MEMS湿法腐蚀工艺和过程

第8章 MEMS湿法腐蚀工艺和过程

David W. Burns

摘要：通过光刻胶或硬掩膜窗口进行的湿法化学腐蚀在MEMS器件制造的许多工艺过程中大量存在。本章针对400多种衬底和淀积薄膜的组合介绍了800多种湿法腐蚀配方, 着重介绍了在大学和工业界超净间中常见的实验室用化学品。另外给出了600多个有关选择或开发制造MEMS器件的新配方的文献。也给出了近40个内部整合的材料和腐蚀特性的图表，方便读者迅速寻找和比较这些配方。有关目标材料和腐蚀特性的缩略语为方便比较都进行了统一。腐蚀速率和对其他材料的腐蚀选择性也给出了。除了重点讨论在MEMS领域常用的硅和其他常用材料外，III-V化合物半导体和更新的材料也有涉及。

本章讨论主题涉及湿法腐蚀原理与过程；整合湿法腐蚀步骤的工艺方法；湿法腐蚀过程的评估和开发及侧重安全的设备和向代工厂转移的预期；氧

化物，氮化物，硅，多晶硅，和锗各向同性腐蚀；标准金属腐蚀；非标准绝缘介质，半导体和金属腐蚀；光刻胶去除和硅片清洗步骤；硅化物腐蚀；塑料和聚合物刻蚀；硅各向异性刻腐蚀，体硅和锗硅自停止腐蚀；电化学腐蚀和自停止；光助腐蚀和自停止；薄膜自停止腐蚀；牺牲层去除；多孔硅形成；用于失效分析的层显；缺陷判定；针对湿法化学腐蚀的工艺和过程，给出了几个实际的案例。对器件设计人员和工艺研发人员，本章提供了一个实际和有价值的指导，以选择或发展一个对许多类型MEMS和集成MEMS器件的腐蚀。

D．W．Burns

Burns Engineering, San Jose, CA, USA

e-mail:dwburns@https://www.wendangku.net/doc/f5695967.html,

8.1引言

很少有微机械化或集成化的器件是在没有进行一些湿法化学处理的情况下开发或制造的。不管器件是否是电气的，机械的，电子的，集成的，光学的，光电子学的，生物的，聚合的，微流控的传感器或执行器，有关这些器件的制造工艺或过程的替换决定将对最终的技术和商业成功有重要影响。这些器件通常在硅衬底、化合物半导体、玻璃、石英、陶瓷或塑性材料上制造，可能涉及在这些材料上淀积一层或多层薄膜并光刻和腐蚀。这些层和淀积顺序受工艺和用于开发和制造该器件的工艺单元限制，随着层数的增长变的越来越复杂和相互影响。

湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料，在光刻掩膜涂覆后（一个曝光和显影过的光刻胶）或者一个硬掩膜（一个光刻过的抗腐蚀材料）后紧接该步腐蚀。这个腐蚀步骤之后，通常采用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。湿法腐蚀可替换工艺包括干法刻蚀，即

使用一种或多种低压力的反应气体，采用RF感应激励后进行反应，然后再将反应生成的气态物质抽出。非等离子干法刻蚀，例如双氟化疝或氢氟酸的酸性蒸气腐蚀，拥有各向同性湿法腐蚀的诸多特性，该腐蚀通常在一个有限的腔室内完成。

近乎所有IC,MEMS,MOEMS,MST和NEMS类的器件的产生都很可能与一些湿法腐蚀工艺有关。整个工艺流程可被描述为一系列步骤或者序列，这些湿法腐蚀常用于选择性的去除淀积薄膜的一部分，剥去诸如硬掩膜和光刻胶等特定的材料，为以后的加工清洗和准备衬底，去除牺牲层和部分衬底，以及形成三维结构。一个湿法腐蚀工序需要考虑如下一些因素，包括有效的腐蚀剂，腐蚀选择性，腐蚀速率，各向同性腐蚀，材料的兼容性，工艺的兼容性，花费，设备的可用性，操作人员的安全，技术支持和适当的废物处理。

尽管器件设计者，工艺设计师，或者制造商在工艺允许的情况下可能偏向使用一个完整的干法处理流程，但是许多标准的处理步骤例如光刻胶

的显影和圆片清洗仍然湿法的。与干法刻蚀相比，湿法腐蚀工序在成本，速度，性能发面更有优势。干法刻蚀的仿真还不可用，如常用的微结构的选择性钻蚀或与晶向相关的腐蚀仿真等。相比湿法腐蚀，人们可能更倾向于选择干法工艺，在一个装备好的工艺线或者如果湿法腐蚀效果不好的情况下尤其如此。不管怎样，对湿法加工来说，其优点是器件可以在相对低成本，低劳务管理费用或者低的技术支持下开发和制造。考虑到干法刻蚀要求在一个昂贵的等离子区或者RIE腐蚀系统里有长的腐蚀时间，湿法腐蚀变得特别有吸引力，需要同时处理整盒圆片（25片装圆片盒）或更多的圆片时，湿法腐蚀在成本和时间上的效益更突出。

不管选择干法还是湿法加工工艺，总是强烈受到在特定的加工环境下设备的可用性及对开发者有用的工艺限制。成功的设计者，开发者和制造商几乎总是使用或修改趁手的工艺。除非是必须开发新工艺，安装新设备，或者取得新的工艺技能，一般总是避免额外的需求。理解什么时候要应用干法和湿法这两个工艺并且在可能的情况下使用标准工艺是很重要的。表

8.1总结比较湿法和干法刻蚀之间的一般注意事项。

表8.1湿法和干法刻蚀之间一般比较

本章开始对湿法腐蚀的原理及工艺过程等进行了概述，然后一节讨论湿法腐蚀设施和工艺为本地和远程用户服务的评价和开发应用。接下来的两节介绍在人工和实际部门中采用IC兼容材料和非标准材料的湿法腐蚀工艺，IC兼容材料已经被集成电路制造商普遍接受，非标准材料可能需要

单独或专用设备，设施，后处理或其他特殊考虑。其他部分包括硅的各向异性腐蚀和腐蚀自停止，采用湿法腐蚀液的牺牲层去除，多孔硅形成，及分层湿法腐蚀和缺陷测定湿法腐蚀。湿法腐蚀技术和工艺的进一步讨论中可以在许多优秀的书籍和期刊[1-30]中找到。

8.2湿法腐蚀原理和流程架构

在典型的工艺和制造流程中，半导体和MEMS加工的许多工艺都可归类为淀积，光刻和腐蚀三类工艺。淀积工艺可能包括某些添加工艺如外延式生长，电子束蒸发，溅射，化学气相沉积（CVD），低压化学气相沉积（LPCVD），有机金属化学气相沉积法（MOCVD），等离子增强化学气相沉积（PECVD）或者包括其他工艺，如热氧化或离子注入。光刻工艺一般包括旋涂光刻胶和采用接触对准机，步进机，或使用规定的光致抗蚀剂厚度和曝光时间的电子束光刻机系统的曝光。尤其在薄膜高度变化大的情况下，光刻胶厚度和曝光时间可根据需要进行调节，以确保获得足够的特征线条。腐蚀步骤一般基于等离子体或反应离子刻蚀。在干法刻蚀不可用或对一个特定的腐

蚀工艺不恰当时，可以在流程中引入湿法腐蚀。通常是设计或开发一个MEMS器件时选择一个特定的湿法或干法刻蚀工艺，尽管当设备升级或转移到另一加工平台时这个选择可能被修改。

如图8.1所示，对MEMS器件来说，已经有多种可用的或研制出来的工艺方法，如完全集成或完全定制的工艺，半定制或标准的MEMS工艺，其他已成熟工艺的变种，多个工艺平台上的工艺单元模块等。完全集成的MEMS 流程可基于已建立的CMOS，BiCMOS工艺，或化合物半导体工艺。完全定制的流程一般是一个专用的工艺，掩膜次数极少，主要用于原型，最初的生产，或高产量的器件。半定制流程包括面向特定器件的MEMS工艺，该工艺可能位于集成电路工艺之前或之后，也可能是圆片级也可能是芯片级。标准MEMS工艺包括可靠的单层和多层多晶工艺，金属工艺，SOI或LIGA工艺，以及多用户和多器件工艺。工艺变种包括对已定型工艺相对轻微的调整，如起始材料的变化，薄膜厚度或腐蚀深度的微小变化，从一个标准的流程中消除无关光刻步骤。对于那些愿意将圆片在多个制造平台之间传递的人

来说，工艺单元模块可能在一到多个具有专门加工能力的小工艺平台加工。这些平台在诸如薄膜沉积，外延生长或离子注入，光刻和腐蚀，化学机械抛光，和后道工艺切割和包装等方面有专长。

如果需要，完全集成的和标准的MEMS工艺往往提供给用户选择任何腐蚀剂的决定权，因为这些加工工艺在一个特定的平台中已建立并规范化了。用户可能不知道或不需要知道这些腐蚀工艺的详细信息。一个完全集成的工艺范例是将集成电路工艺与认可的兼容MEMS工艺混合在一起。全定制的MEMS工艺选择湿法和干法刻蚀工艺最自由，对于早期的器件开发，器件只需要几个光刻版，非常高产量的器件尤其如此。半定制工艺允许MEMS 工艺放在已经制造的有源器件（即CMOS）工艺之前，更多放在之后，给开发人员选择湿法或干法刻蚀工艺的机会，以满足特定的薄膜刻蚀的要求。工艺变化可包括对腐蚀步骤进行修改，以满足薄膜腐蚀的要求。工艺单元的用户在湿法工艺的选择和使用方面最有发言权。

图 8.1 针对MEMS器件的工艺方案，包括全集成工艺、对标准集成电路或MEMS工艺的修改、半定制和全定制工艺、标准（如多器件和多用户）MEMS 工艺及工艺单元。湿法腐蚀工艺可以由所选工艺方案决定，对适合标准和全集成工艺的器件尤其如此。特殊的湿法腐蚀工艺可能需要选择工艺

参数、半定制、全定制或工艺单元。

许多公司提供代工服务，代工范围包括从任何地方单步加工工艺、工艺模块到成熟的已建立流程。一些较大的代工厂提供MEMS服务，如有变更，请参考文献[31]。例如，用户可能会提交一个CAD设计到外包服务，该服务可以提供对各种材料的顶部进行多层电镀形成多层金属结构[32]。通过网上搜索，或与行业专家和代工厂的代表交流可以找到一些提供工艺单元的代工厂。

图8.2 湿法腐蚀选择和开发原则包括：确定有效性，显示出重复性和可

靠性，如果可能采用已有工艺，确保工艺兼容和评估成本

选择湿腐蚀工艺模块需要多方面的考虑，其中一些如图8.2所示。对特定器件的一般工艺流程开发之后，腐蚀工艺要进行评估看是否应该是湿法或干法刻蚀。湿法腐蚀的第一选择原则是，基于腐蚀选择性，腐蚀速率，侧壁上的工艺要求确定候选的腐蚀液或腐蚀工艺的有效性。选择性必须足够高以便在对掩膜材料损伤最小的情况下能刻蚀所想要刻的材料，并且任何暴露出来的要刻蚀材料必须被刻干净。在可能的情况下，腐蚀速率应选择在2-5分钟左右完成腐蚀：腐蚀时间要足够长以便将插入圆片和润湿的影响降到最小，时间又要足够短，以保持工作流程恰当和降低工艺单元成本。专用腐蚀，如牺牲层腐蚀或衬底的各向异性刻蚀，可能需要几个小时或更长时间。

选择湿法腐蚀时，侧壁可以是一个重要的考虑因素。湿法腐蚀和干法刻蚀相比，能显著钻蚀掩膜图案。在湿法腐蚀中，精细线条，如相邻线和

间隔等可能会完全消失。对暗场掩膜来说，钻蚀也会导致器件特征尺寸变宽，影响设计规则，并在某些情况下限制了芯片尺寸。在某些情况下，一般用湿法腐蚀产生的斜侧壁是有利的，它能允许后续薄膜沉积和图案有更好的台阶覆盖。

湿法腐蚀的第二个选择原则是，可证明重复性，可靠性，湿法腐蚀的鲁棒性。举例来说，一个挑剔的腐蚀工艺要求操作者特别关注，甚至轻微的腐蚀变化就可以毁掉整个工艺。一个良好的湿法腐蚀工艺必须有过腐蚀的能力，允许5-15％或以上的过腐蚀余量，同时对器件性能和产量的影响微乎其微。一个理想的湿法腐蚀有自停止特性的过腐蚀能力，对其他暴露材料有近无限的选择性。腐蚀工艺的一个更有利的优点是对操作者控制的腐蚀有一个可见的腐蚀终止点和能在线验证被腐蚀薄膜或底膜的薄膜厚度，这确保了所选材料在目标区域内彻底被腐蚀掉。

湿法腐蚀通常对腐蚀温度，腐蚀液浓度，以前的使用量，腐蚀剂年龄，腐蚀剂的蒸发或在腐蚀液中的稀释，腐蚀剂要腐蚀的晶圆数量、包括基板

背面的暴露面积的百分比，特征尺寸，薄膜的成分，薄膜形貌，退火历史，表面污染，表面残留物，孵化时间，搅拌，室内照明，对每一个可靠的腐蚀工艺控制的认真态度等都敏感。

如果腐蚀太慢；对其他掩膜材料和衬底的选择性不足；缺乏均匀性;针对后续衬底加工存在污染问题;产生不想要的化合物；残留物，或蚀点；引起裂缝，肿胀，脱皮，或掩膜层的过度钻蚀；或需要笨重的存储，处理，处置，安全和设施考虑，可以考虑取消用该腐蚀液。虽然湿法腐蚀可能提供比干法刻蚀更高的对掩膜材料的选择性，但他们也可能对膜的组成和退火更敏感。

湿法腐蚀的第三个选择原则是尽可能地使用现有的工艺。加工中心一般都会有某些材料(如二氧化硅)和金属(如铝)的湿法腐蚀能力，针对所要的薄膜厚度，可以根据需要适当修改工艺参数。对特定的工艺如衬底的各向异性腐蚀可能有专用的腐蚀槽位。对某些特殊的腐蚀要求，如广泛使用的牺牲层腐蚀，聪明的做法是修改现有工艺和设备，只需实现所需的腐蚀

特性。那些已经开发出专用腐蚀液以制造某个器件的人员知道要进行开发，特性检测和规范化专用腐蚀液需要花费大量的时间和精力。

湿法腐蚀的第四个选择原则是确保与器件加工及要开发器件的加工中心的其他方面的兼容性。通过圆片传递路径或公共承片台和腐蚀槽的圆片操作可能产生的和其他器件，设备和工艺的交叉污染将对其他器件产生不期望的损害。开发人员需要确保在一个特定的器件工艺流程中后续工艺是兼容的，要考虑后续淀积工艺的台阶覆盖和光刻胶旋涂，易碎器件的操作，切片要求和封装需求。

在考虑到上述湿法腐蚀选择的原则之后如存在多个选项，下一步就是要考虑开发，制造和技术转让，设备和设施的维护，与地面空间的高度，工艺控制，和供应相关的所有成本。使用现有的设施内的已有工艺的成本一般最低，因为现有工艺腐蚀费用通常是最合理的，不需要花费额外的资本或开发努力。

那些已经开发或正在开发的半导体或MEMS器件的人认识到加工工序

和器件设计之间需要广泛的互动。如果腐蚀工序不能进行调整以达到预期的效果，针对整个工艺方案的的调整可能会有所帮助。另外，器件设计可以经常进行调整，以容纳腐蚀或其他工艺过程的不当限制。

8.2.1表面反应和反应物/副产品传输

腐蚀系统通常由腐蚀烧杯或大小足以垂直地容纳一个或多个圆片的水槽组成，在一个腐蚀周期中圆片完全浸在腐蚀液中，如图8.3所示。可包括加热器，热电偶和搅拌器。水槽往往有用于维持酸/碱中和系统的排水管，一个专用的氢氟酸收集系统，或溶剂收集箱。腐蚀液可用外部的化学品储存设施从腐蚀瓶或永久安装的输送系统倒入水槽。对所用的腐蚀液而言腐蚀槽和液体分布系统是由惰性材料构成的，如全氟烷基（PFA），阻燃聚丙烯（PP），高密度聚乙烯（HDPE），聚四氟乙烯（PTFE或Teflon[特氟龙]），模压聚偏二氟乙烯（PVDF），或石英[27，33]等。不锈钢腐蚀槽偶尔也适用于溶剂，有时也适用于氢氧化钾的腐蚀剂。 PFA腐蚀槽和支架可用于氢氧化钾腐蚀。为了安全和溢出控制，腐蚀槽可放置在另一个水

箱或水槽内。为了保护操作者，水箱及水槽通常要用安装在湿法工作台上的防溅出的架空废液收集装置连接。

图 8.3 腐蚀槽(a)用于存放腐蚀液，经常有一个加热器，热电偶，搅拌器和用于排出腐蚀剂的阀门。一个单独的漂洗槽(b)允许在晶圆旋转或吹

干燥前用去离子水充分地冲洗晶圆。一个专用的支架或放有包含碳纤维，聚丙烯，全氟烷基，聚四氟乙烯或Teflon[特氟龙]，聚偏氟乙烯，或石英的PEEK的暗盒（未画出），在腐蚀和冲洗过程中可用于晶圆传输。

湿法工作台上可能有定时器，灯和风扇开关，加热控制器，报警系统，和一个或多个专用的腐蚀清洗池和漂洗槽。漂洗槽也有类似的构造而且有丰富的去离子水喷雾或泡沫喷洒在晶圆上，稀释和去除晶圆上的腐蚀液。漂洗池在水箱底部可能会有下拉门用来在多个倾倒冲洗周期中迅速排出漂洗水。一些腐蚀工序要求晶圆腐蚀和漂洗要在同一个池中（即稀释冲洗），然而晶圆从腐蚀池到冲洗池一般都是通过手动或自动臂来运送的。晶圆支架或暗盒还必须对腐蚀剂没作用而且通常专用于特定的湿法工作台或腐蚀工艺以避免交叉污染的可能性。

液体腐蚀工艺的通用模型如图8.4所示。当在腐蚀液中的反应物与被腐蚀材料暴露在外的表面化学反应时发生腐蚀，同时伴随着又重新溶解到

腐蚀液中或以气体形式释放的副产品。腐蚀速率受在腐蚀液中反应物的浓度，扩散到裸露表面的反应物的局部运输，腐蚀液和正在刻蚀的材料之间的分界面的反应速率，表面上的反应产物的去除率及在刻蚀池内的反应产物的浓度等多方面影响。

在液固界面的反应更是出奇地复杂。腐蚀可能涉及一个复合的氧化还原反应，先产生正在被腐蚀的材料的氧化物质，然后被腐蚀掉让新鲜的材料暴露，该过程连续进行实现腐蚀。二次效应可能发生，有时甚至占据主导地位，如从一个高深宽比特征的界面或从非润湿掩膜材料上产生的水蒸气壁垒。不需要的副产品，如盐残余物或在刻蚀表面形成的其他固体构成物，能产生腐蚀壁垒，这些壁垒减缓甚至能停止腐蚀。当气泡一直黏着在表面时，气体的局部演化能产生一个减缓腐蚀速率的微掩膜效应，从而导致形成粗糙的表面和可能的小丘形状的构成物。当晶圆部分清洗，然后重新插进伴有不充分的搅拌的腐蚀池中时，疏忽，局部腐蚀速率减少等可能会出现带有粘性或低溶解度的腐蚀剂。

【生产管理】MEMS湿法腐蚀工艺和过程(DOC 99页)

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第8章 MEMS湿法腐蚀工艺和过程 David W. Burns 摘要：通过光刻胶或硬掩膜窗口进行的湿法化学腐蚀在MEMS器件制造的许多工艺过程中大量存在。本章针对400多种衬底和淀积薄膜的组合介绍了800多种湿法腐蚀配方, 着重介绍了在大学和工业界超净间中常见的实验室用化学品。另外给出了600多个有关选择或开发制造MEMS器件的新配方的文献。也给出了近40个内部整合的材料和腐蚀特性的图表，方便读者迅速寻找和比较这些配方。有关目标材料和腐蚀特性的缩略语为方便比较都进行了统一。腐蚀速率和对其他材料的腐蚀选择性也给出了。除了重点讨论在MEMS领域常用的硅和其他常用材料外，III-V化合物半导体和更新的材料也有涉及。 本章讨论主题涉及湿法腐蚀原理与过程；整合湿法腐蚀步骤的工艺方法；湿法腐蚀过程的评估和开发及侧重安全的设备和向代工厂转移的预期；氧化物，氮化物，硅，多晶硅，和锗各向同性腐蚀；标准金属腐蚀；非标准绝缘介质，半导体和金属腐蚀；光刻胶去除和硅片清洗步骤；硅化物腐蚀；塑料和聚合物刻蚀；硅各向异性刻腐蚀，体硅和锗硅自停止腐蚀；电化学腐蚀和自停止；光助腐蚀和自停止；薄膜自停止腐蚀；牺牲层去除；多孔硅形成；用于失效分析的层显；缺陷判定；针对湿法化学腐蚀的工艺和过程，给出了几个实际的案例。对器件设计人员和工艺研发人员，本章提供了一个实际和有价值的指导，以选择或发展一个对许多类型MEMS和集成MEMS器件的腐蚀。 D．W．Burns Burns Engineering, San Jose, CA, USA e-mail:dwburns@https://www.wendangku.net/doc/f5695967.html, 8.1引言

_湿法清洗及湿法腐蚀工艺-王永刚

湿法清洗及湿法腐蚀 目录 一：简介 二：基本概念 三：湿法清洗 四：湿法腐蚀 五：湿法去胶 六：在线湿法设备及湿法腐蚀异常简介七．常见工艺要求和异常

一：简介 众所周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净度对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要, 硅片清洗也显得尤为重要.湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用.

二基本概念 腐蚀是微电子生产中使用实现图形转移的一种工艺，其目标是精确的去除不被ＭＡＳＫ覆盖　的材料，如图１：　 　 图 １　 腐蚀工艺的基本概念　：　 　 E T C H R A T E(E/R)------腐蚀速率：是指所定义的膜被去除的速率或去除率，通常用Um/MIN，A/MIN 为单位来表示。 E/R U N I F O R M I T Y------腐蚀速率均匀性,通常用三种不同方式来表示: U N I F O R M I T Y A C R O S S T H E W A F E R W A F E R T O W A F E R L O T T O L O T 腐蚀速率均匀性计算U N I F O R M I T Y=（E R H I G H-E R L O W）/（E R H I G H+E R L O W）*100% S E L E C T I V I T Y-------选择比是指两种膜的腐蚀速率之比,其计算公式如下: S E L A/B=（E/R A）/（E/R B） 选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响，在腐蚀工艺中必须特别注意SEL，这是实现腐蚀工艺的首要条件。 G o o d s e l e c t i v i t y P o o r s e l e c t i v i t y(U n d e r c u t) I S O T R O P Y-------各向同性：腐蚀时在各个方向上具有相同的腐蚀速率；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。具体如下图：

腐蚀工艺教程

腐蚀工艺教程（湿法清洗部分） 一、什么是半导体？ 半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3~109范围内。自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）。纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。我们分别称之为P （空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。P型半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。 在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。在mos集成电路制造中，选用的是<100> 晶向的圆片。 二、什么是集成电路？ 不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电路。 集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。 三、集成电路中的常用薄膜。 多晶硅 常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的短连线 二氧化硅 集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。 氮化硅 能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。用低压CVD（LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离子淀积（PECVD）的氮化硅膜，能在较低温度下生成，可作为钝化保护层。 Al-Si-Cu 用在集成电路中作为金属互连线。 四、什么是刻蚀 集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。刻蚀分为干法腐蚀和湿法腐蚀。 五、常用湿法腐蚀工艺 1. HF去二氧化硅 说明：HF酸漂去二氧化硅 配比：HF：H2O=1：10 温度：室温 流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干 2. 磷酸去氮化硅

腐蚀工艺简介教学文案

腐蚀工艺简介

腐蚀工艺教程 一、什么是半导体？ 半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3~109范围内。自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）。 纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。我们分别称之为P（空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。P型半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。 在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。在mos集成电路制造中，选用的是<100>晶向的圆片。 二、什么是集成电路？ 不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电路。 集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。 三、集成电路中的常用薄膜。 多晶硅 常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的短连线 二氧化硅 集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。 氮化硅 能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。用低压CVD（LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离

腐蚀工艺教程

腐蚀工艺教程 一、什么是半导体？ 半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3~109范围内。自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）。 纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。我们分别称之为P（空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。P型半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。 在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。在mos集成电路制造中，选用的是<100>晶向的圆片。 二、什么是集成电路？ 不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电路。 集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。 三、集成电路中的常用薄膜。 多晶硅 常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的短连线 二氧化硅 集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。 氮化硅 能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。用低压CVD （LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离子淀积（PECVD）的氮化硅膜，能在较低温度下生成，可作为钝化保护层。 Al-Si-Cu 用在集成电路中作为金属互连线。 四、什么是刻蚀 集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。

半导体工艺试验-电子科技大学

微机电系统课程实验之三 采用湿法刻蚀技术制作微V型槽《微机电系统》课程组编写 电子科技机械电子工程学院 2005年5月

实验名称：采用湿法刻蚀技术制作硅微V 形槽 一、 实验目的 1、理解硅湿法刻蚀加工原理；掌握硅晶体晶向对湿法刻蚀过程、最终形成 结构形状的影响规律； 2、理解微加工工艺流程；通过运用硅湿法刻蚀加工装置、完成其腐蚀实验 过程，培养对微加工过程的具体感性认识； 3、学习微结构测试、分析的相关知识。 二、 实验任务 选择适当硅片，在其上表面上刻蚀平行V 型槽阵列，用于某MEMS 组装结构。周期350微米，槽宽205微米。槽数量3~5个。 三、 实验原理 1、 硅湿法刻蚀加工原理 硅是各向异性材料，因此对硅的不同晶面将有不同的腐蚀速率，基于这种腐蚀特性，可以在硅衬底上加工出各种不同的微细结构，例如我们将要加工的V 型槽。腐蚀剂可分为两类：一类是有机腐蚀剂，例如EPW （乙二胺，邻苯二酸和水按一定比例配成）、联胺；另一类是无机腐蚀剂，例如KOH 、NaOH 、LiOH 、CsOH 、NH 4OH 等等。由于有机腐蚀剂排放的气体有毒，所以我们将考虑采用氢氧化钾溶液作为腐蚀剂。其腐蚀的反应式为： ↑+=++232222H SiO K KOH O H Si （2-1） 在有乙丙醇（（CH 3）2CHOH ，缩写为IPA ）参与的情况下，其反应式为： +-+++=+H OH K O H KOH 22 （2-2） 2 6 2)(42--=++OH Si O H OH Si （2-3） 即首先将硅氧化成含水的硅化物。 O H H OC Si CHOH CH OH Si 22673232 66])([)(6)(+=+-- （2-4） 由上述反应式可知，KOH 首先将Si 氧化成含水的硅化合物，然后与IPA 反应，形成可溶解的硅络合物，这种络合物不断离开硅的表面。 2、 湿法刻蚀加工中的各向异性与V 型槽的形成

腐蚀工艺简介

腐蚀工艺教程 一、什么是半导体 半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3~109范围内。自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）。 纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。我们分别称之为P（空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。P型半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。 在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。在mos集成电路制造中，选用的是<100>晶向的圆片。 二、什么是集成电路 不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电路。 集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS 集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。 三、集成电路中的常用薄膜。 多晶硅 常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的短连线 二氧化硅 集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。 氮化硅 能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。用低压CVD （LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离子淀积（PECVD）的氮化硅膜，能在较低温度下生成，可作为钝化保护层。 Al-Si-Cu 用在集成电路中作为金属互连线。 四、什么是刻蚀 集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。

湿法腐蚀工艺研究综述

硅湿法腐蚀工艺的研究现状 摘要：随着MEMS技术的发展，通过光刻胶或硬掩膜窗口进行的湿法腐蚀工艺在MEMS器件制造的许多工艺过程中有大量的应用，本文介绍了湿法腐蚀工艺的发展历程，研究现状，以及未来的发展趋势，将湿法腐蚀工艺与干法腐蚀工艺进行对比，得出湿法腐蚀工艺的优缺点。重点阐述了湿法腐蚀工艺的工艺过程，简单介绍了湿法腐蚀工艺在工业领域的一些应用。 关键词：MEMS 光刻胶湿法腐蚀工艺过程 Research Status of Wet Etching Technology on Silicon Abstract:With the development of Micro-Electro-Mechanical System(MEMS) technology,Wet Etching technology with photoresist or hard mask window has a large number of applications in the fabrication of MEMS devices.This article describes the development process of wet etching process, as well as the research status and future trends,comparing the Wet Etching process and dry etching process,we get the advantages and disadvantages of Wet Etching.This article will focuses on the process of Wet Etching,a brief introduction to some applications of the wet etching process in the industrial field. Keywords:MEMS Photoresist Wet Etching Process 0前言 在制造领域，人们对机械加工的的要求越来越高，工件尺寸越来越小，精度越来越高，功能却越来越多，这些要求促进了很多先进制造技术的产生，MEMS技术就是在这样的背景下产生的，MEMS,其实就是是微机电系统——Micro-Electro-Mechanical Systems的缩写，它可以批量制作，是集微型机构、传感器和执行器以及控制电路、直至接口、通信和电源等电子设备于一体的微型器件或系统[1]。MEMS是伴随着半导体集成电路、微细加工技术和超精密加工技术的发展而共同发展起来的，MEMS技术利用了半导体技术中的腐蚀、光刻、薄膜等现有的技术和材料，所以，从制造技术本身来讲，MEMS基本的制造技术相对而言还是比较成熟的。但是，MEMS技术更偏向于超精密机械的加工，并且要关系到微电子、材料、力学、化学、机械等学科领域。它所涉及的学科也扩展到微型尺寸下的力、电、光、磁、声、等物理学的各个分支。目前，MEMS技术还被广泛的运用在微流控芯片和合成生物学等领域，进而探索生物化学等实验室技术流程的芯片集成化[2]。湿法腐蚀工艺是MENMS技术中的一种重要工艺，本文将对湿法腐蚀工艺进行详述。 1硅湿法腐蚀工艺的原理及特点 1.1硅湿法腐蚀工艺原理 湿法腐蚀工艺在MEMS技术起步的时候，就开始出现。是最早应用在微机械结构制造领域的微机械加工方法。所谓的湿法腐蚀，其实就是将晶片放在液态的化学腐蚀液中，对晶片进行腐蚀，在腐蚀的过程中，腐蚀液将会把它所接触的材料通过化学反应一步一步浸蚀直至

湿法腐蚀工艺研究综述

硅湿法腐蚀工艺的研究现状 摘要：随着MＥMS技术的发展,通过光刻胶或硬掩膜窗口进行的湿法腐蚀工艺在MEMＳ器件制造的许多工艺过程中有大量的应用，本文介绍了湿法腐蚀工艺的发展历程,研究现状,以及未来的发展趋势,将湿法腐蚀工艺与干法腐蚀工艺进行对比，得出湿法腐蚀工艺的优缺点。重点阐述了湿法腐蚀工艺的工艺过程,简单介绍了湿法腐蚀工艺在工业领域的一些应用。 关键词：MEMS 光刻胶湿法腐蚀工艺过程 ResearcｈＳtａtｕs ｏｆWeｔEtcｈing Technology on Silicon Abｓtrａｃｔ:Witｈｔhe devｅｌoｐｍeｎt of Miｃrｏ-Elｅctrｏ-Mｅcｈaniｃal Sｙsｔｅｍ(MＥMＳ) ｔechnology,Wｅt Etcｈing tecｈｎoloｇｙwith ｐhotｏresist oｒｈarｄmask winｄow hasａｌarｇe ｎuｍber oｆaｐplications iｎtｈe fabriｃatｉon ｏｆMＥMS devices.Thｉs aｒtｉｃｌe dｅscrｉbes ｔｈe devｅlopmｅnt ｐｒoｃeｓｓof wｅｔeｔching ｐrocesｓ,as welｌａs thｅrｅｓｅａｒch statｕs anｄｆｕture trｅｎds，comparｉng tｈe Ｗet Eｔｃhing prｏｃeｓｓaｎｄdrｙetchｉｎg proｃｅss,we get the ａdvａnｔaｇeｓaｎd dｉsaｄｖantages of Wet Ｅtching.Thｉｓarｔicｌｅwiｌl fｏcuseｓon ｔhe proｃeｓs of Wｅt Etｃｈing,ａbrief inｔｒｏdｕcｔiｏn ｔo some apｐli ｃａtions oｆthe ｗｅt ｅｔchｉnｇprｏcess ｉn thｅｉnduｓtriａl fieｌd. Ｋeyｗorｄs:MEMS Photｏreｓist WeｔEtchｉnｇProcess 0前言 在制造领域,人们对机械加工的的要求越来越高，工件尺寸越来越小，精度越来越高，功能却越来越多，这些要求促进了很多先进制造技术的产生,MEMS技术就是在这样的背景下产生的，MEＭS,其实就是是微机电系统——Ｍicro－Elｅcｔrｏ-Mｅchanical Sｙstems的缩写,它可以批量制作,是集微型机构、传感器和执行器以及控制电路、直至接口、通信和电源等电子设备于一体的微型器件或系统[1]。MEMS是伴随着半导体集成电路、微细加工技术和超精密加工技术的发展而共同发展起来的,MＥMS技术利用了半导体技术中的腐蚀、光刻、薄膜等现有的技术和材料，所以,从制造技术本身来讲,MEMＳ基本的制造技术相对而言还是比较成熟的。但是，MEMＳ技术更偏向于超精密机械的加工，并且要关系到微电子、材料、力学、化学、机械等学科领域。它所涉及的学科也扩展到微型尺寸下的力、电、光、磁、声、等物理学的各个分支。目前,MEMＳ技术还被广泛的运用在微流控芯片和合成生物学等领域,进而探索生物化学等实验室技术流程的芯片集成化［2]。湿法腐蚀工艺是MEＮMS技术中的一种重要工艺，本文将对湿法腐蚀工艺进行详述。 1硅湿法腐蚀工艺的原理及特点 1.1硅湿法腐蚀工艺原理

MEMS湿法腐蚀工艺和过程

第8章 MEMS湿法腐蚀工艺和过程 David W. Burns 摘要：通过光刻胶或硬掩膜窗口进行的湿法化学腐蚀在MEMS器件制造的许多工艺过程中大量存在。本章针对400多种衬底和淀积薄膜的组合介绍了800多种湿法腐蚀配方, 着重介绍了在大学和工业界超净间中常见的实验室用化学品。另外给出了600多个有关选择或开发制造MEMS器件的新配方的文献。也给出了近40个内部整合的材料和腐蚀特性的图表，方便读者迅速寻找和比较这些配方。有关目标材料和腐蚀特性的缩略语为方便比较都进行了统一。腐蚀速率和对其他材料的腐蚀选择性也给出了。除了重点讨论在MEMS领域常用的硅和其他常用材料外，III-V化合物半导体和更新的材料也有涉及。 本章讨论主题涉及湿法腐蚀原理与过程；整合湿法腐蚀步骤的工艺方法；湿法腐蚀过程的评估和开发及侧重安全的设备和向代工厂转移的预期；氧

化物，氮化物，硅，多晶硅，和锗各向同性腐蚀；标准金属腐蚀；非标准绝缘介质，半导体和金属腐蚀；光刻胶去除和硅片清洗步骤；硅化物腐蚀；塑料和聚合物刻蚀；硅各向异性刻腐蚀，体硅和锗硅自停止腐蚀；电化学腐蚀和自停止；光助腐蚀和自停止；薄膜自停止腐蚀；牺牲层去除；多孔硅形成；用于失效分析的层显；缺陷判定；针对湿法化学腐蚀的工艺和过程，给出了几个实际的案例。对器件设计人员和工艺研发人员，本章提供了一个实际和有价值的指导，以选择或发展一个对许多类型MEMS和集成MEMS器件的腐蚀。 D．W．Burns Burns Engineering, San Jose, CA, USA e-mail:dwburns@https://www.wendangku.net/doc/f5695967.html,

8.1引言 很少有微机械化或集成化的器件是在没有进行一些湿法化学处理的情况下开发或制造的。不管器件是否是电气的，机械的，电子的，集成的，光学的，光电子学的，生物的，聚合的，微流控的传感器或执行器，有关这些器件的制造工艺或过程的替换决定将对最终的技术和商业成功有重要影响。这些器件通常在硅衬底、化合物半导体、玻璃、石英、陶瓷或塑性材料上制造，可能涉及在这些材料上淀积一层或多层薄膜并光刻和腐蚀。这些层和淀积顺序受工艺和用于开发和制造该器件的工艺单元限制，随着层数的增长变的越来越复杂和相互影响。 湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料，在光刻掩膜涂覆后（一个曝光和显影过的光刻胶）或者一个硬掩膜（一个光刻过的抗腐蚀材料）后紧接该步腐蚀。这个腐蚀步骤之后，通常采用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。湿法腐蚀可替换工艺包括干法刻蚀，即

41-刘奎-硅湿法腐蚀工艺的研究现状及展望

大连理工大学研究生试卷 系别：机械制造及其自动化课程名称：微制造与微机械电子系统学号：21504029 姓名：刘奎 考试时间：2016年1 月11 日类别标准分数实得分数平时 成绩 10 作业 成绩 90 总分100 授课教师刘冲 签字

硅湿法腐蚀工艺的研究现状及展望 刘奎 （机械工程学院模具研究所大连理工大学大连 116024） 摘要：本文分析了MEMS工艺中常用的一种工艺，即湿法腐蚀技术。重点研究了湿法腐蚀技术的两种方法：各向同性腐蚀与各向异性腐蚀。并且分别了这两种方法的腐蚀机理，以及湿法腐蚀的工艺过程。然后，介绍了湿法腐蚀技术的国内国外研究现状，并提出了发展展望。 关键词：MEMS 湿法腐蚀各向同性各向异性研究现状 The Research Status and Perspective of Wet Etching Process of Silicon LIU Kui （Institute of dies，Dalian University of Technology，Dalian 116024） Abstract：In this paper，a commonly used technology in the field of MEMS is analyzed ，namely wet etching technique. And the analysis focuses on the two wet etching methods：isotropic wet etching and anisotropic wet etching. Simultaneously，the principles of the two wet etching technique are described，as well as the procedure of the process. Then, some research status and development perspective both home and abroad is demonstrated. Key words：MEMS wet etching isotropic anisotropic research status 1引言 随着现代科学技术的快速发展，许多机械电子相关的产品设计与结构设计，越来越趋向轻量化，小型化，精密化，功能多样复杂化，产品设计集成度越来越高，性能越来越强大。其中，以高技术密集著称的半导体加工制造行业为典型代表。如图1-1硅片，图1-2集成芯片。 图1-1 硅片图1-2 集成芯片著名的MEMS工艺技术，便在现代技术的高速发展与技术需求中产生。MEMS,即为微机电系统——Micro-Electro-Mechanical Systems的缩写，是集微型机构、传感器和执行器以及控制电路、直至接口、通信和电源等电子设备于一体的微型器件或系统[1]。MEMS是伴随着半导体集成电路、微细加工技术和超精密加工技术的发展而共同发展起来的，MEMS技术利用了半导体技术中的腐蚀、光刻、薄膜等现有的技术和材料， MEMS技术偏向于超精密机

硅的湿法腐蚀

硅的湿法腐蚀技术 1 湿法腐蚀简介 1.1 湿法腐蚀的历史与研究现状 湿法腐蚀技术的历史可以追溯到15 世纪末或16 世纪初，人们以蜡作掩膜，用酸在盔甲上腐蚀出装饰图形。而各向同性腐蚀是20 世纪50 年代开发的一项半导体加工技术。各向异性湿法腐蚀技术可以追溯到20 世纪60年代中期，那时贝尔实验室用KOH、水和乙醇溶液进行硅的各向异性湿法腐蚀，后来改用KOH 和水的混合溶液[1]。湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料，在光刻掩膜涂覆后（一个曝光和显影过的光刻胶）或者一个硬掩膜（一个光刻过的抗腐蚀材料）后紧接该步腐蚀。这个腐蚀步骤之后，通常采用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。国外对硅的湿法腐蚀的研究起步较早，已取得相当多的研究成果。国外对硅的湿法腐蚀的研究主要集中于腐蚀剂、腐蚀剂浓度、添加剂、温度、腐蚀时间等因素对腐蚀速率、腐蚀选择性、粗糙度等结果的影响。 1.2 湿法腐蚀的分类 湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多，有酸性腐蚀剂，碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂，又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀是指硅的不同方向的腐蚀速率相同。各向异性腐蚀则是指硅的不同晶向具有不同的腐蚀速率，也即腐蚀速率与单晶硅的晶向密切相关。图1.1给出了各向同性腐蚀和各向异性腐蚀的截面示意图[2]。 硅的各向同性腐蚀液对硅片的所有晶面都有着相近的腐蚀速率，并且腐蚀速率通常都相当大。各向同性腐蚀的试剂很多，包各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否获得高纯试剂，以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制，因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀速率高于其他方向的腐蚀速率。腐蚀结果的形貌由腐蚀速率最慢的晶面决定。基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。 各向异性湿法腐蚀所用的腐蚀液通常对硅的腐蚀速率都比较小，一般在每分钟1μm 左右。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类，一类是有机腐蚀剂，包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等，另一类是无机腐蚀剂，包括碱性腐蚀液[6]，如KOH、NaOH、NH4OH等。