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大学半导体材料课后习题答案期末考试复习资料

半导体材料复习资料

绪论

1.半导体的基本特性？

①电阻率大体在10-3~109Ω?cm范围

第一章

⒈比较SiHCl3氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点？

⑴三氯氢硅还原法

优点：产率大，质量高，成本低，是目前国内外制备高纯硅的主要方法。

缺点：基硼、基磷量较大。

⑵硅烷法

优点

①除硼效果好；（硼以复盐形式留在液相中）

②无腐蚀，降低污染；（无卤素及卤化氢产生）

③无需还原剂，分解效率高；

④制备多晶硅金属杂质含量低（SiH4的沸点低）

缺点：安全性问题

相图

写出合金Ⅳ由0经1-2-3的变化过程

第二章

⒈什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系数？

答：⑴分凝现象：含有杂质的晶态物质溶化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同，这种现象较分凝现象。

⑵平衡分凝系数：固液两相达到平衡时，固相中的杂质浓度和液相中的杂质浓度是不同的，把它们的比值称为平衡分凝系数，用K0表示。

K0=C S/C L

⑶有效分凝系数：为了描述界面处薄层中杂质浓度偏离对固相中杂质浓度的影响，通常把固相杂质浓度C S与固体内部的杂质浓度C L0的比值定义为有效分凝系数K eff

K eff=C S/C L0

⒉写出BPS公式及各个物理量的含义，并讨论影响分凝系数的因素。

⒊分别写出正常凝固过程、一次区熔过程锭条中杂质浓度CS公式，并说明各个物理量的含义。

①正常凝固过程：

C S=KC0(1-g)k-1C0：材料凝固前的杂质浓度

K：分凝系数。不同杂质的不同K值可以通过查表得出。

②一次区熔过程：

C S=C O[1-(1-K)e-Kxl]

C0：锭条的原始杂质浓度

x：已区熔部分长度

K:分凝系数

l：熔区长度

⒋说明为什么实际区熔时，最初几次要选择大熔区后几次用小熔区的工艺条件。

⑴一次区熔时C S=C O[1-(1-K)e-Kxl],l→大，C S→小→提纯效果好→→l越大越好

⑵极限分布时（K一定）K=Bl/（e Bl-1）A=C0BL/(e BL-1) C S（x）=Ae Bx

l→大，B→小，A→大，C S→大，提纯的效果越差→→l越小越好

所以对于实际区熔，前几次应该用大熔区，越到后面越接近极限分布，应该用小熔区。

非均匀成核：临界半径r*=-2σαβ/△g V 形核功△G非均*=16πσαβ3/3△g V2f（θ）△G非均*＜△G均*

因此非均匀成核要比均匀成核容易得多。

3.简述Kossel模型和Frank模型要点。

Kossel模型要点：一个原子在晶格上的稳定性由其受周围原子的作用力大小

决定，晶体表面上不同格点位置所受的吸引力是不相同的，生长基元优先生长在最稳定的位置，吸引力大小：扭折处>台阶上>表面上>棱边上>晶角处。

Frank模型要点：在生长晶面上，螺旋位错露头点可作为晶体生长的台阶源（自然二维晶核），当生长基元（原子或分子）扩散到台阶处，台阶便向前推进，晶体就生长了，螺旋位错形成的台阶具有以下特点：

①永不消失的台阶，像海浪一样向前推进

②不需要二维成核过程

③生长连续，过饱和度低

4.写出杰克逊因子的表达式并指出各参数的物理意义。

L。/kT E:物质相变熵，决定于物质的本性，共存两相的类别

T E为相变时平衡温度

L。为单个原子相变时内能的改变，并可近似的看作相变潜热

L。/T E为单个原子的相变熵

y1 v 取向因子，取决于晶体结构和界面的取向，反应晶体的各向异性

v 为晶体内部的一个原子的近邻原子数，与晶体结构有关

y1为原子在界面内水平方向的近邻原子数，它取决于界面的取向

5.写出熔体生长时单晶炉内热场的基本要求并作出解释

①熔体中：纵向温度梯度（dT/dz）L>0，径向温度梯度（dT/dr）L>0

即熔体内部温度高于熔点，保证熔体中不发生均匀成核同时坩埚璧处温

度高于熔点，保证坩埚边缘处不发生非均匀成核。

②晶体中（dT/dz）s<0,且大小相当，既能排出相变潜热又不因过大使缺陷增加而影响晶体的完整性。

6.写出熔体生长的界面热流连续方程并讨论晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热之间的关系。说明实际生产中如何控制晶体直径。

（1）界面热流连续方程

（2）晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热的关系

①(dT/dz)s→大或(dT/dz)L→小，生长速度f→大

(dT/dz)s过大，晶体完整性降低（晶体残留热应力大，且不利于晶格整理

及位错攀移滑移）

(dT/dz)L过小，产生组分过冷，使得固液界面不平坦，导致枝蔓生长甚至多

晶。

②体系的最大生长速度（极限值），在理论上(dT/dz)L=0时，可得

（2）晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热的关系

F=Qc-QL/Ad(～H)

③生长速度f一定时，A=（Qc-QL）/fdH

Qc→大或QL→小，A→大(非稳定生长→建立新的稳态）

④A，f一定时（等径匀速生长），（Qc-QL）要一定，即QL要随Qc 变化

（3）实际生产中控制晶体直径

①晶体生长速度与生长的晶体半径成反比

②在实际生产中，常用改变拉晶速度与加热功率来控制晶体半径

7.熔体生长的晶体中温度分布规律

（1）温度分布以晶体旋转轴z为对称轴，当r,z一定时，温度也相同；因此在z一定，即在一个水平面上,以r为半径的圆周上各点的温度都相同

（2）当r为常数时，θ=常数exp[-常数z],即晶体中温度随z增大而指数关系降低

（3）当h>0时，环境冷却晶体，温度随r的增大而降低，此时晶体中等温线是凹向

熔体的。

当h<0,即环境给晶体热量时，温度随r的增大而升高，此时晶体中等温线是凸

向熔体的

（4）当z为常数时，温度梯度的轴向分量为：

如h>0，随r增加而减少：h<0时，随r增加而增大。

8.写出正常情况下（不发生组分过冷）直拉单晶中生长各个阶段界面形状的变化

正常情况下，固液界面的宏观形状与等于熔点的等温面相吻合，由炉腔内热场决定

界面有：平坦，凸向熔体，凹向熔体三种情况

引晶，放肩：凸向熔体

等径生长：先平坦后再凹向熔体

9.写出直拉单晶生长工艺过程

籽晶熔接→引晶→缩颈→放肩→等径生长→收尾

第四章

1.解释下列概念：

小平面效应：晶体生长的固液界面，由于受坩埚中熔体等温线的限制，常常是弯曲的，如果在生长晶体时迅速提起晶体，则在固液界面处会出现一小片平整的平面，通常称之为小平面。小平面区杂质浓度与非小平面区差异很大。杂质在小平面区域分布异常的现象叫小平面效应

杂质条纹：由晶体中杂质浓度的起伏引起的腐蚀后表面出现宽窄不一条纹的现

象

旋转性条纹：由于晶体转轴和热场轴不重合，引起生长的晶体中杂质浓度出现周期性的变化，这样形成的条纹

中子嬗变掺杂（NTD）:高纯区熔硅单晶放入原子反应堆进行中子照射，使同位素Si30激活嬗变为施主杂质P31进行掺杂-NTD。

漩涡缺陷：通常是指无位错单晶经西特尔腐蚀液腐蚀后，在晶体生长方向的横

②从蒸发作用考虑：如变速拉晶的晶体尾部电阻率较低，可把晶体尾部直径变细，降低拉速，增加杂质蒸发使CL变小而改善晶体电阻率的均匀性。

③从稀释溶质出发：

双坩埚及连续送料CZ技术：内坩埚熔体V不变，CL降低，外坩埚液体对内坩埚液体有稀释作用。当K较小时，生长的晶体所带走的杂质少。内坩埚熔体中杂质浓度变化缓慢，纵向电阻率均匀

④从提高有效分凝系数出发

强磁场中拉单晶MCZ增大有效分凝系数

⑤中子嬗变掺杂NTD

4、讨论CZ法中影响单晶径向电阻率均匀性的因素及其控制办法。

影响因素：①固液界面的平坦度②小平面效应

I.调平固液界面，具体方法有

①调整生长热系统，使径向温度梯度变小

②调节拉晶参数：

凸界面，增加拉速，凹界面，降低拉速

③调整晶体或坩埚的转速：

增大晶转；使凸变凹；增大埚转；使凹变凸

④增大坩埚与晶体直径的比值：

坩埚直径晶体直径=3～２.５:１

II. 调平固液界面还可消除小平面效应带来的径向电阻率分布的不均匀性

III.强磁场中拉单晶MCZ增大有效分凝系数

IV.中子嬗变掺杂NTD

5、说明不同的固液生长界面形状（凸、凹、平）对电阻率径向分布的影响（K<1杂质）

K<1：

．凸向熔体的界面会使径向电阻率出现中间高边缘低：

．凹向熔体的界面则相反：

．平坦的固液界面径向电阻率均匀性好。

６、分析产生杂质条纹的根本原因，说明对于非平坦界面，由于晶转轴与热转轴不重合带来的杂质条纹的形状（横截面、纵截面、表面）

．对于非平坦界面，以晶体的转轴为轴线的一连续螺蜷面，横截面为平面螺蜷线。纵截面为弯曲条纹，晶体表面产生细微的螺纹：旋转性表面条纹。

７、解释组分过冷并推导组分过冷产生的条件，讨论出现组分过冷时平坦界面上的干扰如何发展成胞状界面及枝蔓生长。

①组分过冷：原来固液界面前沿的过热熔体因杂质的聚集产生一过冷区，这种因组分变化而产生的冷现象称为组分过冷。

②熔体内距离固液界面距离为Ｚ处的温度为Ｔ(Ｚ)＝Ｔ（０）＋ηＣＬ(Ｚ)稳定的杂质富集层形成后，杂质在熔体中的分布为

｛ＣＬ(Ｚ)＝Ｃs﹛[(１-Ｋ０)ｅ（－ｆＺ／Ｄ）＋Ｋ０]/Ｋ０﹜

ＣＬ(Ｚ)=ＣＬＫｅｆｆ﹛[（１－Ｋ０）ｅ（－ｆＺ／Ｄ）＋Ｋ０]/Ｋ０﹜

Ｔ(Ｚ)=Ｔ(０)＋ηＣＬＫｅｆｆ﹛[（１－Ｋ０）ｅ（－ｆＺ／Ｄ）＋Ｋ０]/Ｋ０﹜｝

凝固点的曲线在固液界面ｄＴ(Ｚ)/ｄＺ|Ｚ=０＝ηＣＬＫｅｆｆ（Ｋ０-１）ｆ／Ｋ０Ｄ处的斜率为：

令固液界面处温度分布曲线的斜率：ｄＴ(Ｚ)/ｄＺ|Ｌ＝Ｇ

组分过冷的临界条件：Ｇ＝ηＣＬＫｅｆｆ（Ｋ０-１）ｆ／Ｋ０Ｄ

组分过冷的条件：Ｇ/ｆ＜ηＣＬＫｅｆｆ（Ｋ０-１）／Ｋ０Ｄ

Ｆ大，Ｇ和Ｋ０小均易满足组分过冷、拉晶时规避

③Ｋ<１的溶质，在界面前沿不断地排泄溶质，结果使相邻凸起间的沟槽内溶质增加得比凸起尖端更为迅速，而沟槽中溶质扩散到“大块”熔体中的速度又较凸起尖端小，于是沟槽中溶质浓集。

．由于溶液的凝固点随着浓度的增加而降低，因而沟槽不断加深，一定条件下界面可达一稳定的形状。

．此后的晶体生长就是该稳定的胞状界面以恒速向熔体中推进。

８、简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。

（１）位错对材料性能的影响

①位错对载流子浓度的影响

②位错对迁移率的影响

③位错对非平衡载流子寿命的影响

④位错对器件的影响

（２）无位错单晶工艺的要点

①正确的选择籽晶晶向和制备籽晶

．选择籽晶：表面光洁、没有系属结构

．籽晶晶向：生长方向与﹛１１１﹜面最小夹角最大

②采用合适的拉晶工艺

．缩颈；

．籽晶预热；

．等径生长阶段：防止机械振动造成机械应力，温度和拉速过大的波动造成热应力．收尾：缓慢升温同时放慢拉速，使晶体逐渐变细避免较大的热冲击

9.每拉出g=1/2 处，ρ=1Ω·cm 的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？（μp=2000cm2/V·s 、N0=6.02×1023mol-1）

10.要拉制30g ，ρ=1~3Ω·cm 的P 型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge 合金，合金中P 型Ge浓度为C m=1017cm-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge 合金？（Ga的分凝系数k=0.1，μp=2000cm2/V·s ）

第五章

1、名词解释：

?自掺杂：杂质从衬底及基座中蒸发出来进入气相中继而再次掺入外延层中，也包括由于衬底基座被腐蚀而进入气相中进而掺入外延层中。

?外扩散：高温时杂质从衬底扩散到正在生长的外延层中

?外延层的夹层：外延层和衬底界面附近出现的高阻层或反型层

?双掺杂技术：同时引入两种原子半径不同的杂质原子，使他们产生的应变正好相反。应力得到补偿，减少或避免晶格畸变，消除失配位错-应力补偿法。

?SOS技术：蓝宝石（α-AL2O3）或尖晶石（MgO.Al2O3）衬底上外延生长硅?SOI技术：称绝缘层上硅，把器件做在绝缘衬底生长的硅单晶层上。?SIMOX:通过氧离子注入到硅片，与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物，再经高温退火过程形成SiO2层，同时消除注入缺陷

?SDB&BE：

①直接键合技术使用键合技术，将两片硅片通过表面的SiO2层键合在一起

②再把背面用腐蚀BE等方法减薄到所要求的厚度获得SOI结构

?Smart-Cut：只能剥离技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术，即在键合的一片晶片上注入氢离子，然后和另一硅片在一定温度下键合，键合热处理温度大约5000C时，氧离子注入处会形成连续的空腔，从而自动剥离形成SOI结构。

2、详述影响硅外延生长速率的因素

①化学源：生长速率一来于所选硅源，随Cl元素含量增加而下降。

②反应物的摩尔分数：对于SiCl4源，随着浓度增加，生长速率先增大后减小

③沉积温度：生长速率随温度升高而增加，低温区生长速率随温度升高呈指数规律上升，生长速率对温度敏感；高温区生长速率随温度变化较平缓，生长速率对温度不敏感

④气流速度：生长速率与流速的平方根成正比

⑤衬底晶向：晶面间的共价键数目越多，键合能力越强，生长速率越快；晶面面密度越小，生长速度越快。

3、用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

①低温区，表面反应慢，反应速率受表面反应控制，即

生长速率随温度按指数变化

②高温区，表面反应快，反应速率受质量输运控制，

生长速度随温度缓慢变化

4、由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl4为原料的硅外延为什么随SiCl4浓度的增加会出现负的生长速率？

①SiCl4作为硅源在外延生长时会生成HCL气体，随着SiCl4浓度的增加，反应生成的HCL的浓度也增加。

②由于CL对硅有一定腐蚀作用，所以当其达到一定浓度是，由于腐蚀作用增大，以腐蚀硅的反应为主，此时不仅停止外延生长，且会使硅衬底受腐蚀而变薄，最终

表现结果既是出现负的生长速率。

5、为什么使用外延生长难以得到突变结？

?通常希望外延层和衬底之间界面处的掺杂浓度梯度很陡，但是由于高温下进行外延生长，衬底中的杂质会进入外延层，使得外延层和衬底处的杂质浓度变平，外延层与衬底之间杂质的互扩散导致杂质再分布。

?实际中由于自掺杂效应外延层中杂质的纵向分布要比只有衬底杂质向外延层的外扩散的情况更平坦，所以使用外延生长难以得到突变结。

6、确定在1200℃时，由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h G=5cm/s，表面反应速率常数为K S=107exp（-1.9eV/kT）cm/s,C G=5*1016cm-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

解：①其中C G=5*1016cm-3，N=5.22*1022cm-3

T0=300K,kT0=0.026eV T1=1473K，kT1=0.1277eV

K S1=3.452cm/s h G=5cm/s G1=1.956X10-6cm/s

②T2=1471cm/s kT2=0.1275ev K S2=3.374cm/s

G2=1.930X10-6cm/s ΔG=-2.6X10-8cm/s

ΔGG1=-1.33%

7、计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时，外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸？

第六章

1、名词解释

?HB：水平布里奇曼法，又称横拉法。采用石英密封系统，系统置于双温区炉中，低温端放As源控制系统中As气压，高温端合成化合物并拉制晶体，而整个系统的

温度都必须高于As源端温度，以防止As蒸汽凝结。

?LEC(LEP):液态密封法，在熔体上覆盖透明而粘滞的惰性熔体，再向单晶炉内充入大于熔体离解压的惰性气体，用此法来抑制化合物材料的理解。

?SSD：合成溶质扩散法。化合物溶质在出于高温区的溶剂表面合成，在温度梯度和浓度梯度的驱动下向坩埚底部扩散，并在温度较低的坩埚底部析出晶体。?VCZ：蒸汽控制直拉技术。把坩埚-晶体置于一准密封的内生长室内，内生长室中

K扩展；了，也就是在K=0处也会有一定数目的电子，这些电子便可不借声子的帮助而直接跃迁，从而大大提高了发光效率。

?因此GaP材料的发光实质上是激子复合发光。

4、详细说明三温区横拉法中温度选择的依据。（T1=12500C，T2=11000C,T3=6100C）

答：①高温区T1(1245-12600C)控制其高于GaAs熔点，以维持其熔体状态合成

GaAs

②中温区T2（1120-1200℃）既可调整固液界面附近的温度梯度，还可利用抑制石英舟中Si对晶体的污染。本质在于抑制高温区反应生成的Ga2O从高温区向低温区扩散。

4Ga(l)+SiO2(s) Si(s)+2Ga2O(g) (高温区)

3Ga2O(g)+As4(g) Ga2O3(s)+4GaAs(s) (低温区)

5、GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些？

①直接带隙，光电特性好，光电材料，可作发光与激光器件，Si,Ge只做微电子材料

②迁移率高（是硅的5-6倍），适于制作超高频高速器件和电路

③易于制成非掺杂半绝缘单晶，IC中不必作绝缘隔离层，简化IC，减少寄生电容，提高集成度

④Eg较大（1.43eV）,可在较高温度下（450℃）工作。硅：250℃，鍺：100℃

⑤耐热，抗辐射能力强

⑥太阳能电池，转换率比Si高

⑦Gunn效应，新型功能器件

第七章

1.解释：MOVPE,MBE、CBE、ALE、二步外延法、双气流MPVPE。

答：MOVPE：金属有机物气相外延生长，基本原理是：Ⅲ族、Ⅱ族金属有机物+Ⅴ族、Ⅵ族氢化物为源材料，热分解方式在衬底上进行外延生长Ⅲ-Ⅴ，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及它们的多元化合物的薄层单晶。

MBE：分子束外延，是在超高真空超高真空的条件下，用分子束或原子束输运源进行外延生长的方法。在超高真空中，分子束中的分子之间以及分子束的分子与背景分子之间几乎不发生碰撞。

CBE：化学束外延生长。用气态源代替固态源进行MBE生长，即气态源MBE.

ALE：原子层外延，是向衬底交替单独供给半导体组成元素的源，使各组成元素以单原子层在衬底上进行一层一层地生长一层分子层。

二步外延法：GaN和蓝宝石衬底之间的失配达到15.4%，为此先用MOVPE 发，低温下在550℃左右，在衬底上先生长一层20~50nm厚的GaN缓冲层，然后升温至1030℃，接着生长GaN外延层。

双气流MPVPE：采用二组输入反应室的气路进行外延生长，一路为主气路，沿与衬底平行方向输入反应气体。另一路称为副气路，在垂直于衬底方向高速度输入非反应气体，副气路输入的气体的作用是改变住气流的流向和抑制生长热对流，从而可生长具有高迁移率的单晶层。

2.依据相图，LPE 生长GaAs时说明如何从A 点开始外延生长。

①如Ga溶液组分为C L1，当温度T=T A时，它与GaAs衬底接触，此时A 点处于

液相

区，故它将溶掉GaAs衬底(俗称吃片子)。

②GaAs衬底被溶解后，溶液中As量增大，A 点朝右移动至A’后，GaAs才停止溶解。溶液为饱和态。

③降温后溶液变成过饱和，这时GaAs将析出并沉积在GaAs衬底上进行外延生长。

3.为什么从70年代初就对GaN开展了研究工作但一直进展缓慢？

1.说明四元固溶体半导体与三元固溶体半导体相比的优势？

①三元固溶体通过调整组分可以调整材料的带隙；对于发光器材来说可以调整发光波长。

②但组分确定之后，固溶体的晶格常数也随之确定，除了组成固溶体两种化合物晶

格常数相近的自匹配体系外，这就会遇到其外延生长材料与晶格不匹配的问题。

③使用四元固溶体可增加一个对其主要性能进行调整和裁剪的自由度。即可通过两种组元的组分改变来调整其带隙和晶格常数，因而能较容易的满足制作具有载流子限制和光限制作用的双异质结激光器的要求。

2.从In1-x GaxAs y P1-y四元固溶体的带隙与晶格常数图，说明与GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围？

从

可知

半导体物理课后习题答案

第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为： E c =02 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求：为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1==π （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1） eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 2121022 20 202 02022210 1202== -==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带：取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 32 2 2 *8 3)2(1 m dk E d m k k C nC = ==

s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3 002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以：准动量的定义： 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19282 19 11027.810106.1) 0(1027.81010 6.1)0(----?=??-- = ??=??-- = ?π π 第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。解 3 2 2233 *28100E 212 33*22100E 00212 3 3 *231000 L 8100)(3222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c πππππ=+-=-=== =-=*++??** ）（）（单位体积内的量子态数）（

大学语文期末考试题(1)

大学语文期末考试题2007 一、请翻译下列古文，两题任选一。（10分） 1、智术之士，必远见而明察，不明察，不能烛私；能法之士，必强毅而劲直，不劲直，不能矫奸。人臣循令而从事，案法而治官，非谓重人也。重人也者，无令而擅为，亏法以利私，耗国以便家，力能得其君，此所为重人也。智术之士明察，听用，且烛重人之阴情；能法之直到劲直，听用，矫重人之奸行。故智术能法之士用，则贵重之臣必在绳之外矣。是智法之士与当涂之人，不可两存之仇也。 2、魏其侯窦婴者，孝文（汉文帝）后从兄子也。孝文时，婴为吴相，病免。孝景（汉景帝）初即位，为詹事。梁孝王者，孝景弟也，其母窦太后爱之。梁孝王朝，因昆弟燕饮。是时上未立太子，酒酣，从容言曰：“千秋之後传梁王。”太后欢。窦婴引卮酒进上，曰：“天下者，高祖天下，父子相传，此汉之约也，上何以得擅传梁王！”太后由此憎窦婴。窦婴亦薄其官，因病免。太后除窦婴门籍，不得入朝请。孝景三年，吴楚反，上察宗室诸窦，毋如窦婴贤，乃召婴。婴入见，固辞谢病不足任。太后亦惭。於是上曰：“天下方有急，王孙宁可以让邪？”乃拜婴为大将军，赐金千斤。婴乃言袁盎、栾布诸名将贤士在家者进之。

二、请赏析李清照《醉花阴》一词。（10分）醉花阴薄雾浓云愁永昼，瑞脑销金兽。佳节又重阳，玉枕纱厨，半夜凉初透。东篱把酒黄昏后，有暗香盈袖。莫道不销魂，帘卷西风，人比黄花瘦。三、简答题。（共计15分） 1、请简要举例说明“赋”的文体特点。（5分） 2、史论贵在出新。请依据这一观点谈谈你对苏轼《留侯论》的理解。（10分）四、请谈谈你对“大学”一文所提出的三纲领和八条目后四条目内容的理解。（15分）五、“爱能入其中，观能出其外”，这是大文章家应有的境界。请结合贾平凹《秦腔》谈谈你对这一观点的理解。（20分）六、分析题，两题任选一。（15分） 1、请分析《刺客列传》中燕太子丹这一人物的性格特点。

半导体材料课后题答案

绪论 1. 半导体的基本特性？ ①电阻率大体在10-3~109Ω?cm范围 ②整流效应 ③负电阻温度系数 ④光电导效应 ⑤光生伏特效应 ⑥霍尔效应 2. 为什么说有一天，硅微电子技术可能会走到尽头？ ①功耗的问题存储器工作靠的是成千上万的电子充放电实现记忆的，当芯片集成度越来越高耗电量也会越来越大，如何解决散热的问题？ ②掺杂原子均匀性的问题一个平方厘米有一亿到十亿个器件，掺杂原子只有几十个，怎么保证在每一个期间的杂质原子的分布式一模一样的呢？是硅微电子技术发展遇到的又一个难题 ③SiO2层量子隧穿漏电的问题随着器件尺寸的减小，绝缘介质SiO2的厚度也在减小，当减小到几个纳米的时候，及时很小的电压，也有可能使器件击穿或漏电。量子隧穿漏电时硅微电子技术所遇到的另一个问题。 ④量子效应的问题如果硅的尺寸达到几个纳米时，那么量子效应就不能忽略了，现有的集成电路的工作原理就可能不再适用第一章 ⒈比较SiHCl3氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点？ ⑴三氯氢硅还原法优点：产率大，质量高，成本低，是目前国内外制备高纯硅的主要方法。缺点：基硼、基磷量较大。

⑵硅烷法优点 ①除硼效果好；（硼以复盐形式留在液相中） ②无腐蚀，降低污染；（无卤素及卤化氢产生） ③无需还原剂，分解效率高； ④制备多晶硅金属杂质含量低（SiH4的沸点低）缺点：安全性问题相图写出合金Ⅳ由0经1-2-3的变化过程第二章 ⒈什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系数？答：⑴分凝现象：含有杂质的晶态物质溶化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同，这种现象较分凝现象。 ⑵平衡分凝系数：固液两相达到平衡时，固相中的杂质浓度和液相中的杂质浓度是不同的，把它们的比值称为平衡分凝系数，用K0表示。 K0=C S/C L

大学物理试题库及答案详解【考试必备】

第一章质点运动学 1 -1 质点作曲线运动,在时刻t 质点的位矢为r ,速度为v ,速率为v,t 至(t ＋Δt )时间内的位移为Δr , 路程为Δs , 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ｜r ｜),平均速度为v ,平均速率为v ． (1) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜Δr ｜= Δs = Δr (B) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d s ≠ d r (C) ｜Δr ｜≠ Δr ≠ Δs ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r ≠ d s (D) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜v ｜= v ,｜v ｜= v (B) ｜v ｜≠v ,｜v ｜≠ v (C) ｜v ｜= v ,｜v ｜≠ v (D) ｜v ｜≠v ,｜v ｜= v 分析与解 (1) 质点在t 至(t ＋Δt )时间内沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs ＝PP′, 位移大小｜Δr ｜＝PP ′,而Δr ＝｜r ｜-｜r ｜表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动中大小也不相等(注：在直线运动中有相等的可能)．但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有｜d r ｜＝d s ,但却不等于d r ．故选(B)． (2) 由于｜Δr ｜≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠r ,即｜v ｜≠v ．但由于｜d r ｜＝d s ,故t s t d d d d =r ,即｜v ｜＝v ．由此可见,应选(C)． 1 -2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ； (2)t d d r ； (3)t s d d ； (4)2 2d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x ．下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确

大学物理期末考试题库

1某质点的运动学方程x=6+3t-5t 3，则该质点作（ D ）（A ）匀加速直线运动，加速度为正值（B ）匀加速直线运动，加速度为负值（C ）变加速直线运动，加速度为正值（D ）变加速直线运动，加速度为负值 2一作直线运动的物体，其速度x v 与时间t 的关系曲线如图示。设21t t →时间内合力作功为A 1，32t t →时间内合力作功为A 2，43t t → （C ）（A ）01?A ，02?A ，03?A （B ）01?A ，02?A ， 03?A （C ）01=A ，02?A ，03?A （D ）01=A ，02?A ，03?A 3 关于静摩擦力作功，指出下述正确者（ C ）（A ）物体相互作用时，在任何情况下，每个静摩擦力都不作功。（B ）受静摩擦力作用的物体必定静止。（C ）彼此以静摩擦力作用的两个物体处于相对静止状态，所以两个静摩擦力作功之和等于零。 4 质点沿半径为R 的圆周作匀速率运动，经过时间T 转动一圈，那么在2T 的时间内，其平均速度的大小和平均速率分别为（B ）（A ），（B ） 0，（C ）0， 0 （D ）T R π2， 0 5、质点在恒力F ρ作用下由静止开始作直线运动。已知在时间1t ?内，速率由0增加到υ；在2t ?内，由υ增加到υ2。设该力在1t ?内，冲量大小为1I ，所作的功为1A ；在2t ?内，冲量大小为2I ，所作的功为2A ，则（ D ） A ．2121;I I A A <= B. 2121;I I A A >= C. 2121;I I A A => D. 2121;I I A A =< 6如图示两个质量分别为B A m m 和的物体A 和B 一起在水平面上沿x 轴正向作匀减速直线运动，加速度大小为a ，A 与B 间的最大静摩擦系数为μ，则A 作用于B 的静摩擦力 F 的大小和方向分别为（D ）轴正向相反与、轴正向相同与、轴正向相同与、轴正向相反与、x a m D x a m x g m x g m B B B B ,,C ,B ,A μμT R π2T R π2T R π2t

半导体物理学-(第七版)-习题答案分解

3－7．（P 81）①在室温下，锗的有效状态密度Nc ＝1.05×1019cm －3，Nv ＝5.7×1018cm －3 ，试求锗的载流子有效质量m n *和m p * 。计算77k 时的Nc 和Nv 。已知300k 时，Eg ＝0.67eV 。77k 时Eg ＝0.76eV 。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77k ，锗的电子浓度为1017 cm －3 ，假定浓度为零，而Ec －E D ＝0.01eV,求锗中施主浓度N D 为多少？ [解] ①室温下，T=300k （27℃）,k 0=1.380×10-23J/K ，h=6.625×10-34 J·S，对于锗：Nc ＝1.05×1019cm －3，Nv=5.7×1018cm －3 ： ﹟求300k 时的Nc 和Nv ：根据（3－18）式： Kg T k Nc h m h T k m Nc n n 3123 32 19 234032 2*32 3 0* 100968.5300 1038.114.32)21005.1()10625.6(2)2()2(2---?=??????=?=??=ππ根据（3－23）式： Kg T k Nv h m h T k m Nv p p 3123 3 2 18 2340 32 2 *32 3 0*1039173.33001038.114.32)2107.5()10625.6(2)2()2(2---?=??????=?=??=ππ﹟求77k 时的Nc 和Nv ： 19192 3 23'233 2 30* 3 2 30*'10365.11005.1)30077()'(;)'()2(2) '2(2?=??===??=c c n n c c N T T N T T h T k m h T k m N N ππ 同理： 17182 3 23' 1041.7107.5)300 77()'(?=??==v v N T T N ﹟求300k 时的n i ： 13181902 11096.1)052 .067 .0exp()107.51005.1()2exp()(?=-???=- =T k Eg NcNv n i 求77k 时的n i ： 723 1918 1902 110094.1)77 1038.12106.176.0exp()107.51005.1()2exp()(---?=?????-???=-=T k Eg NcNv n i ②77k 时，由（3－46）式得到： Ec －E D ＝0.01eV ＝0.01×1.6×10-19；T ＝77k ；k 0＝1.38×10-23；n 0＝1017；Nc ＝1.365×1019cm -3 ；；＝＝－1619 2231917200106.610 365.12)]771038.12106.101.0exp(10[2)]2exp([??????????-=-Nc T k E Ec n N D D [毕] 3－8．（P 82）利用题7所给的Nc 和Nv 数值及Eg ＝0.67eV ，求温度为300k 和500k 时，含施主浓度N D ＝5×1015cm -3，受主浓度N A ＝2×109cm -3的锗中电子及空穴浓度为多少？ [解]1) T ＝300k 时，对于锗：N D ＝5×1015cm -3，N A ＝2×109cm -3：

大学物理考试题库-大学物理考试题

马文蔚（ 112 学时） 1-9 章自测题第 1 部分：选择题习题 1 1-1 质点作曲线运动，在时刻t质点的位矢为r ，速度为 v ，t 至 t t 时间内的位移为r ，路程为s，位矢大小的变化量为r （或称r ），平均速度为v ，平均速率为v 。（1）根据上述情况，则必有（）（A ）r s r （B ）（C）（D ）r s r ，当t0 时有 dr ds dr r r s ，当t0 时有 dr dr ds r s r ，当t0 时有 dr dr ds （2）根据上述情况，则必有（）（A ）（C）v v, v v（ B）v v, v v v v, v v（D ）v v, v v 1-2 一运动质点在某瞬间位于位矢r ( x, y) 的端点处，对其速度的大小有四种意见，即（1）dr ；（ 2） dr ；（3） ds ；（4）( dx )2( dy )2 dt dt dt dt dt 下列判断正确的是：（A ）只有（ 1）（2）正确（B ）只有（ 2）正确（C）只有（ 2）（3）正确（D ）只有（ 3）（ 4）正确 1-3 质点作曲线运动，r 表示位置矢量，v 表示速度， a 表示加速度，s表示路程，a t表示切向加速度。对下列表达式，即（1）dv dt a ；（2） dr dt v ；（3） ds dt v ；（4）dv dt a t。下述判断正确的是（）（A ）只有（ 1）、（ 4）是对的（B ）只有（ 2）、（4）是对的（C）只有（ 2）是对的（ D）只有（ 3）是对的 1-4 一个质点在做圆周运动时，则有（）（A ）切向加速度一定改变，法向加速度也改变（B ）切向加速度可能不变，法向加速度一定改变（C）切向加速度可能不变，法向加速度不变（D ）切向加速度一定改变，法向加速度不变 1-5 如图所示，湖中有一小船，有人用绳绕过岸上一定高度处的定滑轮拉湖中的船向岸边

大学语文试题及答案

《大学语文》课程期末考试试题A解答及评分标准专业、班级：任课教师：一、单项选择题（每小题1分，共20分）： 1.“攻之不克，围之不继，吾其还也”中的“吾其还也”应解释为：（ C ） A．我们期盼回去啊B．我们已经回去啦 C．我们还是回去吧D．我们还要回来的 2．“羽岂其苗裔邪？何兴之暴也！”中“何兴之暴也”应理解为：（A ）A．他的兴起多么突然啊B．他为何产生残暴之心啊 C．是什么让他暴跳如雷啊D．为什么他要实施暴行啊 3.“贫乏不能自存，使人属孟尝君。”一句中“属”字通（ B ）字。 A．阻B．嘱C．祝D．助 4.“会当凌绝顶”后面一句是（ D ）。 A．一览群山小B．一览名山小C．纵览江山小D．一览众山小 5.成语“梨花带雨”见于谁的作品？（ C ） A.孟子 B.王维 C.白居易 D.陶渊明 6.窦娥的三桩誓愿不包括：（ D ） A.血溅白练 B.六月飞雪 C.三年亢旱 D.诛杀奸人 7.古典名著《红楼梦》的成书年代是：（ D ） A.唐代 B.元代 C.明代 D.清代 8.以下哪一句不是孔子对《诗经》的评价？（ A ） A．感于哀乐，缘事而发。B．温柔敦厚。 C．乐而不淫，哀而不伤。D．思无邪。 9.“黑夜给了我黑色的眼睛，我却用它去寻找光明。”这句诗出自：（ D ） A．《黑夜》B．《黑眼睛》C．《远和近》D．《一代人》 10.被曹禺认为“最具有雷雨性格”的人物是（ B ）。 A．周朴园B．周繁漪C．鲁侍萍D．鲁大海 11.著名诗句“冬天已经来了，春天还会远吗？”出自（ C ）。 A．《假如生活欺骗了你》B．《致大海》C．《西风颂》D．《我曾经爱过你》 12.作者鲁迅对阿Q的批判态度是（ D ）。 A．麻木不仁B．哀其不幸C．怒其不争D．哀其不幸，怒其不争 13.有“俄罗斯诗歌的太阳”美誉的诗人是（ C ）。 A．华兹华斯B．歌德C．普希金D．雪莱 14.以下哪位诗人不属于现当代诗歌流派“朦胧诗群”的代表？（ C ） A．杨炼B．北岛C．余光中D．舒婷 15.汪曾祺出的第一部小说集是（ B ）。 A．《受戒》B．《邂逅集》C．《羊舍的夜晚》D．《大淖记事》 16.宋代著名女词人李清照自号易安居士，其词收在哪本词集里？（ C ） A．《如梦令》B．《易安居士集》C．《漱玉词》D．《声声慢集》 17.诗句“为什么我的眼里常含泪水？因为我对这土地爱得深沉”出自（ C ）。A．《土地》B．《泪水》C．《我爱这土地》D．《祖国》 18.以下属于莎士比亚四大悲剧之一的是：（ A ） A．哈姆莱特麦克白李尔王奥晒罗B．威尼斯商人C．亨利四世D．浮士德19.《变形记》的作者是：（ C ） A．格里高尔B．尤奈斯库C．卡夫卡D．海明威 20.以下不属于英国“湖畔派”之一的诗人是：（ B ） A．华兹华斯B．雪莱C．柯勒律治D．骚塞

半导体物理课后习题解答

半导体物理习题解答 1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为： E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0 2 23m k h ； m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝0232m k h ＋0 12)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝ 14 3 k ，由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ；由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0；并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝2 02 48a m h ＝11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=，∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k ＝h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ，∵F =h dt dk =q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk

大学语文期末考试试题及答案解析

大学语文期末考试试题及答案解析一、单项选择题（每小题1分，共20分）： 1.“攻之不克，围之不继，吾其还也”中的“吾其还也”应解释为：（） A．我们期盼回去啊B．我们已经回去啦 C．我们还是回去吧D．我们还要回来的 2．“羽岂其苗裔邪？何兴之暴也！”中“何兴之暴也”应理解为：（） A．他的兴起多么突然啊B．他为何产生残暴之心啊 C．是什么让他暴跳如雷啊D．为什么他要实施暴行啊 3.“贫乏不能自存，使人属孟尝君。”一句中“属”字通（）字。 A．阻B．嘱C．祝D．助 4.“会当凌绝顶”后面一句是（）。 A．一览群山小B．一览名山小C．纵览江山小D．一览众山小 5.成语“梨花带雨”见于谁的作品？（） A.孟子 B.王维 C.白居易 D.陶渊明 6.窦娥的三桩誓愿不包括：（） A.血溅白练 B.六月飞雪 C.三年亢旱 D.诛杀奸人 7.古典名著《红楼梦》的成书年代是：（） A.唐代 B.元代 C.明代 D.清代 8.以下哪一句不是孔子对《诗经》的评价？（） A．感于哀乐，缘事而发。B．温柔敦厚。 C．乐而不淫，哀而不伤。D．思无邪。 9.“黑夜给了我黑色的眼睛，我却用它去寻找光明。”这句诗出自：（）A．《黑夜》B．《黑眼睛》C．《远和近》D．《一代人》 10.被曹禺认为“最具有雷雨性格”的人物是（）。 A．周朴园B．周繁漪C．鲁侍萍D．鲁大海 11.著名诗句“冬天已经来了，春天还会远吗？”出自（）。

A．《假如生活欺骗了你》B．《致大海》C．《西风颂》D．《我曾经爱过你》12.作者鲁迅对阿Q的批判态度是（）。 A．麻木不仁B．哀其不幸C．怒其不争D．哀其不幸，怒其不争 13.有“俄罗斯诗歌的太阳”美誉的诗人是（）。 A．华兹华斯B．歌德C．普希金D．雪莱 14.以下哪位诗人不属于现当代诗歌流派“朦胧诗群”的代表？（） A．杨炼B．北岛C．余光中D．舒婷 15.汪曾祺出的第一部小说集是（）。 A．《受戒》B．《邂逅集》C．《羊舍的夜晚》D．《大淖记事》 16.宋代著名女词人李清照自号易安居士，其词收在哪本词集里？（） A．《如梦令》B．《易安居士集》C．《漱玉词》D．《声声慢集》 17.诗句“为什么我的眼里常含泪水？因为我对这土地爱得深沉”出自（）。A．《土地》B．《泪水》C．《我爱这土地》D．《祖国》 18.以下属于莎士比亚四大悲剧之一的是：（） A．哈姆莱特B．威尼斯商人C．亨利四世D．浮士德 19.《变形记》的作者是：（） A．格里高尔B．尤奈斯库C．卡夫卡D．海明威 20.以下不属于英国“湖畔派”之一的诗人是：（） A．华兹华斯B．雪莱C．柯勒律治D．骚塞二、简析题（每小题10分，共20分） 1. 简析汪曾祺小说《陈小手》的写作特点。 2. 简述普希金《致大海》中“大海”的象征意义。三、论述题（任选一题且只需答一题，共20分；多答不会多给分）： 1．分析《齐桓晋文之事章》的论辩特色。 2．赏析马致远《天净沙?秋思》的艺术特色。

大学物理期末考试题库

1某质点的运动学方程x=6+3t-5t 3 ，则该质点作（ D ）（A ）匀加速直线运动，加速度为正值（B ）匀加速直线运动，加速度为负值（C ）变加速直线运动，加速度为正值（D ）变加速直线运动，加速度为负值 2一作直线运动的物体，其速度x v 与时间t 的关系曲线如图示。设21t t →时间合力作功为 A 1，32t t →时间合力作功为A 2，43t t → 3 C ）（A ）01?A ，02?A ，03?A （B ）01?A ，02?A ， 03?A （C ）01=A ，02?A ，03?A （D ）01=A ，02?A ，03?A 3 关于静摩擦力作功，指出下述正确者（ C ）（A ）物体相互作用时，在任何情况下，每个静摩擦力都不作功。（B ）受静摩擦力作用的物体必定静止。（C ）彼此以静摩擦力作用的两个物体处于相对静止状态，所以两个静摩擦力作功之和等于零。 4 质点沿半径为R 的圆周作匀速率运动，经过时间T 转动一圈，那么在2T 的时间，其平均速度的大小和平均速率分别为（B ）（A ），（B ） 0，（C ）0， 0 （D ） T R π2， 0 5、质点在恒力F 作用下由静止开始作直线运动。已知在时间1t ?，速率由0增加到υ；在2t ?，由υ增加到υ2。设该力在1t ?，冲量大小为1I ，所作的功为1A ；在2t ?，冲量大小为2I ，所作的功为2A ，则（ D ） A ．2121;I I A A <= B. 2121;I I A A >= C. 2121;I I A A => D. 2121;I I A A =< 6如图示两个质量分别为B A m m 和的物体A 和B 一起在水平面上沿x 轴正向作匀减速直线运动，加速度大小为a ，A 与B 间的最大静摩擦系数为μ，则A 作用于B 的静摩擦力F 的大小和方向分别为（D ）轴正向相反与、轴正向相同与、轴正向相同与、轴正向相反与、x a m D x a m x g m x g m B B B B ,,C ,B ,A μμT R π2T R π2T R π2t

大学语文期末考试题汇总(附答案整理)(1)(1)

大学语文期末考试题汇总一．单选题 1.称赞《史记》为“史家之绝唱，无韵之离骚”的人是（鲁迅） 2.关于“子”的说法错误的是（自由职业者） 3.拟语录体形式记述的先秦诸子著作是（《论语》） 4.老舍著《断魂枪》中的主人公是（沙子龙） 5.《前赤壁赋》中苏子认为“惟江上之清风，与山间之明月，耳得之而为声，目遇之而成色，取之无禁，用之不竭。”表达（积极旷达的心境） 6.《前赤壁赋》一文运用主客问答的形式，其中“客”所起的作用（代表作者思想的一个侧面） 7.契诃夫《苦恼》中能听车夫姚纳诉说苦恼的是（小母马） 8.《前赤壁赋》中描写箫声的句子是（舞幽壑之潜蛟） 9.《苦恼》中车夫姚纳的苦恼是（没人听他诉说） 10.《前赤壁赋》中用来写景抒情说理的自然景物是（江水、清风、明月） 11.下列哪一句不是孔子对《诗经》的评价？（乐而不淫，哀而不伤） 12.、胡适在《容忍与自由》中写“绝对之事”用的原引事例主角是（陈独秀） 13.顾城最著名的一句话“黑夜给了我黑色的眼睛，我却用它寻找光明”出自哪一部诗集？（《一代人》）二．填空 1.敏而好学，（不耻下问） 2.文质彬彬，（然后君子） 3.己所不欲，（勿施于人） 4.有朋自远方来，（不亦说乎？） 5.孔子字（仲尼），是中国先秦著名的思想家、教育家、政治家。孔子开创了私人讲学的风气，是（儒家）学派的创始人。 6.孔子创始学派儒家的核心思想是（仁、礼） 7.《史记》分为五部分，分别是（本纪十二篇，表十篇，书八篇，世家三十篇，列传七十篇） 8.《边城》作者（沈从文），七中的少女主人公（翠翠）

9.写出老舍的三部作品（《骆驼祥子》、《茶馆》、《四世同堂》 10.哀吾生之须臾，（羡长江之无穷） 11.（蒹葭苍苍），白露为霜，所谓伊人，（在水一方） 12.子曰：“三人行，必有我师焉，（择其善者而从之，其不善者而改之）。” 13.《诗经》三百篇，分为（风、雅、颂）三个体 14.孔子的儒家核心思想“仁”是（爱人），“仁”的施行应以（“礼”）为规范，崇尚克己复礼。三．翻译题 1.子曰：“出门如见大宾，使民如承大祭，己所不欲，勿施于人，在邦无怨，在家无怨。” 译：孔子说：“出门在外要像接待贵宾一样尊敬谨慎，役使老百姓要像承当重大祭典一样严肃小心。自己不喜欢的事物，就不要强加给别人。在诸侯国里做官不会招致怨恨，在大夫的采邑里做官也不会招致怨恨。” 2.惟江上之清风，与山间之明月，耳得之而为声，目遇之而成色，取之无禁，用之不竭。是造物者之无尽藏也，而吾与子之所共适。译：只有江上的清风和山间的明月，耳朵听它，听到的便是声音，眼睛看它，看到的便是色彩，取用它没有人禁止，享用它无穷无尽，这是大自然的无穷宝藏，是我和你可以共同享受的。” 四．论述题 1.阅读《骆驼祥子》片段并赏析。可能会考的材料（不一定哈）赏析一:祥子的手哆嗦得更厉害了，揣起保单，拉起车，几乎要哭出来。拉到个僻静地方，细细端详自己的车，在漆板上试着照照自己的脸！越看越可爱，就是那不尽合自己的理想的地方也都可以原谅了，因为已经是自己的车了。把车看得似乎暂时可以休息会儿了，他坐在了水簸箕的新脚垫儿上，看着车把上的发亮的黄铜喇叭。他忽然想起来，今年是二十二岁。因为父母死得早，他忘了生日是在哪一天。自从到城里来，他没过一次生日。好吧，今天买上了新车，就算是生日吧，人的也是车的，好记，而且车既是自己的心血，简直没什么不可以把人与车算在一块的地方。

纳米材料习题答案

纳米材料习题答案 1、简单论述纳米材料的定义与分类。答：最初纳米材料是指纳米颗粒和由它们构成的纳米薄膜和固体。现在广义: 纳米材料是指在三维空间中至少有一维处在纳米尺度范围，或由他们作为基本单元构成的材料。如果按维数，纳米材料可分为三大类：零维：指在空间三维尺度均在纳米尺度，如：纳米颗粒，原子团簇等。一维：指在空间有两处处于纳米尺度，如：纳米丝，纳米棒，纳米管等。二维：指在三维空间中有一维处在纳米尺度，如：超薄膜，多层膜等。因为这些单元最具有量子的性质，所以对零维，一维，二维的基本单元，分别又具有量子点，量子线和量子阱之称。 2、什么是原子团簇谈谈它的分类。 3、通过Raman 光谱中任何鉴别单壁和多臂碳纳米管如何计算单壁碳纳米管直径答：利用微束拉曼光谱仪能有效地观察到单臂纳米管特有的谱线，这是鉴定单臂纳米管非常灵敏的方法。 100-400cm-1范围内出现单臂纳米管的特征峰，单臂纳米管特有的环呼吸振动模式；1609cm-1，这是定向多壁纳米管的拉曼特征峰。单臂管的直径d与特征拉曼峰的波数成反比，即d = 224/w d：单壁管的直径，nm；w：为特征拉曼峰的波数cm-1

4、论述碳纳米管的生长机理（图）。答：碳纳米管的生长机理包括V-L-S机理、表面（六元环）生长机理。（1）V-L-S机理：金属和碳原子形成液滴合金，当碳原子在液滴中达到饱和后开始析出来形成纳米碳管。根据催化剂在反应过程中的位置将其分为顶端生长机理、根部生长机理。 ①顶端生长机理：在碳纳米管顶部，催化剂微粒没有被碳覆盖的的部分，吸附并催化裂解碳氢分子而产生碳原子，碳原子在催化剂表面扩散或穿过催化剂进入碳纳米管与催化剂接触的开口处，实现碳纳米管的生长，在碳纳米管的生长过程中，催化剂始终在碳纳米管的顶端，随着碳纳米管的生长而迁移； ②根部生长机理：碳原子从碳管的底部扩散进入石墨层网络，挤压而形成碳纳米管，底部生长机理最主要的特征是：碳管一末端与催化剂微粒相连，另一端是不含有金属微粒的封闭端；（2）表面（六元环）生长机理：碳原子直接在催化剂的表面生长形成碳管，不形成合金。 ①表面扩散机理：用苯环坐原料来生长碳纳米管，如果苯环进入催化剂内部，会被分解而产生碳氢化合物和氢气同时副产物的检测结果为只有氢气而没有碳氢化化物。说明苯环没有进入催化剂液滴内部，而只是在催化剂表面脱氢生长，也符合“帽式”生长机理。 5、论述气相和溶液法生长纳米线的生长机理。（1）气相法反应机理包括：V-L-S机理、V-S机理、碳纳米管模板法、金属原位生长。 ①V-L-S机理：反应物在高温下蒸发，在温度降低时与催化剂形成低共熔液滴，小液滴相互聚合形成大液滴，并且共熔体液滴在端部不断吸收粒子和小的液滴，最后由于微粒的过饱和而凝固形成纳米线。 ②V-S机理：首先沉底经过处理，在其表面形成许多纳米尺度的凹坑蚀丘，这些凹坑蚀丘为纳米丝提供了成核位置，并且它的尺寸限定了纳米丝的临界成核直径，从而使生长的丝为纳米级。 ③碳纳米管模板法：采用碳纳米管作为模板，在一定温度和气氛下，与氧化物反应，碳纳米管一方面提供碳源，同时消耗自身；另一方面提供了纳米线生长的场所，同时也限制了生成物的生长方向。 ④金属原位生长：（2）溶液法反应机理包括溶液液相固相、选择性吸附。 ①S-L-S机理：SLS 法和 VLS 法很相似，二者的主要差别在于 SLS 法纳米线成长的液态团簇来源于溶液相，而 VLS 法则来自蒸气相。

大学物理考试试题

一、选择题（每小题2分，共20分） 1. 关于瞬时速率的表达式，正确的是（ B ） (A) dt dr =υ； (B) dt r d = υ; (C) r d =υ; (D) dr dt υ= r 2. 在一孤立系统内，若系统经过一不可逆过程，其熵变为S ?，则下列正确的是（ A ） (A) 0S ?>; (B) 0S ?< ; (C) 0S ?= ; (D) 0S ?≥ 3. 均匀磁场的磁感应强度B 垂直于半径为r 的圆面，今以该圆面为边界，作以半球面S ，则通过S 面的磁通量的大小为（ B ）（A ）2πr 2B; (B) πr 2B; （C ）0; （D ）无法确定 4. 关于位移电流，有下面四种说法，正确的是（ A ）（A ）位移电流是由变化的电场产生的；（B ）位移电流是由变化的磁场产生的；（C ）位移电流的热效应服从焦耳—楞次定律；（D ）位移电流的磁效应不服从安培环路定律。 5. 当光从折射率为1n 的介质入射到折射率为2n 的介质时，对应的布儒斯特角b i 为（ A ） 2 1 1 2 (A)( );(B)( );(C) ;(D)02 n n arctg arctg n n π 6. 关于电容器的电容，下列说法正确．．的是（ C ） (A) 电容器的电容与板上所带电量成正比 ; (B) 电容器的电容与板间电压成反比; (C)平行板电容器的电容与两板正对面积成正比 ;(D) 平行板电容器的电容与两板间距离成正比 7. 一个人站在有光滑转轴的转动平台上，双臂水平地举二哑铃。在该人把二哑铃水平收缩到胸前的过程中，人、哑铃与转动平台组成的系统（ C ）（A ）机械能守恒，角动量不守恒；（B ）机械能守恒，角动量守恒；（C ）机械能不守恒，角动量守恒；（D ）机械能不守恒，角动量也不守恒； 8. 某气体的速率分布曲线如图所示，则气体分子的最可几速率v p 为（ A ） (A) 1000 m ·s -1 ; （B ）1225 m ·s -1 ; (C) 1130 m ·s -1 ; (D) 1730 m ·s -1 得分

大学语文期末试卷及答案

大学语文期末试卷及答案一、填空题（12分）（一）文学常识填空（每空1分） 1．《》是我国最早的一部诗歌总集，原名《》或《》。 2．《》是儒家学说经典，主要记载孔子及其弟子的言行，由孔子的弟子及再传弟子记录编纂而成。 3．李白诗歌充满浪漫色彩，诗歌风格豪放飘逸，被誉为。 4．《垓下之围》节选自，作者是。 5．戴望舒的《雨巷》一诗中的丁香姑娘，运用了手法。（二）名句、诗词填空（每空1分） 1．人生代代无穷已，。（张若虚《春江花月夜》） 2．路漫漫其修远兮，。（屈原《离骚》） 3．春风桃李花开日，。（白居易《长恨歌》） 4．感时花溅泪，。（杜甫《春望》）二、解释下列带“ ”的词语（每词1分，共10分） 1．贫与贱，是人之所恶也。 2．长太息以掩涕兮，哀民生之多艰。 3．吾长见笑于大方之家。 4．相与枕藉乎舟中，不知东方之既白。 5．所当者破，所击者服，未尝败北。 6．窃以为与君实游处相好之日久，而议事每不合，所操之术多异故也。 7．此情可待成追忆？只是当时已惘然。 8．是以区区不能废远。三、简析题（38分）（一）阅读《秋水》中的一段文字，回答文后问题。秋水时至，百川灌河。泾流之大，两涘渚崖之间，不辩牛马。于是焉河伯欣然自喜，以天下之美为尽在己。顺流而东行，至于北海，东面而视，不见水端。于是焉河伯始旋其面目，望洋向若而叹曰：“野语有之曰：‘闻道百，以为莫己若者。’我之谓也。且夫我尝闻少仲尼之闻而轻伯夷之义者，始吾弗信，今我睹子之难穷也，吾非至于子之门则殆矣，吾长见笑于大方之家。” 1.本段描写了哪两种景象?（2分）二者的关系是什么?（4分） 2.从这段话来看，《秋水》这篇文章是采用什么方法来讲道理的?（4分）

大学半导体材料课后习题答案期末考试复习资料汇总

半导体材料复习资料绪论 1.半导体的基本特性？ ①电阻率大体在10-3~109Ω?范围 ②整流效应 ③负电阻温度系数 ④光电导效应 ⑤光生伏特效应 ⑥霍尔效应 2.为什么说有一天，硅微电子技术可能会走到尽头？ ①功耗的问题存储器工作靠的是成千上万的电子充放电实现记忆的，当芯片集成度越来越高耗电量也会越来越大，如何解决散热的问题？ ②掺杂原子均匀性的问题一个平方厘米有一亿到十亿个器件，掺杂原子只有几十个，怎么保证在每一个期间的杂质原子的分布式一模一样的呢？是硅微电子技术发展遇到的又一个难题 ③2层量子隧穿漏电的问题随着器件尺寸的减小，绝缘介质2的厚度也在减小，当减小到几个纳米的时候，及时很小的电压，也有可能使器件击穿或漏电。量子隧穿漏电时硅微电子技术所遇到的另一个问题。 ④量子效应的问题如果硅的尺寸达到几个纳米时，那么量子效应就不能忽略了，现有的集成电路的工作原理就可能不再适用第一章 ⒈比较3氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点？ ⑴三氯氢硅还原法优点：产率大，质量高，成本低，是目前国内外制备高纯硅的主要方法。缺点：基硼、基磷量较大。

⑵硅烷法优点 ①除硼效果好；（硼以复盐形式留在液相中） ②无腐蚀，降低污染；（无卤素及卤化氢产生） ③无需还原剂，分解效率高； ④制备多晶硅金属杂质含量低（4的沸点低）缺点：安全性问题相图写出合金Ⅳ由0经1-2-3的变化过程第二章 ⒈什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系数？答：⑴分凝现象：含有杂质的晶态物质溶化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同，这种现象较分凝现象。 ⑵平衡分凝系数：固液两相达到平衡时，固相中的杂质浓度和液相中的杂质浓度是不同的，把它们的比值称为平衡分凝系数，用K0表示。 K0

大学语文期末试卷

大学语文期末模拟试题一、单项选择题（10小题，每小题2分，共20分） 1、中国文学史第一位伟大的诗人是（） A、屈原 B、白居易 C、杜甫 D、辛弃疾 2、我国第一部断代史是( ) A. 《左传》 B. 《汉书》 C.《三国志》 D.《清史稿》 3、被后人称之为“诗圣”的人是（） A.李白 B.杜甫 C.孟浩然 D.白居易 4、下列作家不属于汉赋四大家的是（） A.司马相如 B.杨雄 C. 左思 D.张衡 5、下列词人中不属于豪放派的有( ) A.、张孝祥 B. 朱敦儒 C. 陈亮 D.周邦彦 6、下列作家中属于“元曲四大家”的有( ) A．孔尚任 B．张可久 C．睢景臣 D．关汉卿 7、下列作家中属于“唐宋八大家”的有( ) A李白 B 王勃 C白居易 D柳宗元 8、“那河畔的/金柳,是/夕阳中的/新娘。波光里的/艳影, 在我的心头/荡漾。”中用到的修辞手法是（） A．对偶 B．排比 C．博喻 D．比喻 9、下列书名不是《红楼梦》曾用过的是( ) A．《石头记》 B．《情僧录》 C．《情海恨史》 D．《风月宝鉴》 10、“六军不发无奈何，宛转娥眉马前死。”中采用的是（）修辞手法 A．借代 B．对比 C．夸张 D．衬托二、填空（10个空，每空1分，共10分） 1、盛唐时期是诗歌繁荣的顶峰，这个时期有被誉为“诗仙”的﹍﹍﹍﹍、被誉为“诗圣”的﹍﹍﹍﹍、还有“诗佛”﹍﹍﹍﹍、“诗鬼”﹍﹍﹍﹍等，他们共同为盛唐诗坛增添了无限光彩。 2、采莲南塘秋，------------------------。 3、《诗经》是我国最早的一部诗歌总集，按音乐性质分为﹍﹍﹍﹍、﹍﹍﹍﹍、﹍﹍﹍﹍，是我国现实主义诗歌的光辉起点。

《材料化学》课后思考题部分答案

第一章绪论 1.什么是材料化学？其主要特点是什么？答：材料化学是关于材料的结构，性能，制备和应用的化学；其主要特点是跨学科性和实践性。 2.新石器时代的标志是什么？答：其标志为陶器和农业的出现。 3.材料与试剂的主要区别是什么？答：试剂在使用过程中通常被消耗并转化成别的物质，而材料则一般可重复，持续使用，除了正常消耗，它不会不可逆的转变成别的物质。 4.材料按其组成和结构可以分为哪几类？答：金属材料，无机非金属材料，聚合物材料和复合材料。第二章材料的结构 1.原子间的结合键共有几种？各自特点如何？答：（1）金属键一是电子共有化，可以自由流动；二是既无饱和性又无方向性。（2）离子键离子键具有强的键合力，既无饱和性也无方向性，配位数高。（3）共价键共价键具有饱和性方向性，配位数低。（4）氢键氢键具有饱和性和方向性。（5）范德华键不具有方向性和饱和性，作用范围在几百个皮米之间。第三章材料的性能 1.用固体能带理论说明什么是导体，半导体，绝缘体？答：固体的导电性能由其能带结构决定。对一价金属（如Na），价带是未满带，故能导电。对二价金属（如Mg），价带是满带，但禁带宽度为零，价带与较高的空带相交叠，满带中的电子能占据空带，因而也能导电。绝缘体和半导体的能带结构相似，价带为满带，价带与空带间存在禁带。禁带宽度较小时（0.1—3eV）呈现半导体性质，禁带宽度较大（＞5eV）则为绝缘体。 2.试解释为何铝材不易生锈，而铁则较易生锈？答:锈蚀机理不同，前者为化学腐蚀，后者为电化学腐蚀铝是一种较活泼的金属，但因为在空气中能很快生成致密的氧化铝薄膜，所以在空气中是非常稳定的。铁与空气中的水蒸气，酸性气体接触，与自身的氧化物之间形成了腐蚀电池，遭到了电化学腐蚀，所以容易生锈。 3.为什么碱式滴定管不采用玻璃活塞？答：因为普通的无机玻璃主要含二氧化硅，二氧化硅是一种酸性的氧化物，在碱液中将会被溶解或侵蚀，其反应为：SiO2+2NaOH→Na2SiO3+H2O 4.何种结构的材料具有高硬度？如何提高金属材料的硬度？答：由共价键结合的材料具有很高的硬度，这是因为共价键的强度较高。无机非金属材料由离子键和共价键构成，这两种键的强度均较高，所以一般都有较高硬度，特别是当含有价态较高而半径较小的离子时，所形成的离子键强度较高(因静电引力较大)，故材料的硬度较高。金属材料的硬度主要受金属晶体结构的影响，形成固溶体或合金时可显著提高材料的硬度。 5.什么是材料的疲劳？有哪些指标反应材料的疲劳性能？答：疲劳是指材料在循环受力（拉伸，压缩，弯曲，剪切等）下，在某点或某些点产生局部的永久性损伤，并在一定循环次数后形成裂纹或使裂纹进一步扩展直到完全断裂的现象。高循环疲劳的裂纹形成阶段的疲劳性能常以S-N曲线表征，

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