什么是耦合_耦合电容

耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。

退耦有三个目的：1.将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过电源相互串扰的通路切断；2.大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源波动，通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；3.形成悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹配。

1，耦合，有联系的意思。

2，耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。

3，去耦合元件，指消除信号联系的元件。

4，去耦合电容简称去耦电容。

5，例如，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗（这需要计算）这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

摘引自伦德全《电路板级的电磁兼容设计》一文，该论文对噪声耦和路径、去耦电容和旁路电容的使用都讲得不错。请参阅。

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干扰的耦合方式

干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通道对电控系统发生电磁干扰作用的。干扰的耦合方式无非是通过导线、空间、公共线等作用在电控系统上。分析下来主要有以下几种。

直接耦合：这是干扰侵入最直接的方式，也是系统中存在最普遍的一种方式。如干扰信号通过导线直接侵入系统而造成对系统的干扰。对这种耦合方式，可采用滤波去耦的方法有效地抑制电磁干扰信号的传入。

公共阻抗耦合：这也是常见的一种耦合方式。常发生在两个电路的电流有共同通路的情况。公共阻抗耦合有公共地和电源阻抗两种。防止这种耦合应使耦合阻抗趋近于零、使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。

电容耦合：又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。

电磁感应耦合：又称磁场耦合。是由于内部或外部空间电磁场感应的一种耦合方式，防止这种耦合的常用方法是对容易受干扰的器件或电路加以屏蔽。

辐射耦合：电磁场的辐射也会造成干扰耦合，是一种无规则的干扰。这种干扰很容易通过电源线传到系统中去。另当信号传输线较长时，它们能辐射干扰波和接收干扰波，称为大线效应。

漏电耦合：所谓漏电耦合就是电阻性耦合。这种干扰常在绝缘降低时发生。

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记得以前我的观点是：去藕电容一般容量比较大，也就是避免噪声耦合到其他部分的意思；旁路电容容量小，提供低阻抗的噪声回流路径。

其实这种说法也可以算没有什么大错误。但是经过偶查阅了相关资料，才发现其实decouple和bypass从根本上来说没有任何区别，两者在称谓上可以互换。两者的作用低俗一点说：当电源用。所谓噪声其实就是电源的波动，电源波动来自于两个方面：电源本身的波动，负载对电流需求变化和电源系统相应能力的差别带来的电压波动。而去藕和旁路电容都是相对负载变化引起的噪声来说。所以他们两个没有必要做区分。而且实际上电容值的大小，数量也是有理论根据可循的，如果随意选择，可能会在某些情况下遇到去藕电容（旁路）和分布参数发生自激振荡的情况。所以真正意义上的去藕和旁路都是根据负载和供电系统的实际情况来说的。没有必要去做区分，也没有本质区别。

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电容是板卡设计中必用的元件，其品质的好坏已经成为我们判断板卡质量的一个很重要的方面。

①电容的功能和表示方法。

由两个金属极，中间夹有绝缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示在电路中编号为8的电容。

②电容的分类。

电容按介质不同分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。按极性分为：有极性电容和无极性电容。按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。

③电容的容量。

电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，容抗与交流信号的频率和电容量有关，容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C

表示电容容量)。

④电容的容量单位和耐压。

电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF 的单位。换算关系：1F＝1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。

每一个电容都有它的耐压值，用V表示。一般无极电容的标称耐压值比较高有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等。有极电容的耐压相对比较低，一般标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。

⑤电容的标注方法和容量误差。

电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0.005，表示0.005uF=5nF。如果是5n，那就表示的是5nF。数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是10的多少次方。如：102表示10x10x10 PF=1000PF，203表示20x10x10x10 PF。色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一、二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）。颜色代表的数值为：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。

⑥电容的正负极区分和测量。

电容上面有标志的黑块为负极。在PCB上电容位置上有两个半圆，涂颜色的半圆对应的引脚为负极。也有用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。

当我们不知道电容的正负极时，可以用万用表来测量。电容两极之间的介质并不是绝对的绝缘体，它的电阻也不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻或漏电电阻。只有电解电容的正极

接电源正（电阻挡时的黑表笔），负端接电源负（电阻挡时的红表笔）时，电解电容的漏电流才小（漏电阻大）。反之，则电解电容的漏电流增加（漏电阻减小）。这样，我们先假定某极为“+”极，万用表选用R*100或R*1K挡，然后将假定的“+”极与万用表的黑表笔相接，另一电极与万用表的红表笔相接，记下表针停止的刻度（表针靠左阻值大），对于数字万用表来说可以直接读出读数。然后将电容放电（两根引线碰一下），然后两只表笔对调，重新进行测量。两次测量中，表针最后停留的位置靠左（或阻值大）的那次，黑表笔接的就是电解电容的正极。

⑦电容使用的一些经验及来四个误区。

一些经验：在电路中不能确定线路的极性时，建议使用无极电解电容。通过电解电容的纹波电流不能超过其充许范围。如超过了规定值，需选用耐大纹波电流的电容。电容的工作电压不能超过其额定电压。在进行电容的焊接的时候，电烙铁应与电容的塑料外壳保持一定的距离，以防止过热造成塑料套管破裂。并且焊接时间不应超过10秒，焊接温度不应超过260摄氏度。

四个误区：

●电容容量越大越好。

很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC 提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的增大带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻抗小。因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好。但当频率超过谐振点时，放电回路的阻抗开始增加，电容提供电流能力便开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能有效补偿电流的频率范围也越小。从保证电容提供高频电流的能力的角度来说，电容越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。

●同样容量的电容，并联越多的小电容越好，

耐压值、耐温值、容值、ESR(等效电阻)等是电容的几个重要参数，对于ESR自然是越低越好。ESR与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，ESR越低。在板卡设计中采用多个小电容并连多是出与PCB空间的限制，这样有的人就认为，越多的并联小电阻，ESR越低，效果越好。理论上是如此，但是要考虑到电容接脚焊点的阻抗，采用多个小电容并联，效果并不一定突出。

●ESR越低，效果越好。

结合我们上面的提高的供电电路来说，对于输入电容来说，输入电容的容量要大一点。相对容量的要求，对ESR的要求可以适当的降低。因为输入电容主要是耐压，其次是吸收MOSFET的开关脉冲。对于输出电容来说，耐压的要求和容量可以适当的降低一点。ESR的要求则高一点，因为这里要保证的是足够的电流通过量。但这里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR电容会引起开关电路振荡。而消振电路复杂同时会导致成本的增加。板卡设计中，这里一般有一个参考值，此作为元件选用参数，避免消振电路而导致成本的增加。

●好电容代表着高品质。

“唯电容论”曾经盛极一时，一些厂商和媒体也刻意的把这个事情做成一个卖点。在板卡设计中，电路设计水平是关键。和有的厂商可以用两相供电做出比一些厂商采用四相供电更稳定的产品一样，一味的采用高价电容，不一定能做出好产品。衡量一个产品，一定要全方位多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大.

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滤波电容,是用来平滑电压的,去藕电容是用来去藕的撒,还有那个旁路就是用来给交流电压短路的.

回答者：zz175 - 见习魔法师二级 4-7 13:59 滤波电容用在电源上，使电源更平滑，没有杂波；

去耦电容用在直流信号反馈上，去掉交流耦合信号；

旁路电容用在直流通路连接时提高交流信号通过率的。

回答者：hwdz - 助理二级 4-7 14:10 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。

去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过

甚么是耦合耦合电容

耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。 退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的 影响。耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。 退耦有三个目的：1.将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过 电源相互串扰的通路切断；2.大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源 波动，通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；3.形成 悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹配。 1，耦合，有联系的意思。 2，耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。 3，去耦合元件，指消除信号联系的元件。 4，去耦合电容简称去耦电容。 5，例如，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降 反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如 果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻 抗（这需要计算）这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功 能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和 将噪声引导到地。 摘引自伦德全《电路板级的电磁兼容设计》一文，该论文对噪声耦和路径、去 耦电容和旁路电容的使用都讲得不错。请参阅。 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 、管路敷设技术通过管线不仅可以解决吊顶层配置不规范高中资料试卷问题，而且可保障各类管路习题到位。在管路敷设过程中，要加强看护关于管路高中资料试卷连接管口处理高中资料试卷弯扁度固定盒位置保护层防腐跨接地线弯曲半径标等，要求技术交底。管线敷设技术中包含线槽、管架等多项方式，为解决高中语文电气课件中管壁薄、接口不严等问题，合理利用管线敷设技术。线缆敷设原则：在分线盒处，当不同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。、电气课件中调试对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行 高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料试卷相互作用与相互关系，根据生产工艺高中资料试卷要求，对电气设备进行空载与带负荷下高中资料试卷调控试验；对设备进行调整使其在正常工况下与过度工作下都可以正常工作；对于继电保护进行整核对定值，审核与校对图纸，编写复杂设备与装置高中资料试卷调试方案，编写重要设备高中资料试卷试验方案以及系统启动方案；对整套启动过程中高中资料试卷电气设备进行调试工作并且进行过关运行高中资料试卷技术指导。对于调试过程中高中资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况 ，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。 、电气设备调试高中资料试卷技术电力保护装置调试技术，电力保护高中资料试卷配置技术是指机组在进行继电保护高中资料试卷总体配置时，需要在最大限度内来确保机组高中资料试卷安全，并且尽可能地缩小故障高中资料试卷破坏范围，或者对某些异常高中资料试卷工况进行自动处理，尤其要避免错误高中资料试卷保护装置动作，并且拒绝动作，来避免不必要高中资料试卷突然停机。因此，电力高中资料试卷保护装置调试技术，要求电力保护装置做到准确灵活。对于差动保护装置高中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。

滤波电容的选型与计算(详解)

电源滤波电容的选择与计算 电感的阻抗与频率成正比,电容的阻抗与频率成反比.所以,电感可以阻扼高频通过,电容可以阻扼低频通过.二者适当组合,就可过滤各种频率信号.如在整流电路中,将电容并在负载上或将电感串联在负载上,可滤去交流纹波.。电容滤波属电压滤波，是直接储存脉动电压来平滑输出电压，输出电压高，接近交流电压峰值；适用于小电流，电流越小滤波效果越好。电感滤波属电流滤波，是靠通过电流产生电磁感应来平滑输出电流，输出电压低，低于交流电压有效值；适用于大电流，电流越大滤波效果越好。电容和电感的很多特性是恰恰相反的。一般情况下，电解电容的作用是过滤掉电流中的低频信号，但即使是低频信号，其频率也分为了好几个数量级。因此为了适合在不同频率下使用，电解电容也分为高频电容和低频电容（这里的高频是相对而言）。 低频滤波电容主要用于市电滤波或变压器整流后的滤波，其工作频率与市电一致为50Hz；而高频滤波电容主要工作在开关电源整流后的滤波，其工作频率为几千Hz到几万Hz。当我们将低频滤波电容用于高频电路时，由于低频滤波电容高频特性不好，它在高频充放电时内阻较大，等效电感较高。因此在使用中会因电解液的频繁极化而产生较大的热量。而较高的温度将使电容内部的电解液气化，电容内压力升高，最终导致电容的鼓包和爆裂。 电源滤波电容的大小，平时做设计，前级用4.7u,用于滤低频，二级用0.1u，用于滤高频，4.7uF的电容作用是减小输出脉动和低频干扰，0.1uF的电容应该是减小由于负载电流瞬时变化引起的高频干扰。一般前面那个越大越好，两个电容值相差大概100倍左右。电源滤波，开关电源，要看你的ESR(电容的等效串联电阻)有多大，而高频电容的选择最好在其自谐振频率上。大电容是防止浪涌，机理就好比大水库防洪能力更强一样；小电容滤高频干扰，任何器件都可以等效成一个电阻、电感、电容的串并联电路，也就有了自谐振，只有在这个自谐振频率上，等效电阻最小，所以滤波最好！ 电容的等效模型为一电感Ｌ，一电阻Ｒ和电容Ｃ的串联， 电感Ｌ为电容引线所至，电阻Ｒ代表电容的有功功率损耗，电容Ｃ． 因而可等效为串联ＬＣ回路求其谐振频率，串联谐振的条件为WL=1/WC,W=2*PI*f,从而得到此式子f=1/(2pi*LC)．，串联ＬＣ回路中心频率处电抗最小表现为纯电阻，所以中心频 率处起到滤波效果．引线电感的大小因其粗细长短而不同，接地电容的电感一般是１ＭＭ为

上下拉电阻耦合电容注意点

上拉电阻，下拉电阻，耦合电容，退耦电容的总结（ZT） 上拉电阻： 1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。 2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。 3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。 4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。 5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。 6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。 上拉电阻阻值的选择原则包括: 1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。功耗？？？ 2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。 3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑 以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理 对上拉电阻和下拉电阻的选择应结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定，主要需要考虑以下几个因素： 1．驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，？？？

但功耗越大，设计是应注意两者之间的均衡。 2．下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。 3．高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。以上拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通，上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。 4．频率特性。以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电路之间的输入电容会形成RC延迟，电阻越大，延迟越大。上拉电阻的设定应考虑电路在这方面的需求。 下拉电阻的设定的原则和上拉电阻是一样的。 OC门输出高电平时是一个高阻态，其上拉电流要由上拉电阻来提供，设输入端每端口不大于100uA,设输出口驱动电流约500uA，标准工作电压是5V，输入口的高低电平门限为0.8V(低于此值为低电平)；2V(高电平门限值)。 选上拉电阻时： 500uA x 8.4K= 4.2即选大于8.4K时输出端能下拉至0.8V以下，此为最小阻值，再小就拉不下来了。如果输出口驱动电流较大，则阻值可减小，保证下拉时能低于0.8V即可。当输出高电平时，忽略管子的漏电流，两输入口需200uA 200uA x15K=3V即上拉电阻压降为3V，输出口可达到2V，此阻值为最大阻值，再大就拉不到2V了。选10K可用。COMS门的可参考74HC系列 设计时管子的漏电流不可忽略，IO口实际电流在不同电平下也是不同的，上述仅仅是原理，一句话概括为：输出高电平时要喂饱后面的输入口，输出低电平不要把输出口喂撑了（否则多余的电流喂给了级联的输入口，高于低电平门限值就不可靠了）

耦合电容器全解

耦合电容器全解 类别：电力设备 规格：OWF 介绍：一、关于型号定义的举例来说 OWF-35/√3-0.0035HT O-------------耦合电容器 W-------------烷基苯浸渍 F-------------纸膜复合介质 35√3-------额定工作电压（KV） 0.0035----------标称电容量（uf） H-----------------防污型 T------------------座阻型 Z-----------------接线板型 二、概述： OWF系列耦合电容器主要用于工频交流输电线路的高频载波通信、测量、控制、保护以及抽取电能等装置中。 结构性能 OWF系列耦合电容器由芯组、瓷套、膨胀器等部件组成。芯组由若干个聚丙烯薄膜、电容器纸、铝箔卷制而成的芯子串联组成；外壳由瓷套及钢板制成的大盖、板底、密封耐油胶圈组成。 频率50Hz，电容器在1.2倍额定电压同时附加30～5000KHz通讯波条件下长期运行，并且在用于星形点有效接地系统时，可以在1.5Un下连续运行30S；用于带有自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可在1.9Un下连续运行30S；用于无自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可在1.9Un 下连续运行8h。 工作环境 （1）电容器为户外装置，使用于周围环境温度-50oC～+50oC。 （2）安装运行地区海拔高度不超过1000m。（高原地区可特殊设计） （3）安装运行地区风速不超过150km/h，地震裂度不超过8度。 安装说明 悬挂使用≤35kv普通型电容器。用于悬挂使用时，应利用上盖吊环螺钉进行悬挂，上盖为高压端，底板为低压端。 座立使用≤35kv普通型电容器。用于座立使用时，底部应配接合格的OZ－35绝缘支架；上盖为高压端，电容器底板为低压端。支架下铁板的四角圆孔为安装固定螺杆用。 220kv各型号电容器，均为两节110kv电容器串联而成，带铸铁底座一节为下节。将上节底板与下节上盖用螺栓紧固成一体即可。底座四角圆孔为固定用螺孔。多台使用时，应按本厂编号配对使用，不得混淆，以免影响电容器的技术指标。

耦合电容作用

请注意在开关电源的设计中，输入电容和输出电容常常包括两类电容，分别起不同的作用。一类起减小输入输出纹波的作用，一般容值较大，容值的选取与纹波的要求以及电源的开关频率和设计有关。另一类电容是高频耦和电容，一般容值较小，要求尽可能靠近芯片。其容值的选取与要滤除的可能干扰信号的频率和幅度有关。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0 .1μF，100MHz取0.01μF。 去耦和旁路都可以看作滤波。正如ppxp所说，去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。 从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。 去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。 旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容" style="color: blue; text-decoration: underline" href="https://www.wendangku.net/doc/0b18452319.html,/word/112155.aspx">耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。

耦合电容、滤波电容、去耦电容、旁路电容

耦合电容器主要的作用是隔离直流信号。电容的阻抗和信号的频率成反比，信号的频率越高，衰减越小。理论上，对于直流信号的阻抗是无穷大。很多场合需要放大的是交流信号，所以，会用耦合电容去掉信号中的直流部分。 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水， 这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下， 阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。 而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一 （在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。） 2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地 2.旁路电容和去耦电容的区别 去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量 。去耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。 我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用： 一是作为本集成电路的蓄能电容； 二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路； 三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。 去耦 在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。

旁路电容和耦合电容详解讲解

关于旁路电容和耦合电容精讲从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载.如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作.这就是耦合. 去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰. 旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径.高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定. 旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源.这应该是他们的本质区别. 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声.数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz 取0.01μF. 分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数.一般是指在印制板或其他形态的电路形式,在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容.这种电容的容量很小,但可能对电路形成一定的影响.在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响,尤其是在工作频率很高的时候.也成为寄生电容,制造时一定会产生,只是大小的问题.布高速PCB时,过孔可以减少板层电容,但会增加电感. 分布电感是指在频率提高时,因导体自感而造成的阻抗增加.

旁路、耦合、退耦电容的选取

旁路、退耦、耦合电容的选取 高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则：“在电路板的电源接入端放置一个1～10μF 的电容，滤除低频噪声；在电路板上的电源与地线之间放置一个0.01～0.1μF 的电容，滤除高频噪声。”在书店里能够得到的大多数的高速PCB 设计、高速数字电路设计的经典教程中也不厌其烦的引用该首选法则（老外俗称Rule of Thumb ）。但是为什么要这样使用呢？各位看官，如果你是电路设计高手，你可以去干点别的更重要的事情了，因为以下的内容仅是针对我等入门级甚至是门外级菜鸟。 做电路的人都知道需要在芯片附近放一些小电容，至于放多大？放多少？怎么放？将该问题讲清楚的文章很多，只是比较零散的分布于一些前辈的大作中。鄙人试着采用拾人牙慧的方法将几个问题放在一起讨论，希望能加深对该问题的理解；如果很不幸，这些对你的学习和工作正好稍有帮助，那我不胜荣幸的屁颠屁颠的了。（以上有些话欠砍，在此申明以上不是我所写） 什么是旁路？ 旁路（Bypass ），在电路中为了改变某条支路的频率特性，使得它在某些频段内存在适当的阻值，而在另一些频段内则处于近似短路的状态，于是便产生了旁路电容的概念。旁路电容之所以为旁路电容，是因为它旁边还存在着一条主路， 而并不是某些电容天生就是用来做旁路电容的，也就是说什 么种类的电容都可以用来做旁路电容，关键在于电容容值的 大小合适与否。旁路电容并不是电解电容或是陶瓷电容的专 利。之所以低频电路中多数旁路电容都采用电解电容原因在 于陶瓷电容容值难以达到所需要的大小。 使用旁路电容的目的就是使旁路电容针对特定频率以上 的信号相对于主路来说是短路的。如图形式：要求旁路电容需要取值的大小； 已知：1、旁路电容要将流经电阻R 的频率高于f 的交流信号近似短路。求旁路电容的大小? Ic Ir

耦合电容的选择

耦合电容的选择 笔者在制作电路时，使用耦合电容发现很多问题，下面跟大家分享我的经验，由于实际电路拍照比较困难，所以这里只能贴仿真图了，不过它跟实际差不多（在真实硬件上测过）。电路中常常要用到耦合电容，那么耦合电容应该选多大呢？？ 耦合电容的选择必须电路中的输入信号电压大小、频率及负载电阻来选择，比如电压为5V 那么电容耐压就不能小于5V了，不过本文的重点是讨论容量大小的选择。 那么耦合电容的容量大小应如何选择呢？？？ 本质：耦合电容与下一级的输入电阻构成了RC高通滤波器，为了保成输入信号下限频率能通过这一“RC高通滤波器”，RC高通滤波器的下限频率不能高于输入信号的频率。 相当于选择适当的电容来设计一个高通滤波器，以保证输入信号通不衰减通过，所以电容C可用公式计算出来，下面会给出公式。 我们来看下面一个实验，电路图如下所示，输入信号为频率为1Hz，大小为10mv. 可见此输入信号有两个特点，频率很低，幅度又很小。 按照常识，电容容量越大，信号的频率就可以越低，现在的输入信号频率为1Hz，那么耦合电容的容量越大越好吗？？？请看下面的实验。 实验结果： 1.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容先0.4uF 测得输入输出波形如下图所示，黄色为输入，绿色为输出。 可见输入信号经过耦合电容后，幅度被严重衰减，由此可知耦合电容选择过小。 耦合电容选择0.1uF-0.5uF期间，输入信号衰减比较严重。 结论：如果电路要求信号耦合之后不能衰减，那么耦合电容就不能小于0.5uF

2.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容大于等于0.5uF 输出波形如下图所示，可见只要电容大于0.5uF，信号耦合之后就不会有幅度衰减。 那么是不是选择越大越好呢？？？请看实验3 3.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容为100uF 幅度不出现衰减，但电路反应变得非常缓慢，输入信号后等待10多秒才有输出信号。 刚输入信号的前段时间，电路竟然不工作了，这是为什么呢？？？ 主要是因为电容太大充电时间过长，至使输出信号出现延迟，特别是输入信号幅度很小的时个就要特别注意这个问题，否则电路会变得非常缓慢。 总结： 把耦合电容加到电路中之后，耦合电容与负载电阻构成了RC高通滤波器，所以我们可根据公式来计算出耦合电容的大小即： f=1/2πRC 式中π=3.14

耦合电容 旁路电容 滤波电容 的区别

电容耦合的作用是将交流信号从前一级传到下一级。当然，耦合的方法还有直接耦合和变压器耦合的方法。直接耦合效率最高，信号又不失真，但是，前后两级的工作点的调整复杂，相互牵连。为了不使后一级的工作点不受前一级的影响，就必须在直流方面把前一级和后一级分开。同时，又能使交流信号顺利的从前一级传给后一级，同时能完成这一任务的方法就是采用电容传输或变压器传输来实现。它们都能传递交流信号和隔断直流，使前后级的工作点互不牵连。但不同的是，用电容传输时，信号的相位要延迟一些，用变压器传输时，信号的高频成份要损失一些。一般情况下，小信号传输时，常用电容作为耦合元件，大信号或强信号的传输，常用变压器作耦合元件。 滤波电容、去耦电容、旁路电容作用 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水。这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）。 2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地 2.旁路电容和去耦电容的区别 去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。

耦合电容器

类别：电力设备 规格：OWF 介绍：三、型号定义举例 OWF-35/√3-0.0035HT O-------------耦合电容器 W ------------烷基苯浸渍 F ------------纸膜复合介质 35/√3 -----额定工作电压（KV） 0.0035-------标称电容量（uf） H-------------防污型 T--------------座阻型 Z--------------接线板型 一、概述 （1）用途 OWF系列耦合电容器用于高压输电线路载波通讯系统中的耦合设备，也用于电力系统测量控制、高频保护及抽取电能装置上作部件。 （2）结构组成和性能简介 OWF系列耦合电容器由芯组、瓷套、膨胀器等部件组成。芯组由若干个聚丙烯薄膜、电容器纸、铝箔卷制而成的芯子串联组成；外壳由瓷套及钢板制成的大盖、底板、密封耐油胶圈组成。 OWF系列耦合电容器在1.2倍额定电压（频率50Hz）同时附加30~500KHz载波条件下长期运行；并且在用于星形点有效接地系统时，可以在1.5Un下连续运行30S； 在用于带有自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可以在1.9Un下连续运行30S；在用于带无自动切除对地故障的星形点非有效接地系统时，可以在1.9Un

下连续运行8H。 二、执行标准 （1）GB/T4705-92《耦合电容器及电容分压器》标准。 （2）IEC-385-90《耦合电容器及电容分压器》标准。 （3）GB4703-84《电容式电压互感器》标准。 四、工作条件 A．环境条件温度 最高气温：＋50℃最低气温：－40℃最高日平均气温：＋30℃最高年平均气温：＋20℃ B．海拔高度：≤1500米 C．相对湿度：≤90％ D．使用条件：户外式 E．风速：小于35m/s F．地震烈度：不超过8度 G．覆冰：重冰区，覆冰厚度10mm H．污秽等级为Ⅲ级 五、技术参数 （1）技术参数表 表1：OWF系列耦合电容器技术参数表1 序号型号规格额定电压（KV）标称电容量（uf）结构 特征 1 OWF-10-0.0045~0.01 10 0.0045~0.01 普通型 2 OWF-35/√3-0.0035 35/√ 3 0.0035 3 OWF-35/√3-0.005 35/√3 0.005 4 OWF-110/√3-0.0066 110/√3 0.0066

电容计算公式

教你两条不变应万变得原理： 1.电容器的计算依据是高斯通量定理和电压环流定律； 2.电感的计算依据是诺伊曼公式。要一两个答案查书就够了，要成高手只能靠你自己！慢慢学，慢慢练。 容量是电容的大小与电压没有关系。电压是电容的耐压范围。可变电容一般用在低压电路中电容的计算公式： 平板C=Q/U=Q/Ed=εS/4πkd 1. 所以E=4πkQ/εS即场强E与两板间距离d无关。2.当电容器两端接电时，即电压U一定时，U=Ed，所以U和d成正比。 容抗用XC表示，电容用C（F）表示，频率用f（Hz)表示，那么Xc=1/2πfc 容抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和电容C，就可以用上式把容抗计算出来。 感抗用XL表示，电感用L（H）表示，频率用f（Hz)表示，那么XL=2πfL感抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和线圈的电感L，就可以用上式把感抗计算出来。 已知容抗与感抗，则对应的电压与电流可以用欧姆定律算出，如果电容与电阻和电感一起使用，就要考虑相位关系了。 2、电容器的计算公式： C=Q\U =S\4*3.1415KD Q为电荷量 U为电势差 S为相对面积 D为距离 3.1415实际是圆周率 K为静电力常数 并联：C=C1+C2 电路中各电容电压相等；总电荷量等于各电容电荷量之和。串联：1/C=1/C1+1/C2 电路中各电容电荷量相等；总电压等于各电容电压之和。 电容并联的等效电容等于各电容之和!电容的并联使总电容值增大。当电容的耐压值符合要求，但容量不够时，可将几个电容并联。 3、Q=UI=I2Xc=U2/Xc 这是单相电容的 Xc=1/2*3.14fc 为什么我看到一个三相电容上面标的额定容量是30Kvar，而额定容量是472微法。额定电压是450伏。额定电流是38.5安三角接法？ 答：C＝KVar/(U×U×2×π×f×0.000000001) ＝30/(450×450×2×3.14×50×0.000000001)≈472(μF) 4、我知道电容公式有C=εS/D和C=Q/U,那么他们与电容"C"的关系，我特别想知道：我知道"U"与电容成反比，但是我在听老师讲时，没听到为什么成反比，就像知道"Q"与电容的关系时，就明白，一个电容放得的电荷越多就越大？还有"ε"是什么，与电容有什么关系？再请问在计算中应注意什么？电容是如何阻直通交的呢？ 五一长假除了旅游还能做什么？辅导补习美容养颜家庭家务加班须知 第 2 页共 3 页 答：电容c是常数，只跟自身性质有关，即使没有电压，电荷它也是存在的，ε是介电，跟电介质的性质有关，交流能不停的对电容充电放电（因为交流的方向是变化的），二直流无此性质，所以通交流阻直流，更专业的话，大学物理里面会讲，如果你要求不高的话就不用深究了 5、电容降压 在常用的低压电源中，用电容器降压（实际是电容限流）与用变压器相比，电容降压的电源体积小、经济、可靠、效率高，缺点是不如变压器变压的电源安全。通过电容器把交流电引入负载中，对地有220V电压，人易触电，但若用在不需人体接触的电路内部电路电源中，

高频实验九 电容耦合相位鉴频器实验报告

实验九 电容耦合相位鉴频器实验 一．实验目的 1. 进一步学习掌握频率解调相关理论。 1. 了解电容耦合回路相位鉴频器的工作原理。 3. 了解鉴频特性（S 形曲线的调试与测试方法）。 二、实验使用仪器 1．电容耦合相位鉴频器实验板 2．100MH 泰克双踪示波器 3. FLUKE 万用表 4. 高频信号源 三、实验基本原理与电路 1. 实验基本原理 从调频波中取出原来的调制信号，称为频率检波，又称鉴频。完成鉴频功能的电路，称为鉴频器。在调频波中，调制信息包含在高频振荡频率的变化量中，所以调频波的解调任务就是要求鉴频器输出信号与输入调频波的瞬时频移成线性关系。 本实验采用的是相位鉴频器。相位鉴频器是利用回路的相位-频率特性来实现调频波变换为调幅调频波的。它是将调频信号的频率变化转换为两个电压之间的相位变化，再将这相位变化转换为对应的幅度变化，然后利用幅度检波器检出幅度的变化。 鉴相器采用两个并联二极管检波电路。假设二极管D3的检波电路和二极管D4的检波电路完全对称，两个检波电路的电压传输系数完全相等，检波后的输出信号为两个检波电路的输出电压差。即034D D U U U =- 当瞬时频率0f f =时, 2U 比1U 滞后90°，但|3D U |＝|4D U |，这时，鉴频器输出为零。当0f f >时, 2U 滞后于1U 的相角小于90°，|3D U |>|4D U |，鉴频器的输出大于零。当0f f <时，2U 滞后于1U 的相角大于90°，

|3D U |<|4D U |，鉴频器的输出小于零。相位鉴频器鉴频特性的线性较好，鉴频灵敏度也较高。 图9-1频率电压转换原理图。 (ω<ω0)U 2(ω=ω0) (ω>ω0) . U 1.. U 2 .2U 2. 2 .. U 1 .U 2 .2 U 2. 2 . . U 2 .2 U 2. 2 (a) (b)(ω=ω0)(c)(ω>ω0) (d)(ω<ω0) 图9-1频率电压转换原理图。 鉴频器的主要参数： （1） 鉴频跨导 鉴频器的输出电压与输入调频波的瞬时频率偏移成正比，其比例系数称为鉴频跨导。图9-3为鉴频器输出电压V 与调频波的瞬时频偏f ?之间的关系曲线，称为鉴频特性曲线。它的中部接近直线部分的斜率即为鉴频跨导。它代表每单位频偏所产生的输出电压的大小，希望鉴频器的鉴频跨导应该尽可能的大。 （2）鉴频灵敏度 指鉴频器正常工作时，所需要输入调频波的最小幅度。其值越小，鉴频器灵敏度越高。 （3）鉴频器频带宽度 从上图的鉴频特性曲线中可以看出，只有特性曲线中间一部分的线性度较好，我们称2m f ?为频带宽度。一般，要求2m f ?大于输入调频波频偏的两倍，并

AC耦合电容

辣么纠结，你的AC耦合电容放驱动端好还是接收端好呢？ 经常有设计工程师纠结着，串行链路中的外接AC耦合电容放驱动端还是接收端好？接2个会有什么影响啊？ 我们首先从ac耦合电容的作用切入。一般使用AC耦合电容是为了提供直流偏压。直流偏压就是滤除信号的直流分量，使信号关于0轴对称。 从这个作用看，其实理想电容应该可以放在通道的任何一个地方。做过仿真的工程师也发现仿真结果确实如此。 可是实际电路中的电容并非理想的，有寄生电感的存在，而且焊盘和换层过孔都是阻抗不连续点。那么非理想电容带到仿真里，电容的位置也没有影响吗？我们用2.5G信号来仿真，全通道长度5500mil，ac耦合电容分别距离驱动端和接收端500mil。 上图是电容靠近接收端，下图是靠近发送端，显然电容靠近接收端眼图质量更好。为什么呢？个人认为可以将非理想电容看成一个阻抗不连续点，如果靠近接收端放，相同的反射系数下，信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放。

有人又问了，可是为什么PCIE是要求放发送端啊？其实仔细看PCIE规范是说如果是两块板连接时，要发在发送的那块板上。如果发送接收在同一块板上，那么就随意吧。 AC耦合电容还有另外一个作用，就是提供过电压保护。所以更多的要求是靠近连接器放置，USB, SATA都是这么要求的。 如果通道中接2个AC耦合电容又会怎样呢？ 上图是一个电容，而下图接了两个。明显眼图margin变小了，这也是由于多了一个阻抗不连续点，引起了不必要的反射。 最后，总结一下ac耦合电容摆放注意事项： 1，按照design guideline要求放置 2，没有guideline，如果是IC到IC，请靠近接收端放置 3，如果是IC到连接器，请靠近连接器放置 4，尽可能选择小的封装尺寸，减小阻抗不连续 无法任性的AC耦合电容，选值要考量这么多因素…… 刚刚纠结完AC耦合电容的摆放位置，接着我们又遇到了选值的问题！显然，在选值问题上，AC耦合电容无论如何是任性不起来的。 我们知道，在串行信号中串个AC耦合电容，这个电容可以提供直流偏压和过电流保护，但也会给链路带了另一个问题PDJ(pattern-dependent jitter)。顾名思义，这和码型有关。我们的链路可以等效成高通RC电路，当出现连续的“1”或“0”时，会出现下图的直流压降，这不仅会影响眼高，还会造成PDJ。

电容计算公式

教你两条不变应万变得原理：?? 1.电容器的计算依据是高斯通量定理和电压环流定律；? 2.电感的计算依据是诺伊曼公式。? 要一两个答案查书就够了，要成高手只能靠你自己！慢慢学，慢慢练。? 容量是电容的大小与电压没有关系。电压是电容的耐压范围。可变电容一般用在低压电路中?电容的计算公式：? 平板C=Q/U=Q/Ed=εS/4πkd?1.?所以E=4πkQ/εS即场强E与两板间距离d无关。2.当电容器两端接电时，即电压U一定时，U=Ed，所以U和d成正比。??? 容抗用XC表示，电容用C（F）表示，频率用f（Hz)表示，那么Xc=1/2πfc?容抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和电容C，就可以用上式把容抗计算出来。??? 感抗用XL表示，电感用L（H）表示，频率用f（Hz)表示，那么XL=2πfL感抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和线圈的电感L，就可以用上式把感抗计算出来。?? 已知容抗与感抗，则对应的电压与电流可以用欧姆定律算出，如果电容与电阻和电感一起使用，就要考虑相位关系了。?2、电容器的计算公式：?C=Q\U? ?=S\4*? Q为电荷量?U为电势差?S为相对面积?D为距离?实际是圆周率?K为静电力常数??? 并联：C=C1+C2? ?????电路中各电容电压相等；总电荷量等于各电容电荷量之和。?串联：1/C=1/C1+1/C2? ?????电路中各电容电荷量相等；总电压等于各电容电压之和。? 电容并联的等效电容等于各电容之和!电容的并联使总电容值增大。当电容的耐压值符合要求，但容量不够时，可将几个电容并联。??? 3、Q=UI=I2Xc=U2/Xc????这是单相电容的???????Xc=1/2*? 为什么我看到一个三相电容上面标的额定容量是30Kvar，而额定容量是472微法。额定电压是450伏。额定电流是安??三角接法？? 答：C＝KVar/(U×U×2×π×f×? ?＝30/(450×450×2××50×≈472(μF)? 4、我知道电容公式有C=εS/D和C=Q/U,那么他们与电容"C"的关系，我特别想知道：我知道"U"与电容成反比，但是我在听老师讲时，没听到为什么成反比，就像知道"Q"与电容的关系时，就明白，一个电容放得的电荷越多就越大？还有"ε"是什么，与电容有什么关系？?再请问在计算中应注意什么？电容是如何阻直通交的呢？? 五一长假除了旅游还能做什么？辅导补习美容养颜家庭家务加班须知 第?2?页?共?3?页? 答：电容c是常数，只跟自身性质有关，即使没有电压，电荷?它也是存在的，ε是介电，跟电介质的性质有关，交流能不停的对电容充电放电（因为交流的方向是变化的），二直流无此性质，所以通交流阻直流，更专业的话，大学物理里面会讲，如果你要求不高的话就不用深究了?5、电容降压? 在常用的低压电源中，用电容器降压（实际是电容限流）与用变压器相比，电容降压的电源体积小、经济、可靠、效率高，缺点是不如变压器变压的电源安全。通过电容器把交流电引入负载中，对地有220V电压，人易触电，但若用在不需人体接触的电路内部电路电源中，本弱点也可克服。如冰箱电子温控器或遥控电源的开/关等电源都是用电容器降压而制作的。?? ?相对于电阻降压，对于频率较低的50Hz交流电而言，在电容器上产生的热能损耗很小，所以电容器降压更优于电阻降压。?? ?????电容降压的工作原理并不复杂。他的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电

(推荐)射频微波隔直耦合电容的选择

耦合电容的选取 耦合与隔直电容串联在电路中，耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最大限度的传输。 一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数：串联谐振频率FSR 、并联谐振频率FPR 、纯阻抗、等效串联电阻ESR 、插入损耗IL 和品质因数Q 。 上图50Ω线路中的两个射频放大器由耦合电容Co 连接，Rs 为ESR ，Ls 为ESL ，Cp 为寄生并联电容，与并联谐振频率FPR 有关。 阻抗幅值：2C L 2)X -(X ESR Z +=，很大一部分取决于其纯电抗)X -(X L C ，设计者需要知道电容在整个频带上的阻抗幅值。 串联谐振频率：LsCo 21FSR π=，即自谐振频率，与本征容值Co 有关；此频率时，耦合电容阻抗的实部为ESR ，虚部为零。 ATC 耦合电容有关参数如下： 其中，瓷介质电容ATC100A101（100pF ）的FSR=1GHz ，ESR=0.072Ω，其Z-F 曲线如下图所示：

频率低于FSR 时，电容纯阻抗表现为容性，阻抗幅值为C 1ω，为双曲线； 频率高于FSR 时，电容纯阻抗表现为感性，阻抗幅值为L ω，为直线； 测量电容的S21可发现： 在FSR 时，电容提供最低阻抗通道； 在FPR 时，电容阻抗猛然升高，引起极大损耗。 在耦合线路中，工作频率比FSR 稍高。只要此时电容的纯阻抗（感性）不高，就不影响电路性能。 并联谐振频率FPR ，决定电容的带内插损。在电容的FPR 处有明显衰减槽口，若FPR 落在工作频带内，则要考察衰减槽口深度，线路能否承受该损耗。通常十分之几dB 的插损是可接受的。 ATC100A101（100pF 片式电容，水平安装，电容极板平行于线路板）插损与频率关系如下图： 由上图可知，在200MHz~1.5GHz 之间，电容插损＜0.1dB ；若将电容垂直安装，即电容极板垂直于线路板，就能压制1.6GHz 处的并联谐振窗口，电容的可用范围扩展到2.4GHz 左右。所以改变安装取向可扩展电容的适用频率范围，用于宽带耦合电路。 等效串联电阻ESR 和品质因数Q ： ESR 是电容内所有串联损耗的总和，由介质损耗SD R 和金属损耗SM R 组成，一般为m Ω级。SM SD R R ESR += 介质损耗SD R ，由介质材料特性决定，每种介质材料都有自己的损耗系数，通常称损耗正切或耗散系数（DF ）。损耗造成介质发热，极端情况下使元件失效。耗散系数（DF ）是介质损耗很好的指示，通常在低频（1MHz ）时测得，因为该损耗在低频时起主导作用。 金属损耗SM R ，由电容中所用金属材料的导电性决定，包括电极板、终端和阻挡层等，SM R 造成电容发热，极端情况下使元件失效。高频时，这些损耗包括“趋肤效应”，损耗程度和频率关系为f 。

视频设计中的交流耦合

视频设计中的交流耦合 目前，在视频系统（机顶盒、PVR、TV等）的设计中采用集成式视频滤波器/驱动器有多种耦合与钳位配置方式，例如输入交流或直流耦合、输出交流或直流耦合、各种输入箝位和偏压配置等。对于这些配置方式，设计者首先需要判断几个方面的问题。 如果设计者准备采用交流耦合输入的方式，那么他必须清楚的是，输入视频信号的直流成份将会发生损耗，因此必须通过滤波器/驱动器的输入偏压和钳位电路对直流偏压电平进行设置。如果滤波器输入没有钳位和偏压电路或者有源直流恢复环路，那么就需要增加一个外部偏压网络，以便正确设置共模输入电平。 交流耦合 通过交流耦合将模拟视频输入信号耦合输入某一设备中，这种方式在视频和图像处理系统中非常常见，它允许接收器设置其自身最优的偏压电平（在电容的设备一侧），而不受驱动信号的直流偏压电平的影响。例如，模数转换器（ADC）的接收器可以将视频信号的钳位或消隐电平设为等于内部ADC的编码零电压，而不管驱动信号的绝对直流电平是多少。 另外一种情形是纯模拟系统，其中接收器可能希望将模拟信号的共模电平设置为VCC/2左右，以获得最优的信号处理余量。接收器还能够将“钳位”电平与预设的直流参考电压匹配起来，实现兼容而稳定的直流输出电压。通过阻断直流分量，接收器能够防止自身对直流电流的潜在破坏。

图三种支持板级钳位电路的视频滤波电路，分别为输入和输出交流耦合配置（A）；SAG模式下的工作配置（B）；直接耦合方法（C）。 电容的选择 现在我们来分析如何选择合适的电容，实现视频输入信号与图(A)视频滤波器/驱动器器件的耦合。为了限制与交流耦合相关的低频偏斜（倾斜），我们必须正确设置3dB下截止频率的位置。 在这里，视频信号的带宽要求采用一个足够大且能够通过最小频率的电容，这一频率是50Hz或60Hz的帧速率。输入电路包括交流耦合电容和视频滤波器的输入阻抗。 在计算3dB下截止频率时，设计者可以使用公式f=1/2πRC。如果使用0.1μF的电容和800kΩ的输入阻抗，那么可以计算出2Hz的截止频率，这一结果足以通过50或60Hz的帧速率。 由于在较高的频率下电容会出现短路现象，因此我们不必担心高频滚降问题。在大多数应用中，具有极低ESR的0.1μF耦合钽电容就足以胜任这一工作。 在选择正确的输入耦合电容之后，下一步是选择输出耦合电容的值。假设在这里器