列的帧组成，每一帧是一幅瞬时图。分为：图层控制区和时间轴控制区。时间线是通过时间变化精确控制图层在每一秒的位置的工具。默认12帧/秒。Fps(framepersecond) 工具箱：主要绘图工具动画播放控制器面板属性窗口：设置对象属性动作窗口：编写动作脚本浮动面板：如：库窗口：用于存放重复元素。（二）Flash动画的制作原理在时间轴的不同帧上放置不同的对象或设置同一对象的不同属性，例如形状、位置、大小、颜色和透明度等，当播放指针在这些帧之间移动时，便形成了动画。

（三）重要概念图形：是组成Flash动画的基本元素。制作动画时，可利用Flash的工具箱提供的工具绘制出动画需要的任何图形。元件：是指可以在动画场景中反复使用的一种动画元素。它可以是一个图形，也可以是一个小动画，或者是一个按钮。图层：图层就像好多透明的纸，用户可以在不同的纸上绘制各种图画，然后再将所有的纸叠在一起就构成了一幅完整的图画。位于下层的图形将在上层中空白或者透明的地方显示出来。帧：帧分为关键帧、空白关键帧和普通帧三种类型。关键帧是可以直接在舞台上编辑其内容的帧, 记录动画内容发生根本性变化的画面。只有关键帧才能进行编辑。F6:插入关键帧。插入关键帧时将上一状态的帧内容完全复制。空白关键帧帧内没有画面，帧标识是空心小圆圈；普通帧的作用是延伸关键帧上的内容。帧频：每秒钟播放的帧数，默认12fps 一般认为是网页上最合适的速度。

光耦选型最全指南及各种参数说明

光耦选型手册光耦简介：光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。光耦的分类：（1）光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。（2）常用的分类还有：按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。按输出形式分，可分为： a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。 b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。 c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。 d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。 e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。 f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。 g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。光耦的结构特点：（1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。（2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。（3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。（4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。

单片机的命名规则

系列产品命名规则图为Intel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Intel 80C51系列单片机产品命名规则 Mask ROM：为掩模ROM。 EPROM：紫外线可擦除ROM。 2. Atmel 80C51系列产品命名规则 Atmel公司是第一家将Flash EEPROM存储器用于80C51系列单片机的生厂商，其典型产品有AT89C51、AT89C52，对应的低功耗产品为AT89LV51

和AT89LV52。图为Atmel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Atmel 80C51系列单片机产品命名规则 Flash EEPROM：在片程序存储器为电可擦除的闪速存储器Flash EEPROM。 LV：Low-Voltage，芯片工作电源电压为2.7V～6V。 8 9 系列单片机的型号编码 89 系列单片机的型号编码由三个部分组成它们是前缀型号和后缀格式如下 AT89C XXXXXXXX 其中AT 是前缀89CXXXX 是型号XXXX 是后缀下面分别对这三个部分进行说明并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释 (l)前缀由字母AT 组成表示该器件是ATMEL 公司的产品 (2)型号由89CXXXX 或89LVXXXX 或89SXXXX 等表示

89CXXXX 中9 是表示部含 Flash 存储器C 表示为 CMOS 产品 89LVXXXX 中LV 表示低压产品 89SXXXX 中S 表示含有串行下载 Flash 存储器在这个部分的XXXX 表示器件型号数如51 1051 8252 等 (3)后缀由XXXX 四个参数组成每个参数的表示和意义不同在型号与后缀部分有”-”号隔开后缀中的第一个参数 X 用于表示速度它的意义如下 X 12 表示速度为12 MHz X 20 表示速度为20 MHz X 16 表示速度为16 MHz X 24 表示速度为24 MHz 后缀中的第二个参数 X 用于表示封装它的意义如下 X D 表示瓷封装 X Q 表示 PQFP 封装 X J 表示 PLCC 封装 X A 表示 TQFP 封装 X P 表示塑料双列直插 DIP 封装 X W 表示裸芯片 X S 表示 SOIC 封装后缀中第三个参数 X 用于表示温度围它的意义如下 X C 表示商业用产品温度围为0 十 70 X I 表示工业用产品温度围为40 十 85 X A 表示汽车用产品温度围为40 十 125 X M 表示军用产品温度围为55 十 150 后缀中第四个参数 X 用于说明产品的处理情况它的意义如下 X 为空表示处理工艺是标准工艺 X 883 表示处理工艺采用 MIL STD 883 标准

各种光电耦合器参数

常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持 IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。最大额定值参数名称符号最大额定值单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA

常用光耦简介及常见型号

常用光耦简介及常见型号公司内部编号：（GOOD-TMMT-MMUT-UUPTY-UUYY-DTTI-

常用光耦简介及常见型号常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。？经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：？ 100K bit/S: 6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8 701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-450 2、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路） 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、H CPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）

三星的nand flash的命名规则

三星的pure nand flash的命名规则如下： K 9 ×××××××× - ×××× ××× 1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M

光耦传感器简介

光耦转矩传感器简介 Ⅰ、光耦转矩传感器产品的突出品质表现如下 ①光耦转矩传感器产品抗电磁干扰能力极强，理论依据很简单，尽管光波和无线电波都是电磁波，但两者的波段域差距甚远。因此，两者的物理属性也存在着巨大的差异。线圈耦合技术的应用波段域为无线电波波段域。而光耦合技术的应用波段域为光波波段域.。这就是光耦转矩传感器产品抗电磁干扰能力极强的理论依据。 ②光耦转矩传感器产品的信号响应速度极快。光电器件的响应速度一般在微秒和毫微秒量级之间，光耦转矩传感器产品的电能量传输和电信号导出技术都利用的是光电器件。因此，该产品的信号响应速度极快。而线圈耦合的转矩传感器产品，由于线圈的存在，感抗的电特征必将导致信号响应速度的受限。特别是大直径的线圈。由电磁学原理可知，电感值是与线圈的横截面积S和线圈的匝数N成正比(L∝NS)。在交流回路中交流电流的频率与交流回路中的阻抗相关，阻抗越大，回路响应的交流频率就越低。由此得出：基于线圈耦合技术支持的转矩传感器产品的信号响应速度，远远低于基于光电技术支持的光耦转矩传感器产品的信号响应速度！ ③光耦转矩传感器产品的扭矩测量精度可以做得较高。理论依据是；光耦转矩传感器产品的扭矩测量值是由LED器件耦合完成的，而用LED器件，做到50KHZ的频域带宽是常规的光电技术。所以，将零点扭矩测量值对应的频率标定值提高，增大扭矩测量值对应的频域带宽，无疑是提高扭矩测量精度可实施的技术手段。 ④光耦转矩传感器产品性能稳定可靠。光耦转矩传感器产品的结构特征是；底座支撑的壳体长度比同量程的线圈转矩传感器产品的底座支撑的壳体长度短50%左右，这是其一。其二是；光耦转矩传感器产品中，附加在扭矩测量轴上的功能件的附加质量，只是线圈转矩传感器产品中附加在扭矩测量轴上功能件的附加质量的10%左右。短的轴长和较低的附

光耦简介及常见型号

常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号： 100K bit/S: 6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路） 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。例如：moc3063、IL420；它们的主要指标是负载能力；例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；光耦的部分型号型号规格性能说明 4N25 晶体管输出 4N25MC 晶体管输出